JP3643789B2 - p−フェニレンジアミン誘導体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は新規なp−フェニレンジアミン誘導体に関する。さらに詳しくは、有機EL素子成分として、特に、正孔輸送材料として用いることにより、有機EL素子の発光寿命を著しく改善しうる新規なp−フェニレンジアミン誘導体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、有機EL素子の構成については様々なものが知られているが、ITO(Indium Tin Oxide) /正孔輸送層/発光層/陰極の素子構成における正孔輸送層の材料として、芳香族第三級アミンを用いることが開示されており(特開昭63−295695号公報)、この素子構成により、20V以上の印加電圧で数百cd/m2 の高輝度が可能となった。
さらに、芳香族第三級アミンとして、TPD〔N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン〕を用いることにより、青色発光でも8V印加電圧で100cd/m2 の輝度が得られることが開示されている(特開平3−231970号公報)。しかしながら、ここで開示されているジアミン誘導体は、2つのアミノ基がそれぞれ離れた位置関係にあるので共鳴構造の寄与が弱く、そのイオン化ポテンシャルが高いという欠点を有しており、そのためEL素子の駆動電圧を充分に低下させることができない上、素子の半減時間が数十時間であり、実用化には不充分であった。
また、ジアミンとしてm−フェニレンジアミンを用いた化合物が開示されている(特開平5−105647号公報)。この化合物は2つのアミノ基の間にフェニレン基しか存在しないので充分な電子供与性が期待されるが、該化合物におけるm−フェニレンジアミン骨格は共鳴構造をとれないので、前述したジアミン誘導体よりもさらにイオン化ポテンシャルが高く、EL素子の駆動電圧を充分に低下させることができず、かつ発光寿命が短いという欠点を有している。
ところで、EL素子のフラットパネルディスプレーなどへの応用を考えた場合、発光寿命を改善する必要がある。特開平5−107785号公報にはトリアミン化合物がEL素子の電荷輸送材料として利用できることが開示されているが、上記要望を充分に満足させるものではない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような状況下で、駆動電圧が低減された有機EL素子、あるいは発光寿命が著しく改善された有機EL素子を提供しうる新規なp−フェニレンジアミン誘導体を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、上記の好ましい性質を有する有機EL素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の構造を有するアリーレンジアミン誘導体を有機EL素子の成分、特に、正孔輸送材料として用いることにより、発光寿命が長い有機EL素子が得られることを見出した。
また、本発明者らは、上記アリーレンジアミン誘導体の中で、特定の構造のp−フェニレンジアミン誘導体が文献未載の新規化合物であり、このものを有機EL素子の成分、特に、正孔輸送材料として用いることにより、著しく発光寿命が改善された有機EL素子が得られることも見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、
(1)一般式(II)
【0005】
【化3】
【0006】
〔式中、R1 〜R9 は、それぞれ水素原子、炭素数1〜6のアルキル基若しくはアルコキシ基又はフェニル基を示し、それらはたがいに同一であっても異なっていてもよく、また、R1 とR2 ,R3 とR4 ,R5 とR6 及びR7 とR8 は、それぞれ結合して環を形成し、
【化4】
が、それぞれ独立に、
【化5】
となっていてもよい。〕
で表されるp−フェニレンジアミン誘導体を提供するものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明者らは、有機EL素子の耐久性の向上を目的として、特に、正孔輸送層に関し種々の検討を行ってきた。
その結果、下記一般式( II )
【0011】
【化6】
で表される4つのビフェニル基を有するp−フェニレンジアミン誘導体が、特に正孔輸送層に用いた場合に、有機EL素子の発光寿命を著しく改善させることを見出した。
【0012】
また、上記一般式(II) で表されるp−フェニレンジアミン誘導体は文献未載の新規な化合物である。
【0013】
上記一般式(II)において、R1 〜R9 は、それぞれ水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、例えば、メチル基,エチル基,n−プロピル基,イソプロピル基,シクロプロピル基,n−ブチル基,イソブチル基,sec−ブチル基,tert−ブチル基,シクロブチル基,n−ペンチル基,シクロペンチル基,n−ヘキシル基,シクロヘキシル基などや、炭素数1〜6のアルコキシ基、例えば、メトキシ基,エトキシ基,n−プロポキシ基,イソプロポキシ基,シクロプロポキシ基,n−ブトキシ基,イソブトキシ基,sec−ブトキシ基,tert−ブトキシ基,シクロブトキシ基,n−ペントキシ基,シクロペントキシ基,n−ヘキソキシ基,シクロヘキソキシ基など、又はフェニル基を示す。
該一般式(II)において、R1 〜R9 は,たがいに同一であっても異なっていてもよく、またR1 とR2 ,R3 とR4 ,R5 とR6 及びR7 とR8 は、それぞれ結合して環を形成し、
【化6】
が、それぞれ独立に、
【化7】
となっていてもよい。
上記一般式(II)で表されるp−フェニレンジアミン誘導体を、有機EL素子の成分、特に、正孔輸送層材料に用いることにより、EL素子の発光寿命を著しく改善することができる。
【0014】
次に、上記一般式(II)で表されるp−フェニレンジアミン誘導体の製造方法について説明する。
該一般式(II)で表されるp−フェニレンジアミン誘導体は、例えば、(1) 一般式(IV)
【化8】
〔式中、R9 は前記と同じである。〕
で表されるp−フェニレンジアミン類と、一般式(V)
【化9】
〔式中、Xはハロゲン原子(フッ素,塩素,臭素,ヨウ素)、R1 及びR2 は前記と同じである。〕
で表されるハロゲン化アリール化合物とを縮合させる方法、
【0015】
(2) 一般式(VI)
【化10】
〔式中、G及びG’は、同一又は異なる保護基、例えば、アセチル基,ベンジル基,トリフルオロアセチル基,t−ブトキシカルボニル基など、好ましくはアセチル基を示し、R9 は、前記と同じである。〕
で表される保護されたジアミン誘導体と上記一般式(V)で表されるハロゲン化アリール化合物とを縮合させたのち、保護基G,G’を外し、さらに同様の縮合を行う方法、
【0016】
(3) 一般式(VII)
【化11】
〔式中、R1 〜R4 は、前記と同じである。〕
で表されるアミンと、一般式(VIII)
【化12】
〔式中、X及びR9 は、前記と同じであり、2つのXは、たがいに同じでも異なっていてもよい。〕
で表されるジハロゲン化アリール化合物とを縮合させる方法、
【0017】
(4) 上記一般式(VII) で表されるアミンと、一般式(IX)
【化13】
〔式中、X及びR9 は、前記と同じである。〕
で表されるハロゲン化アミノアリール化合物と、上記一般式(V)で表されるハロゲン化アリール化合物とを縮合させる方法、
などによって製造することができる。
【0018】
上記一般式(IV)で表されるp−フェニレンジアミン類の具体例としては、
【化14】
などが、一般式(V)で表されるハロゲン化アリール化合物の具体例としては、
【化15】
などが、一般式(VI)で表される保護されたジアミン誘導体の具体例としては、
【化16】
などが、
一般式(VII) で表されるアミンの具体例としては、
【化17】
などが、一般式(VIII)で表されるジハロゲン化アリール化合物の具体例としては、
【化18】
などが、一般式(IX)で表されるハロゲン化アミノアリール化合物の具体例としては、
【化19】
などが挙げられる。
【0019】
なお、上記(2) の方法においては、保護基G,G’を段階的に外すことにより、非対称なジアミン誘導体を製造することも可能である。
上記(1) 〜(4) の方法における縮合反応においては、塩基が用いられる。この塩基としては、例えば、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩,水酸化物、水素化物、さらには、アミン,アルキルリチウムなどが用いられるが、特に、炭酸カリウムが好適である。この縮合反応においては、所望により触媒を用いることができる。この触媒としては、例えば、銅又はその塩、ニッケル,パラジウムなどが挙げられる。触媒の形状としては、粉体が好ましく、粒径は10nm〜1mmの範囲が好ましく、特に、100〜500nmの範囲が好適である。
縮合反応は、溶媒を用いずに固相で行ってもよいし、溶媒中で行ってもよいが、溶媒中で行うのが有利である。この場合、溶媒としては、高沸点のものが好ましく、例えば、ニトロベンゼン,ジメチルスルホキシド,ジメチルホルムアミド,スルホランなどが用いられる。これらの中で、特に、ジメチルスルホキシドが好ましい。
縮合反応温度は、通常、100〜400℃、好ましくは150〜250℃の範囲で選ばれる。また、縮合反応の圧力は、通常は常圧でよいが、必要ならば加圧下で反応を行ってもよい。縮合時間は、原料や触媒の種類、温度などによって左右され、一概に定めることはできないが、一般には3〜36時間程度である。
【0033】
次に、一般式(II)で表されるp−フェニレンジアミン誘導体の具体例としては、
【0034】
【化37】
【0035】
【化38】
【0036】
【化39】
【0037】
【化40】
【0038】
【化41】
【0039】
【化42】
【0040】
【化43】
【0041】
【化44】
で表される化合物などを挙げることができる。
【0052】
本発明のp−フェニレンジアミン誘導体を使用した有機EL素子は、前記一般式(II)で表されるp−フェニレンジアミン誘導体を少なくとも含有するものである。この際、該ジアミン誘導体は一種含有させてもよく、二種以上を組み合わせて含有させてもよい。
【0053】
有機EL素子の構造としては、(1) 陽極/有機発光層/陰極、(2) 陽極/正孔輸 送層/有機発光層/陰極、(3) 陽極/有機 発光層/電子注入層/陰極、(4) 陽極/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極などがあるが、有機EL素子は、一対の電極(陽極と陰極)により挾持された化合物層(上記(1) の構成の素子においては有機発光層、(2) の構成の素子においては正孔輸送層及び有機発光層、(3) の構成の素子においては有機発光層及び電子注入層、(4) の構成の素子においては正孔輸送層,有機発光層及び電子注入層)の少なくとも一層が、上記一般式( II )で表されるp−フェニレンジアミン誘導体を含んでいれば、上記(1) 〜(4) のいずれの構成であってもよい。なお、これらの構成の有機EL素子は、いずれも基板により支持されることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来の有機EL素子に慣用されているもの、例えば、ガラス,透明プラスチック,石英などからなるもを用いることができる。
【0054】
該p−フェニレンジアミン誘導体を含む層は、正孔輸送層又は有機発光層であることが望ましく、特に正孔輸送層であることが好ましい。
該p−フェニレンジアミン誘導体を含む正孔輸送層は、p−フェニレンジアミン誘導体のみからなる単層構造でもよいし、p−フェニレンジアミン誘導体と、有機EL素子の正孔輸送層材料として従来より使用されている物質の層との複層構造であってもよい。さらには、該p−フェニレンジアミン誘導体と有機EL素子の正孔輸送層材料として従来より使用されている物質との混合物からなる層を含む単層構造又は複層構造であってもよい。
【0055】
該p−フェニレンジアミン誘導体を含む正孔輸送層は、p−フェニレンジアミン誘導体と、必要に応じて他の正孔輸送層材料とを用いて、真空蒸着法,キャスト法,塗布法,スピンコート法などにより形成することができる。さらには、ポリカーボネート,ポリウレタン,ポリスチレン,ポリアリレート,ポリエステルなどの透明ポリマーに、該p−フェニレンジアミン誘導体を分散させた溶液を用いたキャスト法、塗布法あるいはスピンコート法などや、透明ポリマーとの同時蒸着などによっても形成することができる。
また、該p−フェニレンジアミン誘導体を含む有機発光層は、p−フェニレンジアミン誘導体のみからなる単層構造であってもよいし、p−フェニレンジアミン誘導体と、有機EL素子の有機発光層材料として従来より使用されている物質の層との複層構造であっもよい。さらには、p−フェニレンジアミン誘導体と有機EL素子の有機発光層材料として従来より使用されている物質との混合物からなる層を含む単層構造又は複層構造であってもよい。該p−フェニレンジアミン誘導体を含む有機発光層は、p−フェニレンジアミン誘導体と、必要に応じて他の有機発光層材料とを用いて、真空蒸着法,キャスト法,塗布法,スピンコート法などにより形成することができる。
【0056】
該p−フェニレンジアミン誘導体を含む層以外は、従来の有機EL素子と同様の材料を用いて形成するこができる。
例えば、陽極の材料としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属,合金,電気伝導性化合物又はこれらの混合物が好ましく用いられる。具体例としては、Auなどの金属,CuI,ITO,SnO2 ,ZnOなどの誘電性透明材料が挙げられる。この陽極は、例えば蒸着法やスパッタリング法などの方法で、上記材料の薄膜を形成することにより作製することができる。有機発光層からの発光を陽極より取り出す場合、該陽極の透過率は10%より大きいことが望ましい。また、陽極のシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。この陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選択される。
【0057】
一方、陰極の材料としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属,合金,電気伝導性化合物又はこれらの混合物が好ましく用いられる。該陰極材料の具体例としては、ナトリウム,リチウム,マグネシウム/銅混合物,Al/Al2 O3 ,インジウムなどが挙げられる。この陰極は、蒸着法やスパッタリング法などの方法で、上記材料の薄膜を形成することにより作製することができる。有機発光層からの発光を陰極より取り出す場合、該陰極の透過率は10%より大きいことが望ましい。また、この陰極のシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。該陰極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選択される。
なお、有機発光層からの発光を効率よく取り出す観点からは、上記陽極及び陰極の少なくとも一方を透明又は半透明物質により形成するのが好ましい。
【0058】
また、有機EL素子における有機発光層を、該p−フェニレンジアミン誘導体と他の物質とにより形成する場合、p−フェニレンジアミン誘導体以外の他の有機発光層材料としては、例えば、多環縮合芳香族化合物や、ベンゾオキサゾール系,ベンゾチアゾール系,ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤,金属キレート化オキサノイド化合物、ジスチリルベンゼン系化合物などの薄膜形成性の良い化合物を用いることができる。
ここで、上記多環縮合芳香族化合物の具体例としては、アントラセン,ナフタレン,フェナントレン,ピレン,クリセン,ペリレン骨格などを含む縮合環発光物質や、8〜20個、好ましくは8個の縮合環を含む他の縮合環発光物質などが挙げられる。
【0059】
また、上記ベンゾオキサゾール系,ベンゾチアゾール系,ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤としては、例えば、特開昭59−194393号公報に開示されているものが挙げられる。その代表例としては、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾール;4,4’−ビス(5,7−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)スチルベン;4,4’−ビス(5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル)スチルベン;2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン;2,5−ビス(5−(α,α−ジメチルベンジル)−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン;2,5−ビス(5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル)−3,4−ジフェニルチオフェン;2,5−ビス(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン;4,4’−ビス(2−ベンゾオキサゾリル)ビフェニル;5−メチル−2−(2−(4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル)ビニル)ベンゾオキサゾール;2−(2−(4−クロロフェニル)ビニル)ナフト(1,2−d)オキサゾールなどのベンゾオキサゾール系、2,2’−(p−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、2−(2−(4−カルボキシフェニル)ビニル)ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤が挙げられる。
【0060】
上記金属キレート化オキサノイド化合物としては、例えば、特開昭63−295695号公報に開示されているものを用いることができる。その代表例としては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム,ビス(8−キノリノール)マグネシウム,ビス〔ベンゾ(f)−8−キノリノール〕亜鉛,ビス(2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウムオキシド,トリス(8−キノリノール)インジウム,トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム,8−キノリノールリチウム,トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガリウム,ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシウム,ポリ(亜鉛(II) −ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリノニル)メタン)などの8−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオンなどが挙げられる。
【0061】
また、上記ジスチリルベンゼン系化合物としては、例えば、欧州特許第0373582号明細書に開示されているものを用いることができる。その代表例としては、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン;1,4−ビス(3−メチルスチリル)ベンゼン;1,4−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン;ジスチリルベンゼン;1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼン;1,4−ビス(3−エチルスチリル)ベンゼン;1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−メチルベンゼン;1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−エチルベンゼンなどが挙げられる。
また、特開平2−252793号公報に開示されているジスチリルピラジン誘導体も有機発光層の材料として用いることができる。その代表例としては、2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン;2,5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン;2,5−ビス〔2−(1−ナフチル)ビニル〕ピラジン;2,5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン;2,5−ビス〔2−(4−ビフェニル)ビニル〕ピラジン;2,5−ビス〔2−(1−ピレニル)ビニル〕ピラジンなどが挙げられる。
【0062】
その他、欧州特許第0388768号明細書や特開平3−231970号公報に開示されているジメチリディン誘導体を有機発光層の材料として用いることもできる。その代表例としては、1,4−フェニレンジメチリディン;4,4’−ビフェニレンジメチリディン;2,5−キシリレンジメチリディン;2,6−ナフチレンジメチリディン;1,4−ビフェニレンジメチリディン;1,4−p−テレフェニレンジメチリディン;9,10−アントラセンジイルジメチリディン;4,4’−(2,2−ジ−t−ブチルフェニルビニル)ビフェニル;4,4’−(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニルなど、及びこれらの誘導体が挙げられる。
さらには、特開平2−191694号公報に開示されているクマリン誘導体、特開平2−196885号公報に開示されているペリレン誘導体、特開平2− 255789公報に開示されているナフタレン誘導体、特開平2−289676号公報及び同2−88689号公報に開示されているフタロペリノン誘導体、特開平2−250292号公報に開示されているスチリルアミン誘導体も、有機発光層の材料として用いることができる。
【0063】
これらの有機発光層材料は、所望の発光色や性能などに応じて適宜選ばれる。なお、有機EL素子における有機発光層は、米国特許第4,769,292号明細書に開示されているように、蛍光物質を加えて形成してもよい。この場合のベースとなる物質は、該p−フェニレンジアミン誘導体であってもよいし、p−フェニレンジアミン誘導体以外の有機発光層材料であってもよい。さらには、該p−フェニレンジアミン誘導体と有機発光層材料との混合物であってもよい。蛍光物質を加えて有機発光層を形成する場合、蛍光物質の添加量は数モル%以下が好ましい。該蛍光物質は電子と正孔との再結合に応答して発光するため、発光機能の一部を担うことになる。
【0064】
また、有機発光層材料としては、薄膜形成性を有していない化合物を用いることもできる。具体例としては、1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジエン;テトラフェニルシクロペンタジエンなどが挙げられる。しかし、薄膜形成性を有しないこれらの材料を用いた有機EL素子は、素子の寿命が短いという欠点を有する。
有機EL素子において、必要に応じて用いられる正孔輸送層は、有機発光層が該p−フェニレンジアミン誘導体を含んでいれば、p−フェニレンジアミン誘導体を含む層であってもよいし、該p−フェニレンジアミン誘導体を含まない層であってもよい。該p−フェニレンジアミン誘導体以外の正孔輸送層材料としては、有機EL素子の正孔輸送層材料として従来より使用されている種々の物質を用いることができる。
【0065】
また、必要に応じて設けられる正孔輸送層として、該p−フェニレンジアミン誘導体を含む層を設ける場合、この正孔輸送層は、前記したようにp−フェニレンジアミン誘導体のみからなる単層構造、p−フェニレンジアミン誘導体と有機EL素子の正孔輸送層材料として従来より使用されている物質の層との複層構造、あるいはp−フェニレンジアミン誘導体と有機EL素子の正孔輸送層材料として従来より使用されている物質との混合物からなる層を含む単層構造又は複層構造のいずれであってもよい。この場合の好ましい層構造は、該p−フェニレンジアミン誘導体のみからなる単層構造又は該p−フェニレンジアミン誘導体層と、ポルフィリン化合物(特開昭63−295695号公報などに開示されているもの)の層又は有機半導体性オリゴマーの層との複層構造である。
【0066】
上記ポリフィリン化合物の代表例としては、ポリフィン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H−,23H−ポルフィン銅(II) ;5,10,15,20−テトラフェニル−21H−,23H−ポルフィン亜鉛(II) ;5,10,15,20−テトラキス(ペルフルオロフェニル)−21H−,23H−ポルフィン;シリコンフタロシアニンオキシド;アルミニウムフタロシアニンクロリド;フタロシアニン(無金属);ジリチウムフタロシアニン;銅テトラメチルフタロシアニン;銅フタロシアニン;クロムフタロシアニン;亜鉛フタロシアニン;鉛フタロシアニン;チタニウムフタロシアニンオキシド;マグネシウムフタロシアニン;銅オクタメチルフタロシアニンンなどが挙げられる。
また、上記有機半導体性オリゴマーとしては、特に一般式(XV)
【0067】
【化55】
〔式中、R18,R19及びR20は、それぞれ炭素数1〜10のアルキル基,炭素数1〜10のアルコキシ基又はシクロヘキシル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、k,m及びnは、それぞれ1〜3の整数であって、それらの合計量は5以下である。〕で表される化合物が好適である。
【0068】
有機EL素子において、必要に応じて設けられる電子注入層(電子注入輸送層)は、陰極より注入された電子を有機発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては、従来公知の電子伝達化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【0069】
この電子伝達化合物の好ましいものとしては、例えば、
【化56】
で表される化合物が挙げられる。
【0070】
なお、電子注入層は電子の注入性,輸送性,障害性のいずれかを有する層であり、上記(98)〜(102)の化合物の他に、Si系,SiC系,CdS系などの結晶性ないし非結晶性材料を用いることもできる。
有機EL素子は、前記の陽極,陰極,有機発光層,必要に応じて設けられる正孔輸送層及び電子注入層以外に、層間の付着性を改善するための層を有していてもよい。このような層、例えば、有機発光層と陰極との付着性を改善するための層の材料の具体例としては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム,トリス(8−キノリノール)インジウムなどのキノリノール金属錯体系化合物を挙げることができる。
【0071】
以上説明した有機EL素子は、その構成に応じて、例えば以下のようにして製造することができる。
(a)陽極/有機発光層(p−フェニレンジアミン誘導体を含む)/陰極の構成を有する有機EL素子の製造
まず、適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成して陽極を作製する。次に、この陽極上に該p−フェニレンジアミン誘導体の薄膜を形成することにより、有機発光層を設ける。このp−フェニレンジアミン誘導体の薄膜化は真空蒸着法,スピンコート法,キャスト法などの方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、真空蒸着法が好ましい。
該p−フェニレンジアミン誘導体を薄膜化するに当たって真空蒸着法を適用する場合、その蒸着条件は、使用するp−フェニレンジアミン誘導体の種類、目的とする有機発光層の結晶構造や会合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度50〜400℃、真空度10-6〜10-3Pa、蒸着速度0.01〜50nm/sec、基板温度−50〜+300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
このようにして有機発光層を形成したのち、この有機発光層上に陰極物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成して陰極を作製する。これにより目的とする有機EL素子が得られる。なお、この有機EL素子の製造において、製造順を逆にして、基板上に陰極/有機発光層/陽極の順に作製することも可能である。
【0072】
(b)陽極/有機発光層(p−フェニレンジアミン誘導体を含む)/陰極の構成を有する有機EL素子の製造
まず、適当な基板上に、上記(a)の場合と同様にして陽極を作製する。次いで、この陽極上に正孔輸送層材料,有機発光層材料,電子注入層材料,結着剤(ポリビニルカルバゾールなど)などを含む溶液を塗布することにより、有機発光層を設ける。
次に、陰極物質からなる薄膜を、上記(a)の場合と同様にして有機発光層上に形成して陰極を作製する。これにより目的とする有機EL素子が得られる。
なお、有機発光層は、上記のようにして形成した層の上に、所望の有機発光層材料の薄膜を真空蒸着法などにより形成して複層構造としてもよい。あるいは、正孔輸送層材料や電子注入層材料とともに、有機発光層材料を同時蒸着させることにより、有機発光層を形成してもよい。
【0073】
(c)陽極/正孔輸送層(p−フェニレンジアミン誘導体を含む)/有機発光層/陰極の構成を有する有機EL素子の製造
まず、適当な基板上に、上記(a)の場合と同様にして陽極を作製する。次いで、この陽極上に該p−フェニレンジアミン誘導体の薄膜を形成することにより正孔輸送層を設ける。この正孔輸送層の形成は、上記(a)における有機発光層(p−フェニレンジアミン誘導体を含む)の形成と同様にして行うことができる。
次に、正孔輸送層上に、所望の有機発光層材料を用いて有機発光層を設ける。有機発光層は、真空蒸着法,スピンコート法,キャスト法などの方法により有機発光層材料を薄膜化することにより形成することができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、真空蒸着法が好ましい。この後、陰極物質からなる薄膜を上記(a)の場合と同様にして有機発光層上に形成して、陰極を作製する。これにより目的とする有機EL素子が得られる。なお、この有機EL素子の製造においても、製造順を逆にして、基板上に陰極/有機発光層/正孔輸送層/陽極の順に作製することが可能である。
【0074】
(d)陽極/正孔輸送層(p−フェニレンジアミン誘導体を含む)/有機発光層/電子注入層/陰極の構成を有する有機EL素子の製造
まず、適当な基板上に、上記(c)の場合と同様にして陽極,正孔輸送層(p−フェニレンジアミン誘導体を含む)及び有機発光層を形成する。
有機発光層の形成後、この有機発光層上に電子伝達化合物からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは5〜100nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成して、電子注入層を形成する。この後、陰極物質からなる薄膜を上記(c)の場合と同様にして電子注入層上に形成して、陰極を作成する。これにより目的とする有機EL素子が得られる。なお、この有機EL素子の製造においても、製造順を逆にして、基極上に陰極/電子注入層/有機発光層/正孔輸送層/陽極の順に作成することが可能である。
【0075】
このようにして製造することができる有機EL素子は、陽極を+、陰極を−の極性にして5〜40Vの直流電圧を印加することにより、発光を生じる。逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。また、交流電圧を印加した場合には、陽極が+、陰極が−の極性になった時にのみ発光が生じる。なお、交流電圧を印加する場合、交流の波形は任意でよい。
有機EL素子は、有機発光層を少なくとも含む単層構造又は複層構造の化合物層の少なくとも一層が本発明の一般式( II )で表されるp−フェニレンジアミン誘導体を含むものであり、発光寿命が改善され、耐久性が極めて良い。
【0076】
【実施例】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例1
1,4−フェニレンジアミン〔東京化成(株)製〕1.00g(9.26ミリモル)、4−ヨードジフェニル〔ナード研究所製〕11.0g(39.3ミリモル)、無水炭酸カリウム12.2g(88.4ミリモル)、銅粉1g(16ミリモル)を300ミリリットルのナスフラスコに入れ、ジメチルスルホキシド(DMSO)200ミリリットル中に懸濁させ、180℃で5時間反応させた。次いで、無機物をろ過し、母液を塩化メチレンで抽出したのち、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターを用いて溶媒を留去した。得られた化合物をワコーゲルC−200〔広島和光(株)製〕を担持したカラムを用い、トルエンを展開溶媒として精製したところ、淡黄色粉末1.4gが得られた。
このものについて、IRを測定したところ、3500,3080,1620,1530,1510,1340,1300,1280,850,780,710cm-1に吸収が認められた。さらに、FD−MSを測定したところ、C54H40N2 =716に対し、m/z=716のピークが得られた。また、 1H−NMRの測定を行った(1,4−ジオキサン)。そのスペクトル図を第1図に示す。
これらの結果から、該淡黄色粉末は、N,N,N’,N’−テトラキス(4−ビフェニル)−1,4−フェニレンジアミン〔化合物(27)〕と同定された。収率20%、融点310℃であった。
【0077】
実施例2
1,4−フェニレンジアミン〔東京化成(株)製〕0.50g(4.63ミリモル)、4−メチル−4−ヨ−ドジフェニル〔ナード研究所製〕6.68g(22.7ミリモル)、無水炭酸カリウム5g(36ミリモル)、銅粉1g(16ミリモル)を300ミリリットルのナスフラスコに入れ、DMSO200ミリリットル中に懸濁させ、180℃で5時間反応させた。次いで、無機物をろ過し、母液を塩化メチレンで抽出したのち、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターを用いて溶媒を留去した。得られた化合物をワコーゲルC−200〔広島和光(株)製〕を担持したカラムを用い、トルエンを展開溶媒として精製したところ、淡黄色粉末0.40gが得られた。
このものについて、IRを測定したところ、3500,3060,1600,1530,1490,1300,840,770,710cm-1に吸収が認められた。さらに、FD−MSを測定したところ、C58H48N2 =772に対し、m/z=772のピークが得られた。また 1H−NMRの測定を行った(1,4−ジオキサン)。そのスペクトル図を第2図に示す。
これらの結果から、該淡黄色粉末は、N,N,N’,N’−テトラキス(4’−メチル−4−ビフェニル)−1,4−フェニレンジアミン〔化合物(28)〕と同定した。収率10%、融点295℃であった。
【0080】
応用例1
25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上に、ITO電極を100nmの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。これをイソプロピルアルコールで超音波洗浄した。
この透明支持基板を真空蒸着装置〔日本真空技術(株)製〕の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにトリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)200mgを入れ、別のモリブテン製抵抗加熱ボートに実施例1で得られた化合物(27)200mgを入れ、さらに、別のモリブテン製抵抗加熱ボ−ドに4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)200mgを入れた。
真空チャンバー内を1×10-4Paまで減圧したのち、MTDATA入りのボートを加熱して0.1〜0.3nm/秒の速度でMTDATAをITO電極上に60nm製膜した。その後、化合物(27)入りのボートを加熱し、化合物(27)を蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で堆積させ、膜厚20nmの正孔輸送層を製膜した。続いて、この正孔輸送層の上に、もう一つのボートよりDPVBiを発送層として40nm積層蒸着した。蒸着速度は0.1〜0.2nmであった。
次いで、真空チャンバー内を大気圧に戻し、新たにトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)100mgを入れたモリブデン製ボートを蒸着装置に取り付けたのち、真空チャンバー内を1×10-4Paまで減圧した。このボートからAlq(電子注入層)を0.1〜0.2nm/秒で20nm堆積させた。
最後に、これを真空チャンバ−から取り出し、上記注入層の上にステンレススチール製のマクスを設置し、再び基板ホルダーに固定した。また、タングステンバスケットに銀ワイヤー0.5gを入れ、モリブテン製ボートにマグネシウムリボン1gを入れたのち、真空チャンバー内を1×10-4Paまで減圧して、マグネシウムを1.8nm/秒、同時に銀を0.1nm/秒の蒸着速度で蒸着して陰極を作 製した。
【0081】
応用例2
応用例1において、正孔輸送材料として実施例1で得られた化合物(27)の代わりに、実施例2で得られた化合物(28)を用いた以外は、応用例1と同様にして素子を作製した。
【0082】
比較例1
応用例1において、正孔輸送材料として実施例1で得られた化合物(27)の代わりに、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)を用いた以外は、応用例1と同様にして素子を作製した。
比較例2
応用例1において、正孔輸送材料として実施例1で得られた化合物(27)の代わりに、N,N,N’,N’−テトラフェニル−p−フェニレンジアミンを用いた以外は、応用例1と同様にして素子を作製した。
比較例3
応用例1において、正孔輸送材料として実施例1で得られた化合物(27)の代わりに、N,N,N’,N’−テトラキス−(4−ビフェニル)−m−フェニレンジアミンを用いた以外は、応用例1と同様にして素子を作製した。
比較例4
応用例1において、正孔輸送材料として実施例1で得られた化合物(27)の代わりに、N,N,N’,N’−テトラキス−(4−ビフェニル)−3,3’−ジメチル−4,4’−ベンジジンを用いた以外は、応用例1と同様にして素子を作製した。
【0083】
以上、応用例1〜2、及び比較例1〜4の素子の発光寿命を第1表に示す。
発光寿命はそれぞれの素子を定電流駆動、初期輝度100cd/m2 から始めて50cd/m2 に輝度が半減するまでの時間である。
応用例1〜2の素子は公知の技術のうちで最も発光寿命の長かった正孔輸送材料であるTPD(比較例1)に比べて著しく発光寿命が改善されている。
比較例2のN,N,N’,N’−テトラフェニル−p−フェニレンジアミンは公知の正孔輸送材料であるが、これは分子内にベンゼン環が5つしかないため結晶性が高く、寿命測定中に絶縁破壊を起こしてしまった。これに対し、実施例1〜2の化合物はいずれも分子内にベンゼン環を6つ以上有するため結晶化せず、長時間均一な薄膜を維持できる。
比較例3のN,N,N’,N’−テトラキス−(4−ビフェニル)−m−フェニレンジアミンもまた分子内にベンゼン環を6つ以上有するので薄膜性に問題はないが、発光寿命は著しく短かった。
比較例4のN,N,N’,N’−テトラキス−(4−ビフェニル)−3,3’−ジメチル−4,4’−ベンジジンもまた分子内にベンゼン環を6つ以上有するので薄膜性に問題はないが、発光寿命は著しく短かった。
【0084】
【表1】
【0085】
【発明の効果】
本発明のp−フェニレンジアミン誘導体は、有機EL素子の発光寿命及び耐久性を著しく改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1図は、実施例1で得られた化合物の 1H−NMRスペクトル図である。
【図2】 第2図は、実施例2で得られた化合物の 1H−NMRスペクトル図である。
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