JP3599814B2 - 液晶表示素子用配向膜、液晶表示素子及び配向膜の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子用配向膜、液晶表示素子及び配向膜の製造方法 Download PDFInfo
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は液晶分子を所定の方向に配向させて各種の表示を行う液晶表示素子およびその液晶表示素子中に設けられる配向膜ならびにその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、テレビや、コンピュータと接続された画像装置などの各種のディスプレイにおいては、より軽量で、薄く、かつ低消費電力であることなどが要求されている。このような状況のもと、上記要件を満足をさせるためのフラットディスプレイを実現するものとして、優れた液晶表示素子の出現が希求されている。
【0003】
液晶表示素子には、液晶を一定方向に配向させるために、表面に傾斜が形成されてプレチルト角の設定された配向膜が設けられている。
配向膜を製造する方法としては、基板上に成膜されたポリイミド樹脂等の高分子樹脂膜を布等で一方向に擦るラビング処理や、二酸化ケイ素(SiO2)を斜方蒸着して形成する方法が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、ラビング処理を利用して形成された配向膜にあっては、この配向膜を作製するために布等で擦る際に、発塵を伴ったり、静電気が発生してしまったりする問題がある。
また、斜方蒸着を利用する方法であっては、製造費用が嵩む上に、大面積に形成することは困難で、比較的大型の液晶表示素子には不適当であるという問題がある。
【0005】
そこで、近年、このような問題を解決すべく、転写法を利用して配向膜を製造する方法が脚光を浴びるようになった。この転写法による配向膜の製造方法は、基板上に形成された樹脂膜に、加熱しつつ、転写すべき凹凸模様が表面に形成された転写型を押し付け、膜の表面に凹凸形状を転写、形成するものである。一般に、この転写型によって製造された配向膜の表面形状は、基板上に多数の凸状がほぼ平行に繰り返して形成されたものである。
【0006】
しかしながら、転写法で凹凸形状を形成しただけの配向膜を用いた液晶表示素子であっては、液晶の界面規制力が弱く、外力や熱が付与されることによって、十分なプレチルト角(一般に、1゜以上)が保たれず、所謂ドメインが発生するおそれがあるものであった。
【0007】
さらに近年、上記したようなラビング処理や転写型による転写法ではなく、下記化学式▲1▼で示されるモノマーが重合されてなる高分子化合物(ポリビニルシンナマート:以下、PVCnと略記する)を基板上に均一に塗布して成膜した後、特定の方向に偏光した紫外線を照射し、照射する紫外線の偏光方向に向いているPVCnの感光基のみ架橋し、異方性のあるネットワークポリマーとして配向膜を製造する方法が研究されるようになった。
【0008】
【化6】
この方法であると、基板上に塗布した樹脂膜にラビング処理などで不可欠であった他の部材との接触のない非接触式であるので、静電気の発生や不純物の混入がないなどの利点がある。
【0009】
しかしながら、この方法に適用される樹脂は、感光性が低く、液晶表示素子の配向膜として十分な配向処理を行うためには、偏光紫外線の照射時間を長くしなければならず、製造工程に長時間を要するものであった。換言すれば、工業上の適当な時間で配向処理を終らせてしまうと、作製した液晶表示素子の液晶の配向が不十分で二色比が小さく、コントラストが悪くなってしまう。
これは、偏光方向にポリマーの感光基が向くためには感光基が自由に動き回れる必要があるものの、PVCnでは感光基はポリマー中だけにあるので、感光基はポリマーの主鎖に束縛され、感光基の迅速な動きが妨げられるのでネットワークポリマーとなるのに長時間を要するものと考えられる。
【0010】
また、液晶との相互作用が弱く、液晶を均一に配向させることが困難で、細かいドメインが多数発生してしまうものであった。
また、誘電率が低く、液晶に十分な電圧を印加するためには、配向膜をできるだけ薄くしなければならず、製造工程に高い精度が要求され、歩留りの向上を妨げるものであった。
【0011】
本発明は前記課題を解決するためになされたもので、製造過程で発塵や静電気の発生を防止すると共に、短時間でかつ製造コストを低減しつつ、十分なプレチルト角を有する配向膜、その配向膜を備えた液晶表示素子、または配向膜の製造方法を提供するものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示素子用配向膜は、ポリビニルシンナマートに、下記化学式を有する6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物が添加されてなる高分子化合物材料からなることを特徴とするものである。
【化7】
化学式中、nは1〜20の整数、XはH又はアルキル基、YはH、CN、F、Cl、Br、I又はアルキル基から選択されるいずれかを示す。
【0013】
この際、高分子化合物材料中の6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物の含有量が10wt%以上85wt%以下であることが好ましい。
【0014】
さらには、高分子化合物材料中の6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物の含有量が20wt%以上75wt%以下であることが好ましい。
【0015】
本発明の液晶表示素子は、ポリビニルシンナマートに、下記化学式を有する6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物が添加されてなる高分子化合物材料からなる配向膜を備えたことを特徴とするものである。
【化8】
化学式中、nは1〜20の整数、XはH又はアルキル基、YはH、CN、F、Cl、Br、I又はアルキル基から選択されるいずれかを示す。
【0016】
この際、配向膜を構成する高分子化合物材料中の6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物の含有量が、10wt%以上85wt%以下であることが好ましい。
【0017】
さらには、配向膜を構成する高分子化合物材料中の6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物の含有量が20wt%以上75wt%以下であるとより好ましい。
【0018】
本発明の配向膜の製造方法は、ポリビニルシンナマートと、下記化学式を有する6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物を含有した溶液を基板上に塗布して成膜した後に、偏光紫外線を照射して膜の表面に異方性を付与することを特徴とするものである。
【化9】
化学式中、nは1〜20の整数、XはH又はアルキル基、YはH、CN、F、Cl、Br、I又はアルキル基から選択されるいずれかを示す。
【0019】
請求項8記載の配向膜の製造方法は、ポリビニルシンナマートと、下記化学式を有する6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物を含有した溶液を基板上に塗布して高分子化合物膜を成膜する工程と、
長辺部と短辺部からなる凸部が任意の方向に沿って繰り返して形成された圧接面を有した転写型を前記高分子化合物膜に圧接し、高分子化合物膜の表面に、長辺部と短辺部からなる凸部を第1の方向に沿って繰り返して形成する工程と、
前記第1の方向にほぼ直交する方向に偏光された紫外線を高分子化合物膜に照射する工程とを有することを特徴とするものである。
【化10】
化学式中、nは1〜20の整数、XはH又はアルキル基、YはH、CN、F、Cl、Br、I又はアルキル基から選択されるいずれかを示す。
【0020】
請求項9記載の配向膜の製造方法は、ポリビニルシンナマートと、下記化学式を有する6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物を含有した溶液を基板上に塗布して高分子化合物膜を成膜する工程と、
長辺部と短辺部からなる凸部が任意の方向に沿って繰り返して形成されてなる尾根状凹凸列と、該尾根状凹凸列よりも高さが低く、尾根状凹凸列と同方向に沿って形成される谷状凹凸列とが、隣り合って交互に形成され、前記任意の方向に沿って形成されている凹凸の繰返し単位長よりも短い繰返し単位長の凹凸が、前記任意の方向とほぼ直交する方向に沿って形成されている圧接面を有した転写型を前記高分子化合物膜の表面に圧接し、高分子化合物膜の表面に、第1の方向に沿って形成される繰返し単位長の長い凹凸列と、該第1の方向とほぼ直交する第2の方向に沿った、前記第1の方向に沿った凹凸列の繰返し単位長よりも短い繰返し単位長の凹凸列とを形成する工程と、
前記第2の方向に沿って偏光された紫外線を高分子化合物膜に照射する工程とを有することを特徴とする配向膜の製造方法。
【化11】
化学式中、nは1〜20の整数、XはH又はアルキル基、YはH、CN、F、Cl、Br、I又はアルキル基から選択されるいずれかを示す。
【0021】
【作用】
本発明では、配向膜として、ポリビニルシンナメートに、6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物が添加された高分子化合物材料が使用される。
ポリビニルシンナメートは、下記化学式▲1▼で示され、6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物は化学式▲2▼で示される。
【0022】
【化12】
ここで、mは任意の整数であり、Zは−N(CH3)2、−OCH3、−NO2、
−CN、FやCl等のハロゲンである。
【化13】
ここで、nは任意の整数であるが、1以上20以下であることが望ましい。さらには、3以上12以下であればより好ましい。nが20よりも大きいと、硬化しにくくなり、かつ、液晶の配向性が得られにくくなり、好ましくない。
また、Xは−H若しくはメチル基等のアルキル基であり、Yは−H、−CN、ハロゲン、アルキル基等である。中でも、シアノ基が好ましい。
【0023】
また、高分子化合物中における6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物の含有量は10wt%以上85wt%以下であることが好ましい。さらに、20wt%以上75wt%以下であればより好ましい。
6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物の含有量が、10wt%よりも少ないと、増感作用が不十分となり、十分な配向処理に長時間を要するようになり、また含有量が85wt%より多いと、モノマーどうしの重合が進んでしまい、配向膜としての液晶の配向規制力が低下するからである。
【0024】
本発明での高分子化合物材料であると、ポリビニルシンナマートのポリマー中に、その主鎖に束縛されない偏光紫外線架橋化合物である6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物のモノマーが存在している構成となり、感光基が比較的自由に動き回れるようになっている。本発明での高分子化合物材料であると、ポリビニルシンナマートのみと比較して感光性が約1.5倍となる。したがって、短時間の偏光紫外線の照射で十分な配向処理を施すことが可能となる。よって、製造時間の短縮を図れ、生産コストを低減することができる。即ち、ポリビニルシンナマートのみからなる高分子樹脂と比較して、紫外線の照射時間を約2/3とすることができる。換言すれば、ある程度の照射時間を要すれば、従来からのものと比較して液晶の配向規制力を大きくすることができ、二色比を高められる。
また、本発明での配向膜は液晶との相互作用が強く、液晶を均一に配向させることができ、ドメインの発生を抑制することができる。
また、誘電率が低くなく、液晶に十分な電圧を印加するにも、配向膜の薄膜化の要件が緩和され、製造工程に高い精度が要求されず、歩留りを向上させることができる。
【0025】
また、偏光紫外線を照射するだけで配向処理を施すことができるので、ラビング処理などと異なり、非接触式とすることができ、静電気の発生や不純物の混入などを防止することができる。
【0026】
尚、偏光紫外線を照射するだけでなく、転写型を押圧する転写法を併用することもできる。この転写法の併用であると、接触式にはなるものの、より確実に配向処理を施すことができ、二色比を向上させることができる。
また、本発明での特定の高分子材料を配向膜に用いることにより、外力や熱が加えられても十分なプレチルト角を保つことができ、ドメインの発生を抑制することができる。
【0027】
この転写法との併用の場合、照射する偏光紫外線の偏光方向は、先に転写型によって形成した凸部が繰り返される方向である第1の方向にほぼ直交する方向であることが必要である。
【0028】
【実施例】
本発明の配向膜ないしその製造方法は、配向膜を有する種々の液晶表示素子に適用され得る。
液晶表示素子の一例を図1に示す。図示したこのカラー液晶表示素子10は、対向配置された一対の基板12,14と、それらの間に封入された液晶16と、一方の基板12に形成された液晶駆動素子18と、その液晶駆動素子18に接続された透明電極(画素電極)20(20a,20b,20c)と、その透明電極20に対向して他方の基板14に形成された対向電極22と、液晶16を挾持する配向膜24,24と、一対の各基板12,14に形成された偏光フィルタ(下部偏光フィルタ26,上部偏光フィルタ28)と、基板14に形成されたカラーフィルタ30(30r,30g,30b)とを具備して概略構成されている。
【0029】
基板12,14としては、一般の液晶表示素子に用いられるものが適用でき、ガラス基板の他、セラミック製など種々のものが適用できる。また、その形状も製品とされる液晶表示素子に対応するものが用いられ、平面長方形状のものなど任意の形状のものが使用される。
液晶16は、電圧の印加によって分子の配向状態を変えるもので、例えば、この図1で一例として表示したTN方式の液晶であっては、電圧の印加されていないときには90゜ねじれていた分子の列が、電圧を印加することによって、直立し、ねじれが解消するようになるものである。尚、図1には示していないが、両配向膜24,24の間には、微粒子などからなるスペーサが介在し、そのスペーサによって、液晶の封入される間隙が所定の間隔に保たれる。
【0030】
液晶駆動素子18には、薄膜トランジスタ(TFT)などが適用され、駆動信号によって、液晶に印加される電圧を制御するものである。
透明電極20は、他方の基板14に形成される対向電極22と対となり、液晶駆動素子18からの電圧を液晶16に印加するもので、一般に、ITO膜(酸化インジウム膜)などが適用される。
尚、液晶駆動素子18及び透明電極20(20a,20b,20c)は各画素ごとに設けられるものであるが、対向電極22は、一般に、各画素に共通な共通電極として構成される。
【0031】
配向膜24は、液晶16を所定の方向に配列させるもので、本実施例では、ポリビニルシンナマートに、上記化学式▲2▼を満たす6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物が添加されてなる高分子化合物材料からなる。
【0032】
偏光フィルタ26,28は、直線偏光を出射する機能を有するフィルムであり、図示した液晶表示素子10においては、各基板12,14に形成される下部フィルタ26と上部フィルタ28とでは、その偏光方向が相対的に90゜異なるように設ける。
カラーフィルタ30は、カラー液晶表示素子において用いられるもので、通常、各画素毎に、赤色、緑色、青色の3色のカラーフィルタが用いられて一組となっている。カラー液晶表示素子においては、これら3色の組合せにより、多種の色彩を表現するようにしている。
【0033】
図1に示すカラー液晶表示素子おいては、まず、偏光フィルタ26の下方からバックライトとして光線が下部偏光フィルタ26を通り抜ける。この際、図1の横方向に偏光された光線のみが下部偏光フィルタ26を透過する。
図1に示す例においては、液晶駆動素子18,18,・・・の制御によって、透明電極20aと透明電極20bには電流が流されず、透明電極20c上にある液晶のみに電圧が印加されるようになっている。
【0034】
この状態であると、下部偏光フィルタ26を透過し、ガラス基板12と配向膜24を透過した偏光線は、透明電極20a,20b上のねじれた液晶分子に沿った偏光線のみが、その偏光方向が変換されて上部偏光フィルタ28を透過するようになる。
この際、各透明電極20a,20b,20cに対向するように、赤色のみを透過するカラーフィルタ30r、緑色のみを透過するカラーフィルタ30g、青色のみを透過するカラーフィルタ30bを設けておくことにより、上部偏光フィルタ28の上方には、青色の光線が透過せず、赤色の光線と緑色の光線のみが透過し、結果として、黄色の表示がされるようになる。
【0035】
本実施例での配向膜は、ポリビニルシンナマートと、6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物を含有した溶液を透明電極20を備えた基板12上に塗布して成膜した後に、所定方向に偏光した偏光紫外線を照射して膜の表面に異方性を付与することで製造される。
尚、偏光紫外線を照射する前に、偏光されていない等方紫外線を照射しておくと、反応部位である感光基相互間の距離が短くなり、反応をより促進することができる。
【0036】
本発明での配向膜に用いる高分子化合物材料の基板上への塗布は、特に限定されるものではないが、スピンコート、スクリーン印刷法あるいはオフセット印刷法などが適用される。
また、溶媒を除去するなど必要に応じてベーキング処理により乾燥させて高分子化合物膜を形成する。
この際、この高分子化合物膜に対しては、さらに必要に応じてプリベーキングとベーキングを施しても良い。プリベーキングとベーキングを行うには、例えば、基板を80℃で30秒間程度加熱した後に、180℃程度で1時間加熱することで行うことができる。更に、基板を80℃程度に予備加熱した後に、スクリーン印刷法を施し、溶液を塗布し、その後にベーキングしても良い。
【0037】
なお、スクリーン印刷法により溶液を塗布する場合は、基板上に設置したスクリーンを介して印刷ステージを基板の長手方向、短手方向あるいは斜め方向などに向けて所定の速度、例えば10cm/秒の速度で移動させて行うことができる。
その本願発明独自の高分子化合物を塗布してなる高分子化合物膜の厚さは、0.1μm程度が好適である。
【0038】
また、偏光紫外線の照射に加えて転写型を膜の表面に押圧する転写法を併用することもできる。
転写法との併用の場合、照射する偏光紫外線の偏光方向は、先に転写型によって形成した凸部が繰り返される方向である第1の方向にほぼ直交する方向であることが必要である。
すなわち、配向膜の形状の一例を示す図2を参照すれば、長辺部32と短辺部34を有する断面が略三角形状の凸部36,36,・・・が繰り返して形成される第1の方向に対して、ほぼ直交する第2の方向に沿った偏光方向を有する紫外線を照射する。
【0039】
また、転写型によって形成する配向膜の表面が、図3に示すように、長辺部32’と短辺部34’からなる凸部36’が第1の方向に沿って繰り返して形成されてなる尾根状凹凸列38と、尾根状凹凸列38よりも高さが低く、尾根状凹凸列38と同方向に沿って形成される谷状凹凸列40とが、隣り合って交互に形成され、第1の方向に沿って形成される繰返し単位長Uの長い凹凸列と、第1の方向とほぼ直交する第2の方向に沿った、第1の方向に沿った凹凸列の繰返し単位長Uよりも短い繰返し単位長U’の凹凸列とを有する形状である場合には、第2の方向に沿って偏光された紫外線を照射する。
【0040】
この第1の方向に沿う凹凸の繰返し単位長Uは50μm以下、第2の方向に沿う繰返し単位長U’は3μm以下とすることが好ましい。繰返し単位長Uを20μm以下、繰返し単位長U’を1.2μm以下とするとより好ましい。
さらにまた、図4に示すように、長辺部32の稜線の傾斜角度θは、1゜以上とすることが望まれる。
【0041】
また、この第1の方向に沿う凹凸の各凸部36は、図4に示すように、左右が非対称の略三角形状のものが望ましい。即ち、凸部36の頂点から降ろした垂線によって分割された頂角の左右の角度の比r2/r1が1とならない形状とされている。凸部36の形状としては、sin波に類似した形状、櫛形、三角形状等、各種の形状が考えられる。三角形状の場合、頂部は丸まっていても、平らにカットされた形状でも良い。凸部36を三角形状にした場合、三角形の頂点から降ろした垂線によって分割された頂角の左右の角度の比r2/r1は1.2以上とすることが望まれる。
【0042】
転写法においては、例えば図5に示すような製造装置が適用できる。
この図5に示す製造装置42は、基板12の保持機構としての台座46と、この台座46の上方に上下自在に設けられた転写機構としての上プレート44と、紫外線照射機構48を具備して概略構成される。
台座46は、基板12を設置するためのものであり、この台座44上に設置される基板12の上面には凹凸部が形成される以前の平滑な高分子化合物膜24’が形成されている。
【0043】
転写機構である上プレート44は、図示略の移動機構により上下に移動して高分子化合物膜24’に圧力をかけるものであり、その下面には凹部50が形成され、この凹部50内に転写型52が取り付けられている。尚、転写型52の下面には、配向膜24の上面に形成すべき凹凸模様の形成された凹凸模様が形成されている。
また、凹部50の周辺部には、突起状のストッパ54が形成されていて、このストッパ54が台座46の上面に当接することで、上プレート44の下降が停止するようなっている。したがって、上プレート44のストッパ54が台座46の上面に当接すると、上プレート44の下降は止まり、転写型52の高分子化合物膜24’に対する進入は停止されて、規定の深さの凹凸模様が高分子化合物膜24’の上面に形成される。
また、偏光紫外線照射機構48は、紫外線を発光する紫外線光源56と、その紫外線光源56から照射された紫外線を偏光する偏光子58を具備し、高分子化合物膜24’に偏光された紫外線を照射する。
【0044】
この製造装置42を用いて配向膜を製造するには、まず、上記本発明独自の化合物からなる高分子化合物膜24’を形成した基板12を台座46上に設置する。次いで、上プレート44を下降させる。すると、高分子化合物膜24’の上面に転写型52が押し付けられるので転写型52の下面の凹凸模様が、高分子化合物膜24’の上面に転写されて図2,3に示すような凹凸模様の形成された配向膜24が得られる。
この後、高分子化合物膜に形成された凹凸模様の第2の方向に偏光した偏光紫外線を偏光紫外線照射機構48によって照射し、硬化させる。
【0045】
〔6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=アクリラートの調製〕
配向膜を構成する高分子化合物材料に添加される6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=アクリラート(上記化学式▲2▼において、n=6、X=−H、Y=−CN)の調製例を示す。
まず、冷却管と攪拌機を備えた三つ口フラスコ(1L)に、ジメチルホルムアミドを500ml、4−ヒドロキシ−4’−シアノビフェニルを19.6g、(0.10mol)、炭酸カリウムの41.4g(0.30mol)を容れ、室温で攪拌した。
そして、6−クロム−1−ヘキサノールを16.4g(0.12mol)添加し、100℃で激しく攪拌した。
10時間反応させた後、この溶液を2lの水に加え、酢酸エチル1.5Lで抽出した。
続いて、その有機層を3Nの塩酸で3回、2Nの水酸化ナトリウム水溶液で3回、さらに水で洗浄した。
得られた酢酸エチル層を無水硫酸ナトリウム水溶液で乾燥し、溶媒を減圧下留去して得られた結晶を酢酸エチルで2回再結晶して6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキサノールを18.3g(0.062mol)得た。
その融点(C−S点)は、91.3〜92.5℃であった。
ここまでの反応は、下記化学反応式▲3▼で表わされる。但し、Yをシアノ基とする。
【化14】
【0046】
続いて、攪拌機を備えた500mlの三つ口フラスコにテトラヒドロフラン(THF)を300ml容れ、さらに、上記調製した6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキサノールを14.8g(0.050mol)と、トリエチルアミンの8.4mlを加えて0℃で攪拌した。
これに、アクリル酸クロライドの5.43g(0.060mol)をTHF30mlに溶かした溶液を30分間で滴下し、このまま6時間反応を行った。
この反応は、化学式▲4▼で表わされる。但し、Xは水素である。
【化15】
【0047】
反応終了後、この溶液を1Lの水に加え、酢酸エチル1.5Lで抽出した。続いて、有機層を3N塩酸で3回、飽和重曹水で3回、さらに水で洗浄した。得られた酢酸エチル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して得られた結晶を少量の酢酸エチルに溶かし、シリカゲルカラム(n−ヘプタン/酢酸エチル)で精製した。
得られた結晶をn−ヘプタン/酢酸エチルで再結晶して6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=アクリラートを10.5g(0.030mol)得た。
この化合物の融点は70.4〜72.2℃であった。
【0048】
〔6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=メタアクリラートの調製〕
配向膜を構成する高分子化合物材料に添加される6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=メタアクリラート(上記化学式▲2▼において。n=6、X=−CH3、Y=−CN)の調製例を示す。
上記6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=アクリラートの調製において、アクリル酸クロライドの代りに、メタクリル酸クロライドを6.27g(0.060mol)用いたこと以外は、上記調製と同様にして6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=メタアクリラートを12.3g(0.034mol)得た。この化合物の融点は、74.1〜75.9℃であった。
【0049】
〔試験例1〕
溶媒であるγ−ブチロラクトンに、ポリビニルシンナマートを3wt%と、上記調製した6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=アクリラートを20wt%添加した。
そして、この溶液を表面を洗浄したITOの電極の形成されたガラス基板上にオフセット印刷にて均一に塗布し、80℃で1分間、その後、180℃で1時間加熱し、溶媒を気化させて乾燥させ、高分子化合物からなる膜を成膜した。
次に、この基板の膜に、波長が310nmの偏光紫外線(5mW)を10分間照射し、配向膜の形成された基板を作製した。尚、紫外線の照射にあたって、偏光プリズムとしては消光比が10−5、照射のエネルギ密度は1.5J/cm2とし、基板は80℃に加熱しておいた。
この工程によって作製した2枚の基板をスペーサを介して対向して組み合わせ、その間に液晶(メルク(株)製「K−15」)を注入した。尚、基板の間隔は10μmとした。
再び、熱処理を施して、液晶表示素子を作製した。
この液晶表示素子において、ITOに電圧を印加して、液晶の配向状態を観測した。
その結果、ドメインの殆どない均一な配向が得られていた。
【0050】
〔試験例2〕
上記試験例1において、6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=アクリラートの代りに、6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=メタアクリラートを使用して、同様に、液晶表示素子の試験サンプルを作製し、配向状態を観測した。
その結果、ドメインの殆どない均一な配向が得られていた。
【0051】
〔試験例3〕
溶媒であるγ−ブチロラクトンに、ポリビニルシンナマートを3wt%と、調製したモノマーである6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=アクリラートを添加した。
そして、試験例1と同様に、表面を洗浄したITOの電極の形成されたガラス基板上に、この溶液をオフセット印刷にて均一に塗布し、80℃で1分間、その後、180℃で1時間加熱し、溶媒を気化させて乾燥させ、高分子化合物からなる膜を成膜した。
次に、この基板の膜に、波長が310nmの偏光紫外線(5mW)を10分間照射し、配向膜の形成された基板を作製した。尚、紫外線の照射にあたって、偏光プリズムとしては消光比が10−5、照射のエネルギ密度は1.5J/cm2とし、基板は80℃に加熱しておいた。
【0052】
この工程によって作製した2枚の基板をスペーサを介して対向して組合わせ、その間に二色性色素(三菱化成(株)製:LSB−278)を1重量%添加した液晶(メルク(株)製「K−15」)を注入した。尚、基板の間隔は10μmとした。
再び、熱処理を施して、液晶表示素子を作製した。
この液晶表示素子において、偏光板をセルの片側に配置し、セルを回転させ透過率を測定し、二色比を試験した。
結果を図6中に●で示す。図6から、モノマーの添加量が20〜75wt%であると二色比は10以上であることがわかる。したがって、モノマーの添加量が20〜75wt%の範囲内であると、二色比が高く、十分に液晶分子が配向していることがわかる。
尚、6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=アクリラートを添加せず、ポリビニルシンナマートのみで同様に配向膜を作製したものであると、二色比は最高でも5でコントラストの小さいものであった。
【0053】
〔試験例4〕
上記試験例3において、6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=アクリラートの代りに、6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=メタアクリラートを使用して、同様に、液晶表示素子の試験サンプルを作製し、二色比を測定した。
結果を図6中に○で示す。図6から、モノマーの添加量が10〜85wt%であれば二色比が9以上であり、添加量が20〜75wt%であると二色比は10以上であることがわかる。したがって、モノマーの添加量が10〜85wt%の範囲内であると、二色比が高く、十分に液晶分子が配向していることがわかる。
【0054】
【発明の効果】
本発明の配向膜は、ポリビニルシンナマートに、6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物が添加されてなる特殊な高分子化合物材料を使用するもので、感光性が高く、短時間の偏光紫外線の照射で十分な配向処理を施すことが可能となる。よって、製造時間の短縮を図れ、生産コストを低減することができる。換言すれば、ある程度の照射時間を要すれば、従来からのものと比較して液晶の配向規制力を大きくすることができ、二色比を高められる。
また、本発明での配向膜は液晶との相互作用が強く、液晶を均一に配向させることができ、ドメインの発生を抑制することができる。
また、誘電率が低くなく、液晶に十分な電圧を印加するにも、配向膜の薄膜化の要件が緩和され、製造工程に高い精度が要求されず、歩留りを向上させることができる。
【0055】
また、偏光紫外線を照射するだけで配向処理を施すことができるので、ラビング処理などと異なり、非接触式とすることができ、静電気の発生や不純物の混入などを防止することができる。
【0056】
この際、高分子化合物中における6−(4’−シアノビフェニル)オキシヘキシル=アクリラートの含有量は10wt%以上85wt%以下、さらには、20wt%以上75wt%以下であればより好ましい。
【0057】
また、本発明の配向膜を備えた液晶表示素子であると、配向膜の製造工程を短縮することができ、また二色比の高いコントラストの改善されたものとなる。
また、液晶を均一に配向させることができるので、ドメインの発生を抑制できる。
また、製造が容易であるので、歩留りを向上させることができる。
【0058】
また、本発明の配向膜の製造方法であると、偏光紫外線を照射するだけで配向処理を施すことができるので、ラビング処理などと異なり、非接触式とすることができ、静電気の発生や不純物の混入などを防止でき、生産性が向上する。
【0059】
また、偏光紫外線の照射に加えて、転写型による凹凸の形成を伴うこともできるので、より確実に配向処理を施すことができ、二色比を向上させることができる。
また、本発明での特定の高分子材料を配向膜に用いることにより、外力や熱が加えられても十分なプレチルト角を保つことができ、ドメインの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】液晶表示素子の一例を示す斜視図である。
【図2】本発明の配向膜の一例を示す斜視図である。
【図3】本発明の配向膜の一例を示す斜視図である。
【図4】凹凸列の部分側面図である。
【図5】配向膜製造装置の一例を示す側面図である。
【図6】モノマーの添加量と二色比の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
10 液晶表示素子
12 基板
14 基板
16 液晶
20 透明電極
24 配向膜
32 長辺部
34 短辺部
36 凸部
52 転写型
Claims (9)
- 高分子化合物材料中の6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物の含有量が10wt%以上85wt%以下であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子用配向膜。
- 高分子化合物材料中の6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物の含有量が20wt%以上75wt%以下であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子用配向膜。
- 配向膜を構成する高分子化合物材料中の6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物の含有量が10wt%以上85wt%以下であることを特徴とする請求項4記載の液晶表示素子。
- 配向膜を構成する高分子化合物材料中の6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物の含有量が20wt%以上75wt%以下であることを特徴とする請求項4記載の液晶表示素子。
- ポリビニルシンナマートと、下記化学式を有する6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物を含有した溶液を基板上に塗布して高分子化合物膜を成膜する工程と、
長辺部と短辺部からなる凸部が任意の方向に沿って繰り返して形成された圧接面を有した転写型を前記高分子化合物膜に圧接し、高分子化合物膜の表面に、長辺部と短辺部からなる凸部を第1の方向に沿って繰り返して形成する工程と、
前記第1の方向にほぼ直交する方向に偏光された紫外線を高分子化合物膜に照射する工程とを有することを特徴とする配向膜の製造方法。
- ポリビニルシンナマートと、下記化学式を有する6−ビフェニルオキシアルキルアクリラート化合物を含有した溶液を基板上に塗布して高分子化合物膜を成膜する工程と、
長辺部と短辺部からなる凸部が任意の方向に沿って繰り返して形成されてなる尾根状凹凸列と、該尾根状凹凸列よりも高さが低く、尾根状凹凸列と同方向に沿って形成される谷状凹凸列とが、隣り合って交互に形成され、前記任意の方向に沿って形成されている凹凸の繰返し単位長よりも短い繰返し単位長の凹凸が、前記任意の方向とほぼ直交する方向に沿って形成されている圧接面を有した転写型を前記高分子化合物膜の表面に圧接し、高分子化合物膜の表面に、第1の方向に沿って形成される繰返し単位長の長い凹凸列と、該第1の方向とほぼ直交する第2の方向に沿った、前記第1の方向に沿った凹凸列の繰返し単位長よりも短い繰返し単位長の凹凸列とを形成する工程と、
前記第2の方向に沿って偏光された紫外線を高分子化合物膜に照射する工程とを有することを特徴とする配向膜の製造方法。
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