JP3559354B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は液晶表示装置の構造と液晶表示装置の製造方法とに関し、とくに第1の基板に第1の電極と第2の電極と、第3の電極を有し、第1の電極と表示電極間に非線形抵抗素子を有し、島状の第2の電極上に設ける非線形抵抗層として、第2の電極の陽極酸化膜や酸化シリコン膜や窒化シリコン膜や炭化シリコン膜や酸化タンタル膜や、あるいは酸化アルミ膜を有する金属−絶縁膜−金属構造からなる非線形抵抗素子を有する液晶表示装置の構成に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶パネルを用いた液晶表示装置の表示容量は、大容量化の一途をたどっている。
【0003】
そして、単純マトリクス構成の液晶表示装置にマルチプレクス駆動を用いる手段は、高時分割化するに従ってコントラストの低下あるいは応答速度の低下が生じ、200本程度の走査線を有する場合では、充分なコントラストを得ることが難しくなる。
【0004】
そこで、このような欠点を除去するために、個々の画素にスイッチング素子を設けるアクティブマトリクスの液晶表示パネルが採用されている。
【0005】
このアクティブマトリクスの液晶表示パネルには、大別すると薄膜トランジスタを用いる三端子系と、非線系抵抗素子を用いる二端子系とがある。これらのうち、構造や製造方法が簡単な点で、二端子系が優れている。
【0006】
この二端子系のスイッチング素子としては、ダイオード型や、バリスタ型や、薄膜ダイオード(TFD)型などが開発されている。
【0007】
このうちTFD型は、とくに構造が簡単で、そのうえ製造工程が短いという特徴を備えている。
【0008】
さらに、液晶表示パネルは、高密度でしかも高精細化が要求され、スイッチング素子の占有面積を小さくする必要がある。
【0009】
その微細化の手段として、半導体製造技術であるフォトリソグラフィー技術とエッチング技術とがある。しかしながら、大面積で微細加工を行いしかも低コストを実現するには、非常に困難な技術である。
【0010】
ここで、大面積で微細化加工が可能で、しかもコスト低減に有効な薄膜ダイオード素子構造を、図12と図13を用いて説明する。
【0011】
図12は非線形抵抗素子を用いた液晶表示装置の構成を示す平面図である。さらに図13は、図12の平面図におけるA−A線での断面を示す断面図である。以下図12と図13とを交互に用いて従来技術を説明する。
【0012】
第1の基板47上には、タンタル(Ta)膜からなる第1の電極52と第1の信号電極49と張り出し部48とを設ける。さらに、この第1の電極52と信号電極49と張り出し部48上に陽極酸化膜である酸化タンタル(Ta2 O5 )からなる非線形抵抗層53を設ける。
【0013】
さらにクロム(Cr)膜からなる接続用の第3の電極54を非線形抵抗層53上にオーバーラップするように設けて、第1の非線形抵抗素子50を構成する。さらに第3の電極54は、外部の回路から電圧を印加する第2の信号電極57を設ける。またさらに、表示電極用の第3の電極55を非線形抵抗層53上にオーバーラップするように設けて第2の非線形抵抗素子51を構成する。この第3の電極55の一部領域は、透明導電性膜である酸化インジウムスズ(ITO)からなる表示電極56と接続している。
【0014】
さらにまた第2の基板58上には、第1の基板47に形成するそれぞれの表示電極56の隙間からの光の漏れを防止するために、クロム膜からなるブラックマトリクス59を設けてある。
【0015】
さらに、第2の基板58には、表示電極56と対向するように透明導電性膜である酸化インジウムスズからなる対向電極61を、ブラックマトリクス59と接触して短絡しないように、ポリイミド樹脂からなる絶縁膜60を介して設ける。さらにまた、対向電極61には、外部回路の信号を印加するためのデーター電極(図示せず)を接続している。
【0016】
表示電極56は、液晶63を介して対向電極61と重なり合うように配置することにより、液晶表示パネルの表示画素部となる。
【0017】
第1の信号電極49と第2の信号電極57とデーター電極とに外部回路より駆動波形を印加し、第1の非線形抵抗素子50と第2の非線形抵抗素子51を介して、表示電極56と対向電極61との間の領域の液晶63の透過率変化により、液晶表示装置は所定の画像表示を行う。
【0018】
さらに第1の基板47と第2の基板58とは、液晶63の分子を規則的に並べるための処理層として、それぞれ配向膜62、62を設ける。
【0019】
さらにスペーサー64によって、第1の基板47と第2の基板58とを所定の間隙寸法をもって対向させ、第1の基板47と第2の基板58との間には、液晶63を封入している。
【0020】
さらに、第1の基板47上に偏光板65を設け、さらに第2の基板58上に偏光板65と光源部66を設ける。液晶表示装置は自己発光しないため、外部の光源である光源部66が必要となる。そして液晶表示装置は、この光源部66からの光を利用し、さらに液晶63の光学特性変化を利用して所定の表示を行う。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、外部回路から信号電極あるいはデーター電極により非線形抵抗素子に電圧を印加する場合に、従来例に示す構成では、信号電極あるいはデーター電極の抵抗が大きい。そのため、液晶に印加する電圧が表示内容により変化してしまう。
【0022】
この現象は、液晶に印加する電圧の大きさにより液晶の誘電率が変化するいわゆる誘電率異方性により、液晶の負荷容量が変化するため、表示内容により表示品質が変化してしまうことにより発生し、クロストーク現象と呼ばれている。
【0023】
さらに、信号電極の抵抗が大きいため、液晶表示装置の大型化により、液晶表示装置の画面内で抵抗分布が発生し表示に分布が起きてしまう。
【0024】
本発明の目的は、上記の液晶表示装置の信号電極あるいはデーター電極の抵抗を小さくし、表示内容によるクロストーク現象の防止と画面内の均一表示を達成することが可能な液晶表示装置の構造とその製造方法とを提供することである。
【0025】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置においては、下記記載の構成と製造方法とを採用する。
【0026】
本発明の液晶表示装置は、第1の基板上に設ける第1の電極と第1の電極上と第1の電極から分離する島状の第2の電極と島状の第2の電極上に設ける非線形抵抗層と非線形抵抗層にオーバーラップする第3の電極とを有し、第3の電極の一方は第1の電極と一部で接続し、第3の電極の他方は表示電極と一部で接続することを特徴とする。
【0027】
本発明の液晶表示装置は、第1の基板上に設ける信号電極と接続部からなる第1の電極と第1の電極上と第1の電極から分離する島状の第2の電極と島状の第2の電極上に設ける非線形抵抗層と非線形抵抗層にオーバーラップする第3の電極とを有し、第3の電極の一方は第1の電極の接続部にて接続しさらに第1の電極の信号電極上に設け信号電極の一部とし、第3の電極の他方は表示電極と一部で接続することを特徴とする。
【0028】
本発明の液晶表示装置は、第1の基板上に設ける第1の電極と第1の電極上と第1の電極から分離する島状の第2の電極と島状の第2の電極上に設ける非線形抵抗層と非線形抵抗層にオーバーラップする第3の電極とを有し、第3の電極の一方は第1の電極と一部で接続し、第3の電極の他方は表示電極と一体であることを特徴とする。
【0029】
本発明の液晶表示装置は、第1の基板上に設ける第1の電極と、第1の電極上
に設ける第2の電極と、第1の電極から離れた位置に設ける島状の同じく第2の電極と名付ける電極と、第2の電極表面の酸化膜からなる非線形抵抗層と、非線形抵抗層にオーバーラップする第3の電極とを有し、第3の電極の一方は第1の電極と一部で接続し、第3の電極の他方は表示電極と一部で接続することを特徴とする。
【0030】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、第1の基板上に第1の電極をパターン形成する工程と、第2の電極を第1の電極上と第1の電極から張り出し部を有する形状にパターン形成する工程と、第2の電極上に非線形抵抗層をパターン形成する工程と、表示電極をパターン形成する工程と、第3の電極を非線形抵抗層とオーバーラップさせ、さらに第3の電極の一方は第1の電極と一部で接続し、しかも第3の電極の他方は表示電極と一部で接続する形状にパターン形成する工程とを有することを特徴とする。
【0031】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、第1の基板上に第1の電極をパターン形成する工程と、第2の電極を第1の電極上と第1の電極から張り出し部を有する形状にパターン形成する工程と、第2の電極上に非線形抵抗層を陽極酸化法により形成する工程と、表示電極をパターン形成する工程と、第3の電極を非線形抵抗層とオーバーラップさせ、さらに第3の電極に一方は第1の電極と一部で接続し、しかも第3の電極は他方が表示電極と一部で接続する形状にパターン形成する行程と、陽極酸化後に第2の電極の張り出し部を島状の第2の電極にパターン形成する工程とを有することを特徴とする。
【0032】
【作用】
外部回路から信号電極により非線形抵抗素子に電圧を印加する場合に、信号電極あるいはデーター電極の抵抗を小さくすることが重要である。
【0033】
また、液晶表示装置の表示品質を決める非線形抵抗素子の電流−電圧特性の変化を起こすことなく、信号電極あるいはデーター電極の抵抗を小さくする必要がある。
【0034】
そのためには、非線形抵抗素子を形成する以前に信号電極あるいはデーター電極の低抵抗化を実施するために、まず非線形抵抗素子を形成する島状の第2の電極を形成する以前に低抵抗の第1の電極を設ける。
【0035】
さらに、低抵抗の第1の電極を用いて非線形抵抗素子に外部の信号を印加するために、第1の電極と非線形抵抗素子とを接続する。すなわち、低抵抗の第1の電極から第3の電極と非線形抵抗層と島状の第2の電極と非線形抵抗層と表示電極用第3の電極と、さらに表示電極へと接続する構成とする。
【0036】
また、液晶表示装置の製造方法は、第2の電極を第1の電極上を覆い露出することなく形成し、さらに、第1の電極から張り出し部を有する形状にパターン形成する。これにより、第2の電極をパターン形成する工程あるいは非線形抵抗層を第2の電極上に形成する工程において、第1の電極の変質を防止できる。
【0037】
つぎに、第2の電極上に非線形抵抗層をパターン形成する行程と、表示電極をパターン形成する行程と、第1の電極上の第2の電極の一部をパターン形成し、第3の電極をこの第1の電極が第2の電極から露出する部分と非線形抵抗層をオーバーラップする部分と、さらに、非線形抵抗層にオーバーラップし、表示電極と接続する部分に形成するため、非線形抵抗素子は、第1の低抵抗電極を介して外部と接続する構成となる。
【0038】
以上の液晶表示装置の構成と製造方法により、表示内容によるクロストーク現象の防止と画面内の均一表示を達成することができる。
【0039】
【実施例】
以下に本発明の実施例における液晶表示装置の構成とその製造方法とを、図面を使用して説明する。
【0040】
はじめに本発明の第1の実施例における液晶表示装置の構成を、図1と図2を用いて説明する。図1は本発明の第1の実施例における液晶表示装置を示す平面図である。図2は図1の平面図のB−B線における断面を示す断面図である。以下、図1と図2とを交互に用いて本発明の第1の実施例を説明する。
【0041】
ガラス基板からなる第1の基板1上には、モリブデンシリサイド(MoSi)からなる第1の電極2として第1の信号電極2を設ける。
【0042】
第1の電極2上には、第2の信号電極と張り出し部20とを有するタンタル膜からなる第2の電極3を設ける。
【0043】
この第2の電極3上に非線形抵抗層5として、第2の電極3の陽極酸化膜からなる酸化タンタル膜を設ける。
【0044】
第2の電極3からなる張り出し部20は、第2の電極3上に非線形抵抗層5を設けた後に第2の電極3との接続部をエッチング除去し、島状の第2の電極21とする。さらに、第1の電極2が第2の電極3から露出する接続部22を設ける。
【0045】
さらに、透明導電性膜である酸化インジウムスズ膜からなる孤立する表示電極6を設ける。
【0046】
さらにそのうえ、第1の電極2からなる接続部22に接続し、かつ島状の第2の電極21上の非線形抵抗層5にオーバーラップする接続用の第3の電極10をクロム膜にて設ける。また、表示電極6に接続し、かつ島状の第2の電極21上の非線形抵抗層5にオーバーラップする表示電極用の第3の電極7をクロム膜にて設ける。
【0047】
この第3の電極10と非線形抵抗層5と島状の第2の電極4とによって、薄膜ダイオード構造の第1の非線形抵抗素子9を構成している。さらに、表示電極用の第3の電極7と非線形抵抗層5と島状の第2の電極4とによって薄膜ダイオード構造の第2の非線形抵抗素子8を構成している。
【0048】
さらに第2の基板11には、第1の基板1に形成するそれぞれの表示電極6の隙間からの光の漏れを防止するために、ブラックマトリクス12を設けてある。
【0049】
さらに第2の基板11には、表示電極6と対向するように対向電極14を、ブラックマトリクス12と接触して短絡しないように絶縁膜13を介して設ける。
【0050】
またさらに図1の平面図に示すように、第1の電極2と表示電極6と、第2の電極3と表示電極6とは、所定寸法の間隙を有している。
【0051】
表示電極6は、液晶16を介して対向電極14と重なり合うように配置することにより、液晶表示パネルの表示画素部となる。
【0052】
表示電極6と対向電極14との間の領域の液晶16の透過率変化により、液晶表示装置は所定の画像表示を行う。
【0053】
さらに第1の基板1と第2の基板11とは、液晶16の分子を規則的に並べるための処理層として、それぞれ配向膜15、15を設ける。
【0054】
さらにそのうえスペーサー17によって、第1の基板1と第2の基板11とを所定の間隙をもって対向させ、第1の基板1と第2の基板11との間には、液晶16を封入している。
【0055】
さらに、第2の基板11の光源部24側には接着層(図示せず)を介して偏光板23を設ける。さらにまた、第1の基板1側にも、接着層(図示せず)を介して偏光板23を設ける。そして、液晶16の光学変化を、この2枚の偏光板23と偏光板23とを利用して行う。
【0056】
液晶表示装置は自己発光しないために、液晶表示装置の観察者側に第1の基板1を配置し、光源部24をブラックマトリクス12を有する第2の基板11側に配置する。
【0057】
以上の図1と図2とに示す本発明の第1の実施例の構成を採用することによって、信号電極は、第1の電極2と第2の電極3との2層構造となるため、信号電極は第2の電極3のみの場合に比較して低抵抗化できる。
【0058】
さらに、第1の信号電極を低応力のモリブデンシリサイド膜を利用することにより第1の基板1の反りの問題を起こすことなく、低抵抗の信号電極を得ることができる。
【0059】
つぎに本発明の第2の実施例における液晶表示装置の構成を、図3と図4とを用いて説明する。図3は本発明の第2の実施例における液晶表示装置を示す平面図である。図4は図3の平面図のC−C線における断面を示す断面図である。以下、図3と図4とを交互に用いて本発明の第2の実施例を説明する。
【0060】
ガラス基板からなる第1の基板1上には、シリコン(Si)や銅(Cu)を含むアルミニウム(Al)からなる第1の電極2として第1の信号電極を設ける。
【0061】
第1の電極2上に第2の信号電極と張り出し部20を有するニオブ(Nb)とタンタル膜との2層膜からなる第2の電極3を設ける。ニオブ膜をタンタル膜の下地に設けることによりタンタル膜の結晶構造は、ベータ(β)タンタル膜からアルファ(α)タンタル膜に変化し、ベータ(β)タンタル膜が1層の場合に比較し抵抗値を小さくすることができる。
【0062】
第2の電極3上に、非線形抵抗層5として、第2の電極3の多層膜の酸化膜からなる酸化ニオブ膜(Nb2 O5 )と酸化タンタル膜とを設ける。
【0063】
第2の電極3からなる第2の信号電極と張り出し部20の接続している部分の一部は、第2の電極3上に非線形抵抗層5を設けた後にエッチング除去し、島状の第2の電極21とする。さらに、第1の電極2が第2の電極3から露出する接続部22を設ける。
【0064】
さらに、第1の電極2からなる接続部22に接続し、しかも島状の第2の電極21上の非線形抵抗層5にオーバーラップする接続用の第3の電極10と、表示電極6に接続し、しかも島状の第2の電極21上の非線形抵抗層5にオーバーラップする表示電極用第3の電極7を透明導電性膜である酸化インジウムスズ膜にて設ける。
【0065】
表示電極用の第3の電極7と表示電極6とを共通化することにより、第3の電極7と表示電極6とを別の材料にする場合に比較し、製造工程を短くすることが可能となる。
【0066】
さらに、第2の電極3上と第1の電極2の接続部22上に透明導電性膜である酸化インジウムスズからなる第3の電極25を設ける。この第3の信号電極25を設けることにより、信号電極を第1の電極2と第2の電極3と第3の電極25の多層構造にできる。以上により信号電極の低抵抗化はもちろんのこと、複数の膜を複数の形状に設けるため、異物などに起因する信号電極の断線確率を低減することができる。
【0067】
接続用の第3の電極10と非線形抵抗層5と島状の第2の電極4とによって、薄膜ダイオード構造の第1の非線形抵抗素子9を構成している。また、表示電極用の第3の電極7と非線形抵抗層5と島状の第2の電極4とによって薄膜ダイオード構造の第2の非線形抵抗素子8を構成している。
【0068】
さらに第2の基板11上には、第1の基板1に形成するそれぞれの表示電極6の隙間からの光の漏れを防止するために、ブラックマトリクス12を設ける。
【0069】
さらに、第2の基板11には、表示電極6と対向するように対向電極14を、ブラックマトリクス12と接触して短絡しないように、絶縁膜13を介して設けている。
【0070】
またさらに図3の平面図に示すように、第1の電極2と表示電極6と、第2の電極3と表示電極6とは、所定寸法の間隙を有している。
【0071】
表示電極6は、液晶16を介して対向電極14と重なり合うように配置することにより、液晶表示パネルの表示画素部となる。
【0072】
表示電極6と対向電極14との間の領域の液晶16の透過率変化により、液晶表示装置は所定の画像表示を行う。
【0073】
さらに第1の基板1と第2の基板11とは、液晶16の分子を規則的に並べるための処理層として、それぞれ配向膜15、15を設ける。
【0074】
さらにそのうえスペーサー17によって、第1の基板1と第2の基板11とを所定の間隙をもって対向させ、第1の基板1と第2の基板11との間には、液晶16を封入している。
【0075】
さらに、第2の基板11の光源部24側に接着層(図示せず)を介して偏光板23を設ける。さらにまた、第1の基板1側にも、接着層(図示せず)を介して偏光板23を設ける。そして、液晶の光学変化を、この2枚の偏光板23、23を利用して行う。
【0076】
液晶表示装置は自己発光しないために、液晶表示装置の観察者側に第1の基板1を配置し、光源部24をブラックマトリクス12を有する第2の基板11側に配置する。
【0077】
以上の本発明の第2の実施例の構成を採用することにより、信号電極は、第1の信号電極2と第2の信号電極3と第3の信号電極25との3層構造となる。このため、信号電極は第2の信号電極3のみの場合に比較し低抵抗にできると同時に、複数の形状にできるため、異物などによる断線の低減が可能となる。
【0078】
また本発明の第2の実施例では、第1の電極2材料としては、低抵抗でしかも低応力のアルミニウム膜を利用している。このことにより第1の基板1の反りの問題を起こすことなく低抵抗の信号電極を得ることができる。
【0079】
さらに、第1の電極2として陽極酸化性金属膜を利用することにより、異物により所定の形状からはみ出す部分ができ信号電極と部分的に接続する場合においても、第1の信号電極2は第2の信号電極の陽極酸化を行い、非線形抵抗層5を設ける際に同時に陽極酸化を行うことが可能である。このため、第1の電極2と表示電極6の電気的短絡を防止することが可能となる。
【0080】
さらに、表示電極用第3の電極7と表示電極6を共通化することにより、表示電極用第3の電極7と表示電極6とを別の材料にする場合に比較し、製造工程を短くすることが可能となり、低価格で高品質な液晶表示装置を得ることが可能となる。
【0081】
さらに、第3の電極25を第2の電極3と第1の信号電極の一部である接続部22上にも設けている。このことにより、接続部22と接続用の第3の電極10との接続が不安定な場合においても第3の電極25がバックアップし、第3の電極25が直接、接続用の第3の電極10に接続しているため問題ない。
【0082】
つぎに本発明の第3の実施例における液晶表示装置の構成を、図5と図6とを用いて説明する。図5は本発明の第3の実施例における液晶表示装置を示す平面図である。図6は図5の平面図のD−D線における断面を示す断面図である。以下、図5と図6とを交互に用いて本発明の第3の実施例を説明する。なお本発明の第3の実施例に示す液晶表示装置の構成は、薄膜ダイオード構造の非線形抵抗素子をデーター電極を設ける基板側に配置する。
【0083】
ガラス基板からなる第1の基板1上には、タングステンシリサイド(WSi)からなる第1の電極2として第1のデーター電極を設ける。
【0084】
第1のデーター電極上に第2のデーター電極となる第2の電極3と島状の第2の電極21をクロム膜にて設ける。
【0085】
第2の電極上に非線形抵抗層5としてシリコン(Si)と窒素(N)の化合物を設ける。非線形抵抗層5は、シラン(SiH4 )とアンモニア(NH3 )と水素(H2 )の混合ガスをプラズマ化学的気相成長法(プラズマCVD法)を使用して設ける。
【0086】
第1の電極2上に設ける第2の電極3の一部分をエッチング除去し、第1の電極2が第2の電極3から露出する接続部22を設ける。
【0087】
さらに、透明導電性膜である酸化インジウムスズ(ITO)膜からなる孤立する表示電極6を設ける。
【0088】
さらにそのうえ、第1の電極2からなる接続部22に接続し、かつ島状の第2の電極21上の非線形抵抗層5にオーバーラップする接続用の第3の電極10をモリブデン(Mo)膜にて設ける。また、表示電極6に接続し、かつ島状の第2の電極21上の非線形抵抗層5にオーバーラップする表示電極用の第3の電極7をモリブデン(Mo)膜にて設ける。
【0089】
さらに、第3のデーター電極となる第3の電極30は、第2の電極3上に設けてある。さらに、第1の電極2からなる接続部22上において接続用の第3の電極10は第3の電極30と接続する構造を有する。このため、第1の電極2あるいは第2の電極3の一部が断線した場合においても第3の電極30により外部信号を各画素部に供給することが可能となる。
【0090】
この接続用の第3の電極10と非線形抵抗層5と島状の第2の電極4とによって、薄膜ダイオード構造の第1の非線形抵抗素子9を構成している。また、表示電極用の第3の電極7と非線形抵抗層5と島状の第2の電極4とによって薄膜ダイオード構造の第2の非線形抵抗素子8を構成している。
【0091】
さらに第2の基板11上には、第1の基板1に形成するそれぞれの表示電極6の隙間からの光の漏れを防止するために、ブラックマトリクス12を設ける。
【0092】
さらに、第2の基板11には、表示電極6と対向するように対向電極14を、ブラックマトリクス12と接触して短絡しないように絶縁膜13を介して設けている。
【0093】
またさらに図5の平面図に示すように、第1の電極2と表示電極6と、第2の電極3と表示電極6とは、所定寸法の間隙を有している。
【0094】
表示電極6は、液晶16を介して対向電極14と重なり合うように配置することにより、液晶表示パネルの表示画素部となる。
【0095】
表示電極6と対向電極14との間の領域の液晶16の透過率変化により、液晶表示装置は所定の画像表示を行う。
【0096】
さらに第1の基板1と第2の基板11とは、液晶16の分子を規則的に並べるための処理層として、それぞれ配向膜15、15を設ける。
【0097】
さらにそのうえスペーサー17によって、第1の基板1と第2の基板11とを所定の間隙をもって対向させ、第1の基板1と第2の基板11との間には、液晶16を封入している。
【0098】
さらに、第2の基板11の光源部24側に接着層(図示せず)を介して偏光板23を設ける。さらにまた、第1の基板1側にも、接着層(図示せず)を介して偏光板23を設け、液晶の光学変化を、この2枚の偏光板23、23を利用して行う。
【0099】
液晶表示装置は自己発光しないために、液晶表示装置の観察者側に第1の基板1を配置し、光源部24をブラックマトリクス12を有する第2の基板11側に配置する。
【0100】
以上の本発明の第3の実施例の構成を採用することにより、データー電極は、第1の電極2と第2の電極3と第3の電極30との3層構造となる。このため、データー電極は第2の電極3のみの場合に比較して低抵抗にできる。
【0101】
また本発明の第3の実施例では、第1の電極2を低応力と耐エッチング性とに優れ、電流を流した場合に発生するエレクトロマイグレーションを防止するのに有効であるタングステンシリサイド膜を利用している。このことにより基板1の反りの問題を起こすことなく、低抵抗のデーター電極を得ることができる。
【0102】
本発明の第3の実施例においては、第2の電極3上に第3の電極30を設けているが、第2の電極3上に第3の電極30を設けていない場合においても本発明の目的とするデーター電極の低抵抗化は可能であり、以上説明した本発明の第3の実施例の効果は得られる。
【0103】
つぎに、図1と図2とに示す本発明の第1の実施例における液晶表示装置の構造を形成するための製造方法を、図7から図11を用いて説明する。図7から図11は本発明の実施例における液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。以下に、図7から図11を用いて本発明の実施例における製造方法を説明する。
【0104】
はじめに図7に示すように、ガラス基板からなる第1の基板1上に、モリブデンシリサイド膜からなる第1の電極2として第1の信号電極を形成する。
【0105】
モリブデンシリサイド膜は反応性イオンエッチング法を用いてエッチング加工を行う。反応ガスとしては、四フッ化炭素(CF4 )と酸素(O2 )と不活性ガスの混合ガスを用いる。
【0106】
つぎに図8示すように、タンタル膜からなる第2の電極3と第2の電極3と一部で接続する張り出し部20を第1の電極上とそれ以外の場所に形成する。タンタル膜は、反応性イオンエッチング法を用いてエッチング加工を行う。反応性ガスとして、六フッ化イオウ(SF6 )と酸素(O2 )との混合ガスを用いる。さらに、第2の電極3と張り出し部20上に陽極酸化法により、酸化タンタル膜からなる非線形抵抗層5を形成する。
【0107】
この第2の電極3と張り出し部20の陽極酸化を行う工程の際に、第1の電極2が劣化しないために、第2の電極3が第1の電極2を覆う構造としておく。
【0108】
つぎに、図9に示すように、第2の電極3と張り出し部20上に陽極酸化膜を形成した後に、第1の電極2上に設ける第2の電極3の一部分と、第2の電極3に接続する張り出し部20の一部を反応性イオンエッチング法にてエッチング加工をおこない、第2の電極3から分離する島状の第2の電極21と、第1の電極2上に設ける接続部22とを形成する。
【0109】
つぎに図10に示すように、透明導電性膜である酸化インジウムスズ膜からなる孤立する表示電極6を設ける。酸化インジウムスズ膜のエッチング加工は、塩化第二鉄(FeCl3 )と塩酸(HCl)の水溶液を使用する。
【0110】
つぎに図11に示すように、第3の電極10をクロム膜にて形成する。第3の電極は、接続用の第3の電極10と表示電極用の第3の電極7(図示せず)とからなる。接続用の第3の電極10は、第1の電極2からなる接続部22に接続し、しかも島状の第2の電極21上の非線形抵抗素子5にオーバーラップしている。また、表示電極用の第3の電極7(図示せず)は、表示電極6に接続し、しかも島状の第2の電極21上の非線形抵抗素子5にオーバーラップしている。
【0111】
この接続用の第3の電極10と非線形抵抗層5と島状の第2の電極4とによって、薄膜ダイオード構造の第1の非線形抵抗素子9を構成している。また、表示電極用の第3の電極(図示せず)と非線形抵抗層5と島状の第2の電極21とによって、薄膜ダイオード構造の第2の非線形抵抗素子(図示せず)を構成している。
【0112】
以上説明した製造方法により、本発明の第1の実施例に示す薄膜ダイオード素子を有する第1の基板1が形成できる。
【0113】
なお本発明の実施例においては、第1の基板1あるいは第2の基板13上にカラーフィルターを設けていない場合に関して説明したが、第1の基板1あるいは第2の基板13上にカラーフィルターを設ける場合においても、本発明の実施例に示す効果は得られる。
【0114】
本発明の実施例においては、非線形抵抗層5として酸化タンタル膜と窒化シリコン膜について示したが、第2の電極3の陽極酸化膜や酸化シリコン膜や炭化シリコン膜や、あるいは酸化アルミ膜を有する金属−絶縁膜−金属構造からなる非線形抵抗素子である薄膜ダイオード素子を有する液晶表示装置においても、本発明の実施例に示す効果は得られる。
【0115】
【発明の効果】
以上の説明から明かなように、本発明の液晶表示装置の構成と製造方法を用いることにより、低抵抗な第1の電極が第2の電極下に設けてある。そのため、第2の電極は第1の電極により充分に低抵抗化している。そのため、液晶の印加電圧による誘電異方性が起きても電極の低抵抗化のためにクロストークの発生をきわめて小さくできる。したがって、液晶表示装置の大画面化あるいは微細化による電極の負担が増加する場合においても、外部信号のなまりの発生をきわめて小さくでき、外部信号を薄膜ダイオード素子を介して有効に表示電極に印加することが可能となる。
【0116】
さらに本発明においては、工程を複雑にすることなく、信号電極あるいはデーター電極を複数の配線の多層にすることができる。さらに、もっとも重要な第1の電極を基板上に最初に設けるため第1の電極の断線確率が低減し、さらに、1層分の配線電極が断線をする場合においても、他の配線のバックアップにより配線欠陥となることがない。
【0117】
したがって、本発明は液晶表示装置の大画面化と微細化と低コスト化と歩留まりの向上と表示品質の向上とを達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における液晶表示装置を示す平面図である。
【図2】本発明の第1の実施例における液晶表示装置を示す断面図である。
【図3】本発明の第2の実施例における液晶表示装置を示す平面図である。
【図4】本発明の第2の実施例における液晶表示装置を示す断面図である。
【図5】本発明の第3の実施例における液晶表示装置を示す平面図である。
【図6】本発明の第3の実施例における液晶表示装置を示す断面図である。
【図7】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方法における製造工程を示す断面図である。
【図8】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方法における製造工程を示す断面図である。
【図9】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方法における製造工程を示す断面図である。
【図10】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方法における製造工程を示す断面図である。
【図11】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方法における製造工程を示す断面図である。
【図12】従来例における液晶表示装置を示す平面図である。
【図13】従来例における液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 第1の基板
2 第1の電極
3 第2の電極
4 第2の電極
5 非線形抵抗層
6 表示電極
7 第3の電極
8 第1の非線形抵抗素子
9 第2の非線形抵抗素子
10 第3の電極
22 接続部
Claims (7)
- 第1の基板上に設けた第1の電極と、
該第1の電極上に形成した第2の電極、および第1の電極から離れた位置で第1の基板上に設けた島状の同じく第2の電極と、
少なくとも島状の第2の電極表面か、あるいは二つの第2の電極双方の表面に設けた非線形抵抗層と、
それぞれ一端を前記島状の第2の電極の非線形抵抗層に交差させて設けた二つの第3の電極と、
第1の基板上に設けた表示電極とを有する液晶表示装置であって、
前記第1の電極がその上層の前記第2の電極の輪郭から一部露出している箇所で、一方の前記第3の電極の他端が該第1の電極に接続し、
他方の前記第3の電極の他端が前記表示電極に接続することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記非線形抵抗層は、第2の電極材料の酸化膜からなることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記表示電極とこれに接続する前記第3の電極は、同一材料で一体に構成することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記島状の第2の電極の非線形抵抗層に交差する二つの第3の電極とは別の第3の電極を、前記第1の電極の上層の第2の電極上に形成したことを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項4に記載の液晶表示装置において、
前記島状の第2の電極の非線形抵抗層に交差する二つの第3の電極のうち前記第1の電極に接続する第3の電極と、前記第1の電極の上層の第2の電極上に形成した第3の電極は、同一材料で一体に構成することを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の基板上に第1の電極をパターン形成する工程と、
第2の電極を、前記第1の電極を覆うとともに、該第1の電極の輪郭からの張り出し部を持つようにパターン形成する工程と、
前記第2の電極上に非線形抵抗層を形成する工程と、
第1の電極を覆う第2の電極を部分的に除去して第1の電極を一部露出させるとともに、前記第2の電極の張り出し部の根元部分を切り離して張り出し部を島状の第2の電極と
する工程と、
表示電極をパターン形成する工程と、
二つの第3の電極を、それぞれ一端が前記島状の第2の電極の非線形抵抗層上に重なって交差し、一方の第3の電極の他端が前記第1の電極の露出部に接続し、他方の第3の電極の他端が前記表示電極と接続するようにパターン形成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項6に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記非線形抵抗層は、陽極酸化法により形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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