JP3563971B2 - 信号処理装置及びそれを用いた撮像装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はノイズ除去回路を備えた信号処理装置及びそれを用いた撮像装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図10は、信号を順次出力する信号処理装置である。
【0003】
同図では、シフトレジスタ100によってMOSトランジスタ101を制御することによって、順次信号S1,S2,…,Sn非反転出力回路(電圧フォロワ回路)103を介して出力線102に読み出されている。
【0004】
また、図11はノイズ除去回路を持った光電変換装置である。
【0005】
増幅型光電変換装置は画素で発生するノイズが大きいという欠点を持っているため、ノイズ除去回路を必要とする。増幅型光電変換装置には、BASISやCMOSセンサ等がある。同図において、光電変換素子70を2次元に配列したCMOSセンサを示しているかBASISであっても、一次元のセンサであっても同様のノイズ除去回路が使われている。
【0006】
図8において、71はラインを制御する水平駆動線、72は画素の出力をノイズ除去回路74へ出力するための垂直出力線73は画素70のアンプMOSトランジスタに対する負荷MOSトランジスタや定電流源を有している。74は一般にS−N方式と呼ばれるノイズ除去回路であり、N用の電荷を蓄積する容量CTN77とS用の電荷を蓄積する容量CTS78とそれぞれの容量のスイッチ用MOS75、76と水平走査回路85で駆動される水平駆動MOS、79、80で構成されている。S信号とN信号はそれぞれ電圧フォロワ回路82、83を介して差動増幅器84へ入力されノイズ除去され外部へ出力される。ここで、画素70からの光出力をVP 、ノイズをVN 、蓄積容量値をCT 、水平出力線の寄生容量をCH とすると最終の出力VOUT は
【0007】
【外1】
となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来例では、以下のような欠点があった。
【0009】
まず、図10の従来例では、非反転出力回路を介して信号の出力を行ってるために出力時に非反転出力回路のノイズ信号(例えばオフセット信号等)が一緒に信号に加わって出力されてしまう。
【0010】
次に、図11の従来例では、
▲1▼大きなMOS容量を2つ設けるためチップ面積が増大する。特に微細化が進むと、大部分がこのMOS容量を占めてしまうことになり、深刻な問題となる。
▲2▼S用の容量とN用の容量の値がずれるとノイズ補正の効果が悪化する(CT のバラツキ)。
▲3▼蓄積容量と寄生容量との容量分割比により感度がCT /(CT +CH )に低下する。
【0011】
そのために、本発明に係わる第1の目的は、非反転出力回路からノイズのない高精度の信号を読み出すことである。
【0012】
第2の発明の目的はチップ面積の縮少、第3の目的は読み出しサインの向上、であり、高精度のノイズ除去を簡単に実現することである。又、多数回読み出しが可能なノイズ除去方式の提案である。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決するために、本発明では、光電変換画素と、前記光電変換画素からの信号を処理するノイズ除去回路とを有し、前記ノイズ除去回路は、電圧フォロワ回路と、クランプ容量と、前記クランプ容量の第1の端子に接続されたクランプスイッチと、前記光電変換画素からの信号を前記電圧フォロワ回路に転送する第1のスイッチと、前記光電変換画素からの信号を前記クランプ容量の第2の端子に転送する第2のスイッチと、前記クランプ容量の前記第1の端子からの信号を前記電圧フォロワ回路に転送する第3のスイッチと、前記電圧フォロワ回路から出力された信号を前記クランプ容量の前記第2の端子に転送する第4のスイッチとを有することを特徴とする信号処理装置を提供する。
【0032】
【発明の実施の形態】
(第1の実施例)
図1は本発明の特徴を最も良く表す図面であり、同図において、1は光電変換が行われるPnフォトダイオード、2は光電変換された電荷を転送するための転送ゲート、3は電荷をリセットするためのリセットMOSトランジスタ、4は増幅用MOSトランジスタ、5は定電流源であり、4の増幅用MOSトランジスタとの組み合わせてソースフォロワ回路を形成している。以上の1〜5で1つの光電変換画素を構成する。6は差動増幅アンプで出力を負の入力端子にフィードバックさせて電圧フォロワで動作させる。7は光電変換画素からの出力を電圧フォロワ回路へ入力させるためのスイッチMOSトランジスタ、8はクランプ容量、9はクランプ電位を入力するためのスイッチMOSトランジスタで、8と9でクランプ回路を構成している。10はクランプ回路に光電変換画素の出力を入力させるためのスイッチMOSトランジスタ、11はクランプ回路と電圧フォロワ回路を接続させるためのスイッチMOSトランジスタ、12は電圧フォロワの出力をクランプ回路へ入力させるためのスイッチMOSトランジスタであり、6〜12でノイズ除去回路を構成している。13はノイズが除去させた光電変換出力を出力増幅器15へ出力させるためのスイッチMOSトランジスタで、14の走査回路によって駆動される。
【0033】
次に図2に示すタイミングチャートを用いて、本発明のノイズ除去動作について説明する。
【0034】
先ず時刻T0 において、φRS、φTをONすることにより、フォトダイオードをリセットする。次の時刻T1 においてφTをOFFすることにより、フォトダイオードのリセットを完了させて蓄積状態に入る。
【0035】
時刻T2 からノイズ除去動作に入る時刻T2 において、φTN、φFCをONすることにより、光電変換画素の出力をスイッチMOS7を介して電圧フォロワ回路6へ入力し、その電圧フォロワ回路の出力をスイッチMOS12を介して、クランプ容量8へ入力する。次の時刻T3 、T4 においてスイッチMOS12、スイッチMOS7の順にOFFさせる。この時、クランプ容量8にはノイズを含んだセンサ出力と電圧フォロワ回路のオフセット電圧が加算された電圧が保持される。
VCP=Vdavk+VFPN +VRN+Voff (1)
(Vdavk=センサ暗時電圧、VFPN =固定パターンノイズ電圧、VRN=ランダムノイズ電圧、Voff =電圧フォロワ回路オフセット電圧)
時刻T5 においてφTS2をONさせることによりクランプ回路と電圧フォロワ回路を接続させて、時刻T6 においてφGRをOFFさせてクランプ動作を終了させる。
【0036】
時刻T7 から蓄積動作に入り、所望の時刻が過った後、時刻T8 、T9 で信号読み出し動作に入る。時刻T8 でφRSをOFFさせた後、時刻T9 でφTをONさせフォトダイオードで発生した電荷をソースフォロワ回路のアンプMOS4のゲートへ転送する。この時の電位変化が光信号として出力されることになる。
【0037】
この時のソースフォロワの出力は、
VP +Vdavk+VFVN +VRN(2)
となる。ここでVP は光信号電圧である。この電圧がスイッチMOS10を介してクランプ回路へ入力される。この時、先に蓄積されている電圧(1)との差分により、電圧フォロワ回路からの出力は、
VOUT =(2)−(1)+Voff =VP
となる。つまり、電圧フォロワ回路からは光電変換画素のノイズのみならず、電圧フォロワ回路のノイズも除去された信号を得ることができる。又、最終段の出力増幅器15へゲインを落とさずに出力できるため、容量分割によるゲイン低下といった問題もなくなる。
【0038】
その他、従来容量分割の低下を防ぐために大きな容量を2つ必要としていたが、本発明ではその半分以下の容量が可能であるため、従来の1/4以下に容量の面積を低減させることが可能である。本発明で必要とするクランプ容量の値としては、電圧フォロワの入力容量と寄生容量との比を考えて設定することが好ましい。
【0039】
以上述べた様に、本発明において微細化に対応したチップ面積の小さな高感度のセンサを実現することが可能となった。特に非破壊読み出しが可能であるためリアルタイムAGC等を必要とするカメラ用AFセンサには絶大な効果を生み出す。
【0040】
(第2の実施例)
図3に本発明の第2実施例について示す。本実施例は、フォトダイオードの出力をそのままソースフォロワ回路のアンプMOSのゲートに入力させるAMI型センサ(Amprified Mos Imager)に応用した場合である。本実施例において、実施例1と同様のノイズ除去回路を設けているため、実施例1と同様の効果を得ることができる。なお、本実施例において光電変換画素内のトランジスタはnMOS構成としているが、pMOS構成としても同様であることは、実施例1と同じである。
【0041】
(第3の実施例)
図4に本発明の第3実施例について示す。本実施例においてソースフォロワ回路を2段構成にして、第2段目のソースフォロワ回路のゲートにメモリ容量を設けた画素になっていることを特徴とする本実施例のセンサをコンタクトセンサとして用いる場合、チップ面積が従来よりも大幅に削減できるため、コスト的に非常に有利となる。特に等倍型コンタクトセンサに有効となる。
【0042】
本発明においても、光電変換画素内のトランジスタをnMOSトランジスタ、pMOSトランジスタ、あるいは初段がnMOSトランジスタ、後段がpMOSトランジスタ、更にはその逆の構成であっても構わない。
【0043】
(第4の実施例)
図5に本発明の第4実施例について示す。本発明においてフォトダイオードの出力をCMOS構成の電圧フォロワ回路に入力する画素を用いたことを特徴とする。
【0044】
本実施例において、差動アンプの電圧フォロワ回路を用いているため、画素の出力のFPNが小さいことが特徴となる。そして、後段のノイズ除去回路との組み合わせにより、更なるノイズ低減が可能となる。
【0045】
本実施例において、特にノイズが小さいことが望まれるセンサに応用できる。とりわけ、カメラ用AFセンサとして有効となる。
【0046】
第1〜第4の実施例で、光電変換画素は上記で述べられたものに限るのではなく、BASIS、CMD、SIT、FGA等の光電変換画素であってもよい。又、フォトダイオードの信号を増幅せずに出力するものでもよい。
【0047】
(第5の実施例)
図6に本発明の第5実施例について示す。本実施例では2次元光電変換装置に応用した例である。同図において、70が光電変換素子であり、2次元状に配列されている。ここでは、CMOSセンサを例にあげているが、他にBASIS、AMI、CMD、SIT、FGA等の光電変換画素であっても同様である。又、フォトダイオードの信号を増幅して出力するものではなく、増幅せずに出力するものでもよい。本実施例において、2次元光電変換装置で本発明を用いたことにより、チップ面積縮少、感度向上といった1次元と同様の効果が得られる。
【0048】
図7に本発明で用いられている差動入力回路6の回路図について示す。CMOS型差動アンプとなっているが、BiCMOS型であっても同様である。又、回路構成も出力がプッシュプル形式であっても構わない。言いかえれば差動増幅器であればどの様な形式でも構わない。
【0049】
上記で述べたように、第5実施例では、1列に1つノイズ除去回路を設けているが、それぞれの光電変換画素ごとにノイズ除去回路を設けてもよい。
【0050】
(第6の実施例)
図6を用いて本発明の第6実施例を示す。本実施例は、1行中の光電変換画素のピーク信号(最大値信号、最小値信号)を検出するものである。
【0051】
実施例5では、水平走査回路14から順次スイッチMOSトランジスタ13にパルスを入力することによってそれぞれの光電変換画素の信号が出力されていた。本実施例では、水平走査回路からスイッチMOSトランジスタに順次パルスを入力するのではなく、同時にパルスを入力することによって、1行中の光電変換画素からの信号を同時に電圧フォロワ回路6から出力することによって1行中の光電変換画素のピーク信号が得られる。ここで、電圧フォロワ回路として図7(a)の出力段がn型トランジスタであるものを用いた場合には、1行中の光電変換画素の最大値信号が、図7(b)の出力段がP型トランジスタであるものを用いた場合には、1行中の光電変換画素の最小値信号が得られる。
【0052】
又、奇数列には図7(a)の電圧フォロワ回路を、偶数列には図7(b)の電圧フォロワ回路を用いた場合には、水平走査回路から同時に奇数列のスイッチMOSトランジスタ13にパルスを入力し、次に水平走査回路から同時に偶数列のスイッチMOSトランジスタ13にパルスを入力することにより、1行中の光電変換画素のほぼ最大値信号と、ほぼ最小値信号が得られる。
【0053】
(第7の実施例)
図8を用いて本発明の第7実施例を示す。本実施例では、第6実施例よりもさらに精度よく1行中の光電変換画素のピーク信号(最大値信号、最小値信号)を検出するものである。
【0054】
第6実施例では、1行中の奇数光電変換画素の最大値信号と、1行中の偶数光電変換画素の最小値信号を得ているため、低解像度のセンサーの場合に、誤差が生じる場合がある。
【0055】
そのために、本実施例では1つの列に並列に最大値検出用(図7(a))のものと、最小値検出(図7(b))のものの2つを設けている。そして、最大値検出用の電圧フォロワ回路に接続されたスイッチMOSトランジスタに同時に水平走査回路からパルスを入力することにより、水平出力線には1行中の光電変換画素の最大値信号が出力され、最小値検出用の電圧フォロワ回路に接続されたスイッチMOSトランジスタに同時に水平走査回路からパルスを入力することにより、水平出力線には1行中の光電変換画素の最小値信号が出力される。
【0056】
第6実施例及び第7実施例において水平走査回路に、上記述べたような複数のスイッチMOSトランジスタに同時にパルスを入力できるようにする構成と、複数のスイッチMOSトランジスタに順次パルスを入力できるようにする構成を持たせることにより、それぞれ1光電変換画素ずつの個別信号と、1行中の光電変換画素の最大値信号及び最小値信号を得ることができる。
【0057】
実施例6、実施例7では1行中の光電変換画素中のピーク信号を得ているが、例えば垂直走査回路からすべての行に同時にパルスを出力することにより、1列中の光電変換画素のピーク信号を得てもよい。又、例えば垂直走査回路及び水平走査回路の任意の複数のパルスを同時に出力できるようにすることにより、光電変換装置中の任意のエリア中のピーク信号を得ることができる。
【0058】
(第8の実施例)
図9を用いて、本発明の第8の実施例を示す。本実施例は、実施例6又は実施例8で示した信号処理装置を用いた撮像装置をあらわすものである。
【0059】
同図に示す光電変換装置90からは、例えば1行中の光電変換画素の最大値信号及び最小値信号が出力され差動増幅回路91で差分増幅されコンパレータ92に入力される。そしてコンパレータの出力は、オンチップ又は外付けの蓄積時間制御回路93に入力される。ここで蓄積時間制御回路では、差動増幅回路の出力が基準電圧Vrefよりも大きくなった場合に、光電変換装置に光の蓄積を停止するように制御している。この光の蓄積の停止に従って、次はそれぞれの光電変換画素からの信号を個別に出力し、信号処理回路94でホワイトバランス等の処理を行って画像を得ている。
【0060】
上記第1〜第7の実施例において、信号を発生する部分として光電変換画素が例としてあげられているが、本発明は光電変換画素に限られるものではなく、その他の信号を発生するものでもよい。又、上記第1〜第8の実施例においてクランプ回路8、9からの出力は電圧フォロワ回路6を介して出力される実施例となっているが、クランプ回路8、9からの出力を例えば2倍に増幅して出力する回路でもよい。この場合、2倍に増幅する出力回路から出力された光電変換画素からのノイズ信号電圧と出力回路のオフセット電圧の加算された電圧は、抵抗等によって0.5倍にされてクランプ回路8、9に入力されることになる。
【0061】
ここで、実施例1〜8においては、信号源は光電変換画素に、ノイズ除去手段、演算手段はノイズ除去回路6〜12に、非反転出力回路は電圧フォロワ回路に相当している。
【0062】
又、実施例6〜8においてはピーク信号出力手段は、複数個のパルスを同時に出力させることができる走査回路、又は垂直走査回路又は水平走査回路又は垂直走査回路及び水平走査回路に相当している。
【0063】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、
・ノイズのない高精度な信号を非反転出力回路から得ることができる。
・チップ面積の縮少により低コスト化が可能となる。
・容量分割による感度低下が発生しないため、高S/Nの光電変換装置が可能となる。このため撮像装置として用いる場合、従来よりも低輝度でも撮影可能となる。
・簡単な回路構成であるため、微細化が進んでも対応が可能である。
・多数回読み出し(非破壊読み出し)が可能であるため、様々な用途で使用可能となる。
・任意の複数の信号源からピーク信号が得られるため、様々な用途に使用可能となる。
・任意の複数の光電変換画素からのピーク信号を利用することにより、被写体が高コントラスト、低コントラストにかかわらず、鮮明な画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る回路図である。
【図2】本発明の第1実施例に係るタイミングチャートである。
【図3】本発明の第2実施例に係る回路図である。
【図4】本発明の第3実施例に係る回路図である。
【図5】本発明の第4実施例に係る回路図である。
【図6】本発明の第5実施例に係る回路図である。
【図7】本発明に用いられている差動増幅器の一例である。
【図8】本発明の第6実施例に係る回路図である。
【図9】本発明の第7実施例に係る回路図である。
【図10】第1の従来例に係る回路図である。
【図11】第2の従来例に係る回路図である。
【符号の説明】
1 Pnフォトダイオード
2 転送ゲート
3 リセットMOSスイッチ
4 増幅用MOSトランジスタ
5 定電流源
6 差動増幅器
7 スイッチMOS
8 クランプ容量
9 クランプMOSスイッチ
10 スイッチMOS
11 スイッチMOS
12 スイッチMOS
13 出力選択MOS
14 走査回路
15 出力増幅器
70、100、101、102、103 光電変換画素
71 水平駆動線
72 垂直出力線
73 定電流MOS
74 S−Nノイズ補正回路
75、76 スイッチMOS
77、78 蓄積容量
79、80 水平選択MOSスイッチ
81 水平線リセットMOS
82、83 電圧フォロワ回路
84 出力増幅器
85 水平走査回路
86 垂直走査回路
110 ノイズ除去回路
Claims (3)
- 光電変換画素と、
前記光電変換画素からの信号を処理するノイズ除去回路とを有し、
前記ノイズ除去回路は、電圧フォロワ回路と、クランプ容量と、前記クランプ容量の第1の端子に接続されたクランプスイッチと、前記光電変換画素からの信号を前記電圧フォロワ回路に転送する第1のスイッチと、前記光電変換画素からの信号を前記クランプ容量の第2の端子に転送する第2のスイッチと、前記クランプ容量の前記第1の端子からの信号を前記電圧フォロワ回路に転送する第3のスイッチと、前記電圧フォロワ回路から出力された信号を前記クランプ容量の前記第2の端子に転送する第4のスイッチとを有することを特徴とする信号処理装置。 - 請求項1に記載の信号処理装置において、前記信号処理装置は、前記光電変換画素と前記ノイズ除去回路とを、各々複数有するとともに、一つの光電変換画素に対して一つのノイズ除去回路を有し、前記信号処理装置は、さらに、複数の前記ノイズ除去回路からの信号を出力する出力増幅器と、複数の前記ノイズ除去回路からの信号を前記出力増幅器に出力するための複数の選択スイッチと、前記複数の選択スイッチを走査する走査回路と、を有することを特徴とする信号処理装置。
- 請求項2に記載の信号処理装置と、前記信号処理装置から出力される複数の前記ノイズ除去回路のピーク信号によって前記信号処理装置内の前記光電変換画素への光の蓄積量を制御する光蓄積量制御手段と、を有する撮像装置。
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