JP3592487B2 - 指紋認識集積回路 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、指紋認識集積回路に係り、特に、指紋の凹凸を感知するセンサを集積回路上に複数敷き詰めた指紋センサとして用いられる指紋認識集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図9は、従来の指紋認識システムの構成を示す。
従来の指紋認識を行う指紋認識システムは、指紋を採取する指紋読み取り装置10、読み取った指紋をデータベース30内の指紋データと照合する外部認証装置20、認識結果に基づいて処理を行う処理装置40から構成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の指紋認識システムにおける構成は、システム全体が大きなものになってしまい、任意の場所に応用することは不可能である。
また、それぞれの装置が分離しているため、これらの装置間でのデータ転送時に情報を改ざんし、不正な認識を行うことが可能となってしまうという問題がある。
【0004】
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、指紋認識システムを集積回路チップ上に構成でき、非常に小さい指紋認識システムを構成することが可能な指紋認識集積回路を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
図1は、本発明の原理構成図である。
本発明の指紋認識集積回路100は、指紋による凹凸を電気信号に変換するセンサ回路を複数敷き詰め、指を接触させることにより該指の指紋を電気信号として検出するセンサ手段110を、予め指紋データを登録するメモリ回路から構成される指紋記憶手段120、または、該センサ手段110から送出された電気信号と、指紋記憶手段120内の指紋データとの照合を行う指紋認識手段10上に形成し、センサ手段110内の個々の前記センサ回路に、指紋記憶手段120及び指紋認識手段130の組を備え、該組を複数配置し、組は、組毎に認識を行い、認識結果を集計装置に送る手段を有し、集計装置は、全体の認識結果を集計する手段を有する。
【0007】
また、本発明の指紋認識集積回路100のセンサ手段110は、接触面を有し、該接触面の凹凸を静電容量に変換する素子を含む。
また、本発明の指紋認識集積回路100のセンサ手段110は、発光回路及び指の皮膚で反射した該発光回路からの光を受ける受光回路を含む。
また、本発明の指紋認識集積回路100のセンサ手段110は、2つの金属面と、該金属面の間に充填された緩衝剤とから構成され、指紋の凹凸による緩衝剤の収縮に基づいて、金属面間の静電容量変化に変換する。
【0008】
また、本発明の指紋認識集積回路100のセンサ手段110は、2つの金属面と、該金属面間に充填された緩衝剤とから構成され、
指紋の凹凸に基づいて、緩衝剤の空洞部分を介して、上層金属面と下層金属面とが接触することにより、2つの金属面が等電位になるように構成する。
また、本発明の指紋認識集積回路100は、センサ手段110と、指紋認識手段とを配線により結線し、センサ手段110と、指紋認識手段との間の配線が、半導体集積回路100の基板上に層間膜を挟んで配置する。
【0009】
上記のように、本発明は、指紋の凹凸を感知するセンサ(センサ手段110)を集積回路100上に複数敷き詰め、指紋センサとして用いる。また、このセンサが採取した指紋を同じ集積回路に混載した指紋認識手段で認識し、予め登録しておいた、指紋との照合を高速に行う。これにより、従来より大幅に小さい指紋認識システムを構築でき、ICカード等の指紋認識による認証を取り入れることが可能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】
図2は、本発明の指紋認識集積回路の基本構成を示す。
同図に示す構成は、指紋を採取するセンサ装置110を集積回路チップ上に形成し、読み取ったデータを認識する認識装置130、認識する指紋の見本となる指紋メモリ120を同じチップ上に形成するものである。
【0011】
また、センサ装置110は、大きさ数μmのセンサ回路111を複数並べたものであり、認識装置130は、通常の論理回路で構成された認識を行う回路である。
この構成では、指紋認識システムを集積回路チップ上に構成でき、非常に小さい指紋認識システムが実現可能となる。このため、ICカードのような小さく薄いもの等、任意の場所に指紋認識システムを組み込むことが可能となる。
【0012】
さらに、センサ装置110や認識装置130等が一つの集積回路チップ上にあるため、これらの装置間のデータ転送時にデータの改ざんが不可能になり、不正な認識を防ぐことが可能となる。
【0013】
【実施例】
以下、図面と共に本発明の実施例を説明する。
[第1の実施例]
図3は、本発明の第1の実施例のセンサ回路の構成を示す。
同図に示す構成は、接触面301、層間膜302、配線層303、及び基板304から構成される。
【0014】
同図に示すセンサ回路111は、接触面301の静電容量を測定し、接触面が触れている部分の指紋の凹凸を検知するものである。集積回路の基板304上に層間膜等挟み、センサ回路111と認識装置130の容量を測定する。
この構成は非常に単純であり、微細化が可能なため、読み込む指紋データの解像度を向上させることが可能である。
【0015】
[第2の実施例]
図4は、本発明の第2の実施例のセンサ回路の構成を示す。
同図に示す構成は、層間膜302、配線層303、基板304、発光回路305、受光回路306及び、透明保護膜307から構成される。
同図に示すセンサ回路111は、発光回路305が発し、指の皮膚に反射して、当該センサ回路111に戻ってきた光を受光回路306が受光し、その光の強度でセンサ回路111の上部の指紋の凹凸を検知するものである。集積回路の基板304上に層間膜302を挟み、センサ回路111と認識装置130間を結ぶ配線が通る2つの配線層303が形成され、この配線を用いて、認識回路130は、発光回路305の発光の制御や、各受光回路306の受光強度の測定を行う。発光回路305と受光回路306は、透明な保護膜で覆われる。発光回路305が発する光は、透明保護膜307を透過し、指に反射し、再び透明保護膜307を透過して受光回路に届く。
【0016】
この構成は、センサ回路111に対し、非接触であり、測定時にセンサ回路111の形状を変化させる必要もないため、信頼性の高いセンサ装置110を構成することが可能となる。
[第3の実施例]
図5は、本発明の第3の実施例のセンサ回路の構成を示す。
【0017】
同図に示すセンサ回路111は、層間膜302、配線層303、基板304、パッド308、保護膜309、上層金属310、及び緩衝剤311から構成される。
同図に示すセンサ回路111は、金属パッド308と上層金属310の2つの金属面を柔軟な緩衝剤311で挟んだものであり、指紋の凸部が触れると、その圧力により、緩衝剤311が収縮し、金属間の距離が変化し、このとき変化するパッド308の容量を測定し、センサ回路111上に触れている部分の指紋の凹凸を検知するものである。集積回路の基板上に層間膜302等を挟みセンサ回路111と認識装置130を結ぶ配線が通る配線層303が形成され、この配線を用いて、認識回路130は、各センサ回路111の容量を測定する。また、上層金属の表面は保護膜309で保護する。
【0018】
この構成は、非常に単純であり、微細化が可能なため、読み込む指紋データの解像度を向上させることが可能である。
また、保護膜309で保護することが可能なために金属等に直接触れるとがなく、センサ回路111の劣化を防ぐことが可能である。
さらに、保護膜309は不透明でよく、保護膜上への印刷等も可能である。
【0019】
[第4の実施例]
図6は、本発明の第4の実施例のセンサ回路の構成を示す。
同図に示す構成は、基本的には、図5に示す第3の実施例と同様の構成であるが、金属パッド308と上層金属310との2つの金属面をパッド308上は空洞312になるように、柔軟な緩衝剤で挟んだもので、指紋の凸部が触れると、その圧力により緩衝剤が収縮し、適当な電位の与えられた上層金属310が金属パット308に接触し、このとき変化するパット308の電位を測定したセンサ回路111上に触れている部分の指紋の凹凸を検知するものである。
集積回路の基板304上に層間膜302等を挟み、センサ回路111と認識装置130とを結ぶ配線が通る配線層303が形成され、この配線を用いて認識回路130は各センサ回路111の電位を測定する。また、上層金属310の表面は保護膜309で保護する。
【0020】
この構成は、非常に単純であり、微細化が可能なために読み込む指紋データの解像度を向上させることが可能である。
また、保護膜で保護することが可能であるため金属等に直接触れることがなく、センサ回路111の劣化を防ぐことができる。さらに、保護膜309は不透明でよく、保護膜309への印刷等も可能である。
【0021】
[第5の実施例]
図7は、本発明の第5の実施例の指紋認識集積回路100の構成を示す。
同図に示す指紋認識集積回路100は、図2の基本構成に対して、センサ装置110を認識装置130や指紋メモリ120等の論理回路部分の上に形成するものである。
【0022】
はじめに、集積回路の基板304上に通常の論理回路プロセスで認識装置130や指紋メモリ120の回路を形成する。この後、当該集積回路上に、センサ装置110を形成することで、この構成を実現することができる。
この構成にすることによって、指紋認識集積回路100のチップサイズを小さくすることが可能となり、センサ回路110から認識装置130への配線も短縮できるため、この指紋認識集積回路100の消費電力を削減することが可能となる。また、認識装置130にセンサ装置110と同程度の面積が許されるため、認識装置130により、複雑で大規模な回路を用いることが可能となり、認識精度や認識速度の向上が可能となる。
【0023】
[第6の実施例]
図8は、本発明の第6の実施例の指紋認識集積回路100の構成を示す。
同図(A)は、図3の指紋認識集積回路100に対し、センサ装置110内のセンサ回路個々または、数個毎に認識回路130や指紋データを保持する指紋メモリ120の組を1つの画素に設定するものである。
【0024】
同図(B)は、前述の第5の実施例と同様に、基板304上に設けられた論理回路装置の上層のセンサ層に認識回路130を設け、さらに当該論理回路装置の上層のセンサ層にセンサ装置110を搭載し、1つの画素に設定するものである。
センサ装置110と認識回路130と指紋メモリ120の組を画素と呼び、認識は画素毎あるいは、周囲の画素との協力によって行われる。認識結果は集計装置に送られ、全体の認識結果が集計される。
【0025】
この構成では、最終集計以前の処理は、各画素単位で行われるため、並列処理が可能となり、全体の認識処理時間を短縮することが可能である。
また、画素の数を変えることで、容易に読み取り部の面積を変更したり、読み取りの解像度を変更したりすることが可能である。
また、同図(B)に示すように、前述の第5の実施例と同様にセンサ装置110と認識装置130等の論理回路を重ねることにより、面積や消費電力を削減することが可能となる。
【0026】
なお、本発明は、上記の実施例に限定されることなく、特許請求の範囲内で種々変更・応用が可能である。
【0027】
【発明の効果】
上述のように、本発明の指紋認識集積回路によれば、指紋を採取するセンサ装置を集積回路上に形成し、認識装置、指紋メモリを同じ集積回路上に形成することにより、指紋認識システムを集積回路上に構成でき、非常に小さい指紋認識システムを実現することができる。
【0028】
さらに、集積回路の基板上に層間膜等を挟みセンサ装置と認識装置とを挟む配線層を形成して、認識装置がセンサ装置の容量を測定することにより、単純な構成で微細化を可能とし、指紋データの解像度を向上させることが可能である。
さらに、発光回路が発光し、指の反射に対して受光回路での受光の強度で指紋の凹凸を検知することにより、センサ装置に対して指を直接接触させないため、センサ装置の形状を変化させる必要がなく、高信頼性のセンサ装置を構成することができる。
【0029】
また、センサ回路に金属パッドと上層金属の2つの金属面を緩衝剤で挟むことにより、指が触れると緩衝剤の収縮により金属間の距離が変化することにより、指の接触部分の指紋の凹凸を検知することが可能であり、微細化が可能であるため、指紋データの解像度を向上させることができると共に、保護膜で保護することで、金属等に直接指が触れることがなく、センサ回路の劣化を防止できる。
【0030】
また、センサ回路に金属パッドと上層金属の2つの金属面の間が空洞となるように、緩衝剤で挟む構成とするとにより、指の接触時における緩衝剤の収縮による電位の変化を測定することにより、微細化が可能であり、指紋データの解像度を向上させることが可能である。
さらに、センサ装置を認識装置や指紋メモリ等の論理回路部分の上に構成することにより、指紋認識集積回路のサイズを小さくすることが可能であり、消費電力を削減することができる。また、サイズが小さくなることから、同程度の面積が許容されるセンサ装置では、認識装置において大規模な回路を用いることができ、認識精度や認識速度が向上する。
【0031】
さらに、センサ回路、認識回路、指紋メモリの組を1つの画素とすることにより、並列処理が可能となり、全体の認識処理時間を短縮することができる。また、画素数を数えることにより、容易にセンサ回路の面積の変更、解像度の変更が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理構成図である。
【図2】本発明の指紋認識集積回路100の基本構成図である。
【図3】本発明の第1の実施例のセンサ回路の構成図である。
【図4】本発明の第2の実施例のセンサ回路の構成図である。
【図5】本発明の第3の実施例のセンサ回路の構成図である。
【図6】本発明の第4の実施例のセンサ回路の構成図である。
【図7】本発明の第5の実施例の指紋認識集積回路100の構成図である。
【図8】本発明の第6の実施例の指紋認識集積回路100の構成図である。
【図9】従来の指紋認識システムの構成図である。
【符号の説明】
100 指紋認識集積回路
110 センサ装置、センサ手段
111 センサ回路
120 指紋メモリ、指紋記憶手段
130 認識装置、認識回路、指紋認識手段
301 接触面
302 層間膜
303 配線層
304 基板
305 発光回路
306 受光回路
307 透明保護膜
308 パッド
309 保護膜
310 上層金属
311 緩衝剤
312 空洞
320 センサ層
321 論理回路層

Claims (6)

  1. 指紋による凹凸を電気信号に変換するセンサ回路を複数敷き詰め、指を接触させることにより該指の指紋を電気信号として検出するセンサ手段を、予め指紋データを登録するメモリ回路から構成される指紋記憶手段、または、該センサ手段から送出された前記電気信号と、前記指紋記憶手段内の指紋データとの照合を行う指紋認識手段上に形成し、
    前記センサ手段内の個々の前記センサ回路に、前記指紋記憶手段及び前記指紋認識手段の組を備え、該組を複数配置し、
    前記組は、組毎に認識を行い、認識結果を集計装置に送る手段を有し、
    前記集計装置は、全体の認識結果を集計する手段を有する
    ことを特徴とする指紋認識集積回路。
  2. 前記センサ手段は、
    接触面を有し、該接触面の凹凸を静電容量に変換する素子を含む請求項1記載の指紋認識集積回路。
  3. 前記センサ手段は、
    発光回路及び指の皮膚で反射した該発光回路からの光を受ける受光回路を含む請求項1記載の指紋認識集積回路。
  4. 前記センサ手段は、
    2つの金属面と、該金属面の間に充填された緩衝剤とから構成され、
    指紋の凹凸による緩衝剤の収縮に基づいて、前記金属面間の静電容量変化に変換する請求項1記載の指紋認識集積回路。
  5. 前記センサ手段は、
    2つの金属面と、該金属面間に充填された緩衝剤とから構成され、
    指紋の凹凸に基づいて、前記緩衝剤の空洞部分を介して、上層金属面と下層金属面とが接触することにより、2つの金属面が等電位になるように構成する請求項1記載の指紋認識集積回路。
  6. 前記センサ手段と、前記指紋認識手段とを配線により結線し、
    前記センサ手段と、前記指紋認識手段との間の前記配線が、半導体集積回路の基板上に層間膜を挟んで配置する請求項1乃至記載の指紋認識集積回路。
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