JP3603549B2 - 半導体外観検査装置及び半導体外観検査方法 - Google Patents
半導体外観検査装置及び半導体外観検査方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、画像処理技術を用いて半導体の外観検査を行う半導体外観検査装置及び半導体外観検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図14は、例えば、特開平5−121512号公報に開示された従来の半導体検査装置を示す構成図である。図において、1は被検査物である半導体チップ、2は半導体チップ1を斜方から照明するリング照明などを用いた斜方照明、3は半導体チップ1を垂直方向から照明するための落射照明、4は落射照明3の光を集光するレンズ、5は落射照明3からの照明光を半導体チップ1に照射するハーフミラー、6は半導体チップ1を撮像するための撮像手段、7は斜方照明2、落射照明3、撮像手段6で構成された光学ヘッド、8は光学ヘッド7を半導体チップ1に対して位置決めするXYZステージ、9は撮像手段6より取り込まれた撮像画像を解析する画像処理手段、10は半導体チップ1にボンディングされた金線のワイヤである。
【0003】
また図15は、上記図14における半導体チップ1を示す概略図である。図において、11はボンディング時に形成されたボール、12は電極面でアルミなどでできたパッド、13はステッチ、14はリードである。
【0004】
また図16は、パッド12にワイヤ10をボンディングする様子を示す図である。図において、11aはチャンファー部、11bはつば部、15はキャピラリである。キャピラリ15内には金線であるワイヤ10が挿入されており、このキャピラリ15をパッド12に押しつけることによってボンディングされ、ボール11が形成される。ボール11は、さらに、キャピラリ先端内面で形成されたチャンファー部11a、キャピラリ先端平面部で形成されたつば部11bとに分けられる。
【0005】
また図17は、上記ボール11の断面図であり、照明光の反射の様子を示した図である。図において、A、B、C、Dは照明光である。また図18は、このボール11を撮像したときの撮像画像を示す図である。
【0006】
次に動作について説明する。まず最初に、被検査物である半導体チップ1上のボール11の撮像をして検査を行う場合について説明する。XYZステージ8を使用して撮像手段6をボール11が存在する位置に移動させ、斜方照明2及び落射照明3を用いてボール11を照明し、焦点を合わせた上でボール11を撮像する。
【0007】
このとき、ボール11に照射した照明光は、上記図17のように反射する。まず、チャンファー部11aに照射された照明光Aは、チャンファー部11aの表面が傾斜を持った鏡面であるため入射方向に反射されない。また、キャピラリ先端平面部によって形成されたつば部11bに照射された照明光B、Cは、つば部11b表面がフラットであるため入射方向に反射される。パッド12の表面に照射された照明光Eは、照明光B及びCと同様に入射方向に反射される。
【0008】
このため、ボール11及びパッド12の撮像画像は、上記図18に示すように、反射光が返ってくるパッド12の表面及びつば部11bにおいて明るくなり、反射光が返ってこないチャンファー部11aにおいて暗くなる。この画像に対して、画像処理手段9を用いてボール11の外形寸法、及び中心座標を算出するといった外観検査を行う。
【0009】
次に、上記図15におけるステッチ13の撮像をして検査を行う場合について説明する。図19は、リード14にワイヤ10をボンディングする様子を示す図である。図において、13aはステッチ傾斜部、13bはステッチ平坦部である。キャピラリ15内には金線であるワイヤ10が挿入されており、このキャピラリ15をリード14に押しつけることによってボンディングされ、ステッチ13が形成される。ステッチ13は、さらに、キャピラリ先端傾斜部で形成されたステッチ傾斜部13aとキャピラリ先端平面部で形成されたステッチ平坦部13bとに分けられる。
【0010】
また図20は、このステッチ13の断面図であり、照明光の反射の様子を示した図である。図において、a、b、c、dは照明光である。また、図21は、ステッチ13を撮像したときの撮像画像を示す図である。
【0011】
撮像はボール11の場合と同様のステップで行われる。このとき、ステッチ13に照射した照明光は、上記図20のように反射する。ワイヤ10に照射された照明光aは、ワイヤ10が光軸に対して傾斜しているため、入射方向に反射されない。また、ステッチ13に照射された照明光b及びcのうち、キャピラリ15の先端傾斜部で形成されたステッチ傾斜部13aに照射された照明光bは、傾斜部であるため入射方向に反射されない。しかし、キャピラリ15の先端平面部で形成されたステッチ平坦部13bに照射された照明光cは、平坦部であるため入射方向に反射される。リード14に照射された照明光dも同様に入射方向に反射される。
【0012】
このため、ステッチ13及びリード14の撮像画像は、上記図21に示すように、反射光の返ってこないワイヤ10及びステッチ傾斜部13aにおいて暗くなり、反射光が返ってくるステッチ平坦部13b及びリード14において明るくなる。この画像に対して画像処理手段9を用いて、ステッチ13の幅、長さ、中心座標を算出するなどの外観検査を行う。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、上記従来例に示すようなワイヤボンディング状態を検査する装置においては、パッド12に対するボール11のずれ量を計測するため、ボール11全体をパッド12から分離、識別する必要がある。しかし、上記従来例では、上記図18に示す撮像画像のように、つば部11bとパッド12とが共に反射光で明るくなり区別がつきにくく、ボール11全体を正確に識別、検査するのは困難であった。また、上記図20におけるステッチ13の撮像画像においても、ステッチ平坦部13bとリード14とが共に反射光で明るくなって区別がつきにくく、ステッチ13全体を正確に識別、検査することが困難であった。
【0014】
以上のように、従来の半導体検査装置及び検査方法では、抽出したい特定領域を識別することが困難であり、処理の精度や安定性が悪いという問題点があった。
【0015】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、被検査物の抽出したい特定の領域を、精度良く且つ安定した状態で識別することができる半導体検査装置及び半導体検査方法を得ることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体外観検査装置は、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域を有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する落射照明手段、上記照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離され、同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とは分離されない撮像画像を得る撮像手段、落射照明手段または撮像手段のいずれか一方に設けられ、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過するフィルタ手段、撮像手段で得られた撮像画像から被検査物における異なる物質間の境界を識別する画像処理手段を備えたものである。
【0017】
また、フィルタ手段は、光変調素子を用いて透過できる光波長領域を変えられるものである。
【0018】
また、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する落射照明手段、上記照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得る第一の撮像手段、上記照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る第二の撮像手段、第一の撮像手段に設けられ被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が第一の撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過する第一のフィルタ手段、第一の撮像手段で撮像した撮像画像と、第二の撮像手段で撮像した撮像画像との差分から被検査物の特定の領域を識別する画像処理手段を備えたものである。
【0019】
また、第二の撮像手段は、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が第二の撮像手段の受光面上で小さくなる光波長領域を透過する第二のフィルタ手段を備えたものである。
【0020】
また、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する落射照明手段、上記照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得るとともに、同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る撮像手段、落射照明手段または撮像手段のいずれか一方に設けられ、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過する第一のフィルタ手段、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で小さくなる光波長領域を透過する第二のフィルタ手段、第一のフィルタ手段または第二のフィルタ手段のいずれかを選択するフィルタ切り替え手段、このフィルタ切り替え手段で選択された第一のフィルタ手段を介して撮像した撮像画像とフィルタ切り替え手段で選択された第二のフィルタ手段を介して撮像した撮像画像との差分から被検査物の特定の領域を識別する画像処理手段を備えたものである。
【0021】
また、落射照明手段は、フィルタ手段の透過光波長領域に分光分布が集中している光源である。
【0022】
また、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する第一の落射照明手段及び第二の落射照明手段、上記第一の落射照明手段からの照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得るとともに、上記第二の落射照明手段からの照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る撮像手段、第一の落射照明手段に設けられ被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過する第一のフィルタ手段、第一の落射照明手段による照明光で撮像した撮像画像と、第二の落射照明手段による照明光で撮像した撮像画像との差分から被検査物の特定の領域を識別する画像処理手段を備えたものである。
【0023】
また、第二の落射照明手段は、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で小さくなる光波長領域を透過する第二のフィルタ手段を備えたものである。
【0024】
また、第一及び第二の落射照明手段は、フィルタ手段の透過光波長領域に分光分布が集中している光源である。
【0025】
また、この発明に係る半導体外観検査方法は、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域を有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して、この被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が大きくなる光波長領域の照明光を垂直方向から照射する工程、上記照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離され、同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とは分離されない撮像画像を撮像する工程、得られた撮像画像から被検査物における異なる物質間の境界を識別する工程を含むものである。
【0027】
また、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して、この被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が大きくなる光波長領域の照明光を垂直方向から照射する第一の照射工程、この第一の照射工程による照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内第一の照射工程による照明光と同軸の成分により被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得る第一の撮像工程、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が小さくなる光波長領域の照明光を垂直方向から照射する第二の照射工程、この第二の照射工程による照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内第二の照射工程による照明光と同軸の成分により被検査物を撮像して同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る第二の撮像工程、第一及び第二の撮像工程で得られた撮像画像の差分をとることにより被検査物の特定の領域を識別する工程を含むものである。
【0028】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1による半導体検査装置を示す構成図である。図において、1は被検査物である半導体チップ、3は照明手段であり半導体チップ1を垂直方向から照明するための落射照明、4はレンズ、5はハーフミラー、6は半導体チップ1を撮像するためのCCDカメラなどの撮像手段、9は撮像手段6より取り込まれた撮像画像を解析する画像処理手段、10は半導体チップ1にボンディングされた金線のワイヤ、16は落射照明3に設けられ照明光の光波長領域を限定するフィルタ手段、17は半導体チップ1の全領域に落射照明3からの照明光エリア及び撮像エリアを切り替えるための光軸偏向切り替え手段である。
【0029】
また図2は、被検査物である半導体チップ1を構成する、金、銀、アルミにおける光波長と反射率との関係を示す図である。また図3は、フィルタ手段16に用いる青色フィルタの透過特性を示す図である。また図4は、本実施の形態1による半導体検査装置でボール11を撮像した撮像画像、図5は、同じく本実施の形態1による半導体検査装置でステッチ13を撮像した撮像画像を示す図である。
【0030】
次に動作について説明する。落射照明3から出射した照明光は、フィルタ手段16を介しハーフミラー5によって光軸偏向切り替え手段17に入射する。光軸偏向切り替え手段17は高速に視野の切り替えを行うことが可能である。半導体チップ1によって反射した反射光は、光軸偏向切り替え手段17、ハーフミラー5、レンズ4を介して撮像手段6に入射し、撮像手段6は半導体チップ1の撮像を行う。なお、落射照明3及び光軸偏向切り替え手段17は、図示されない制御手段によって、適宜制御が行われている。
【0031】
次に、フィルタ手段16を付加する意味について、上記従来例におけるボール11の撮像及び検査を例に説明する。ここで、ボール11は金、パッド12はアルミを用いたとする。
【0032】
上記図2に示すように、アルミの反射率と金の反射率を見ると350〜500nmの光波長領域において大きな差が発生していることが分かる。即ち、350〜500nmの光波長領域の照明光を照射すれば、アルミ表面による反射光量は大きく発生するが、金表面による反射光量は少なくなる。そこで、上記図3に示すような、400nm〜480nmの光波長領域を透過する青色フィルタをフィルタ手段16として用いる。アルミで形成されたパッド12による照明光D(上記図17)の反射光は従来通り発生するが、金で形成されたボール11による照明光A、B及びC(上記図17)の反射光量は低減される。
【0033】
従って、上記従来例における図18に示すような、つば部11bとパッド12との区別がつかない画像を、図4に示すような、つば部11bを含めたボール11全体をパッド12から分離した画像に改善することできる。これにより、画像処理手段9は、ボール11を容易に識別することができ、精度が高く、安定した処理が可能となる。
【0034】
次に、上記従来例におけるステッチ13の撮像及び検査を例に説明する。ここで、ステッチ13は金、リードは銀を用いたとする。上記図2に示すように、金表面の反射率と銀表面の反射率は、350〜500nmの光波長領域において大きな差が発生していることが分かる。従って、ボール11の撮像の場合と同様に、上記図3に示すような青色フィルタをフィルタ手段16として用いることにより、銀で形成されたリード14による照明光d(上記図20)の反射光は従来通り発生するが、金で形成されたステッチ13による照明光a、b及びc(上記図20)の反射光量は低減される。
【0035】
従って、上記従来例における図21に示すようなステッチ平坦部13bとリード14との区別がつかない画像を、図5に示すような、ステッチ平坦部13bを含めたステッチ13全体をリード14から分離した画像に識別することができ、精度が高く、安定した処理が可能となる。
【0036】
以上のように、本実施の形態1によれば、複数の異なる物質からなる被検査物において、それぞれの物質の光波長領域による反射率の違いを利用して、それぞれの物質による反射光量の差が、撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域の照射光を照射するので、被検査物の検査したい領域、即ち特定の物質からなる領域を容易に識別することができ、精度が高く、安定した検査が可能となる。
【0037】
また、フィルタ手段16を用いることにより、照射光はほぼ単色光となるので、光学系の色収差による画像のぼけを小さくできる効果もある。
【0038】
なお、上記実施の形態1では、フィルタ手段16を落射照明3に設置して、照射光の光波長領域を限定する場合について説明したが、フィルタ手段16を撮像手段6に設け、照射光の反射光の光波長領域を限定する構成としても、同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
【0039】
実施の形態2.
図6は、この発明の実施の形態2による半導体検査装置を示す構成図である。図において、3aは第一の照明手段、3bは第二の照明手段であり、上記実施の形態1と異なって照明手段が複数設けられている。また、51は全反射ミラーである。また図7は、この発明の実施の形態2による半導体検査装置でボール11を撮像した撮像画像である。
【0040】
次に動作について説明する。ボール11の撮像及び検査を例に説明する。まず、フィルタ手段16(上記実施の形態1と同様青色フィルタ)を備えた第一の照明手段3aによる照射光でボール11の撮像を行う。上記実施の形態1と同様に、上記図4に示すような撮像画像が得られ、撮像画像は画像処理手段9内に保存される。
【0041】
次に、フィルタ手段を備えていない第二の照明手段3bによる照射光でボール11の撮像を行う。第二の照明手段3bによる照射光は、光波長領域が限定されていないため、上記従来例における図18に示すようなチャンファー部11aのみの撮像画像を得ることができる。従って、先ほど画像処理手段9に一時保存した青色フィルタ16による撮像画像(図4)と、光波長領域を限定しない照射光で撮像した撮像画像(図18)との差分をとることにより、図7に示すような、つば部11bのみの画像を抽出することができる。
【0042】
ボール11におけるつば部11bのみの撮像画像を抽出することができれば、ボンディング時のキャピラリ15のずれ量、ボール11全体のパッド12からのはみ出し量、及びボール11形成時のキャピラリ15とのずれ量を計測することができるため、これらのずれ量をボンディング装置にフィードバックし、修正を行うことで不良を低減することが可能となる。
【0043】
以上のように、本実施の形態2によれば、上記実施の形態1のように特定の物質からなる領域を抽出し、且つ上記従来例のように、被検査物の形状の違いによる照射光の反射方向の違いを利用して特定の領域を抽出し、さらにこれらの差分をとるので、検査したい特定の領域を識別することができる。
【0044】
なお、上記実施の形態2では、照明手段を複数設け、フィルタ手段を照明手段に設けた構成について説明したが、、撮像手段を複数設け、フィルタ手段を撮像手段に設ける構成にしても良い。図8は、この発明の実施の形態2による別の半導体検査装置を示す構成図である。図において、6aはフィルタ手段16を備えた第一の撮像手段、6bは第二の撮像手段である。
【0045】
この場合、フィルタ手段16を備えた第一の撮像手段6aで撮像した撮像画像と、フィルタ手段16を備えていない第二の撮像手段6bで撮像した撮像画像との差分をとれば、上記実施の形態2と同様の効果を得ることができる。
【0046】
実施の形態3.
上記実施の形態2において、光波長領域を限定しない照射光で撮像して図18に示すような撮像画像を得たが、光波長領域を限定しない照射光即ち通常光は、金とアルミの反射率に差がでる光波長領域の成分も含んでいるため、上記図18において、金でできたつば部11bとアルミでできたパッド12とにむらができ、チャンファー部11aとのコントラストが悪化して、つば部11bを明瞭に抽出できなくなることも考えられる。そこで、本実施の形態では、第二のフィルタ手段として、それぞれの反射光量の差が撮像手段の受光面上で小さくなるようなフィルタを用いて、識別したい領域をさらに明瞭に抽出するものである。
【0047】
図9は、この発明の実施の形態3による半導体検査装置を示す構成図である。図において、16aは第一の照明手段3aに設けられた第一のフィルタ手段であり、ここでは上記実施の形態1で用いた青色フィルタ、16bは第二の照明手段3bに設けられた第二のフィルタ手段であり、ここでは青色フィルタ16aとは透過する光波長領域が異なる赤色フィルタである。また図10は、第二のフィルタ手段16bに用いる赤色フィルタの透過特性を示す図である。
【0048】
次に動作について説明する。ボール11の撮像及び検査を例に説明する。まず、上記実施の形態1と同様の手順で、第一のフィルタ手段16aを備えた第一の照明手段3aによる照射光で撮像を行う。第一のフィルタ手段16aには青色フィルタが用いられているため、上記図4に示すような撮像画像が得られ、撮像画像は画像処理手段9内に保存される。
【0049】
次に、第二のフィルタ手段16bを備えた第二の照明手段3bによる照射光で撮像を行う。ここで第二のフィルタ手段16bとして赤色フィルタを用いる。赤色フィルタ16bは、図10に示すように、約600nm以上の光波長領域を透過する。上記図2において、金とアルミにおける600nm以上の光波長域の反射率を見ると、金及びアルミともに反射率に差はなく、金表面による反射光量もアルミ表面による反射光量もほぼ同量であると言える。このため、赤色フィルタ16bによって光波長領域を限定した照射光による撮像を行えば、アルミで形成されたパッド12による照明光D(上記図17)の反射光と、金で形成されたボール11による照明光B及びC(上記図17)の反射光の量はほぼ同量となり、上記図18に示す撮像画像におけるチャンファー部11aを明瞭に浮き上がらせた撮像画像を得ることができる。
【0050】
従って、上記実施の形態2のように、画像処理手段9に一時保存した青色フィルタ16aによる撮像画像と、今撮像した赤色フィルタ16bによる撮像画像との差分をとることにより、つば部11bのみの画像を、上記実施の形態2よりも良好に抽出することができる。
【0051】
以上のように、この実施の形態3によれば、被検査物を構成する物質のそれぞれの反射光量の差が撮像手段の受光面で小さくなる光波長領域を透過する第二のフィルタ手段を設けることにより、検査したい特定の領域をさらに明瞭に抽出することができる。
【0052】
なお、上記実施の形態3では、照明手段を複数設け、それぞれの照明手段にフィルタ手段を設けた構成について説明したが、撮像手段を複数設け、それぞれの撮像手段にフィルタ手段を設ける構成にしても良い。図11は、この発明の実施の形態3による別の半導体検査装置を示す構成図である。図において、6aはフィルタ手段16aを備えた第一の撮像手段、6bはフィルタ手段16bを備えた第二の撮像手段である。
【0053】
この場合、フィルタ手段16aを備えた第一の撮像手段6aで撮像した撮像画像と、フィルタ手段16bを備えた第二の撮像手段6bで撮像した撮像画像との差分をとれば、上記実施の形態3と同様の効果を得ることができる。
【0054】
実施の形態4.
上記実施の形態3では、照明手段または撮像手段を複数設け、さらにそれぞれの照明手段または撮像手段にフィルタ手段を設けた構成を説明したが、本実施の形態では、フィルタ切り替え手段を用いて、照明手段または撮像手段を上記実施の形態1と同様に単数にするものである。
【0055】
図12は、この発明の実施の形態4による半導体検査装置を示す構成図である。
図において、18は第一のフィルタ手段16a及び第二のフィルタ手段16bを切り替えるフィルタ切り替え手段である。
【0056】
フィルタ切り替え手段18で第一のフィルタ手段16aを選択して、第一のフィルタ手段16aを介した照明光による撮像画像と、フィルタ切り替え手段18で第二のフィルタ手段16bを選択して、第二のフィルタ手段16bを介した照明光による撮像画像との差分をとれば、上記実施の形態3と同様の画像を得ることができる。従って、照明手段を複数設けなくても、上記実施の形態3と同様の効果を得ることができる。
【0057】
なお、上記実施の形態4では、第一のフィルタ手段16a及び第二のフィルタ手段16b、さらにこれらを切り替えるフィルタ切り替え手段18を、落射照明3側に設置した場合について説明したが、これらの構成を撮像手段6側に設置しても、上記実施の形態4と同様の効果が得られるのは言うまでもない。
【0058】
実施の形態5.
上記実施の形態3及び4では、透過する光波長領域がそれぞれ異なる第一のフィルタ手段16a及び第二のフィルタ手段16bを用いて撮像する場合について説明したが、本実施の形態のように、光変調素子を用いて電気的に透過できる光波長領域を切り替えれば、一つのフィルタ手段で、複数のフィルタ手段を用いた上記実施の形態3及び4と同様な効果を得ることができ、装置構成を簡略化できる効果も得られる。
【0059】
また、電気的に光波長領域の切り替えを行うため、上記実施の形態4に記載の、フィルタ切り替え手段18を用いる手法と比べて、切り替えの応答性を向上させる効果も得られる。
【0060】
なお、光変調素子としては、超音波を媒体に印加し、この媒体に光線が入射したとき、媒体中の超音波によって光線の一部が回析するといういわゆる音響光学効果を利用して透過できる光波長領域が変えられる音響光学フィルタなどを用いることが望ましい。
【0061】
実施の形態6.
上記実施の形態1から4において、落射照明3に用いる光源については述べなかったが、一般的な検査装置の場合、光源にはハロゲンランプが用いられる。ハロゲンランプの分光分布は、図13(a)に示すように、短波長領域では光強度が弱く、長波長領域になるに従って光強度が強くなるという分光分布である。一方、上記実施の形態1から3において用いる青色フィルタは、透過光波長領域が400〜480nmと比較的短波長領域である。従って、青色フィルタを使用する場合に光源としてハロゲンランプを使用すると、照射光の光強度が強くなる波長領域と、フィルタが透過できる光波長領域とが異なるため、被検査物への照明効率が低下するという問題点がある。
【0062】
そこで、本実施の形態では、青色フィルタに対する光源としてメタルハライドランプを用いる。メタルハライドランプの分光分布は、図13(b)に示すように、400〜600nmの間で光強度が強くなる。一方、青色フィルタの透過光波長領域は400〜480nmである。従って、照射光の光強度が強くなる波長領域と、フィルタが透過できる光波長領域とがほぼ一致しているため、フィルタ手段を透過する光量を増大させることができ、被検査物に効率良く照明を照射することができる。
【0063】
なお、赤色フィルタの透過光波長領域は約600nm以上であるため、ハロゲンランプで照射すれば良いことが分かる。また、上記実施の形態6では、青色フィルタに対する光源としてメタルハライドランプを用いた例について説明したが、使用するフィルタの透過光波長領域とほぼ一致する光波長領域を持つ光源であればこれに限るものではない。
【0064】
実施の形態7.
上記実施の形態1から6において、半導体におけるワイヤボンディングの状態検査に、本発明による検査装置及び検査方法を適用した場合について説明してきたが、本発明の検査装置及び検査方法は、ワイヤボンディングの状態検査に限られるものではない。
【0065】
例えば、半導体チップは、一般にシリコン(Si)やガリウムヒ素(GaAs)などの半導体基板の上に、金蒸着などで電極が形成されている。このような半導体チップの外観検査を行う場合、従来の照明では、照射光がSiやGaAsを透過してしまい、金蒸着による電極は検出できても、半導体チップ全体の外観は検出できない。そこで、上記各実施の形態のように、青色フィルタを介した照射光を照射すれば、照射光はSiやGaAsで反射し、半導体チップ全体の外観を識別することができる。
【0066】
また、薄膜の金電極の下に、金電極とは形状が異なるアルミ電極が存在する半導体チップの該アルミ電極を検査したい場合、従来の照明で撮像すると、照明光は金電極表面で反射してしまい、下のアルミ電極を識別することはできない。しかし、上記各実施の形態のように、青色フィルタを介した照明光を照射すれば、金電極表面では反射せずそのまま透過してアルミ電極で反射するため、アルミ電極の形状を識別することができる。
【0067】
【発明の効果】
以上のように、請求項1記載の発明によれば、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域を有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する落射照明手段、上記照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離され、同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とは分離されない撮像画像を得る撮像手段、落射照明手段または撮像手段のいずれか一方に設けられ、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過するフィルタ手段、撮像手段で得られた撮像画像から被検査物における異なる物質間の境界を識別する画像処理手段を備えたので、被検査物の特定の物質からなる領域を容易に識別することができ、精度が高く、安定した検査ができる効果が得られる。
【0068】
また、請求項2記載の発明によれば、フィルタ手段は、光変調素子を用いて透過できる光波長領域を変えられるので、装置構成を簡略化できる効果が得られる。
【0069】
また、請求項3記載の発明によれば、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する落射照明手段、上記照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得る第一の撮像手段、上記照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る第二の撮像手段、第一の撮像手段に設けられ被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が第一の撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過する第一のフィルタ手段、第一の撮像手段で撮像した撮像画像と、第二の撮像手段で撮像した撮像画像との差分から被検査物の特定の領域を識別する画像処理手段を備えたので、被検査物の特定の領域を容易に識別することができ、精度が高く、安定した検査ができる効果が得られる。
【0070】
また、請求項4記載の発明によれば、第二の撮像手段は、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が第二の撮像手段の受光面上で小さくなる光波長領域を透過する第二のフィルタ手段を備えたので、被検査物の特定の領域を容易に識別することができ、精度が高く、安定した検査ができる効果が得られる。
【0071】
また、請求項5記載の発明によれば、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する落射照明手段、上記照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得るとともに、同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る撮像手段、落射照明手段または撮像手段のいずれか一方に設けられ、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過する第一のフィルタ手段、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で小さくなる光波長領域を透過する第二のフィルタ手段、第一のフィルタ手段または第二のフィルタ手段のいずれかを選択するフィルタ切り替え手段、このフィルタ切り替え手段で選択された第一のフィルタ手段を介して撮像した撮像画像とフィルタ切り替え手段で選択された第二のフィルタ手段を介して撮像した撮像画像との差分から被検査物の特定の領域を識別する画像処理手段を備えたので、被検査物の特定の領域を容易に識別することができ、精度が高く、安定した検査ができる効果が得られる。
【0072】
また、請求項6記載の発明によれば、落射照明手段は、フィルタ手段の透過光波長領域に分光分布が集中している光源であるので、被検査物に効率よく照明を照射することができる効果が得られる。
【0073】
また、請求項7記載の発明によれば、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する第一の落射照明手段及び第二の落射照明手段、上記第一の落射照明手段からの照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得るとともに、上記第二の落射照明手段からの照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る撮像手段、第一の落射照明手段に設けられ被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過する第一のフィルタ手段、第一の落射照明手段による照明光で撮像した撮像画像と、第二の落射照明手段による照明光で撮像した撮像画像との差分から被検査物の特定の領域を識別する画像処理手段を備えたので、被検査物の特定の領域を容易に識別することができ、精度が高く、安定した検査ができる効果が得られる。
【0074】
また、請求項8記載の発明によれば、第二の落射照明手段は、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で小さくなる光波長領域を透過する第二のフィルタ手段を備えたので、被検査物の特定の領域を容易に識別することができ、精度が高く、安定した検査ができる効果が得られる。
【0075】
また、請求項9記載の発明によれば、第一及び第二の落射照明手段は、フィルタ手段の透過光波長領域に分光分布が集中している光源であるので、被検査物に効率よく照明を照射することができる効果が得られる。
【0076】
また、請求項10記載の発明によれば、この発明に係る半導体外観検査方法は、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域を有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して、この被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が大きくなる光波長領域の照明光を垂直方向から照射する工程、上記照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離され、同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とは分離されない撮像画像を撮像する工程、得られた撮像画像から被検査物における異なる物質間の境界を識別する工程を含むので、被検査物の特定の物質からなる領域を容易に識別することができ、精度が高く、安定した検査ができる効果が得られる。
【0078】
また、請求項11記載の発明によれば、平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して、この被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が大きくなる光波長領域の照明光を垂直方向から照射する第一の照射工程、この第一の照射工程による照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内第一の照射工程による照明光と同軸の成分により被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得る第一の撮像工程、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が小さくなる光波長領域の照明光を垂直方向から照射する第二の照射工程、この第二の照射工程による照明光が被検査物に反射して得られる反射光の内第二の照射工程による照明光と同軸の成分により被検査物を撮像して同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る第二の撮像工程、第一及び第二の撮像工程で得られた撮像画像の差分をとることにより被検査物の特定の領域を識別する工程を含むので、被検査物の特定の領域を容易に識別することができ、精度が高く、安定した検査ができる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1による半導体検査装置を示す構成図である。
【図2】この発明の実施の形態1による半導体検査装置を説明するための図である。
【図3】この発明の実施の形態1による半導体検査装置で使用するフィルタ手段の特性を示す図である。
【図4】この発明の実施の形態1による半導体検査装置で撮像した撮像画像を示す図である。
【図5】この発明の実施の形態1による半導体検査装置で撮像した撮像画像を示す図である。
【図6】この発明の実施の形態2による半導体検査装置を示す構成図である。
【図7】この発明の実施の形態2による半導体検査装置で撮像した撮像画像を示す図である。
【図8】この発明の実施の形態2による別の半導体検査装置を示す構成図である。
【図9】この発明の実施の形態3による半導体検査装置を示す構成図である。
【図10】この発明の実施の形態3による半導体検査装置で使用するフィルタ手段の特性を示す図である。
【図11】この発明の実施の形態3による別の半導体検査装置を示す構成図である。
【図12】この発明の実施の形態4による半導体検査装置を示す構成図である。
【図13】この発明の実施の形態5による半導体検査装置に用いる光源の特性図である。
【図14】従来の半導体検査装置を示す構成図である。
【図15】従来の半導体検査装置を説明するための図である。
【図16】従来の半導体検査装置を説明するための図である。
【図17】従来の半導体検査装置で撮像した撮像画像である。
【図18】従来の半導体検査装置を説明するための図である。
【図19】従来の半導体検査装置を説明するための図である。
【図20】従来の半導体検査装置で撮像した撮像画像である。
【図21】従来の半導体検査装置を説明するための図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ、2 斜方照明、3 落射照明、4 レンズ、5 ハーフミラー、6 撮像手段、7 光学ヘッド、8 XYZステージ、9 画像処理手段、10 ワイヤ、11 ボール、12 パッド、13 ステッチ、14 リード、15 キャピラリ、16 フィルタ手段、17 光軸偏向切り替え手段、18 フィルタ切り替え手段
Claims (11)
- 平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域を有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する落射照明手段、上記照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離され、同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とは分離されない撮像画像を得る撮像手段、上記落射照明手段または上記撮像手段のいずれか一方に設けられ、上記被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が上記撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過するフィルタ手段、上記撮像手段で得られた撮像画像から上記被検査物における異なる物質間の境界を識別する画像処理手段を備えたことを特徴とする半導体外観検査装置。
- フィルタ手段は、光変調素子を用いて透過できる光波長領域を変えられることを特徴とする請求項1記載の半導体外観検査装置。
- 平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する落射照明手段、上記照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得る第一の撮像手段、上記照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る第二の撮像手段、上記第一の撮像手段に設けられ上記被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が上記第一の撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過する第一のフィルタ手段、上記第一の撮像手段で撮像した撮像画像と、上記第二の撮像手段で撮像した撮像画像との差分から上記被検査物の特定の領域を識別する画像処理手段を備えたことを特徴とする半導体外観検査装置。
- 第二の撮像手段は、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が上記第二の撮像手段の受光面上で小さくなる光波長領域を透過する第二のフィルタ手段を備えたことを特徴とする請求項3記載の半導体外観検査装置。
- 平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する落射照明手段、上記照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得るとともに、同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る撮像手段、上記落射照明手段または上記撮像手段のいずれか一方に設けられ、上記被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が上記撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過する第一のフィルタ手段、上記被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が上記撮像手段の受光面上で小さくなる光波長領域を透過する第二のフィルタ手段、上記第一のフィルタ手段または上記第二のフィルタ手段のいずれかを選択するフィルタ切り替え手段、このフィルタ切り替え手段で選択された上記第一のフィルタ手段を介して撮像した撮像画像と上記フィルタ切り替え手段で選択された上記第二のフィルタ手段を介して撮像した撮像画像との差分から上記被検査物の特定の領域を識別する画像処理手段を備えたことを特徴とする半導体外観検査装置。
- 上記落射照明手段は、フィルタ手段の透過光波長領域に分光分布が集中している光源であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体外観検査装置。
- 平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して垂直方向から照明光を照射する第一の落射照明手段及び第二の落射照明手段、上記第一の落射照明手段からの照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得るとともに、上記第二の落射照明手段からの照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る撮像手段、上記第一の落射照明手段に設けられ上記被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が上記撮像手段の受光面上で大きくなる光波長領域を透過する第一のフィルタ手段、上記第一の落射照明手段による照明光で撮像した撮像画像と、上記第二の落射照明手段による照明光で撮像した撮像画像との差分から上記被検査物の特定の領域を識別する画像処理手段を備えたことを特徴とする半導体外観検査装置。
- 第二の落射照明手段は、被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が撮像手段の受光面上で小さくなる光波長領域を透過する第二のフィルタ手段を備えたことを特徴とする請求項7記載の半導体外観検査装置。
- 第一及び第二の落射照明手段は、フィルタ手段の透過光波長領域に分光分布が集中している光源であることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体外観検査装置。
- 平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域を有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して、この被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が大きくなる光波長領域の照明光を垂直方向から照射する工程、上記照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内上記照明光と同軸の成分により上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離され、同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とは分離されない撮像画像を撮像する工程、得られた撮像画像から上記被検査物における異なる物質間の境界を識別する工程を含むことを特徴とする半導体外観検査方法。
- 平面領域からなる部材と垂直方向に対し傾斜した領域および上記傾斜した領域に連なり垂直方向からの照明光を垂直方向へ反射する平坦領域を有し上記平面領域からなる部材の上に配置された部材とで構成され、それぞれの部材は表面による反射光量の差が大きい光波長領域と表面による反射光量の差が小さい光波長領域とを有する互いに異なる物質からなる被検査物に対して、この被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が大きくなる光波長領域の照明光を垂直方向から照射する第一の照射工程、この第一の照射工程による照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内第一の照射工程による照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して上記被検査物の異なる物質表面による反射光量の違いによって異なる物質の領域が分離された撮像画像を得る第一の撮像工程、上記被検査物のうち検査したい物質とその他の物質との照明光と同軸の成分の表面の反射光量の差が小さくなる光波長領域の照明光を垂直方向から照射する第二の照射工程、この第二の照射工程による照明光が上記被検査物に反射して得られる反射光の内第二の照射工程による照明光と同軸の成分により上記被検査物を撮像して同じ物質からなる照明光の入射方向に対し傾斜した領域と上記傾斜した領域に連なる平坦領域とが分離された撮像画像を得る第二の撮像工程、上記第一及び第二の撮像工程で得られた撮像画像の差分をとることにより上記被検査物の特定の領域を識別する工程を含むことを特徴とする半導体外観検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18125097A JP3603549B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 半導体外観検査装置及び半導体外観検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18125097A JP3603549B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 半導体外観検査装置及び半導体外観検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1123483A JPH1123483A (ja) | 1999-01-29 |
JP3603549B2 true JP3603549B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=16097428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18125097A Expired - Fee Related JP3603549B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 半導体外観検査装置及び半導体外観検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3603549B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5444823B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2014-03-19 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの検査方法 |
JP5865734B2 (ja) * | 2012-03-01 | 2016-02-17 | 株式会社Screenホールディングス | 領域分類装置、そのプログラム、基板検査装置、および領域分類方法 |
JP6339849B2 (ja) * | 2014-04-23 | 2018-06-06 | 株式会社サキコーポレーション | 検査装置 |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP18125097A patent/JP3603549B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1123483A (ja) | 1999-01-29 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040304 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040604 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040907 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040920 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071008 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 7 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 8 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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