JP3537337B2 - 薄膜装置の製造方法、この方法により製造された磁気抵抗効果型ヘッドおよびこのヘッドを搭載した磁気記録再生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、狭ギャップを備え
る薄膜装置の製造方法に係り、特に磁気抵抗効果型ヘッ
ドを高密度化する際に適用してマルチ化を実現できる薄
膜装置の製造方法およびこの方法により製造された磁気
抵抗効果型ヘッドに係り、またこのヘッドを搭載した磁
気記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、外部メモリの大容量化の要請に応
じて、例えばハードディスク装置（ＨＤＤ―Hard Disk
Drive―）に搭載される磁気ディスク等の磁気記録媒体
を高密度化して大容量化するための開発が続けられてい
る。この記録媒体側の高密度化に対応して、記録媒体に
記録された情報を読み出すための磁気抵抗効果型ヘッド
のマルチ化も重要な課題となっており、種々の試みが為
されている。また、高密度化された磁気記録媒体には例
えば大容量の画像情報等を記録しておくこともできる
が、このような画像情報の送受信に際しては特に情報の
読み出しに時間を要するため、情報の読み出しを高速化
できるマルチ化された磁気抵抗効果型ヘッドの開発に期
待が寄せられている。

【０００３】このような期待に応えるため、最も先進的
な開発としては超狭トラフィックとヘッドのマルチ化と
を同時に実現するプラナ型磁気ヘッドも提案されてい
る。この一例としては、例えば本発明者たちの提案に係
る特開平９−３０５９０５号等がある。しかしながら、
このようなプラナ型磁気ヘッドは、歩留まり等の関係よ
りまだまだ低コストで安定供給するまでには至っておら
ず、実際には図１４に示されるようなシールド型のＭＲ
（Magnetic Resistance）ヘッドをマルチヘッド化した
ものが従来用いられていた。

【０００４】図１４（ａ）において、従来のシールド型
マルチヘッド１は一対のシールド部材２，３の間にそれ
ぞれギャップ４，４を介して積層体５が設けられてい
る。積層体５は、磁気抵抗素子としてのスピンバルブ
（ＳＶ）６，６間の長さ方向に永久磁石７を介挿させた
構成となっており、永久磁石７には引き出し電極８が張
り合わされている。このスピンバルブ６の構成は、図１
４（ｂ）に示すようになっており、磁気抵抗効果膜６と
永久磁石７および引き出し電極８の詳細な構成が、図１
４（ｃ）に示されている。

【０００５】しかしながら、このような従来の磁気抵抗
効果ヘッドは２つの理由により線分解能を向上させるの
に限界があった。例えば、４０Ｇｂｐｓｉレベルでは上
下のシールド間の再生ギャップ長は６０ｎｍ程度とな
り、ＧＭＲ素子の厚さ３０ｎｍを差し引くと片側１５ｎ
ｍの絶縁膜しか配置できず、１００ｎｍの厚さの電極を
歩留まりよく絶縁できないためにギャップを狭隘なもの
とする狭ギャップ化が困難となるという問題があった。
また、磁気ヘッドの浮上量も現在広く実用化されている
４Gbpsi級でも既に３０ｎｍを切っており、磁気ディス
ク等の記録媒体と磁気ヘッドとの磁気的な距離は今後と
も大きくは縮めることができないために線密度の伸びは
飽和することになる。ディスクの回転数を上げれば情報
の読み取り転送速度を上げることができるが、これも余
り大きな飛躍は期待できない。

【０００６】したがって、情報の転送速度を上げるため
にはマルチチャネル化が必要となってきた。マルチチャ
ネル化しようとしても、例えば４Gbpsiのときですらト
ラックピッチは１．５程度であり、再生ヘッドのトラッ
ク幅は１μｍ程度となり、再生ヘッドの縦バイアス層な
どは０．５μｍ以下の大きさとしなければならなくな
る。再生ヘッドのみをマルチ化しようとしても、フォト
リソグラフィの解像度の限界から１個の再生ヘッドに占
めるトラック方向の距離は数μｍ以上となり、マルチヘ
ッドを狭いピッチにより製造することは実際には不可能
になるという問題があった。仮に数トラック毎に１つの
再生ヘッドを設けるようにすれば充分な間隔を確保する
ことができるのでマルチチャネルヘッドを構成すること
が可能となるが、ロータリアクチュエータを用いている
現行のＨＤＤにおいては内周側から外周側へ行くにつれ
て再生ヘッドのピッチと記録トラックのピッチとがずれ
てしまい、再生できなくなってしまうという問題を有し
ていた。

【０００７】このように、ヘッドをマルチ化しようとし
ても、例えば２０Gbpsiの時のトラックピッチは０．６
μｍ程度であり、再生ヘッドのトラック幅は０．３５μ
ｍ程度となる。Ｉ線ステッパの解像度も０．２‐０．３
μｍ程度なので、アバッテッド縦バイアス層の幅を０．
２μｍくらいまでにするのが限界である。アバッテッド
縦バイアス層の近傍の０．１‐０．２μｍくらいはデッ
ド層となり実際には使用することができない領域なの
で、実効トラック幅は、「０．６（トラックピッチ）‐
０．２（縦バイアス層幅）‐０．１（デッド層）＊２＝
０．２」μｍとなる。すなわち、トラックピッチ０．６
μｍに対して、再生トラック幅は０．２μｍにしかなら
ないことになる。磁気ディスク装置の出力はトラック幅
に比例することになるので、装置の出力は大きく低下す
ることになる。したがって、隣接するトラックに対応す
るヘッドを設けることによりマルチ化を行なおうとする
と、実効再生トラック幅が極端に狭くならざるを得ない
ことになる。

【０００８】ヘッドの浮上量が４０Gbpsiになると問題
はさらに深刻化して、トラックピッチは０．４μｍ程度
であり、０．４μｍ程度であり、再生ヘッドのトラック
幅は０．３μｍ程度は確保したいところであるが、フォ
トリソグラフィの解像度の限界から再生ヘッドの縦バイ
アス層および電極の幅をそれぞれ０．２μｍとすると、
縦バイアス層に両側には隣接する０．１μｍ程度の不感
センサ領域ができるので、実質的な再生トラック幅は、
「０．４（トラックピッチ）‐０．２（縦バイアス層
幅）‐０．１（デッド層）＊２＝０」μｍとなり、出力
は０となってしまうことになる。

【０００９】すなわち、フォトリソグラフィの解像度の
限界に対して２倍のピッチで電極と磁気抵抗効果素子を
配置するのが配置上の限界であるが、磁気抵抗効果素子
の両端部は不感部分となるために、０．４μｍ近い狭ピ
ッチのマルチヘッドを構成することは実質的に無理であ
る。また、仮に狭ピッチによりマルチヘッドを構成する
ことができたとしても、ヘッドの狭ピッチ化に伴い電極
の幅も狭くなってしまうために、電極の引き出し部分の
抵抗が大きくなってしまうという問題が残ることにな
る。

【００１０】また、縦バイアス層にハード（hard）膜や
反強磁性により交換結合した軟磁性層を用いた場合も、
縦バイアス層の幅が小さくなるとエッジ部分での反磁界
が大きくなり、エッジ近傍における軟磁性層の磁化が傾
くという問題が発生することになる。っこのエッジ近傍
で軟磁性層の磁化が傾く幅は、永久磁石の「Ｍｓ＊ｔ／
Ｈｃ」又は「Ｍｓ’＊ｔ’／Ｈｕａ」により決定される
が、その幅は１０〜５０ｎｍ程度であり、縦バイアス層
の幅が０．５ミクロン以下になると、大きな問題とな
る。ここで、ＭｓおよびＭｓ’はそれぞれ永久磁石と反
強磁性膜により交換結合された軟磁性層の磁化であり、
ｔおよびｔ’は永久磁石と反強磁性膜により交換結合さ
れた軟磁性層の厚さであり、ＨｃおよびＨｕａは永久磁
石の保持力と反強磁性膜の交換結合磁界である。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のＭＲヘッド等のような半導体装置は、例えばフォトリ
ソグラフィ等を用いて製造していたために、永久磁石等
を仕切る縦バイアス層のような極めて狭いギャップを半
導体により製造することが難しく、磁気記録媒体として
の磁気ディスクには高密度化を図れる余地があるにも拘
わらず、記録された情報を読み出す磁気ヘッド側にはヘ
ッドのマルチ化が図れず転送速度を上げることも難しい
という問題があった。

【００１２】本発明は上述した従来のＭＲヘッドの問題
を解消するためになされたものであり、狭ギャップを製
造可能な薄膜装置の製造方法を提供すると共に、この方
法により製造された転送速度が速く高出力の磁気抵抗効
果型ヘッドおよびこのヘッドが搭載された磁気記録再生
装置を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る薄膜装置の製造方法は、少なくとも狭
ギャップを有する薄膜装置の製造方法であって、磁気抵
抗効果特性を有する磁気抵抗効果膜を所定の厚さにより
積層するプロセスと、上記磁気抵抗効果膜上に電気的に
高抵抗を有する高抵抗膜を所定の厚さにより積層するプ
ロセスと、積層された前記磁気抵抗効果膜と前記高抵抗
膜の上に第１の薄膜を積層し、この第１の薄膜を選択的
にエッチングして所定の間隔のギャップを形成し、この
ギャップを含む第１の薄膜の上部側から全面にわたって
第２の薄膜を積層し、その上から再度第１の薄膜を積層
した後、上面を平坦化してから第１の薄膜間に存在する
第２の薄膜をエッチングして除去することにより前記第
２の薄膜の膜厚に相当する狭ギャップを有する狭ギャッ
プマスクを製造するプロセスと、上記狭ギャップマスク
を用いて所定の条件下でエッチングを行ない前記高抵抗
膜および磁気抵抗効果膜を前記狭ギャップに相当する幅
で除去して前記磁気抵抗効果膜および高抵抗膜にも狭ギ
ャップをそれぞれ形成するプロセスと、少なくとも前記
磁気抵抗効果膜の狭ギャップ内にバイアス膜を形成し、
前記狭ギャップが形成された前記高抵抗膜の上部側から
全面にわたって電極膜を積層させてこれをエッチングす
ることにより前記高抵抗膜の狭ギャップよりこのギャッ
プの上方の両側に電極部が残された引き出し電極層を成
膜するプロセスと、を備えることを基本的な特徴として
いる。

【００１４】また、本発明に係る薄膜装置の製造方法
は、上記基本的な特徴を有するものにおいて、前記狭ギ
ャップを有する薄膜装置が、多数の個別ヘッドが反復形
成された磁気抵抗効果型ヘッドにより構成されているこ
とを特徴としている。

【００１５】また、本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド
は、複数の磁気抵抗効果膜と、その両端に配置された複
数の縦バイアス層と、前記磁気抵抗効果膜の抵抗変化を
取り出す複数の電極とを備えるものにおいて、磁気抵抗
効果特性を有する磁気抵抗効果膜を所定の厚さにより積
層するプロセスと、上記磁気抵抗効果膜上に電気的に高
抵抗を有する高抵抗膜を所定の厚さにより積層するプロ
セスと、積層された前記磁気抵抗効果膜と前記高抵抗膜
の上に第１の薄膜を積層し、この第１の薄膜を選択的に
エッチングして所定の間隔のギャップを形成し、このギ
ャップを含む第１の薄膜の上部側から全面にわたって第
２の薄膜を積層し、その上から再度第１の薄膜を積層し
た後、上面を平坦化してから第１の薄膜間に存在する第
２の薄膜をエッチングして除去することにより前記第２
の薄膜の膜厚に相当する狭ギャップを有する狭ギャップ
マスクを製造するプロセスと、上記狭ギャップマスクを
用いて所定の条件下でエッチングを行ない前記高抵抗膜
および磁気抵抗効果膜を前記狭ギャップに相当する幅で
除去して前記磁気抵抗効果膜および高抵抗膜にも狭ギャ
ップをそれぞれ形成するプロセスと、少なくとも前記磁
気抵抗効果膜の狭ギャップ内にバイアス膜を形成し、前
記狭ギャップが形成された前記高抵抗膜の上部側から全
面にわたって電極膜を積層させてこれをエッチングする
ことにより前記高抵抗膜の狭ギャップよりこのギャップ
の上方の両側に電極部が残された引き出し電極層を成膜
するプロセスと、を経て製造されたことを第２の基本的
な特徴としている。

【００１６】また、本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド
は、上記第２の基本的な特徴を備えるものにおいて、前
記磁気抵抗効果膜は長さ方向に前記狭ギャップを介して
配列された複数個の個別磁気抵抗効果膜であり、前記バ
イアス層は前記個別磁気抵抗効果膜の両端の前記狭ギャ
ップ内に形成された複数個の個別バイアス層であり、前
記個別磁気抵抗効果膜上にはこの膜と同じ幅と長さを有
する個別絶縁膜が前記高抵抗膜として複数個設けられ、
前記個別バイアス層の上で隣接する２つの個別絶縁膜の
間からそれぞれの端部の上にかけて設けられた個別引き
出し電極層が複数設けられていることを特徴としてい
る。

【００１７】また、本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド
は、上記第２の基本的な特徴を備えるものにおいて、前
記ギャップを介して残された磁気抵抗効果膜および高抵
抗膜と、前記狭ギャップとの幅の比率は１０対１であ
り、かつ、狭ギャップマスクを用いて形成された狭ギャ
ップの幅は０．０５ないし０．１μｍのオーダを有して
いることを特徴としている。

【００１８】また、本発明に係る磁気記録再生装置は、
高密度の記録領域が形成された磁気記録媒体と、この磁
気記録媒体への情報の書き込みおよびこの媒体からの情
報の読み出しを磁気抵抗効果を利用して行なう磁気ヘッ
ドを含む情報記録再生系と、を備えるものにおいて、前
記磁気ヘッドは、磁気抵抗効果特性を有する磁気抵抗効
果膜を所定の厚さにより積層するプロセスと、上記磁気
抵抗効果膜上に電気的に高抵抗を有する高抵抗膜を所定
の厚さにより積層するプロセスと、積層された前記磁気
抵抗効果膜と前記高抵抗膜の上に第１の薄膜を積層し、
この第１の薄膜を選択的にエッチングして所定の間隔の
ギャップを形成し、このギャップを含む第１の薄膜の上
部側から全面にわたって第２の薄膜を積層し、その上か
ら再度第１の薄膜を積層した後、上面を平坦化してから
第１の薄膜間に存在する第２の薄膜をエッチングして除
去することにより前記第２の薄膜の膜厚に相当する狭ギ
ャップを有する狭ギャップマスクを製造するプロセス
と、上記狭ギャップマスクを用いて所定の条件下でエッ
チングを行ない前記高抵抗膜および磁気抵抗効果膜を前
記狭ギャップに相当する幅で除去して前記磁気抵抗効果
膜および高抵抗膜にも狭ギャップをそれぞれ形成するプ
ロセスと、少なくとも前記磁気抵抗効果膜の狭ギャップ
内にバイアス膜を形成し、前記狭ギャップが形成された
前記高抵抗膜の上部側から全面にわたって電極膜を積層
させてこれをエッチングすることにより前記高抵抗膜の
狭ギャップよりこのギャップの上方の両側に電極部が残
された引き出し電極層を成膜するプロセスと、により製
造されたマルチ化された構成を備えることを第３の基本
的な特徴としている。

【００１９】また、本発明に係る磁気記録再生装置は、
上記第３の基本的な特徴を備えるものにおいて、前記情
報記録再生系は、情報を同時に再生する複数の磁気ヘッ
ドと、複数の磁気ヘッドにより再生された情報を記憶す
る記憶手段と、記憶手段により記憶された複数の磁気ヘ
ッドにより再生された情報を並べ直して元の情報として
再構成する処理手段と、を更に備えることを特徴として
いる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気抵抗効果
ヘッド等の薄膜装置の製造方法の好適な実施形態につい
て添付図面を参照しながら詳細に説明する。図１に本発
明の第１実施形態に係る薄膜装置装置の製造方法を示す
製造工程図であり、同図においては薄膜装置の一例とし
て磁気抵抗効果ヘッドが示されている。

【００２１】図１に示すように、第１実施形態に係る薄
膜装置の製造方法は、少なくとも狭ギャップを有する磁
気抵抗効果型ヘッドの製造方法に適用されている。ま
ず、図１に従って、基本的な製造プロセスを説明する。
最初のプロセスとしては、図１（ａ）に示すように、例
えばＭＲ，ＧＭＲ，ＴＭＲ等の磁気抵抗効果特性を有す
る磁気抵抗効果膜１１を所定の奥行きで規制しながら所
定の厚さで積層する。次のプロセスでは、図１（ｂ）に
示すように、磁気抵抗効果膜１１の上に所定の厚さによ
り酸化又は窒化された半導体よりなる半導体絶縁膜１２
を積層する。この第１実施形態においては、一例として
半導体絶縁膜としているが、本発明においてはこのプロ
セスは高抵抗効果膜であれば半導体絶縁膜に限定され
ず、酸化された金属膜等の金属絶縁膜でも良く、また絶
縁膜でなくとも電気的に高抵抗を有する高抵抗膜であれ
ば何でも良い。

【００２２】図１（ｂ）に示すプロセスにおいては、高
抵抗膜としての半導体絶縁膜１２上に狭ギャップマスク
２０が積層形成されている。この狭ギャップマスク２０
の製造工程について図２を参照しながら説明する。ま
ず、半導体絶縁膜１２の上面に約０．２μｍの厚さで第
１の薄膜としてのタンタル（Ｔａ）膜を成膜し、ＰＥＰ
(Photolithographic Engraving Process)等のフォトリ
ソグラフィを用いたレジストの後にＲＩＥ（Reactive I
on Etching―反応性イオンエッチング―）により長さ
１．０μｍで間隙が１．２μｍのギャップ２２を有する
タンタル膜２１を成膜する。

【００２３】次に、第１の薄膜としてのタンタル膜２１
および広ギャップ２２の上部側より第２の薄膜としての
シリコン膜２３を厚さ０．１μｍで積層させ、その上か
ら再度第１の薄膜としてのタンタル膜２１を積層する。
この状態を示すのが図２（ｂ）であり、上側に積層され
たタンタル膜２１の上面は広ギャップ２２の溝形状に倣
うように窪みができており平坦面とはなっていない。こ
の窪みを均して平坦化するために分子量の小さいポリマ
ー等により樹脂コート２４を積層する。この状態が図２
（ｃ）に示されている。なお、シリコン膜２３の厚さが
狭ギャップマスク２２の狭ギャップ部分の間隙に相当す
ることになる。

【００２４】次に、樹脂コート２４と上側に積層された
第１の薄膜としてのタンタル膜２１とをＲＩＥ等により
エッチングバックして除去し、図２（ｄ）に示すように
第２の薄膜としてのシリコン膜２３の表面が露出し、ギ
ャップ２２内に積層された上側のタンタル膜２１の露出
表面が下側のタンタル膜２１のシリコン膜２３との境界
面までとなるような状態とする。

【００２５】最後に、タンタル膜２１が除去されずシリ
コン膜のみが除去されるようなエッチングレートにより
例えばＣＤＥ(Chemical Dry Etching) することにより
タンタル膜２１の幅が１μｍで、ギャップ幅０．１μｍ
の狭ギャップ２５が形成される。この状態が図２（ｅ）
であり、この狭ギャップマスク２０が完成された時点を
示すものが図１（ｂ）の状態である。

【００２６】その後、図１（ｃ）に示すように、狭ギャ
ップマスク２０をマスクとして用いてエッチングを行な
うと磁気抵抗効果膜１１および半導体絶縁膜１２にはマ
スク２０の狭ギャップ２５に相当するギャップ１１Ａお
よび１２Ａが形成される。次に、磁気抵抗効果膜１１お
よび半導体絶縁膜１２上に狭ギャップマスク２０を被膜
させたままの状態で、コバルト‐プラチナ（Ｃｏ‐Ｐ
ｔ）を積層させることによりバイアス膜１３を成膜する
と、図１（ｄ）のような状態となる。

【００２７】ここで、狭ギャップマスク２０を構成して
いるタンタル膜２１をリフトオフすることによりタンタ
ル膜２１上に積層されているバイアス膜１３も一緒に除
去されるので、磁気抵抗効果膜１１のギャップ１１Ａに
バイアス膜１３が繰り返しパターンとなって介挿される
と共に、磁気抵抗効果膜１１上に半導体絶縁膜１２が積
層されたものとなる。

【００２８】このとき、スリット部分の磁気抵抗効果膜
はエッチングにより除去して磁気抵抗効果膜と縦バイア
ス層／電極の接触結合（abutted junction）を形成し
ても良い。なお、この場合にはフォトリソグラフィによ
り０．２μｍ幅程度のフォトレジストを用いて電極と縦
バイアス層をパターニングすることにより行なっても良
い。

【００２９】次に、この上から金（Ａｕ）を積層させて
引き出し電極層となる金属電極層１４を成膜したものが
図１（ｅ）に示すものである。この状態で半導体絶縁膜
１２の内側のみを露出させるように金属電極層１４をエ
ッチングすると、図１（ｆ）に示すように、縦バイアス
膜１３の上部側から絶縁膜２の縁部に被さるように残さ
れる分離された引き出し電極１４が形成される。

【００３０】上記のような第１実施形態に係る半導体装
置の製造方法により製造された磁気抵抗効果型ヘッドは
図３に示すような構成を備えている。同図において、磁
気ヘッド１０は、アルミナ・チタン・カーボン等の基板
１５と、その上に積層された酸化アルミニウム等の下地
層１６と、その上に積層されたニッケル・フェライト等
の再生シールド層１７と、その上に設けられた酸化アル
ミニウム等の下部ギャップ層１８とを備え、その上に図
１のプロセスにより製造された磁気抵抗効果素子が設け
られている。この磁気抵抗効果素子の部分は、スピンバ
ルブ（ＳＶ―Spin Valve）とも呼ばれる複数の磁気抵抗
効果膜１１と、ＰＭ（永久磁石―Permanent Magnet ）
とも呼ばれ複数の磁気抵抗効果膜１１の間に配設された
複数の縦バイアス層１３と、この縦バイアス層１３の上
部で隣接するシリコン絶縁膜１２の間からこれら絶縁膜
１２の縁部の上に設けられた引き出し電極層１４と、を
備えている。

【００３１】以上の構成により、図３に示すように、ス
ピンバルブとＰＭとの１つのピッチが０．６μｍとする
と、ＰＭの幅は０．０５μｍとすることができ、スピン
バルブのみの幅は０．５５μｍとなり、スピンバルブに
おける縦バイアス層１３との境界付近では有効な磁気抵
抗効果を得られなくとも、中心側の０．３５μｍの幅の
内側においては少なくとも充分な磁気抵抗効果が得られ
ることになる。このように、狭スリット幅は０．０５μ
ｍ以下にすることも可能なので、トラックピットが０．
６μｍの時でも実効再生トラック幅を「０．６‐０．０
５‐０．１（デッド層）＊２＝０．３５」μｍと広く確
保することができる。図３に示す磁気抵抗効果膜ヘッド
において、電極は絶縁膜１２の厚さ（２ｎｍ以下）分だ
け素子から離れたところで断面積が大きくなり、この細
い部分の抵抗はタンタル（Ｔａ）材を電極にしようして
も０．４オーム程度と大幅に低減できる。

【００３２】このように、狭スリットを有する絶縁膜を
用いることにより、フォトリソグラフィの解像度の限界
の２倍に相当するトラックピッチ（この第１実施形態の
場合には仮に０．４μｍ）としても磁気抵抗効果膜１１
の幅を縦バイアス層１３の幅に比べて飛躍的に広くでき
るので、仮に磁気抵抗効果膜１１の両端部の不感部分が
０．１μｍずつ有った場合でも、広い感磁領域を確保す
ることができ、狭ピッチのマルチヘッドを実現できる。
また、絶縁膜上で電極を幅広とすることができるため、
絶縁膜の厚さ（２ｎｍ以下）分だけ磁気抵抗効果素子よ
り離れたところでの電極の断面積を大きくすることがで
きる。

【００３３】このようにして製造された磁気抵抗効果型
ヘッドは、図４および図５に示されるような第２実施形
態に係る両側シールド型の再生ヘッドに適用することが
できる。この第２実施形態に係る再生ヘッドは、下部再
生シールド層１７と上部再生シールド層１９との間に再
生下部ギャップ１８と再生上部ギャップ９を介して上述
した第１実施形態に係る磁気抵抗効果素子が介挿されて
いる。磁気抵抗効果素子の構成については第１実施形態
に係るヘッドの構成と同一であり、その製造方法につい
ても第１実施形態と同様であるので重複説明を省略す
る。なお、図５は第２実施形態に係る両側シールド型再
生ヘッドの下側シールド１７と磁気抵抗効果素子とを示
す斜視図である。

【００３４】なお、本発明による磁気抵抗効果型ヘッド
は第２実施形態に係る両側シールド型再生ヘッドに適用
が限定されるのではなく、図６に示すような片側シール
ド型ＭＲヘッドにも応用が可能である。図６は本発明の
第３実施形態に係る片側シールド型ＭＲヘッドを示すも
のであり、その構成は図３に示す第１実施形態に係るも
のと基本的に同一であるので重複説明を省略する。この
ような磁気抵抗効果素子には上述したスピンバルブやそ
の他のＧＭＲ素子も使用することができる。また、記録
ヘッドもそのピッチは異なるが、マルチ化した記録ヘッ
ドと一体化して形成することにより、再生時のみでなく
記録時においても高速化することが可能となる。本発明
のようなヘッドのマルチ化のメリットとしては、１本の
伝送線路を用いて超高周波の伝達の必要がなくギガヘル
ツ（ＧＨｚ）帯の伝送が必要となったときはマルチ化し
て１本の線路の伝送周波数を下げた方がトータルコスト
を大幅に低減させることができる。

【００３５】１つの情報を高速に再生するためには、記
録時に関連する情報を所定の単位毎に隣接するトラック
に記録しておいた方が有利である。例えば、記録情報の
１０フレーム分のデータを高速に再生したい場合には、
記録する情報を１０フレームずつに分割して、分割され
た１０フレーム毎の情報を隣接するトラックに記録して
おく。再生する際には、マルチ化されたヘッドを用いて
再生して、その再生情報を元の順序に並べ替えて複合す
ることにより、元の情報へと複製することが可能とな
る。

【００３６】なお、上述したものでは、再生ヘッドにつ
いてのみ説明したが、ピッチは異なるとはいえ本発明は
記録ヘッドにも適用することが可能である。再生ヘッド
ばかりでなく、マルチ化された記録ヘッドとも一体化し
て構成することにより、再生時ばかりでなく記録時にも
高速化を実現することが可能となる。このようなマルチ
化のメリットは、１本の線路により超高周波の信号を伝
送する必要が無くなると共に、もしもＧＨｚ帯の信号の
伝送が必要となった場合にはヘッドをマルチ化すること
により１本の線路についての伝送周波数を下げるように
して、トータルコストを飛躍的に下げることが可能にな
る。

【００３７】なお、上述した実施形態においては狭ギャ
ップマスクを用いて形成した縦バイアス層１３は磁気抵
抗効果膜のギャップ内のみに設けられるものとして説明
したが、本発明はこれに限定されず、縦バイアス層１３
は絶縁膜１２の内壁から両縁部にかけてこれを覆うよう
に形成されていても良い。このような構成の第４実施形
態に係る薄膜装置の製造方法について図７を参照しなが
ら説明する。なお図７の説明においては、図１の構成と
同一又は相当する構成要素には同一符号を付して重複説
明を省略する。

【００３８】まず、図７（ａ）において、最初のプロセ
スとして磁気抵抗効果膜１１を所定の厚さで所定の奥行
きを持たせて積層する。次に、磁気抵抗効果膜１１の上
に酸化又は窒化シリコンにより半導体絶縁膜１２を所定
の厚さで積層する。その後、図７（ｂ）に示すようにタ
ンタル（Ｔａ）膜よりなる狭ギャップマスク２０を形成
する。この狭ギャップ膜２０の形成過程は図２を用いて
説明した第１実施形態に係る薄膜装置の製造方法と同様
のプロセスで行なえば良い。次に、この狭ギャップマス
ク２０を用いて、図７（ｃ）に示すように、磁気抵抗効
果膜１１および半導体絶縁膜１２にそれぞれ狭ギャップ
１１Ａおよび１２Ａを形成する。

【００３９】次に、図７（ｄ）に示すように、タンタル
膜等により形成された狭ギャップマスク２０をエッチン
グにより除去する。この工程からは第１実施形態とは異
なっている。次に、コバルト‐白金（Ｃｏ‐Ｐｔ）等に
よりバイアス層１３を形成する。このとき、図７（ｅ）
に示すように、磁気抵抗効果膜１１の狭ギャップ１１Ａ
には縦バイアス膜１３となるようにギャップ全体を埋め
てバイアス層が形成され半導体絶縁膜１２のギャップ１
２Ａの側壁から上面を覆うように全体にバイアス層が形
成される。

【００４０】次に、図７（ｆ）に示すように金（Ａｕ）
等により引き出し電極となる電極層１４が積層され、最
後に、図７（ｇ）に示すように、例えばアルゴンガス中
におけるミリング処理等により狭ギャップ１１Ａおよび
１２Ａから絶縁膜１２の縁部にかけての部分以外の電極
層１４およびバイアス層１３が除去されて、絶縁膜１２
の側壁にも縦バイアス膜１３が形成された薄膜装置とし
ての磁気抵抗効果型ヘッドが形成される。

【００４１】このようにして形成された第４実施形態に
係る磁気ヘッドを拡大して示したものが図８である。図
８に示すように、実際のジャンクション部分のバリエー
ションとしては縦バイアス膜１３と電極１４とが狭ギャ
ップ１１Ａおよび１２Ａの溝形状に対応する形状となっ
ており、更に好ましいことは、縦バイアス膜１３のみは
ギャップの下側の磁気抵抗効果膜１１の厚さに対応する
深さを有するように形成されていることである。

【００４２】また、抵抗状態としては大きく異なること
とはなるが、図９に示す第５実施形態のように電極１４
の先端側のみ縦バイアス膜１３と同じ幅とし、磁気抵抗
効果膜１１の所定の奥行きよりも奥側に延長する電極１
４の幅を幾分幅広となるように電極１４を形成すること
も可能である。この場合、磁気抵抗効果膜１１の所定の
奥行きとは図中に示したように、０．５μｍ程度であ
る。

【００４３】なお、図３に示下第１実施形態に係る磁気
抵抗効果膜ヘッドにおいては、電極は絶縁膜１２の厚さ
（２ｎｍ以下）分だけ素子から離れたところで断面積が
大きくなり、この細い部分の抵抗はタンタル（Ｔａ）材
を電極にしようしても０．４オーム程度と大幅に低減で
きていたが、図９に示す第５実施形態に係る磁気抵抗効
果型ヘッドにおいては、本発明を適用しない場合には２
０４オーム程度なので本発明を使用すればこの部分にお
けるジュール熱の発熱を大幅に低減でき、信頼性の大幅
な向上とＳＮ（信号対雑音）比の向上を図ることができ
る。

【００４４】また、上述した第１ないし第５実施形態に
係る磁気ヘッドにおいては何れも磁気抵抗効果膜１１と
絶縁膜１２とは長さ方向に同一のものとして説明した
が、本発明はこれにも限定されず、図１０に示す第６実
施形態に係る磁気ヘッドのように、絶縁膜の長さを磁気
抵抗効果膜１１よりも幾分短めに形成して絶縁膜が短く
された分だけ電極１４が幅広に形成されるようにしても
よい。

【００４５】また、上述した実施形態においては、狭ギ
ャップマスクは第１の薄膜を残すような構成のみを例示
したが、本発明はこれにも限定されず第２の薄膜を残す
ようなマスクであっても良い。その例が図１１に示す第
７実施形態に係る薄膜装置の製造方法においては、薄膜
によるマスクの製造プロセスが第１ないし第６実施形態
のそれとは異なっている。

【００４６】まず、図１１を用いて狭ギャップマスク２
０Ａの製造プロセスについて説明する。図１１において
（ａ）ないし（ｃ）のプロセスは図２を用いて説明した
第１実施形態の狭ギャップマスク２０の製造プロセスと
同様である。すなわち、高抵抗膜としての半導体絶縁膜
１２上の上面に約０．２μｍの厚さで第１の薄膜として
のタンタル（Ｔａ）膜を成膜し、ＰＥＰ等のフォトリソ
グラフィを用いたレジストの後にＲＩＥによるエッチン
グを行なうことにより、図１１（ａ）に示すように、長
さ１．０μｍで間隙が１．２μｍのギャップ２２を有す
るタンタル膜２１を成膜する。

【００４７】次に、図１１（ｂ）に示すように、第１の
薄膜としてのタンタル膜２１および広ギャップ２２の上
部側より第２の薄膜としてのシリコン膜２３を厚さ０．
１μｍで積層させ、その上から再度第１の薄膜としての
タンタル膜２１を積層する。上側に積層されたタンタル
膜２１の上面は広ギャップ２２の溝形状に倣うように窪
みができており平坦面とはなっていない。この窪みを均
して平坦化するために図１１（ｃ）に示すように、分子
量の小さいポリマー等により樹脂コート２４を積層す
る。なお、図２に示す第１実施形態においては、シリコ
ン膜２３の厚さが狭ギャップマスク２２の狭ギャップ部
分の間隙に相当していたが、この第７実施形態において
は、第２の薄膜としてのシリコン２３の間の長さ約１μ
ｍの第１の薄膜であるタンタルを除去した間隙が狭ギャ
ップマスク２２Ａの狭ギャップ部分の間隙となる。

【００４８】次に、エッチングガスを工夫することによ
り、樹脂コート２４と上側に積層された第１の薄膜とし
てのタンタル膜２１と、第２の薄膜としてのシリコンの
うち水平方向に延在する部分とを、ＲＩＥ等によりエッ
チングバックして除去し、図１１（ｄ）に示すように、
第１の薄膜としてのタンタル膜２１の中に第２の薄膜と
してのシリコン膜２３がＵ字状に残ると共に表面が平坦
となった状態とする。次に、図１１（ｅ）に示すよう
に、タンタルのみが除去されるようなエッチングレート
でＣＤＥ等のエッチングを行ない、最後に、図１１
（ｆ）に示すように、Ｕ字状に残っていたシリコンの底
の部分のみを除去して略等間隔のギャップ２５を有する
狭ギャップマスク２０Ａとなる。

【００４９】この第７実施形態に係る薄膜装置の狭ギャ
ップマスクの製造方法は、羽化のような手順により変形
して行なうことも可能である。すなわち、まずシリコン
酸化（ＳｉＯｘ）膜等の絶縁膜パターンを形成した上に
シリコン膜等を成膜し、さらにＳｉＯｘ等の絶縁膜を成
膜する。ついで、平坦化層をコーティングしてシリコン
膜が露出するまで平坦化し、その後ＣＤＥやＲＩＥによ
り選択的にシリコン膜を加工することにより、絶縁膜間
に狭スリットを形成することができる。

【００５０】この製造方法の代わりに、ＦＩＢ（Focuse
d Ion Beam etching）を用いても、０．１μｍの狭スリ
ットを有するマスクを形成することができる。このＦＩ
Ｂによってもウェハプロセスであるために加工ピッチを
一定にして自動送りにより加工することができ、また加
工面積も小さいのでスループットも充分に確保すること
ができる。また、上記の工程において、シリコン膜を選
択的に加工する前にタンタル（Ｔａ）や酸化シリコン
（ＳｉＯｘ）を選択的にエッチングすると、フォトリソ
グラフィでは行なうことができない残し（突起）パター
ンを形成することもできる。これらの製造方法は、磁気
抵抗効果型ヘッドの分野に限られること無く、特に狭ピ
ッチを有する狭パターンの形成に応用することができ、
また、このような狭ピッチ狭パターンを有する各種の薄
膜装置に適用可能である。

【００５１】上記第７実施形態に係る薄膜装置の製造方
法によれば、図１１に示す製造プロセスにより製造され
た狭ギャップマスクを用いて図１や図７に示すような薄
膜装置を製造することにより、これらの実施形態とはま
た異なるタイプの薄膜装置を製造することができる。

【００５２】上記第１ないし第７実施形態に係る薄膜装
置の製造方法により製造された例えば磁気抵抗効果膜ヘ
ッドのような薄膜装置は、図１２に示すような磁気ディ
スク装置に搭載されることになる。図１２に示す第８実
施形態に係る磁気記録再生装置としての磁気ディスク装
置３０は、筐体３１と蓋体３２により形成される空間内
に高密度の記録領域が形成された磁気記録媒体としての
磁気ディスク３３と、この磁気記録媒体への情報の書き
込みおよびこの媒体からの情報の読み出しを磁気抵抗効
果により行なう磁気ヘッド３５を含む情報記録再生系
（図示されず）とを設けることにより構成されている。
磁気ディスク３３はスピンドルモータ３４等の回転駆動
機構により高速回転させられる。

【００５３】前記磁気ヘッド３５は、本発明に係るマル
チ化された高抵抗効果型ヘッドであり、個別のヘッドが
連続形成される個数を１万個程度まで高密度化すること
により図１２に示すようにほとんどシークしなくても良
いくらいに磁気ディスク３３の記録面全体をカバーする
長さを維持している。この磁気ヘッド３５は支持アーム
３６により所定の位置で支持されている。このような構
成を有する磁気記録再生装置に搭載される磁気ヘッド３
５は、図１および図７に示すような製造プロセスにより
製造されている。

【００５４】すなわち具体的には、磁気抵抗効果特性を
有する磁気抵抗効果膜を所定の厚さにより積層するプロ
セスと、上記磁気抵抗効果膜上に電気的に高抵抗を有す
る高抵抗膜を所定の厚さにより積層するプロセスと、積
層された前記磁気抵抗効果膜と前記高抵抗膜の上に第１
の薄膜を積層し、この第１の薄膜を選択的にエッチング
して所定の間隔のギャップを形成し、このギャップを含
む第１の薄膜の上部側から全面にわたって第２の薄膜を
積層し、その上から再度第１の薄膜を積層した後、上面
を平坦化してから第１の薄膜間に存在する第２の薄膜を
エッチングして除去することにより前記第２の薄膜の膜
厚に相当する狭ギャップを有する狭ギャップマスクを製
造するプロセスと、上記狭ギャップマスクを用いて所定
の条件下でエッチングを行ない前記高抵抗膜および磁気
抵抗効果膜を前記狭ギャップに相当する幅で除去して前
記磁気抵抗効果膜および高抵抗膜にも狭ギャップをそれ
ぞれ形成するプロセスと、少なくとも前記磁気抵抗効果
膜の狭ギャップ内にバイアス膜を形成し、前記狭ギャッ
プが形成された前記高抵抗膜の上部側から全面にわたっ
て電極膜を積層させてこれをエッチングすることにより
前記高抵抗膜の狭ギャップよりこのギャップの上方の両
側に電極部が残された引き出し電極層を成膜するプロセ
スと、により製造されてマルチ化された構成を備えてい
る。

【００５５】なお、上述した図１２に示す第８実施形態
に係る磁気記録再生装置は、多数マルチ化された磁気ヘ
ッドを備え、磁気ディスクの記録面全体を１個のユニッ
トによりカバーするような構成となっていたが、本発明
はこれに限定されず、図１３に示す第９実施形態に係る
磁気記録再生装置のように構成しても良い。

【００５６】図１３において、第９実施形態に係る磁気
記録再生装置としての磁気ディスク装置は、図１２に示
す基本的な構成において、駆動手段３４により回転駆動
される磁気ディスク３３の記録面の所定の位置に記録ヘ
ッド３７を支持する支持アーム３８と、第１ないし第３
の再生ヘッド４１ないし４３を支持する支持アーム４４
ないし４６と、を備え、記録ヘッド３７により磁気ディ
スク３３の記録面に記録情報を書き込むために記録信号
処理系３９が設けられ、磁気ディスク３３の記憶面に記
録された情報を読み出すために再生信号処理系５０が設
けられている。

【００５７】前記情報信号再生系５０は、情報を同時に
再生する前記複数の磁気ヘッド４１ないし４３と、複数
の磁気ヘッド４１ないし４３により再生された情報を記
憶する記憶手段５１ないし５３と、記憶手段５１ないし
５３により記憶された複数の磁気ヘッド４１ないし４３
により再生された情報を並べ直して元の情報として再構
成する処理手段５４と、を備えている。

【００５８】この第９実施形態に係る磁気記録再生装置
は、第８実施形態の記録再生装置のように磁気ヘッド３
５を１つのユニットにまでマルチ化することによるコス
トの上昇を避けることができ、その分複数の記憶手段５
１ないし５３とこの複数の記憶手段５１ないし５３から
順次に送られてくる再生情報を処理手段５４により例え
ばアドレス情報等に基づいて並べ直して再構成するよう
な信号処理系にコストを割いている。なお、この第９実
施形態に係る磁気記録再生装置に用いられる再生用の磁
気ヘッド４１ないし４３のそれぞれには本発明により製
造されたマルチヘッドが搭載され、それぞれのシーク範
囲を調整して記録されている情報信号を分担して読み出
すことにより、信号の読み出し時間の大幅な短縮と情報
の再生速度の飛躍的な高速化を図ることができる。

【００５９】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る薄膜装置の製造方法によれば、第１の薄膜と第２の薄
膜とにより形成された狭ギャップマスクを用いて狭ギャ
ップ内バイアス層を形成して有効な信号電位を得られる
幅を広げることができるので、記録情報を再生する際の
読み出し速度および転送速度を高速化することができる
と共に高出力を維持することができ、このＭＲ磁気ヘッ
ドが搭載された磁気記録再生装置によれば高密度磁気情
報記録媒体に記録されている情報を高速で読み出すこと
もできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造
方法の製造プロセスを示す概略工程図。

【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造
方法における要部としての狭ギャップマスクの製造プロ
セスを示す工程図。

【図３】本発明の第１実施形態により製造された磁気ヘ
ッド要部を示す断面斜視図。

【図４】本発明の第２実施形態に係る両側シールド型磁
気ヘッドを示す断面図。

【図５】本発明の第２実施形態に係る磁気ヘッドを示す
斜視図。

【図６】本発明の第３実施形態に係る片側シールその磁
気ヘッドを示す断面図。

【図７】本発明の第４実施形態に係る薄膜装置の製造プ
ロセスを示す工程図。

【図８】本発明の第４実施形態に係るＭＲヘッドの要部
構成を示す斜視図。

【図９】本発明の第５実施形態に係るＭＲヘッドの要部
構成を示す斜視図。

【図１０】本発明の第６実施形態に係るＭＲヘッドの要
部構成を示す斜視図。

【図１１】本発明の第７実施形態に係る薄膜装置の製造
方法における狭ギャップマスクの製造プロセスを示す工
程図。

【図１２】本発明の第８実施形態に係る磁気記録再生装
置としての磁気ディスク装置の要部を示す概略斜視図。

【図１３】本発明の第９実施形態に係る磁気記録再生装
置としての磁気ディスク装置を示す斜視図。

【図１４】従来のＭＲヘッドの（ａ）全体を示す断面
図、（ｂ）要部断面図、（ｃ）要部斜視図。

【符号の説明】

１１ 磁気抵抗効果膜 １２ 高抵抗膜 １３ 狭ギャップバイアス層 １４ 電極層 ２０、２０Ａ 狭ギャップマスク ２１ 第１の薄膜 ２３ 第２の薄膜 ２５ 狭ギャップ ３０、４０ 磁気記録再生装置 ３３ 磁気記録媒体 ３５、４１、４２、４３ 再生ヘッド ５０ 再生信号処理系 ５１、５２、５３ 記憶手段 ５４ 処理手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−72418（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−97020（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−255525（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−203036（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/39

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも狭ギャップを有する薄膜装置の
   製造方法において、 磁気抵抗効果特性を有する磁気抵抗効果膜を所定の厚さ
   により積層するプロセスと、 上記磁気抵抗効果膜上に電気的に高抵抗を有する高抵抗
   膜を所定の厚さにより積層するプロセスと、 積層された前記磁気抵抗効果膜と前記高抵抗膜の上に第
   １の薄膜を積層し、この第１の薄膜を選択的にエッチン
   グして所定の間隔のギャップを形成し、このギャップを
   含む第１の薄膜の上部側から全面にわたって第２の薄膜
   を積層し、その上から再度第１の薄膜を積層した後、上
   面を平坦化してから第１の薄膜間に存在する第２の薄膜
   をエッチングして除去することにより前記第２の薄膜の
   膜厚に相当する狭ギャップを有する狭ギャップマスクを
   製造するプロセスと、 上記狭ギャップマスクを用いて所定の条件下でエッチン
   グを行ない前記高抵抗膜および磁気抵抗効果膜を前記狭
   ギャップに相当する幅で除去して前記磁気抵抗効果膜お
   よび高抵抗膜にも狭ギャップをそれぞれ形成するプロセ
   スと、 少なくとも前記磁気抵抗効果膜の狭ギャップ内にバイア
   ス膜を形成し、前記狭ギャップが形成された前記高抵抗
   膜の上部側から全面にわたって電極膜を積層させてこれ
   をエッチングすることにより前記高抵抗膜の狭ギャップ
   よりこのギャップの上方の両側に電極部が残された引き
   出し電極層を成膜するプロセスと、 を備えることを特徴とする薄膜装置の製造方法。
2. 【請求項２】前記狭ギャップを有する薄膜装置は、多数
   の個別ヘッドが反復形成された磁気抵抗効果型ヘッドに
   より構成されていることを特徴とする請求項１に記載の
   薄膜装置の製造方法。
3. 【請求項３】複数の磁気抵抗効果膜と、その両端に配置
   された複数の縦バイアス層と、前記磁気抵抗効果膜の抵
   抗変化を取り出す複数の電極とを備える磁気抵抗効果型
   ヘッドにおいて、 磁気抵抗効果特性を有する磁気抵抗効果膜を所定の厚さ
   により積層するプロセスと、 上記磁気抵抗効果膜上に電気的に高抵抗を有する高抵抗
   膜を所定の厚さにより積層するプロセスと、 積層された前記磁気抵抗効果膜と前記高抵抗膜の上に第
   １の薄膜を積層し、この第１の薄膜を選択的にエッチン
   グして所定の間隔のギャップを形成し、このギャップを
   含む第１の薄膜の上部側から全面にわたって第２の薄膜
   を積層し、その上から再度第１の薄膜を積層した後、上
   面を平坦化してから第１の薄膜間に存在する第２の薄膜
   をエッチングして除去することにより前記第２の薄膜の
   膜厚に相当する狭ギャップを有する狭ギャップマスクを
   製造するプロセスと、 上記狭ギャップマスクを用いて所定の条件下でエッチン
   グを行ない前記高抵抗膜および磁気抵抗効果膜を前記狭
   ギャップに相当する幅で除去して前記磁気抵抗効果膜お
   よび高抵抗膜にも狭ギャップをそれぞれ形成するプロセ
   スと、 少なくとも前記磁気抵抗効果膜の狭ギャップ内にバイア
   ス膜を形成し、前記狭ギャップが形成された前記高抵抗
   膜の上部側から全面にわたって電極膜を積層させてこれ
   をエッチングすることにより前記高抵抗膜の狭ギャップ
   よりこのギャップの上方の両側に電極部が残された引き
   出し電極層を成膜するプロセスと、 を経て製造されたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
   ド。
4. 【請求項４】前記磁気抵抗効果膜は長さ方向に前記狭ギ
   ャップを介して配列された複数個の個別磁気抵抗効果膜
   であり、前記バイアス層は前記個別磁気抵抗効果膜の両
   端の前記狭ギャップ内に形成された複数個の個別バイア
   ス層であり、前記個別磁気抵抗効果膜上にはこの膜と同
   じ幅と長さを有する個別絶縁膜が前記高抵抗膜として複
   数個設けられ、前記個別バイアス層の上で隣接する２つ
   の個別絶縁膜の間からそれぞれの端部の上にかけて設け
   られた個別引き出し電極層が複数設けられていることを
   特徴とする請求項３に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
5. 【請求項５】前記ギャップを介して残された磁気抵抗効
   果膜および高抵抗膜と、前記狭ギャップとの幅の比率は
   １０対１であり、かつ、狭ギャップマスクを用いて形成
   された狭ギャップの幅は０．０５ないし０．１μｍのオ
   ーダを有していることを特徴とする請求項３に記載の磁
   気抵抗効果型ヘッド。
6. 【請求項６】高密度の記録領域が形成された磁気記録媒
   体と、この磁気記録媒体からの記録情報の読み出しを磁
   気抵抗効果を利用して行なう磁気ヘッドを含む情報信号
   再生系と、を備える磁気記録再生装置において、 前記磁気ヘッドは、磁気抵抗効果特性を有する磁気抵抗
   効果膜を所定の厚さにより積層するプロセスと、上記磁
   気抵抗効果膜上に電気的に高抵抗を有する高抵抗膜を所
   定の厚さにより積層するプロセスと、積層された前記磁
   気抵抗効果膜と前記高抵抗膜の上に第１の薄膜を積層
   し、この第１の薄膜を選択的にエッチングして所定の間
   隔のギャップを形成し、このギャップを含む第１の薄膜
   の上部側から全面にわたって第２の薄膜を積層し、その
   上から再度第１の薄膜を積層してから、上面を平坦化し
   てから第１の薄膜間に存在する第２の薄膜をエッチング
   して除去することにより前記第２の薄膜の膜厚に相当す
   る狭ギャップを有する狭ギャップマスクを製造するプロ
   セスと、上記狭ギャップマスクを用いて所定の条件下で
   エッチングを行ない前記高抵抗膜および磁気抵抗効果膜
   を前記狭ギャップに相当する幅で除去して前記磁気抵抗
   効果膜および高抵抗膜にも狭ギャップをそれぞれ形成す
   るプロセスと、少なくとも前記磁気抵抗効果膜の狭ギャ
   ップ内にバイアス膜を形成し、前記狭ギャップが形成さ
   れた前記高抵抗膜の上部側から全面にわたって電極膜を
   積層させてこれをエッチングすることにより前記高抵抗
   膜の狭ギャップよりこのギャップの上方の両側に電極部
   が残された引き出し電極層を成膜するプロセスと、によ
   り製造されたマルチ化された構成を備えることを特徴と
   する磁気記録再生装置。
7. 【請求項７】前記情報信号再生系は、情報を同時に再生
   する複数の磁気ヘッドと、これら複数の磁気ヘッドによ
   り再生された情報を記憶する記憶手段と、この記憶手段
   により記憶された複数の磁気ヘッドにより再生された情
   報を並べ直して元の情報として再構成する処理手段と、
   を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の磁気記
   録再生装置。