JP3626523B2 - Siウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、酸素イオン注入と高温熱処理とにより埋め込み酸化膜を形成したSIMOXと呼ばれるSiウェハを制作する際、埋め込み酸化膜を規定する酸素注入量、および、そのウェハ面内分布の簡便・正確・非破壊な測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
埋め込み酸化膜を有するSiウェハは、集積回路の構成要素である個々のトランジスタを酸化膜で完全に電気的に絶縁できるので理想的な構造となっている。埋め込み酸化膜の構造は、酸素注入量に強く依存するので、注入量の簡便・正確な、また、望むらくは非破壊な酸素注入量の測定が要望されていた。
【0003】
従来、酸素注入量の測定は、ラザフォード後方散乱法・放射化分析法、あるいは、アニール後のウェハについて断面透過電子顕微鏡撮影法・エリプソメトリ法などにより測定されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の測定方法は、以下に述べるように、測定試料の準備、あるいは、測定そのものが時間を要する、あるいは、容易ではない、または、測定に誤差が多いなどの問題があった。これらの測定法の各々の問題点を以下に述べる。
【0005】
ラザフォード後方散乱法は、ヴァンデグラフなどの荷電粒子加速器に接続した真空箱の中で、入射粒子に対して角度を0.1度未満に正確に制御した試料台と後方散乱粒子線検出器とを用いる煩わしさがある。また、従来の真空箱、試料台に装着できるのは、10mm程度の小片試料のみである。
【0006】
放射化分析法は、サイクロトロンなどの荷電粒子加速器により測定試料に3Heなどの荷電粒子線を照射して16Oを放射性同位元素17Fに変換し、Fを湿式化学処理により濃縮した後に放射線を測定する。これら一連の粒子線照射・化学処理を放射線管理区域において実行するよう義務づけられている煩わしさがある。断面透過電子顕微鏡撮影法は、測定試料を小片とした後に断面が数十nmの薄片とし、振動の少ない場所に置かれた高分解能の透過電子顕微鏡で観察する。試料の作成・観察は高等な技術を必要とする。また、電子顕微鏡の撮影像の倍率が観察条件に依存するために倍率の更正が難しく、膜厚の測定値に誤差が多い。
【0007】
エリプソメトリ法は、注入後に高温熱処理工程を追加して埋め込み酸化膜を形成し、この埋め込み酸化膜の膜厚を測定し、酸素注入量を求める。熱処理の工程が増すという煩わしさがある。さらに、熱処理の際、埋め込み酸化膜の中にSi島が取り込まれることがあり、埋め込み酸化膜の屈折率が変化し、膜厚測定を難しくする。また、エリプソメトリ法は、特定の膜厚において測定精度が良くない。
【0008】
そこで、本発明は、酸素注入量、および、そのウェハ面内分布を簡便・正確・非破壊に測定するSiウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法の提供を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の第1の構成は、酸素をイオン注入したSiウェハと注入しないSiウェハとについて赤外線領域での吸光度の入射光の波数に対するスペクトルを測定し、酸素をイオン注入したSiウェハに対する当該スペクトルから酸素をイオン注入しないSiウェハに対する当該スペクトルを差し引き、これによって得られた差スペクトルにおいて波数1030/cm〜1060/cmにある吸光度の極大値と波数900/cm近辺にある吸光度の極小値との差を求め、予め標準試料について求めておいた換算係数を掛けて酸素注入量を求めることを特徴とするSiウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法である。
【0010】
また、上記目的を達成するための第2の構成は、前記の換算係数として、5.00±0.50×1018/cm2 の範囲の値を用いることを特徴とするSiウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法である。
【0011】
さらに、上記目的を達成するための第3の構成は、上記の測定における入射光に対してウェハを走査し、あるいは、入射光をウェハに対して走査し、ウェハ面内での吸光度スペクトルの分布から酸素注入量の分布を求めることを特徴とするSiウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法である。
【0012】
【作用】
上記のような構成を有する本発明のSiウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法では、光学的に測定するために、ラザフォード後方散乱法、放射化分析法、断面透過電子顕微鏡撮影法とは異なって、簡便・非破壊であり、また、ウェハ内面での酸素注入量の分布も簡便・非破壊に得られる。
【0013】
本発明では、酸素をイオン注入したSiウェハと注入しないSiウェハとの吸光度スペクトルとの差を取ることにより、注入酸素による吸光スペクトルを正確に得ている。というのは、通常のSiウェハ中に含まれる固溶酸素による1107/cmの吸収ピークが、注入酸素による1030/cm〜1060/cmの範囲にある吸収度の極大と重なり誤差の原因となっていることを、注入しないSiウェハの吸光度スペクトルとの差を取ることによって除去できる。この除去が行われていることは、差スペクトルに固溶酸素による他の512/cmの吸収ピークが認められないことから保証される。
【0014】
本発明は、注入酸素による吸収の内、最も吸収が大きい1030/cm〜1060/cmの範囲内にある吸光度の極大値を用いるので、求めた吸光度差の誤差が少ない。
【0015】
本発明は、酸素注入による影響の少ない吸光度として低波数側の900/cm付近にある極小値のみを用いるので、注入条件により現れることのある高波数側の1200/cm付近の吸収の影響を避けられ、求めた吸光度差の誤差が少ない。
【0016】
さらに、注入したSiウェハと注入しないSiウェハとの吸光度スペクトルの差を取り、吸光度の極大値・極小値の差を求め、予め標準試料について求めた換算係数を掛けるため、エリプソメトリ法とは異なり求めた酸素注入量は正確である。
【0017】
【実施例】
以下に、本発明方法の実施例を記す。
【0018】
実施例1
まず標準試料を作成し、換算係数を求めた。注入しないSiウェハの400/cm〜1500/cmの波数範囲内での吸光度スペクトルを、FTIR測定器(フーリエ変換赤外線分光測定器)で分解能4/cmで20回走査して測定した(図1)このSiウェハに酸素イオンを180Kevで0.25〜1.4×1018/cm2 の範囲内で8種類の異なる注入量で注入し、再び吸光度スペクトルを同様に測定した(図2)。
【0019】
上記の注入後・注入前の吸光度スペクトルの差を取った(図3)。次に、この差スペクトルの1030/cm〜1060/cmの範囲内にある吸光度の極大値と900/cm近辺にある吸光度の極小値との差を求めた。
【0020】
上記と同一の注入試料について、ラザフフォード後方散乱法を用い、酸素注入量を正確に測定した。このラザフフォード後方散乱法による酸素注入量から赤外線吸収による吸光度差を与える一次の実験式を最小自乗法で求めた(図4)。
【0021】
なお、図4において●印は、標準試料についての値である。実線は、吸光度と注入量との関係を最小自乗法で求めた一次の実験式である。+印は、酸素を0.424×1018/cm2 の注入量で注入した試料についての値である。
【0022】
求めた実験式の換算係数は、4.98×1018/cmであった。この換算係数は、5.00±0.50×1018/cm2 の範囲内にあった。実験式と実験値との差の自乗平均誤差は、0.016×1018/cm2 と小さく、求めた実験式は正確に実験値を現していた。
【0023】
次に、別のSiウェハに酸素イオンを180Kevで0.424×1018/cm2 の注入量で注入した。この試料について上記と同様に、FTIR測定器で吸光度スペクトルを測定し、注入しないSiウェハの吸光度スペクトルとの差スペクトルを取り、吸光度の極大値・極小値の差を求めると、0.0863であった。この吸光度差0.0863に先に求めておいた換算係数4.98×1018/cm2 を掛け、酸素注入量を求めると0.430×1018/cm2 であった。この値と注入量0.424×1018/cm2 との差0.006×1018/cm2 は先に見積もった誤差0.016×1018/cm2 の範囲内にあった。
【0024】
また、用いた換算係数は、5.00±0.50×1018/cm2 の範囲内にあった。
【0025】
さらに、注入しないSiウェハとして注入したSiウェハと同一ロットの注入しない別のSiウェハの吸光度スペクトルを用いて求めた酸素注入量は、先に見積もった誤差0.016×1018/cm2 の範囲内にあった。
【0026】
実施例2
実施例1において用いた試料を、実施例1で用いたFTIR測定器を製造した会社とは異なる会社が製造したFTIR測定器を用い、吸光度スペクトル・差スペクトル・吸光度差を実施例1と同様な手順で求めた。
【0027】
求めた吸光度差0.0900に実施例1と同様な方法で予め求めておいた換算係数4.84×1018/cm2 を掛け、酸素注入量を求めると0.436×1018/cm2 であった。この値と注入量0.424×1018/cm2 との差0.012×1018/cm2 は先に見積もった誤差0.016×1018/cm2 の範囲内にあった。
【0028】
また、用いた換算係数は、5.00±0.50×1018/cm2 の範囲内にあった。
【0029】
実施例3
酸素注入した150mm径Siウェハの面内において、15mm間隔で9点について吸光度スペクトルを実施例1と同様に測定した。これらの吸光度スペクトルと注入前のSiウェハの吸光度スペクトルの差スペクトルを取り、差スペクトルにおける吸光度の極大値・極小値の差を求め、この吸光度差に実施例1と同じ換算係数を掛けて酸素注入量を求め、酸素注入量のウェハ面内分布を得た(図5)。
【0030】
この図において、●印はX軸方向での、×印はy軸方向での注入量の値を示している。
【0031】
本発明は、製造会社の異なる測定装置を用いても、ほぼ同一の換算係数を得ることができるので、汎用性がある。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の第1乃至第3の構成によれば、赤外吸収法を用い、酸素注入したSiウェハと注入しないSiウェハとの吸光度スペクトルの差を取り、差スペクトルの極大値・極小値の差を求め、予め標準試料について求めた換算係数を掛けて酸素注入量を求めることによって、酸素注入量、および、そのウェハ面内分布を簡便・正確・非破壊に測定できる。測定した酸素注入量の精度は十分高く、得られる注入条件と注入量との関係を用い、所望の注入量、および、その分布を持つように注入条件を制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】酸素注入しないSiウェハの吸光度スペクトルである。
【図2】酸素を1.355×1018/cm2 の注入量で注入したSiウェハの吸光度スペクトルである。
【図3】図1と図2との吸光度スペクトルより得られた差スペクトルである。
【図4】Siウェハの酸素注入による吸光度差とラザフォード後方散乱法を用いて測定した注入量との関係を示す図である。
【図5】酸素注入量のウェハ面内分布を示す図である。
Claims (3)
- 酸素をイオン注入したSiウェハと注入しないSiウェハとについて赤外線領域での吸光度の入射光の波数に対するスペクトルを測定し、
酸素をイオン注入したSiウェハに対する当該スペクトルから酸素をイオン注入しないSiウェハに対する当該スペクトルを差し引き、
これによって得られた差スペクトルにおいて波数1030/cm〜1060/cmにある吸光度の極大値と波数900/cm近辺にある吸光度の極小値との差を求め、
予め標準試料について求めておいた換算係数を掛けて酸素注入量を求めることを特徴とするSiウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法。 - 前記換算係数としては、5.00±0.50×1018/cm2 の範囲の値を用いることを特徴とする請求項1記載のSiウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法。
- 入射光に対してウェハを走査し、あるいは、入射光をウェハに対して走査し、ウェハ面内での吸光度スペクトルの分布から酸素注入量の分布を求めることを特徴とする請求項1または請求項2記載のSiウェハへの酸素注入量の赤外吸収による測定方法。
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