JP3589090B2 - 成膜方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気メッキや無電解メッキ、電気泳動被膜などのように、溶液中に存在するイオンなどの成分を析出させて成膜する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から溶液中に溶けているものを析出させて成膜する技術が存在しており、その代表的なものが金属イオンを析出させて金属膜を形成するメッキである。また、近年は、金属以外の物質を溶液から析出させて成膜する技術開発が開発され、種々の特性を有する膜が成膜できるようになってきている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の成膜用の液種は充分でなく、高品質の膜を得ようとした場合、スパッタリングや蒸着などのドライ成膜で得られる膜のような満足のいく特性を有するものが得られるに至っていない。これは、液を用いた成膜の場合、溶液に対して制御可能なパラメータが温度や電界などであって、少ないことによる。
【0004】
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、成膜用の液種を豊富にするとともに、成膜した膜の特性を向上させることを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る成膜方法は、溶液中に存在する成分を基材の表面に析出させて成膜する成膜方法において、前記溶液を脱ガスしたのち、前記成膜する膜の種類または成膜する膜の特性に応じて予め定めたガス種を前記溶液に溶解させつつ、または溶解させたのちに前記成分を析出させることを特徴としている。
【0006】
このように構成した本発明は、溶存酸素などを含まない液種を得ることができるとともに、成膜した膜中に酸素が取り込まれないため、例えば金属の膜の場合、導電率や延性、展性を向上することができる。すなわち、例えば電気メッキの場合、溶液であるメッキ液中には一般に空気が溶け込んでいる。このため、シアン化銅浴、硫酸銅浴などによって配線用の銅メッキを行なった場合、メッキ液中に溶存している酸素が成膜された銅の内部に取り込まれ、導電率が真空蒸着やスパッタリングなどによって得た銅皮膜に比較して大きく劣る。しかし、メッキ液を脱ガスすると、無酸素状態のメッキ液が得られるために成膜された銅皮膜中には酸素が存在せず、導電率が大きくなって電気的特性が向上するとともに、延性や展性が大きくなって機械的特性も向上する。
【0007】
また、本発明に係る成膜方法は、溶液中に存在する成分を基材の表面に析出させて成膜する成膜方法において、前記成膜する膜の種類または成膜する膜の特性に応じて予め定めたガス種を前記溶液に溶解させつつ、または溶解させたのちに前記成分を析出させることを特徴としている。
【0008】
一般に、溶液中には空気が溶け込んでおり、溶液中の成分を析出させて成膜した場合、溶液中に溶存している酸素や窒素が成膜した膜の中に取り込まれる。このため、溶液を用いて成膜した膜は、膜中に存在する酸素や窒素の影響を受けることになり、膜の性質、特性を望むように制御することが困難である。
【0009】
そこで、本発明は、溶液を一度脱ガスして溶存している酸素や窒素を除去したのち、所望のガスを溶解して成膜する。これにより、溶解させたガスが成膜した膜中に取り込まれるため、従来では得ることができない性質、特性を有する膜を成膜することができる。したがって、成膜するための液種を豊富にすることができる。
【0010】
溶解するガス種としては、例えばより還元度の高い膜を得ようとする場合、脱ガスした溶液中に水素を溶解するとよい。また、逆により酸化度の高い膜を必要とする場合、酸素を溶解する。なお、この発明においては、酸素には、その同位体であるオゾンを含む。このオゾンを溶解することにより、一層酸化度の高い膜が得られる。
【0011】
また、膜を形成する基材を回転させて成膜すると、成膜した膜の全体にわたって容易に厚さや特性を一様にすることができ、品質の優れた膜を得ることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明に係る成膜方法の好ましい実施の形態を、銅のメッキを例にして添付図面に従って詳細に説明する。
【0013】
図1は、第1実施形態を説明するためのメッキ装置の図である。図1において、メッキ浴10の内部に貯溜したメッキ液12は、通常の電気メッキ用に調整されたシアン化銅メッキ液、ピロリン酸銅メッキ液または硫酸銅メッキ液からなっている。そして、メッキ浴10の上部には、密閉蓋14が設けてあって、メッキ浴10内を外気から遮断できるようにしてある。この密閉蓋14には、攪拌機15が設けてあり、メッキ浴10内のメッキ液12を攪拌できるようにしてある。
【0014】
メッキ液12には、陰極となる鋼板16と陽極となる銅電極18とが浸漬してあり、基材である鋼板16に銅メッキができるようになっている。そして、これらの鋼板16と銅電極18とは、直流電源20の陰極と陽極とに接続してある。また、メッキ浴10の上部には、排気管22を介して吸引ポンプ24が接続してあり、メッキ浴10の内部を吸引排気できるようにしてある。メッキ浴10の底部には、ガス配管27を介してオゾン供給源28が接続してある。そして、ガス配管27には、メッキ浴10に供給するガス種であるオゾンの供給量を制御する流量制御弁29が設けてある。さらに、メッキ浴10の下部には、多孔板40が配設してあって、底部に供給されたオゾンをメッキ浴10の全体に分散できるようになっている。なお、図1に示した符号26は、排気管22を開閉する弁である。
【0015】
鋼板16の銅メッキは、次のようにして行われる。
【0016】
まず、所定の組成に調整したメッキ液12と鋼板16、銅電極18とをメッキ浴10の内部に配置したのち、密閉蓋14によってメッキ浴10の上部を覆う。鋼板16は、銅メッキをするための脱脂処理やエッチング処理などの前処理が施してある。そして、弁26を開放するとともに吸引ポンプ24を作動し、メッキ浴10の内部を排気してメッキ液12の脱ガスを行なう。これにより、メッキ液12に溶解している酸素、窒素などのガスが放出され、メッキ液12が無酸素状態になる。
【0017】
その後、吸引ポンプ24の作動を停止し、流量制御弁29を開いてオゾン供給源28からオゾンをメッキ浴10に供給し、メッキ浴10内のメッキ液12に所定量のオゾンを溶解する。そして、攪拌機15によってメッキ液12を攪拌するとともに、直流電源20によって鋼板16と銅電極18との間に直流電圧を印加する。これにより、メッキ液12内にプラスイオンとして存在している成分である銅イオンは、拡散と電気泳動現象とによって、陰極となる鋼板16側に移動して表面に吸着し、鋼板16から電子を受け取って金属銅として析出する。一方、陽極である銅電極18を構成している金属銅は、直流電源20からプラスの電荷を受け取って銅イオンとなり、メッキ液12中に溶け出す。そして、時間が経過するのに従って鋼板16の表面に銅が堆積して成膜される。このとき、メッキ液12には、オゾンを溶解させてあるので、鋼板16の表面に成膜された銅皮膜には、通常より多くの酸素が取り込まれる。このため、成膜された銅皮膜は、比較的電気抵抗が大きくなるとともに、硬度が高くなり、疵のつきにくい銅皮膜となる。
【0018】
なお、オゾンを溶解する場合、攪拌機15によってメッキ液12を攪拌しながら行なってもよい。
【0019】
図2は、第2実施形態を説明するためのメッキ装置の図である。図2において、メッキ液槽30には、硫酸銅メッキ液などのメッキ液31が貯溜してある。このメッキ液31は、通常の無電解メッキ用のメッキ液であって、還元剤としてホルムアルデヒドが添加してある。また、メッキ液槽30の上部には、密閉蓋14が取り付けられるようになっているとともに、排気管22を介して吸引ポンプ24が接続してある。さらに、メッキ液槽30の底部には、流量制御弁32を備えたガス配管34を介して水素ガス供給源36が接続してあって、メッキ液31に水素ガス38を吹き込むことができるようになっている。そして、メッキ液槽30の下部には、多孔板40が配設してあり、ガス配管34を介して導入された水素ガス38をメッキ液槽30の全体に分散することができるようにしてある。
【0020】
メッキ液槽30内のメッキ液31は、流量制御弁41を有する液供給配管42を介して液供給ノズル44に導くようになっている。また、液供給ノズル44の下方には、モータ46によって矢印48のように回転する処理テーブル50が配置してあり、この処理テーブル50の上面にメッキを施す金属やプラスチック、ガラスなどの基材52を配置するようになっている。
【0021】
このように構成したメッキ装置によるメッキは、次のように行なう。
【0022】
まず、所定の組成のメッキ液31をメッキ液槽30内に入れ、吸引ポンプ24によってメッキ液31の脱ガスを行なう。その後、流量制御弁32を開いて水素ガス供給源36からガス配管34を介してメッキ液槽30に水素ガス38を供給し、メッキ液31に水素ガス38を溶解する。そして、メッキ液31の水素ガス38の溶解度が所定の値に達したならば、水素ガスの供給を停止し、流量制御弁41を開いてメッキ液31を供給ノズル44に導き、処理テーブル50とともに回転している基材52の上面にメッキ液31を滴下、供給する。液供給ノズル44から滴下されたメッキ液31は、基材52の表面と接触すると、自己触媒作用によって溶液の成分である銅イオンが還元されて基材52の上面に析出して銅皮膜54を形成する。
【0023】
このように、第2の実施形態においては、脱ガスしたメッキ液31に水素ガス38を溶解したことにより、基材52の上面に成膜された銅皮膜54に水素ガスが取り込まれて還元度が大きくなるとともに、結晶内の格子欠陥である原子空孔などに水素がトラップされるため、銅皮膜54の導電率が高まる。また、基材52を回転させながら銅皮膜54を成膜しているため、膜の厚さを容易に均一にすることができる。なお、成膜の際に空気中の酸素の影響を避けるために、処理テーブル52の周囲を窒素雰囲気などにしてもよい。
【0024】
なお、前記実施形態においては、メッキ液31に水素ガスを溶解した場合について説明したが、窒素ガスなどの他のガスを溶解してもよい。また、酸化膜などの酸化度の大きな膜を形成する場合には、酸素やオゾンを溶解する。このように、溶解させるガス種を変えることにより、豊富な成膜用液種を形成することができる。また、前記実施の形態においては、成膜がメッキである場合について説明したが、電気泳動皮膜や電鋳などにも適用することができる。
【0025】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、溶液を一度脱ガスして溶存している酸素や窒素を除去したのち、所望のガスを溶解して成膜することにより、溶解させたガスが成膜した膜中に取り込まれるため、従来では得ることができない性質、特性を有する膜を成膜することができる。したがって、成膜するための液種を豊富にすることができる。
【0026】
また、膜を形成する基材を回転させて成膜すると、成膜した膜の全体にわたって容易に厚さや特性を一様にすることができ、品質の優れた膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の説明図である。
【図2】本発明の第2実施形態の説明図である。
【符号の説明】
10 メッキ浴
12、31 溶液(メッキ液)
16 基材(鋼板)
18 銅電極
24 吸引ポンプ
28 オゾン供給源
30 メッキ液槽
36 水素ガス供給源
38 水素ガス
44 液供給ノズル
46 モータ
52 基材
54 銅皮膜
Claims (3)
- 溶液中に存在する成分を基材の表面に析出させて成膜する成膜方法において、前記溶液を脱ガスしたのち、前記成膜する膜の種類または成膜する膜の特性に応じて予め定めたガス種を前記溶液に溶解させつつ、または溶解させたのちに前記成分を析出させることを特徴とする成膜方法。
- 前記溶液に溶解させるガスは、水素または酸素であることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記成分の析出は、前記基材を回転させるとともに、基材の上面に前記溶液を供給しつつ行なうことを特徴とする請求項1または2に記載の成膜方法。
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