JP3561602B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数種類のビット幅で読み書きのアクセスが可能なスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(以下、「SRAM」という)、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(以下、「DRAM」という)等の半導体記憶装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図2は、従来のSRAMの概略の構成図である。
このSRAMは、8ビット64ワード構成となっており、図示しない中央処理装置(以下、「CPU」という)等のアドレスバス1に接続されて、アドレス信号A0〜A5が与えられるアドレスデコーダ2を有している。アドレスデコーダ2は、与えられた6ビットのアドレス信号A0〜A5を解読し、解読された番地に対応する1本のワード線WDi(但し、i=0〜63)を活性化するものである。各ワード線WDiには、それぞれ8個のメモリセル(MC)3i0,3i1,…,3i7が接続されている。各メモリセル3i0〜3i7は、例えば、フリップフロップで構成され、それぞれi番地のデータビット0,1,…,7を記憶する回路である。
また、0番地から63番地までの各番地の同一ビット(例えば、データビットj、但し、j=0〜7)のメモリセル30j,31j,…,363 jは、共通のビット線BLjを介してセンスアンプ(SA)4jに接続されている。各センスアンプ40〜47は、データバス5を介してCPUに接続されている。各センスアンプ40〜47には、CPUから制御バス6を介して、書込み制御信号WM、及び読出し制御信号RMが与えられるようになっている。
【0003】
このようなSRAMに対してCPUからデータを書込む場合、このCPUは、データを書込むべきアドレスを示すアドレス信号A0〜A5をアドレスバス1へ出力し、書込むべきデータをデータバス5に出力するとともに、制御バス6上の書込み制御信号WMを活性化する。これにより、それぞれデータバス5に与えられたデータは、各センスアンプ4jによって、ビット線BLj上に出力される。一方、アドレス信号A0〜A5は、アドレスデコーダ2によって解読され、対応するワード線WDiが活性化される。これにより、ワード線WDiに接続する各メモリセル3i0〜3i7に、それぞれビット線BL0〜BL7上のデータが書込まれる。
また、CPUがSRAMからデータを読出す場合、このCPUは、データを読出すべきアドレスを示すアドレス信号A0〜A5をアドレスバス1へ出力するとともに、制御バス6上の読出し制御信号RMを活性化する。アドレス信号A0〜A5は、アドレスデコーダ2によって解読され、対応するワード線WDiが活性化される。これにより、ワード線WDiに接続された各メモリセル3i0〜3i7から、それぞれ保持されているデータがビット線BL0〜BL7上に出力される。ビット線BL0〜BL7上に出力されたデータは、それぞれセンスアンプ40〜47によって論理レベルまで増幅されて、データバス5に出力される。
以上のように、このSRAMは、8ビットのデータバス5を用いてデータを8ビット並列に読み書きすることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のSRAM等の半導体記憶装置では、データバス5を通して並列にアクセスすることのできるデータのビット幅は、例えば8ビット等の固定幅になっている。従って、CPUのデータバスのビット幅が一定であれば、そのCPUのビット幅と同一のビット幅を有する半導体記憶装置を使用すれば、何等問題は生じない。
しかし、複数のCPUで同一のメモリを共有するマルチCPUシステムにおいて、それぞれのCPUのデータバスのビット幅が異なる場合、次のような課題があった。
例えば、第1及び第2のCPUを有するマルチCPUシステムで、第1のCPUが8ビット、第2のCPUが16ビットの場合、8ビット幅の半導体記憶装置を使用すると、第2のCPUでは上位8ビットと下位8ビットに分けて、2回メモリアクセスを行う必要がある。一方、16ビット幅の半導体記憶装置を使用すると、第1のCPUでは、例えば上位8ビットに対するアクセスが不可能になる。
このため、例えば、8ビットと16ビットのような、2種類のビット幅でのアクセスが可能な半導体記憶装置が求められていた。
本発明は、前記従来技術が持っていた課題を解決し、複数種類のビット幅でのアクセスが可能な半導体記憶装置を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明は、半導体記憶装置において、複数本のワード線と、前記ワード線に交叉するように配置され、それぞれN(但し、Nは自然数)本のビット線からなる第1及び第2のビット線群と、複数ビットのアドレス信号を解読して、該アドレス信号によって選択されたアドレスに対応する前記ワード線を活性化させるデコーダと、次のような複数のメモリセルと、第1のスイッチ手段と、第1及び第2のセンスアンプ群と、第1及び第2のデータバスと、第2及び第3のスイッチ手段とを備えている。
【0006】
メモリセルは、前記ワード線と前記第1及び第2のビット線群の各交叉箇所に設けられ、該ワード線に接続され、該ワード線が選択されて活性化したときに該第1及び第2のビット線群にそれぞれ接続されるものである。第1のスイッチ手段は、異なる第1及び第2の論理レベルを有する第1の切替信号によって制御されるN個のスイッチで構成され、そのi(但し、i=1〜N)番目のスイッチは、該第1の切替信号が該第1の論理レベルのときには前記第1のビット線群のi番目のビット線を選択し、該第1の切替信号が該第2の論理レベルのときには前記第2のビット線群のi番目のビット線を選択するものである。
【0007】
第1のセンスアンプ群は、前記第1のスイッチ手段に接続され、該第1のスイッチ手段で選択された前記第1または第2のビット線群と前記活性化されたワード線に接続された前記メモリセルに対して、データの書込みまたは読出しを行うN個のセンスアンプで構成されている。第2のセンスアンプ群は、前記第2のビット線群の各ビット線にそれぞれ接続され、前記活性化されたワード線に接続された前記メモリセルに対して、該第2のビット線群を介してデータの書込みまたは読出しを行うN個のセンスアンプで構成されている。
第1のデータバスは、前記第1及び第2のセンスアンプ群を介して前記メモリセルに対する書込みまたは読出しデータを伝送する2N本のデータ線で構成され、第2のデータバスは、前記第1のセンスアンプ群を介して前記メモリセルに対する書込みまたは読出しデータを伝送するN本のデータ線で構成されている。
【0008】
第2のスイッチ手段は、異なる第3及び第4の論理レベルを有する第2の切替信号によって制御され、該第2の切替信号が該第3の論理レベルのときには前記第1及び第2のセンスアンプ群と前記第1のデータバスとを接続し、該第2の切替信号が該第4の論理レベルのときには該第1及び第2のセンスアンプ群と該第1のデータバスとの間を切断するものである。第3のスイッチ手段は、前記第2の切替信号によって制御され、該第2の切替信号が前記第4の論理レベルのときには前記第1のセンスアンプ群と前記第2のデータバスとを接続し、該第2の切替信号が前記第3の論理レベルのときには該第1のセンスアンプ群と該第2のデータバスとの間を切断するものである。
【0009】
本発明によれば、以上のように半導体記憶装置を構成したので、次のような作用が行われる。
第1の切替信号として第1の論理レベルが、第2の切替信号として第3の論理レベルが与えられると、第1のビット線群が第1のセンスアンプ群、第2のビット線群が第2のセンスアンプ群にそれぞれ接続され、第1のデータバスを介して2N個のメモリセルに対するアクセスが行われる。
【0010】
また、第2の切替信号として第4の論理レベルが与えられると、第2のデータバスを介してN個のメモリセルに対するアクセスが行われる。このとき、第1の切替信号を第1の論理レベルにすることにより、第1のスイッチ手段によって第1のビット線群に接続されたN個のメモリセルがアクセスされ、第2の論理レベルにすることにより、第2のビット線群に接続されたN個のメモリセルがアクセスされる。
【0011】
【発明の実施の形態】
第1の実施形態
図1は、本発明の第1の実施形態を示すSRAMの概略の構成図である。
このSRAM10は、64ワード構成となっており、図示しないCPU等のアドレスバス1に接続されて、アドレス信号A0〜A5が与えられるデコーダ(例えば、アドレスデコーダ)11を有している。アドレスデコーダ11の出力側には、平行に配置された64本のワード線WD0〜WD63が接続されている。アドレスデコーダ11は、与えられた6ビットのアドレス信号A0〜A5を解読し、解読された番地に対応する1本のワード線WDi(但し、i=0〜63)を活性化するものである。
これらのワード線WD0〜WD63に交叉するように、16本のビット線BL0〜BL15が配置されている。そして、例えば、奇数番目の8本のビット線BL0,BL2,…,BL14によって、第1のビット線群が構成され、偶数番目の8本のビット線BL1,BL3,…,BL15によって、第2のビット線群が構成されている。
各ワード線WDiと、各ビット線BL0〜BL15の交叉箇所には、それぞれ16個のメモリセル(MC)12i0,12i1,…,12i 15が設けられ、これらのメモリセル12i0〜12i 15は、ワード線WDiに共通接続されている。各メモリセル12i0〜12i 15は、例えば、フリップフロップで構成され、それぞれi番地のデータビット0,1,…,15を記憶する回路である。
【0012】
また、0番地から63番地までの各番地の同一ビット(例えば、ビットj、但しj=0〜15)のメモリセル120j,121j,…,1263 jは、共通のビット線BLjを介してセンスアンプ(SA)13jに接続されている。そして、例えば、奇数番目の8個のセンスアンプ130,132,…,1314によって、第1のセンスアンプ群が構成され、偶数番目の8個のセンスアンプ131,132,…,1315によって、第2のセンスアンプ群が構成されている。
各センスアンプ13jは、活性化されたワード線WDiに接続されたメモリセル12ijに対して、それぞれビット線BLjを介してデータの書込みまたは読出しを行うものである。各センスアンプ130〜1315には、論理レベルのデータ信号を入出力するためのデータビット線DB0〜DB15がそれぞれ接続されている。そして、各センスアンプ130〜1315は、共通に与えられる書込み制御信号WMによって、各データビット線DB0〜DB15上のデータ信号を各メモリセル12i0〜12i 15に書込み、共通に与えられる読出し制御信号RMによって、各メモリセル12i0〜12i 15から読出したデータ信号を各データビット線DB0〜DB15上に出力する機能を有している。
【0013】
各データビット線DB0〜DB15は、スイッチ手段(例えば、スイッチ回路)14を介して、データ信号DW0,DW1,…,DW15を伝送する16本のデータ線からなるデータバス5Aに接続されている。スイッチ回路14の制御端子には、切替信号S/Wがインバータ15を介して与えられている。スイッチ回路14は、切替信号S/Wが論理レベル“0”の時にオン状態となり、データビット線DB0〜DB15とデータバス5Aとを接続し、切替信号S/Wが論理レベル“1”の時にはオフ状態となり、データビット線DB0〜DB15をデータバス5Aから切断するものである。
【0014】
各データビット線DB0〜DB15は、更に、スイッチ回路16に接続されている。スイッチ回路16は、それぞれ偶数番目のデータビット線DB2n(但し、nは、0〜7の整数)と、奇数番目のデータビット線DB2n+1とを切替える8個の切替部170,171,…,177を有している。これらの切替部170〜177は、切替信号U/Lによって制御され、この切替信号U/Lが“0”の時に偶数番目のデータビット線DB2nが選択され、切替信号U/Lが“1”の時に、奇数番目のデータビット線DB2n+1が選択されるようになっている。切替部170〜177は、スイッチ部18を介して、データ信号DS0,DS1,…,DS7を伝送する8本のデータ線からなるデータバス5Bに接続されている。
スイッチ部18の制御端子には、切替信号S/Wが与えられている。スイッチ部18は、切替信号S/Wが“1”の時にオン状態となり、切替部170〜177によって選択された偶数番目または奇数番目のデータビット線DBiと、データバス5Bとが接続される。また、切替信号S/Wが“0”の時には、スイッチ部18はオフ状態となり、データビット線DBiがデータバス5Bから切断されるようになっている。
【0015】
図3は、図1のSRAM10を適用したマルチCPUシステムの一例を示す構成図である。
このマルチCPUシステムは、SRAM10を共有する2個のCPU21,22を有している。CPU21は、マスタCPUであり、8ビット幅の128ワードのメモリに接続するものである。CPU22は、スレーブCPUであり、16ビット幅の64ワードのメモリに接続するものである。
CPU21のデータ端子DB0〜7は、データバス5Bを介してSRAM10のデータ端子DS0〜7に接続されている。CPU21のアドレス端子AD1〜AD6は、3ステートバッファ23を介してSRAM10のアドレス端子A0〜A5にそれぞれ接続されている。また、CPU21のアドレス端子AD0は、3ステートバッファ23を介してSRAM10の制御端子U/Lに接続されている。更に、CPU21の書込み用の制御端子WR、及び読出し用の制御端子RDは、3ステートバッファ23を介してSRAM10の制御端子WM,RMに、それぞれ接続されている。そして、データバス切替え用の切替信号S/Wを出力するCPU21の制御端子DCHGは、SRAM10の制御端子S/Wと、3ステートバッファ23の制御端子とに共通接続されている。
【0016】
一方、CPU22のデータ端子DB0〜15は、データバス5Aを介してSRAM10のデータ端子DW0〜15に接続されている。CPU22のアドレス端子AD0〜AD5は、3ステートバッファ24を介してSRAM10のアドレス端子A0〜A5にそれぞれ接続されている。また、CPU22の制御端子WR,RDは、3ステートバッファ24を介してSRAM10の制御端子WM,RMに、それぞれ接続されている。更に、SRAM10の制御端子U/Lは、3ステートバッファ24を介して接地電位(例えば、論理レベル“0”)に固定接続されている。そして、CPU21の制御端子DCHGから、切替信号S/Wがインバータ25を介して、3ステートバッファ24に対する制御信号としてが与えられるようになっている。
次に、図1及び図3を参照しつつ、SRAM10の、(1)8ビットモードでの動作、及び(2)16ビットモードでの動作、について説明する。
【0017】
(1) 8ビットモードでの動作
図3のCPU21は、制御端子DCHGから出力する切替信号S/Wを論理レベル“1”にする。これにより、3ステートバッファ23はオン状態になり、CPU21のアドレス端子AD1〜AD6はSRAM10のアドレス端子A0〜A5に、アドレス端子AD0は制御端子U/Lに、制御端子WR,RDは制御端子WM,RMに、それぞれ接続される。一方、3ステートバッファ24はオフ状態となり、CPU22はSRAM10から切断される。
図1のSRAM10において、切替信号S/Wが“1”となっているので、スイッチ回路14はオフ状態、スイッチ部18はオン状態になっており、このSRAM10は、データバス5Bを介してCPU21のデータ端子DB0〜7と接続される。また、SRAM10の切替信号U/Lとして、CPU21の最下位のアドレス信号AD0が与えられている。このため、アドレス信号AD0が“0”、即ち、偶数アドレスが指定されたときには、切替部17によって第1のセンスアンプ群である偶数番目のセンスアンプ132n(但し、nは、0≦n≦7の整数)が選択されてデータバス5Bに接続される。一方、アドレス信号AD0が“1”、即ち、奇数アドレスが指定されたときには、切替部17によって第2のセンスアンプ群である偶数番目のセンスアンプ132n+1が選択されてデータバス5Bに接続される
更に、CPU21からアドレス信号AD1〜AD6が、SRAM10のアドレスデコーダ11に与えられると、このアドレス信号AD1〜AD6で選択されたワード線WLiに接続するメモリセル13ijがアクセスされる。そして、CPU21から与えられる書込み制御信号WRまたは読出し制御信号RMに応じて、8ビット単位での読出しまたは書込み動作が行われる。
【0018】
(2)16ビットモードでの動作
図3のCPU21は、制御端子DCHGから出力する切替信号S/Wを論理レベル“0”にする。これにより、3ステートバッファ23はオフ状態となり、CPU21はSRAM10から切断される。
一方、3ステートバッファ24はオン状態になり、CPU22のアドレス端子AD0〜AD5はSRAM10のアドレス端子A0〜A5に、制御端子WR,RDは制御端子WM,RMに、それぞれ接続される。また、SRAM10の制御端子U/Lは“0”に固定接続される。
図1のSRAM10において、制御信号S/Wが“0”となっているので、スイッチ回路14はオン状態、スイッチ部18はオフ状態となっており、このSRAM10は、データバス5Aを介してCPU22のデータ端子DB0〜15に接続される。これにより、各センスアンプ130〜1315は、データバス5Aに接続される。
【0019】
更に、CPU22からアドレス信号AD0〜AD5が、SRAM10のアドレスデコーダ11に与えられ、このアドレス信号AD0〜AD5で選択されたメモリセル13ijに対する書込み制御信号WRまたは読出し制御信号RMが与えられると、16ビット単位での読出しまたは書込み動作が行われる。
以上のように、本実施形態のSRAM10は、切替信号S/Wによって16ビットのデータバス5Aと、8ビットのデータバス5Bとを切替えるスイッチ回路14及びスイッチ部19を有している。更に、偶数番目のセンスアンプ群と奇数番目のセンスアンプ群を、切替信号U/Lによって切替えてデータバス5Aに接続する切替部17を有している。このため、すべてのメモリセル13ijを8ビット及び16ビット単位でアクセスすることが可能になる。
【0020】
第2の実施形態
図4は、本発明の第2の実施形態を示すSRAMの構成図であり、図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
このSRAM10Aは、図1のSRAM10のスイッチ回路16に代えて、スイッチ回路19,20を設けている点のみが、図1と異なっている。
スイッチ回路19は、第1のビット線群、例えば奇数番目のビット線BL0,BL2,…,BL14と、第2のビット線群、例えば偶数番目のビット線BL1,BL3,…,BL15とに接続され、切替信号U/Lによってどちらかのビット線群を選択する回路である。即ち、切替信号U/Lが、例えば、論理レベル“0”のときには、第1のビット線群を選択し、切替信号U/Lが論理レベル“0”のときには、第2のビット線群を選択して、奇数番目のセンスアンプ130,132,…,1314に接続するものである。スイッチ回路20は、奇数番目のセンスアンプ130,132,…,1314のデータビット線DB0,DB2,…,DB14とデータバス5Aとの接続を、切替信号S/Wによって制御する回路であり、この切替信号S/Wが“1”の時に、オン状態になるスイッチである。
【0021】
このように、図4のSRAM10Aは、図1のSRAM10と回路構成が若干異なるが、切替信号S/Wによって16ビットのデータバス5Aと、16ビットのデータバス5Bを切り替えるスイッチ回路14,20を有している。更に、偶数番目のセンスアンプ群と奇数番目のセンスアンプ群を、切替信号U/Lによって切替えてデータバス5Aに接続するスイッチ回路19を有しており、その基本動作は図1のSRAM10と同様である。このため、第1の実施形態と同様の利点を有する。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例えば、次の(a)〜(e)のようなものがある。
【0022】
(a) 第1及び第2の実施形態では、SRAMについて説明したが、SRAMに限定されず、DRAM等のランダムアクセスメモリ、あるいは、PROM,EEPROM等のリードオンリメモリにも適用可能である。
(b) 図1及び図4のSRAM10,10Aは、8ビット/16ビットの切替えが可能になっているが、ビット数はこれに限定されず、任意のNビットとその2倍の2Nビットの切替えを行うようにすることができる。
(c) ワード数は64ワードに限定されず、任意のワード数で構成することができる。
(d) 図1及び図4では、第1及び第2のビット線群を、奇数番目と偶数番目によって区分しているが、下位Nビットと上位Nビットで区分しても良い。
(e) 第1及び第2の実施形態では、メモリセル12が2つのデータバス5A,5Bに切替え接続できる構成になっているが、3個以上のデータバスに切替えて接続するようにしても良い。その場合、上記の実施形態に準じて、データバスを選択するための切替信号やスイッチ回路等を、データバスの数に応じて設けることにより構成することができる。
【0023】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、第1の切替信号によって第1または第2のビット線群のいずれかが選択される第1のスイッチ手段とこれに接続された第1のセンスアンプ群、第2のビット線群に接続された第2のセンスアンプ群、及び第2の切替信号によって第1と第2のデータバスへの接続が制御される第2及び第3のスイッチ手段を有している。これにより、第1のデータバスを介して第1及び第2ビット線群の2Nビットのデータアクセスを行い、第2のデータバスを介して第1または第2ビット線群のNビットのデータアクセスを行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示すSRAMの構成図である。
【図2】従来のSRAMの構成図である。
【図3】図1のSRAM10を適用したマルチCPUシステムの一例を示す構成図である。
【図4】本発明の第2の実施形態を示すSRAMの構成図である。
【符号の説明】
5A,5B データバス
10,10A SRAM
11 アドレスデコーダ
12ij メモリセル
13j センスアンプ
14,16,19,20 スイッチ回路
BLj ビット線
S/W,U/L 切替信号
WLi ワード線
Claims (1)
- 複数本のワード線と、
前記ワード線に交叉するように配置され、それぞれN(但し、Nは自然数)本のビット線からなる第1及び第2のビット線群と、
複数ビットのアドレス信号を解読して、該アドレス信号によって選択されたアドレスに対応する前記ワード線を活性化させるデコーダと、
前記ワード線と前記第1及び第2のビット線群の各交叉箇所に設けられ、該ワード線に接続され、該ワード線が選択されて活性化したときに該第1及び第2のビット線群にそれぞれ接続される複数のメモリセルと、
異なる第1及び第2の論理レベルを有する第1の切替信号によって制御されるN個のスイッチで構成され、そのi(但し、i=1〜N)番目のスイッチは、該第1の切替信号が該第1の論理レベルのときには前記第1のビット線群のi番目のビット線を選択し、該第1の切替信号が該第2の論理レベルのときには前記第2のビット線群のi番目のビット線を選択する第1のスイッチ手段と、
前記第1のスイッチ手段に接続され、該第1のスイッチ手段で選択された前記第1または第2のビット線群と前記活性化されたワード線に接続された前記メモリセルに対して、データの書込みまたは読出しを行うN個のセンスアンプからなる第1のセンスアンプ群と、
前記第2のビット線群の各ビット線にそれぞれ接続され、前記活性化されたワード線に接続された前記メモリセルに対して、該第2のビット線群を介してデータの書込みまたは読出しを行うN個のセンスアンプからなる第2のセンスアンプ群と、
前記第1及び第2のセンスアンプ群を介して前記メモリセルに対する書込みまたは読出しデータを伝送する2N本のデータ線からなる第1のデータバスと、
前記第1のセンスアンプ群を介して前記メモリセルに対する書込みまたは読出しデータを伝送するN本のデータ線からなる第2のデータバスと、
異なる第3及び第4の論理レベルを有する第2の切替信号によって制御され、該第2の切替信号が該第3の論理レベルのときには前記第1及び第2のセンスアンプ群と前記第1のデータバスとを接続し、該第2の切替信号が該第4の論理レベルのときには該第1及び第2のセンスアンプ群と該第1のデータバスとの間を切断する第2のスイッチ手段と、
前記第2の切替信号によって制御され、該第2の切替信号が前記第4の論理レベルのときには前記第1のセンスアンプ群と前記第2のデータバスとを接続し、該第2の切替信号が前記第3の論理レベルのときには該第1のセンスアンプ群と該第2のデータバスとの間を切断する第3のスイッチ手段とを、
備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
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