JP3554350B2 - 集積化バッテリマウントを有する表面装着可能集積回路パッケージ - Google Patents
集積化バッテリマウントを有する表面装着可能集積回路パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3554350B2 JP3554350B2 JP31768893A JP31768893A JP3554350B2 JP 3554350 B2 JP3554350 B2 JP 3554350B2 JP 31768893 A JP31768893 A JP 31768893A JP 31768893 A JP31768893 A JP 31768893A JP 3554350 B2 JP3554350 B2 JP 3554350B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- battery
- integrated circuit
- package
- package body
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49593—Battery in combination with a leadframe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
- H01M50/20—Mountings; Secondary casings or frames; Racks, modules or packs; Suspension devices; Shock absorbers; Transport or carrying devices; Holders
- H01M50/204—Racks, modules or packs for multiple batteries or multiple cells
- H01M50/207—Racks, modules or packs for multiple batteries or multiple cells characterised by their shape
- H01M50/216—Racks, modules or packs for multiple batteries or multiple cells characterised by their shape adapted for button or coin cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
- H01M50/50—Current conducting connections for cells or batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/924—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes with passive device, e.g. capacitor, or battery, as integral part of housing or housing element, e.g. cap
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49169—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
- Y10T29/49171—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor with encapsulating
Description
【産業上の利用分野】
本発明は集積回路の技術分野に関するものであって、更に詳細には、集積回路のパッケージング技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電子システムの分野において小型化が一般的となっている。例えば、ラップトップ又はノートブックの大きさのコンピュータは現在一般的に使用されており、且つ例えば携帯電話及び携帯ファクシミリ等の小型の通信システムも一般的に使用されている。当該技術分野において明らかな如く、電子システムの小型化は、回路基板が可及的に小さく且つ可及的に高い密度で回路が設けられる場合に最大とされる。小型化は、更に、通常、主要な又はバックアップ用の電源として使用するために回路基板上へのバッテリ即ち電池の据付けを必要とする。
【0003】
バッテリバックアップ電源を使用することも小型でない電子システムにおいて一般的となっている。例えば、多くのパソコン及びワークステーションは、一体的なクロック又はカレンダ機能を維持するためにバッテリで駆動されるメモリを有している。このような小型でない電子システムも、小さな形状係数及び高い密度で取付けた回路基板から利点が得られる。
【0004】
最近の電子組立技術は、高い密度での回路基板の取付けのために表面装着可能型の集積回路パッケージを使用している。表面装着可能パッケージのリードは、反対側で半田接続するために回路基板内の孔を貫通して延在するデュアルインラインパッケージ(DIP)のリードと対照的に、半田リフロープロセスによって回路基板の表面へリードを半田付することが可能であるような形状及び寸法のものである。表面装着は、回路基板の取付密度を増加させる。何故ならば、集積回路へ接続するために基板の表面上のトレースを必要とするに過ぎないからである(即ち、基板を貫通するものではない)。更に、パッケージの寸法は、同一の回路に対しDIPパッケージに対して必要とされるものよりも著しく減少させることが可能であり、特に、回路から延在するリード数が大きい場合にはそのことが言える。従って、表面装着技術は、回路基板の形状係数を、DIP回路パッケージを使用する同一の電子的機能に対して得られるものから著しく減少することを可能とする。
【0005】
従来の表面装着可能集積回路パッケージは種々の形態のものが存在している。セラミックのハーメチックシール型の表面装着可能パッケージは、通常、リードレス即ちリードのないチップキャリア型のものか、又は半田バンプ又は半田ボールリードを有するものである。プラスチック封止型又はモールド成形した表面装着可能パッケージは、Jリードを有するか又はパッケージ本体から延在するフラットリードを有するリード付チップキャリア型のものである。
【0006】
従来の表面装着技術は、半田リフロープロセスによって集積回路パッケージを回路基板へ取付け、その場合に半田が回路パッケージから回路基板の反対側ではなく、回路パッケージ自身に隣接して半田が流れるものである。従って、表面装着可能回路パッケージが半田リフローにおいて露呈される温度は、回路基板へDIPパッケージをマウントする場合に露呈される温度よりも著しく大きなものである。このような高温(180℃から高々230℃)へ短期間露呈されることは回路の信頼性を著しく劣化するものではないと思われるが、このような高温への露呈は例えば従来のリチウム電池又は銀−亜鉛型の電池等のバッテリを著しく劣化させることが観察されている。
【0007】
この従来のバッテリの温度による劣化のために、従来、不可能ではないにしても、表面装着可能集積回路パッケージ内にバッテリを信頼性をもって組込むことは実際的なものではなかった。そうであるから、従来のパッケージング技術によれば、集積回路パッケージを回路基板へ半田リフローマウントした後に表面マウント適用例においてバッテリをバッテリ駆動型回路内に挿入せねばならず、電子システムの製造を複雑化させ且つコストを増加させる原因となっている。
【0008】
更に別の従来技術として、内部にバッテリを集積化したDIPパッケージが生産されており、半田付期間中にDIP回路パッケージが露呈される温度は減少される(中間の回路基板が熱絶縁体である)。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的とするところは、内部にバッテリを集積化することが可能であり且つ半田リフロープロセスの温度に絶えることの可能な表面装着可能集積回路パッケージを提供することである。
【0010】
本発明の別の目的とするところは、モールド成形した封止型のそのようなパッケージを提供することである。
【0011】
本発明の更に別の目的とするところは、ハーメチックシール型のそのようなパッケージを提供することである。
【0012】
本発明の更に別の目的とするところは、そのようなパッケージを製造する方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、プラスチック封止型又はセラミック型のいずれかの表面装着可能集積回路パッケージに組込むことが可能である。バッテリ接続リードがそのリードからパッケージ本体の反対側へ配設されており、且つそれらの間に配設されている従来のバッテリ乃至はセルへの電気的接続及びパッケージ内にマウントされているチップへの電気的接続を与えている。パッケージ本体から離隔した態様でセルをサポートするために熱伝導性が劣った物質から形成したスタンドオフを設けることが可能である。これらのリード及びスタンドオフを設けた結果、セルの殆どと回路パッケージとの間に空隙が与えられ、又は熱絶縁性(又は抵抗性)物質でセルを取囲むことが可能である。包囲体がセルを被覆しており、該セルはそれを包囲体から離隔させるために熱抵抗性のスタンドオフを有することが可能である。セルと回路パッケージとの間のギャップは、回路パッケージが半田リフローマウント処理期間中に露呈される過剰な温度からセルを保護する。
【0014】
【実施例】
図1及び2を参照すると、本発明の第一実施例に基づいて構成された集積回路パッケージ10が示されている。パッケージ10はセラミックのハーメチックシール型のものであり、従って、セラミック物質から構成されるヘッダー12を有しており、その上に従来の導電性のエポキシ又は共晶マウントによってチップ14が取付けられている。ボンドワイヤ16が従来の態様でヘッダー12のリード(不図示)をチップ14へ接続している。蓋17がチップ14がマウントされているヘッダー12のキャビティ即ち凹所を被覆しており、尚図1の実施例においては、蓋17は金属性のものであり且つヘッダー12へ半田付されている。一方、蓋17はセラミック型のものとすることが可能であり、その場合にはパッケージのシール即ち密封は従来のガラスリフロー技術によって行なわれる。半田バンプ18が集積回路のリードへ接続されると共にそれらのリードに対応しており、且つパッケージ10を回路基板へ表面装着することを可能とするタイプのものである。一方、パッケージ10はリードレスチップキャリアタイプのものとすることが可能であり、その場合にはこのような半田バンプ18が設けられることはない。
【0015】
チップ14によって与えられる機能は、バッテリパワー又はバックアップが有用な任意のタイプのものとすることが可能である。例えば、チップ14は例えばCMOSスタチックRAM等のメモリ回路とすることが可能であり、その場合には、バッテリバックアップパワーは格納されたデータを保持するのに有用である。一方、チップ14は例えばタイマー又はデータ処理回路等の機能的回路とすることが可能であり、その場合には、バッテリバックアップパワーはある種の動作をイネーブル即ち動作可能状態とさせる上で有用である。
【0016】
本発明のこの実施例によれば、セル20はヘッダー12の半田バンプ18とは反対側においてパッケージ10内に一体的にマウント即ち装着されている。セル10は例えばリチウム又は銀亜鉛型等の従来のタイプのものとすることが可能である。本発明のこの実施例においては、下側バッテリリード22がヘッダー12から延在しており、且つセル20の負側と接触している。図2を参照すると、下側バッテリリード22はヘッダー12の表面において接続タブ21と接触しており、タブ21はリードレスチップキャリアの外部ランドに類似した金メッキしたランドである。下側バッテリリード22は溶接又はその他の従来の方法によってタブ21へ取付けることが可能である。タブ21はボンドワイヤ16を介してチップ14と電気的に接続しており、セル20の負側がチップ14をバイアスすることを可能としている。
【0017】
下側及び上側バッテリリード22,24は、通常、パッケージ10内に装着する前に、セル20へ溶接される。そうであるから、リード22,24をタブ21,23へ夫々取付けることによって、セル20はパッケージ10内に据付け乃至は装着される。
【0018】
ヘッダー12からセル20へのバッテリリード22を介しての熱伝導を最小とするために(このような熱伝導はある程度必要である。何故ならば、下側バッテリリード22は電気的に導電性のものでなければならないからである)、下側バッテリリード22の幅(図2の平面図において)及びその厚さ(図1の断面図において)を最小とすることが望ましい。更に、下側バッテリリード22の物質は最小の熱伝導状態で必要な電気的導通を与えるべく選択されるべきである。例えば、下側バッテリリード22は5ミルの厚さ及び10ミルの幅を有するステンレススチールから形成することが可能である。
【0019】
下側スタンドオフ26は、セル20に対して構造的支持を与えるためにヘッダー12の上表面から延在している。ヘッダー12からセル20をサポートするために少なくとも3箇所の接触点を設けることが望ましい。従って、図2において陰線で示した如く、2つの下側スタンドオフ26を設け、従って下側バッテリリード22と下側スタンドオフ26との結合が、ヘッダー12の表面からセル20に対して安定な支持を与えている。下側スタンドオフ26は、好適には、例えばガラス又はその他のセラミック物質等の低い熱伝導性物質から構成し、非導電性エポキシによってヘッダー12の表面へ取付けることが望ましい。
【0020】
同様に、上側バッテリリード24はヘッダー12とセル20の正側との間に電気的接続を与えている。上側バッテリリード24は、同様に、溶接又はその他の手段によってタブ23へ接続されてセル20をパッケージ10内に据付ける。上側バッテリリード24は下側バッテリリード22と同一の物質及び実質的に同一の寸法であって、セル20とチップ14との間に電気的接続を維持しながらそれを介しての熱伝導を最小としている。
【0021】
ハウンジング30は本発明のこの実施例に基づいてパッケージ10に設けられており、セル20及びバッテリリード22,24に対して機械的及び環境的な保護を与えている。ハウジング30は、例えばプラスチック樹脂又はポリエステルガラス等の熱絶縁性物質から形成することが可能であり、且つ例えばインジェクション成形等の従来のプロセスによって適宜の寸法形状に形成されている。ハウジング30は従来のエポキシによってヘッダー12の端部へ取付けられている。上側スタンドオフ28はハウジング30の内側表面から延在しており、且つハウンジング30の内側表面からセル20に対して安定した支持を与えている。ハウジング30はモールド成形により成形するが、上側スタンドオフ28は同一の熱抵抗性乃至は絶縁性物質からハウジング30の一部として一体的にモールド成形することが可能である。
【0022】
下側バッテリリード22と下側スタンドオフ26との組合わせの結果として、セル20は図1に示した如く距離d1 だけヘッダー12の表面から離隔されている。同様に、上側バッテリリード24と上側スタンドオフ26との組合わせの結果として、セル20は距離du だけハウジング30から離隔されている。距離d1 ,du は例えば5乃至15ミルの程度のものとすることが可能であるが、勿論、パッケージの高さと熱絶縁性との間の利益衡量にしたがって適宜異なった値を取り得るものである。このような離隔を与える結果、ヘッダー12とセル20との間及びハウジング30とセル20との間には空隙が設けられ、セル20を取囲んで高い熱絶縁性を与えている。この熱絶縁性は、半田リフロー処理期間中にセル20が比較的低温にとどまることを可能とし、その特性が劣化することを最小とし又は取除いている。
【0023】
セル20を取囲むキャビティ即ち凹所内に例えばエポキシ等の熱抵抗性乃至は絶縁性物質を挿入することが可能である。この場合には、セル20は空隙というよりも挿入された物質によって熱絶縁状態とされ、半田リフロー処理期間中に比較的低い温度に維持される。
【0024】
バッテリリード22,24は下側のスタンドオフ26及び上側のスタンドオフ28を必要とすることなしにヘッダー12の上方にセル20を支持するために、タブ21,23に取付けられた場合に、充分な強度を有するものとすることが可能である。この場合には、例えば25ミルの程度の幅広のバッテリリード22,24を設けることが望ましい。
【0025】
従って、本発明によれば、パッケージ10は回路基板へ表面マウント即ち表面装着する前に、部品の形態でセル20をパッケージ10へ一体化することを可能としており、後になってセル20を据付けることの必要性及びそのコストを取除いている。従って、本発明によれば、品質及び信頼性が高く且つ低コストの電子システムが提供される。
【0026】
製造する場合に、パッケージ10は、最初に従来の態様でチップ14をヘッダー12へマウントし、次いでヘッダー12とチップ14とを接続するためにボンドワイヤ16を配設するボンディング操作を行なって形成する。次いで、チップ14の上方において蓋17を設けてシールする。チップ14をマウントする前又はその後のいずれかにおいて、下側スタンドオフ26をヘッダー12へ取付ける。
【0027】
上述した如く、バッテリリード22,24を溶接又はその他の方法によって、セル20をパッケージ10へ据付ける前にセル20へ接続させる。次いで、必要に応じてセル20を下側スタンドオフ26によって支持した状態で、下側バッテリリード22及び上側バッテリリード24をタブ21及び23へ取付けることによってセル20の据付を行なう。半田バンプ18を設ける場合には、次いで、従来の態様でバンプ18を形成する。次いで、ハウジング30をエポキシによってヘッダー12へ接着させ、セル20に対して環境保護を与えると共に、スタンドオフ28を介してそれに対しての構造的支持を与える。
【0028】
次に図3を参照して、Jリードプラスチック封止型チップキャリアと呼称されるタイプの表面装着可能集積回路パッケージ40に関して本発明の第二実施例を説明する。尚、説明の便宜上、図1及び2における構成要素と同一の構成要素には図3において同一の参照番号を使用する。
【0029】
図3に示した実施例においては、チップ14がリードフレーム44の一部であるダイ取付部46へマウントされている。リードフレーム44はプラスチックJリードチップキャリア用の従来のタイプのものであり、従って通常、その内部リードの面からダイ取付部46をオフセットさせており、ボンドワイヤ16の角度の厳しさを減少させている。パッケージ本体42は、本発明のこの実施例においては、チップ14をマウントし且つリードフレーム44へワイヤボンディングした後に、チップ14の周りにインジェクション成形したプラスチックモールド化合物によって与えらえている。このようなインジェクションモールディングはプラスチック封止型集積回路にとって従来のタイプのものである。モールディングの後に、この実施例においては、リードフレーム44のリードを従来の態様で、図3に示した如く、J形状へ屈曲させる。図3に示した実施例においては、下側スタンドオフ26がパッケージ本体42から延在しており、且つパッケージ本体42を形成するために使用されるインジェクションモールディングプロセスにおいて形成される。上述したセラミックの場合における如く、下側スタンドオフ26は、好適には、セル20に対して少なくとも3つの支持点(下側バッテリリード22を1つの支持点と考える)を与えるべく設けることが望ましい。
【0030】
セル20は図1に関して前述したのと同様の態様で下側及び上側バッテリリード22,24の間に配設されている。上述した場合における如く、下側及び上側バッテリリード22,24は、例えば溶接等によって、セル20をパッケージ40に据付ける前に、セル20へ取付けられる。下側及び上側バッテリリード22,24用の寸法及び物質は、好適には、上述した図1及び2の実施例におけるものと同一であり、最小の熱伝導性でもって所望の電気的接続を与える。製造する場合に、セル20が下側スタンドオフ26によって支持されるような態様で、パッケージ本体をモールド成形した後にパッケージ本体42から延在するタブ乃至はランドへバッテリリード22,24を取付けることによってセル20が取付けられる。ハウジング30も、上側スタンドオフ28を包含すべくインジェクションモールディングによって形成することが望ましく、次いで、そのハウジングをセル20上方に配置させ、且つ従来のエポキシ接着によってパッケージ本体42へ取付ける。従って、上側バッテリリード24と結合して、上側スタンドオフ28は、パッケージ40におけるセル20に対して安定な構造的支持を与えている。
【0031】
図1及び2の実施例における如く、図3の実施例に基づくパッケージ40の構成は、セル20とパッケージ本体42との間及びセル20とハウジング30との間に空隙を与えている。この空隙は、同様に、充分な熱絶縁性を与えており、従ってセル20は表面装着可能なパッケージ40を回路基板へ半田リフローマウント処理によってマウントする場合の温度に露呈されることはない。一方、従来の場合における如く、このギャップを熱伝導性の低い物質で充填することが可能である。そうであるから、回路基板組立の前にセル20をパッケージ40へ集積化させ、パッケージを回路基板へマウントした後に、バッテリをパッケージへ挿入する付加的な製造操作に対する必要性を取除いている。
【0032】
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施例に基づいて構成された集積回路パッケージを示した概略断面図。
【図2】図1の集積回路パッケージの概略断面平面図。
【図3】本発明の第二実施例に基づいて構成された集積回路パッケージの概略断面図。
【符号の説明】
10 集積回路パッケージ
12 ヘッダー
14 チップ
16 ボンドワイヤ
17 蓋
18 半田バンプ
20 セル
21,23 タブ
22,24 リード
26 スタンドオフ
30 ハウジング
Claims (19)
- 表面装着可能集積回路パッケージにおいて、
パッケージ本体にマウントした集積回路、
前記パッケージ本体の第一表面における複数個の電気的接続部、
前記パッケージ本体の第二表面から延在しており且つ前記集積回路へ電気的に接続されている下側バッテリリード、
前記パッケージ本体の前記第二表面から延在しており且つ前記集積回路へ電気的に接続されている上側バッテリリード、
前記パッケージ本体との間にギャップが存在するように前記下側バッテリリードと上側バッテリリードとの間に配設されたバッテリ、
前記バッテリとの間にギャップをもって前記バッテリを被覆しており且つ前記パッケージ本体に取付けられたハウジング、
を有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。 - 請求項1において、更に、前記バッテリの一部と前記ハウジングの内側表面との間にギャップが存在するように前記パッケージ本体の前記第二表面から延在しており且つ前記バッテリと接触している下側スタンドオフを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
- 請求項2において、更に、前記バッテリの一部と前記ハウジングの内側表面との間にギャップが存在するように前記ハウジングの内側表面から延在しており且つ前記バッテリと接触する上側スタンドオフを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
- 請求項3において、前記上側スタンドオフが前記ハウジングと一体的にモールド成形されていることを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
- 請求項1において、前記パッケージ本体が、前記集積回路がマウントされているヘッダーと、前記ヘッダーにマウントされた場合に前記集積回路を被覆するような態様で前記ヘッダーへ取付けられている蓋とを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
- 請求項5において、更に、前記ヘッダーへ取付けられており、熱抵抗性物質から構成されており、且つ前記バッテリの一部と前記ヘッダーとの間にギャップが存在するように前記バッテリと接触している下側スタンドオフを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
- 請求項1において、前記パッケージ本体が、リードを具備すると共に前記集積回路がマウントされているダイ取付部を具備するリードフレームと、前記リードフレームとそれにマウントされている集積回路とを取囲むプラスチック封止体とを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
- 請求項7において、更に、前記プラスチック封止体と一体的にモールド成形されており且つその第二表面から延在しており且つ前記バッテリの一部と前記プラスチック封止体との間にギャップが存在するように前記バッテリと接触している下側スタンドオフを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
- 請求項1において、前記複数個の電気的接続部が表面装着可能型のものであることを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
- 請求項1において、更に、前記ギャップ内に配設されている熱抵抗性物質を有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
- 表面装着可能集積回路パッケージと一体的にバッテリをパッケージングする方法において、
パッケージ本体内に集積回路チップをパッケージングし、前記パッケージ本体は一表面上に表面装着可能型の電気的接続部を有すると共に、前記電気的接続部から反対側へ延在する第一及び第二バッテリリードを有しており、
前記パッケージ本体と前記バッテリとの間にギャップが存在するように前記第一及び第二バッテリリード間にバッテリを配置し、
前記バッテリとハウジングとの間にギャップが存在した状態で前記ハウジングが前記バッテリを被覆するような態様で前記パッケージ本体へハウジングを取付ける、
ことを特徴とする方法。 - 請求項11において、前記パッケージ本体が前記反対側の表面に取付けたスタンドオフを有しており、且つ前記配置するステップが前記バッテリを前記スンタンドオフと接触した状態に配置させることを特徴とする方法。
- 請求項11において、前記ハウジングが前記配置ステップの後に前記バッテリと接触するようにその内側表面に沿ってマウントされたスタンドオフを有することを特徴とする方法。
- 請求項11において、更に、前記取付けステップの後に、前記電気的接続部を回路基板へ接続することを特徴とする方法。
- 請求項14において、前記接続ステップが半田リフロープロセスを有することを特徴とする方法。
- 請求項11において、前記パッケージングステップが、リードフレームへ集積回路チップをマウントし、且つ前記集積回路チップ及びリードフレームをプラスチック封止体で封止する、ことを特徴とする方法。
- 請求項16において、前記封止ステッップが、前記パッケージ本体の前記反対側側部上に前記スタンドオフを形成することを特徴とする方法。
- 請求項11において、前記パッケージングステップが、集積回路チップをヘッダーへマウントし、且つ前記集積回路チップの上方の前記ヘッダーへ蓋を取付けることを特徴とする方法。
- 請求項18において、更に、前記パッケージ本体の前記反対側側部へスタンドオフを取付けることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/995,665 US5403782A (en) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | Surface mountable integrated circuit package with integrated battery mount |
US995665 | 1992-12-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06275773A JPH06275773A (ja) | 1994-09-30 |
JP3554350B2 true JP3554350B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=25542083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31768893A Expired - Lifetime JP3554350B2 (ja) | 1992-12-21 | 1993-12-17 | 集積化バッテリマウントを有する表面装着可能集積回路パッケージ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5403782A (ja) |
EP (1) | EP0605987B1 (ja) |
JP (1) | JP3554350B2 (ja) |
DE (1) | DE69314760T2 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2677167B2 (ja) * | 1993-07-08 | 1997-11-17 | 日本電気株式会社 | 駆動回路内蔵型液晶表示装置の製造方法 |
US5642265A (en) * | 1994-11-29 | 1997-06-24 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Ball grid array package with detachable module |
US5666272A (en) * | 1994-11-29 | 1997-09-09 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Detachable module/ball grid array package |
US5586907A (en) * | 1995-08-25 | 1996-12-24 | The Whitaker Corporation | Battery connector |
US6395991B1 (en) | 1996-07-29 | 2002-05-28 | International Business Machines Corporation | Column grid array substrate attachment with heat sink stress relief |
US5796169A (en) * | 1996-11-19 | 1998-08-18 | International Business Machines Corporation | Structurally reinforced ball grid array semiconductor package and systems |
US5972734A (en) * | 1997-09-17 | 1999-10-26 | Lsi Logic Corporation | Interposer for ball grid array (BGA) package |
US6053394A (en) * | 1998-01-13 | 2000-04-25 | International Business Machines Corporation | Column grid array substrate attachment with heat sink stress relief |
TW382079B (en) * | 1998-08-28 | 2000-02-11 | Via Tech Inc | Integrated real time clock integrated circuit device and manufacturing method thereof |
US6052045A (en) * | 1999-03-12 | 2000-04-18 | Kearney-National, Inc. | Electromechanical switching device package with controlled impedance environment |
JP2002026173A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ic装置、基板、およびic組付基板 |
USRE38381E1 (en) | 2000-07-21 | 2004-01-13 | Kearney-National Inc. | Inverted board mounted electromechanical device |
JP3609741B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2005-01-12 | 三洋電機株式会社 | パック電池 |
US7088074B2 (en) * | 2002-01-02 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | System level device for battery and integrated circuit integration |
ATE373869T1 (de) * | 2002-03-08 | 2007-10-15 | Kearney National Inc | Relaisformgehäuse zur oberflächenanbringung und verfahren zu seiner herstellung |
US20040081860A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-04-29 | Stmicroelectronics, Inc. | Thin-film battery equipment |
JP2005117887A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 車載用回路ユニットの取付構造及び車載用回路ユニット |
US7230321B2 (en) * | 2003-10-13 | 2007-06-12 | Mccain Joseph | Integrated circuit package with laminated power cell having coplanar electrode |
US7557433B2 (en) | 2004-10-25 | 2009-07-07 | Mccain Joseph H | Microelectronic device with integrated energy source |
EP1544917A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-22 | Dialog Semiconductor GmbH | Integrated battery pack with lead frame connection |
JP2009170575A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Panasonic Corp | 面実装用方形蓄電セル |
US8666505B2 (en) | 2010-10-26 | 2014-03-04 | Medtronic, Inc. | Wafer-scale package including power source |
JP5281121B2 (ja) * | 2011-06-14 | 2013-09-04 | 三菱電機株式会社 | 車載電子装置の基板収納筐体 |
KR101321277B1 (ko) * | 2011-07-04 | 2013-10-28 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법 |
US11852957B2 (en) | 2020-09-22 | 2023-12-26 | Google Llc | Thermal-control system for a security camera and associated security camera |
US11457545B2 (en) | 2020-09-28 | 2022-09-27 | Google Llc | Thermal-control system of a media-streaming device and associated media-streaming devices |
US11277941B1 (en) | 2020-10-02 | 2022-03-15 | Google Llc | Thermal-control system of a video-recording doorbell and associated video-recording doorbells |
CA3194435A1 (en) | 2020-10-02 | 2022-04-07 | Jacobi Colton Grillo | Image-capturing doorbell device |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4053688A (en) * | 1975-12-08 | 1977-10-11 | Perkins Carroll R | Battery holder |
CH638653B (fr) * | 1979-08-21 | Ebauchesfabrik Eta Ag | Dispositif de maintien d'une pile dans une montre-bracelet electronique. | |
US4998888A (en) * | 1984-07-23 | 1991-03-12 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit package with battery housing |
US4487820A (en) * | 1983-07-25 | 1984-12-11 | Memory Protection Devices, Inc. | Battery holder for coin cells |
US4645943A (en) * | 1984-10-15 | 1987-02-24 | Dallas Semiconductor Corporation | Space-saving back-up power supply |
JPS61164249A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US4985870A (en) * | 1986-07-02 | 1991-01-15 | Dallas Semiconductor Corporation | Apparatus for connecting electronic modules containing integrated circuits and backup batteries |
US5196374A (en) * | 1990-01-26 | 1993-03-23 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit package with molded cell |
US5294829A (en) * | 1990-01-26 | 1994-03-15 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | IC package having direct attach backup battery |
US5289034A (en) * | 1990-01-26 | 1994-02-22 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | IC package having replaceable backup battery |
US5008776A (en) * | 1990-06-06 | 1991-04-16 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Zero power IC module |
US5153710A (en) * | 1991-07-26 | 1992-10-06 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit package with laminated backup cell |
JPH0644769A (ja) * | 1992-05-26 | 1994-02-18 | Konica Corp | 不揮発メモリ基板 |
-
1992
- 1992-12-21 US US07/995,665 patent/US5403782A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-12-17 JP JP31768893A patent/JP3554350B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-20 DE DE69314760T patent/DE69314760T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-20 EP EP93310310A patent/EP0605987B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-11-30 US US08/346,760 patent/US5498903A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69314760D1 (de) | 1997-11-27 |
EP0605987B1 (en) | 1997-10-22 |
JPH06275773A (ja) | 1994-09-30 |
US5498903A (en) | 1996-03-12 |
US5403782A (en) | 1995-04-04 |
EP0605987A2 (en) | 1994-07-13 |
DE69314760T2 (de) | 1998-03-12 |
EP0605987A3 (en) | 1995-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3554350B2 (ja) | 集積化バッテリマウントを有する表面装着可能集積回路パッケージ | |
KR0127873B1 (ko) | 연부-장착된 반도체 집적 회로 디바이스용 표면-장착 팩키지 | |
KR100206534B1 (ko) | 제로 전력 아이씨 모듈 | |
US8916958B2 (en) | Semiconductor package with multiple chips and substrate in metal cap | |
US5389739A (en) | Electronic device packaging assembly | |
KR100206533B1 (ko) | 제로 전력 아이씨 모듈 | |
JPS5999753A (ja) | 電力用トランジスタモジユ−ル | |
US11375623B2 (en) | Battery protection circuit package and method of fabricating the same | |
JP3482850B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
CN113659185A (zh) | 电池保护电路封装件的制造方法 | |
US20070158830A1 (en) | Circuit module | |
US5610800A (en) | Substrate mounting of circuit components with a low profile | |
JP2000244077A (ja) | 樹脂成形基板と電子部品組み込み樹脂成形基板 | |
TW426870B (en) | Semiconductor device and the manufacturing method thereof | |
US20140312484A1 (en) | Electronic assembly for mounting on electronic board | |
JP2021114511A (ja) | 電力変換装置 | |
US6278190B1 (en) | Semiconductor device | |
JP2004158700A (ja) | 電子制御装置およびその製造方法 | |
CN116709640B (zh) | 电路板组件和电子设备 | |
JP2654035B2 (ja) | 半導体ic装置 | |
JPH0196952A (ja) | 気密封止チツプキヤリア | |
CN101252110B (zh) | 封装结构及其制造方法 | |
JPH0341473Y2 (ja) | ||
KR100212392B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
JPS60120541A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20031209 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20031212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120514 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |