JP3635373B2 - 回転トランス型レゾルバの断線保護構造 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転トランス型レゾルバの断線保護構造に関し、特に回転トランス出力巻線とレゾルバ励磁巻線とを接続する渡り線を有する回転トランス型レゾルバの断線保護構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、レゾルバの巻線固定方法としては下記のようなレゾルバが開示されている。即ち、レゾルバの回転子を交流励磁する回転トランス形レゾルバにおいて、回転トランスの回転側コイルとレゾルバの回転子を回転軸に一体に固定し、回転側コイルとレゾルバの回転子コイルを、それぞれ紐で結束してコンパウンドで固定したレゾルバ（例えば、特許文献１参照。）がある。
【０００３】
更に、周知技術として、図７に示すような、回転トランス出力巻線６５とレゾルバ励磁巻線６４とを接続する線（以下、渡り線と称する）を半田付けし、渡り線に１本の絶縁チューブ６を被せ、該絶縁チューブ６を被せた渡り線を回転軸６８に紐４５で固定するレゾルバがある。前記絶縁チューブ６を渡り線の被せる理由は、渡り線になるレゾルバ励磁巻線６４の径が細いと、そのままではレゾルバ励磁巻線６４を回転軸６８に紐４５で固定する作業が困難であり、該作業性を向上すると共に、前記半田付け部分が露出して絶縁が低下することを保護するためである。
【０００４】
前記図７に示すレゾルバのレゾルバ励磁巻線６４は、回転トランス出力巻線６５から渡り線を介して互いに接続されている。絶縁チューブ６を被せた渡り線で各リード線を半田付けし、絶縁チューブを被せ、該絶縁チューブ６を被せた渡り線を回転軸６８に紐４５で固定する。その後レゾルバ励磁巻線６４と回転トランス出力巻線６５とをワニスで含浸処理する。
【０００５】
【特許文献１】
特開昭６３−３１８７２５号公報（図２）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記特許文献１のレゾルバでは、レゾルバの回転子コイルと回転トランスの回転側コイル間の渡り線と呼ぶ線材の処理がなされておらず、信頼性が問題になる。又、図７に示すレゾルバは、レゾルバ励磁巻線６４と回転トランス出力巻線６５とをワニスで含浸処理する時に渡り線に被せた絶縁チューブの両端がワニスで塞がれる場合が多い。しかし作業工程上、前記絶縁チューブの両端がワニスで塞がれることを防ぐことが難しい。一方、通常絶縁チューブとしてはビニールチューブが用いられ、又、渡り線は銅線が用いられるので両者の熱膨張率が異なり、ビニールチューブの熱膨張率が渡り線よりも大である。そのため、絶縁チューブの両端がワニスで塞がれると、絶縁チューブの両端が固定されているので、絶縁チューブと渡り線との熱膨張率の違いにより渡り線に断線応力以上の力が加わる場合がある。特に、渡り線になるレゾルバ励磁巻線の径が０．１ｍｍ以下の細い小型のレゾルバにおいては、その影響が顕著である。その結果、使用する温度条件が厳しいレゾルバでは渡り線が断線し、レゾルバの故障原因となり信頼性が低下する。
【０００７】
本発明は、かかる問題を解決して回転トランス出力巻線とレゾルバ励磁巻線とを接続する渡り線を有する回転トランス型レゾルバの断線保護構造を提供することを目的としてなされたものである。特に、ワニスで含浸処理する時に渡り線に被せた絶縁チューブの両端がワニスで塞がれることを積極的に利用して、レゾルバの性能を向上するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために請求項１記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造は、回転トランス出力巻線が卷回されるインナーコアとレゾルバ励磁巻線が卷回されるレゾルバ回転子とを回転軸に軸方向に並べて固定した回転トランス型レゾルバにおいて、前記回転トランス出力巻線と前記レゾルバ励磁巻線とを接続する渡り線を被う保護チューブを備え、該保護チューブは、その両端が固定されていると共に、前記渡り線と前記保護チューブとの熱膨張率の差を吸収する熱膨張率吸収手段が設けられていることを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造は、請求項１記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造において、前記保護チューブは、複数個に分離されると共に、該複数個に分離された保護チューブの最左端及び最右端は前記渡り線にそれぞれ固定され、それ以外の保護チューブの端は前記渡り線に固定されていないことを特徴とする。
【００１０】
請求項３記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造は、請求項１又は２記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造において、前記複数に分割された保護チューブは、その端が互いに重なりあっていることを特徴とする。
【００１１】
請求項４記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造は、請求項１記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造において、前記保護チューブは、その一部に熱膨張率の差を吸収する切り欠き部が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１により本発明の実施形態について説明する。なお、図１において、図７と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。本発明の回転トランス型レゾルバの断線保護構造は、以下の構成である。保護チューブ（以下、絶縁チューブと称する）は、例えばビニールチューブなどの絶縁材料で形成され、渡り線６０を保護する。該絶縁チューブは複数の絶縁チューブから構成され、図１において絶縁チューブは絶縁チューブ６１１、６１２、６１３から構成されている。インナーコア６２には回転トランス出力巻線６５が卷回され、紐４により最右端にある絶縁チューブ６１３の右端ロが回転トランス出力巻線６５に固定されている。なお、前記紐４に代わって、ワニス含浸処理により回転トランス出力巻線６５と共に絶縁チューブ６１３の右端ロを回転トランス出力巻線６５に固定してもよい。
【００１３】
インナーコア６２とレゾルバ回転子６３は、それぞれ回転軸６８に固定されている。インナーコア６２には、レゾルバ回転子６３に近い一方の鍔部４１に前記渡り線６０を引き出す切り欠き部４２が形成されている。前記絶縁チューブ６１１、６１２、６１３には、それぞれ渡り線６０が貫通され、前記切り欠き部４２から引き出されて、インナーコア６２とレゾルバ回転子６３との間の渡り線６０を保護する。レゾルバ回転子６３にはレゾルバ励磁巻線６４が複数のロータ磁極６３０それぞれに卷回されている。
【００１４】
ロータ磁極６３０の間は、磁極間６３１が形成されている。前記切り欠き部４２に近い磁極間６３１には、前記絶縁チューブ６１１が嵌入されて最左端にある絶縁チューブ６１１の左端イがワニス含浸処理によりレゾルバ励磁巻線６４と共にレゾルバ回転子６３に固定される。前記絶縁チューブ６１１の左端イ及び絶縁チューブ６１３の右端ロ以外の保護チューブの端は渡り線６０に固定されていない。そして、各絶縁チューブの間は、後述するように、渡り線６０と各絶縁チューブの熱膨張率の差を吸収するように形成されている。前記切り欠き部４２と磁極間６３１によって絶縁チューブが保持される結果、レゾルバ回転子６３の回転や振動などによって渡り線６０が回転軸６８から離れることがなくなる。また、インナーコア６２とレゾルバ回転子６３との間が長い場合には、回転軸３８の任意の箇所で絶縁チューブを紐や接着剤で回転軸６８に固定するようにしてもよい。かかる場合には、渡り線に断線応力が加わらないように、紐の束縛力を緩くし、あるいは、接着剤は絶縁チューブのみが回転軸６８に接着されるようにする。
【００１５】
図２により、前記絶縁チューブの構成について説明する。図２において絶縁チューブは絶縁チューブ６１１、６１２から構成されている。該絶縁チューブには、渡り線６０が貫通されている。絶縁チューブ６１１の一方の端イ及び絶縁チューブ６１２の他方の端ロは、ワニス２により渡り線６０に固定されている。又、絶縁チューブ６１１の他方の端ロ及び絶縁チューブ６１２の一方の端イは、渡り線６０に固定されていない。そして、該固定されていない端は、絶縁チューブと渡り線がそれぞれ熱膨張及び収縮した時に、渡り線にＸ方向の断線応力以上の力が加わらないように隙間ｅが設けられている。該隙間ｅは、渡り線の太さ、絶縁チューブの長さ及び使用される温度条件などにより渡り線に断線応力以上の力が加わらないように適宜定める。前記ワニス２は、回転トランス出力巻線とレゾルバ励磁巻線をワニスで含浸処理する時に同時に処理する。
【００１６】
前記絶縁チューブの数は図３に示すように３個であってもよく、またはそれ以上であってもよい。かかる場合も、絶縁チューブ６１１の一方の端イ及び絶縁チューブ６１３の他方の端ロは、ワニス含浸処理により渡り線６０に固定されている。又、絶縁チューブ６１１の一方の端イ及び絶縁チューブ６１３の他方の端ロ以外の端は渡り線６０に固定されておらず、また、隙間ｅについても図２と同様である。なお、絶縁チューブの端を渡り線６０に固定する方法は、前記ワニス含浸処理以外であってもよく、例えば図１の如く紐４で固定してもよい。
【００１７】
又、絶縁チューブは、図４に示すように、１本の絶縁チューブ６１１の途中に、熱膨張率の差を吸収する切り欠き部ハが形成されていてもよい。かかる切り欠き部ハは、複数個形成されていてもよく、渡り線の太さ、絶縁チューブの長さ及び使用される温度条件などにより渡り線に断線応力以上の力が加わらないように適宜定める。即ち、レゾルバ回転子６３とロータ磁極６３０との間が屈曲している場合、該屈曲点に断線応力を吸収する方向に前記切り欠き部ハを形成する。前記切り欠き部は、屈曲点を有する場合に適用すると効果が大となると共に、１本の絶縁チューブ６１１の途中に熱膨張率の差を吸収する切り欠き部ハを形成することにより、渡り線の貫通が容易になる。
【００１８】
更にまた、図５及び図６に示すように、複数個の絶縁チューブの径を異ならしめ、その端が互いに嵌合するように形成してもよい。即ち、絶縁チューブ６１１の一方の端イ及び絶縁チューブ６１２の他方の端ロは、ワニス含浸処理により渡り線６０に固定されている。又、絶縁チューブ６１１の一方の端イ及び絶縁チューブ６１２の他方の端ロ以外の端は渡り線６０に固定されておらず、絶縁チューブ６１２に絶縁チューブ６１１が嵌入されている。かかる２つの絶縁チューブの嵌合力は緩く、温度変化により互いに移動し、渡り線６０が熱膨張率の差により断線しないようにする。
【００１９】
そして、該嵌入されている長さｄは、渡り線の太さ、絶縁チューブの長さ及び使用される温度条件などにより決定され、望ましくは、使用温度条件ではｄ＞０となるようにする。即ち、使用温度条件でｄ＞０であることにより、渡り線が露出せず絶縁耐力が向上すると共に、対湿度に対してもその性能が向上する。なお、図５において絶縁チューブ６１２は、その一方の端イ側の径が絶縁チューブ６１１の一方の端イ側の径より大であるが、この逆であってもよい。又、図６において、絶縁チューブの数が更に増加する場合には絶縁チューブ６１２の端ロ側には絶縁チューブ６１１と同一の径の絶縁チューブが用いられる。
【００２０】
【発明の効果】
請求項１及び２記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造によれば、回転トランス出力巻線とレゾルバ励磁巻線とを接続する渡り線を被う保護チューブを備え、該保護チューブは、その両端が固定されていると共に、前記渡り線と前記保護チューブとの熱膨張率の差を吸収する熱膨張率吸収手段が設けられていることにより、ワニスで含浸処理する時に渡り線に被せた絶縁チューブの両端をワニスで塞ぐことにより、回転トランス出力巻線とレゾルバ励磁巻線端の絶縁処理を確実にする。更に、レゾルバの渡り線になるレゾルバ励磁巻線の径が細くてもレゾルバ励磁巻線を回転軸に容易に固定でき、作業性が向上すると共に、半田付け部分が露出して前記渡り線の絶縁が低下することが保護され、更に周囲温度の変化によって前記渡り線が熱膨張率の差により断線することがなくなる。
【００２１】
請求項３記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造によれば、前記保護チューブは、複数に分割され、その端が互いに重なりあっていることにより、渡り線が露出せず絶縁耐力が向上すると共に、対湿度に対してもその性能が向上する。
【００２２】
請求項４記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造によれば、前記保護チューブは、その一部に熱膨張率の差を吸収する切り欠き部が形成されていることにより、特に、１本の絶縁チューブの途中に熱膨張率の差を吸収する切り欠き部を形成することにより、渡り線の貫通が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の断線保護構造を示す一部拡大図である。
【図２】本発明の保護チューブの実施形態を示す図であって、図２（ａ）は、保護チューブに渡り線が被せられた実施形態の図、図２（ｂ）はその断面図である。
【図３】本発明の保護チューブの第２の実施形態を示す図である。
【図４】本発明の保護チューブの第３の実施形態を示す図である。
【図５】本発明の保護チューブの第４の実施形態を示す図である。
【図６】本発明の保護チューブの第５の実施形態を示す図である。
【図７】従来のレゾルバの実施形態を示す図である。
【符号の説明】
２ ワニス
４、４５ 紐
４２ 切り欠き部
６０ 渡り線
６２ インナーコア
６３ レゾルバ回転子
６４ レゾルバ励磁巻線
６５ 回転トランス出力巻線
６１１、６１２、６１３ 絶縁チューブ
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転トランス型レゾルバの断線保護構造に関し、特に回転トランス出力巻線とレゾルバ励磁巻線とを接続する渡り線を有する回転トランス型レゾルバの断線保護構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、レゾルバの巻線固定方法としては下記のようなレゾルバが開示されている。即ち、レゾルバの回転子を交流励磁する回転トランス形レゾルバにおいて、回転トランスの回転側コイルとレゾルバの回転子を回転軸に一体に固定し、回転側コイルとレゾルバの回転子コイルを、それぞれ紐で結束してコンパウンドで固定したレゾルバ（例えば、特許文献１参照。）がある。
【０００３】
更に、周知技術として、図７に示すような、回転トランス出力巻線６５とレゾルバ励磁巻線６４とを接続する線（以下、渡り線と称する）を半田付けし、渡り線に１本の絶縁チューブ６を被せ、該絶縁チューブ６を被せた渡り線を回転軸６８に紐４５で固定するレゾルバがある。前記絶縁チューブ６を渡り線の被せる理由は、渡り線になるレゾルバ励磁巻線６４の径が細いと、そのままではレゾルバ励磁巻線６４を回転軸６８に紐４５で固定する作業が困難であり、該作業性を向上すると共に、前記半田付け部分が露出して絶縁が低下することを保護するためである。
【０００４】
前記図７に示すレゾルバのレゾルバ励磁巻線６４は、回転トランス出力巻線６５から渡り線を介して互いに接続されている。絶縁チューブ６を被せた渡り線で各リード線を半田付けし、絶縁チューブを被せ、該絶縁チューブ６を被せた渡り線を回転軸６８に紐４５で固定する。その後レゾルバ励磁巻線６４と回転トランス出力巻線６５とをワニスで含浸処理する。
【０００５】
【特許文献１】
特開昭６３−３１８７２５号公報（図２）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記特許文献１のレゾルバでは、レゾルバの回転子コイルと回転トランスの回転側コイル間の渡り線と呼ぶ線材の処理がなされておらず、信頼性が問題になる。又、図７に示すレゾルバは、レゾルバ励磁巻線６４と回転トランス出力巻線６５とをワニスで含浸処理する時に渡り線に被せた絶縁チューブの両端がワニスで塞がれる場合が多い。しかし作業工程上、前記絶縁チューブの両端がワニスで塞がれることを防ぐことが難しい。一方、通常絶縁チューブとしてはビニールチューブが用いられ、又、渡り線は銅線が用いられるので両者の熱膨張率が異なり、ビニールチューブの熱膨張率が渡り線よりも大である。そのため、絶縁チューブの両端がワニスで塞がれると、絶縁チューブの両端が固定されているので、絶縁チューブと渡り線との熱膨張率の違いにより渡り線に断線応力以上の力が加わる場合がある。特に、渡り線になるレゾルバ励磁巻線の径が０．１ｍｍ以下の細い小型のレゾルバにおいては、その影響が顕著である。その結果、使用する温度条件が厳しいレゾルバでは渡り線が断線し、レゾルバの故障原因となり信頼性が低下する。
【０００７】
本発明は、かかる問題を解決して回転トランス出力巻線とレゾルバ励磁巻線とを接続する渡り線を有する回転トランス型レゾルバの断線保護構造を提供することを目的としてなされたものである。特に、ワニスで含浸処理する時に渡り線に被せた絶縁チューブの両端がワニスで塞がれることを積極的に利用して、レゾルバの性能を向上するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために請求項１記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造は、回転トランス出力巻線が卷回されるインナーコアとレゾルバ励磁巻線が卷回されるレゾルバ回転子とを回転軸に軸方向に並べて固定した回転トランス型レゾルバにおいて、前記回転トランス出力巻線と前記レゾルバ励磁巻線とを接続する渡り線を被う保護チューブを備え、該保護チューブは、その両端が固定されていると共に、前記渡り線と前記保護チューブとの熱膨張率の差を吸収する熱膨張率吸収手段が設けられていることを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造は、請求項１記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造において、前記保護チューブは、複数個に分離されると共に、該複数個に分離された保護チューブの最左端及び最右端は前記渡り線にそれぞれ固定され、それ以外の保護チューブの端は前記渡り線に固定されていないことを特徴とする。
【００１０】
請求項３記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造は、請求項１又は２記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造において、前記複数に分割された保護チューブは、その端が互いに重なりあっていることを特徴とする。
【００１１】
請求項４記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造は、請求項１記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造において、前記保護チューブは、その一部に熱膨張率の差を吸収する切り欠き部が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１により本発明の実施形態について説明する。なお、図１において、図７と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。本発明の回転トランス型レゾルバの断線保護構造は、以下の構成である。保護チューブ（以下、絶縁チューブと称する）は、例えばビニールチューブなどの絶縁材料で形成され、渡り線６０を保護する。該絶縁チューブは複数の絶縁チューブから構成され、図１において絶縁チューブは絶縁チューブ６１１、６１２、６１３から構成されている。インナーコア６２には回転トランス出力巻線６５が卷回され、紐４により最右端にある絶縁チューブ６１３の右端ロが回転トランス出力巻線６５に固定されている。なお、前記紐４に代わって、ワニス含浸処理により回転トランス出力巻線６５と共に絶縁チューブ６１３の右端ロを回転トランス出力巻線６５に固定してもよい。
【００１３】
インナーコア６２とレゾルバ回転子６３は、それぞれ回転軸６８に固定されている。インナーコア６２には、レゾルバ回転子６３に近い一方の鍔部４１に前記渡り線６０を引き出す切り欠き部４２が形成されている。前記絶縁チューブ６１１、６１２、６１３には、それぞれ渡り線６０が貫通され、前記切り欠き部４２から引き出されて、インナーコア６２とレゾルバ回転子６３との間の渡り線６０を保護する。レゾルバ回転子６３にはレゾルバ励磁巻線６４が複数のロータ磁極６３０それぞれに卷回されている。
【００１４】
ロータ磁極６３０の間は、磁極間６３１が形成されている。前記切り欠き部４２に近い磁極間６３１には、前記絶縁チューブ６１１が嵌入されて最左端にある絶縁チューブ６１１の左端イがワニス含浸処理によりレゾルバ励磁巻線６４と共にレゾルバ回転子６３に固定される。前記絶縁チューブ６１１の左端イ及び絶縁チューブ６１３の右端ロ以外の保護チューブの端は渡り線６０に固定されていない。そして、各絶縁チューブの間は、後述するように、渡り線６０と各絶縁チューブの熱膨張率の差を吸収するように形成されている。前記切り欠き部４２と磁極間６３１によって絶縁チューブが保持される結果、レゾルバ回転子６３の回転や振動などによって渡り線６０が回転軸６８から離れることがなくなる。また、インナーコア６２とレゾルバ回転子６３との間が長い場合には、回転軸３８の任意の箇所で絶縁チューブを紐や接着剤で回転軸６８に固定するようにしてもよい。かかる場合には、渡り線に断線応力が加わらないように、紐の束縛力を緩くし、あるいは、接着剤は絶縁チューブのみが回転軸６８に接着されるようにする。
【００１５】
図２により、前記絶縁チューブの構成について説明する。図２において絶縁チューブは絶縁チューブ６１１、６１２から構成されている。該絶縁チューブには、渡り線６０が貫通されている。絶縁チューブ６１１の一方の端イ及び絶縁チューブ６１２の他方の端ロは、ワニス２により渡り線６０に固定されている。又、絶縁チューブ６１１の他方の端ロ及び絶縁チューブ６１２の一方の端イは、渡り線６０に固定されていない。そして、該固定されていない端は、絶縁チューブと渡り線がそれぞれ熱膨張及び収縮した時に、渡り線にＸ方向の断線応力以上の力が加わらないように隙間ｅが設けられている。該隙間ｅは、渡り線の太さ、絶縁チューブの長さ及び使用される温度条件などにより渡り線に断線応力以上の力が加わらないように適宜定める。前記ワニス２は、回転トランス出力巻線とレゾルバ励磁巻線をワニスで含浸処理する時に同時に処理する。
【００１６】
前記絶縁チューブの数は図３に示すように３個であってもよく、またはそれ以上であってもよい。かかる場合も、絶縁チューブ６１１の一方の端イ及び絶縁チューブ６１３の他方の端ロは、ワニス含浸処理により渡り線６０に固定されている。又、絶縁チューブ６１１の一方の端イ及び絶縁チューブ６１３の他方の端ロ以外の端は渡り線６０に固定されておらず、また、隙間ｅについても図２と同様である。なお、絶縁チューブの端を渡り線６０に固定する方法は、前記ワニス含浸処理以外であってもよく、例えば図１の如く紐４で固定してもよい。
【００１７】
又、絶縁チューブは、図４に示すように、１本の絶縁チューブ６１１の途中に、熱膨張率の差を吸収する切り欠き部ハが形成されていてもよい。かかる切り欠き部ハは、複数個形成されていてもよく、渡り線の太さ、絶縁チューブの長さ及び使用される温度条件などにより渡り線に断線応力以上の力が加わらないように適宜定める。即ち、レゾルバ回転子６３とロータ磁極６３０との間が屈曲している場合、該屈曲点に断線応力を吸収する方向に前記切り欠き部ハを形成する。前記切り欠き部は、屈曲点を有する場合に適用すると効果が大となると共に、１本の絶縁チューブ６１１の途中に熱膨張率の差を吸収する切り欠き部ハを形成することにより、渡り線の貫通が容易になる。
【００１８】
更にまた、図５及び図６に示すように、複数個の絶縁チューブの径を異ならしめ、その端が互いに嵌合するように形成してもよい。即ち、絶縁チューブ６１１の一方の端イ及び絶縁チューブ６１２の他方の端ロは、ワニス含浸処理により渡り線６０に固定されている。又、絶縁チューブ６１１の一方の端イ及び絶縁チューブ６１２の他方の端ロ以外の端は渡り線６０に固定されておらず、絶縁チューブ６１２に絶縁チューブ６１１が嵌入されている。かかる２つの絶縁チューブの嵌合力は緩く、温度変化により互いに移動し、渡り線６０が熱膨張率の差により断線しないようにする。
【００１９】
そして、該嵌入されている長さｄは、渡り線の太さ、絶縁チューブの長さ及び使用される温度条件などにより決定され、望ましくは、使用温度条件ではｄ＞０となるようにする。即ち、使用温度条件でｄ＞０であることにより、渡り線が露出せず絶縁耐力が向上すると共に、対湿度に対してもその性能が向上する。なお、図５において絶縁チューブ６１２は、その一方の端イ側の径が絶縁チューブ６１１の一方の端イ側の径より大であるが、この逆であってもよい。又、図６において、絶縁チューブの数が更に増加する場合には絶縁チューブ６１２の端ロ側には絶縁チューブ６１１と同一の径の絶縁チューブが用いられる。
【００２０】
【発明の効果】
請求項１及び２記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造によれば、回転トランス出力巻線とレゾルバ励磁巻線とを接続する渡り線を被う保護チューブを備え、該保護チューブは、その両端が固定されていると共に、前記渡り線と前記保護チューブとの熱膨張率の差を吸収する熱膨張率吸収手段が設けられていることにより、ワニスで含浸処理する時に渡り線に被せた絶縁チューブの両端をワニスで塞ぐことにより、回転トランス出力巻線とレゾルバ励磁巻線端の絶縁処理を確実にする。更に、レゾルバの渡り線になるレゾルバ励磁巻線の径が細くてもレゾルバ励磁巻線を回転軸に容易に固定でき、作業性が向上すると共に、半田付け部分が露出して前記渡り線の絶縁が低下することが保護され、更に周囲温度の変化によって前記渡り線が熱膨張率の差により断線することがなくなる。
【００２１】
請求項３記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造によれば、前記保護チューブは、複数に分割され、その端が互いに重なりあっていることにより、渡り線が露出せず絶縁耐力が向上すると共に、対湿度に対してもその性能が向上する。
【００２２】
請求項４記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造によれば、前記保護チューブは、その一部に熱膨張率の差を吸収する切り欠き部が形成されていることにより、特に、１本の絶縁チューブの途中に熱膨張率の差を吸収する切り欠き部を形成することにより、渡り線の貫通が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の断線保護構造を示す一部拡大図である。
【図２】本発明の保護チューブの実施形態を示す図であって、図２（ａ）は、保護チューブに渡り線が被せられた実施形態の図、図２（ｂ）はその断面図である。
【図３】本発明の保護チューブの第２の実施形態を示す図である。
【図４】本発明の保護チューブの第３の実施形態を示す図である。
【図５】本発明の保護チューブの第４の実施形態を示す図である。
【図６】本発明の保護チューブの第５の実施形態を示す図である。
【図７】従来のレゾルバの実施形態を示す図である。
【符号の説明】
２ ワニス
４、４５ 紐
４２ 切り欠き部
６０ 渡り線
６２ インナーコア
６３ レゾルバ回転子
６４ レゾルバ励磁巻線
６５ 回転トランス出力巻線
６１１、６１２、６１３ 絶縁チューブ
Claims (4)
- 回転トランス出力巻線が卷回されるインナーコアとレゾルバ励磁巻線が卷回されるレゾルバ回転子とを回転軸に軸方向に並べて固定した回転トランス型レゾルバにおいて、前記回転トランス出力巻線と前記レゾルバ励磁巻線とを接続する渡り線を被う保護チューブを備え、該保護チューブは、その両端が固定されていると共に、前記渡り線と前記保護チューブとの熱膨張率の差を吸収する熱膨張率吸収手段が設けられていることを特徴とする回転トランス型レゾルバの断線保護構造。
- 前記保護チューブは、複数個に分離されると共に、該複数個に分離された保護チューブの最左端及び最右端は前記渡り線にそれぞれ固定され、それ以外の保護チューブの端は前記渡り線に固定されていないことを特徴とする請求項１に記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造。
- 前記複数に分割された保護チューブは、その端が互いに重なりあっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造。
- 前記保護チューブは、その一部に熱膨張率の差を吸収する切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回転トランス型レゾルバの断線保護構造。
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