JP3629756B2 - 透光性セラミックスの製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は多結晶アルミナ等の透光性セラミックスの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
建物内の照明装置の光源、OHPやカラー液晶プロジェクターの光源としてメタルハライドランプ等の高輝度放電灯(HID)が注目されている。この高輝度放電灯は、透光性の発光管内にScI3等の金属ハロゲン化物を封入し、発光管内に臨む電極間に高電圧を印加することでアーク放電を発生させ、このアーク放電による熱で封入した金属ハロゲン化物を蒸発させ、金属とハロゲンに解離し、金属特有の色を呈する発光を行なわせるようにしたものである。
【0003】
所定形状のセラミックス製品を製造する方法として、セラミックス粉末をバインダー、溶剤或いは解膠剤等とともに混練してスラリー状或いはペースト状の原料を調製し、この原料を金型を用いて押出し成形したり、石膏型を用いて鋳込み成形し、この後成形体を焼成するようにしており、特に発光管のような形状の製品は、石膏型を用いた鋳込み成形が適している。
【0004】
一方、セラミックス原料中にはもともと微量(ppmオーダー)ではあるが、Mg、Ca、Si、Fe、Cr、Ni等の不純物が混入している。特に石膏型を用いた鋳込み成形を利用する場合には、石膏に起因するCa及びSiが多量に混入してしまう。
【0005】
そして上記の不純物によって発光管の内外表面で異常粒が形成されると、機械的強度が劣化し、また黒斑点や白斑点が生じて直線透過率が低下する。更に不純物と発光物質とが反応して発光物質が消失してしまう。
【0006】
そこで、不純物を除去しなければならない。そのための手段として、粘土鉱物中に含まれる硫化鉱物をキレート剤と反応させて分離する方法が特開昭63−230550号公報に開示されており、この方法を粉末セラミックス原料中の不純物を除去するために応用することが考えられる。
【0007】
キレート剤(EDTA)による除去をCaSO4を例にとって説明すると、CaSO4は水中で以下の式(1)に示すようにその一部がイオンに分離している。
CaSO4←→Ca2++SO4 2−・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(1)
そして、EDTAを加えると式(2)に示すように、EDTAに結合していたNaとCaとが置換する。
2Na−EDTA+Ca2+→Ca−EDTA+2Na+・・・・・・・(2)
【0008】
式(2)の反応によって、Ca2+が減少すると、式(1)の平衡が右方向に移行し、CaSO4の水中への溶解を促進する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、キレート剤による不純物の除去は、不純物の水への溶解を促進して除去するのであるから、多量の水で処理しているのと変わりなく、発光管等に要求される特性を得るレベルまで不純物を除去するには24〜72時間もかかり、処理効率が悪い。
【0010】
また、一般にキレート剤はSiを多く含んでいるため、キレート剤による処理後は、他の不純物は除去できても、Siについては逆に増えてしまう。このため、不純物として含まれているSi以上に増加したSiを除去するために、キレート剤による不純物の除去の後に、フッ酸(HF)等によるSiの除去を長時間行わなければならない。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明は、粉末セラミックス原料をバインダー等とともに混合し、これを石膏型内に鋳込んで所定形状に成形し、この成形体を仮焼した後、仮焼体中にHClを含浸せしめて仮焼体中のCaSO4及びSi成分を除去し、次いで仮焼体を焼結するようにした。
【0012】
仮焼体中にHClを含浸せしめるには、仮焼体を水中に浸漬して真空脱泡を行い、仮焼体の気孔内の空気を水に置換し、この後濃度差を利用して仮焼体中にHClを含浸せしめる方法(方法1とする)、仮焼体をHClに直接浸漬して真空脱泡を行い、仮焼体の気孔内の空気をHClに置換する方法(方法2とする)がある。
【0013】
上記の方法1及び方法2によってCaを非検出のレベルまで除去するのに要する時間とHCl濃度との関係を図2に示す。尚、仮焼温度は900℃とした。
図2から処理時間を3時間以内とするには、方法1にあってはHCl濃度を0.5%以上、方法2にあってはHCl濃度を0.1%以上とする必要がある。
【0014】
また、仮焼条件としては仮焼体の気孔率が20%以上50%以下となるような条件を選定する。これは気孔率が50%を超えると仮焼体の強度不足となりハンドリングが困難となり、気孔率が20%未満であると後工程でHClが仮焼体内に含浸せず、HClによる溶出が困難になることによる。
【0015】
ここで、気孔率と仮焼温度とは一定の関係があり、仮焼温度を高くすると気孔率が小さくなる。図3はCaを非検出のレベルまで除去するのに要する時間と仮焼温度との関係を示すグラフであり、仮焼体中にHClを含浸せしめる手段としては前記方法2とし、HCl濃度は5%とした。
図3から600〜1200℃の範囲で仮焼すれば、10時間以内で処理を行うことができることが分る。
【0016】
また、HClによる溶出が終了した後に行う焼結は、一次焼結と二次焼結の2段階で行い、一次焼結は真空、空気、N2、Ar、H2または水蒸気雰囲気中で、1350℃以上1800℃以下、0.5時間以上とし、98%の嵩密度を有するようにし、二次焼結は1300℃以上1800℃以下、圧力500以上1200atm以下で行うHIP処理とするのが好ましい。
【0017】
【作用】
鋳込み成形用の石膏型に起因するCa分は、CaSO4の形で仮焼体中に存在し、更にCaSO4にSi分が混在しており、HClで処理すると、直接HClによってSiを除去することはできないが、HClによってCaSO4が溶解し、これと一緒にSiも仮焼体から離脱する。
また、仮焼体は粉末原料の段階よりも最終段階に近いため、粉末原料に対してHCl処理を行う場合に比較して不純物が混入する機会は極めて少ない。
【0018】
【実施例】
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る透光性セラミックスの製造工程を示すブロック図であり、本発明にあっては、先ずAl2O3原料およびSc2O3原料とLa2O3原料とからなる粉末セラミックス原料と、純水、バインダー及び分散剤を湿式混合分散し、次いで真空脱泡した後、鋳込み成形し、この後乾燥させた後に仮焼を行う。
【0019】
そして仮焼を行った後、成形体にHCl処理を施して成形体中の不純物金属イオン、例えばCaSO4やSi成分を溶融除去し、次いで仮焼体を一次焼結(本焼)し、更に二次焼結(HIP処理)し、また必要に応じてHF処理・洗浄・乾燥を行って発光管等の透光性セラミックス製品を得る。
【0020】
ここで、上記Al2O3の出発原料としては、AACH(アンモニウム・アルミニウム・カーボネイト・ハイドロオキサイド)を母塩とする4N(4ナイン)以上の純度で、0.05〜1.0μmの粒径分布の原料を用い、Sc2O3の出発原料としては、3N以上の純度で、0.5〜10μmの粒径分布の原料を用い、また、La2O3の出発原料としては、3N以上の純度で、0.1〜2.0μmの粒径分布の原料を用いる。
【0021】
また、バインダーとしてはメチルセルロース、ポリビニルアルコール、アクリルエマルジョン、糖アルコール等が挙げられ、分散剤としてはポリカルボン酸やポリアクリル酸のアンモニウム塩等が挙げられる。
【0022】
そして、石膏型、多孔質樹脂型或いは多孔質セラミックス型等を用いて鋳込み成形を行う場合には、上記のSc2O3原料を0.005〜15wt%、La2O3原料を0.01〜18wt%の範囲で添加し、この混合体(粉体)に対して前記バインダー及び分散剤を0.2〜1%、水を20〜100%の範囲で加え、ボールミル中で10時間以上湿式混合してスラリーを得る。
【0023】
以下の(表1)は本発明に係る実施例、比較例及び未処理品の処理時間、Alに対するSi、Caの比を示したものである。ここで、実施例は仮焼体を5%希塩酸に3時間浸漬し、その後、外側(石膏型側)と内側に関し、蛍光X線にて分析したものである。また比較例は、仮焼体をEDTA処理及びHF処理したものである。更に、表中のSi/Al、Ca/Alはそれぞれの元素の検出X線強度(kcps)の比(×10−5)であり、測定するサンプルの大きさ(面積)の違いを補正するため、共にAlで割っている。
【0024】
【表1】
【0025】
(表1)より、未処理品の場合には、Si及びCaの含有量が極めて多く、また除去処理を行った比較例と本発明を比較した場合には、処理時間が本発明の方が大幅に短縮され、Si及びCaの除去効率も向上していることが分る。
【0026】
【発明の効果】
以上に説明した如く本発明によれば、石膏型を用いて鋳込み成形した成形体を仮焼し、この仮焼体を焼成して透光性セラミックス製品とするにあたり、仮焼体中にHClを含浸せしめて仮焼体中の不純物であるCaSO4及びSi成分を除去するようにしたことで、不純物の除去率、機械的強度及び直線透過率が向上し、発光物質が不純物と反応して消失することがなくなった。
【0027】
そして、キレート剤で不純物を除去する場合と比較して、処理時間が短くなり、また除去に2工程(キレート剤処理とHF処理)を要することもなく、工程の簡略化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る透光性セラミックスの製造工程を示すブロック図
【図2】HCl濃度と処理時間との関係を示すグラフ
【図3】仮焼温度と処理時間との関係を示すグラフ
Claims (1)
- 粉末セラミックス原料をバインダー等とともに混合し、これを石膏型内に鋳込んで所定形状に成形し、この成形体を仮焼した後、この仮焼体を水中に浸漬して真空脱泡を行うことで仮焼体の気孔内の空気を水に置換し、この後濃度差を利用して仮焼体中にHClを含浸せしめて仮焼体中のCaSO4をHClに溶解せしめ、また仮焼体中のSi成分についてはCaSO4と一緒に仮焼体から離脱せしめ、次いで洗浄した後、仮焼体を焼結するようにしたことを特徴とする透光性セラミックの製造方法。
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