JP3520382B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電体−絶縁体−
導電体を順次積層した構造を有する非線型抵抗素子（以
下ＭＩＭ素子と呼ぶ）や薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴ
素子と呼ぶ）等のスイッチング素子と液晶駆動電極とを
含んで構成される液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図２に従来のＭＩＭ素子を形成した液晶
表示装置の１表示画素の構造を示す。（ａ）はこの従来
の液晶表示装置の平面図であり、（ｂ）は断面図であ
る。ここでＭＩＭ素子とは、例えばＴａ（タンタル）−
タンタル酸化物（Ｔａ₂Ｏ₅）−酸化インジウムスズ（Ｉ
ＴＯ）等のような第１導電体−絶縁体−第２導電体の３
層構造で構成される非線型抵抗素子をいう。この場合、
第２導電体としては、ＩＴＯに限らず、例えばＣｒ又は
Ｃｒを成分とする合金を用いる事ができる。

【０００３】次に、この従来のＭＩＭ素子を形成した液
晶表示装置の製造方法を説明する。

【０００４】まず、第１基板２０１上にスパッタ法によ
りＴａ膜が形成される。次に、このＴａ膜がフォトエッ
チングによりパターニングされ配線電極を兼ねたＭＩＭ
素子２０８の第１導電体２０３が形成される。そして、
陽極酸化法により第１導電体２０３の表面が酸化され、
絶縁体２０４が形成される。次に、スパッタ法によりＩ
ＴＯ膜が形成される。そして、このＩＴＯ膜はフォトエ
ッチングによりパターニングされ、ＭＩＭ素子２０８の
第２導電体を兼ねた液晶駆動電極２０５が形成される。
第１基板２０１と対向する様に第２基板２０２を設け
る。第２基板２０２には、スパッタ法によりＩＴＯ膜が
形成される。そして、このＩＴＯ膜はフォトエッチング
により、ストライプ状にパターニングされたデータ線２
０６が、第１基板２０１の配線電極と直交するように形
成される。第１基板２０１と第２基板２０２の間には、
液晶層２０７を充填して液晶表示装置が構成されてい
る。この液晶表示装置でカラー表示を必要とする場合
は、第２基板２０２とデータ線２０６の間、あるいはデ
ータ線２０６と液晶層２０７の間にカラーフィルター層
を設置する。

【０００５】またスイッチング素子としてＴＦＴ素子を
用いた場合は第１基板２０１側に複数の走査線とこれら
走査線と直交する様に複数のデータ線を設け、ＴＦＴ素
子を走査線とデータ線の各交点に設置する。この際ＴＦ
Ｔ素子のゲート電極は走査線に接続され、ソース電極は
データ線に、液晶駆動電極はドレイン電極に接続され
る。第２基板２０２側には対向電極が設けられている。
走査線に選択状態の電位が与えられたときにのみＴＦＴ
のソース・ドレイン間は低インピーダンスのオン状態と
化し、データ線とオン状態のＴＦＴを通じて表示信号に
対応する電位が液晶駆動電極に与えられ、第２基板２０
２側の対向電極と液晶駆動電極との間に挾持された液晶
の光学状態を変化させる。ＴＦＴに制御される液晶駆動
電極はマトリクス状に配置されており、これにより情報
の表示が可能となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】さて近年、この種の液
晶表示装置は、例えばノート型パソコン、ワークステー
ション、液晶ＴＶ等に利用されるようになっている。従
って、液晶表示装置のサイズも対角２２．９ｃｍ〜２
５．４ｃｍ以上と非常に大面積化しているのが現状であ
る。かかる現状において、前述した従来のＭＩＭ素子を
用いた液晶表示装置では、以下の問題点が生じていた。

【０００７】従来の液晶表示装置では、配線電極を兼ね
た第１導電体２０３に走査信号を、ＩＴＯ配線２０６に
データ信号を印加し、時分割駆動により液晶層２０７へ
印加する電界強度を制御し、液晶の配向状態を変えて情
報を表示する。この際液晶駆動電極２０５とＩＴＯ配線
２０６に挟まれた液晶層には均一な電界が印加されてし
まい、液晶表示装置の視角特性が悪化するという問題が
生じていた。特に対角２２．９ｃｍ〜２５．４ｃｍ以上
の大面積液晶表示装置では、少しでも視角を変えて液晶
表示装置を見るとコントラストの低下、中間調の反転等
が生じ、間違った情報が表示されてしまった。

【０００８】このような視角特性を改善する技術とし
て、例えば、ＳＩＤ’９１，ＤＩＧＥＳＴ，Ｐ５５５〜
５５７やＳＩＤ’９２，ＤＩＧＥＳＴ，Ｐ７９８〜８０
１に記載された従来技術がある。

【０００９】第一の従来技術（ＳＩＤ’９１，Ｐ，５５
５〜５５７）は液晶駆動電極を２分割し、この分割され
た２つの液晶駆動電極を容量結合し、これを１つの薄膜
トランジスタで駆動している。この結果、１画素の中で
液晶層に印加される実効電圧が２種類となり視覚特性が
向上するものであった。しかし、分割した２つの液晶駆
動電極を容量結合するために構造が複雑となってしまう
という問題点が生じている。

【００１０】一方第二の従来技術（ＳＩＤ’９２，Ｐ，
７９８〜８０１）は１つの液晶駆動電極上に形成する液
晶配向膜を分割して形成し、液晶のプレイチルト角が大
きい領域と小さい領域を設け、視角特性を向上させるも
のであった。しかし、液晶の配向膜の形成方法がきわめ
て複雑となってしまうとの問題点が生じている。

【００１１】更に第３の従来技術としては特開平５−５
３１５０に示される手法がある。これを図１６を用いて
説明する。この従来技術ではマトリックス状に配置され
た１つの液晶駆動電極を複数個の画素電極に分割し、各
々の画素電極にＭＩＭ素子を設け、各画素電極の面積と
ＭＩＭ素子面積比を変えている。図１６の例では第２基
板に設けられたストライプ状の対向電極１７０１と第１
基板に設けられた配線１７０２にて定められている領域
の第１基板上に液晶駆動電極とＭＩＭ素子が設けられて
いる。液晶駆動電極は第一画素電極１７０３と第二画素
電極１７０４に二分割され、第一画素電極１７０３には
第一ＭＩＭ素子１７０５が接続され、第二画素電極１７
０４には第二ＭＩＭ素子１７０６が接続されている。第
一画素電極の面積と第一ＭＩＭ素子の面積との比を第二
画素電極の面積と第二ＭＩＭ素子の面積との比と異なら
せる事により視角特性を改善している。しかしながらこ
の第三の従来技術では液晶駆動電極の分割方法や画素電
極面積に何の配慮もなされていなかった為に視角特性は
十分に改善されていないとの問題点が有った。又、第一
画素電極１７０３と第二画素電極１７０４との分離距離
ｄに対する考慮がなされていないが故この分離領域と対
向電極に挟まれた液晶が制御されずコントラストの低下
を招いたり、ノーマリ白表示モード（液晶に電圧を印加
しない状態で光が透過する表示方法）で黒表示を行うと
きに分離領域から光漏れが生ずるとの問題点があった。

【００１２】本発明は以上の様な問題点を解決するもの
でその目的とするところは、構造を複雑にする事なく、
液晶に印加する実効電圧を制御して視角特性を向上し、
表示品質の高い液晶表示装置を実現する事にある。

【００１３】本発明の別の目的は又以下に示すがごとき
課題を解決する事にもある。即ち、スイッチング素子に
ＭＩＭ素子を用いる場合もＴＦＴ素子を用いる場合のい
ずれにしても液晶表示装置には数十万から数百万個の液
晶駆動電極とそれに対応するスイッチング素子が設けら
れている。これら膨大な数に昇るスイッチング素子の一
つでも不良が生ずるとそのスイッチング素子はスイッチ
ング素子としての機能を果たせず、不良スイッチング素
子が接続した液晶駆動電極には表示すべき情報に正しく
相応する電位が与えられない。この結果不良スイッチン
グ素子が接続した液晶駆動電極は液晶表示装置に於いて
点欠陥として視認されるに至る。この点欠陥を補修する
最も簡便な一従来技術として前述の図１６の手法が知ら
れている。これは一つの液晶駆動電極を複数の画素電極
に分割し、（図１６では第一画素電極１７０３と第二画
素電極１７０４）それぞれの画素電極にはそれぞれのス
イッチング素子（図１６では第一ＭＩＭ素子１７０５と
第二ＭＩＭ素子１７０６）を設ける物である。スイッチ
ング素子が全て良品で有れば分割された複数の画素電極
には殆ど同じ電位が供与され、これら複数の画素電極か
ら構成される一つの液晶駆動電極は正常に動作する。仮
令複数のスイッチング素子の内の一つが不良であっても
（例えば図１６で第一ＭＩＭ素子１７０５が不良とする
と）、他のスイッチング素子も同時に不良になる確率は
非常に小さいから一つの液晶駆動電極は残った他の正常
なスイッチング素子（先の例では第二ＭＩＭ素子１７０
６）を介して正しい電位が画素電極（先の例では第二画
素電極１７０４）に供与されて動作する為、点欠陥には
至らないのである。しかしながらこの手法では点欠陥の
補修能力が十分でないとの課題が有る。例えば図１６に
示す液晶表示装置を液晶に電界を掛けぬときに光が透過
するノーマリ白表示モードで動作させる場合を考えると
この課題は明瞭と化す。今第一ＭＩＭ素子１７０５が不
良で第一画素電極１７０３には全く電位が与えられない
とする。このときに黒表示を行うと第二ＭＩＭ素子１７
０６を介して第二画素電極１７０４には正常な電位が供
与され、第二画素電極１７０４と対向電極１７０１に挟
まれた液晶は正しく光学状態を変え黒表示となる。所が
不良ＭＩＭ素子に接続した第一画素電極１７０３と対向
電極１７０１に挟まれた液晶には電界が掛からず、この
領域は光が透過してしまう。液晶表示装置の画面全体を
黒表示した場合、これらの画素領域は夜空に瞬く星の様
に視認されるので有る。ここで想定している状況は点欠
陥が最も目立つ場合で有るが、他の表示モードや素子不
良モードに於いてもコントラストが正常時に比べて著し
く劣るとの形態で本質的に同じ課題が生ずる訳で有る。
換言するならば従来の簡便な欠陥補修技術は十分に欠陥
を補修出来ていないので有る。ここではスイッチング素
子の例としてＭＩＭ素子を用いて説明したが全く同じ事
情はＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いた液晶表
示装置に対しても当てはまっている。そこで本発明の別
な目的は上述のごとき課題を解決する物で、構造や製造
工程を複雑にする事なく、点欠陥を簡便且つ十分に補修
し得る液晶表示装置を提供する事に有る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、導電体−絶縁体−導電体を積層した構成のスイッチ
ング素子に接続された液晶駆動用電極がマトリクス状に
複数配置されており、前記液晶駆動電極によって液晶を
駆動する液晶表示装置において、前記液晶駆動電極は１
０μｍ以下の距離で互いに平面的に離間して形成された
第一画素電極、及び第二画素電極を含み、前記スイッチ
ング素子は前記第一画素電極に接続される第一非線型抵
抗素子、及び前記第二画素電極に接続される第二非線型
抵抗素子を具備してなり、前記第二画素電極が前記第一
画素電極の周囲を囲むように、且つ前記第一画素電極か
ら離間して配置されてお前記第一非線型抵抗素子の容
量、及び前記第二非線型抵抗素子の容量をそれぞれＣ
_ＮＬ１及びＣ _ＮＬ２とし、前記第一画素電極によって駆
動される前記液晶の容量、および前記第二画素電極によ
って駆動される前記液晶の容量をそれぞれＣ _ＬＣ１及び
Ｃ _ＬＣ２としたときに、Ｃ _ＬＣ１／Ｃ _ＮＬ１の値と、Ｃ
_ＬＣ２／Ｃ _ＮＬ２の値と、がそれぞれ異なることによっ
て、前記第一画素電極により駆動される前記液晶に印加
される実効電圧と、前記第二画素電極により駆動される
前記液晶に印加される実効電圧とが、互いに異なること
を特徴とする。それぞれの非線型抵抗素子面積を
Ｓ_NL1、Ｓ_NL2とし、前記第一画素電極の面積をＳ_LC1、
前記第二画素電極の面積をＳ_LC2としたとき、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2 を満たすと好ましい。また、それぞれの非線型抵抗素子
容量をＣ_NL1、Ｃ_NL2とし、前記第一画素電極で駆動され
る液晶層の容量をＣ_LC1、前記第二画素電極で駆動され
る液晶層の容量をＣ_LC2とし、 Ｃ_LC2／Ｃ_NL2＝ｍ₁（Ｃ
_LC1／Ｃ_NL1）上式にて係数ｍ₁を定義したとき、ｍ₁の値
の範囲が０．００１から０．９９９の間で有る事を特徴
とする。或いは、それぞれの非線型抵抗素子面積をＳ
_NL1、Ｓ_NL2とし、前記第一画素電極の面積をＳ_LC1、前
記第二画素電極の面積をＳ_LC2としたとき、 Ｓ_LC1＝Ｓ
_LC2、 Ｓ_NL1＜Ｓ_NL2を満たしてもよい。更には、前記
第一画素電極面積Ｓ_LC1の前記第一画素電極と前記第二
画素電極を合わせた面積Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2に対する比をκ₁
としたとき、 κ₁＝Ｓ_LC1／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2） κ₁の値が０．１から０．９の間に有ると好ましい。或
いは、それぞれの非線型抵抗素子面積をＳ_NL1、Ｓ_NL2と
し、前記第一画素電極の面積をＳ_LC1、前記第二画素電
極の面積をＳ_LC2としたとき、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2 を満たすと好ましい。或いは、それぞれの非線型抵抗素
子容量をＣ_NL1、Ｃ_NL2とし、前記第一画素電極で駆動さ
れる液晶層の容量をＣ_LC1、前記第二画素電極で駆動さ
れる液晶層の容量をＣ_LC2とし、 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＝ｍ₂（Ｃ_LC2／Ｃ_NL2） 上式にて係数ｍ₂を定義したとき、ｍ₂の値の範囲が０．
００１から０．９９９の間で有る事を特徴とする。或い
は、それぞれの非線型抵抗素子面積をＳ_NL1、Ｓ_NL2と
し、前記第一画素電極の面積をＳ_LC1、前記第二画素電
極の面積をＳ_LC2としたとき、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2、 Ｓ_NL1＞Ｓ_NL2 を満たすと好ましい。更には、前記第二画素電極面積Ｓ
_LC2の第一画素電極と第二画素電極を合わせた面積Ｓ_LC1
＋Ｓ_LC2に対する比をκ₂としたとき、 κ₂＝Ｓ_LC2／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2） κ₂の値が０．１から０．９の間に有ると好ましい。

【００１５】

【００１６】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、導電体−絶縁体−導電体を順次積層した構
造を有する非線型抵抗素子とを含んで構成される液晶表
示装置において、前記液晶駆動電極が前記液晶表示装置
の広視野角が求められる方向にｎ個（ｎ≧２の整数）の
画素電極に分割され、該画素電極の其れぞれには非線型
抵抗素子が設けられてをり、ｉ番目（ｉは１からｎの間
の任意の整数）の画素電極の面積Ｓ_LCiとし、ｉ番目の
画素電極に設けられた非線型抵抗素子の面積をＳ_NLiと
したとき、ｎ個のＳ_LCi/Ｓ_NLiの値が少なくとも２種類
以上である事を特徴とする。斯様な液晶表示装置は、前
記液晶駆動電極が前記液晶表示装置の水平方向にｎ個
（ｎ≧２の整数）の画素電極に分割されている事を特徴
とする。或いは、前記液晶駆動電極が前記液晶表示装置
の垂直方向にｎ個（ｎ≧２の整数）の画素電極に分割さ
れている事を特徴とする。或いは、前記ｉ番目のＳ_LCi/
Ｓ_NLiの値とｎ＋１−ｉ番目のＳ_{LC( n+1-i)}/Ｓ_NL(n+1-i)
の値が等しい事を特徴とする。或いは、前記液晶駆動電
極が３分割された事を特徴とする。

【００１７】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、導電体−絶縁体−導電体を順次積層した構
造を有する非線型抵抗素子とを含んで構成される液晶表
示装置において、前記液晶駆動電極が第一画素電極と第
二画素電極に分割されて居り、前記第二画素電極は前記
第一画素電極を囲い、且つ前記第二画素電極の一部は前
記第一画素電極の内側に延在されて居る事を特徴とす
る。斯様な液晶表示装置は、前記第一画素電極の面積を
Ｓ_LC1、前記第二画素電極の面積をＳ_LC2、前記第一画素
電極に設けられた非線型抵抗素子の面積をＳ_NL1、前記
第二画素電極に設けられた非線型抵抗素子の面積をＳ
_NL2としたとき、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。或いは、前記第一非線型抵抗
素子と前記第二非線型抵抗素子は、導電体−絶縁体−導
電体を順次積層した構造を有し、それぞれの非線型抵抗
素子容量をＣ_NL1、Ｃ_NL2とし、前記第一画素電極で駆動
される液晶層の容量をＣ_LC1、前記第二画素電極で駆動
される液晶層の容量をＣ_LC2とし、 Ｃ_LC2／Ｃ_NL2＝ｍ₁（Ｃ_LC1／Ｃ_NL1） 上式にて係数ｍ₁を定義したとき、ｍ₁の値の範囲が０．
００１から０．９９９の間で有る事を特徴とする。或い
は、前記第一画素電極の面積をＳ_LC1、前記第二画素電
極の面積をＳ_LC2、前記第一画素電極に設けられた非線
型抵抗素子の面積をＳ_NL1、前記第二画素電極に設けら
れた非線型抵抗素子の面積をＳ_NL2としたとき、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2、 Ｓ_NL1＜Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。或いは、前記第一画素電極面
積Ｓ_LC1の前記第一画素電極と前記第二画素電極を合わ
せた面積Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2に対する比をκ₁としたとき、 κ₁＝Ｓ_LC1／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2） κ₁の値が０．０５から０．８の間に有る事を特徴とす
る。或いは、前記第一画素電極の面積をＳ_LC1、前記第
二画素電極の面積をＳ_LC2、前記第一画素電極に設けら
れた非線型抵抗素子の面積をＳ_NL1、前記第二画素電極
に設けられた非線型抵抗素子の面積をＳ_NL2としたと
き、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。或いは、前記第一非線型抵抗
素子と前記第二非線型抵抗素子は、導電体−絶縁体−導
電体を順次積層した構造を有し、それぞれの非線型抵抗
素子容量をＣ_NL1、Ｃ_NL2とし、前記第一画素電極で駆動
される液晶層の容量をＣ_LC1、前記第二画素電極で駆動
される液晶層の容量をＣ_LC2とし、 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＝ｍ₂（Ｃ_LC2／Ｃ_NL2） 上式にて係数ｍ₂を定義したとき、ｍ₂の値の範囲が０．
００１から０．９９９の間で有る事を特徴とする。或い
は、前記第一画素電極の面積をＳ_LC1、前記第二画素電
極の面積をＳ_LC2、前記第一画素電極に設けられた非線
型抵抗素子の面積をＳ_NL1、前記第二画素電極に設けら
れた非線型抵抗素子の面積をＳ_NL2としたとき、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2、 Ｓ_NL1＞Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。或いは、前記第二画素電極面
積Ｓ_LC2の第一画素電極と第二画素電極を合わせた面積
Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2に対する比をκ₂としたとき、 κ₂＝Ｓ_LC2／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2） κ₂の値が０．２から０．９５の間に有る事を特徴とす
る。

【００１８】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、導電体−絶縁体−導電体を順次積層した構
造を有する非線型抵抗素子とを含んで構成される液晶表
示装置において、前記液晶駆動電極が第一画素電極と第
二画素電極に分割されて居り、前記第二画素電極は前記
第一画素電極を囲い、且つ前記第二画素電極の一部は前
記第一画素電極の内側に延在されて居り、更に前記第一
画素電極の一部は前記第二画素電極の内側に延在されて
居る事を特徴とする。斯様な液晶表示装置は、前記第一
画素電極の面積をＳ_LC1、前記第二画素電極の面積をＳ
_LC2、前記第一画素電極に設けられた非線型抵抗素子の
面積をＳ_NL1、前記第二画素電極に設けられた非線型抵
抗素子の面積をＳ_NL2としたとき、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。或いは、前記第一画素電極の
面積をＳ_LC1、前記第二画素電極の面積をＳ_LC2、前記第
一画素電極に設けられた非線型抵抗素子の面積を
Ｓ_NL1、前記第二画素電極に設けられた非線型抵抗素子
の面積をＳ_NL2としたとき、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2、 Ｓ_NL1＜Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。或いは、前記第一画素電極の
面積をＳ_LC1、前記第二画素電極の面積をＳ_LC2、前記第
一画素電極に設けられた非線型抵抗素子の面積を
Ｓ_NL1、前記第二画素電極に設けられた非線型抵抗素子
の面積をＳ_NL2としたとき、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。或いは、前記第一画素電極の
面積をＳ_LC1、前記第二画素電極の面積をＳ_LC2、前記第
一画素電極に設けられた非線型抵抗素子の面積を
Ｓ_NL1、前記第二画素電極に設けられた非線型抵抗素子
の面積をＳ_NL2としたとき、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2、 Ｓ_NL1＞Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。

【００１９】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、導電体−絶縁体−導電体を順次積層した構
造を有する非線型抵抗素子とを含んで構成される液晶表
示装置において、前記液晶駆動電極がｎ個（ｎ≧２の整
数）の同心状画素電極に分割され、該同心状画素電極の
其れぞれには非線型抵抗素子が設けられて居る事を特徴
とする。斯様な液晶表示装置は、前記同心状画素電極の
ｉ番目（ｉは１からｎの間の任意の整数）の同心状画素
電極の面積Ｓ_LCiとし、ｉ番目の同心状画素電極に設け
られた非線型抵抗素子の面積をＳ_NLiとしたとき、ｎ個
のＳ_LCi/Ｓ_NLiの値が少なくとも２種類以上である事を
特徴とする。

【００２０】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、該液晶駆動電極に接続されたスイッチング
素子とで構成される液晶表示装置において、前記液晶駆
動電極が櫛歯状第一画素電極と櫛歯状第二画素電極に分
割されて居り、前記櫛歯状第一画素電極には第一スイッ
チング素子が接続され、前記櫛歯状第二画素電極には第
二スイッチング素子が接続され、前記櫛歯状第一画素電
極と前記櫛歯状第二画素電極は互いに噛合って居る事を
特徴とする。

【００２１】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、該液晶駆動電極に接続されたスイッチング
素子とで構成される液晶表示装置において、前記液晶駆
動電極が櫛歯状第一画素電極と櫛歯状第二画素電極に分
割されて居り、前記櫛歯状第一画素電極には第一スイッ
チング素子が接続され、前記櫛歯状第二画素電極には第
二スイッチング素子が接続され、前記櫛歯状第一画素電
極と前記櫛歯状第二画素電極は互いに噛合って居り、前
記スイッチング素子は導電体−絶縁体−導電体を順次積
層した構造を有する非線型抵抗素子で有る事を特徴とす
る。斯様な液晶表示装置は、前記櫛歯状第一画素電極と
前記櫛歯状第二画素電極は水平方向に互いに噛合って居
る事を特徴とする。或いは、前記櫛歯状第一画素電極と
前記櫛歯状第二画素電極は垂直方向に互いに噛合って居
る事を特徴とする。更には、前記櫛歯状第一画素電極の
面積をＳ_LC1、前記櫛歯状第二画素電極の面積をＳ_LC2、
前記櫛歯状第一画素電極に設けられた非線型抵抗素子の
面積をＳ_NL1、前記櫛歯状第二画素電極に設けられた非
線型抵抗素子の面積をＳ_NL2としたとき、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。或いは、前記櫛歯状第一画素
電極の面積をＳ_LC1、前記櫛歯状第二画素電極の面積を
Ｓ_LC2、前記櫛歯状第一画素電極に設けられた非線型抵
抗素子の面積をＳ_NL1、前記櫛歯状第二画素電極に設け
られた非線型抵抗素子の面積をＳ_NL2としたとき、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2、 Ｓ_NL1＜Ｓ_ＮＬ２ を満たす事を特徴とする。或いは、前記櫛歯状第一画素
電極の面積をＳ_ＬＣ１、前記櫛歯状第二画素電極の面積
をＳ_LC2、前記櫛歯状第一画素電極に設けられた非線型
抵抗素子の面積をＳ_NL1、前記櫛歯状第二画素電極に設
けられた非線型抵抗素子の面積をＳ_NL2としたとき、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。或いは、前記櫛歯状第一画素
電極の面積をＳ_LC1、前記櫛歯状第二画素電極の面積を
Ｓ_LC2、前記櫛歯状第一画素電極に設けられた非線型抵
抗素子の面積をＳ_NL1、前記櫛歯状第二画素電極に設け
られた非線型抵抗素子の面積をＳ_NL2としたとき、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2、 Ｓ_NL1＞Ｓ_NL2 を満たす事を特徴とする。

【００２２】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、該液晶駆動電極に接続されたスイッチング
素子とで構成される液晶表示装置において、前記液晶駆
動電極が櫛歯状第一画素電極と櫛歯状第二画素電極に分
割されて居り、前記櫛歯状第一画素電極には第一スイッ
チング素子が接続され、前記櫛歯状第二画素電極には第
二スイッチング素子が接続され、前記櫛歯状第一画素電
極と前記櫛歯状第二画素電極は互いに噛合って居り、前
記スイッチング素子は薄膜トランジスタで有る事を特徴
とする。

【００２３】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、該液晶駆動電極に接続された薄膜トランジ
スタとで構成される液晶表示装置において、前記液晶駆
動電極が第一画素電極と第二画素電極に分割されて居
り、前記第一画素電極には第一薄膜トランジスタが接続
され、前記第二画素電極には第二薄膜トランジスタが接
続され、前記第一薄膜トランジスタのゲート電極は第一
走査線に接続されて居り、前記第二薄膜トランジスタの
ゲート電極は第二走査線に接続されて居り、前記第一薄
膜トランジスタと前記第二薄膜トランジスタは互いに逆
導電タイプで有る事を特徴とする。斯様な液晶表示装置
は、前記第一画素電極及び前記第二画素電極は櫛歯状
で、互いに噛合って居る事を特徴とする。更には、前記
第一画素電極の面積と前記第二画素電極の面積が等しい
事を特徴とする。

【００２４】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、該液晶駆動電極に接続された薄膜トランジ
スタとで構成される液晶表示装置において、前記液晶駆
動電極が第一画素電極と第二画素電極に分割されて居
り、前記第一画素電極には第一薄膜トランジスタが接続
され、前記第二画素電極には第二薄膜トランジスタが接
続され、前記第一薄膜トランジスタのゲート電極は第一
走査線に接続されて居り、前記第二薄膜トランジスタの
ゲート電極は第二走査線に接続されて居り、前記第一薄
膜トランジスタはＮ型導電タイプで有り、前記第二薄膜
トランジスタはＰ型導電タイプで有り、前記第一薄膜ト
ランジスタが接続した第一画素電極の面積は前記第二薄
膜トランジスタが接続した第二画素電極の面積よりも大
きい事を特徴とする。斯様な液晶表示装置は、前記第一
画素電極及び前記第二画素電極は櫛歯状で、互いに噛合
って居る事を特徴とする。

【００２５】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、該液晶駆動電極に接続された薄膜トランジ
スタとで構成される液晶表示装置において、前記液晶駆
動電極が第一画素電極と第二画素電極に分割されて居
り、前記第一画素電極にはＮ型導電タイプの第一薄膜ト
ランジスタが接続され、前記第二画素電極にはＰ型導電
タイプの第二薄膜トランジスタが接続され、前記第一薄
膜トランジスタのゲート電極は第一走査線に接続されて
居り、前記第二薄膜トランジスタのゲート電極は第二走
査線に接続されて居り、前記第一薄膜トランジスタのチ
ャンネル長をＬ₁、チャンネル幅をＷ₁とし、前記第二薄
膜トランジスタのチャンネル長をＬ₂、チャンネル幅を
Ｗ₂としたとき、 Ｗ₁/Ｌ₁＜Ｗ₂/Ｌ₂ との関係式を満たす事を特徴とする。斯様な液晶表示装
置は、前記第一画素電極及び前記第二画素電極は櫛歯状
で、互いに噛合って居る事を特徴とする。更には、前記
第一画素電極の面積と前記第二画素電極の面積が等しい
事を特徴とする。

【００２６】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、該液晶駆動電極に接続された薄膜トランジ
スタとで構成される液晶表示装置において、前記液晶駆
動電極が第一画素電極と第二画素電極に分割されて居
り、前記第一画素電極にはＮ型導電タイプの第一薄膜ト
ランジスタが接続され、前記第二画素電極にはＰ型導電
タイプの第二薄膜トランジスタが接続され、前記第一薄
膜トランジスタのゲート電極は第一走査線に接続されて
居り、前記第二薄膜トランジスタのゲート電極は第二走
査線に接続されて居り、前記第一薄膜トランジスタのチ
ャンネル長は前記第二薄膜トランジスタのチャンネル長
より長い事を特徴とする。斯様な液晶表示装置は、前記
第一画素電極及び前記第二画素電極は櫛歯状で、互いに
噛合って居る事を特徴とする。更には、前記第一画素電
極の面積と前記第二画素電極の面積が等しい事を特徴と
する。

【００２７】又本発明に係わる液晶表示装置は、液晶を
駆動する為にマトリックス状に形成された複数個の液晶
駆動電極と、該液晶駆動電極に接続された薄膜トランジ
スタとで構成される液晶表示装置において、前記液晶駆
動電極が第一画素電極と第二画素電極に分割されて居
り、前記第一画素電極にはＮ型導電タイプの第一薄膜ト
ランジスタが接続され、前記第二画素電極にはＰ型導電
タイプの第二薄膜トランジスタが接続され、前記第一薄
膜トランジスタのゲート電極は第一走査線に接続されて
居り、前記第二薄膜トランジスタのゲート電極は第二走
査線に接続されて居り、前記第一薄膜トランジスタのチ
ャンネル幅は前記第二薄膜トランジスタのチャンネル幅
よりも狭い事を特徴とする。斯様な液晶表示装置は、前
記第一画素電極及び前記第二画素電極は櫛歯状で、互い
に噛合って居る事を特徴とする。更には、前記第一画素
電極の面積と前記第二画素電極の面積が等しい事を特徴
とする。

【００２８】又本発明に係わる液晶表示装置は、第１導
電体−絶縁体−第２導電体を順次積層した構造を有する
非線型抵抗素子と、液晶を駆動する液晶駆動電極とを含
んで構成される液晶表示装置において、前記液晶駆動電
極が第一画素電極と第二画素電極に分割され、前記第一
画素電極を駆動する第一非線型抵抗素子の電気的非線型
特性と、前記第二画素電極を駆動する第二非線型抵抗素
子の電気的非線型特性とが異なる事を特徴とする。或い
は本発明に係わる液晶表示装置は、第１導電体−絶縁体
−第２導電体を順次積層した構造を有する非線型抵抗素
子と、液晶を駆動する液晶駆動電極とを含んで構成され
る液晶表示装置において、前記液晶駆動電極が第一画素
電極と第二画素電極に分割され、前記第一画素電極を駆
動する第一非線型抵抗素子の絶縁膜の厚さと、前記第二
画素電極を駆動する第二非線型抵抗素子の絶縁膜の厚さ
が異なる事を特徴とする。斯様な液晶表示装置は、前記
第一非線型抵抗素子の第１導電体と、前記第二非線型抵
抗素子の第１導電体が、液晶表示装置の表示領域の外部
で電気的に接続された事を特徴とする。或いは前記第二
画素電極が前記第一画素電極を取り囲む様に形成されて
いる事を特徴とする。

【００２９】又本発明に係わる液晶表示装置は、導電体
−絶縁体−導電体を順次積層した構造を有する非線型抵
抗素子と、液晶を駆動する液晶駆動電極とを含んで構成
される液晶表示装置において、前記液晶駆動電極が第一
画素電極と第二画素電極に分割され、前記第一画素電極
を駆動する第一非線型抵抗素子と、前記第一画素電極と
前記第二画素電極が直列に接続される様に第二非線型抵
抗素子及び第三非線型抵抗素子を設けた事を特徴とす
る。

【００３０】又本発明に係わる液晶表示装置は、スイッ
チング素子として非線型抵抗素子が用いられる場合、そ
れはタンタルを一成分とする金属、タンタルを一成分と
する金属の酸化物、金属あるいは透明導電膜を順次積層
した構造を取る事を特徴とする。

【００３１】

【００３２】

【発明の実施の形態】以下本発明を図面を用いて詳細に
説明するが、それに先立ち各請求項が主として関わる実
施例と図面の関係を記載しておく。但しこれは単に読者
の便益を図る為の分類であり、或る発明が幾つかの実施
例に関わる事も有れば、又後半の実施例では前半の実施
例の繰り返しを避ける為に繰り返し部を省略している事
もある。従って以下に記す分類はあくまで一つの目安に
過ぎない。

【００３３】

【００３４】

【００３５】

【００３６】

【００３７】

【００３８】

【００３９】

【００４０】

【００４１】

【００４２】〔実施例１〕図１は本発明による実施例を
示し、図１（ａ）は上視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の
ＡＡ’における断面図である。

【００４３】ガラス等の第１基板１０１上にＴａをスパ
ッタ法により形成し、フォトエッチングによりパターニ
ングし、ＭＩＭ素子の第１導電体１０３を設ける。第１
導電体１０３は、走査配線を兼ねた形状に加工し、例え
ばその膜厚は１０００〜６０００Åとする。次に第１導
電体１０３の表面を陽極酸化法により酸化し、ＭＩＭ素
子の絶縁体１０４を２００〜８００Åの膜厚となる様に
形成する。例えば陽極酸化は０．０１〜１％程度の濃度
のクエン酸あるいは酒石酸アンモニウムの水溶液中に、
陰極として白金を用い、陽極が第１導電体１０３となる
様に配線し、１０〜４５Ｖの直流を印加して、３０分〜
４時間酸化する。次に絶縁体１０４を３００〜５００℃
で焼成し、絶縁体１０４を緻密な膜にし、非線型特性を
向上させる。次にＭＩＭ素子の第２導電体を兼ねた液晶
駆動電極の第一画素電極１０５と第二画素電極１０６を
形成する。第一画素電極１０５には第一ＭＩＭ素子１１
１が接続され、第二画素電極１０６は第一画素電極１０
５の周囲を囲む様に形成され、第二ＭＩＭ素子１１０が
接続されている。第一画素電極１０５と第二画素電極１
０６は例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）に代表され
る透明導電体をスパッタ法により３００〜４０００Åの
厚さに成膜し、フォトエッチングによりパターニングす
る。ＭＩＭ素子の第２導電体と液晶駆動電極は一体で形
成する必要はなく、例えば第２導電体としてＣｒやＮｉ
ＣｒＴａ、Ｔｉ等の金属あるいは合金を用い、液晶駆動
電極としてはＩＴＯ等の透明導電体を用いて、其々別々
に形成してもよい。次に第１基板１０１と、液晶層１０
９を介して対向する様に第２基板１０２を設ける。第２
基板１０２には、ＩＴＯ等の透明導電体をストライプ状
に加工したデータ線１０８を形成し、走査配線と直交す
る様に設ける。図１は簡単のためにモノクロ液晶表示装
置について説明したが、染料により染色した有機層ある
いは顔料を分散させた有機層を第２基板１０２とデータ
線１０８の間、あるいはデータ線１０８と液晶層１０９
の間、あるいは液晶駆動電極１０５、１０６と液晶層１
０９の間、あるいは液晶駆動電極１０５、１０６と第１
基板１０１の間のいずれかの位置に設置する事により容
易にカラー液晶表示装置とする事ができる。

【００４４】従来技術と本実施例の大きな相違点は、液
晶駆動電極を第一非線型抵抗素子の一種で有る第一画素
電極１０５と第二非線型抵抗素子の一種で有る第二画素
電極１０６の２つに分け、第一画素電極１０５の周辺部
に第二画素電極１０６を形成し、更にそれぞれ独立した
第一ＭＩＭ素子１１１と、第二ＭＩＭ素子１１０で駆動
する事で液晶表示装置の視角特性を向上させた事であ
る。

【００４５】Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇ．ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎ
ｔ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎ
ｇ，ｐｐ．７０７−７１０ Ｄｅｃ．１９８０にＭＩＭ
素子の容量Ｃ_MIMと液晶層の容量Ｃ_LCの比、Ｃ_LC／Ｃ_MIM
が大きくなると液晶層に印加される実効電圧が大きくな
る事が示されている。第一画素電極１０５で駆動される
液晶層１１２の容量Ｃ_LC1と第一ＭＩＭ素子１１１の容
量Ｃ_NL1の比と、第二画素電極１０６で駆動される液晶
層１１３の容量Ｃ_LC2と第二ＭＩＭ素子１１０の容量Ｃ
_NL2の比が異なる様にすれば、液晶層１１２と液晶層１
１３に印加される実効電圧が変わり、視角特性が向上す
る。

【００４６】ここで第一ＭＩＭ素子１１１の面積をＳ
_NL1、第二ＭＩＭ素子１１０の面積をＳ_NL2、絶縁体１０
４の膜厚をｔ_NL、絶縁体１０４の比誘電率をε_NL、真空
の誘電率をε_OとするとＣ_NL1、Ｃ_NL2はそれぞれ、 Ｃ_NL1＝ε_O・ε_NL・Ｓ_NL1／ｔ_NL…（１） Ｃ_NL2＝ε_O・ε_NL・Ｓ_NL2／ｔ_NL…（２） となる。一方第一画素電極１０５の面積をＳ_LC1、第二
画素電極１０６の面積をＳ_LC2、液晶層１１２、１１３
の厚さ、すなわち第１基板１０１と第２基板１０２のギ
ャップをｔ_LC、液晶の比誘電率をε_LCとするとＣ_LC1、
Ｃ_LC2はそれぞれ Ｃ_LC1＝ε_O・ε_LC・Ｓ_LC1／ｔ_LC…（３） Ｃ_LC2＝ε_O・ε_LC・Ｓ_LC2／ｔ_LC…（４） となる。

【００４７】１例として視角特性を向上させるために、 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＞Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（５） の関係を満たす様にすると、液晶層１１２に印加される
実効電圧は、液晶層１１３に印加される実効電圧に比べ
大きくなり、正面から見たときのコントラスト比は、液
晶層１１２により十分に大きくなり、斜めから見たとき
のコントラスト比は、液晶層１１３により補償され、視
野角の広い液晶表示装置となる。特に中間調表示の画面
を斜めから見たときに、画面のネガポジ反転（白黒反
転）を防止するのに大きな効果がある。式（５）に式
（１）〜（４）を代入して整理すると、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（６） となり、単に面積比を変えれば上記の効果が得られる事
が分かる。これは従来技術に比べ、構造やプロセスを複
雑にする事なく、単に液晶駆動電極をパターニングする
際のフォトマスクを変更する事のみで実現できるので有
る。加えて本実施例では第二画素電極１０６が完全に第
一画素電極を囲んでいる為、どの方向から本実施例記載
の液晶表示装置を見てもコントラスト比は液晶層１１３
により補償され、視野角が広くなる。更に本実施例では
欠陥補修が可能となっている。例えば第二ＭＩＭ素子１
１０の絶縁膜１０４にピンホールがあって第一導電体１
０３と第二画素電極１０６が短絡している場合、第二画
素電極１０６の電位は常に走査配線の電位と同じになっ
てしまうが、第一ＭＩＭ素子１１１も同時に不良でない
限り正常に情報表示する第一画素電極１０５によりこの
液晶駆動電極領域は点欠陥にはならないので有る。反対
に第一ＭＩＭ素子１１１が不良で第一画素電極１０５が
動作しない場合でも、第二ＭＩＭ素子１１０と第二画素
電極１０６の正常動作によりこの液晶駆動電極領域は点
欠陥にはならない。こうした欠陥補修との観点からは第
一画素電極１０５の面積と第二画素電極１０６の面積が
等しい事が好ましい。もし何方か一方の画素電極面積が
他方の画素電極面積よりも著しく大きければ、大きい画
素電極に接続するＭＩＭ素子が不良となったとき、生き
残っている正常なＭＩＭ素子に接続する画素電極が著し
く小さくなり、その為に欠陥補修が効果的に行われない
からで有る。又液晶表示装置は多くの場合正面から眺め
る時間が長く、最適コントラストは正面に合わせられ
る。本実施例では第一画素電極１０５上の液晶層１１２
が正面からの視点を作り、それらを囲む第二画素電極１
０６上の液晶層１１３が上下、左右方向からの視野角を
補償している。こうした点からも第一画素電極１０５と
第二画素電極１０６の面積が等しい事が望まれる。この
場合一つの液晶駆動電極の約５０％は正面からのコント
ラスト向上に寄与し、約２５％が左右方向の視野角を広
げる事に寄与し、残りの約２５％が上下方向の視野角を
広げる役割を演ずる事となる。無論本実施例で第一画素
電極面積を広く取り、正面からのコントラストを優先さ
せる事も可能で有る。反対に第一画素電極の面積を４０
％程度と小さくし、第二画素電極の内で上下に走る帯部
の面積を左右それぞれ２０％程度の計４０％程度とし、
第二画素電極の内で左右に走る帯部の面積を上下それぞ
れ１０％程度の計２０％程度とすれば正面からのコント
ラストは多少劣るものの左右方向の視野角が著しく改善
される。正面からの画質を重視する場合は第一画素電極
の面積を比較的大きく取り、視野角を優先する場合は第
二画素電極の面積を比較的大きくするので有る。しかし
ながら広視野角と高画質を両立し、更に効果的に欠陥補
修できるとの観点からは第一画素電極面積Ｓ_LC1と第二
画素電極面積Ｓ_LC2は等しい事が好ましい。

【００４８】Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2…（７） このとき第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子の面
積Ｓ_NL1と第二非線型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子の
面積Ｓ_NL2の関係を Ｓ_NL1＜Ｓ_NL2…（８） とすれば、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（６） の関係を満たし、上述の効果を実現できる。（６）式を
満たした状態で、第一画素電極面積Ｓ_LC1の第一画素電
極と第二画素電極を合わせた面積Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2に対する
比をκ₁とすると κ₁＝Ｓ_LC1／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2）…（９） 高画質と広視野角を両立させる好ましいκ₁の値は０．
１から０．９で有り、より好ましくは０．２から０．
８、更に好ましくは０．３から０．７で、理想的には
０．４から０．６の間で有る。

【００４９】視野角特性は前述の（５）式を満たす関
係、或いは（６）式を満たす関係に有るときに向上す
る。

【００５０】 Ｃ_LC2／Ｃ_NL2＝ｍ₁（Ｃ_LC1／Ｃ_NL1）…（１０） 上記（１０）式にて係数ｍ₁を定義すると（５）式
（６）式は ｍ₁＜１…（１１） と記述される。このときに画質やＭＩＭ素子構造、画素
電極構造を考慮して好ましいｍ₁の値の範囲は０．００
１から０．９９９で有り、より好ましくは０．０１から
０．９９、更に好ましくは０．１から０．９で有り、理
想的には０．２から０．８の間で有る。

【００５１】本実施例の様に液晶駆動電極を複数の画素
電極に分割する場合、画素電極間の分離距離ｄが高画質
を得るのに重要な役割を演ずる。図１にｄで示す画素電
極間の分離距離が大きいと、コントラストの低下や光漏
れ現象と言った問題が生ずるからで有る。分離距離ｄが
十分に小さいときにはこれらの問題は生じない。と言う
のは液晶表示装置が所望の情報を表示している状態で第
一画素電極１０５と第二画素電極１０６には殆ど同じ電
位が与えられており、為に液晶層１１２と液晶層１１３
の液晶偏光状態は殆ど同じとなるからで有る。液晶の粘
性係数はゼロでないので分離距離ｄが小さければ、この
分離領域上の液晶層１１４は液晶層１１２と液晶層１１
３に引きずられる形で応答し、偏光状態を変えるので有
る。その結果コントラストの低下や光漏れが生じない訳
で有る。もう少し正確に言うと、前述の様に第一画素電
極１０５と第二画素電極１０６とには視野角特性を改善
する為に異なった電位が与えられ、相応して液晶層１１
２と液晶層１１３の偏光状態は異なった物となる。この
とき分離距離ｄが小さければ分離領域上の液晶層１１４
は液晶層１１２の偏光状態と液晶層１１３の偏光状態を
結ぶ中間的な偏光状態と化する。所が、分離距離ｄが大
きければ液晶層１１２の偏光状態や液晶層１１３の偏光
状態とは関係なくして、分離領域上の液晶層１１４は常
に液晶駆動電極電位がゼロに相応する偏光状態となって
しまうので有る。出願人らはこうした観点に則り分離距
離ｄの許される値を調査した所、分離距離ｄが１０μｍ
以下で有ればコントラストの低下は殆ど問題にならず、
７μｍ以下ではコントラストの低下は全く認められなか
った。更に５μｍ以下ではノーマリー白表示モードで黒
表示させたときの光漏れも全く認められなかった。即ち
分離距離ｄが１０μｍ以下で有れば実用上殆ど問題はな
く、５μｍ以下では分離領域上の液晶層１１４も正確に
応答しているので有る。ここではスイッチング素子とし
てＭＩＭ素子を用いて説明したが、同じ事情はＴＦＴ素
子等他のスイッチング素子を用いた場合にも無論適応可
能で有る。ＴＦＴ素子をスイッチング素子として用い、
一つの液晶駆動電極を複数の画素電極に分割する場合も
画素電極間の分離距離ｄは１０μｍ以下が好ましく、よ
り好ましくは７μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下で
有る。

【００５２】他の一例としては上述と反対の場合も有効
で有る。

【００５３】Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＜Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（１２） すなわち Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（１３） とすれば上記とは逆に、液晶層１１２により視角を補償
でき、上述と全く同様の効果が得られる。第一画素電極
面積Ｓ_LC1と第二画素電極面積Ｓ_LC2を等しくした場合、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2…（７） 第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子の面積Ｓ_NL1
と第二非線型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子の面積Ｓ
_NL2の関係を Ｓ_NL1＞Ｓ_NL2…（１４） とすれば（１３）式の関係は満たされ、広視野角と高画
質は両立し、更に効果的に欠陥補修も可能となる。（１
３）式を満たした状態で、第二画素電極面積Ｓ_{LC 2}の第
一画素電極と第二画素電極を合わせた面積Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2
に対する比をκ₂とすると κ₂＝Ｓ_LC2／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2）…（１５） 高画質と広視野角を両立させる好ましいκ₂の値は０．
１から０．９で有り、より好ましくは０．２から０．
８、更に好ましくは０．３から０．７で、理想的には
０．４から０．６の間で有る。

【００５４】視野角特性は前述の（１２）式を満たす関
係、或いは（１３）式を満たす関係に有るときに向上す
る。

【００５５】 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＝ｍ₂（Ｃ_LC2／Ｃ_NL2）…（１６） 上記（１６）式にて係数ｍ₂を定義すると（１２）式
（１３）式は ｍ₂＜１…（１７） と記述される。このときに画質やＭＩＭ素子構造、画素
電極構造を考慮して好ましいｍ₂の値の範囲は０．００
１から０．９９９で有り、より好ましくは０．０１から
０．９９、更に好ましくは０．１から０．９で有り、理
想的には０．２から０．８の間で有る。

【００５６】本実施例で、第１導電体１０３としてＴａ
を例に説明したが、ＴａＭｏ、ＴａＷ、ＴａＳｉ、Ｔａ
ＳｉＷ等のＴａを成分とする合金、あるいはＡｌ、Ａｌ
を成分とする合金を用いる事も出来、陽極酸化法あるい
は熱酸化法によりこれらの第一導電体を酸化して絶縁体
１０４を形成してもよい。又、絶縁体１０４はスパッタ
法、プラズマＣＶＤ法により成膜した窒化ケイ素を用い
てもよい。

【００５７】〔実施例２〕図３は、本発明による別の実
施例を示し、図３（ａ）は上視図、図３（ｂ）は図３
（ａ）のＣＣ’における断面図である。

【００５８】ガラス等の第１基板４０１上に、Ｃｒ、Ａ
ｌ、Ｍｏ等の金属よりなるＭＩＭ素子の第１導電体４０
３を設ける。第１導電体４０３はデータ線を兼ね、デー
タ線から１画素エリア（即ち一つの液晶駆動電極）当た
り３本の突出部を設ける。次にＭＩＭ素子の絶縁体４０
４をスパッタ法やプラズマＣＶＤ法等により窒化ケイ素
或いは硬質炭素膜にて形成し、少なくとも上記３本の突
出部を覆う様にパターニングする。絶縁体４０４は、必
ずしもパターニングする必要はないが、第１基板４０１
と、絶縁体４０４の屈折率の違いにより、液晶表示装置
が色付いてしまう為、パターニングする方が好ましい。
一方実施例１と同様に第１導電体４０３をＴａあるいは
Ｔａを成分とする合金とし、陽極酸化法により絶縁体４
０４を得てもよい。この場合、第１導電体４０３の表面
のみが酸化される為、絶縁体４０４をパターニングする
必要はない。一般にＴａあるいはＴａを成分とする合金
を陽極酸化する事で形成された絶縁体より、窒化シリコ
ン膜や硬質炭素膜の方が非線型特性が優れている。こう
した点や前述の製造方法の容易さ、液晶表示装置の画素
数、あるいは要求される画質により最適な絶縁膜の材料
を選択すればよい。次にＭＩＭ素子の第２導電体を兼ね
た第一画素電極４０７、第二画素電極４０６、第三画素
電極４０５を設ける。この結果、第１導電体４０３の３
本の突出部に、第一ＭＩＭ素子４１０、第二ＭＩＭ素子
４１１、第三ＭＩＭ素子４１２が形成される。ＭＩＭ素
子の第２導電体と液晶駆動電極は実施例１で述べた様に
別々の材料で構成してもよい。次に第１基板４０１と対
向する位置に液晶層４０９を介して第２基板４０２を設
ける。第２基板４０２には、ＩＴＯ等の透明導電体をス
トライプ状に加工した走査配線４０８を形成する。

【００５９】実施例１と本実施例の相違点は、一つの液
晶駆動電極を液晶表示装置の広視野角が求められる方向
にｎ個（ｎ≧２の整数）の画素電極に分割し、それぞれ
の画素電極にはそれぞれ独立な非線型抵抗素子を設ける
事により、視野角特性を向上させる自由度を広げた点で
ある。図３では液晶表示装置は液晶表示画面の垂直（縦
又は上下）方向に広視野角が求められる使用状況を想定
し、垂直方向に一つの液晶駆動電極を３分割（ｎ＝３）
して有る。液晶表示装置の視野角特性は各液晶表示装置
の応用状況によって異なる。例えばパーソナル・コンピ
ュータ（ＰＣ）やエンジニアリング・ワーク・ステーシ
ョン（ＥＷＳ）の表示画面に応用される対角２５ｃｍ〜
５０ｃｍ程度の大型液晶表示装置では表示画面の垂直
（縦又は上下）方向に広視野角が求められる事が多い。
又液晶表示装置をパチンコ台に組み込んだ場合も個人に
より目の高さが異なる為、垂直（縦又は上下）方向に広
視野角が求められる。これらとは対照的に車載用テレビ
等に適応される場合、一つの液晶表示装置を二人乃至は
三人で水平（横又は左右）方向から眺める使用状況が多
いと想定される為、寧ろ水平（横又は左右）方向に広視
野角が求められる。後述する様に分割された画素電極で
駆動される液晶容量と各ＭＩＭ素子容量の比を各画素電
極毎に異ならせる事により視野角特性を改善できるの
で、広視野角が求められる方向に一つの液晶駆動電極を
複数個の画素電極に分割するのが好ましい。図３の例で
は垂直（縦又は上下）方向に液晶駆動電極が分割されて
いる為に正面からのコントラストが良好であると同時
に、垂直（縦又は上下）方向の視野角が著しく大きくな
る。このとき水平（横又は左右）方向の視野角は図２に
示すがごとき従来の液晶表示装置と同様に狭いが、そも
そもその方向に視野角は求められていないので有る。パ
チンコをしているとき人は自分の台の液晶表示装置のみ
に注視し、隣の台の液晶表示装置などに気を取られてい
ないのが普通で有る。斯く故、液晶表示装置の広視野角
が求められる方向に液晶駆動電極はｎ個（ｎ≧の整数）
の画素電極に分割され、各画素電極にＭＩＭ型非線型抵
抗素子を設け、各画素電極面積の非線型抵抗素子面積比
を異ならせる事が好ましい。これにより正面からのコン
トラストを良好とした状態で尚、広視野角が求められる
方向に所望通りの広視野角が得られるからである。広視
野角が求められる方向はどの方向であっても構わぬが、
普通は水平（横又は左右）方向か、或いは垂直（縦又は
上下）方向で有る。従って垂直（縦又は上下）方向に広
視野角が求められているときには図３の例が示す様に一
つの液晶駆動電極を垂直（縦又は上下）方向にｎ個（ｎ
≧の整数）に分割すれば良い。反対に水平（横又は左
右）方向に広視野角が求められるときには図３ａを９０
゜回転させて、一つの液晶駆動電極を水平（横又は左
右）方向にｎ個（ｎ≧２の整数）に分割すれば良いわけ
で有る。

【００６０】次に各画素電極とそれらに接続されたＭＩ
Ｍ型非線型抵抗素子との関係を説明する。第一ＭＩＭ素
子４１０、第二ＭＩＭ素子４１１、第三ＭＩＭ素子４１
２の容量をそれぞれＣ_NL1、Ｃ_NL2、Ｃ_NL3とし、第一画
素電極４０７で駆動される液晶層４１７、第二画素電極
４０６で駆動される液晶層４１６、第三画素電極４０５
で駆動される液晶層４１５の容量をそれぞれＣ_LC1、Ｃ
_LC2、Ｃ_LC3とし、ＭＩＭ素子と液晶層の容量比が、 Ｃ_LC3／Ｃ_NL3＞Ｃ_LC2／Ｃ_NL2＞Ｃ_LC1／Ｃ_NL1…（１８） の関係を満たす様にすれば、矢印４１４の方向の視角特
性を大幅に向上できる。第一ＭＩＭ素子４１０、第二Ｍ
ＩＭ素子４１１、第三ＭＩＭ素子４１２の絶縁体４０４
は材料と厚さが総て等しく、液晶層４１５、４１６、４
１７の材料と厚さも等しい為、実施例１と同様に第一Ｍ
ＩＭ素子４１０、第二ＭＩＭ素子４１１、第三ＭＩＭ素
子４１２それぞれの面積をＳ_NL1、Ｓ_NL2、Ｓ_NL3とし、
第一画素電極４０７、第二画素電極４０６、第三画素電
極４０５のそれぞれの面積をＳ_LC1、Ｓ_LC2、Ｓ_LC3とし
て上式を置き換えると、（１８）式は Ｓ_LC3／Ｓ_NL3＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2＞Ｓ_LC1／Ｓ_NL1…（１９） で表される。従ってＭＩＭ素子と液晶層の容量比を変え
るには、単にこれら面積比を変える事のみで容易に実現
できる。

【００６１】一方、ＭＩＭ素子と液晶層の容量比が、 Ｃ_LC3／Ｃ_NL3＜Ｃ_LC2／Ｃ_NL2＜Ｃ_LC1／Ｃ_NL1…（２０） すなわち、 Ｓ_LC3／Ｓ_NL3＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2＜Ｓ_LC1／Ｓ_NL2…（２１） の関係を満たす様にすれば、矢印４１３方向の視角特性
を向上できる。又、 Ｃ_LC3／Ｃ_NL3＝Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＜Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（２２） すなわち、 Ｓ_LC3／Ｓ_NL3＝Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／Ｓ_LC2…（２３） の関係を満たす様にすれば、矢印４１３、４１４双方の
視角特性を対称的に向上できる。

【００６２】矢印４１３、４１４双方の視角特性を向上
する手段として、 Ｃ_LC3／Ｃ_NL3＜Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＜Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（２４） すなわち、 Ｓ_LC3／Ｓ_NL3＜Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／_SNL2…（２５） の関係を満たす様にするかあるいは、 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＜Ｃ_LC3／Ｃ_NL3＜Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（２６） すなわち、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC3／Ｓ_NL3＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（２７） の関係を満たす事によっても実現できる。

【００６３】実施例１中で説明した様に各画素電極を分
離する分離距離ｄは１０μｍ以下が好ましく、より好ま
しくは７μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下で有る。
この事情は一つの液晶駆動電極を複数の画素電極に分割
する場合に常に適合される。以下の実施例中でスイッチ
ング素子としてＴＦＴ素子やＭＩＭ素子を用いて一つの
液晶駆動電極を複数の画素電極に分割する例が幾つか現
れてくる。それらの実施例では今後特にこの分離距離ｄ
に関して言及しないが、分離距離ｄの好ましい値は総て
上述と同様で有る。

【００６４】以上説明した様に、望まれる方向の視角特
性を著しく向上させる自由度がプロセスや構造を複雑と
する事なく簡単に実現でき、特にＰＣ用あるいはＥＷＳ
用に用いられる対角２５ｃｍ〜５０ｃｍ程度の大型液晶
表示装置に適用した場合、目を固定していても画面の上
下でコントラストや色調が違うという問題を解決でき
る。

【００６５】本実施例では一例として液晶駆動電極を３
分割した場合を例として説明したが、分割数を増やして
ｎ分割（ｎ≧４の整数）とし、これらの画素電極の其れ
ぞれには非線型抵抗素子を設け、ｉ番目（ｉは１からｎ
の間の任意の整数）の画素電極の面積Ｓ_LCiとし、ｉ番
目の画素電極に設けられた非線型抵抗素子の面積をＳ
_NLiとしたとき、ｎ個のＳ_LCi/Ｓ_NLiの値が少なくとも２
種類以上とすれば、更に視角特性向上の自由度が広がる
事は明らかである。又、（２３）式にてｎ＝３を用いて
説明した様に、ｉ番目のＳ_LCi/Ｓ_NLiの値とｎ＋１−ｉ
番目のＳ_LC(n+1-i)/Ｓ_{N L(n+1-i)}の値を等しくする事に
依り広視野角が求められている方向の視角特性を対称的
に向上できる。

【００６６】〔実施例３〕図４は本発明に係わる別の実
施例を示す。

【００６７】ＭＩＭ素子の第１導電体を兼ねた第１デー
タ線５０１と第２データ線５０２をそれぞれ１画素当た
り１ヶ所の突出部を持つ様な形状に加工し、第一画素電
極５０７と第二画素電極５０８の両サイドに配置する。
後に形成される第二画素電極５０８は第一画素電極５０
７の周囲に第一画素電極５０７を囲う様に形成され、こ
れら第一画素電極５０７と第二画素電極５０８にて一つ
の液晶駆動電極を構成している。第１データ線５０１と
第２データ線５０２は例えばＴａあるいはＴａＷ、Ｔａ
Ｍｏ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＷ等のＴａを成分とする合
金、又はＡｌあるいはＡｌを成分とする合金等の陽極酸
化が可能な材料を用いる。次に第１データ線５０１と第
２データ線５０２の表面を陽極酸化法により酸化し、Ｍ
ＩＭ素子の絶縁体となる第１絶縁体５０３及び第２絶縁
体５０４を形成する。ＴａあるいはＴａを成分とする合
金は、例えば０．０１〜１％程度の濃度のクエン酸やリ
ン酸或いは酒石酸アンモニウム等の水溶液を用いて陽極
酸化すれば容易に緻密な絶縁体が得られる。一方Ａｌあ
るいはＡｌを成分とする合金は、０．０１〜５％程度の
濃度の酒石酸アンモニウム水溶液、あるいはエチレング
リコール溶媒と酒石酸アンモニウムを溶質とした溶液を
用い、両溶液ともアンモニア水によりＰＨを７．０〜
７．５に調整して陽極酸化すれば緻密な絶縁体が得られ
る。このとき、外部ドライバー回路と接続する端子エリ
ア５１１には第１絶縁体５０３又は第２絶縁体５０４が
形成されない様に、あらかじめ絶縁性有機物を形成して
選択陽極酸化をする。或いは絶縁体が形成された場合は
ＣＦ₄やＳＦ₆等のフッ化系のガスを用いて、反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチング法により
絶縁体を除去する。次にＭＩＭ素子の第２導電体を兼ね
た第一画素電極５０７とこれを囲む様な形状に第二画素
電極５０８を形成する。この結果、第１データ線５０１
と第２データ線５０２のそれぞれの突出部に第一ＭＩＭ
素子５０９と第二ＭＩＭ素子５１０が構成される。この
とき、第１データ線５０１と第２データ線５０２へ同一
のデータ信号が供給される様に端子エリア５１１にパッ
ト電極５０５を同時に形成する。ＭＩＭ素子の第２導電
体と液晶駆動電極は実施例１と同様に別々の材料で形成
してもよい事は言うまでもない。最後に、液晶層を介し
て第１データ線５０１と第２データ線５０２と直交する
ように走査配線５０６を設けて、液晶表示装置を構成す
る。

【００６８】実施例１と本実施例の相違点（即ち本発明
の特徴点）は第一画素電極５０７を駆動する第一ＭＩＭ
素子５０９の電気的非線型特性と、第二画素電極５０８
を駆動する第二ＭＩＭ素子５１０の電気的非線型特性を
異なったものとする事により、視角特性を向上させる自
由度を広げた点である。

【００６９】本実施例に則ると、陽極酸化法により第１
絶縁体５０３や第２絶縁体５０４を形成する際、２回に
分けて陽極酸化を行い、異なった非線型特性を有する絶
縁体を得る事が可能になる。図５に陽極酸化を行う際の
略図を示す。ＭＩＭ素子をアレイ状に配置する第１基板
６０１に第１データ線６０２と第２データ線６０３を形
成する。複数の第１データ線６０２は例えば第１基板６
０１の上部で全て接続され、第１陽極酸化パット６０５
に接続する。複数の第２データ線６０３は第１データ線
６０２とは逆に第１基板６０１の下部で全て接続され、
第２陽極酸化パット６０６に接続する。端子エリア６０
４は前にも述べた様に絶縁性有機物を形成し、陽極酸化
による絶縁体が形成されるのを防止する。クエン酸水溶
液等の陽極酸化用化成液中へ第１基板６０１を破線６０
７まで浸漬し、同一化成液中に設置した白金等の電極を
陰極とし、第１陽極酸化パット６０５を陽極として、例
えば３０Ｖの印加電圧で第１回目の陽極酸化を行う。次
に第２陽極酸化パット６０６を陽極とし、例えば４０Ｖ
の印加電圧で第２回目の陽極酸化を行う。陽極酸化後破
線６０７及び６０８で第１基板６０１を切断し、接続さ
れていたデータ線を分離する。形成される絶縁体の膜厚
は印加電圧に比例し、更に第１データ線６０２及び第２
データ線６０３にＴａを用いた場合、１Ｖ当たり１７〜
１８Å成膜するため、第１絶縁体５０３の膜厚は５１０
〜５４０Åとなり、他方第２絶縁体５０４の膜厚は６８
０〜７２０Åとなる。この結果、実施例１とは違い、Ｍ
ＩＭ素子の面積だけではなく、絶縁体の膜厚も変える事
が出来、ＭＩＭ素子と液晶層の容量比を変える自由度が
より一層広げられる。

【００７０】一方、陽極酸化により得られたタンタル酸
化物（ＴａＯ_x）中を流れるプールフレンケル電流Ｉ
は、 Ｉ＝ｋＶ ｅｘｐ（β√Ｖ） で表され、βの値が非線型性を表す係数であり、βは絶
縁体の膜厚をｄとすると膜厚の平方根に反比例する（β
∝１／√ｄ）。従って絶縁体の膜厚を変える事により非
線型性も変えられ、容量比のみではなくＭＩＭ素子の非
線型特性を変えて、第一画素電極５０７と第二画素電極
５０８により駆動される液晶層に印加される電圧の実効
値を広範囲に渡って制御可能となる。

【００７１】更に第１回目の陽極酸化をクエン酸水溶液
で行い、第２回目の陽極酸化をリン酸水溶液で行う事に
より、第２絶縁体５０４中に不純物としてリンが取り込
まれ、新たなトラップ準位を形成し、第１絶縁体５０３
と第２絶縁体５０２の膜厚が同じ、すなわち第１回目の
陽極酸化と第２回目の陽極酸化とで印加する電圧を同じ
にしても、第一ＭＩＭ素子５０９と第二ＭＩＭ素子５１
０の非線型特性を変えられる。又、これに陽極酸化で印
加する電圧を変える事で、より非線型特性を変える自由
度が広がり、従来技術に比べ陽極酸化工程を１回増加す
るだけで、液晶表示装置の視角特性やコントラストを大
幅に向上できる。ＭＩＭ型非線形抵抗素子の電気特性は
陽極酸化方法を変える事で大幅に変化させ得る。本実施
例記載の液晶表示装置は一回目の陽極酸化と二回目の陽
極酸化で印加電圧や化成液、温度等の酸化条件を自由に
変えて組み合わせる事が可能で、その様にして得られた
異なるＭＩＭ素子がそれぞれの画素電極を独立に制御し
て一つの液晶駆動電極を駆動している。その結果コント
ラストや視野角と言った画質を自由に設定できるので有
る。無論本実施例に於いても実施例１にて詳述した様
に、画素電極面積のＭＩＭ素子面積比を変えて実施例１
と同じ効果を得る事も可能で有る。しかしながら画素電
極面積やＭＩＭ素子面積が液晶駆動電極のレイアウト上
の制約やフォトリソグラフィーの精度等の制約で思う様
に設定できぬ状況に於いても本実施例では二回の陽極酸
化条件を異ならせる事で酸化膜の膜厚や組成などの構造
を変え、広視野角と高画質を容易に両立させ得ぬので有
る。加えて図４に示す本実施例の液晶表示装置に於いて
は第１データ線５０１或いは第２データ線５０２の何方
か一方のデータ線が断線しても、両者が同時に断線しな
い限り線欠陥が生じないとの窮めて優れた特質が認めら
れる。言う迄も無く図２に示すがごとき従来技術の液晶
表示装置ではデータ線に一ヶ所でも断線が生ずると、そ
の先には情報は伝達されぬが故正常な情報表示が行われ
ぬ領域が線状に発生し、所謂線欠陥が視認されるに至
る。図４に示す本実施例の液晶表示装置に於いても、デ
ータ線に断線が生ずるとその先に情報転送されぬ点は従
来と同一で有る。しかるに本発明の液晶表示装置では一
つの液晶駆動電極が第一画素電極とそれを取り囲む第二
画素電極に分割されており、それぞれの画素電極に接続
したＭＩＭ素子は独立なデータ線に接続されている為、
片方のデータ線に断線等の異常が生じても、もう片方の
データ線とそれに接続したＭＩＭ素子を通じて情報伝達
がなされるので有る。この場合断線から先の液晶駆動電
極はそれを成す画素電極の片方が死んでいるから正常な
情報表示は成されぬものの、生き残っているもう片方の
画素電極が動作している為、致命的な線欠陥とはならな
いので有る。実施例１で説明した点欠陥補修にしろ、上
述した線欠陥補修にしろ、それを効果的に行うには二つ
の画素電極形状が重要で有る。液晶駆動電極を単純にデ
ータ線と平行又は直角に二分割するよりも、本願の様に
一方の画素電極を他方の画素電極が取り囲む様に分割し
た方が明らかに効果的欠陥補修がなされる。これは取り
分け、本実施例に示した線欠陥補修に於いて顕著で有
る。

【００７２】〔実施例４〕図６は、本発明による別の実
施例を示す。本実施例では液晶駆動電極が第一画素電極
と第二画素電極に分割され、第一画素電極を駆動する第
一非線型抵抗素子と、第一画素電極と前記第二画素電極
が直列に接続される様に第二非線型抵抗素子及び第三非
線型抵抗素子を設けて居る。

【００７３】走査配線を兼ねたＭＩＭ素子の第１導電体
７０３を、１画素当たり１ヶ所の突出部を持つ様な形状
に加工する。第１導電体７０３はＣｒ、Ｔａ等の金属で
膜厚が１０００〜５０００Å程度に形成するのが好まし
い。更に好ましくは、走査配線を兼ねている為、走査信
号の遅延を小さくする目的でより比抵抗の低いＡｌ、Ｃ
ｕ等を用いれば、対角２５ｃｍ以上の大型液晶表示装置
が実現できる。この第１導電体７０３と同時に第３導電
体７０４を島状に形成する。次に少なくとも第１導電体
７０３の突出部と第３導電体７０４を覆うようにＭＩＭ
素子の絶縁体７０５を設ける。絶縁体７０５は実施例２
で示した絶縁体４０４と同様に必ずしもパターニングす
る必要はなく、窒化ケイ素膜や硬質炭素膜、酸化タンタ
ル膜等を用いて、膜厚は３００〜３０００Åとすれば良
い。次にＭＩＭ素子の第２導電体を兼ねた第一画素電極
７０６、この第一画素電極７０６の周辺を囲む形状に第
二画素電極７０７を設ける。この結果、第１導電体７０
３の突出部に第一ＭＩＭ素子７１０、第３導電体７０４
と第一画素電極７０６あるいは第二画素電極７０７の交
わる部分にそれぞれ第二ＭＩＭ素子７１１と第三ＭＩＭ
素子７１２が直列接続となる様に形成される。第１基板
７０１と液晶層７０９を介して対向する様にデータ線７
０８を形成した第２基板７０２を配置する。この様に構
成された液晶表示装置の等価回路を図７に示す。走査配
線８０１とデータ線８０２の交点に、第一ＭＩＭ素子７
１０に相当する第一ＭＩＭ素子８０３と第一画素電極７
０６で駆動される液晶層８０６が直列に接続される。第
一ＭＩＭ素子８０３と、液晶層８０６の中点より第二Ｍ
ＩＭ素子７１１に相当する第二ＭＩＭ素子８０４と、第
三ＭＩＭ素子７１２に相当する第三ＭＩＭ素子８０５
と、第二画素電極７０７で駆動される液晶層８０７が直
列に接続され、データ線８０２へ結ばれる。走査配線８
０１、データ線８０２にそれぞれ走査信号、データ信号
を印加し、第一ＭＩＭ素子８０３をオン状態とし、第一
画素電極７０６へ電荷を書き込んで液晶層８０６に所定
の電界を掛ける。これと同時に第二画素電極へも第二Ｍ
ＩＭ素子８０４と第三ＭＩＭ素子８０５を通して電荷が
書き込まれて液晶層８０７にも電界が印加される。この
結果、液晶層８０６へ印加される実効電圧は液晶層８０
７へ印加される実効電圧より大きくなり、液晶表示装置
を正面から見た時のコントラストは液晶層８０６で確保
され、更に斜めから見たときのコントラストは液晶層８
０７で確保され、視野角が大幅に向上される。第二ＭＩ
Ｍ素子７１１及び第三ＭＩＭ素子７１２の面積を任意に
変える事により液晶層８０７へ印加される実効電圧を幅
広く変える事ができ、視野角を向上する自由度が広がっ
ている。一方、一切プロセスを増やす事なく、第二ＭＩ
Ｍ素子７１１と第三ＭＩＭ素子７１２を構成できる事も
大きな利点である。

【００７４】実施例１〜実施例４において、便宜上図面
に対して横方向を走査配線、縦方向をデータ線として説
明したが、ＭＩＭ素子は２端子素子であり、走査配線と
データ線の交点に液晶層と直列に接続されるため、どち
らを走査配線、データ線としても問題ない事は言うまで
もない。

【００７５】〔実施例５〕本発明の別な一例を図８を用
いて説明する。図８は第１基板１０１側に形成されたＭ
ＩＭ素子とそのＭＩＭ素子に接続した画素電極の形状を
示している。一つの液晶駆動電極は先に実施例１にて図
１を用いて説明したのと同様に第一画素電極９０５と第
二画素電極９０６に分割されている。第一画素電極９０
５には導電体−絶縁体−導電体を順次積層した構造を有
する第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子９１１が
接続されており、第二画素電極９０６にはやはり導電体
−絶縁体−導電体を順次積層した構造を有する第二非線
型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子９１０が接続されてい
る。この様に構成されている液晶駆動電極が複数個マト
リックス状に第１基板側に形成され、第２基板１０２と
の間に挟持された液晶層１０９の光学状態を各液晶駆動
電極毎に制御する事で情報表示が可能となる。この辺の
事情は図１に示される前述の実施例１記載の発明の一例
と全く同様で有る。図８に示す発明の特徴は第二画素電
極９０６が第一画素電極９０５を囲い、且つ第二画素電
極９０６の一部が第一画素電極９０５の内側に延在され
ている点に有る。こうする事に依り広視野角特性の改善
と高画質の両立は一層容易になり、設計上の自由度も高
まる。加えて第一画素電極と第二画素電極が互いに包含
される関係になっている為、点欠陥の修復能力が実施例
１の発明に比べても尚勝っている。その他の点に於いて
は総て実施例１と同様で有る。図８はＭＩＭ素子の第二
導電体と画素電極が兼用された簡便な構造を有してい
る。これに対して図９も本発明の一形態例で有り、ここ
ではＭＩＭ素子の第二導電体と画素電極は別々に形成さ
れている。即ち、第一画素電極１００５に接続した第一
ＭＩＭ素子１０１１はＭＩＭ素子の絶縁体上にＣｒ、Ｎ
ｉＣｒＴａ、Ｔｉ等の金属或いは合金にて第二導電体１
０１６が形成され、この第二導電体と画素電極が導通し
ている。第二画素電極１００６と第二ＭＩＭ素子１０１
０及びその第二導電体１０１５との関係も同様で有る。
図９に示す様にＭＩＭ素子の第二導電体と画素電極を別
々に形成すると、第二導電体の種類を変える事で非線型
抵抗素子の電気特性を変えたり、素子面積を自由に設定
出来、後述する様に高画質と広視野角とを簡単に実現出
来る。こうした事情は他の実施例では特筆されていない
が、他実施例でも同様に成り立っている。

【００７６】今第一ＭＩＭ素子９１１，１０１１の面積
をＳ_NL1、第二ＭＩＭ素子９１０，１０１０の面積をＳ
_NL2、ＭＩＭ素子の絶縁体膜厚をｔ_NL、絶縁体の比誘電
率をε_{N L}、真空の誘電率をε_Oとすると、第一ＭＩＭ素
子の容量Ｃ_NL1と第二ＭＩＭ素子の容量Ｃ_NL2はそれぞ
れ、 Ｃ_NL1＝ε_O・ε_NL・Ｓ_NL1／ｔ_NL…（１） Ｃ_NL2＝ε_O・ε_NL・Ｓ_NL2／ｔ_NL…（２） となる。一方第一画素電極９０５，１００５の面積をＳ
_LC1、第二画素電極９０６，１００６の面積をＳ_LC2、液
晶層の厚さ、すなわち第１基板と第２基板のギャップを
ｔ_LC、液晶の比誘電率をε_LCとすると第一画素電極に対
応する液晶容量Ｃ_LC1と第二画素電極に対応する液晶容
量Ｃ_LC2はそれぞれ Ｃ_LC1＝ε_O・ε_LC・Ｓ_LC1／ｔ_LC…（３） Ｃ_LC2＝ε_O・ε_LC・Ｓ_LC2／ｔ_LC…（４） となる。

【００７７】１例として視角特性を向上させる為に、 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＞Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（５） の関係を満たす様にすると、正面から見たコントラスト
は主として第一画素電極９０５，１００５により十分大
きくなる。又第二画素電極９０６，１００６は斜めから
見たときのコントラストを良くする事に寄与し、結果と
して広視野角を作り出す事となっている。第二画素電極
の一部が第一画素電極の内側にまで延在され、互いに包
含されている為、視野角特性は平均化され広い角度に渡
って同一のコントラストが得られるので有る。これは特
に中間調表示の画面を斜めから見たときに顕著となり、
画面のネガポジ反転（白黒反転）を広い角度に渡って防
止するのに大きな効果がある。実施例１と同様、式
（５）に式（１）〜（４）を代入して整理すると、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（６） となり単に面積比を変えれば上記の効果が得られる事が
分かる。従来技術に比べ、構造やプロセスを複雑にする
事なく、液晶駆動電極をパターニングする際のフォトマ
スクを変更する事のみで実現できる。図８，図９では第
二画素電極面積の方が第一画素電極面積よりも大きくな
っているが、この画素面積間の大小関係は液晶の種類や
液晶層の厚さ、使用する印加電圧範囲等に基付き最適化
される。唯、実施例１にも記述した様に本発明は単に高
画質と広視野角を共に改善するにのみならず、一方の画
素電極が不良であっても自動的に他方の画素によって欠
陥補修されるとの利点も有している。こうした欠陥補修
との観点からは第一画素電極９０５，１００５の面積と
第二画素電極９０６，１００６の面積が等しい事が好ま
しい。もし何方か一方の画素電極面積が他方の画素電極
面積よりも著しく大きければ、大きい画素電極に接続す
るＭＩＭ素子が不良となったとき、生き残っている正常
なＭＩＭ素子に接続する画素電極が著しく小さくなり、
その為に欠陥補修が効果的に行われないからで有る。即
ち広視野角と高画質を両立させ、更に効果的に欠陥補修
させるとの観点からは第一画素電極面積Ｓ_LC1と第二画
素電極面積Ｓ_LC2は等しい事が好ましい。

【００７８】Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2…（７） このとき第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子の面
積Ｓ_NL1と第二非線型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子の
面積Ｓ_NL2の関係を Ｓ_NL1＜Ｓ_NL2…（８） とすれば、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（６） の関係を満たし、上述の効果を実現できる。本発明の液
晶駆動電極は第一画素電極と第二画素電極の二つの画素
電極に分割されているが、第一画素電極の外側を取り囲
む第二画素電極の一部が第一画素電極の内側に延在され
ているが故、実質的には液晶駆動電極の外側から中心に
向かって第二画素電極、第一画素電極、第二画素電極の
三重構造になっている。この結果、実施例１に記した発
明に比べても本発明は更に広視野角が実現されている。
先に記した様に欠陥補修との観点からは第一画素電極面
積と第二画素電極面積が等しい事が好ましいが、実質的
に三重構造となっており、その内の二つが第二画素電極
で有るとの事実からは第二画素電極面積Ｓ_LC2は第一画
素電極面積Ｓ_LC1の２倍程度が好ましい。実施例１と同
様に第一画素電極面積Ｓ_LC1の第一画素電極と第二画素
電極を合わせた面積Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2に対する比をκ₁とす
ると κ₁＝Ｓ_LC1／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2）…（９） （６）式を満たした状態で高画質と広視野角を両立さ
せ、更に効果的に欠陥補修し得る好ましいκ₁の値は
０．０５から０．８で有り、より好ましくは０．１から
０．７、更に好ましくは０．２から０．６で、理想的に
は０．３から０．５の間で有る。

【００７９】視野角特性は前述の（５）式を満たす関
係、或いは（６）式を満たす関係に有るときに向上す
る。

【００８０】 Ｃ_LC2／Ｃ_NL2＝ｍ₁（Ｃ_LC1／Ｃ_NL1）…（１０） 上記（１０）式にて係数ｍ₁を定義すると（５）式
（６）式は ｍ₁＜１…（１１） と記述される。このときに画質やＭＩＭ素子構造、画素
電極構造を考慮して好ましいｍ₁の値の範囲は０．００
１から０．９９９で有り、より好ましくは０．０１から
０．９９、更に好ましくは０．１から０．９で有り、理
想的には０．２から０．８の間で有る。

【００８１】本実施例の様に液晶駆動電極を複数の画素
電極に分割する場合、画素電極間の分離距離ｄが高画質
を得るのに重要な役割を演ずる。これに関しては実施例
１に詳述した事情と全く同じで有る。分離距離ｄが１０
μｍ以下で有ればコントラストの低下は殆ど問題になら
ず、７μｍ以下ではコントラストの低下は全く認められ
ない。更に５μｍ以下ではノーマリー白表示モードで黒
表示させたときの光漏れも全く認められない。

【００８２】他の一例としては上述と反対の場合も有効
で有る。

【００８３】Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＜Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（１２） すなわち Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（１３） としても画素電極の実質的な三重構造には変わりがない
為、上述と全く同様の効果が得られる。第一画素電極面
積Ｓ_LC1と第二画素電極面積Ｓ_LC2を等しくした場合、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2…（７） 第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子の面積Ｓ_NL1
と第二非線型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子の面積Ｓ
_NL2の関係を Ｓ_NL1＞Ｓ_NL2…（１４） とすれば（１３）式の関係は満たされ、広視野角と高画
質は両立し、更に効果的に欠陥補修も可能となる。第二
画素電極面積Ｓ_LC2の第一画素電極と第二画素電極を合
わせた面積Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2に対する比をκ₂とすると κ₂＝Ｓ_LC2／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2）…（１５） 前述と同様、（１３）式を満たした状態で高画質と広視
野角を両立させ、更に効果的に欠陥補修し得る好ましい
κ₂の値は０．２から０．９５で有り、より好ましくは
０．３から０．９、更に好ましくは０．４から０．８
で、理想的には０．５から０．７の間で有る。

【００８４】視野角特性は前述の（１２）式を満たす関
係、或いは（１３）式を満たす関係に有るときに向上す
る。

【００８５】 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＝ｍ₂（Ｃ_LC2／Ｃ_NL2）…（１６） 上記（１６）式にて係数ｍ₂を定義すると（１２）式
（１３）式は ｍ₂＜１…（１７） と記述される。このときに画質やＭＩＭ素子構造、画素
電極構造を考慮して好ましいｍ₂の値の範囲は０．００
１から０．９９９で有り、より好ましくは０．０１から
０．９９、更に好ましくは０．１から０．９で有り、理
想的には０．２から０．８の間で有る。

【００８６】本発明の液晶駆動電極は二つの画素電極が
外側から順に第二画素電極、第一画素電極、第二画素電
極との順番に並ぶ三重構造に実質上なっている。液晶表
示装置を正面から見たときのコントラストは主として第
一画素電極９０５、１００５に依り確保されるが、視認
される画質は液晶駆動電極全体の平均として得られる。
視野角が比較点浅いときの画質補償は第一画素電極９０
５，１００５によりなされ、視野角が深いときには第二
画素電極９０６，１００６により補償されるので有る。

【００８７】尚本実施例で用いられるＭＩＭ型非線型抵
抗素子は第１導電体としてＴａやＴａＭｏ、ＴａＷ、Ｔ
ａＳｉ、ＴａＳｉＷ等のＴａを成分とする合金、あるい
はＡｌ、Ａｌを成分とする合金等が可能で有り、この場
合陽極酸化法あるいは熱酸化法によりこれらの第一導電
体を酸化して絶縁体が形成されてもよい。又、これらの
合金や他の導電体を第１導電体として用いた場合、絶縁
体はスパッタ法やプラズマＣＶＤ法により成膜した窒化
ケイ素を用いても良いのは他実施例と同様で有る。

【００８８】〔実施例６〕本発明の別な一例を図１０を
用いて説明する。図１０も実施例５の図８と同様、第１
基板１０１側に形成されたＭＩＭ素子とそのＭＩＭ素子
に接続した画素電極の形状を示している。一つの液晶駆
動電極は第一画素電極１１０５と第二画素電極１１０６
に分割されている。第一画素電極１１０５には導電体−
絶縁体−導電体を順次積層した構造を有する第一非線型
抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子１１１１が接続されてお
り、第二画素電極１１０６にはやはり導電体−絶縁体−
導電体を順次積層した構造を有する第二非線型抵抗素子
で有る第二ＭＩＭ素子１１１０が接続されている。この
様に構成されている液晶駆動電極が複数個マトリックス
状に第１基板側に形成され、第２基板１０２との間に挟
持された液晶層１０９の光学状態を各液晶駆動電極毎に
制御する事で情報表示が可能となる。この辺の事情は前
述の実施例１や実施例５記載の発明の一例と全く同様で
有る。図１０に示す本発明の特徴は第二画素電極１１０
６が第一画素電極１１０５を囲い、且つ第二画素電極１
１０６の一部が第一画素電極１１０５の内側に延在され
て居り、更に第一画素電極１１０５の一部は第二画素電
極１１０６の内側に延在されている点に有る。こうする
事により広視野角特性の改善と高画質の両立はより一層
容易になり、設計上の自由度も高まる。加えて第一画素
電極と第二画素電極が複雑に絡み合う関係になっている
為、点欠陥の修復能力が実施例１や実施例５の発明に比
べても尚勝っている。図１６に代表される従来技術の液
晶駆動電極は単純に二分割されているに過ぎぬから、片
方の画素電極が欠陥品で有るとき、そこは点欠陥として
視認されてしまう。しかるに実施例５の図８や図９、或
いは本実施例の図１０に示すがごとき液晶駆動電極は分
割された二つの画素電極が複雑に絡み合っている為、仮
令一方の画素電極が不良で有っても正常な情報に対応す
る光と異常な情報に対応する光が混合し、致命的欠陥に
は到らぬ訳で有る。換言すれば、スイッチング素子にＭ
ＩＭ素子を用いるとか、或いはＴＦＴ素子を用いるかと
のスイッチング素子材に関係なく、一つの液晶駆動電極
を二つ以上の複数の画素電極に分割して点欠陥に対する
自動修復能力を装備させようとするならば、分割された
複数の画素電極が互いに複雑に絡み合っていた方が光混
合が確実に生じてより効果的に欠陥補修が成されるので
有る。それ故実施例１の図１に示す発明は図１６に代表
される従来技術よりも欠陥補修能力が優れ、図１よりは
実施例５の図８の方が更に勝っているので有る。同じ理
由で本実施例の図１０は図８よりも更に欠陥補修能力は
高い訳で有る。この結果は液晶駆動電極が大きい液晶表
示装置ほど顕著と化す。

【００８９】次に本発明が単に欠陥自動修復能力に優れ
ているにのみならず、高画質と高視野角特性もやはり優
れている点を説明する。今第一ＭＩＭ素子１１１１の面
積をＳ_NL1、第二ＭＩＭ素子１１１０の面積をＳ_NL2、Ｍ
ＩＭ素子の絶縁体膜厚をｔ_NL、絶縁体の比誘電率を
ε_NL、真空の誘電率をε_Oとすると、第一ＭＩＭ素子の
容量Ｃ_NL1と第二ＭＩＭ素子のＣ_NL2はそれぞれ、 Ｃ_NL1＝ε_O・ε_NL・Ｓ_NL1／ｔ_NL…（１） Ｃ_NL2＝ε_O・ε_NL・Ｓ_NL2／ｔ_NL…（２） となる。一方第一画素電極１１０５の面積をＳ_LC1、第
二画素電極１１０６の面積をＳ_LC2、液晶層の厚さ、す
なわち第１基板と第２基板のギャップをｔ_LC、液晶の比
誘電率をε_LCとすると第一画素電極に対応する液晶容量
Ｃ_LC1と第二画素電極に対応する液晶容量Ｃ_LC2はそれぞ
れ Ｃ_LC1＝ε_O・ε_LC・Ｓ_LC1／ｔ_LC…（３） Ｃ_LC2＝ε_O・ε_LC・Ｓ_LC2／ｔ_LC…（４） となる。

【００９０】１例として視角特性を向上させる為に、 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＞Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（５） の関係を満たす様にすると、正面から見たコントラスト
は主として第一画素電極１１０５により十分大きくな
る。又第二画素電極１１０６は斜めから見たときのコン
トラストを良くする事に寄与し、結果として広視野角を
作り出す事となっている。第二画素電極の一部が第一画
素電極の内側にまで延在され、更に第一画素電極の一部
が第二画素電極の内側に延在され互いに複雑に絡み合っ
ている為、視野角特性は平均化され広い角度に渡って同
一のコントラストが得られる結果と化す。これは特に中
間調表示の画面を斜めから見たときに顕著となり、画面
のネガポジ反転（白黒反転）を実施例５の図８に比べて
も尚広い角度に渡って防止するのに大きな効果がある。
実施例１や実施例５と同様、式（５）に式（１）〜
（４）を代入して整理すると、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（６） となり単に面積比を変えれば上記の効果が得られる事が
分かる。言う迄も無く、本発明に於いても従来技術に比
べ構造やプロセスを複雑にする事なく、液晶駆動電極を
パターニングする際のフォトマスクを変更する事のみで
実現できる。図１０に示す発明の一例では第一画素電極
の面積と第二画素電極面積との関係に特別な配慮は払っ
ていないが、この画素面積間の大小関係は液晶の種類や
液晶層の厚さ、使用する印加電圧範囲等に基付き最適化
される。但し他の実施例にも記述した様に本発明は高画
質と広視野角を共に改善すると同時に欠陥補修を自動的
に行う事も可能となっている。こうした欠陥補修との観
点からはやはり第一画素電極１１０５の面積と第二画素
電極１１０６の面積が等しい事が好ましい。もし何方か
一方の画素電極面積が他方の画素電極面積よりも著しく
大きければ、大きい画素電極に接続するＭＩＭ素子が不
良となったとき、生き残っている正常なＭＩＭ素子に接
続する画素電極が著しく小さくなり、その為に欠陥補修
が効果的に行われないからで有る。即ち広視野角と高画
質を両立させ、更に効果的に欠陥補修させるとの観点か
らは第一画素電極面積Ｓ_LC1と第二画素電極面積Ｓ_LC2は
等しい事が好ましい。

【００９１】Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2…（７） このとき第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子の面
積Ｓ_NL1と第二非線型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子の
面積Ｓ_NL2の関係を Ｓ_NL1＜Ｓ_NL2…（８） とすれば、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（６） の関係を満たし、上述の効果を実現できる。本発明の液
晶駆動電極は第一画素電極と第二画素電極の二つの画素
電極に分割されており、第一画素電極の外側を取り囲む
第二画素電極の一部が第一画素電極の内側に延在されて
おり、更に第一画素電極の一部は第二画素電極の内側に
延在されているが故、実質的には液晶駆動電極の外側か
ら中心に向かって第二画素電極、第一画素電極、第二画
素電極、第一画素電極の四重構造になっている。四重構
造の内の二重分は第一画素電極が占め、残りの二重分が
第二画素電極によって占有されている。即ち一つの液晶
駆動電極を二つの画素電極が略半分づつ構成している事
になる。先に記した様に欠陥補修との観点からも第一画
素電極面積と第二画素電極面積が等しい事が好ましいか
ら、実施例１と同様に二つの画素面積は等しい事が望ま
れる。先と同様に第一画素電極面積Ｓ_LC1の第一画素電
極と第二画素電極を合わせた面積Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2に対する
比をκ₁とすると κ₁＝Ｓ_LC1／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2）…（９） 高画質と広視野角を両立させ、更に効果的に欠陥補修し
得る好ましいκ₁の値は０．１から０．９で有り、より
好ましくは０．２から０．８、更に好ましくは０．３か
ら０．７で、理想的には０．４から０．６の間で有る。

【００９２】視野角特性は前述の（５）式を満たす関
係、或いは（６）式を満たす関係に有るときに向上す
る。

【００９３】 Ｃ_LC2／Ｃ_NL2＝ｍ₁（Ｃ_LC1／Ｃ_NL1）…（１０） 上記（１０）式にて係数ｍ₁を定義すると（５）式
（６）式は ｍ₁＜１…（１１） と記述される。このときに画質やＭＩＭ素子構造、画素
電極構造を考慮して好ましいｍ₁の値の範囲は０．００
１から０．９９９で有り、より好ましくは０．０１から
０．９９、更に好ましくは０．１から０．９で有り、理
想的には０．２から０．８の間で有る。

【００９４】本実施例の様に液晶駆動電極を複数の画素
電極に分割する場合、画素電極間の分離距離ｄが高画質
を得るのに重要な役割を演ずる点も他実施例と同様で有
る。これに関しては実施例１に詳述した事情と全く同じ
で有る。分離距離ｄが１０μｍ以下で有ればコントラス
トの低下は殆ど問題にならず、７μｍ以下ではコントラ
ストの低下は全く認められない。更に５μｍ以下ではノ
ーマリー白表示モードで黒表示させたときの光漏れも全
く認められない。

【００９５】他の１例としては上述と反対の場合も有効
で有る。

【００９６】Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＜Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（１２） すなわち S_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（１３） としても画素電極の実質的な四重構造には変わりがない
為、上述と全く同様の効果が得られる。第一画素電極面
積Ｓ_LC1と第二画素電極面積Ｓ_LC2を等しくした場合、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2…（７） 第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子の面積Ｓ_NL1
と第二非線型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子の面積Ｓ
_NL2の関係を Ｓ_NL1＞Ｓ_NL2…（１４） とすれば（１３）式の関係は満たされ、広視野角と高画
質は両立し、更に効果的に欠陥補修も可能となる。第二
画素電極面積Ｓ_LC2の第一画素電極と第二画素電極を合
わせた面積Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2に対する比をκ₂とすると κ₂＝Ｓ_LC2／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2）…（１５） 前述と同様、高画質と広視野角を両立させ、更に効果的
に欠陥補修し得る好ましいκ₂の値は０．１から０．９
で有り、より好ましくは０．２から０．８、更に好まし
くは０．３から０．７で、理想的には０．４から０．６
の間で有る。

【００９７】視野角特性は前述の（１２）式を満たす関
係、或いは（１３）式を満たす関係に有るときに向上す
る。

【００９８】 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＝ｍ₂（Ｃ_LC2／Ｃ_NL2）…（１６） 上記（１６）式にて係数ｍ₂を定義すると（１２）式
（１３）式は ｍ₂＜１…（１７） と記述される。このときに画質やＭＩＭ素子構造、画素
電極構造を考慮して好ましいｍ₂の値の範囲は０．００
１から０．９９９で有り、より好ましくは０．０１から
０．９９、更に好ましくは０．１から０．９で有り、理
想的には０．２から０．８の間で有る。

【００９９】本発明の液晶駆動電極は二つの画素電極が
外側から順に第二画素電極、第一画素電極、第二画素電
極、第一画素電極との順番に並ぶ四重構造に実質上なっ
ている。液晶表示装置を正面から見たときのコントラス
トは主として第一画素電極１１０５により確保される
が、視認される画質は液晶駆動電極全体の平均として得
られる。視野角が比較点浅いときの画質補償は第一画素
電極１１０５によりなされ、視野角が深くなると第二画
素電極１１０６により補償されるので有る。視野角が更
に深くなると画質補償は再度第一画素電極１１０５によ
り成され、最深時には第二画素電極１１０６が二度目の
画質補償を行う事になる。本実施例では図１０に示す画
素電極形状を例として論じてきたが、高画質と高視野角
の両立及び欠陥自動修復能力の見地に立つと第一画素電
極とそれを取り囲む第二画素電極はより複雑に絡み合っ
ているのが好ましい。

【０１００】尚本実施例で用いられるＭＩＭ型非線型抵
抗素子は第１導電体としてＴａやＴａＭｏ、ＴａＷ、Ｔ
ａＳｉ、ＴａＳｉＷ等のＴａを成分とする合金、あるい
はＡｌ、Ａｌを成分とする合金等が可能で有り、この場
合陽極酸化法あるいは熱酸化法によりこれらの第一導電
体を酸化して絶縁体が形成されてもよい。又、これらの
合金や他の導電体を第１導電体として用いた場合、絶縁
体はスパッタ法やプラズマＣＶＤ法により成膜した窒化
ケイ素を用いても良いのは他実施例と同様で有る。

【０１０１】〔実施例７〕本発明に係わる別の一例を図
１１を用いて説明する。図１１は第一基板側に形成され
た非線型抵抗素子で有るＭＩＭ素子と複数（図１１の例
では４個）の同心状画素電極より成る一つの液晶駆動電
極を示している。非線型抵抗素子で有るＭＩＭ素子は導
電体−絶縁体−導電体を順次積層した構造を有してお
り、各画素電極には一つのＭＩＭ素子が接続されてい
る。この様なＭＩＭ素子と液晶駆動電極が複数個マトリ
ックス状に第１基板側に形成され、第２基板との間に挟
持された液晶層の光学状態を各液晶駆動電極毎に制御す
る事で情報表示が可能になる。図１１に示す発明の特徴
は一つの液晶駆動電極が複数個の同心状画素電極に分割
され、各同心状画素電極にはそれぞれ非線型抵抗素子が
設けられている点に有る。実際、図１１の例では一つの
液晶駆動電極が内側から順に第一画素電極１２１１、第
二画素電極１２１２、第三画素電極１２１３、第四画素
電極１２１４と４分割され、各画素電極には第一ＭＩＭ
素子１２０１、第二ＭＩＭ素子１２０２、第三ＭＩＭ素
子１２０３、第四ＭＩＭ素子１２０４が接続されてい
る。図１１の例では液晶駆動電極の分割個数は４個で有
るが、この数は複数個で有れば幾つで有っても構わな
い。分割数が２個の場合は図１を用いて実施例１にて説
明した発明に対応する。後に説明する様に分割数が多い
程高画質が広い視野角に渡って得られるが、余り沢山の
同心状画素電極に分割し過ぎると各画素電極の幅が各画
素電極間の分離距離ｄに近くなってしまう。こうした事
態に陥ると仮令画素電極間の分離距離が小さくとも光漏
れやコントラストの低下は免れないからで有る。従って
液晶駆動電極の最大分割数は各画素電極の最小幅が分離
距離の３倍程度以上となる数が好ましい。例えば液晶駆
動電極の大きさが縦１５０μｍ、横１００μｍでＭＩＭ
素子の幅（図１１ではＷで記述）が１０μｍ、画素電極
間分離距離ｄが２．５μｍとした場合、各画素電極の最
小幅は分離距離の３倍程度だから２．５μｍ×３＝７．
５μｍ程度で有る。分離距離２．５μｍと最小画素電極
幅７．５μｍを合わせた最小ピッチは１０μｍとなる。
従ってこの例では最大分割数は図１１の様に４個とな
る。この様な条件を満たしている限り、画素分割により
画素電極間分離領域に起因するコントラストの低下や光
漏れは生じない。

【０１０２】液晶駆動電極が本発明の様に複数個の同心
状画素電極に分割されていると、まず極めて効果的に欠
陥補修が成される。例えば図１１で第一ＭＩＭ素子１２
０１が不良で第一画素電極１２１１が正しい情報表示を
行わなくとも、他の正常なＭＩＭ素子と画素電極でこの
欠陥を補償できるからで有る。液晶駆動電極をｎ個の同
心状画素電極に分割すれば、各画素電極の全体に対する
寄与はおよそ１／ｎで有る。従って分割数が多い程、一
つの画素電極が不良となったときの正常な情報表示から
のずれは小さくなるので有る。加えて、もし画素電極の
分離距離が１μｍ程度以下で、各画素電極の最大幅が５
μｍ程度以下で有れば、仮令一つのＭＩＭ素子が不良で
有っても、その不良素子を含む液晶駆動電極は略完全に
等しい正しい情報を表示出来る。図１１の例で各画素電
極の最大幅ｗ_maxが５μｍ、分離距離ｄが１μｍで有る
としよう。今第三ＭＩＭ素子１２０３が不良で第三画素
電極１２１３には全く電位が掛からない状況を考える。
この場合従来の液晶表示装置では一つの液晶駆動電極に
一つのＭＩＭ素子が接続されているから、当然画素欠陥
となる。又本発明に有ってもｗ_maxが非常に大きければ
第三画素電極１２１３と第二基板に挟まれた液晶は全く
応答せず、この液晶駆動電極に対応する液晶の内、約１
／ｎは正常な光学状態にならない。（最も異常な成分の
割合が１／ｎ程度だから欠陥補修で有るのだが。）所が
各画素電極の最大幅が５μｍ程度以下で有れば、この例
の場合、正常に動作する第二画素電極１２１２と第四画
素電極１２１４間の距離が７μｍ程度となり、これら両
画素電極には殆ど同じ情報が供与される事となる。実施
例１で画素電極間分離距離ｄの演ずる役割を説明した
が、それと全く同じ原理で不良の第三画素電極１２１３
上の液晶も正常に応答し、その結果この液晶駆動電極は
略完全に等しい正しい情報表示が可能になる。こうした
作用が効果的に働く為には各画素電極の最大幅が小さい
事が必要となる。一方で前述の如く画素電極間分離距離
は画素電極の最小幅の１／３以下がコントラストや光漏
れ等の課題より好ましい。一例を述べると画素電極間分
離距離が１μｍの場合、最小画素電極幅は３μｍ以上で
最大画素電極幅は５μｍ以下で有る。画素電極間分離距
離が０．５μｍの場合、最小画素電極幅は１．５μｍ以
上で最大画素電極幅は６μｍ程度以下で有る。分離距離
が０．５μｍと小さいときには最小画素電極幅を２．５
μｍ以上、最大画素電極幅を４μｍ以下とすれば、より
好ましい。同様に画素電極間分離距離が０．１μｍで有
れば最小画素電極幅は０．３μｍ以上で最大画素電極幅
は６．８μｍ以下で有る。最小画素電極幅は分離距離の
３倍以上で有れば大きければ大きい程コントラストや光
漏れの点より好ましく、最大画素電極幅は最大画素電極
幅に分離距離の２倍を加えた値が７μｍ程度より小さけ
れば小さい程欠陥補修能力は向上する。従って分離距離
は小さければ小さい程良い。但し可視光波長の上限が
０．８μｍ程度で有るので最小画素電極幅はやはり０．
８μｍ程度以上は必要となる。即ち画素電極間分離距離
が０．１μｍならば、最小画素電極幅は０．８μｍ以上
がより好ましく、更に好ましくは１．５μｍ以上、理想
的には２．５μｍ以上で有る。一方このときの最大画素
電極幅は４．８μｍ以下がより好ましく、望ましくは
３．８μｍ以下、理想的には２．８μｍ以下で有る。画
素電極間分離距離が０．１μｍで最小画素電極幅と最大
画素電極幅が共に２．８μｍで有る場合、最小ピッチは
３．０μｍとなり、先の液晶駆動電極幅が１００μｍの
例では一つの液晶駆動電極を１３個から１４個の同心状
画素電極に分割できる。前述した欠陥自動補修能力の点
からも、後述する高画質と高視野角の同時改善との点か
らも同心状画素電極への分割数は多い方が好ましいか
ら、この例に従うと極めて優良な液晶表示装置が実現さ
れる。

【０１０３】次に液晶駆動電極をｎ個（ｎ≧２の整数）
の同心状画素電極に分割し、ｉ番目（ｉは１からｎの間
の任意の整数）の同心状画素電極の面積をＳ_LCiとし、
その同心状画素電極に設けられた非線型抵抗素子の面積
をＳ_NLiとしたとき、ｎ個のＳ_{L Ci}／Ｓ_NLiが総て同じで
無ければ高画質と高視野角が得られる事を説明する。実
施例１でも詳述した様にｎ個のＳ_LCi／Ｓ_NLiの値はそれ
ぞれｎ個のＣ_LCi／Ｃ_NLiに等しくなる。ここでＣ_LCiと
はｉ番目の同心状画素電極に制御される液晶の容量であ
り、Ｃ_NLiはｉ番目の同心状画素電極に設けられたＭＩ
Ｍ型非線型抵抗素子の容量で有る。従ってｎ個のＳ_LCi
／Ｓ_NLiの値が一つでも異なっていれば、ｎ個のＣ_LCi／
Ｃ_NLiの値もそれに対応するものが異なり、視野角特性
が向上するので有る。尚、各画素電極は同じ同心状で有
るから視角特性はどの方向から見ても向上する。原理的
にはｎ個のＳ_LCi／Ｓ_NLiの値が少なくとも二種類以上有
れば従来例に比べて視角特性は向上する。しかしなが
ら、より広い視角特性を得るにはｎ個のＳ_{LC i}／Ｓ_NLiの
値にはなるべく沢山の種類が有った方が好ましく、可能
ならばｎ個の値が総て皆異なっている状況が望まれる。
一般にこれらの値は単に面積を変えるだけで済むので容
易に達成される。図１１の例では第一ＭＩＭ素子１２０
１も第二ＭＩＭ素子１２０２も第三ＭＩＭ素子１２０３
も第四ＭＩＭ素子１２０４も、総て皆同じ素子面積を有
している。即ち、 Ｓ_NL1＝Ｓ_NL2＝Ｓ_NL3＝Ｓ_LN4…（２８） の関係に有る。一方各同心状画素電極の面積は Ｓ_LC1＜Ｓ_LC2＜Ｓ_LC3＜Ｓ_LC4…（２９） として有る。従って面積比は Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2＜Ｓ_LC3／Ｓ_NL3＜Ｓ_LC4／Ｓ_NL4…（３０） と四個のＳ_LCi／Ｓ_NLiの値は総て異なり、この比は内側
の同心状画素電極に行く程小さくなっている。この場合
第四画素電極１２１４に制御される液晶に印加される実
効電圧が最大となり、正面から見たときのコントラスト
は第四画素電極１２１４で定まる。視野角が正面からず
れたときには順次内側の画素電極がコントラスト補償を
行う事となる。即ち視野角が比較的浅いときは主として
第三画素電極に１２１３がコントラスト補償を行い、そ
れよりも視野角が大きくなると主にコントラスト補償を
行う画素電極は第二画素電極１２１２へと移り、視野角
が更に大きくなると第一画素電極１２１１がコントラス
ト補償を主として受け持つ事となる。この例が示す様に
分割された各画素電極面積とその画素電極に接続したＭ
ＩＭ型非線型抵抗素子面積との比Ｓ_LCi／Ｓ_NLiは総て異
なっていた方がより広い視野角が得られる。更にこの比
の変化具合はこの例が示す様に外側から内側に向かって
単調に変化するのが好ましい。即ち最も内側に位置する
画素電極を第一画素電極とし、それに接続したＭＩＭ型
非線型抵抗素子を第一ＭＩＭ素子と名付け、以下順次外
側に進むにつれ第二、第三とし、最も外側に位置する画
素電極とＭＩＭ型非線型抵抗素子をそれぞれ第ｎ画素電
極及び第ｎＭＩＭ素子としたとき、 Ｓ_LCi／Ｓ_NLi＜Ｓ_LCi+1／Ｓ_NLi+1…（３１） か、 Ｓ_LCi／Ｓ_NLi＞Ｓ_LCi+1／Ｓ_NLi+1…（３２） となっているのが好ましい。但しここでｉは１からｎ−
１の間の任意の整数で有る。（３１）式のｉに１，２，
３を代入すると先の例で示した（３０）式の関係が得ら
れ、Ｓ_LCi／Ｓ_NLiの値は内側に行く程小さくなる。反対
に（３２）の場合はＳ_LCi／Ｓ_NLiは外側に行く程小さく
なる。この場合正面からのコントラスト補償は最も内側
に位置する第一画素電極によって行われ、視角が深くな
ったときのコントラスト補償は順次外側の画素電極によ
って受け持たれ、最も視角が深くなったときは最も外側
に位置する第ｎ画素電極によってコントラストは補償さ
れる。この様な関係は各画素電極の幅を調整したり、或
いはＭＩＭ素子部の第二導電体面積を調整する等により
得られる。。図１１の例が示す様に、 Ｓ_NLi＝Ｓ_NLi+1…（３３） （ｉは１からｎ−１の間の任意の整数）と総ての非線型
抵抗素子面積が等しければ、 Ｓ_LCi＜Ｓ_LCi+1…（３４） により（３１）式が満たされ、 Ｓ_LCi＞Ｓ_LCi+1…（３５） で（３２）式が満たされる。（３４）、（３５）いずれ
の式でも高画質と広視野角が得られるのは先に説明した
通りで有る。この様に素子面積を総て等しくし、画素電
極面積を変えて広視野角を得る場合、自動的に最も大き
い画素電極が最大のＳ_LCi／Ｓ_NLiの値を有する事とな
る。即ち（３４）式を満たす関係に有るときは最も外側
に位置する第ｎ画素電極面積Ｓ_LCnが最大で、その結果
ｎ個のＳ_LCi／Ｓ_NLiの値の内、Ｓ_LCn／Ｓ_NLnが最大とな
る。同様に（３５）式を満たす関係に有るときは最も内
側に位置する第一画素電極面積Ｓ_LC1が最大で、ｎ個の
Ｓ_LCi／Ｓ_NLiの内Ｓ_LC1／Ｓ_NL1が最大となる。正面から
のコントラストはｎ個のＳ_LCi／Ｓ_NLiの内で最大の物に
よって得られるから、最も大きい同心状画素電極が正面
からの画素を保障する事となる。本発明により高画質と
広視野角が容易に両立するが、その内でも特に正面から
の画質を重視する場合、この様に（３３）〜（３５）を
満たす事で最も使用状況が多い状態で確実に高画質が得
られるので有る。

【０１０４】ここまではＭＩＭ素子面積が等しく、画素
電極面積を異ならせて高画質と広視野角を得てきたが、
その逆も無論可能で有る。即ち各画素電極面積を等しく
し、ＭＩＭ素子面積を異ならせるので有る。先と同様、
一つの液晶駆動電極をｎ個の同心状画素電極に分割し、
内側から外側に向かって一番からｎ番目の番号を定義し
たとき、 Ｓ_LCi＝Ｓ_LCi+1…（３６） により、総ての画素電極面積は等しくなる。但しここで
もｉは１からｎ−１の間の任意の整数で有る。更に Ｓ_NLi＞Ｓ_NLi+1…（３７） とすれば（３１）の関係式が得られ、 Ｓ_NLi＜Ｓ_NLi+1…（３８） とすれば（３２）の関係式が得られる。（３７）式は最
も内側に位置する第一ＭＩＭ素子の面積が最大で、以下
外側のＭＩＭ素子程小さくなっていき、最も外側に位置
する第ｎＭＩＭ素子の面積が最小となっている。（３
８）式はこの反対で内側のＭＩＭ素子が外側のＭＩＭ素
子よりも小さい事を表している。このＭＩＭ素子面積を
異ならせて画素電極面積を総て等しくした液晶表示装置
は視野角特性が著しく改善される。最小ＭＩＭ素子が接
続した画素電極が正面からの画質を保障し、最大ＭＩＭ
素子が接続した画素電極が視野角が最も深いときのコン
トラストを保障するからで有る。これらの画素電極面積
が総て皆等しい事は取りも直さず正面からの画質も深視
野角からの画質も同等で有る事を意味する。従ってここ
で説明した関係（３６）〜（３８）を満たす液晶表示装
置は特に広視野角が必要となる装置に最適で有る。同時
にこの液晶表示装置は効果的な自動欠陥修復能力を備え
ている。各画素電極面積が皆等しいから、どの一つの画
素電極が不良で有っても正常な情報からのずれは常に１
／ｎと化すが故で有る。

【０１０５】ＭＩＭ素子面積が等しく画素電極面積が異
なる場合にしろ、画素電極面積が等しくＭＩＭ素子面積
が異なる場合にしろ、或いは（３１）式の様に面積比
（Ｓ_{LC i}／Ｓ_NLiを今後面積比と呼ぶ。）が内側程小さい
場合にしろ、逆に（３２）式の様に外側程小さい場合に
しろ、面積比は内側から外側に向かって単調に変化する
のが好ましい。液晶表示装置のコントラスト特性は視野
角が深くなって行くに従い単調に連続的に変化する。そ
れ故そのコントラスト補償を主として行う同心状画素電
極も単調に連続的な変化を行えば自然になめらかな感じ
で画質保障が行われるので有る。その意味では一つの液
晶駆動電極のｎ個の同心状画素電極への分割個数は多け
れば多い程良い。分割個数が少なければ主としてコント
ラスト補償を行う同心状画素電極はステップ状の飛び飛
びの変化を示すが、分割個数が多ければ連続的な変化に
近づいて行くからで有る。分割個数ｎが非常に多ければ
連続的に変化するコントラストの視野角依存性に合致す
る様に各面積比を略連続的に定める事が可能になり、コ
ントラストの視野角依存性を抹消する事も可能となる。
高画質と広視野角をより確実に得る為には分割個数ｎを
出来る限り大きくし、面積比を内側から外側に向けて単
調に変化させる事が肝要なので有る。

【０１０６】尚本実施例で用いられるＭＩＭ型非線型抵
抗素子は第１導電体としてＴａやＴａＭｏ、ＴａＷ、Ｔ
ａＳｉ、ＴａＳｉＷ等のＴａを成分とする合金、あるい
はＡｌ、Ａｌを成分とする合金等が可能で有り、この場
合陽極酸化法あるいは熱酸化法によりこれらの第一導電
体を酸化して絶縁体が形成されてもよい。又、これらの
合金や他の導電体を第１導電体として用いた場合、絶縁
体はスパッタ法やプラズマＣＶＤ法により成膜した窒化
ケイ素を用いても良いのは他実施例と同様で有る。

【０１０７】〔実施例８〕本発明の別な一例を図１２と
図１３を用いて説明する。図１２と図１３は第１基板側
に形成されたスイッチング素子とそのスイッチング素子
に接続した画素電極の形状を示している。本発明の液晶
表示装置は液晶を駆動する為に第一基板側にマトリック
ス状に形成された複数個の液晶駆動電極と、この液晶駆
動電極に接続されたスイッチング素子とで構成されて居
る。一つの液晶駆動電極は櫛歯状第一画素電極と櫛歯状
第二画素電極に分割されて居り、櫛歯状第一画素電極に
は第一スイッチング素子が接続され、櫛歯状第二画素電
極には第二スイッチング素子が接続されて居る。更に櫛
歯状第一画素電極と櫛歯状第二画素電極は互いに噛合っ
て居るので有る。本実施例ではスイッチング素子として
ＭＩＭ型非線型抵抗素子を用いて居るが、本発明の第一
の特徴はこの様な画素電極形状に有るのでスイッチング
素子としてはＴＦＴ素子等他のスイッチング素子も可能
で有る。図１２では櫛歯状第一画素電極と櫛歯状第二画
素電極は水平方向に互いに噛合って居り、図１３では櫛
歯状第一画素電極と櫛歯状第二画素電極は垂直方向に互
いに噛合って居る。実施例２で図３を用いて説明した様
に、液晶表示画面の垂直（上下又は縦）方向に高視野角
が求められるときには図１２に示す様に二つの櫛歯状画
素電極を水平方向に噛み合わせる。反対に液晶表示画面
の水平（左右又は横）方向に高視野角が求められるとき
には図１３に示す様に二つの櫛歯状画素電極を垂直方向
に噛み合わせる。一つの液晶駆動電極は櫛歯状第一画素
電極１３１１、１３３１、１４１１、１４３１と櫛歯状
第二画素電極１３１２、１３３２、１４１２、１４３２
に分割されている。櫛歯状第一画素電極１３１１には導
電体−絶縁体−導電体を順次積層した構造を有する第一
スイッチング素子で有る第一非線型抵抗素子（第一ＭＩ
Ｍ素子）１３０１が接続されており、櫛歯状第二画素電
極１３１２にはやはり導電体−絶縁体−導電体を順次積
層した構造を有する第二スイッチング素子で有る第二非
線型抵抗素子（第二ＭＩＭ素子）１３０２が接続されて
いる。以下同様に櫛歯状第一画素電極１３３１には第一
ＭＩＭ素子１３２１が接続され、櫛歯状第二画素電極１
３３２には第二ＭＩＭ素子１３２２が接続されている。
又、櫛歯状第一画素電極１４１１には第一ＭＩＭ素子１
４０１が接続され、櫛歯状第二画素電極１４１２には第
二ＭＩＭ素子１４０２が接続されて居る。更に櫛歯状第
一画素電極１４３１には第一ＭＩＭ素子１４２１が接続
され、櫛歯状第二画素電極１４３２には第二ＭＩＭ素子
１４２２が接続されているので有る。この様に構成され
ている液晶駆動電極が複数個マトリックス状に第１基板
側に形成され、第２基板との間に挟持された液晶層の光
学状態を各液晶駆動電極毎に制御する事で情報表示が可
能となる。この辺の事情は図１に示される前述の実施例
１記載の発明の一例と全く同様で有る。図１２及び図１
３に示す発明の特徴は櫛歯状第一画素電極と櫛歯状第二
画素電極が互いに噛み合って一つの液晶駆動電極を構成
し、各画素電極には独立なスイッチング素子が設けられ
ている点に有る。これにより点欠陥の自動修復が効果的
に行われる。実施例６にて図１０を用いて説明した様に
一つの液晶駆動電極を二つの画素電極に分割して欠陥自
動修復能力を装備させる場合、分割された二つの画素電
極は互いに複雑に絡み合っていた方が良い。これにより
二つの画素電極を通過した光が混合するからで有る。例
えば今、ノーマリー白表示モードで黒表示しようとした
とき、一方のスイッチング素子が不良でそのスイッチン
グ素子には黒表示に対応する電位が掛からない状況を考
える。図１６に示す従来の液晶表示装置では光混合が全
く生じないので不良素子に接続した画素電極上の液晶は
まっすぐに光を透過し、事実上程度の小さい輝点欠陥と
なっていた。ところが本発明では光混合が生じるので不
良画素に対応する白と正常画素に対応する黒が混じり合
って、中間の灰色となる。無論正しく表示されるべき情
報は今の例では黒だから、灰色表示は厳密には不良情報
を表示している事を意味する。しかし液晶表示装置を実
用する上では小さい輝点欠陥と灰色表示とでは雲泥の差
が有る。輝点欠陥は大変目立つ為致命的だが、灰色の欠
陥はかなり注意して見ないと通常は見つからないからで
有る。即ち本発明は窮めて効果的に欠陥自動補修を行っ
ている。櫛歯状画素電極の櫛歯の幅ｗと画素電極間分離
距離ｄの関係、及び互いに噛み合っている櫛歯の数（図
１２、図１３の例ではそれぞれ２個の櫛歯が噛み合って
いる。）の関係は実施例７にて図１１を用いて説明した
同心状画素電極の最小幅、最大幅ｗ_maxと画素電極間分
離距離ｄ及び画素電極の分割個数の関係に等しい。即ち
光漏れやコントラストの低下を招かぬ為には櫛歯の最小
幅は画素電極間分離距離ｄの３倍以上が必要で有る。又
先と同様、画素電極間分離距離ｄが１０μｍ以下で有れ
ばコントラストの低下は殆ど問題にならず、７μｍ以下
ではコントラストの低下は全く認められない。更に５μ
ｍ以下ではノーマリー白表示モードで黒表示させたとき
の光漏れも全く認めらなくなる。もし画素電極間分離距
離が１μｍ程度以下で、各櫛歯の最大幅が５μｍ程度以
下で有れば、仮令一方のＭＩＭ素子が不良で有っても、
他方のＭＩＭ素子と其に接続した櫛歯状画素電極に依り
その不良素子を含む液晶駆動電極は略完全に等しい正し
い情報を表示出来る。この辺の事情は実施例７と同様で
有る。即ち一例として、画素電極間分離距離を１μｍと
すると、櫛歯の最小幅は３μｍ以上で最大幅は５μｍ以
下で有る。或いは画素電極間分離距離を０．５μｍとし
た場合、櫛歯の最小幅は１．５μｍ以上で最大幅は矢張
５μｍ程度以下で有る。分離距離が０．５μｍと小さい
ときには櫛歯の最小幅を１．５μｍ以上、最大電極幅を
４μｍ以下とすれば、より好ましい。同様に画素電極間
分離距離が０．１μｍで有れば最小幅は０．３μｍ以上
で最大幅は３．８μｍ以下で有る。櫛歯の最小幅は分離
距離の３倍以上で有れば大きければ大きい程コントラス
トや光漏れの点より好ましく、最大幅は最大幅に分離距
離の２倍を加えた値が７μｍ程度より小さければ小さい
程欠陥補修能力は向上する。従って分離距離は小さけれ
ば小さい程良い。先にも述べた様に可視光波長の上限が
０．８μｍ程度で有るので最小画素電極幅はやはり０．
８μｍ程度以上は必要となる。結局画素電極間分離距離
が０．１μｍならば、櫛歯の最小幅は０．８μｍ以上が
より好ましく、更に好ましくは１．５μｍ以上、理想的
には２．５μｍ以上で有る。一方このときの最大幅は
４．８μｍ以下がより好ましく、望ましくは３．８μｍ
以下、理想的には２．８μｍ以下で有る。

【０１０８】こうする事により広視野角特性の改善と高
画質の両立はより容易になり、設計上の自由度も高ま
る。加えて第一画素電極と第二画素電極が互いに交互に
噛み合って居る構造と成って居る為、点欠陥の修復能力
が実施例１の発明に比べても尚勝っている。

【０１０９】さてこれ迄の議論と同様に第一ＭＩＭ素子
１３０１，１３２１，１４０１，１４２１の面積をＳ
_NL1、第二ＭＩＭ素子１３０２，１３２２，１４０２，
１４２２の面積をＳ_NL2、ＭＩＭ素子の絶縁体膜厚をｔ
_NL、絶縁体の比誘電率をε_NL、真空の誘電率をε_Oとす
ると、第一ＭＩＭ素子の容量Ｃ_NL1と第二ＭＩＭ素子の
容量Ｃ_NL2はそれぞれ、 Ｃ_NL1＝ε_O・ε_NL・Ｓ_NL1／ｔ_NL…（１） Ｃ_NL2＝ε_O・ε_NL・Ｓ_NL2／ｔ_NL…（２） となる。一方櫛歯状第一画素電極１３１１，１３３１，
１４１１，１４３１の面積をＳ_LC1、櫛歯状第二画素電
極１３１２，１３３２，１４１２，１４３２の面積をＳ
_LC2、液晶層の厚さ、すなわち第１基板と第２基板のギ
ャップをｔ_LC、液晶の比誘電率をε_LCとすると櫛歯状第
一画素電極に対応する液晶容量Ｃ_LC1と櫛歯状第二画素
電極に対応する液晶容量Ｃ_LC2はそれぞれ Ｃ_LC1＝ε_O・ε_LC・Ｓ_LC1／ｔ_LC…（３） Ｃ_LC2＝ε_O・ε_LC・Ｓ_LC2／ｔ_LC…（４） となる。

【０１１０】一例として視角特性を向上させる為に、 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＞Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（５） の関係を満たす様にすると、正面から見たコントラスト
は主として櫛歯状第一画素電極１３１１，１３３１，１
４１１，１４３１により十分大きくなる。又櫛歯状第二
画素電極１３１２，１３３２，１４１２，１４３２は斜
めから見たときのコントラストを良くする事に寄与し、
結果として広視野角を作り出す事となっている。二つの
櫛歯状画素電極が互いに噛み合って居るので、視野角特
性は平均化され広い角度に渡って同一のコントラストが
得られるので有る。これは特に中間調表示の画面を斜め
から見たときに顕著となり、画面のネガポジ反転（白黒
反転）を広い角度に渡って防止するのに大きな効果があ
る。実施例１と同様、式（５）に式（１）〜（４）を代
入して整理すると、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（６） となり単に面積比を変えれば上記の効果が得られる事が
分かる。従来技術に比べ、構造やプロセスを複雑にする
事なく、液晶駆動電極をパターニングする際のフォトマ
スクを変更する事のみで実現できる。実施例１にも記述
した様に本発明は単に高画質と広視野角を共に改善する
にのみならず、一方の画素電極が不良であっても自動的
に他方の画素によって欠陥補修されるとの利点も有して
いる。こうした欠陥補修との観点からは櫛歯状第一画素
電極１３１１，１３３１，１４１１，１４３１の面積と
櫛歯状第二画素電極１３１２，１３３２，１４１２，１
４３２の面積が等しい事が好ましい。もし何方か一方の
画素電極面積が他方の画素電極面積よりも著しく大きけ
れば、大きい画素電極に接続するＭＩＭ素子が不良とな
ったとき、生き残っている正常なＭＩＭ素子に接続する
画素電極が著しく小さくなり、その為に欠陥補修が効果
的に行われないからで有る。即ち広視野角と高画質を両
立させ、更に効果的に欠陥補修させるとの観点からは櫛
歯状第一画素電極面積Ｓ_LC1と櫛歯状第二画素電極面積
Ｓ_LC2は等しい事が好ましい。

【０１１１】Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2…（７） このとき第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子の面
積Ｓ_NL1と第二非線型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子の
面積Ｓ_NL2の関係を Ｓ_NL1＜Ｓ_NL2…（８） とすれば、 Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＞Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（６） の関係を満たし、上述の効果を実現できる。ＭＩＭ素子
面積と櫛歯状画素電極面積の両者を最適化する場合、櫛
歯状第一画素電極面積Ｓ_LC1の櫛歯状第一画素電極と櫛
歯状第二画素電極を合わせた面積Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2に対する
比をκ₁とすると κ₁＝Ｓ_LC1／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2）…（９） 高画質と広視野角を両立させ、更に効果的に欠陥補修し
得る好ましいκ₁の値は０．１から０．９で有り、より
好ましくは０．２から０．８、更に好ましくは０．３か
ら０．７で、理想的には０．４から０．６の間で有る。

【０１１２】視野角特性は前述の（５）式を満たす関
係、或いは（６）式を満たす関係に有るときに向上す
る。

【０１１３】 Ｃ_LC2／Ｃ_NL2＝ｍ₁（Ｃ_LC1／Ｃ_NL1）…（１０） 上記（１０）式にて係数ｍ₁を定義すると（５）式
（６）式は ｍ₁＜１…（１１） と記述される。このときに画質やＭＩＭ素子構造、画素
電極構造を考慮して好ましいｍ₁の値の範囲は０．００
１から０．９９９で有り、より好ましくは０．０１から
０．９９、更に好ましくは０．１から０．９で有り、理
想的には０．２から０．８の間で有る。

【０１１４】他の一例としては上述と反対の場合も有効
で有る。

【０１１５】Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＜Ｃ_LC2／Ｃ_NL2…（１２） すなわち Ｓ_LC1／Ｓ_NL1＜Ｓ_LC2／Ｓ_NL2…（１３） としても上述と全く同様の効果が得られる。櫛歯状第一
画素電極面積Ｓ_LC1と櫛歯状第二画素電極面積Ｓ_LC2を等
しくした場合、 Ｓ_LC1＝Ｓ_LC2…（７） 第一非線型抵抗素子で有る第一ＭＩＭ素子の面積Ｓ_NL1
と第二非線型抵抗素子で有る第二ＭＩＭ素子の面積Ｓ
_NL2の関係を Ｓ_NL1＞Ｓ_NL2…（１４） とすれば（１３）式の関係は満たされ、広視野角と高画
質は両立し、更に効果的に欠陥補修も可能となる。櫛歯
状第二画素電極面積Ｓ_LC2の櫛歯状第一画素電極と櫛歯
状第二画素電極を合わせた面積Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2に対する比
をκ₂とすると κ₂＝Ｓ_LC2／（Ｓ_LC1＋Ｓ_LC2）…（１５） 前述と同様、高画質と広視野角を両立させ、更に効果的
に欠陥補修し得る好ましいκ₂の値は０．１から０．９
で有り、より好ましくは０．２から０．８、更に好まし
くは０．３から０．７で、理想的には０．４から０．６
の間で有る。

【０１１６】視野角特性は前述の（１２）式を満たす関
係、或いは（１３）式を満たす関係に有るときに向上す
る。

【０１１７】 Ｃ_LC1／Ｃ_NL1＝ｍ₂（Ｃ_LC2／Ｃ_NL2）…（１６） 上記（１６）式にて係数ｍ₂を定義すると（１２）式
（１３）式は ｍ₂＜１…（１７） と記述される。このときに画質やＭＩＭ素子構造、画素
電極構造を考慮して好ましいｍ₂の値の範囲は０．００
１から０．９９９で有り、より好ましくは０．０１から
０．９９、更に好ましくは０．１から０．９で有り、理
想的には０．２から０．８の間で有る。

【０１１８】尚本実施例で用いられるＭＩＭ型非線型抵
抗素子は第１導電体としてＴａやＴａＭｏ、ＴａＷ、Ｔ
ａＳｉ、ＴａＳｉＷ等のＴａを成分とする合金、あるい
はＡｌ、Ａｌを成分とする合金等が可能で有り、この場
合陽極酸化法あるいは熱酸化法によりこれらの第一導電
体を酸化して絶縁体が形成されてもよい。又、これらの
合金や他の導電体を第１導電体として用いた場合、絶縁
体はスパッタ法やプラズマＣＶＤ法により成膜した窒化
ケイ素を用いても良いのは他実施例と同様で有る。

【０１１９】〔実施例９〕本発明の別な一例を図１４と
図１５を用いて説明する。図１４と図１５は第１基板側
に形成されたスイッチング素子とそのスイッチング素子
に接続した画素電極の形状を示している。本発明の液晶
表示装置は液晶を駆動する為に第一基板側にマトリック
ス状に形成された複数個の液晶駆動電極と、この液晶駆
動電極に接続されたスイッチング素子とで構成されて居
る。一つの液晶駆動電極は櫛歯状第一画素電極と櫛歯状
第二画素電極に分割されて居り、櫛歯状第一画素電極に
は第一スイッチング素子が接続され、櫛歯状第二画素電
極には第二スイッチング素子が接続されて居る。更に櫛
歯状第一画素電極と櫛歯状第二画素電極は互いに噛合っ
て居るので有る。本実施例ではスイッチング素子として
ＴＦＴ素子を用いて居る点で実施例８と異なって居る
が、互いに噛み合って居る櫛場状画素電極がもたらす効
果、即ち欠陥補修能力に関しては全く同じで有る。従っ
て櫛歯状画素電極の最小幅や最大幅ｗmax、及び画素電
極間分離距離ｄの関係も実施例８で詳述したその内容と
同一で有る。更に第一画素電極の面積と第二画素電極の
面積が等しければ、より効果的に欠陥補修をする事に成
る。

【０１２０】さて図１４では一つの液晶駆動電極は櫛歯
状第一画素電極１５１１と櫛歯状第二画素電極１５１２
に分割されて居り、櫛歯状第一画素電極１５１１には第
一薄膜トランジスタ１５０１が接続され、櫛歯状第二画
素電極１５１２には第二薄膜トランジスタ１５０２が接
続されて居る。ここでは第一薄膜トランジスタも第二薄
膜トランジスタも同一導電タイプとして居る。それ故第
一薄膜トランジスタのゲート電極も第二薄膜トランジス
タのゲート電極も共通の走査線１５２に接続され、更に
共通の信号電位を第一及び第二画素電極に印加する為に
第一薄膜トランジスタのソース電極と第二薄膜トランジ
スタのソース電極も共通の信号線１５３に接続されて居
る。この様な構成とした場合、一つの液晶駆動電極が一
つの画素電極から成り一つの薄膜トランジスタに依りス
イッチングされる従来の液晶表示装置と全く同じ製造工
程にて本願発明の液晶表示装置が製造され、更に従来と
全く同じ駆動方法にて本願発明の液晶表示装置を駆動し
得る。結局従来技術に対して何等新たな負荷を加える事
無く、上述した効果的な自動欠陥補修能力を備えさせる
事が可能と成るので有る。

【０１２１】一方図１５では一つの液晶駆動電極が第一
画素電極１６１１と第二画素電極１６１２に分割されて
居り、第一画素電極１６１１には第一薄膜トランジスタ
１６０１が接続され、第二画素電極１６１２には第二薄
膜トランジスタ１６０２が接続されて居る。ここで第一
薄膜トランジスタのゲート電極は第一走査線１６２１に
接続されて居り、第二薄膜トランジスタのゲート電極は
第二走査線１６２２に接続されて居る。又第一薄膜トラ
ンジスタのソース電極と第二薄膜トランジスタのソース
電極は共通の信号線１６３に接続されて居る。更に第一
薄膜トランジスタ１６０１と第二薄膜トランジスタ１６
０２は互いに逆導電タイプと成って居る。例えば第一薄
膜トランジスタ１６０１がＮ型導電タイプで有れば、第
二薄膜トランジスタ１６０２はＰ型導電タイプで有る。
これに相応して第一走査線と第二走査線とには常に同じ
タイミングで逆極性の走査信号が印加される。先の例に
則ると走査線１６２１と１６２２が同時に選択される
と、Ｎ型ＴＦＴが接続された第一走査線にはＨｉｇｈの
信号電位が印加されＮ型ＴＦＴ１６０１はｏｎ状態と成
り、他方Ｐ型ＴＦＴが接続された第二走査線にはＬｏｗ
の信号電位が印加されてＰ型ＴＦＴ１６０２もｏｎ状態
と成る。反対にこれらの信号線が非選択の状態ではＮ型
ＴＦＴが接続された第一走査線にはＬｏｗの信号電位が
印加され、Ｐ型ＴＦＴが接続された第二走査線にはＨｉ
ｇｈの信号電位が印加され、両ＴＦＴはｏｆｆ状態と成
る。第一薄膜トランジスタも第二薄膜トランジスタも同
一の信号線１６３に接続されて居り、更に常に同一のタ
イミングでｏｎ−ｏｆｆを行う為、第一画素電極と第二
画素電極とには常に同一の信号電位が印加される。本願
ではこの様に液晶駆動電極に接続されたスィッチング素
子がＣＭＯＳ構成を取っている。その為信号電位の極性
の正負に拘り無く常に正しい電位が液晶駆動電極に全体
として印加され得る。例えば正極性の信号電位が信号線
１６３に入ったとき、スィッチング素子がＮ型ＴＦＴだ
けから成る従来の液晶表示装置ではゲート電位（Ｖ_gs）
が低下して仕舞い、それが故トランジスタのｏｎ抵抗が
増大して限られた選択時間内に正しい電位を液晶駆動電
極に印加出来ないで居た。これに対して本願発明ではＣ
ＭＯＳ構成と成って居る為、どちらか一方のＴＦＴは必
ず完全ｏｎ状態と成る。先の例に従えばＮ型ＴＦＴのゲ
ート電位は低下してＮ型ＴＦＴのｏｎ抵抗は大きく成っ
て居るが、その一方でＰ型ＴＦＴのゲート電位が増大し
Ｐ型ＴＦＴのｏｎ抵抗は最小と化して居る（Ｐ型ＴＦＴ
が完全ｏｎ状態）。負極性の信号電位が信号線１６３に
印加されたときはこの例の反対でＮ型ＴＦＴが完全ｏｎ
状態と成る。換言すれば従来の液晶表示装置が信号電位
に応じてＴＦＴのｏｎ抵抗が変動して正しい情報を表示
出来ないで居たのに対して、本願発明では信号電位に拘
り無くｏｎ抵抗は平均化されてその変動は小さく成り、
故に常に正しい情報が表示され得るので有る。加えて本
願発明では櫛歯状画素電極により光混合（第一画素電極
により変調された光と第二画素電極により変調された光
の混合）が行われて居る為平均化は更に進み、あらゆる
表示信号に対して常に正しい表示が可能に成る訳で有
る。画素スィッチング素子をＣＭＯＳ ＴＦＴとする事
は製造上の新たな工程を求められる様に感ぜられるが、
多結晶半導体（例えばｐｏｌｙ−Ｓｉ）ＴＦＴにて走査
線回路や信号線回路を基板上に内蔵する場合にはＣＭＯ
Ｓ回路が通常採用されるので、こうした液晶表示装置で
は本願発明は新たな工程を全く追加するに至らない。斯
様な視点からは本願発明は特に多結晶薄膜半導体装置に
て周辺回路（走査線回路や信号線回路などの一部乃至は
全部）を内蔵した液晶表示装置に適して居ると言える。

【０１２２】さて第一薄膜トランジスタ１６０１をＮ型
導電タイプとし、第二薄膜トランジスタ１６０２をＰ型
導電タイプとしたとき、第一薄膜トランジスタが接続し
た第一画素電極１６１１の面積は第二薄膜トランジスタ
が接続した第二画素電極１６１２の面積よりも大きい事
が好ましい。これはＮ型ＴＦＴとＰ型ＴＦＴのトランジ
スタサイズ（チャンネルの長さや幅）を同じにしたとき
Ｎ型ＴＦＴのｏｎ抵抗の方がＰ型ＴＦＴのｏｎ抵抗より
も小さい事に由来する。こうする事で先に述べた平均化
は更に進み、より正確な情報表示が実現されるので有
る。無論第一画素電極１６１１と第二画素電極１６１２
が櫛歯状で互いに噛合って居れば、光混合に依る平均化
も同時に達成されて更に好ましい。

【０１２３】これ迄の実施例で詳述して来た様に一つの
液晶駆動電極を複数の画素電極に分割するときには其々
の画素電極面積が等しい事が望まれる。これに依り欠陥
の自己補修能力が一段と向上するからで有る。従ってＮ
型ＴＦＴとＰ型ＴＦＴのｏｎ抵抗の相違を画素電極面積
の相違にて相殺させる上述の方法よりも、二つの画素電
極面積を同一として素子特性を同じにした方が優れてい
ると言える。これは液晶駆動電極が第一画素電極１６１
１と第二画素電極１６１２に分割されて居り、第一画素
電極にはＮ型導電タイプの第一薄膜トランジスタ１６０
１が接続され、第二画素電極にはＰ型導電タイプの第二
薄膜トランジスタ１６０２が接続され、第一薄膜トラン
ジスタのゲート電極は第一走査線１６２１に接続されて
居り、第二薄膜トランジスタのゲート電極は第二走査線
１６２２に接続されて居り、第一薄膜トランジスタのチ
ャンネル長をＬ₁、チャンネル幅をＷ₁とし、第二薄膜ト
ランジスタのチャンネル長をＬ₂、チャンネル幅をＷ₂と
したとき、 Ｗ₁/Ｌ₁＜Ｗ₂/Ｌ₂ との関係式を満たす事で達成される。これはＮ型ＴＦＴ
とＰ型ＴＦＴのチャンネルコンダクタンス（移動度や閾
値電圧により定まる電気伝導度）の相違をチャンネルデ
ィメンジョン（ＬやＷ）で調整してｏｎ抵抗を揃える物
で有る。普通はＮ型ＴＦＴのチャンネルコンダクタンス
のほうがＰ型ＴＦＴのチャンネルコンダクタンスよりも
大きい為、上述の関係式の様にＮ型ＴＦＴのＷ／ＬをＰ
型ＴＦＴのＷ／Ｌよりも小さくすれば両ＴＦＴのｏｎ電
流を揃える事が出来、それ故二つの画素電極面積を同一
としてもなお、二つの画素電極電位を同等とする事が実
現される。無論これはレイアウトの都合などから両ＴＦ
ＴのＷが等しいなどと云った場合、第一薄膜トランジス
タのチャンネル長が第二薄膜トランジスタのチャンネル
長より長いとの関係でも達成される。同様に第一薄膜ト
ランジスタのチャンネル幅が第二薄膜トランジスタのチ
ャンネル幅よりも狭いとしても構わない。第一画素電極
及び第二画素電極は図１５に示す様に櫛歯状で互いに噛
合って居り、両者の面積が等しい事が理想で有るが、必
ずしもこれらの条件が満たされずともある程度の効果は
期待される。

【０１２４】以上説明してきたように、本発明の液晶表
示装置においては、第二画素電極が第一画素電極の周囲
を囲むように、且つ第一画素電極から１０μｍ以下の距
離で互いに平面的に離間して配置されており、第一非線
型抵抗素子の容量、及び第二非線型抵抗素子の容量をそ
れぞれＣ _ＮＬ１及びＣ _ＮＬ２とし、第一画素電極によっ
て駆動される液晶の容量、および第二画素電極によって
駆動される前記液晶の容量をそれぞれＣ _ＬＣ１及びＣ
_ＬＣ２としたときに、Ｃ _ＬＣ１／Ｃ _ＮＬ１の値と、Ｃ
_ＬＣ２／Ｃ _ＮＬ２の値と、がそれぞれ異なることによっ
て、第一画素電極により駆動される液晶に印加される実
効電圧と、前記第二画素電極により駆動される液晶に印
加される実効電圧とが、互いに異なっているので、第一
画素電極に駆動される液晶と第二画素電極に駆動される
液晶とで視覚特性が異なることになり、視野角が広い液
晶表示装置が実現する。また、第二画素電極が第一画素
電極の周囲を囲むように、配置されていることにより、
液晶駆動電極の上下左右いずからの方向においても視覚
特性のバランスがとれた液晶表示装置が実現する。更に
は、第二画素電極と第一画素電極との離間距離が１０μ
ｍ以下であるために、第１画素電極と第２画素電極との
間の液晶にも電界が加えられることとなるので、コント
ラストの低下を防止できる。

【０１２５】

【０１２６】

【０１２７】

【０１２８】

【０１２９】

【０１３０】

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は実施例１に係る本発明の液晶表示装置
を示す図である。

【図２】 図２は従来の液晶表示装置を示す図である。

【図３】 図３は実施例２に係る本発明の液晶表示装置
を示す図である。

【図４】 図４は実施例３に係る本発明の液晶表示装置
を示す図である。

【図５】 図５は実施例３の本発明に係る陽極酸化時の
概略図である。

【図６】 図６は実施例４に係る本発明の液晶表示装置
を示す図である。

【図７】 図７は実施例４に係る本発明の液晶表示装置
の等価回路を示す図である。

【図８】 図８は実施例５に係る本発明の液晶表示装置
を示す図である。

【図９】 図９は実施例５に係る本発明の液晶表示装置
を示す図である。

【図１０】 図１０は実施例６に係る本発明の液晶表示
装置を示す図である。

【図１１】 図１１は実施例７に係る本発明の液晶表示
装置を示す図である。

【図１２】 図１２は実施例８に係る本発明の液晶表示
装置を示す図である。

【図１３】 図１３は実施例８に係る本発明の液晶表示
装置を示す図である。

【図１４】 図１４は実施例９に係る本発明の液晶表示
装置を示す図である。

【図１５】 図１５は実施例９に係る本発明の液晶表示
装置を示す図である。

【図１６】 図１６は従来の液晶表示装置を示す図で有
る。

【符号の説明】

１０１、２０１、４０１、６０１、７０１…第１基板 １０２、２０２、４０２、７０２…第２基板 １０３、２０３、４０３、７０３…第１導電体 １０４、２０４、４０４、７０５…絶縁体 １０５、４０７、５０７、７０６、９０５、１００５、
１１０５、１２１１、１７０３…第一画素電極 １０６、４０６、５０８、７０７、９０６、１００６、
１１０６、１２１２、１７０４…第二画素電極 １２１３…第三画素電極 １２１４…第四画素電極 １３１１、１３３１、１４１１、１４３１、１５１１、
１６１１…櫛歯状第一画素電極 １３１２、１３３２、１４１２、１４３２、１５１２、
１６１２…櫛歯状第二画素電極 １０８、２０６、７０８、８０２…データ線 １０９、１１２、１１３、１１４、２０７、４０９、４
１５、４１６、４１７、７０９、８０６、８０７…液晶
層 １１１、４１０、５０９、７１０、８０３、９１１、１
０１１、１１１１、１２０１、１３０１、１３２１、１
４０１、１４２１、１７０５…第一ＭＩＭ素子 １１０、４１１、５１０、７１１、８０４、９１０、１
０１０、１１１０、１２０２、１３０２、１３２２、１
４０２、１４２２、１７０６…第二ＭＩＭ素子 １２０３…第三ＭＩＭ素子 １２０４…第四ＭＩＭ素子 ２０５…液晶駆動電極 ２０８…ＭＩＭ素子 ４０５…第三画素電極 ４１２、７１２、８０５…第三ＭＩＭ素子 ４０８、５０６、８０１…走査配線 ４１３、４１４…矢印 ５０１、６０２…第１データ線 ５０２、６０３…第２データ線 ５０３…第１絶縁体 ５０４…第２絶縁体 ５１１、６０４…端子エリア ５０５…パット電極 ６０５…第１陽極酸化パット ６０６…第２陽極酸化パット ６０７、６０８…破線 ７０４…第３導電体 １０１５、１０１６…第二導電体 １７０１…対向電極 １７０２…配線 １５０１、１６０１…第一薄膜トランジスタ １５０２、１６０２…第二薄膜トランジスタ １５２…走査線 １５３…信号線 １６２１…第一走査線 １６２２…第二走査線 １６３…信号線

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−53150（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−264928（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−59927（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−13191（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−230414（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−196019（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−218987（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−135318（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−72509（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−152013（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−22033（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−146464（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−211407（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−348324（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−222392（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−28091（ＪＰ，Ａ) 特公 平６−64421（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/13 - 1/141

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電体−絶縁体−導電体を積層した構成の
   スイッチング素子に接続された液晶駆動用電極がマトリ
   クス状に複数配置されており、前記液晶駆動電極によっ
   て液晶を駆動する液晶表示装置において、 前記液晶駆動電極は１０μｍ以下の距離で互いに平面的
   に離間して形成された第一画素電極、及び第二画素電極
   を含み、 前記スイッチング素子は前記第一画素電極に接続される
   第一非線型抵抗素子、及び前記第二画素電極に接続され
   る第二非線型抵抗素子を具備してなり、 前記第二画素電極が前記第一画素電極の周囲を囲むよう
   に、配置されており、前記第一非線型抵抗素子の容量、
   及び前記第二非線型抵抗素子の容量をそれぞれＣ _ＮＬ１
   及びＣ _ＮＬ２とし、前記第一画素電極によって駆動され
   る前記液晶の容量、および前記第二画素電極によって駆
   動される前記液晶の容量をそれぞれＣ _ＬＣ１及びＣ
   _ＬＣ２としたときに、Ｃ _ＬＣ１／Ｃ _ＮＬ１の値と、Ｃ
   _ＬＣ２／Ｃ _ＮＬ２の値と、がそれぞれ異なることによっ
   て、前記第一画素電極により駆動される前記液晶に印加
   される実効電圧と、前記第二画素電極により駆動される
   前記液晶に印加される実効電圧とが、互いに異なること
   を特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】前記Ｃ_ＬＣ１／Ｃ_ＮＬ１とＣ_ＬＣ２／Ｃ
   _ＮＬ２とを、 Ｃ_ＬＣ２／Ｃ_ＮＬ２＝ｍ_１（Ｃ_ＬＣ１／
   Ｃ_ＮＬ１）とし、上式にて係数ｍ_１を定義したとき、ｍ
   _１の値の範囲が、０.００１〜０.９９９の間であること
   を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】前記Ｃ_ＬＣ１／Ｃ_ＮＬ１とＣ_ＬＣ２／Ｃ
   _ＮＬ２とを、Ｃ_ＬＣ１／Ｃ_ＮＬ１＝ｍ_２（Ｃ_ＬＣ２／Ｃ
   _ＮＬ２）とし、上式にて係数ｍ_２を定義したとき、ｍ_２
   の値の範囲が、０.００１〜０.９９９の間であることを
   特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。