JP3529882B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に係り、特
に高精細の小型液晶表示装置に関する。
に高精細の小型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の液晶表示装置としては、液晶表
示部（即ち、液晶表示素子、液晶表示パネル、液晶表示
ディスプレイ）においてマトリクス状に配列された複数
の画素電極と対向基板上の電極（以下対向電極と称す
る）との間に電圧を印加して基板間に挟持された液晶を
駆動することによって種々の表示を行う方式が一般的で
ある。
示部（即ち、液晶表示素子、液晶表示パネル、液晶表示
ディスプレイ）においてマトリクス状に配列された複数
の画素電極と対向基板上の電極（以下対向電極と称す
る）との間に電圧を印加して基板間に挟持された液晶を
駆動することによって種々の表示を行う方式が一般的で
ある。
【０００３】従来のパネルサイズは４〜１５インチ（対
角）であり、個々の画素は□１００μｍ以上の大きさか
らなっている。
角）であり、個々の画素は□１００μｍ以上の大きさか
らなっている。
【０００４】画素部は光を透過させてカラーフィルタへ
光を導く主に透明電極からなる開口部とその他の部分、
例えば画素電極と配線の間隙、或いは開口部の画素電極
をオン、オフして光の透過光量を変化させるために設け
られたトランジスタ部および走査、信号配線電極部等、
からなっている。
光を導く主に透明電極からなる開口部とその他の部分、
例えば画素電極と配線の間隙、或いは開口部の画素電極
をオン、オフして光の透過光量を変化させるために設け
られたトランジスタ部および走査、信号配線電極部等、
からなっている。
【０００５】明るいディスプレイを得るためには開口部
をできるだけ広くする事が望ましい。しかし、画素電極
の中央部では液晶に対して基板面にほぼ垂直な電界が印
加されて、これにより電極端部では電界方向が斜めにな
り、液晶配向も中央部とは異なるようになる。
をできるだけ広くする事が望ましい。しかし、画素電極
の中央部では液晶に対して基板面にほぼ垂直な電界が印
加されて、これにより電極端部では電界方向が斜めにな
り、液晶配向も中央部とは異なるようになる。
【０００６】このため、例えば画素を暗表示とすると画
素端部から光が洩れる場合があった。そこで、この光洩
れを防ぐ遮光部を対向基板等に設けて、開口部を制限
し、コントラスト向上をはかっている。この遮光部は経
験的に電極配線から１０〜２０μｍまでをおおうサイズ
とされてきた。
素端部から光が洩れる場合があった。そこで、この光洩
れを防ぐ遮光部を対向基板等に設けて、開口部を制限
し、コントラスト向上をはかっている。この遮光部は経
験的に電極配線から１０〜２０μｍまでをおおうサイズ
とされてきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示基板は、たとえば３インチ（対
角）以下のパネルサイズのもの、或いは５０万画素以上
の高精細表示のものにおいては１個の画素サイズが５０
×５０μｍ以下と小さく、従来と同様の構成で画素電極
端部から１０〜２０μｍをおおうと開口率が極端に小さ
くなって実用に耐える明るさの表示装置を得ることがで
きないといった問題点が指摘されるに至った。
うに構成された液晶表示基板は、たとえば３インチ（対
角）以下のパネルサイズのもの、或いは５０万画素以上
の高精細表示のものにおいては１個の画素サイズが５０
×５０μｍ以下と小さく、従来と同様の構成で画素電極
端部から１０〜２０μｍをおおうと開口率が極端に小さ
くなって実用に耐える明るさの表示装置を得ることがで
きないといった問題点が指摘されるに至った。
【０００８】また、遮光部を小さくすると配向不良部か
らの光洩れによってコントラストが大きく低下するとい
う問題が生じた。これを改善する手段としては、たとえ
ば文献ＳＩＤ ９２ ＤＩＧＥＳＴ ｐｐ４３−４６等
に見られるようにチルト角を大きくする方法が有るが十
分な効果が得られないことが確認されている。特に、薄
膜トランジスタ（TFT:Thin Film Transisrer）方式の液
晶表示装置では画素をオン、オフするため２枚の基板間
に印加されるＶLC以外に、画素電極と信号配線電極や走
査配線電極との間に基板面内のＶLCと垂直な方向に電位
差Ｖtが存在し、液晶分子にはＶLCとＶtをベクトル合成
した方向に電界がかかるため、この部分に配向不良の一
つであるリバースチルトドメインが発生し、上記問題が
顕著に現れるようになる。
らの光洩れによってコントラストが大きく低下するとい
う問題が生じた。これを改善する手段としては、たとえ
ば文献ＳＩＤ ９２ ＤＩＧＥＳＴ ｐｐ４３−４６等
に見られるようにチルト角を大きくする方法が有るが十
分な効果が得られないことが確認されている。特に、薄
膜トランジスタ（TFT:Thin Film Transisrer）方式の液
晶表示装置では画素をオン、オフするため２枚の基板間
に印加されるＶLC以外に、画素電極と信号配線電極や走
査配線電極との間に基板面内のＶLCと垂直な方向に電位
差Ｖtが存在し、液晶分子にはＶLCとＶtをベクトル合成
した方向に電界がかかるため、この部分に配向不良の一
つであるリバースチルトドメインが発生し、上記問題が
顕著に現れるようになる。
【０００９】さらに、１つの画素電極に２つの信号配線
電極が対応し、或る走査周期に該２つの信号配線電極の
一方が正極であれば他方は負極で、次の走査周期には該
２つの信号配線電極の極性は反転するように駆動される
場合には、信号配線電極と画素電極間のＶtは最大駆動
電圧の２倍となってライン反転駆動、画素反転駆動の場
合より大きくなる問題が指摘されるに至った。
電極が対応し、或る走査周期に該２つの信号配線電極の
一方が正極であれば他方は負極で、次の走査周期には該
２つの信号配線電極の極性は反転するように駆動される
場合には、信号配線電極と画素電極間のＶtは最大駆動
電圧の２倍となってライン反転駆動、画素反転駆動の場
合より大きくなる問題が指摘されるに至った。
【００１０】本発明の目的はこれらの配向不良の影響を
低減してコントラストの改善を図った液晶表示装置を提
供することにある。
低減してコントラストの改善を図った液晶表示装置を提
供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】手段１．少なくとも一方が透明な一対の基
板、該基板間に挾持され、配向した誘電率異方性と屈折
率異方性とを有する液晶組成物層、偏光手段、複数の画
素、各画素ごとに画素電極、信号配線電極及び走査配線
電極に接続された薄膜トランジスタ素子、これらの電極
部周辺を遮光する遮光部、共通電極、前記画素電極と共
通電極の間に電圧信号波形を印加する手段とを備え、前
記液晶組成物層の配向状態及び前記偏光手段の構成は、
前記画素電極と前記共通電極間に印加される電圧ＶLCを
ゼロから徐々に増大させるに従い明るさが減少するよう
に設定されている液晶表示装置において、基板間ギャッ
プをｄＬＣ、信号配線電極と画素電極との間隙をｌＤ、
信号線電極端から画素電極上の表示部端までの距離をｌ
Ｂとした場合、ｌB＞ｌD＋２ （μｍ）、かつ、ｄＬＣ
／ｌＢ＜０．８となるように遮光部、信号配線電極と画
素電極が配置されていることを特徴とするものである。
板、該基板間に挾持され、配向した誘電率異方性と屈折
率異方性とを有する液晶組成物層、偏光手段、複数の画
素、各画素ごとに画素電極、信号配線電極及び走査配線
電極に接続された薄膜トランジスタ素子、これらの電極
部周辺を遮光する遮光部、共通電極、前記画素電極と共
通電極の間に電圧信号波形を印加する手段とを備え、前
記液晶組成物層の配向状態及び前記偏光手段の構成は、
前記画素電極と前記共通電極間に印加される電圧ＶLCを
ゼロから徐々に増大させるに従い明るさが減少するよう
に設定されている液晶表示装置において、基板間ギャッ
プをｄＬＣ、信号配線電極と画素電極との間隙をｌＤ、
信号線電極端から画素電極上の表示部端までの距離をｌ
Ｂとした場合、ｌB＞ｌD＋２ （μｍ）、かつ、ｄＬＣ
／ｌＢ＜０．８となるように遮光部、信号配線電極と画
素電極が配置されていることを特徴とするものである。
【００１３】手段２．手段１の構成において、基板間ギ
ャップｄＬＣと信号線電極端から画素電極上の表示部端
までの距離ｌＢとの関係が、ｄＬＣ／ｌＢ＜０．６とな
っていることを特徴とするものである。
ャップｄＬＣと信号線電極端から画素電極上の表示部端
までの距離ｌＢとの関係が、ｄＬＣ／ｌＢ＜０．６とな
っていることを特徴とするものである。
【００１４】手段３．手段１あるいは２の構成におい
て、複数の画素から成る複数の画素行が積層されて配置
され、かつ、１つの画素電極に２つの信号配線電極が対
応する構成となっているとともに、或る走査周期に該２
つの信号配線電極の一方が正極であれば他方は負極で、
次の走査周期にそれぞれの２つの信号配線電極の極性は
反転するように駆動されることを特徴とするものであ
る。
て、複数の画素から成る複数の画素行が積層されて配置
され、かつ、１つの画素電極に２つの信号配線電極が対
応する構成となっているとともに、或る走査周期に該２
つの信号配線電極の一方が正極であれば他方は負極で、
次の走査周期にそれぞれの２つの信号配線電極の極性は
反転するように駆動されることを特徴とするものであ
る。
【００１５】手段４．手段１ないし３のうちいずれかの
構成において、液晶組成物層内の配向に関して、一方の
基板界面上での液晶分子配向方向角度φLC1と他方基板
界面上での液晶分子配向方向角度φLC2とが互いに略直
交（φLC1≒φLC2＋９０）しており、かつ前記液晶組成
物層の厚みｄＬＣ及び屈折率異方性Δｎの積ｄ・Δｎが
０．４５μｍから０．５６μｍの間であることを特徴と
するものである。
構成において、液晶組成物層内の配向に関して、一方の
基板界面上での液晶分子配向方向角度φLC1と他方基板
界面上での液晶分子配向方向角度φLC2とが互いに略直
交（φLC1≒φLC2＋９０）しており、かつ前記液晶組成
物層の厚みｄＬＣ及び屈折率異方性Δｎの積ｄ・Δｎが
０．４５μｍから０．５６μｍの間であることを特徴と
するものである。
【００１６】手段５．手段１ないし４のうちいずれかの
構成において、液晶組成物層内の配向に関して、基板界
面上での液晶分子配向と基板面との成す角度が６度以上
であることを特徴とするものである。
構成において、液晶組成物層内の配向に関して、基板界
面上での液晶分子配向と基板面との成す角度が６度以上
であることを特徴とするものである。
【００１７】手段６．少なくとも一方が透明な一対の基
板、該基板間に挾持され、配向した誘電率異方性と屈折
率異方性とを有する液晶組成物層、偏光手段、複数の画
素、各画素ごとに備えられ、画素電極、信号配線電極及
び走査配線電極に接続された薄膜トランジスタ素子、こ
れらの電極部周辺を遮光する遮光部、共通電極、前記画
素電極と共通電極の間に電圧信号波形を印加する手段と
を有する液晶表示装置において、前記液晶組成物層内の
配向に関して、基板界面上での液晶分子配向と基板面と
の成す角度が１５度以上であることを特徴とするもので
ある。
板、該基板間に挾持され、配向した誘電率異方性と屈折
率異方性とを有する液晶組成物層、偏光手段、複数の画
素、各画素ごとに備えられ、画素電極、信号配線電極及
び走査配線電極に接続された薄膜トランジスタ素子、こ
れらの電極部周辺を遮光する遮光部、共通電極、前記画
素電極と共通電極の間に電圧信号波形を印加する手段と
を有する液晶表示装置において、前記液晶組成物層内の
配向に関して、基板界面上での液晶分子配向と基板面と
の成す角度が１５度以上であることを特徴とするもので
ある。
【００１８】手段７．手段６の構成において、液晶組成
物層の配向状態及び前記偏光手段の構成は、前記画素電
極と前記共通電極間に印加される電圧ＶLCをゼロから徐
々に増大させるに従い明るさが減少するように設定され
ているとともに、基板間ギャップをｄＬＣ、信号配線電
極と画素電極との間隙をｌＤ、信号線電極端から画素電
極上の表示部端までの距離をｌＢとした場合、ｌB＞ｌD
＋２ （μｍ）、かつ、ｄＬＣ／ｌＢ＜１．０となるよ
うに遮光部、信号配線電極と画素電極が配置されている
ことを特徴とするものである。
物層の配向状態及び前記偏光手段の構成は、前記画素電
極と前記共通電極間に印加される電圧ＶLCをゼロから徐
々に増大させるに従い明るさが減少するように設定され
ているとともに、基板間ギャップをｄＬＣ、信号配線電
極と画素電極との間隙をｌＤ、信号線電極端から画素電
極上の表示部端までの距離をｌＢとした場合、ｌB＞ｌD
＋２ （μｍ）、かつ、ｄＬＣ／ｌＢ＜１．０となるよ
うに遮光部、信号配線電極と画素電極が配置されている
ことを特徴とするものである。
【００１９】手段８．手段６および７のうちいずれかの
構成において、複数の画素から成る複数の画素行が積層
されて配置され、１つの画素電極に２つの信号配線電極
が対応する構成となっているとともに、或る走査周期に
該２つの信号配線電極の一方が正極であれば他方は負極
で、次の走査周期には該２つの信号配線電極の極性は反
転するように駆動されることを特徴とするものである。
構成において、複数の画素から成る複数の画素行が積層
されて配置され、１つの画素電極に２つの信号配線電極
が対応する構成となっているとともに、或る走査周期に
該２つの信号配線電極の一方が正極であれば他方は負極
で、次の走査周期には該２つの信号配線電極の極性は反
転するように駆動されることを特徴とするものである。
【００２０】
【作用】上記各手段は、それぞれ画素電極端部での配向
不良の３つの原因から究明されて構成されたものであ
る。
不良の３つの原因から究明されて構成されたものであ
る。
【００２１】すなわち第１の配向不良は上述したように
画素電極端部においてＶLC以外のＶLCと垂直な方向の電
位差Ｖtのために発生する。第２の配向不良は画素電極
の端部において対向電極との間に斜め方向の電界が印加
されることによって画素電極の縁に沿って発生する。第
３の配向不良は電極端の段差によってラビング等の配向
処理が不十分となって発生する。
画素電極端部においてＶLC以外のＶLCと垂直な方向の電
位差Ｖtのために発生する。第２の配向不良は画素電極
の端部において対向電極との間に斜め方向の電界が印加
されることによって画素電極の縁に沿って発生する。第
３の配向不良は電極端の段差によってラビング等の配向
処理が不十分となって発生する。
【００２２】ここで、手段１に示すように構成した場
合、信号配線と画素電極間の電圧Ｖtによる電界Ｅtが、
駆動電圧ＶLCによる基板に垂直方向の電界ＥLCに対して
大きいときに、画素表示部端でのＥtおよびＥLCは次式
で定義されるようになる。
合、信号配線と画素電極間の電圧Ｖtによる電界Ｅtが、
駆動電圧ＶLCによる基板に垂直方向の電界ＥLCに対して
大きいときに、画素表示部端でのＥtおよびＥLCは次式
で定義されるようになる。
【００２３】Ｅt＝Ｖt／ｌB 、 ＥLC＝ＶLC／ｄLC
このときＥtのＥLCに対する比は、Ｅｔ／ＥLC＝ｄLC／
ｌB となり、この比を小さくすることによって、第１
の配向不良による光漏れを抑制できコントラスト向上さ
せることができるようになる。
ｌB となり、この比を小さくすることによって、第１
の配向不良による光漏れを抑制できコントラスト向上さ
せることができるようになる。
【００２４】また、画素電極の端部を遮光部でおおうこ
とにより、第２および第３の配向不良の原因による光漏
れを防止できてコントラスト向上を図ることができるよ
うになる。
とにより、第２および第３の配向不良の原因による光漏
れを防止できてコントラスト向上を図ることができるよ
うになる。
【００２５】手段２のように構成した場合にも、手段１
と同様の効果を奏することができるようになる。
と同様の効果を奏することができるようになる。
【００２６】手段３のように構成した場合、１走査選択
期間に２行の画素に信号を書き込むことができるように
なる。この場合、スイッチングスピードの遅いＴＦＴを
用いることによって、書き込み時間が不十分となるとコ
ントラストが低下してしまうが、１走査選択期間を長く
することによってコントラストを確保することができ
る。
期間に２行の画素に信号を書き込むことができるように
なる。この場合、スイッチングスピードの遅いＴＦＴを
用いることによって、書き込み時間が不十分となるとコ
ントラストが低下してしまうが、１走査選択期間を長く
することによってコントラストを確保することができ
る。
【００２７】しかし、このとき信号配線と画素電極間の
電圧Ｖtが大きくなることは前述した通りで画素電極端
部での配向不良が発生しやすくなる。
電圧Ｖtが大きくなることは前述した通りで画素電極端
部での配向不良が発生しやすくなる。
【００２８】したがって、この液晶表示装置に、手段１
あるいは手段２の構成を適用させることによって効果を
大ならしめることができるようになる。
あるいは手段２の構成を適用させることによって効果を
大ならしめることができるようになる。
【００２９】また、手段４に示すように構成した場合、
液晶層のレタデーションを０．４５〜０．５６とするこ
とにより表示素子の明るさを向上できるのでコントラス
トを向上させることができるようになる。
液晶層のレタデーションを０．４５〜０．５６とするこ
とにより表示素子の明るさを向上できるのでコントラス
トを向上させることができるようになる。
【００３０】さらに、手段５に示すように構成した場
合、ＶLCの他にＶtがかかって電界方向が斜めとなって
も、チルト角を高くすることによってリバースチルト配
向となる電界方向範囲が小さくなるので、配向不良が発
生しにくくなってコントラストを向上させることができ
るようになる。検討の結果、特に、チルト角を１５度以
上とすると効果が大きいことが分かった。
合、ＶLCの他にＶtがかかって電界方向が斜めとなって
も、チルト角を高くすることによってリバースチルト配
向となる電界方向範囲が小さくなるので、配向不良が発
生しにくくなってコントラストを向上させることができ
るようになる。検討の結果、特に、チルト角を１５度以
上とすると効果が大きいことが分かった。
【００３１】手段６に示すように構成した場合にも、手
段５と同様な効果を得ることができるようになる。
段５と同様な効果を得ることができるようになる。
【００３２】手段７に示すように構成した場合、手段１
と同様な効果を得ることができるようになる。
と同様な効果を得ることができるようになる。
【００３３】手段８に示すように構成した場合にも、手
段３と同様な効果を得ることができるようになる。
段３と同様な効果を得ることができるようになる。
【００３４】
【実施例】以下、本発明による液晶表示装置の各実施例
を図面を用いて説明する。
を図面を用いて説明する。
【００３５】実施例１．図３は、この発明が適用される
ＴＦＴディスプレイ装置における表示部と信号線駆動回
路の一実施例を示す平面図である。
ＴＦＴディスプレイ装置における表示部と信号線駆動回
路の一実施例を示す平面図である。
【００３６】同図においては、表示部の走査配線電極や
ＴＦＴトランジスタは省略されているが、横方向に並べ
られた画素１は同一の走査配線電極に接続されているも
のとする。これらの回路の一部は、ガラス基板（石英基
板）１０上に形成されたポリシリコン膜を利用して、Ｔ
ＦＴトランジスタ及びＰチャンネル型とＮチャンネル型
ＭＯＳＦＥＴのチャンネル層が形成されるようになって
いる。
ＴＦＴトランジスタは省略されているが、横方向に並べ
られた画素１は同一の走査配線電極に接続されているも
のとする。これらの回路の一部は、ガラス基板（石英基
板）１０上に形成されたポリシリコン膜を利用して、Ｔ
ＦＴトランジスタ及びＰチャンネル型とＮチャンネル型
ＭＯＳＦＥＴのチャンネル層が形成されるようになって
いる。
【００３７】図中表示部３において、各画素１にはカラ
ーフィルタがＲＧＢの文字により表されている。そし
て、一対の信号配線（ドレインライン）４ａ、４ｂによ
り偶数行と奇数行の画素に分けられている。例えば、左
端の一対からなる信号配線のうち、左側の信号配線は下
から第２行目の画素Ｇと、第４行目の画素Ｇ、第６行目
の画素Ｇ・・・・がそれぞれ設けられている。他方の信
号は、下から第１行目の画素Ｒ、第３行目の画素Ｒ、第
５行目の画素Ｒ・・・・がそれぞれ設けられている。第
２番目の一対からなる信号配線のうち左側の信号配線は
下から第２行目の画素Ｂと、第４行目の画素Ｂ、第６行
目の画素Ｂ・・・・がそれぞれ設けられている。他方の
信号は、下から第１行目の画素Ｇ、第３行目の画素Ｇ、
第５行目の画素Ｇ・・・・がそれぞれ設けられている。
第３番目の一対からなる信号配線のうち左側の信号配線
は下から第２行目の画素Ｒと、第４行目の画素Ｒ、第６
行目の画素Ｒ・・・・がそれぞれ設けられている。他方
の信号は、下から第１行目の画素Ｂ、第３行目の画素
Ｂ、第５行目の画素Ｂ・・・・がそれぞれ設けられてい
る。
ーフィルタがＲＧＢの文字により表されている。そし
て、一対の信号配線（ドレインライン）４ａ、４ｂによ
り偶数行と奇数行の画素に分けられている。例えば、左
端の一対からなる信号配線のうち、左側の信号配線は下
から第２行目の画素Ｇと、第４行目の画素Ｇ、第６行目
の画素Ｇ・・・・がそれぞれ設けられている。他方の信
号は、下から第１行目の画素Ｒ、第３行目の画素Ｒ、第
５行目の画素Ｒ・・・・がそれぞれ設けられている。第
２番目の一対からなる信号配線のうち左側の信号配線は
下から第２行目の画素Ｂと、第４行目の画素Ｂ、第６行
目の画素Ｂ・・・・がそれぞれ設けられている。他方の
信号は、下から第１行目の画素Ｇ、第３行目の画素Ｇ、
第５行目の画素Ｇ・・・・がそれぞれ設けられている。
第３番目の一対からなる信号配線のうち左側の信号配線
は下から第２行目の画素Ｒと、第４行目の画素Ｒ、第６
行目の画素Ｒ・・・・がそれぞれ設けられている。他方
の信号は、下から第１行目の画素Ｂ、第３行目の画素
Ｂ、第５行目の画素Ｂ・・・・がそれぞれ設けられてい
る。
【００３８】このように上記３対の信号配線を単位とし
て、同じ繰り返しのパターンにより各画素が設けられ
る。
て、同じ繰り返しのパターンにより各画素が設けられ
る。
【００３９】そして、一対からなる信号配線のうちの左
側の信号配線には、画素クロックと同期して例えば負極
性信号Ｂ−、Ｒ−及びＧ−が供給され、右側の信号配線
には画素クロックに同期して正極性信号Ｒ＋、Ｇ＋及び
Ｂ＋が供給されるようになっている。これらの信号の極
性は、液晶に直流電圧が印加されるのを防ぐために、フ
ィールド毎に極性が逆にされるようになっている。
側の信号配線には、画素クロックと同期して例えば負極
性信号Ｂ−、Ｒ−及びＧ−が供給され、右側の信号配線
には画素クロックに同期して正極性信号Ｒ＋、Ｇ＋及び
Ｂ＋が供給されるようになっている。これらの信号の極
性は、液晶に直流電圧が印加されるのを防ぐために、フ
ィールド毎に極性が逆にされるようになっている。
【００４０】また、これらの一対からなる信号配線は、
シフトレジスタにより同時にスイッチ制御されるスイッ
チＭＯＳＦＥＴからなるサンプリングホールド回路Ｓ／
Ｈにより同時に選択されて、上記信号Ｂ−、Ｒ−及びＧ
−とＲ＋、Ｇ＋がそれぞれ供給されるようになってい
る。
シフトレジスタにより同時にスイッチ制御されるスイッ
チＭＯＳＦＥＴからなるサンプリングホールド回路Ｓ／
Ｈにより同時に選択されて、上記信号Ｂ−、Ｒ−及びＧ
−とＲ＋、Ｇ＋がそれぞれ供給されるようになってい
る。
【００４１】このような構成において、例えば図の下か
ら上へ走査して画素表示を書き替えていった場合、最下
行（第１行）の画素は１フィールド期間の初期に画素表
示が書き替えられ、最上行（第Ｎ行）の画素は１フィー
ルド期間の最後に画素表示が書き替えられるようにな
る。
ら上へ走査して画素表示を書き替えていった場合、最下
行（第１行）の画素は１フィールド期間の初期に画素表
示が書き替えられ、最上行（第Ｎ行）の画素は１フィー
ルド期間の最後に画素表示が書き替えられるようにな
る。
【００４２】第１行の画素は各画素の右側の信号配線電
極との間で逆符号となる期間が長くなり、第Ｎ行の画素
は各画素の左側の信号配線電極との間で逆符号となる期
間が長くなる。このように左右の信号配線電極との間の
電位差のうち、大きい電位差（Ｖt）の方向は上下の行
で反対となる。そして、Ｖtは第１行と第Ｎ行において
最大となり、その値は液晶に印加する電圧ＶLCの約２倍
と大きくなる。
極との間で逆符号となる期間が長くなり、第Ｎ行の画素
は各画素の左側の信号配線電極との間で逆符号となる期
間が長くなる。このように左右の信号配線電極との間の
電位差のうち、大きい電位差（Ｖt）の方向は上下の行
で反対となる。そして、Ｖtは第１行と第Ｎ行において
最大となり、その値は液晶に印加する電圧ＶLCの約２倍
と大きくなる。
【００４３】このことから、Ｖtによる電界Ｅtに起因す
る配向不良の低減のため、本実施例では図１に示すよう
に画素部の断面図に示した信号配線電極１４と画素表示
端部Ａとの距離ｌBをたとえば６μｍ、基板間ギャップ
ｄLCをたとえば４．５μｍとしたものである。信号配線
電極１４と画素電極２の端部との距離ｌDは３μｍし、
これにより(ｌB−ｌD)は３μｍとなる。
る配向不良の低減のため、本実施例では図１に示すよう
に画素部の断面図に示した信号配線電極１４と画素表示
端部Ａとの距離ｌBをたとえば６μｍ、基板間ギャップ
ｄLCをたとえば４．５μｍとしたものである。信号配線
電極１４と画素電極２の端部との距離ｌDは３μｍし、
これにより(ｌB−ｌD)は３μｍとなる。
【００４４】上下の基板表面にポリイミド系配向膜を塗
布、焼成し、ラビング配向処理した後、φ４．５μmの
ポリマビーズを挟んで接着剤で貼り合わせてセルとし
た。ここに正の誘電率異方性を有し、屈折率異方性０．
１０２のフッ素系の液晶を封入して、パネルを形成し
た。パネル内での液晶のチルト角は８度であった。
布、焼成し、ラビング配向処理した後、φ４．５μmの
ポリマビーズを挟んで接着剤で貼り合わせてセルとし
た。ここに正の誘電率異方性を有し、屈折率異方性０．
１０２のフッ素系の液晶を封入して、パネルを形成し
た。パネル内での液晶のチルト角は８度であった。
【００４５】このパネルを所定の駆動回路で駆動して、
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト１００、上下部におけるコントラスト９０
で、コントラストが高く表示均一性の良好な液晶表示装
置が得られた。また、明状態の透過率は２．２％であっ
た。
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト１００、上下部におけるコントラスト９０
で、コントラストが高く表示均一性の良好な液晶表示装
置が得られた。また、明状態の透過率は２．２％であっ
た。
【００４６】比較例１．上記実施例１と同様の電極配線
の基板と対向基板を用いて、パネルを形成した。この場
合、基板間にはφ７．０μmのポリマビーズを挟んで、
実施例１より基板間ギャップを広げ、ここに正の誘電率
異方性を有し、屈折率異方性０．０７２のフッ素系の液
晶を封入して、パネルとした。
の基板と対向基板を用いて、パネルを形成した。この場
合、基板間にはφ７．０μmのポリマビーズを挟んで、
実施例１より基板間ギャップを広げ、ここに正の誘電率
異方性を有し、屈折率異方性０．０７２のフッ素系の液
晶を封入して、パネルとした。
【００４７】このパネルを所定の駆動回路で駆動して、
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト８０、上下部におけるコントラスト１５と
なり、上下部のコントラストが低く、表示均一性の悪い
液晶表示装置が得られた。明状態の透過率は２．３％で
あった。又、表示パターンを切り換える際に残像が観察
された。顕微鏡観察では上下部の画素内にはエッジ部に
ドメインが見られた。
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト８０、上下部におけるコントラスト１５と
なり、上下部のコントラストが低く、表示均一性の悪い
液晶表示装置が得られた。明状態の透過率は２．３％で
あった。又、表示パターンを切り換える際に残像が観察
された。顕微鏡観察では上下部の画素内にはエッジ部に
ドメインが見られた。
【００４８】実施例２．上記実施例１と同様の信号電極
配線１４の基板１１に対して、遮光膜１５を広げて図中
ｌBをたとえば８μｍとした対向基板１７を用いた。こ
の一組の基板間にφ４．５μmのポリマビーズを挟ん
で、実施例１と同様の構成からなるパネルを形成した。
配線１４の基板１１に対して、遮光膜１５を広げて図中
ｌBをたとえば８μｍとした対向基板１７を用いた。こ
の一組の基板間にφ４．５μmのポリマビーズを挟ん
で、実施例１と同様の構成からなるパネルを形成した。
【００４９】このパネルを所定の駆動回路で駆動して、
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト１７０、上下部におけるコントラスト１５
０となり、上下部のコントラストが実施例１より高く、
表示均一性も良好な液晶表示装置が得られた。この場
合、開口率が低下したので明状態の透過率は２．０％と
低くなった。
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト１７０、上下部におけるコントラスト１５
０となり、上下部のコントラストが実施例１より高く、
表示均一性も良好な液晶表示装置が得られた。この場
合、開口率が低下したので明状態の透過率は２．０％と
低くなった。
【００５０】実施例３．上記実施例１と同様の信号電極
配線１４で、図中ｌDをたとえば５μｍとした基板１１
に対して、遮光膜１５を広げて図中ｌBをたとえば８μ
ｍとした対向基板１７を用いた。この一組の基板間にφ
５．５μmのポリマビーズを挟んで、実施例１と同様の
構成からなるパネルを形成した。
配線１４で、図中ｌDをたとえば５μｍとした基板１１
に対して、遮光膜１５を広げて図中ｌBをたとえば８μ
ｍとした対向基板１７を用いた。この一組の基板間にφ
５．５μmのポリマビーズを挟んで、実施例１と同様の
構成からなるパネルを形成した。
【００５１】このパネルを所定の駆動回路で駆動して、
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト１３０、上下部におけるコントラスト１１
０となり、上下部のコントラストが実施例１より高く、
表示均一性も良好な液晶表示装置が得られた。開口率が
低下したので、明状態の透過率は２．１％でｄ・Δｎが
大きい分だけ実施例２より少し高い透過率となった。
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト１３０、上下部におけるコントラスト１１
０となり、上下部のコントラストが実施例１より高く、
表示均一性も良好な液晶表示装置が得られた。開口率が
低下したので、明状態の透過率は２．１％でｄ・Δｎが
大きい分だけ実施例２より少し高い透過率となった。
【００５２】比較例２．上記実施例３と同様の電極配線
の基板と対向基板を用いて、パネルを形成した。但し、
基板間には７．０μmのポリマビーズを挟んで、実施例
３より基板間ギャップを広げ、ここに正の誘電率異方性
を有し、屈折率異方性０．０７２のフッ素系の液晶を封
入して、パネルとした。
の基板と対向基板を用いて、パネルを形成した。但し、
基板間には７．０μmのポリマビーズを挟んで、実施例
３より基板間ギャップを広げ、ここに正の誘電率異方性
を有し、屈折率異方性０．０７２のフッ素系の液晶を封
入して、パネルとした。
【００５３】このパネルを所定の駆動回路で駆動して、
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト１００、上下部におけるコントラスト３０
となり、上下部のコントラストが低く、表示均一性の悪
い液晶表示装置が得られた。明状態の透過率は２．１％
であった。また、表示パターンを切り換える際に残像が
観察された。顕微鏡観察では上下部の画素内にはエッジ
部にドメインが見られた。
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト１００、上下部におけるコントラスト３０
となり、上下部のコントラストが低く、表示均一性の悪
い液晶表示装置が得られた。明状態の透過率は２．１％
であった。また、表示パターンを切り換える際に残像が
観察された。顕微鏡観察では上下部の画素内にはエッジ
部にドメインが見られた。
【００５４】実施例４．上記実施例１と同様の信号電極
配線１４の基板１１と対向基板１７を用いて、パネルを
形成した。この場合、ラビング条件を変更して、チルト
角を１５度とした。この一組の基板間にφ５．５μmの
ポリマビーズを挟んで、実施例１と同様の構成からなる
パネルを形成した。
配線１４の基板１１と対向基板１７を用いて、パネルを
形成した。この場合、ラビング条件を変更して、チルト
角を１５度とした。この一組の基板間にφ５．５μmの
ポリマビーズを挟んで、実施例１と同様の構成からなる
パネルを形成した。
【００５５】このパネルを所定の駆動回路で駆動して、
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト１２０、上下部におけるコントラスト１０
０となり、表示均一性も良好な液晶表示装置が得られ
た。明状態の透過率は２．３％と高くなった。配向不良
の発生を高チルト角とすることにより抑制しており、他
の実施例のように開口率を下げる必要がないことから明
るい表示素子を実現できた。
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト１２０、上下部におけるコントラスト１０
０となり、表示均一性も良好な液晶表示装置が得られ
た。明状態の透過率は２．３％と高くなった。配向不良
の発生を高チルト角とすることにより抑制しており、他
の実施例のように開口率を下げる必要がないことから明
るい表示素子を実現できた。
【００５６】ここで、図２はチルト角を１５度とした場
合のコントラストを、チルト角８度の場合と比較して示
したものである。この図から明らかになるように、コン
トラストの向上が図れることが判る。
合のコントラストを、チルト角８度の場合と比較して示
したものである。この図から明らかになるように、コン
トラストの向上が図れることが判る。
【００５７】比較例３．上記実施例４と同様にパネルを
形成した。この場合、基板間にはφ７．０μmのポリマ
ビーズを挟んだ。
形成した。この場合、基板間にはφ７．０μmのポリマ
ビーズを挟んだ。
【００５８】このパネルを所定の駆動回路で駆動して、
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト８０、上下部におけるコントラスト１３と
なり、上下部のコントラストが低く、表示均一性の悪い
液晶表示装置が得られた。明状態の透過率は２．２％で
あった。また、表示パターンを切り換える際に残像が観
察された。顕微鏡観察では上下部の画素内にはエッジ部
にドメインが見られた。
光学特性を評価したところ、表示領域の中央部における
コントラスト８０、上下部におけるコントラスト１３と
なり、上下部のコントラストが低く、表示均一性の悪い
液晶表示装置が得られた。明状態の透過率は２．２％で
あった。また、表示パターンを切り換える際に残像が観
察された。顕微鏡観察では上下部の画素内にはエッジ部
にドメインが見られた。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明にる液晶表示装置によればリバースチルトドメイ
ンや画素エッジ部での光漏れが表示品質を悪化させるこ
とを抑制できるので、表示部内でのコントラストが均一
となりドメインによる残像が起こらない表示品質の高い
ものを得ることができる。
本発明にる液晶表示装置によればリバースチルトドメイ
ンや画素エッジ部での光漏れが表示品質を悪化させるこ
とを抑制できるので、表示部内でのコントラストが均一
となりドメインによる残像が起こらない表示品質の高い
ものを得ることができる。
【図１】本発明に適用されるＴＦＴディスプレイ装置に
おけるドレイン線、画素電極と遮光部との一関係関係の
一実施例を示すパネル断面図である。
おけるドレイン線、画素電極と遮光部との一関係関係の
一実施例を示すパネル断面図である。
【図２】本発明にかかわるＴＦＴディスプレイ装置にお
ける表示部と信号線駆動回路の一実施例を示す平面図で
ある。
ける表示部と信号線駆動回路の一実施例を示す平面図で
ある。
【図３】本明細書に示した実施例、比較例のパラメータ
とコントラストの関係を表す図。
とコントラストの関係を表す図。
１２……画素電極、１４……信号配線電極、１５……遮
蔽膜。
蔽膜。
フロントページの続き
(72)発明者 下村 繁雄
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日
立製作所 電子デバイス事業部内
(72)発明者 永野 里志
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日
立製作所 電子デバイス事業部内
(56)参考文献 特開 平６−235937（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−34679（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−243924（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−202597（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−366813（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−158042（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−266512（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−101403（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1343
G02F 1/1362
G02F 1/1335
G02F 1/133
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透明な一対の基板、該
一対の基板間に挾持され且つ配向した誘電率異方性と屈
折率異方性とを有する液晶組成物層、偏光手段、該一対
の基板の一方に複数の画素を夫々並べてなる複数の画素
行、該複数の画素の各々に設けられた薄膜トランジスタ
並びにこれに接続された画素電極、該一対の基板の他方
に設けられた共通電極、該画素電極と該共通電極の間に
電圧信号波形を印加する手段とを備え、 前記液晶組成物層の配向状態及び前記偏光手段の構成
は、前記画素電極と前記共通電極間に印加される電圧Ｖ
LCをゼロから徐々に増大させるに従い明るさが減少する
ように設定され、 前記一対の基板の一方には、前記画素行毎に該画素行を
なす前記複数の画素に設けられた前記薄膜トランジスタ
の各々に夫々接続される複数の走査配線と、前記複数の
画素行の奇数番目に属する前記複数の画素の夫々に設け
られた前記薄膜トランジスタの各々に夫々接続される複
数の第１信号配線と、前記複数の画素行の偶数番目に属
する前記複数の画素の夫々に設けられた前記薄膜トラン
ジスタの各々に夫々接続される複数の第２信号配線とが
形成され、且つ該複数の画素行の各々において該画素行
をなす該複数の画素の各々は該第１信号配線及び該第２
信号配線により互いに分離され、 前記複数の画素の各々に設けられた前記画素電極の周辺
及び該複数の画素の各々を互いに隔てる前記第１信号配
線並びに前記第２信号配線は遮光部により遮光され、 前記複数の走査配線により前記複数の画素行全ての画像
表示を書き替える１フィールド期間に亘り、前記複数の
第１信号配線に印加される信号は正極性又は負極性に維
持され且つ前記複数の第２信号配線に印加される信号は
該複数の第１信号配線に印加される信号とは逆極性に維
持され、 前記複数の画素の各々において、これに設けられた前記
画素電極と該画素電極に隣接する前記第１信号配線及び
前記第２信号配線の各々と の間隙をｌD、該第１信号配
線及び該第２信号配線の各々の端から該画素電極上に前
記遮光部で規定された該画素電極の表示部端までの距離
をｌB 、及び前記一対の基板間ギャップをｄ LC とした場
合、 ｌB＞ｌD＋２（μｍ）、かつ、ｄLC／ｌB＜０．８ となる関係を満たすように前記遮光部、前記第１信号配
線並びに前記第２信号配線、及び前記画素電極が配置さ
れ、 前記液晶組成物層の前記基板の界面上における前記液晶
分子配向と該基板面との成す角度は６度以上である こと
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記一対の基板間ギャップｄLCと、前記
第１信号配線又は前記第２信号配線とこれに隣接する前
記画素電極上の前記表示部端までの距離ｌBとの関係
が、ｄLC／ｌB＜０．６となっていることを特徴とする
請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記第１信号配線に印加される信号及び
前記第２信号配線に印加される信号の極性は、前記１フ
ィールド期間に続く次の１フィールド期間にて夫々反転
し、且つ該次の１フィールド期間に亘り、互いに逆であ
る状態を維持することを特徴とする請求項１あるいは請
求項２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】前記液晶組成物層内の配向に関して、一方
の基板界面上での液晶分子配向方向角度φLC1と他方基
板界面上での液晶分子配向方向角度φLC2とが互いに略
直交（φLC1≒φLC2＋９０）しており、かつ該液晶組成
物層の厚みｄ及び屈折率異方性Δｎの積ｄ・Δｎが０．
４５μｍから０．５６μｍの間であることを特徴とする
請求項１ないし３のうちいずれか記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記液晶組成物層の前記基板の界面上に
おける前記液晶分子配向と該基板面との成す角度は、１
５度以上であることを特徴とする請求項１乃至４のうち
いずれか記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05694595A JP3529882B2 (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05694595A JP3529882B2 (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08254687A JPH08254687A (ja) | 1996-10-01 |
| JP3529882B2 true JP3529882B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=13041693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05694595A Expired - Lifetime JP3529882B2 (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3529882B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100371796C (zh) * | 2005-03-15 | 2008-02-27 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置 |
| CN103808319B (zh) * | 2014-02-26 | 2016-08-17 | 上海交通大学 | 基于惯性定位和vlc技术的室内混合定位系统及方法 |
| CN103900560B (zh) * | 2014-04-08 | 2016-11-09 | 中国矿业大学 | 一种基于白光/ins组合的室内定位装置及其方法 |
-
1995
- 1995-03-16 JP JP05694595A patent/JP3529882B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08254687A (ja) | 1996-10-01 |
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