JP3566948B2 - 排気装置及び半導体製造装置 - Google Patents
排気装置及び半導体製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3566948B2 JP3566948B2 JP2001344207A JP2001344207A JP3566948B2 JP 3566948 B2 JP3566948 B2 JP 3566948B2 JP 2001344207 A JP2001344207 A JP 2001344207A JP 2001344207 A JP2001344207 A JP 2001344207A JP 3566948 B2 JP3566948 B2 JP 3566948B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- exhaust pipe
- rotating shaft
- gap
- out portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部が設けられた排気装置及び排気装置を有する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体装置の製造プロセスの洗浄工程やエッチング工程において、硫酸（Ｈ２ ＳＯ４ ），弗酸（ＨＦ），過酸化水素水（Ｈ２ Ｏ２ ），アンモニア水（ＮＨ４ ＯＨ），塩酸（ＨＣｌ）等の薬液を使用して、半導体ウェハの洗浄や半導体ウェハ上に形成されているシリコン酸化膜やレジスト膜等のエッチングを行っている。
【０００３】
これらの薬液を使用している洗浄装置やエッチング装置は、半導体ウェハの表面への塵埃の付着等を防止すると共に、薬液から発生する有害ガス等の発生気体がクリーンルーム内に漏洩することを防止するため、排気ダクトに接続される排気管を備えている。つまり、発生気体を排気管から排気ダクトを経てクリーンルームの外部に強制的に排出するように構成されている。
【０００４】
図５は、従来の洗浄装置の構成を示すブロック図である。この洗浄装置は、半導体ウェハを洗浄処理するための洗浄処理部５１と、洗浄に用いられる硫酸，弗酸，過酸化水素水，アンモニア水，塩酸等の薬液をそれぞれ蓄えておくための薬液タンク５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄを有する薬液貯蔵部５２と、洗浄処理部５１で使用した薬液等の廃液をそれぞれの廃液の種類に応じて分別して回収するための廃液回収部５３と、洗浄処理部５１で発生した有害ガス等の発生ガスを排出するための排気処理部５４と、洗浄処理部５１，薬液貯蔵部５２，廃液回収部５３及び排気処理部５４に配置された各機器を制御するための制御部５５とを備えている。
【０００５】
洗浄処理部５１には、純水を供給するための純水供給管５６と、窒素ガスを導入するためのガス導入管５７とがそれぞれ開閉バルブ６２，６３を通じて接続されている。また、薬液タンク５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、それぞれ薬液供給管５９ａ，５９ｂ，５９ｃ，５９ｄにより洗浄処理部５１に接続されており、各薬液供給管５９ａ，５９ｂ，５９ｃ，５９ｄには、それぞれ開閉バルブ５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄが介設されている。
【０００６】
また、廃液回収部５３には、廃液を回収するためのドレンライン６１が設けられており、ドレンライン６１には、排液をその種類に応じて分別回収するための分岐管が取り付けられており、各分岐管には開閉バルブ６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄが介設されている。なお，各分岐管は、廃液をクリーンルームの外部に排出するための排出管（図示せず）にそれぞれ接続されている。
【０００７】
排気処理部５４は、基端が洗浄処理部５１に接続された主排気管５４ａと、主排気管５４ａの先端に設けられた排気分配部５４ｂと、排気分配部５４ｂからそれぞれ延びるアルカリ排気管５４ｃ及び酸排気管５４ｄとを備えている。アルカリ排気管５４ｃ及び酸排気管５４ｄには、それぞれ排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部６４ａ及び６４ｂが設けられている。また、アルカリ排気管５４ｃ及び酸排気管５４ｄの先端側には、排気をクリーンルームの外部に強制的に排出するための排気ダクト（図示せず）がそれぞれ接続されている。
【０００８】
以上のように構成された洗浄装置について、以下その動作について説明する。例えば、半導体ウェハを硫酸と過酸化水素水の混合液で洗浄する場合の動作は以下の通りである。まず、洗浄処理部５１に半導体ウェハを設置した後、制御部５５によって、薬液貯蔵部５２のうち硫酸と過酸化水素水の入っている薬液タンクの開閉バルブを開け、かつ、廃液回収部５３のうち硫酸と過酸化水素水の混合液を回収するための開閉バルブを開ける。さらに、排気処理部５４のうちアルカリ排気管５４ｃは排気圧力調整部６４ａによって閉鎖状態にし、酸排気管５４ｄは排気圧力調整部６４ｂによって開放状態にする。これによって、硫酸と過酸化水素水の混合液から発生した酸性の発生気体は、酸排気管５４ｄから排気ダクトを通じてクリーンルーム外にある酸用処理装置まで強制的に排出される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来の洗浄装置では、排気処理部５４のアルカリ排気管５４ｃ及び酸排気管５４ｄにそれぞれ設けられている排気圧力調整部６４ａ，６４ｂの各回転軸取り出し部において、排気する発生気体が排気管から漏洩するという不具合があった。
【００１０】
図６は、図５に示す従来の排気圧力調整部６４ａ又は６４ｂが設けられた排気装置の断面図である。つまり、図６は、アルカリ排気管５４ｃ及び酸排気管５４ｄに共通の排気装置の構成を示している。排気装置は、排気管７０の内径と同程度の直径を有する円板状の開閉弁７２と、該開閉弁７２を回転させるための回転軸７１とを備え、開閉弁７２の１つの直径に沿った部分が固定用ビス７３によって回転軸７１に固定されている。つまり、開閉弁７２は、その直径を通過する軸回りに回転自在に構成されている。そして、回転軸７１の一端部７１ａが排気管７０に設けられた凹部状の回転軸受け部７０ａ内に挿入され、回転軸７１の他端部７１ｂが排気管７０に設けられた円筒状の回転軸取り出し部７０ｂを貫通して排気管７０の外部に取り出されている。つまり、円板状の開閉弁７２及び回転軸７１は、回転軸受け部７０ａと回転軸取り出し部７０ｂとにより、回動自在に支持されており、開閉弁７２の回動位置に応じて排気管７０から排出される気体の量が可変に調整される。回転軸７１の他端７１ｂ側には、排気気体の漏洩を防止するための気密用Ｏリング７４と、気密用Ｏリング７４を固定するための溝部（図示せず）が設けられている。
【００１１】
このような構成を有する排気装置において、定常時には排気管７０の内圧は外部に設けられた排気ファンによって吸引されているため大気圧よりも低くなっており、排気される発生気体（排気ガス）が排気管７０から外部に漏洩することはない。しかしながら、例えば排気ファンに取り付けられている排気ダクトには、多数の半導体製造装置が接続されており、これらの半導体製造装置が同時に稼働し排気ファンの排気能力を超える気体が排出されると、排気管７０の内圧が大気圧よりも高くなることがある。この場合、排気管７０の回転軸取り出し部７０ｂと回転軸７１との隙間７５には、気密用Ｏリング７４が設けられているが、気密用Ｏリング７４によって排気管７０内の空間を完全に密封することは不可能であり、気密用Ｏリング７４の周囲には微小な隙間が生じる。従って、排気管７０の内圧が大気圧よりも高くなると微小な隙間から排気ガスが排気管７０から外部に漏洩してしまうおそれがあった。
【００１２】
本発明の目的は、排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部を有しつつ、排気される気体の排気管外部への漏洩防止機能が高い排気装置，及びその排気装置を有する半導体製造装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の排気装置は、排気管の開口面積を可変に調整するための排気圧力調整部を有する排気装置において、上記排気圧力調整部は、上記排気管内に、上記排気管の開口面積を変化させるように回動自在に設けられた開閉弁と、上記排気管内から上記排気管の外方まで延びるように設けられ、上記開閉弁を回動させるための回転軸と、上記排気管に設けられ、上記回転軸を上記排気管の内方に位置する部分と外方に位置する部分との間で支持するための回転軸取り出し部と、上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に設けられた気密用Ｏリングと、上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に、パージガスを導入するためのパージガス導入用孔を含むガス導入手段とを備え、上記パージガス導入用孔は、上記回転軸の上記回転軸取り出し部側の端部に設けられ、上記回転軸の軸方向に延びる導入孔と上記導入孔から分岐する複数の分岐孔を有し、上記導入孔は、上記回転軸の端部の端面に開口しており、上記分岐孔は、上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間のうち、上記気密用Ｏリングの内側で上記排気管の内部空間に連通する隙間に開口している。
【００１４】
これにより、ガス導入手段により、回転軸取り出し部と回転軸との隙間に、パージガスが導入されるので、排気管の内圧が大気圧よりも高くなっても、排気ガスが排気管から外部へ漏洩するのを防止することができる。
【００１７】
上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に、洗浄液又は蒸気を導入するための液導入手段をさらに備えることにより、排気管の回転軸取り出し部などに固着した異物を容易に除去することができるので、気密性がさらに向上することになる。
【００１８】
本発明の半導体製造装置は、ウェハを処理するための処理装置と、該処理装置に接続される少なくとも１つの排気管と、該少なくとも１つの排気管の開口面積を可変に調整するための排気圧力調整部を有する排気装置とを備えた半導体製造装置において、上記排気装置の上記排気圧力調整部は、上記排気管内に、上記排気管の開口面積を変化させるように回動自在に設けられた開閉弁と、上記排気管内から上記排気管の外方まで延びるように設けられ、上記開閉弁を回動させるための回転軸と、上記排気管に設けられ、上記回転軸を上記排気管の内方に位置する部分と外方に位置する部分との間で支持するための回転軸取り出し部と、上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に設けられた気密用Ｏリングと、上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に、パージガスを導入するためのパージガス導入用孔を含むガス導入手段とを備え、上記パージガス導入用孔は、上記回転軸の上記回転軸取り出し部側の端部に設けられ、上記回転軸の軸方向に延びる導入孔と上記導入孔から分岐する複数の分岐孔を有し、上記導入孔は、上記回転軸の端部の端面に開口しており、上記分岐孔は、上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間のうち、上記気密用Ｏリングの内側で上記排気管の内部空間に連通する隙間に開口している。
【００１９】
これにより、半導体製造装置中の処理装置でウェハの処理を行なう間に、排気装置において、ガス導入手段により、回転軸取り出し部と回転軸との隙間に、パージガスが導入されるので、排気管の内圧が大気圧よりも高くなっても、処理装置内で発生した気体が排気管から外部へ漏洩するのを防止することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態における，排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部が設けられた排気装置の断面図である。図１は、アルカリ排気管及び酸排気管に共通の排気装置の構成を示している。
【００２４】
排気圧力調整部は、塩化ビニール樹脂からなる排気管１と、排気管１の内径と同程度の直径を有する塩化ビニール樹脂製の円板状の開閉弁３と、該開閉弁３を回転させるためのステンレス製の回転軸２とを備え、開閉弁３の１つの直径に沿った部分が固定用ビス４によって回転軸２に固定されている。つまり、開閉弁３は、その直径を通過する軸回りに回転自在に構成されている。ただし、必ずしも直径に沿った軸回りに回動する必要はなく、排気管１の開口面積を変化させるような運動を行なうことが可能に構成されていればよい。そして、回転軸２の一端部２ａが排気管１に設けられた凹部状の回転軸受け部１ａ内に挿入され、回転軸２の他端部２ｂが排気管１に設けられた円筒状の回転軸取り出し部１ｂを貫通して排気管１の外部に取り出されている。つまり、円板状の開閉弁３及び回転軸２は、回転軸受け部１ａと回転軸取り出し部１ｂとにより、回動自在に支持されており、開閉弁３の回動位置に応じて開閉弁３と排気管１の内周部との隙間が変化し、これにより、排気管１から排出される気体の量が可変に調整される。回転軸２の他端部２ｂ側には、排気気体の漏洩を防止するための気密用Ｏリング５と、気密用Ｏリング５を固定するための溝部（図示せず）が設けられている。なお、開閉弁３を下方から純水のシャワーによって洗浄するように構成されている。
【００２５】
ここで、本実施形態の排気圧力調整部の特徴は、以下の構成にある。回転軸２の他端部２ｂには、回転軸２の軸方向に延びる，パージ用ガスを導入するための導入孔７と、導入孔７から分岐する複数の（例えば４つの）分岐孔７ｂとが設けられている。そして、各分岐孔７ｂは、軸に対して約４５°（斜めに）傾いて形成されており、排気管１の回転軸取り出し部１ｂと回転軸２との隙間６のうち、気密用Ｏリング５の内側で排気管１の内部空間に連通する隙間６ａに開口している。導入孔７は、回転軸２の他端部２ｂの端面に開口していて、この開口部にパージ用配管８が接続されている。そして、パージ用配管８には、常時、窒素ガス（Ｎ２ ガス）や高圧エアなどのパージガスを隙間６ａに供給するためのガス供給用配管８ａと、間欠的に純水を隙間６ａに供給するための純水供給用配管８ｂと、純水供給用配管８ｂの開閉を制御するための開閉弁８ｃとが取り付けられている。この導入孔７，分岐孔７ｂ，パージ用配管８及びガス供給配管８ａにより、パージガス導入手段が構成されている。また、この導入孔７，分岐孔７ｂ，パージ用配管８，純水供給用配管８ｂ及び開閉弁８ｃにより、液導入手段が構成されている。
【００２６】
本実施形態の排気装置によれば、ガス供給用配管８ａからパージ用配管８，導入孔７及び分岐孔７ｂを経て、排気管１の内部空間に連通する隙間６ａに窒素ガス（Ｎ２ ガス）や高圧エアなどのパージガスを導入することができる。この構成によって、有害ガス等の発生気体（排気ガス）を排気する際に、隙間６ａにパージガスを導入しておくことによって、排気管１の内圧が大気圧よりも高くなっても、排気ガスが排気管１から外部へ漏洩するのを防止することができる。特に、分岐孔７ｂが回転軸２の軸方向に直交するのではなく、排気管１の内部側に向かうように斜めに傾いていることにより、排気管１の内部圧力が高まったときに、発生ガスが外部に流れ込もうとするのに対する抗力がより大きくなるという利点がある。
【００２７】
また、ガス供給用配管８ａから隙間６ａに窒素ガスなどのパージガスを供給することにより、気密用Ｏリング５や気密用Ｏリング５に接触する部材の寿命も延びるので、気密性がより向上することになる。
【００２８】
また、純水供給用配管８ｂから純水を供給しうる構造となっているので、回転軸２，Ｏリング５，排気管１の回転軸取り出し部１ｂなどに固着した異物を容易に除去することができるので、気密性がさらに向上することになる。
【００２９】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態における，排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部が設けられた排気装置の断面図である。図２は、アルカリ排気管及び酸排気管に共通の排気装置の構成を示している。
【００３０】
排気圧力調整部は、塩化ビニール樹脂からなる排気管１と、排気管１の内径と同程度の直径を有する塩化ビニール樹脂製の円板状の開閉弁３と、該開閉弁３を回転させるためのステンレス製の回転軸９とを備え、開閉弁３の１つの直径に沿った部分が固定用ビス４によって回転軸９に固定されている。つまり、開閉弁３は、その直径を通過する軸回りに回転自在に構成されている。ただし、必ずしも直径に沿った軸回りに回動する必要はなく、排気管１の開口面積を変化させるような運動を行なうことが可能に構成されていればよい。そして、回転軸９の一端部９ａが排気管１に設けられた凹部状の回転軸受け部１ａ内に挿入され、回転軸９の他端部９ｂが排気管１に設けられた円筒状の回転軸取り出し部１ｂを貫通して排気管１の外部に取り出されている。つまり、円板状の開閉弁３及び回転軸９は、回転軸受け部１ａと回転軸取り出し部１ｂとにより、回動自在に支持されており、開閉弁３の回動位置に応じて開閉弁３と排気管１の内周部との隙間が変化し、これにより、排気管１から排出される気体の量が可変に調整される。回転軸９の他端部９ｂ側には、排気気体の漏洩を防止するための気密用Ｏリング５と、気密用Ｏリング５を固定するための溝部（図示せず）が設けられている。なお、開閉弁３を下方から純水のシャワーによって洗浄するように構成されている。以上の構成は、回転軸９に導入孔及び分岐孔が形成されていない点を除けば、第１の実施形態と同じである。
【００３１】
ここで、本実施形態の排気圧力調整部の特徴は、以下の構成にある。排気管１の回転軸取り出し部１ｂには、軸方向に対して約４５°（斜めに）傾いて形成されたパージ用ガスを導入するための導入孔１０が設けられている。そして、導入孔１０の基端部は、排気管１の回転軸取り出し部１ｂと回転軸９との隙間６のうち、気密用Ｏリング５の内側で排気管１の内部空間に連通する隙間６ａに開口している。導入孔１０の先端は、回転軸取り出し部１ｂのフランジ部の外周面に開口していて、この導入孔１０の開口部には高圧のパージガスを供給するパージ用配管１１が接続されている。そして、パージ用配管１１には、常時、窒素ガスや高圧エアなどのパージガスを隙間６ａに供給するためのガス供給用配管１１ａと、間欠的に純水を隙間６ａに供給するための純水供給用配管１１ｂと、純水供給用配管１１ｂの開閉を制御するための開閉弁１１ｃとが取り付けられている。この導入孔１０，パージ用配管１１及びガス供給用配管１１ａにより、パージガス導入手段が構成されている。また、この導入孔１０，パージ用配管１１，純水供給配管１１ｂ及び開閉弁１１ｃにより、液導入手段が構成されている。
【００３２】
本実施形態の排気装置によれば、ガス供給用配管１１ａからパージ用配管１１，導入孔１０を経て、排気管１の内部空間に連通する隙間６ａに高圧の窒素ガスや高圧エアなどのパージガスを導入することができる。この構成によって、有害ガス等の発生気体（排気ガス）を排気する際に、隙間６ａに高圧のパージガスを導入することによって、排気管１の内圧が大気圧よりも高くなっても、排気ガスが排気管１から外部へ漏洩するのを防止することができる。特に、導入孔１０が回転軸９の軸方向に直交するのではなく、排気管１の内部側に向かうように斜めに傾いていることにより、排気管１の内部圧力が高まったときに、発生ガスが外部に流れ込もうとするのに対する抗力がより大きくなるという利点がある。
【００３３】
また、ガス供給用配管１１ａから隙間６ａに窒素ガスなどのパージガスを供給することにより、気密用Ｏリング５や気密用Ｏリング５に接触する部材の寿命も延びるので、気密性がより向上することになる。
【００３４】
また、純水供給用配管１１ｂから純水を供給しうる構造となっているので、回転軸９，Ｏリング５，排気管１の回転軸取り出し部１ｂなどに固着した異物を容易に除去することができるので、気密性がさらに向上することになる。
【００３５】
なお、本実施形態では、回転軸取り出し部１ｂに導入孔１０を１カ所のみに設けたが、多数の導入孔を設けてもよい。
【００３６】
（第３の実施形態）
−洗浄装置の構成−
図３は、第３の実施形態における半導体製造装置である洗浄装置の構成を示すブロック図である。この洗浄装置は、半導体ウェハを洗浄処理するための洗浄処理部３１と、洗浄に用いられる硫酸，弗酸，過酸化水素水，アンモニア水，塩酸等の薬液をそれぞれ蓄えておくための薬液タンク３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを有する薬液貯蔵部３２と、洗浄処理部３１で使用した薬液等の廃液をそれぞれの廃液の種類に応じて分別して回収するための廃液回収部３３と、洗浄処理部３１で発生した有害ガス等の発生ガスを排出するための排気処理部３４と、洗浄処理部３１，薬液貯蔵部３２，廃液回収部３３及び排気処理部３４に配置された各機器を制御するための制御部３５とを備えている。
【００３７】
洗浄処理部３１には、純水を供給するための純水供給管３６と、窒素ガスを導入するためのガス導入管３７とがそれぞれ開閉バルブ４２，４３を通じて接続されている。また、薬液タンク３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、それぞれ薬液供給管３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄにより洗浄処理部３１に接続されており、各薬液供給管３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄには、それぞれ開閉バルブ３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄが介設されている。
【００３８】
また、廃液回収部３３には、廃液を回収するためのドレンライン４１が設けられており、ドレンライン４１には、排液をその種類に応じて分別回収するための分岐管が取り付けられており、各分岐管には開閉バルブ４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄが介設されている。なお，各分岐管は、廃液をクリーンルームの外部に排出するための排出管（図示せず）にそれぞれ接続されている。
【００３９】
排気処理部３４は、基端が洗浄処理部３１に接続された主排気管３４ａと、主排気管３４ａの先端に設けられた排気分配部３４ｂと、排気分配部３４ｂからそれぞれ延びるアルカリ排気管３４ｃ及び酸排気管３４ｄとを備えている。アルカリ排気管３４ｃ及び酸排気管３４ｄには、それぞれ排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部４４ａ及び４４ｂが設けられている。また、アルカリ排気管３４ｃ及び酸排気管３４ｄの先端側には、排気をクリーンルームの外部に強制的に排出するための排気ダクト（図示せず）がそれぞれ接続されている。
【００４０】
ここで、本実施形態の洗浄装置の特徴は、アルカリ排気管３４ｃと酸排気管３４ｄとに、それぞれ排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部４４ａ，４４ｂが設けられている点である。この排気圧力調整部４４ａ，４４ｂの構造は、上記第１又は第２の実施形態で説明したとおりであって、具体的には、図１又は図２に示す構造となっている。すなわち、アルカリ排気管３４ｃ及び酸排気管３４ｄのうち開閉弁３の回転を支持している回転軸取り出し部１ｂの隙間に、窒素ガス，パージガス及び純水を噴射し得るように構成されている。
【００４１】
これにより、第１又は第２の実施形態の排気装置を用いたウェハの洗浄を行なうことができ、ウェハの洗浄の際に発生する酸性ガスやアルカリ性ガス等の気体が排気管１の外部に漏洩するのを防止する効果が得られることになる。
【００４２】
本実施形態の半導体製造装置によれば、第１及び第２の実施形態と同様に、アルカリ排気管３４ｃ及び酸排気管３４ｄに設けられた排気圧力調整部４４ａ及び４４ｂには、ガス供給用配管（図示せず）及び純水供給用配管（図示せず）に接続されているパージ用配管４５ａ及び４５ｂからパージガスや純水を導入することができる。この構成によって、洗浄に使用する薬液から発生する有害ガス等の発生気体（排気ガス）を排気管３４ｃ又は３４ｄから排気する際に、排気管３４ｃ，３４ｄのそれぞれの回転軸取り出し部と回転軸との隙間にパージガスを導入することによって、排気管３４ｃ及び３４ｄの内圧が大気圧よりも高くなっても、排気ガスが排気管３４ｃ及び３４ｄから外部へ漏洩するのを防止することができる。
【００４３】
−洗浄処理の手順−
次に、本実施形態の洗浄装置を用いたウェハの洗浄処理を伴う半導体装置の製造方法について、フォトレジスト膜の除去（アッシング）後の洗浄処理を例にとって説明する。ここでは、第１，第２の実施形態のいずれの排気装置をも用いることができる。なお、以下の説明において、排気管１はアルカリ排気管３４あ及び酸排気管３４ｄに相当し、排気圧力調整部４４ａ，４４ｂについては、第１又は第２の実施形態の排気装置の構成を用いて説明する。
【００４４】
図４は、本実施形態の洗浄処理の手順を示すフローチャート図である。図４において、右側には、洗浄処理に沿った排気装置側における処理の内容が付記されている。
【００４５】
まず、ステップＳＴ１で、ウェハのセットを行なう。すなわち、ウェハをカセットにセットして、カセットを洗浄処理部３１のチャンバ内のターンテーブルにセットする。このとき、ウェハをセットする前から、排気管１の回転取り出し部１ｂには、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給されている。そして、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００４６】
次に、ステップＳＴ２で、制御部３５により、バルブの切り換え制御を行なう。まず、酸排気管３４ｄの開閉弁４４ｂを開いて、アルカリ排気管３４ｃの開閉弁４４ａを閉じる。次に、薬液貯蔵部３２のうち硫酸と過酸化水素水の入っている薬液タンクの開閉バルブを開け、かつ、廃液回収部３３のうち硫酸と過酸化水素水の混合液を回収するための開閉バルブを開く。このとき、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００４７】
次に、ステップＳＴ３で、ウェハの酸洗浄を行なう。洗浄処理部３１のチャンバを閉じ、ターンテーブルを回転させた状態で、カセット内にセットされているウェハに純水を噴射した後、硫酸過水（硫酸水溶液と過酸化水素水との混合液）をウェハにスプレーする。このとき、酸排気管３４ｄの開閉弁４４ｂは開かれたたままである。つまり、硫酸過水から発生する酸性の発生気体を、酸排気管４４ｄから排気ダクトを通じてクリーンルーム外にある酸用処理装置まで強制的に排出する。また、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００４８】
次に、ステップＳＴ４で、ウェハを純水とＮ２ とによってすすぎ洗浄する。つまり、ウェハに付着している薬液を除去するのである。このとき、酸排気管３４ｄの開閉弁４４ｂは開かれたたままである。
【００４９】
また、このウェハのすすぎ洗浄の際、排気分配部３４ｂに設けられているシャワー噴射口から排気管１の開閉弁３，回転軸２（又は９）等にシャワーを噴射して、開閉弁３，回転軸２（又は９）等をすすぎ洗浄する。
【００５０】
同時に、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）を開いて、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６ａに、導入孔７の分岐孔７ｂ（又は導入孔１０）から純水を噴射して、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの内周部付近全体の各部材（回転軸２（又は９），開閉弁３，気密用Ｏリング５など）を洗浄する。この間、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）は開かれたままであり、窒素ガスの圧力によって純水が噴射される。
【００５１】
以上によって、酸処理が終了すると、ステップＳＴ５で、制御部３５によりバルブの切り換えを行なう。つまり、酸排気管３４ｄの開閉弁４４ｂを閉じて、アルカリ排気管３４ｃの開閉弁４４ａを開く。また、薬液貯蔵部３２のうちアンモニアと過酸化水素水の入っている薬液タンクの開閉バルブを開け、かつ、廃液回収部３３のうちアンモニアと過酸化水素水の混合液を回収するための開閉バルブを開く。この間、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００５２】
次に、ステップＳＴ６で、ウェハのアルカリ洗浄を行なう。洗浄処理部３１のチャンバ内で、アンモニア過水（アンモニア水溶液と過酸化水素水との混合液）をウェハにスプレーする。このとき、アルカリ排気管３４ｃの開閉弁４４ａは開かれたたままである。この間、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００５３】
次に、ウェハを純水とＮ２ ガスとによってすすぎ洗浄する。つまり、ウェハに付着している薬液を除去するのである。このとき、アルカリ排気管３４ｃの開閉弁４４ａは開かれたたままである。つまり、アンモニア過水から発生するアルカリ性の発生気体を、アルカリ排気管４４ｃから排気ダクトを通じてクリーンルーム外にあるアルカリ用処理装置まで強制的に排出する。
【００５４】
また、このウェハのすすぎ洗浄の際に、排気分配部３４ｂに設けられているシャワー噴射口から排気管１の開閉弁３，回転軸２等にシャワーを噴射して、開閉弁３，回転軸２（又は９）等をすすぎ洗浄する。
【００５５】
同時に、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）を開いて、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６ａに、導入孔７の分岐孔７ｂ（又は導入孔１０）から純水を噴射して、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの内周部付近全体の各部材（回転軸２（又は９），開閉弁３，気密用Ｏリング５など）を洗浄する。この間、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）は開かれたままであり、窒素ガスの圧力によって純水が噴射される。
【００５６】
以上によって、すすぎ洗浄が終了すると、ステップＳＴ８で、洗浄処理部３１のチャンバ内でウェハの最終水洗を行なった後、ステップＳＴ９で、チャンバ内にＮ２ ガスを流してウェハを乾燥させる。この間、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００５７】
なお、以上の洗浄処理においては、排気分配部３４ｂに設けられているシャワー噴射口から排気管１の開閉弁３，回転軸２（又は９）等にシャワーを噴射して、開閉弁３，回転軸２（又は９）等をすすぎ洗浄すると同時に、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６ａに純水を噴射して、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの内周部付近全体の各部材を洗浄したが、本発明の洗浄方法は係る実施形態に限定されるものではない。すなわち、排気管１内の下方から開閉弁３，回転軸２（又は９）等をすすぎ洗浄する動作と、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの内周部付近全体の各部材を洗浄する動作とは、独立して行なうことが可能である。
【００５８】
また、図４に示すフローチャートのごとく、排気管１の回転軸取り出し部１ｂにＮ２ ガスを常時流す必要はなく、酸洗浄，アルカリ洗浄，すすぎ洗浄などのときのみＮ２ ガスを流すようにしてもよい。また、Ｎ２ ガスに代えて、不活性ガスあるいは高圧空気などの他のガスを流すようにしてもよい。
【００５９】
さらに、図４に示すフローチャートにおいては、ウェハのすすぎ洗浄のときのみ排気管１の回転軸取り出し部１ｂに純水の噴射を行なうようにしたが、酸洗浄（ステップＳＴ３）やアルカリ洗浄（ステップＳＴ６）においても、排気管１の回転軸取り出し部１ｂに純水の噴射を行なうようにしてもよい。
【００６０】
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、ウェハの酸洗浄又はアルカリ洗浄などの薬液処理のときには、排気管１の回転軸取り出し部１ｂにＮ２ ガス又は高圧ガスなどのパージガスを流すようにしたので、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６から酸性ガス，アルカリ性ガスなどの排気ガスが漏洩するのをパージガスによって防止することができる。
【００６１】
すなわち、排気管１を流れる排気ガスの圧力は、一般には大気圧よりも小さい，つまり負圧であるが、状況によっては大気圧よりも高い圧力，つまり正圧になることがある。その場合、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６ｂから排気ガスが外部に流れ出そうとするが、パージガスの圧力を排気管１内の圧力よりも高く設定しておくことにより、排気ガスが隙間６ｂから排気管１の内部に押し戻されるので、排気ガスの外部への漏洩を防止することができる。
【００６２】
また、パージガスを排気管１の回転軸取り出し部１ｂに供給することにより、気密用Ｏリング５及びその周辺の部材に固着しようとする異物を吹き飛ばすことができるので、気密用Ｏリング５及びその周辺の部材の寿命が向上することになる。
【００６３】
また、ウェハの薬液処理が終了した後、又はウェハの薬液処理と同時に、排気管１の回転軸取り出し部１ｂを純水によって洗浄しているので、気密用Ｏリング５及びその周辺の部材に固着しようとする異物を洗浄により除去することができるので、気密用Ｏリング５及びその周辺の部材の寿命がより向上することになる。
【００６４】
なお、上記各実施形態においては、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６Ｂに純水を噴射するようにしたが、純水の代わりに水蒸気を供給してもよい。また、純水や水蒸気に代えて、水以外の物質からなる洗浄液，又は水以外の物質の蒸気を供給してもよい。
【００６５】
【発明の効果】
本発明の排気装置または半導体製造装置によれば、排気管の回転軸取り出し部と回転軸との隙間に、パージガスを導入するようにしたので、排気ガスが排気管から外部に漏洩するのをパージガスによって阻止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態における排気圧力調整部が設けられた排気装置の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態における排気圧力調整部が設けられた排気装置の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態における半導体製造装置である洗浄装置の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の第３の実施形態の洗浄処理の手順を示すフローチャート図である。
【図５】従来の洗浄装置の構成を示すブロック図である。
【図６】従来の排気圧力調整部が設けられた排気装置の断面図である。
【符号の説明】
１ 排気管
１ａ 回転軸受け部
１ｂ 回転軸取り出し部
２ 回転軸
３ 開閉弁
４ 固定用ビス
５ 気密用Ｏリング
６ 隙間
６ｂ 隙間
７ 導入孔
７ｂ 分岐孔
８ パージ用配管
８ａ ガス供給用配管
８ｂ 純水供給用配管
８ｃ 開閉弁
９ 回転軸
１０ 導入孔
１１ パージ用配管
１１ａ ガス供給用配管
１１ｂ 純水供給用配管
１１ｃ 開閉弁
３１ 洗浄処理部
３２ 薬液貯蔵部
３３ 廃液回収部
３４ 排気処理部
３５ 制御部
【発明の属する技術分野】
本発明は、排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部が設けられた排気装置及び排気装置を有する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体装置の製造プロセスの洗浄工程やエッチング工程において、硫酸（Ｈ２ ＳＯ４ ），弗酸（ＨＦ），過酸化水素水（Ｈ２ Ｏ２ ），アンモニア水（ＮＨ４ ＯＨ），塩酸（ＨＣｌ）等の薬液を使用して、半導体ウェハの洗浄や半導体ウェハ上に形成されているシリコン酸化膜やレジスト膜等のエッチングを行っている。
【０００３】
これらの薬液を使用している洗浄装置やエッチング装置は、半導体ウェハの表面への塵埃の付着等を防止すると共に、薬液から発生する有害ガス等の発生気体がクリーンルーム内に漏洩することを防止するため、排気ダクトに接続される排気管を備えている。つまり、発生気体を排気管から排気ダクトを経てクリーンルームの外部に強制的に排出するように構成されている。
【０００４】
図５は、従来の洗浄装置の構成を示すブロック図である。この洗浄装置は、半導体ウェハを洗浄処理するための洗浄処理部５１と、洗浄に用いられる硫酸，弗酸，過酸化水素水，アンモニア水，塩酸等の薬液をそれぞれ蓄えておくための薬液タンク５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄを有する薬液貯蔵部５２と、洗浄処理部５１で使用した薬液等の廃液をそれぞれの廃液の種類に応じて分別して回収するための廃液回収部５３と、洗浄処理部５１で発生した有害ガス等の発生ガスを排出するための排気処理部５４と、洗浄処理部５１，薬液貯蔵部５２，廃液回収部５３及び排気処理部５４に配置された各機器を制御するための制御部５５とを備えている。
【０００５】
洗浄処理部５１には、純水を供給するための純水供給管５６と、窒素ガスを導入するためのガス導入管５７とがそれぞれ開閉バルブ６２，６３を通じて接続されている。また、薬液タンク５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、それぞれ薬液供給管５９ａ，５９ｂ，５９ｃ，５９ｄにより洗浄処理部５１に接続されており、各薬液供給管５９ａ，５９ｂ，５９ｃ，５９ｄには、それぞれ開閉バルブ５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄが介設されている。
【０００６】
また、廃液回収部５３には、廃液を回収するためのドレンライン６１が設けられており、ドレンライン６１には、排液をその種類に応じて分別回収するための分岐管が取り付けられており、各分岐管には開閉バルブ６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄが介設されている。なお，各分岐管は、廃液をクリーンルームの外部に排出するための排出管（図示せず）にそれぞれ接続されている。
【０００７】
排気処理部５４は、基端が洗浄処理部５１に接続された主排気管５４ａと、主排気管５４ａの先端に設けられた排気分配部５４ｂと、排気分配部５４ｂからそれぞれ延びるアルカリ排気管５４ｃ及び酸排気管５４ｄとを備えている。アルカリ排気管５４ｃ及び酸排気管５４ｄには、それぞれ排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部６４ａ及び６４ｂが設けられている。また、アルカリ排気管５４ｃ及び酸排気管５４ｄの先端側には、排気をクリーンルームの外部に強制的に排出するための排気ダクト（図示せず）がそれぞれ接続されている。
【０００８】
以上のように構成された洗浄装置について、以下その動作について説明する。例えば、半導体ウェハを硫酸と過酸化水素水の混合液で洗浄する場合の動作は以下の通りである。まず、洗浄処理部５１に半導体ウェハを設置した後、制御部５５によって、薬液貯蔵部５２のうち硫酸と過酸化水素水の入っている薬液タンクの開閉バルブを開け、かつ、廃液回収部５３のうち硫酸と過酸化水素水の混合液を回収するための開閉バルブを開ける。さらに、排気処理部５４のうちアルカリ排気管５４ｃは排気圧力調整部６４ａによって閉鎖状態にし、酸排気管５４ｄは排気圧力調整部６４ｂによって開放状態にする。これによって、硫酸と過酸化水素水の混合液から発生した酸性の発生気体は、酸排気管５４ｄから排気ダクトを通じてクリーンルーム外にある酸用処理装置まで強制的に排出される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来の洗浄装置では、排気処理部５４のアルカリ排気管５４ｃ及び酸排気管５４ｄにそれぞれ設けられている排気圧力調整部６４ａ，６４ｂの各回転軸取り出し部において、排気する発生気体が排気管から漏洩するという不具合があった。
【００１０】
図６は、図５に示す従来の排気圧力調整部６４ａ又は６４ｂが設けられた排気装置の断面図である。つまり、図６は、アルカリ排気管５４ｃ及び酸排気管５４ｄに共通の排気装置の構成を示している。排気装置は、排気管７０の内径と同程度の直径を有する円板状の開閉弁７２と、該開閉弁７２を回転させるための回転軸７１とを備え、開閉弁７２の１つの直径に沿った部分が固定用ビス７３によって回転軸７１に固定されている。つまり、開閉弁７２は、その直径を通過する軸回りに回転自在に構成されている。そして、回転軸７１の一端部７１ａが排気管７０に設けられた凹部状の回転軸受け部７０ａ内に挿入され、回転軸７１の他端部７１ｂが排気管７０に設けられた円筒状の回転軸取り出し部７０ｂを貫通して排気管７０の外部に取り出されている。つまり、円板状の開閉弁７２及び回転軸７１は、回転軸受け部７０ａと回転軸取り出し部７０ｂとにより、回動自在に支持されており、開閉弁７２の回動位置に応じて排気管７０から排出される気体の量が可変に調整される。回転軸７１の他端７１ｂ側には、排気気体の漏洩を防止するための気密用Ｏリング７４と、気密用Ｏリング７４を固定するための溝部（図示せず）が設けられている。
【００１１】
このような構成を有する排気装置において、定常時には排気管７０の内圧は外部に設けられた排気ファンによって吸引されているため大気圧よりも低くなっており、排気される発生気体（排気ガス）が排気管７０から外部に漏洩することはない。しかしながら、例えば排気ファンに取り付けられている排気ダクトには、多数の半導体製造装置が接続されており、これらの半導体製造装置が同時に稼働し排気ファンの排気能力を超える気体が排出されると、排気管７０の内圧が大気圧よりも高くなることがある。この場合、排気管７０の回転軸取り出し部７０ｂと回転軸７１との隙間７５には、気密用Ｏリング７４が設けられているが、気密用Ｏリング７４によって排気管７０内の空間を完全に密封することは不可能であり、気密用Ｏリング７４の周囲には微小な隙間が生じる。従って、排気管７０の内圧が大気圧よりも高くなると微小な隙間から排気ガスが排気管７０から外部に漏洩してしまうおそれがあった。
【００１２】
本発明の目的は、排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部を有しつつ、排気される気体の排気管外部への漏洩防止機能が高い排気装置，及びその排気装置を有する半導体製造装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の排気装置は、排気管の開口面積を可変に調整するための排気圧力調整部を有する排気装置において、上記排気圧力調整部は、上記排気管内に、上記排気管の開口面積を変化させるように回動自在に設けられた開閉弁と、上記排気管内から上記排気管の外方まで延びるように設けられ、上記開閉弁を回動させるための回転軸と、上記排気管に設けられ、上記回転軸を上記排気管の内方に位置する部分と外方に位置する部分との間で支持するための回転軸取り出し部と、上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に設けられた気密用Ｏリングと、上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に、パージガスを導入するためのパージガス導入用孔を含むガス導入手段とを備え、上記パージガス導入用孔は、上記回転軸の上記回転軸取り出し部側の端部に設けられ、上記回転軸の軸方向に延びる導入孔と上記導入孔から分岐する複数の分岐孔を有し、上記導入孔は、上記回転軸の端部の端面に開口しており、上記分岐孔は、上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間のうち、上記気密用Ｏリングの内側で上記排気管の内部空間に連通する隙間に開口している。
【００１４】
これにより、ガス導入手段により、回転軸取り出し部と回転軸との隙間に、パージガスが導入されるので、排気管の内圧が大気圧よりも高くなっても、排気ガスが排気管から外部へ漏洩するのを防止することができる。
【００１７】
上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に、洗浄液又は蒸気を導入するための液導入手段をさらに備えることにより、排気管の回転軸取り出し部などに固着した異物を容易に除去することができるので、気密性がさらに向上することになる。
【００１８】
本発明の半導体製造装置は、ウェハを処理するための処理装置と、該処理装置に接続される少なくとも１つの排気管と、該少なくとも１つの排気管の開口面積を可変に調整するための排気圧力調整部を有する排気装置とを備えた半導体製造装置において、上記排気装置の上記排気圧力調整部は、上記排気管内に、上記排気管の開口面積を変化させるように回動自在に設けられた開閉弁と、上記排気管内から上記排気管の外方まで延びるように設けられ、上記開閉弁を回動させるための回転軸と、上記排気管に設けられ、上記回転軸を上記排気管の内方に位置する部分と外方に位置する部分との間で支持するための回転軸取り出し部と、上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に設けられた気密用Ｏリングと、上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に、パージガスを導入するためのパージガス導入用孔を含むガス導入手段とを備え、上記パージガス導入用孔は、上記回転軸の上記回転軸取り出し部側の端部に設けられ、上記回転軸の軸方向に延びる導入孔と上記導入孔から分岐する複数の分岐孔を有し、上記導入孔は、上記回転軸の端部の端面に開口しており、上記分岐孔は、上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間のうち、上記気密用Ｏリングの内側で上記排気管の内部空間に連通する隙間に開口している。
【００１９】
これにより、半導体製造装置中の処理装置でウェハの処理を行なう間に、排気装置において、ガス導入手段により、回転軸取り出し部と回転軸との隙間に、パージガスが導入されるので、排気管の内圧が大気圧よりも高くなっても、処理装置内で発生した気体が排気管から外部へ漏洩するのを防止することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態における，排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部が設けられた排気装置の断面図である。図１は、アルカリ排気管及び酸排気管に共通の排気装置の構成を示している。
【００２４】
排気圧力調整部は、塩化ビニール樹脂からなる排気管１と、排気管１の内径と同程度の直径を有する塩化ビニール樹脂製の円板状の開閉弁３と、該開閉弁３を回転させるためのステンレス製の回転軸２とを備え、開閉弁３の１つの直径に沿った部分が固定用ビス４によって回転軸２に固定されている。つまり、開閉弁３は、その直径を通過する軸回りに回転自在に構成されている。ただし、必ずしも直径に沿った軸回りに回動する必要はなく、排気管１の開口面積を変化させるような運動を行なうことが可能に構成されていればよい。そして、回転軸２の一端部２ａが排気管１に設けられた凹部状の回転軸受け部１ａ内に挿入され、回転軸２の他端部２ｂが排気管１に設けられた円筒状の回転軸取り出し部１ｂを貫通して排気管１の外部に取り出されている。つまり、円板状の開閉弁３及び回転軸２は、回転軸受け部１ａと回転軸取り出し部１ｂとにより、回動自在に支持されており、開閉弁３の回動位置に応じて開閉弁３と排気管１の内周部との隙間が変化し、これにより、排気管１から排出される気体の量が可変に調整される。回転軸２の他端部２ｂ側には、排気気体の漏洩を防止するための気密用Ｏリング５と、気密用Ｏリング５を固定するための溝部（図示せず）が設けられている。なお、開閉弁３を下方から純水のシャワーによって洗浄するように構成されている。
【００２５】
ここで、本実施形態の排気圧力調整部の特徴は、以下の構成にある。回転軸２の他端部２ｂには、回転軸２の軸方向に延びる，パージ用ガスを導入するための導入孔７と、導入孔７から分岐する複数の（例えば４つの）分岐孔７ｂとが設けられている。そして、各分岐孔７ｂは、軸に対して約４５°（斜めに）傾いて形成されており、排気管１の回転軸取り出し部１ｂと回転軸２との隙間６のうち、気密用Ｏリング５の内側で排気管１の内部空間に連通する隙間６ａに開口している。導入孔７は、回転軸２の他端部２ｂの端面に開口していて、この開口部にパージ用配管８が接続されている。そして、パージ用配管８には、常時、窒素ガス（Ｎ２ ガス）や高圧エアなどのパージガスを隙間６ａに供給するためのガス供給用配管８ａと、間欠的に純水を隙間６ａに供給するための純水供給用配管８ｂと、純水供給用配管８ｂの開閉を制御するための開閉弁８ｃとが取り付けられている。この導入孔７，分岐孔７ｂ，パージ用配管８及びガス供給配管８ａにより、パージガス導入手段が構成されている。また、この導入孔７，分岐孔７ｂ，パージ用配管８，純水供給用配管８ｂ及び開閉弁８ｃにより、液導入手段が構成されている。
【００２６】
本実施形態の排気装置によれば、ガス供給用配管８ａからパージ用配管８，導入孔７及び分岐孔７ｂを経て、排気管１の内部空間に連通する隙間６ａに窒素ガス（Ｎ２ ガス）や高圧エアなどのパージガスを導入することができる。この構成によって、有害ガス等の発生気体（排気ガス）を排気する際に、隙間６ａにパージガスを導入しておくことによって、排気管１の内圧が大気圧よりも高くなっても、排気ガスが排気管１から外部へ漏洩するのを防止することができる。特に、分岐孔７ｂが回転軸２の軸方向に直交するのではなく、排気管１の内部側に向かうように斜めに傾いていることにより、排気管１の内部圧力が高まったときに、発生ガスが外部に流れ込もうとするのに対する抗力がより大きくなるという利点がある。
【００２７】
また、ガス供給用配管８ａから隙間６ａに窒素ガスなどのパージガスを供給することにより、気密用Ｏリング５や気密用Ｏリング５に接触する部材の寿命も延びるので、気密性がより向上することになる。
【００２８】
また、純水供給用配管８ｂから純水を供給しうる構造となっているので、回転軸２，Ｏリング５，排気管１の回転軸取り出し部１ｂなどに固着した異物を容易に除去することができるので、気密性がさらに向上することになる。
【００２９】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態における，排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部が設けられた排気装置の断面図である。図２は、アルカリ排気管及び酸排気管に共通の排気装置の構成を示している。
【００３０】
排気圧力調整部は、塩化ビニール樹脂からなる排気管１と、排気管１の内径と同程度の直径を有する塩化ビニール樹脂製の円板状の開閉弁３と、該開閉弁３を回転させるためのステンレス製の回転軸９とを備え、開閉弁３の１つの直径に沿った部分が固定用ビス４によって回転軸９に固定されている。つまり、開閉弁３は、その直径を通過する軸回りに回転自在に構成されている。ただし、必ずしも直径に沿った軸回りに回動する必要はなく、排気管１の開口面積を変化させるような運動を行なうことが可能に構成されていればよい。そして、回転軸９の一端部９ａが排気管１に設けられた凹部状の回転軸受け部１ａ内に挿入され、回転軸９の他端部９ｂが排気管１に設けられた円筒状の回転軸取り出し部１ｂを貫通して排気管１の外部に取り出されている。つまり、円板状の開閉弁３及び回転軸９は、回転軸受け部１ａと回転軸取り出し部１ｂとにより、回動自在に支持されており、開閉弁３の回動位置に応じて開閉弁３と排気管１の内周部との隙間が変化し、これにより、排気管１から排出される気体の量が可変に調整される。回転軸９の他端部９ｂ側には、排気気体の漏洩を防止するための気密用Ｏリング５と、気密用Ｏリング５を固定するための溝部（図示せず）が設けられている。なお、開閉弁３を下方から純水のシャワーによって洗浄するように構成されている。以上の構成は、回転軸９に導入孔及び分岐孔が形成されていない点を除けば、第１の実施形態と同じである。
【００３１】
ここで、本実施形態の排気圧力調整部の特徴は、以下の構成にある。排気管１の回転軸取り出し部１ｂには、軸方向に対して約４５°（斜めに）傾いて形成されたパージ用ガスを導入するための導入孔１０が設けられている。そして、導入孔１０の基端部は、排気管１の回転軸取り出し部１ｂと回転軸９との隙間６のうち、気密用Ｏリング５の内側で排気管１の内部空間に連通する隙間６ａに開口している。導入孔１０の先端は、回転軸取り出し部１ｂのフランジ部の外周面に開口していて、この導入孔１０の開口部には高圧のパージガスを供給するパージ用配管１１が接続されている。そして、パージ用配管１１には、常時、窒素ガスや高圧エアなどのパージガスを隙間６ａに供給するためのガス供給用配管１１ａと、間欠的に純水を隙間６ａに供給するための純水供給用配管１１ｂと、純水供給用配管１１ｂの開閉を制御するための開閉弁１１ｃとが取り付けられている。この導入孔１０，パージ用配管１１及びガス供給用配管１１ａにより、パージガス導入手段が構成されている。また、この導入孔１０，パージ用配管１１，純水供給配管１１ｂ及び開閉弁１１ｃにより、液導入手段が構成されている。
【００３２】
本実施形態の排気装置によれば、ガス供給用配管１１ａからパージ用配管１１，導入孔１０を経て、排気管１の内部空間に連通する隙間６ａに高圧の窒素ガスや高圧エアなどのパージガスを導入することができる。この構成によって、有害ガス等の発生気体（排気ガス）を排気する際に、隙間６ａに高圧のパージガスを導入することによって、排気管１の内圧が大気圧よりも高くなっても、排気ガスが排気管１から外部へ漏洩するのを防止することができる。特に、導入孔１０が回転軸９の軸方向に直交するのではなく、排気管１の内部側に向かうように斜めに傾いていることにより、排気管１の内部圧力が高まったときに、発生ガスが外部に流れ込もうとするのに対する抗力がより大きくなるという利点がある。
【００３３】
また、ガス供給用配管１１ａから隙間６ａに窒素ガスなどのパージガスを供給することにより、気密用Ｏリング５や気密用Ｏリング５に接触する部材の寿命も延びるので、気密性がより向上することになる。
【００３４】
また、純水供給用配管１１ｂから純水を供給しうる構造となっているので、回転軸９，Ｏリング５，排気管１の回転軸取り出し部１ｂなどに固着した異物を容易に除去することができるので、気密性がさらに向上することになる。
【００３５】
なお、本実施形態では、回転軸取り出し部１ｂに導入孔１０を１カ所のみに設けたが、多数の導入孔を設けてもよい。
【００３６】
（第３の実施形態）
−洗浄装置の構成−
図３は、第３の実施形態における半導体製造装置である洗浄装置の構成を示すブロック図である。この洗浄装置は、半導体ウェハを洗浄処理するための洗浄処理部３１と、洗浄に用いられる硫酸，弗酸，過酸化水素水，アンモニア水，塩酸等の薬液をそれぞれ蓄えておくための薬液タンク３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを有する薬液貯蔵部３２と、洗浄処理部３１で使用した薬液等の廃液をそれぞれの廃液の種類に応じて分別して回収するための廃液回収部３３と、洗浄処理部３１で発生した有害ガス等の発生ガスを排出するための排気処理部３４と、洗浄処理部３１，薬液貯蔵部３２，廃液回収部３３及び排気処理部３４に配置された各機器を制御するための制御部３５とを備えている。
【００３７】
洗浄処理部３１には、純水を供給するための純水供給管３６と、窒素ガスを導入するためのガス導入管３７とがそれぞれ開閉バルブ４２，４３を通じて接続されている。また、薬液タンク３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、それぞれ薬液供給管３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄにより洗浄処理部３１に接続されており、各薬液供給管３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄには、それぞれ開閉バルブ３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄが介設されている。
【００３８】
また、廃液回収部３３には、廃液を回収するためのドレンライン４１が設けられており、ドレンライン４１には、排液をその種類に応じて分別回収するための分岐管が取り付けられており、各分岐管には開閉バルブ４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄが介設されている。なお，各分岐管は、廃液をクリーンルームの外部に排出するための排出管（図示せず）にそれぞれ接続されている。
【００３９】
排気処理部３４は、基端が洗浄処理部３１に接続された主排気管３４ａと、主排気管３４ａの先端に設けられた排気分配部３４ｂと、排気分配部３４ｂからそれぞれ延びるアルカリ排気管３４ｃ及び酸排気管３４ｄとを備えている。アルカリ排気管３４ｃ及び酸排気管３４ｄには、それぞれ排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部４４ａ及び４４ｂが設けられている。また、アルカリ排気管３４ｃ及び酸排気管３４ｄの先端側には、排気をクリーンルームの外部に強制的に排出するための排気ダクト（図示せず）がそれぞれ接続されている。
【００４０】
ここで、本実施形態の洗浄装置の特徴は、アルカリ排気管３４ｃと酸排気管３４ｄとに、それぞれ排気管の開口面積を可変に調整できる排気圧力調整部４４ａ，４４ｂが設けられている点である。この排気圧力調整部４４ａ，４４ｂの構造は、上記第１又は第２の実施形態で説明したとおりであって、具体的には、図１又は図２に示す構造となっている。すなわち、アルカリ排気管３４ｃ及び酸排気管３４ｄのうち開閉弁３の回転を支持している回転軸取り出し部１ｂの隙間に、窒素ガス，パージガス及び純水を噴射し得るように構成されている。
【００４１】
これにより、第１又は第２の実施形態の排気装置を用いたウェハの洗浄を行なうことができ、ウェハの洗浄の際に発生する酸性ガスやアルカリ性ガス等の気体が排気管１の外部に漏洩するのを防止する効果が得られることになる。
【００４２】
本実施形態の半導体製造装置によれば、第１及び第２の実施形態と同様に、アルカリ排気管３４ｃ及び酸排気管３４ｄに設けられた排気圧力調整部４４ａ及び４４ｂには、ガス供給用配管（図示せず）及び純水供給用配管（図示せず）に接続されているパージ用配管４５ａ及び４５ｂからパージガスや純水を導入することができる。この構成によって、洗浄に使用する薬液から発生する有害ガス等の発生気体（排気ガス）を排気管３４ｃ又は３４ｄから排気する際に、排気管３４ｃ，３４ｄのそれぞれの回転軸取り出し部と回転軸との隙間にパージガスを導入することによって、排気管３４ｃ及び３４ｄの内圧が大気圧よりも高くなっても、排気ガスが排気管３４ｃ及び３４ｄから外部へ漏洩するのを防止することができる。
【００４３】
−洗浄処理の手順−
次に、本実施形態の洗浄装置を用いたウェハの洗浄処理を伴う半導体装置の製造方法について、フォトレジスト膜の除去（アッシング）後の洗浄処理を例にとって説明する。ここでは、第１，第２の実施形態のいずれの排気装置をも用いることができる。なお、以下の説明において、排気管１はアルカリ排気管３４あ及び酸排気管３４ｄに相当し、排気圧力調整部４４ａ，４４ｂについては、第１又は第２の実施形態の排気装置の構成を用いて説明する。
【００４４】
図４は、本実施形態の洗浄処理の手順を示すフローチャート図である。図４において、右側には、洗浄処理に沿った排気装置側における処理の内容が付記されている。
【００４５】
まず、ステップＳＴ１で、ウェハのセットを行なう。すなわち、ウェハをカセットにセットして、カセットを洗浄処理部３１のチャンバ内のターンテーブルにセットする。このとき、ウェハをセットする前から、排気管１の回転取り出し部１ｂには、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給されている。そして、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００４６】
次に、ステップＳＴ２で、制御部３５により、バルブの切り換え制御を行なう。まず、酸排気管３４ｄの開閉弁４４ｂを開いて、アルカリ排気管３４ｃの開閉弁４４ａを閉じる。次に、薬液貯蔵部３２のうち硫酸と過酸化水素水の入っている薬液タンクの開閉バルブを開け、かつ、廃液回収部３３のうち硫酸と過酸化水素水の混合液を回収するための開閉バルブを開く。このとき、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００４７】
次に、ステップＳＴ３で、ウェハの酸洗浄を行なう。洗浄処理部３１のチャンバを閉じ、ターンテーブルを回転させた状態で、カセット内にセットされているウェハに純水を噴射した後、硫酸過水（硫酸水溶液と過酸化水素水との混合液）をウェハにスプレーする。このとき、酸排気管３４ｄの開閉弁４４ｂは開かれたたままである。つまり、硫酸過水から発生する酸性の発生気体を、酸排気管４４ｄから排気ダクトを通じてクリーンルーム外にある酸用処理装置まで強制的に排出する。また、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００４８】
次に、ステップＳＴ４で、ウェハを純水とＮ２ とによってすすぎ洗浄する。つまり、ウェハに付着している薬液を除去するのである。このとき、酸排気管３４ｄの開閉弁４４ｂは開かれたたままである。
【００４９】
また、このウェハのすすぎ洗浄の際、排気分配部３４ｂに設けられているシャワー噴射口から排気管１の開閉弁３，回転軸２（又は９）等にシャワーを噴射して、開閉弁３，回転軸２（又は９）等をすすぎ洗浄する。
【００５０】
同時に、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）を開いて、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６ａに、導入孔７の分岐孔７ｂ（又は導入孔１０）から純水を噴射して、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの内周部付近全体の各部材（回転軸２（又は９），開閉弁３，気密用Ｏリング５など）を洗浄する。この間、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）は開かれたままであり、窒素ガスの圧力によって純水が噴射される。
【００５１】
以上によって、酸処理が終了すると、ステップＳＴ５で、制御部３５によりバルブの切り換えを行なう。つまり、酸排気管３４ｄの開閉弁４４ｂを閉じて、アルカリ排気管３４ｃの開閉弁４４ａを開く。また、薬液貯蔵部３２のうちアンモニアと過酸化水素水の入っている薬液タンクの開閉バルブを開け、かつ、廃液回収部３３のうちアンモニアと過酸化水素水の混合液を回収するための開閉バルブを開く。この間、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００５２】
次に、ステップＳＴ６で、ウェハのアルカリ洗浄を行なう。洗浄処理部３１のチャンバ内で、アンモニア過水（アンモニア水溶液と過酸化水素水との混合液）をウェハにスプレーする。このとき、アルカリ排気管３４ｃの開閉弁４４ａは開かれたたままである。この間、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００５３】
次に、ウェハを純水とＮ２ ガスとによってすすぎ洗浄する。つまり、ウェハに付着している薬液を除去するのである。このとき、アルカリ排気管３４ｃの開閉弁４４ａは開かれたたままである。つまり、アンモニア過水から発生するアルカリ性の発生気体を、アルカリ排気管４４ｃから排気ダクトを通じてクリーンルーム外にあるアルカリ用処理装置まで強制的に排出する。
【００５４】
また、このウェハのすすぎ洗浄の際に、排気分配部３４ｂに設けられているシャワー噴射口から排気管１の開閉弁３，回転軸２等にシャワーを噴射して、開閉弁３，回転軸２（又は９）等をすすぎ洗浄する。
【００５５】
同時に、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）を開いて、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６ａに、導入孔７の分岐孔７ｂ（又は導入孔１０）から純水を噴射して、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの内周部付近全体の各部材（回転軸２（又は９），開閉弁３，気密用Ｏリング５など）を洗浄する。この間、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）は開かれたままであり、窒素ガスの圧力によって純水が噴射される。
【００５６】
以上によって、すすぎ洗浄が終了すると、ステップＳＴ８で、洗浄処理部３１のチャンバ内でウェハの最終水洗を行なった後、ステップＳＴ９で、チャンバ内にＮ２ ガスを流してウェハを乾燥させる。この間、ガス供給用配管８ａ（又は１１ａ）から窒素ガス（Ｎ２ ガス）が供給され、純水供給用配管８ｂ（又は１１ｂ）の開閉弁８ｃ（又は１１ｃ）は閉じられている。
【００５７】
なお、以上の洗浄処理においては、排気分配部３４ｂに設けられているシャワー噴射口から排気管１の開閉弁３，回転軸２（又は９）等にシャワーを噴射して、開閉弁３，回転軸２（又は９）等をすすぎ洗浄すると同時に、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６ａに純水を噴射して、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの内周部付近全体の各部材を洗浄したが、本発明の洗浄方法は係る実施形態に限定されるものではない。すなわち、排気管１内の下方から開閉弁３，回転軸２（又は９）等をすすぎ洗浄する動作と、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの内周部付近全体の各部材を洗浄する動作とは、独立して行なうことが可能である。
【００５８】
また、図４に示すフローチャートのごとく、排気管１の回転軸取り出し部１ｂにＮ２ ガスを常時流す必要はなく、酸洗浄，アルカリ洗浄，すすぎ洗浄などのときのみＮ２ ガスを流すようにしてもよい。また、Ｎ２ ガスに代えて、不活性ガスあるいは高圧空気などの他のガスを流すようにしてもよい。
【００５９】
さらに、図４に示すフローチャートにおいては、ウェハのすすぎ洗浄のときのみ排気管１の回転軸取り出し部１ｂに純水の噴射を行なうようにしたが、酸洗浄（ステップＳＴ３）やアルカリ洗浄（ステップＳＴ６）においても、排気管１の回転軸取り出し部１ｂに純水の噴射を行なうようにしてもよい。
【００６０】
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、ウェハの酸洗浄又はアルカリ洗浄などの薬液処理のときには、排気管１の回転軸取り出し部１ｂにＮ２ ガス又は高圧ガスなどのパージガスを流すようにしたので、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６から酸性ガス，アルカリ性ガスなどの排気ガスが漏洩するのをパージガスによって防止することができる。
【００６１】
すなわち、排気管１を流れる排気ガスの圧力は、一般には大気圧よりも小さい，つまり負圧であるが、状況によっては大気圧よりも高い圧力，つまり正圧になることがある。その場合、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６ｂから排気ガスが外部に流れ出そうとするが、パージガスの圧力を排気管１内の圧力よりも高く設定しておくことにより、排気ガスが隙間６ｂから排気管１の内部に押し戻されるので、排気ガスの外部への漏洩を防止することができる。
【００６２】
また、パージガスを排気管１の回転軸取り出し部１ｂに供給することにより、気密用Ｏリング５及びその周辺の部材に固着しようとする異物を吹き飛ばすことができるので、気密用Ｏリング５及びその周辺の部材の寿命が向上することになる。
【００６３】
また、ウェハの薬液処理が終了した後、又はウェハの薬液処理と同時に、排気管１の回転軸取り出し部１ｂを純水によって洗浄しているので、気密用Ｏリング５及びその周辺の部材に固着しようとする異物を洗浄により除去することができるので、気密用Ｏリング５及びその周辺の部材の寿命がより向上することになる。
【００６４】
なお、上記各実施形態においては、排気管１の回転軸取り出し部１ｂの隙間６Ｂに純水を噴射するようにしたが、純水の代わりに水蒸気を供給してもよい。また、純水や水蒸気に代えて、水以外の物質からなる洗浄液，又は水以外の物質の蒸気を供給してもよい。
【００６５】
【発明の効果】
本発明の排気装置または半導体製造装置によれば、排気管の回転軸取り出し部と回転軸との隙間に、パージガスを導入するようにしたので、排気ガスが排気管から外部に漏洩するのをパージガスによって阻止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態における排気圧力調整部が設けられた排気装置の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態における排気圧力調整部が設けられた排気装置の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態における半導体製造装置である洗浄装置の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の第３の実施形態の洗浄処理の手順を示すフローチャート図である。
【図５】従来の洗浄装置の構成を示すブロック図である。
【図６】従来の排気圧力調整部が設けられた排気装置の断面図である。
【符号の説明】
１ 排気管
１ａ 回転軸受け部
１ｂ 回転軸取り出し部
２ 回転軸
３ 開閉弁
４ 固定用ビス
５ 気密用Ｏリング
６ 隙間
６ｂ 隙間
７ 導入孔
７ｂ 分岐孔
８ パージ用配管
８ａ ガス供給用配管
８ｂ 純水供給用配管
８ｃ 開閉弁
９ 回転軸
１０ 導入孔
１１ パージ用配管
１１ａ ガス供給用配管
１１ｂ 純水供給用配管
１１ｃ 開閉弁
３１ 洗浄処理部
３２ 薬液貯蔵部
３３ 廃液回収部
３４ 排気処理部
３５ 制御部
Claims (7)
- 排気管の開口面積を可変に調整するための排気圧力調整部を有する排気装置において、
上記排気圧力調整部は、
上記排気管内に、上記排気管の開口面積を変化させるように回動自在に設けられた開閉弁と、
上記排気管内から上記排気管の外方まで延びるように設けられ、上記開閉弁を回動させるための回転軸と、
上記排気管に設けられ、上記回転軸を上記排気管の内方に位置する部分と外方に位置する部分との間で支持するための回転軸取り出し部と、
上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に設けられた気密用Ｏリングと、
上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に、パージガスを導入するためのパージガス導入用孔を含むガス導入手段とを備え、
上記パージガス導入用孔は、上記回転軸の上記回転軸取り出し部側の端部に設けられ、上記回転軸の軸方向に延びる導入孔と上記導入孔から分岐する複数の分岐孔を有し、
上記導入孔は、上記回転軸の端部の端面に開口しており、
上記分岐孔は、上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間のうち、上記気密用Ｏリングの内側で上記排気管の内部空間に連通する隙間に開口していることを特徴とする排気装置。 - 請求項１記載の排気装置において、
上記分岐孔は、上記回転軸の軸に対して斜めに傾いて形成されていることを特徴とする排気装置。 - 請求項１又は２記載の排気装置において、
上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に、洗浄液又は蒸気を導入するための液導入手段をさらに備えていることを特徴とする排気装置。 - ウェハを処理するための処理装置と、該処理装置に接続される少なくとも１つの排気管と、該少なくとも１つの排気管の開口面積を可変に調整するための排気圧力調整部を有する排気装置とを備えた半導体製造装置において、
上記排気装置の上記排気圧力調整部は、
上記排気管内に、上記排気管の開口面積を変化させるように回動自在に設けられた開閉弁と、
上記排気管内から上記排気管の外方まで延びるように設けられ、上記開閉弁を回動させるための回転軸と、
上記排気管に設けられ、上記回転軸を上記排気管の内方に位置する部分と外方に位置する部分との間で支持するための回転軸取り出し部と、
上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に設けられた気密用Ｏリングと、
上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に、パージガスを導入するためのパージガス導入用孔を含むガス導入手段とを備え、
上記パージガス導入用孔は、上記回転軸の上記回転軸取り出し部側の端部に設けられ、上記回転軸の軸方向に延びる導入孔と上記導入孔から分岐する複数の分岐孔を有し、
上記導入孔は、上記回転軸の端部の端面に開口しており、
上記分岐孔は、上記排気管の上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間のうち、上記気密用Ｏリングの内側で上記排気管の内部空間に連通する隙間に開口していることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項４記載の半導体製造装置において、
上記分岐孔は、上記回転軸の軸に対して斜めに傾いて形成されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項４又は５記載の半導体製造装置において、
上記回転軸取り出し部と上記回転軸との隙間に、洗浄液又は蒸気を導入するための液導入手段をさらに備えていることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項４〜６のうちいずれか１つに記載の半導体製造装置において、
上記排気装置は、上記処理装置から延びる排気分配部を有し、
上記少なくとも１つの排気管は、上記排気分配部から延びる複数の排気管であり、
上記複数の排気管の各排気管に、上記排気圧力調整部が設けられていることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001344207A JP3566948B2 (ja) | 2001-02-07 | 2001-11-09 | 排気装置及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001030576 | 2001-02-07 | ||
| JP2001-30576 | 2001-02-07 | ||
| JP2001344207A JP3566948B2 (ja) | 2001-02-07 | 2001-11-09 | 排気装置及び半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002313770A JP2002313770A (ja) | 2002-10-25 |
| JP3566948B2 true JP3566948B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=26609037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001344207A Expired - Fee Related JP3566948B2 (ja) | 2001-02-07 | 2001-11-09 | 排気装置及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3566948B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102096953B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2020-05-27 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 방법 |
| CN107335550A (zh) * | 2017-07-01 | 2017-11-10 | 宁波华成阀门有限公司 | 一种高疲劳高耐蚀水垢冲洗阀主体及其制造方法 |
-
2001
- 2001-11-09 JP JP2001344207A patent/JP3566948B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002313770A (ja) | 2002-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7329322B2 (en) | Exhaust apparatus, semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3563605B2 (ja) | 処理装置 | |
| US8864937B2 (en) | Substrate treatment apparatus | |
| US8501025B2 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
| TWI654705B (zh) | 基板處理裝置 | |
| JPH10209110A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| KR20080028921A (ko) | 액처리 장치 및 액처리 방법 | |
| JP2007335826A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2006278955A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2008504674A (ja) | １つ以上のウエハ上に液体を排出して乾燥処理するための装置及び方法 | |
| US6647642B2 (en) | Liquid processing apparatus and method | |
| JPH0531472A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP3566947B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3566948B2 (ja) | 排気装置及び半導体製造装置 | |
| JP2004235559A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2002334863A (ja) | Ｆｏｕｐ用ドアシェルの洗浄乾燥方法及び装置 | |
| JPH09270412A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JP2006229262A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JP2017135169A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR20080009838A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP2002043272A (ja) | 基板洗浄装置及び基板処理装置 | |
| TWI390618B (zh) | 用於清洗半導體晶片的方法和裝置 | |
| JP3648329B2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH0864514A (ja) | 基板処理方法及び装置 | |
| JPH07283126A (ja) | 基板の回転式乾燥処理方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040122 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040420 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040506 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040608 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040611 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080618 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080618 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |