JP3519084B2 - β−ラクタムおよびアンモニウムアルコキシドから合成したタキサン - Google Patents
β−ラクタムおよびアンモニウムアルコキシドから合成したタキサンInfo
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Description
ール(taxol)、タキソテル(taxotere)およびセファ
ロマンニン(cephalomannine)は、抗腫瘍剤として重要
な性質を有することがわかっている。本発明は、N−ア
シル、N−スルホニルおよびN−ホスホリル置換イソセ
リンエステルの製法、とりわけ、アンモニウムアルコキ
シドとβ−ラクタムとを用いるタキサン誘導体(例えば
タキソール、タキソテルおよび他の生物学的活性誘導
体)の半合成法に関する。
る)は、生物学および化学の両分野で高い関心が持たれ
ている。タキソールは、抗白血病および腫瘍抑制活性ス
ペクトルの広い、有望な癌化学療法剤である。タキソー
ルは構造式: [式中、Acはアセチルである。] で示される。タキソールは、その有望性の故に、フラン
スおよび米国で臨床試験中である。
レビフォリア(Taxus brevifollia)(西洋イチイ)の
樹皮から現在供給されている。しかし、タキソールは、
そのような成長の遅い常緑樹の樹皮中に少量しか存在し
ないので、タキソールの供給が需要を満たさなくなる恐
れがある。そこで近年、化学者は、タキソールの可能な
合成経路の発見に力を注いでいる。これまでのところ、
その成果は充分満足できるものではない。
から四環タキサン該を合成する。タキソール同種化合物
のタクサシン(taxusin)の合成が、ホルトン(Holto
n)らのザ・ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミ
カル・ソサエティ(JACS)110、6558(1988)に報告さ
れている。この方法に進歩が見られるとはいえ、タキソ
ールの最終的な完全合成は、多段階で時間と費用のかか
るものになると考えられる。
eene)らのザ・ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケ
ミカル・ソサエティ110、5917(1988)に記載されてお
り、それによると、式II: で示される、タキソール同種化合物の10−デアセチルバ
ッカチンIII(10−deacetyl baccatin III)を使用す
る。10−デアセチルバッカチンIIIは、タクサス・バッ
カータ(Taxus baccata)の針葉から得られるので、タ
キソールよりも入手し易い。グリーンらの方法による
と、10−デアセチルバッカチンIIIに、C−10アセチル
基を結合し、C−13アルコールをβ−アミドカルボン酸
単位でエステル化することによってC−13β−アミドエ
ステル側鎖を結合して、タキソールに変換する。この方
法に要する工程は比較的少ないが、β−アミドカルボン
酸単位の合成には多くの工程を要し、収率は低く、カッ
プリング反応も時間がかかり、低収率である。しかし、
ワニ(Wani)らのザ・ジャーナル・オブ・ジ・アメリカ
ン・ケミカル・ソサエティ93、2325(1971)に、C13の
β−アミドエステル側鎖の存在が抗腫瘍活性に必須であ
ることが示されたので、上記カップリング反応は、タキ
ソールまたはその生物学的活性誘導体の前記のようない
ずれの合成にも不可欠な、重要工程である。
いて、式III: [式中、R'は水素またはアセチルであり、R"およびR"'
の一方はヒドロキシ、他方はt−ブトキシカルボニルア
ミノである。] で示されるタキサンおよびその立体異性体並びにそれら
の混合物は、タキソール(I)よりも顕著に高い活性を
有することが報告された。
の生成物は、式: [式中、R'はアセチルまたは2,2,2−トリクロロエトキ
シカルボニル基である。] で示される生成物に、t−ブチルN−クロロカルバメー
トのナトリウム塩を作用させ、次いで2,2,2−トリクロ
ロエトキシカルボニル基を水素で置き替えることによっ
て得られる。しかし、デニス(denis)らの米国特許第4
924011号に報告されているところによると、その方法に
よって異性体混合物が得られ、それを分離しなければな
らず、従って、式(IV)の化合物の合成に用いたバッカ
チンIIIまたは10−デアセチルバッカチンIIIの全てを式
(III)の生成物に変換することはできない。
は、式: [式中、R'は水素またはアセチルである。] で示されるバッカチンIIIまたは10−デアセチルバッカ
チンIIIの誘導体を合成する別法を開示している。この
方法においては、式: [式中、R1はヒドロキシ保護基である。] で示される酸を、式: [式中、R2はアセチルヒドロキシ保護基であり、R3はヒ
ドロキシ保護基である。] で示されるタキサン誘導体と縮合させ、次いで保護基
R1、R3および場合によりR2を、水素と置き替える。しか
し、この方法は、比較的過酷な条件を要し、変換率が低
く、適当な収率が達成されない。
成において未解決の大きな問題は、C−13酸素に対し、
β−アミドエステル側鎖を形成する化学単位を容易に結
合することのできる方法が無いことである。そのような
結合を高収率で達成する方法を開発すれば、タキソール
や、改良された一連の該置換基または改良されたC−13
側鎖を有する関連抗腫瘍剤の合成を促進し得る。この必
要性は、C−13酸素に、β−アミドエステル側鎖を形成
する化学単位を結合する新しい有効な方法の発見によっ
て満足された。
C−13においてβ−アミドエステル側鎖を結合する既知
の方法は、通例、充分にジアステレオ選択性でないとい
うことである。それ故、結合によって所望のアジステレ
オマーを得るために、側鎖前駆物質を光学活性形態で調
製しなければならない。しかし、本発明の方法は、高ジ
アステレオ選択性であるので、側鎖前駆物質のラセミ混
合物を使用することができ、前駆物質を各エナンチオマ
ー形態に分割するという、費用と時間のかかる工程を必
要としない。しかも、本発明の反応は、従来の反応より
も速く進行するので、側鎖前駆物質の必要量が従来の反
応よりも少なくてよい。
ホニルおよびN−ホスホリルエステルの製法を提供する
こと;タキサン誘導体合成のための側鎖前駆物質を提供
すること;側鎖前駆物質を比較的高収率で結合して、容
易に所望のタキサン誘導体に変換できる中間体を得る方
法を提供すること;および高ジアステレオ選択的なその
ような方法を提供することである。
クタムとアルコキシドとを反応させることを含んで成
り、β−ラクタムは式: で示され、アルコキシドは式: MOCE1E2E3 で示される方法を提供する。上記式中、 X1は−OX6、−SX7または−NX8X9; X2水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ルまたはヘテロアリール; X3およびX4はそれぞれ、水素、アルキル、アルケニ
ル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、
またはヘテロ置換アルキル、アルケニル、アルキニル、
アリールもしくはヘテロアリール(ただし、X3およびX4
の両方がアシルではない); X5は−COX10、−COOX10、−COSX10、−CONX8X10また
は−SO2X11; X6は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ール、ヘテロアリール、ヒドロキシ保護基、またはタキ
サン誘導体の水溶性を高める官能基; X7はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、
ヘテロアリールまたはスルフヒドリル保護基; X8は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ール、ヘテロアリール、またはヘテロ置換アルキル、ア
ルケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロアリー
ル; X9はアミノ保護基; X10はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ル、ヘテロアリール、またはヘテロ置換アルキル、アル
ケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロアリー
ル; X11はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ル、ヘテロアリール、−OX10または−NX8X14; X14は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リールまたはヘテロアリール; E1、E2およびE3はそれぞれ、水素、炭化水素、または
環(ただし、E1、E2およびE3の少なくとも一つは水素以
外である); Mはアンモニウムを含んで成る。
と共にカーボネートを形成; R2は水素、ヒドロキシ、−OCOR31、またはR2aと共に
オキソを形成; R2aは水素、またはR2と共にオキソを形成; R4は水素、R4aと共にオキソ、オキシランもしくはメ
チレンを形成、またはR5aおよびそれらが結合する炭素
原子と共にオキセタン環を形成; R4aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リール、ヘテロアリール、シアノ、ヒドロキシ、−OCOR
30、またはR4と共にオキソ、オキシランもしくはメチレ
ンを形成; R5は水素、またはR5aと共にオキソを形成; R5aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、アシルオ
キシ、R5と共にオキソを形成、またはR4およびそれらが
結合する炭素原子と共にオキセタン環を形成; R6は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ールもしくはヘテロアリール、ヒドロキシ、保護ヒドロ
キシ、またはR6aと共にオキソを形成; R6aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リールもしくはヘテロアリール、ヒドロキシ、保護ヒド
ロキシ、またはR6と共にオキソを形成; R7は水素、ハロゲン、保護ヒドロキシ、−OR28、また
はR7aと共にオキソを形成; R7aは水素、またはR17と共にオキソを形成; R9は水素、またはR9aと共にオキソを形成; R9aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、アシルオ
キシ、またはR9と共にオキソを形成; R10は水素、またはR10aと共にオキソを形成; R10aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、−OCO
R29、またはR10と共にオキソを形成; R14は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リールもしくはヘテロアリール、ヒドロキシ、保護ヒド
ロキシ、またはR1と共にカーボネートを形成; R14aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リールまたはヘテロアリール; R28は水素、アシル、ヒドロキシ保護基、またはタキ
サン誘導体の溶解性を高める官能基; R29、R30およびR31はそれぞれ水素、アルキル、アル
ケニル、アルキニル、単環アリールまたは単環ヘテロア
リール。] 示されるタキソール、タキソテルおよび他の生物学的活
性タキサン誘導体の製法を提供するように、アルコキシ
ドおよびβ−ラクタムを選択する。
クタム(2)と、二環、三環または四環タキサン核を有
するアルコキシドとを反応させて、β−アミドエステル
中間体を得る。この中間体を、次いでタキサン誘導体に
変換する。β−ラクタム(2)は、式: [式中、X1〜X5は前記と同意義である。] で示される。アルコキシドは、好ましくは、式: [式中、R1〜R14aは前記と同意義であり、Mはアンモニ
ウムを含んで成る。] で示される三環タキサン核を有する。より好ましくは、
アルコキシドは、R4およびR5aが共同でオキセタン環を
形成している式(3)で示されるアルコキシドで、四環
タキサン核を有する。最も好ましくは、アルコキシドは
四環タキサン核を有し、式: [式中、M、R2、R4a、R7、R7a、R9、R9a、R10およびR
10aは前記と同意義である。] で示される。
り、部分的には以下の説明において示す。
ル;“Ac"はアセチル; “Et"はエチル;“R"は特記しない限りアルキル;“Bu"
ブチル;“Pr"はプロピル;“TES"はトリエチルシリ
ル;“TMS"はトリメチルシリル;“TPAP"は過ルテニウ
ム酸テトラプロピルアンモニウム;“DMAP"はp−ジメ
チルアミノピリジン;“DMF"はジメチルホルムアミド;
“LDA"はリチウムジイソプロピルアミド;“LAH"は水素
化アルミニウムリチウム;“Red−Al"は水酸化ナトリウ
ムビス(2−メトキシエトキシ)アルミニウム;“AIB
N"はアゾ−(ビス)−イソブチロニトリル;“FAR"は2
−クロロ−1,1,2−トリフルオロトリエチルアミン;“1
0−DAB"は10−デスアセチルバッカチンIII;保護ヒドロ
キシは−OR(Rはヒドロキシ保護基)である。スルフヒ
ドリル保護基はヘミチオアセタール、例えば1−エトキ
シエチルおよびメトキシメチル、チオエステル、または
チオカーボネートを包含するが、それらに限定されな
い。“アミン保護基”はカルバメート、例えば2,2,2−
トリクロロエチルカルバメートまたはt−ブチルカルバ
メートを包含するが、それらに限定されない。“ヒドロ
キシ保護基”はエーテル、例えばメチル、t−ブチル、
ベンジル、p−メトキシベンジル、p−ニトロベンジ
ル、アリル、トリチル、メトキシメチル、メトキシエト
キシメチル、エトキシエチル、テトラヒドロピラニル、
テトラヒドロチオピラニル、およびトリアルキルシリル
エーテル(例えばトリメチルシリルエーテル、トリエチ
ルシリルエーテル、ジメチルアリールシリルエーテル、
トリイソプロピルシリルエーテルおよびt−ブチルジメ
チルシリルエーテル);エステル、例えばベンゾイル、
アセチル、フェニルアセチル、ホルミル、モノ−、ジ−
およびトリハロアセチル(例えばクロロアセチル、ジク
ロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフルオロアセ
チル);カーボネート、例えば炭素原子数1〜6のアル
キルカーボネート(例えばメチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、イソブチ
ルおよびn−ペンチル)、炭素原子数1〜6で、1個ま
たはそれ以上のハロゲン原子で置換されたアルキルカー
ボネート(例えば2,2,2−トリクロロエトキシメチルお
よび2,2,2−トリクロロ−エチル)、炭素原子数2〜6
のアルケニルカーボネート(例えばビニルおよびアリ
ル)、炭素原子数3〜6のシクロアルキルカーボネート
(例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチ
ルおよびシクロヘキシル)、1個またはそれ以上のC1-6
アルコキシまたはニトロで環が置換されていることもあ
るフェニルまたはベンジルカーボネートを包含するが、
それらに限定されない。他のヒドロキシ、スルフヒドリ
ルおよびアミン保護基は、「プロテクティブ。グループ
ス・イン・オーガニック・シンセシス(Protective Gro
ups in Organic Synthesis)」、ティ・ダブリュ・グリ
ーン(T.W.Greene)、ジョン・ワイリー・アンド・サン
ズ(John Wiley and Sons)、1981を参照し得る。
基を有するもの)は、好ましくは、主鎖の炭素原子数1
〜6で、炭素原子数15までの低級アルキルである。アル
キル基は直鎖または分枝状であってよく、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシルなどを
包含する。
換基を有するもの)は、好ましくは、主鎖の炭素原子数
2〜6で、炭素原子数15までの低級アルケニルである。
アルケニル基は直鎖または分枝状であってよく、エテニ
ル、プロペニル、イソプロペニル、ブテニル、イソブテ
ニル、ヘキセニルなどを包含する。
換基を有するもの)は、好ましくは、主鎖の炭素原子数
2〜6で、炭素原子数15までの低級アルキニルである。
アルキニル基は直鎖または分枝状であてよく、エチニ
ル、プロピニル、ブチニル、イソブチニル、ヘキシニル
などを包含する。
するもの)は、炭素原子数6〜15で、フェニルを包含す
る。置換基は、アルカンオキシ、保護ヒドロキシ、ハロ
ゲン、アルキル、アリール、アルケニル、アシル、アシ
ルオキシ、ニトロ、アミノ、アミドなどを包含する。フ
ェニルが好ましいアリールである。
基を有するもの)は、炭素原子数5〜15で、フリル、チ
エニル、ピリジルなどを包含する。置換基は、アルカン
オキシ、保護ヒドロキシ、ハロゲン、アルキル、アリー
ル、アルケニル、アシル、アシルオキシ、ニトロ、アミ
ノおよびアミドを包含する。
ル、アリールまたはヘテロアリール基を有する。
ールおよびヘテロアリール基のヘテロ置換基は、窒素、
酸素、イオウ、ハロゲン、および/または1〜6個の炭
素を含み、低級アルコキシ(例えばメトキシ、エトキ
シ、ブトキシ)、ハロゲン(例えばクロロまたはフルオ
ロ)およびニトロを包含する。
ール、タキソテル、および他の生物学的活性タキサン誘
導体を、式: [式中、X1〜X5は前記と同意義である。] で示されるβ−ラクタムを使用して合成する方法に関す
る。
くは−COX10または−COOX10であり、X10は低級アルキ
ル、アリール、ヘテロアリール(例えばフリルまたはチ
エニル)または置換フェニル、最も好ましくはフェニ
ル、メチル、エチル、t−ブチルまたは [XはCl、Br、F、CH3O−、またはNO2−] である。X2およびX4は好ましくは、水素または低級アル
キルである。X3は好ましくはアリール、最も好ましくは
ナフチル、フェニル、 [Xは前記と同意義、Meはメチル、Phはフェニル] である。X1は好ましくは、−OX6、−SX7または−NX8X9
から選択し、X6、X7およびX9はそれぞれ、ヒドロキシ、
スルフヒドリルおよびアミン保護基であり、X8は水素、
アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールまたはヘ
テロアリールである。X1は最も好ましくは、−OX6で、X
6はトリエチルシリル(「TES」)、1−エトキシエチル
(「EE」)、または2,2,2−トリクロロエトキシメチル
である。
り得、X6はアルキル、アシル、エトキシエチル(「E
E」)、トリエチルシリル(「TES」)、2,2,2−トリク
ロロエトキシメチル、または他のヒドロキシ保護基、例
えばアセタールおよびエーテル(すなわちメトキシメチ
ル(「MOM」)、ベンジルオキシメチル);エステル
(例えばアセテート);カーボネート(例えばメチルカ
ーボネート);並びにアルキルおよびアリールシリル
(例えばトリエチルシリル、トリメチルシリル、ジメチ
ル−t−ブチルシリル、ジメチルアリールシリル、ジメ
チルヘテロアリールシリル、およびトリイソプロピルシ
リル)などであり得る。種々のヒドロキシ保護基および
その形成については、「プロテクティブ・グループス・
イン・オーガニック・シンセシス」、ティ・ダブリュ・
グリーン、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ、1981を
参照し得る。選択したヒドロキシ保護基は、タキソール
中間体のエステル結合または他の置換基を損なわないよ
うな穏やかな条件(例えば、48%HF、アセトニトリル、
ピリジン、または0.5%HCl/水/エタノール、および/
または亜鉛、酢酸)下に、容易に除去し得るものである
べきである。X6は好ましくはトリエチルシリル、1−エ
トキシエチルまたは2,2,2−トリクロロエトキシメチ
ル、最も好ましくはトリエチルシリルである。
当業者は理解するように、不斉炭素原子を有する本発明
の化合物は、ジアステレオマー、ラセミ体、または光学
活性形態で存在し得る。それらいずれの形態も、本発明
に包含される。とりわけ、本発明は、エナンチオマー、
ジアステレオマー、ラセミ混合物、および他のそれらの
混合物を包含する。
下記反応式AおよびBに示すように合成し得る: 試薬:(a)トリエチルアミン、CH2Cl2、25℃、18時
間;(b)4当量の硝酸第二セリウムアンモニウム、CH
3CN、−10℃、10分間;(c)KOH、THF、H2O、0℃、30
分間;(d)エチルビニルエーテル、THF、トルエンス
ルホン酸(触媒)、0℃、1.5時間;(e)n−ブチル
リチウム、エーテル、−78℃、10分間;ベンゾイルクロ
リド、−78℃、1時間;(f)リチウムジイソプロピル
アミド、THF、−78℃〜−50℃;(g)リチウムヘキサ
メチルジシラジド、THF、−78℃〜0℃;(h)THF、−
78℃〜25℃、12時間。
は、グリコール酸からα−アセトキシアセチルクロリド
を合成し、それと、アルデヒドおよびp−メトキシアニ
リンから合成したイミンとを、第三級アミンの存在下に
環縮合させて、1−p−メトキシフェニル−3−アシル
オキシ−4−アリールアゼチジン−2−オンを得る。p
−メトキシフェニル基を、硝酸第二セリウムアンモニウ
ムで酸化することによって容易に除去し、アシルオキシ
基を、当業者に知られた通常の条件下に加水分解して、
3−ヒドロキシ−4−アリールアゼチジン−2−オンを
得ることができる。3−ヒドロキシル基を1−エトキシ
エチルで保護するが、トリエチルシリル基または他のト
リアルキル(またはアリール)シリル基のような種々の
標準的な保護基で保護してもよい。反応式Bにおいて
は、エチルα−トリエチルシリルオキシアセテートは、
グリコール酸から容易に合成する。
−(トリフルオロメチル)フェニル酢酸エステルの再結
晶によって、保護前に純粋なエナンチオマーに分割し得
る。しかし、β−アミドエステル側鎖を結合する後述の
反応は、高ジアステレオ選択性であるという利点を有す
るので、側鎖前駆物質のラセミ混合物を使用することが
できる。
ニルアゼチジン−2−オン、および反応式Bの3−(1
−トリエチルシリルオキシ)−4−フェニルアゼチジン
−2−オンを、塩基、好ましくはn−ブチルリチウム、
およびアシルクロリド、アルキルクロロホルメート、ス
ルホニルクロリド、ホスフィニルクロリドまたはホスホ
リルクロリドにより、−78℃またはそれ以下の温度で処
理することにより、β−ラクタム(2)に変換すること
ができる。
環または多環であり得る、炭素環および/または複素環
骨格であり、E3は水素または炭化水素、好ましくは低級
アルキルである。] で示される単環または多環アルコキシドをエステル化す
るのに、特に有用である。最も好ましくは、炭素環およ
び/または複素環骨格は、約6〜20個の原子を有し、ヘ
テロ原子は酸素である。環骨格は、ヘテロ置換基(例え
ばエステル、エーテル、アミン、アルコール、保護アル
コール、カルボニル基、ハロゲン、酸素、置換酸素また
は置換窒素を包含する)で置換された炭素環および/ま
たは複素環であり得る。
する場合は、本発明の方法は、タキサン誘導体(その多
くは、重要な生物学的活性を有することがわかってい
る)の合成に有利に適用し得る。本発明において、二環
タキサン核を有するアルコキシドは、式(3): [式中、R1〜R14aおよびMは、前記と同意義である。] で示されるアルコキシドの環AおよびBに相当する炭素
環骨格を有する。三環タキサン核を有するアルコキシド
は、アルコキシド(3)の環A、BおよびCに相当する
炭素環骨格を有する。四環タキサン核を有するアルコキ
シドは、アルコキシド(3)の炭素環A、BおよびC
と、R4、R5aおよびそれらが結合する炭素が形成するオ
キセタン環とを有する。
ましくはテトラアルキルアンモニウム)を含んで成り、
テトラアルキルアンモニウム置換基のアルキル成分は、
好ましくはC1−C10アルキル(例えばメチルまたはブチ
ル)である。
よびC−13ヒドロキシル基を有するアルコールと、テト
ラアルキルアンモニウムハライド(例えばテトラブチル
アンモニウムクロリド)とを、適当な溶媒中で反応させ
ることによって合成する。好ましくは、アルコールは、
式: [式中、M、R2、R4a、R7、R7a、R9、R9a、R10およびR
10aは、前記と同意義である。] で示される、バッカチンIIIまたは10−デアセチルバッ
カチンIIIの誘導体である。より好ましくは、R10aは保
護ヒドロキシまたは−OCOR29、R7aは水素、R7は水素、
ハロゲンまたは保護ヒドロキシ、R4aはアセトキシ、R2
はベンゾイルオキシである。最も好ましくは、アルコー
ルは、保護されたバッカチンIII、とりわけ7−O−ト
リエチルシリルバッカチンIII[グリーンらのザ・ジャ
ーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサエテ
ィ、110、5917(1988)に記載の方法、または他の経路
により得られる]、または7,10−ビス−O−トリエチル
シリルバッカチンIIIである。
て、10−デアセチルバッカチンIIIを、7−O−トリエ
チルシリル−10−デアセチルバッカチンIIIに変換す
る: 注意深く最適化した条件であると報告されている条件
下に、10−デアセチルバッカチンIIIと20当量の(C
2H5)3SiClとを、10−デアセチルバッカチンIII1ミリモ
ル当たり50mlのピリジンの存在下、アルゴン雰囲気中、
23℃で20時間反応させて、7−トリエチルシリル−10−
デアセチルバッカチンIII(6a)を反応生成物として得
る(精製後の収率84〜86%)。次いで、反応生成物を、
5当量のCH3COCl、および化合物(6a)1ミリモル当た
り25mlのピリジンにより、アルゴン雰囲気中、0℃で48
時間アセチル化して、7−O−トリエチルシリルバッカ
チンIII(6b)を86%の収率で得ることができる[グリ
ーンら、ザ・ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミ
カル・ソサエティ、110、5917−5918(1988)]。
I(6a)のC−10酸素を、酸不安定ヒドロキシ保護基で
保護することもできる。例えば、(6a)を、THF中のn
−ブチルリチウム、次いでトリエチルシリルクロリド
(1.1モル当量)で0℃で処理して、7,10−ビス−O−
トリエチルシリルバッカチンIII(6c)を95%の収率で
得る。また、(6a)を、過剰のエチルビニルエーテルお
よび触媒量のメタンスルホン酸で処理して、7−O−ト
リエチルシリル−10−(1−エトキシエチル)バッカチ
ンIII(6d)に、90%の収率で変換することができる。
これらの方法を、次の反応式に示す。
バッカチンIII(6b)、7,10−ビス−O−トリエチルシ
リルバッカチンIII(6c)、または7−O−トリエチル
シリル−10−(1−エトキシエチル)バッカチンIII(6
d)を、テトラヒドロフラン(THF)のような溶媒中で、
塩基、例えば有機金属化合物(例えばブチルリチウ
ム)、アミド(例えばカリウムヘキサメチルジシラジド
(「KHMDS」)、水素化物(例えば水素化カリウム)な
ど、およびアンモニウム化合物、例えば無水テトラメチ
ルアンモニウムクロリドと反応させて、13−O−テトラ
メチルアンモニウム−7−O−トリエチルシリルバッカ
チンIII(7b)、13−O−テトラメチルアンモニウム−
7,10−ビス−O−トリエチルシリルバッカチンIII(7
c)、または13−O−テトラメチルアンモニウム−7−
O−トリエチルシリル−10−(1−エトキシエチル)バ
ッカチンIII(7d)を得る: 次の反応式に示すように、本発明の適当なアンモニウ
ムアルコキシド、例えば13−O−テトラメチルアンモニ
ウム−7−O−トリエチルシリルバッカチンIII誘導体
(7b、7cまたは7d)と、本発明のβ−ラクタムとを反応
させて、C−7ヒドロキシル基がトリエチルシリルまた
は1−エトキシエチル基で保護された中間体(8b、8cま
たは8d)を得る。
ベンゾイル、X6がヒドロキシ保護基(例えばトリエチル
シリル)である場合、中間体化合物(8b)を容易にタキ
ソールに変換できる。X1が−OX6、X2およびX3が水素、X
4がフェニル、X5がt−ブトキシカルボニル、X6がヒド
ロキシ保護基(例えばトリエチルシリル)である場合、
中間体化合物(8c)を容易にタキソテルに変換できる。
X1が−OX6、X2およびX3が水素、X4がフェニル、X5がベ
ンゾイル、X6がヒドロキシ保護基(例えばトリエチルシ
リル)である場合、中間体化合物(8d)を容易に10−デ
アセチルタキソールに変換できる。中間体化合物(8b、
8cおよび8d)のそのような変換は、エステル結合または
タキサン誘導体置換基を損なわないような穏やかな条件
下に、トリエチルシリルおよび1−エトキシエチル基を
加水分解することによって行い得る。
も、最終的なタキソールの合成も、同じ反応器内で行う
ことができる。アンモニウムアルコキシドの生成後、そ
の反応器にβ−ラクタムを加えることが好ましい。
テル性溶媒、例えばジメトキシエタン、または芳香族溶
媒も適当であり得る。反応物質を非常に溶解しにくいあ
る種の溶媒(ある種のハロゲン化溶媒およびある種の直
鎖炭化水素を包含する)は、適当でない。他の理由の故
に不適当な溶媒もある。例えば、エステルをある種の有
機金属化合物(例えばn−ブチルリチウム)と共に使用
することは、それらが不適合性である故に適当でない。
合成に関するものであるが、β−ラクタムまたは四環ア
ンモニウムアルコキシドを変更して適用することもでき
る。すなわち、本発明の方法により、13−O−テトラメ
チルアンモニウム−7−O−トリエチルシリルバッカチ
ンIII以外のアルコキシドを使用して、タキソールまた
は他のタキサンを生成し得る。β−ラクタムおよび四環
アルコキシドを、天然または非天然原料から誘導して、
他のタキソール誘導体、10−デアセチルタキサン、およ
び合成タキサン、並びにそれらのエナンチオマーおよび
ジアステレオマー(本発明に包含される)を合成し得
る。
るという重要な利点をも有する。それ故、側鎖前駆物質
のラセミ混合物を使用し得る。ラセミβ−ラクタムを純
粋なエナンチオマーに分割する必要が無いので、実質的
なコスト低下が実現できる。従来の方法と比較して側鎖
前駆物質の必要量が少ない(例えば60〜70%少ない)こ
とによっても、更にコストを低下し得る。
またはC7置換基の変更によって改善し得る。例えば、R1
が−OX6、R7が−OR28であり、X6およびR28がそれぞれ水
素または−COGCOR1であり、 Gがエチレン、プロピレン、−CH=CH−、1,2−シク
ロヘキシレン、または1,2−フェニレンであり、 R1=OH塩基、NR2R3、OR3、SR3、OCH2CONR4R5、または
OH、 R2=水素、またはメチル、 R3=(CH2)nNR6R7、または(CH2)nN+R6R7R8X- n=1〜3 R4=水素、または炭素数1〜4の低級アルキル、 R5=水素、炭素数1〜4の低級アルキル、ベンジル、
ヒドロキシエチル、CH2CO2H、またはジメチルアミノエ
チル、 R6およびR7=それぞれ、炭素数1もしくは2の低級ア
ルキルまたはベンジル、またはR6およびR7はNR6R7の窒
素原子と共に環: のいずれかを形成、 R8=炭素数1もしくは2の低級アルキル、またはベン
ジル、 X-=ハライド、 塩基=NH3、(HOC2H4)3N、N(CH3)3、CH3N(C2H4
OH)2、NH2(CH2)6NH2、N−メチルグルカミン、NaO
H、またはKOH である場合に、水溶性が高まり得る。X1またはX2が−CO
GCOR1である化合物の製造は、ホーグウィッツ(Haugwit
z)の米国特許第4942184号に記載されており、該特許を
引用により本発明の一部とする。
−CHX−CHX−SO2O−Mを有する基であり、Xが水素、ア
ルキルまたはアリール、Mが水素、アルカリ金属または
アンモニオ基である場合にも、水溶性が高まり得る[キ
ングストン(kingston)らの米国特許第5059699号参
照;該特許を引用により本発明の一部とする]。
ドロキシとすることにより、C9置換基の異なるタキサン
を得ることができる。還元剤は、好ましくはボロハイド
ライド、最も好ましくはテトラブチルアンモニウムボロ
ハイドライド(Bu4NBH4)またはトリアセトキシボロハ
イドライドである。
塩化メチレン中で反応させて、9−デスオキソ−9β−
ヒドロキシバッカチンIII(5)を得る。C7ヒドロキシ
ル基を、例えばトリエチルシリル保護基で保護した後、
本明細書中に説明するように適当な側鎖を7−保護−9
β−ヒドロキシ誘導体(6)に結合し得る。残った保護
基を除去すると、9β−ヒドロキシ−デスオキソタキソ
ール、または他のC13側鎖を有する9β−ヒドロキシ四
環タキサンが得られる。
誘導体(6)のC13ヒドロキシル基を、トリメチルシリ
ルまたは他の保護基(C7ヒドロキシ保護基に対し相対的
に選択的除去することができる)で保護し、タキサンの
種々の置換基を更に選択的に変更することができる。例
えば、7,13−保護−9β−ヒドロキシ誘導体(7)とKH
との反応により、アセテート基がC10からC9へ、ヒドロ
キシル基がC9からC10へ移り、10−デスアセチル誘導体
(8)が生成する。10−デスアセチル誘導体(8)のC1
0ヒドロキシル基をトリエチルシリルで保護して、誘導
体(9)を得る。誘導体(9)からC13ヒドロキシ保護
基を選択的に除去して、誘導体(10)を得、これに適当
な側鎖を前記のように結合し得る。
(8)の酸化により、10−オキソ誘導体(11)を得るこ
とができる。次いで、C13ヒドロキシ保護基を選択的除
去した後、前記のように側鎖を結合して、9−アセトキ
シ−10−オキソ−タキソール、または他のC13側鎖を有
する9−アセトキシ−10−オキソ四環タキサンを得るこ
とができる。また、10−オキソ誘導体(11)を、二ヨウ
化サマリウムのような還元剤で還元することにより、C9
アセテート基を選択的除去して、9−デスオキソ−10−
オキソ誘導体(12)を得、そのC13ヒドロキシ保護基を
選択的除去した後、前記のように側鎖を結合して、9−
デスオキソ−10−オキソタキソール、または他のC13側
鎖を有する9−デスオキソ−10−オキソ四環タキサンを
合成することができる。
示す。10−DABを還元してペンタオール(13)を得、そ
のC7およびC10ヒドロキシル基を、トリエチルシリルま
たは他の保護基で選択的保護して、トリオール(14)を
得る。場合により更に四環置換基に変更を加えた後、前
記のようにC13側鎖をトリオール(14)に結合すること
ができる。
シ置換基を有するタキサンは、反応式5に示すように、
10−DABを出発物質として合成することができる。ピリ
ジン中で10−DABとトリエチルシリルクロリドとを反応
させることにより、7−保護10−DAB(15)を得る。次
いで、7−保護10−DAB(15)のC10ヒドロキシ置換基
を、通常のアシル化剤で容易にアシル化して、新しいC1
0アシルオキシ置換基を有する誘導体(16)を得ること
ができる。誘導体(16)のC9ケト置換基の選択的還元に
より、9β−ヒドロキシ誘導体(17)を得、それにC13
側鎖を結合し得る。また、前記反応式2と同様に、C10
およびC9基の転移も行い得る。
は、バッカチンIIIおよび10−DABを出発物質として合成
し得る。バッカチンIIIおよび10−DABのC2および/また
はC4エステルを、LAHまたはRed−Alのような還元剤を用
いて、対応するアルコールに選択的還元し、次いで、無
水物および酸クロリドのような通常のアシル化剤を、ピ
リジン、トリエチルアミン、DMAPまたはジイソプロピル
エチルアミンのようなアミンと組み合わせて使用して、
新しいエステルを形成し得る。また、C2および/または
C4アルコールを、新しいC2および/またはC4エステルに
変換するために、アルコールをLDAのような適当な塩基
で処理して対応するアルコキシドを形成後、酸クロリド
のようなアシル化剤で処理してもよい。
ンIIIおよび10−DAB類似体は、反応式6〜10に示すよう
に合成し得る。説明を単純化するために、10−DABを出
発物質として使用する。しかし、単に10−DABの代わり
にバッカチンIIIを出発物質として使用することによ
り、バッカチンIII誘導体または類似体も同様の反応経
路(C10ヒドロキシル基の保護を除く)で合成し得ると
理解すべきである。C2および/またはC4に異なる置換基
を有するバッカチンIIIおよび10−DAB類似体の誘導体
は、本明細書中に記載の他の反応を更に行うことによっ
て合成し得る。
ルミニウムリチウムでトリオール(18)に変換する。そ
の後、Cl2CO/ピリジン、次いで求核剤(例えばグリニヤ
ール試薬またはアルキルリチウム試薬)を用いて、トリ
オール(18)を対応するC4エステルに変換する。
クロリドを導入すると、C4エステルが選択的に生成す
る。例えば、塩化アセチルを使用して、トリオール(1
8)を1,2−ジオール(4)に変換した(反応式7参
照)。
容易に変換し得る。反応式8に示すように、通常の激し
い条件下にカーボネート(19)をアセチル化して、カー
ボネート(21)を得る;反応式6に示すように、カーボ
ネート(19)にアルキルリチウムまたはグリニヤール試
薬を付加すると、C4に遊離ヒドロキシル基を有するC2エ
ステルが生成する。
は、カーボネート(19)と、酸クロリドおよび第三級ア
ミンとの反応により、カーボネート(22)を得、それを
アルキルリチウムまたはグリニヤール試薬と反応させ
て、C2に新しい置換基を有する10−DAB誘導体を生成す
ればよい。
応式10に示すように反応させることもできる。バッカチ
ンIIIを、C7およびC13において保護した後、LAHで還元
して、1,2,4,10−テトラオール(24)を得る。テトラオ
ール(24)を、Cl2COおよびピリジンを用いてカーボネ
ート(25)に変換し、カーボネート(25)を、C10にお
いて酸クロリドおよびピリジンでアシル化してカーボネ
ート(26)(反応式に示す)を得るか、または無水酢酸
およびピリジンと反応させる(反応式に示さず)。カー
ボネート(26)を通常の激しい条件下にアセチル化して
カーボネート(27)を得、これをアルキルリチウムと反
応させて、C2およびC10に新しい置換基を有するバッカ
チンIII誘導体を得る。
0−DABの10−デスオキシ誘導体は、バッカチンIIIまた
は10−DAB(またはそれらの誘導体)と、二ヨウ化サマ
リウムとの反応によって合成し得る。C10脱離基を有す
る四環タキサンと、二ヨウ化サマリウムとの反応は、テ
トラヒドロフランのような溶媒中、0℃で行い得る。二
ヨウ化サマリウムは、C10脱離基を好都合に選択的に脱
離する;C13側鎖、および四環核上の他の置換基は損なわ
れない。その後、本明細書中に説明するように、C9ケト
置換基を還元して、対応する9−デスオキソ−9β−ヒ
ドロキシ−10−デスアセトキシまたは10−デスオキシ誘
導体を生成し得る。
12および12aに示すように合成し得る。
室温でFARにより処理して、7−フルオロバッカチンIII
に変換し得る。遊離C7ヒドロキシル基を有する他のバッ
カチン誘導体も、同様に反応する。7−クロロバッカチ
ンIIIは、バッカチンIIIを、過剰のトリエチルアミンヒ
ドロクロリドを含有する塩化メチレン溶液中で、メタン
スルホニルクロリドおよびトリエチルアミンで処理する
ことによって合成し得る。
aに示すように合成し得る。7,13−保護10−オキソ−誘
導体(11)を、そのC13保護基を選択的除去してアンモ
ニウムに変換することによって、対応するC13アルコキ
シドに変換する。次いで、アルコキシドを、β−ラクタ
ムまたは他の側鎖前駆物質と反応させる。その後、C7保
護基を加水分解すると、C7ヒドロキシ置換基がC10に、C
10オキソ置換基がC9に、C9アシルオキシ置換基がC7に転
移する。
明するものと同様の方法で、そのC13酸素に適当な側鎖
を結合し得る。また、反応式13に示すように、7−O−
トリエチルシリルバッカチンIIIを、塩化メチレン溶液
中、テトラフルオロホウ酸トリメチルオキソニウムの作
用により、三環タキサンに変換し得る。次いで、生成し
たジオールを四酢酸鉛と反応させて、対応するC4ケトン
を得ることができる。このケトンを、水素化物還元剤
(例えば水素化ホウ素ナトリウム)でアルコールに還元
し、次いでアセチル化して、C4,C5ジアセテートを得る
ことができる。
−デアセチルバッカチンIII)が、イチイ針葉抽出物中
に見出された[ケミカル・アンド・エンジニアリング・
ニューズ(C&EN)、36−37頁、1993年4月12日]。C
2、C4などに前記のような種々の官能基を有するヒドロ
キシル化タキサン誘導体も、上記ヒドロキシル化タキサ
ンを用いて合成し得る。更に、C14ヒドロキシル基は、
ケミカル・アンド・エンジニアリング・ニューズに記載
のように10−DABのC1ヒドロキシル基と共に1,2−カーボ
ネートに変換でき、またはC2、C4、C9およびC10置換基
に関して本明細書中に説明するような種々のエステルも
しくは他の官能基に変換し得る。
ール THF(1ml)中の7−トリエチルシリルバッカチンIII
(100mg、0.143ミリモル)の溶液に、−45℃で、トルエ
ン中のカリウムヘキサメチルジシラジドの0.5M溶液(0.
286ml)を滴下した。15分後、THF(0.5ml)中の無水テ
トラメチルアンモニウムクロリド(16mg、0.143ミリモ
ル)の溶液を加えた。−45℃で更に1時間後、混合物を
0℃に昇温し、THF(1ml)中の(+)−シス−1−ベン
ゾイル−3−トリエチルシリルオキシ−4−フェニルア
ゼチジン−2−オン(82mg、0.215ミリモル)の溶液
を、混合物に滴下した。溶液を0℃で3時間撹拌後、TH
F中のAcOHの10%溶液(1ml)を加えた。混合物を、飽和
NaHCO3水溶液および60/40酢酸エチル/ヘキサンに分配
した。有機相を蒸発して得た残渣を、フラッシュクロマ
トグラフィー、および次いで再結晶により精製して(2'
R,3'S)−2',7−(ビス)トリエチルシリルタキソール1
34mg(87%)を得た。
Claims (16)
- 【請求項1】式: 【化1】 で示されるタキサン誘導体の製法であって、β−ラクタ
ムとアルコキシドとを反応させることを含んで成り、β
−ラクタムは式: 【化2】 で示され、アルコキシドは式: MOCE1E2E3 で示される方法 [上記式中、 X1は−OX6、−SX7または−NX8X9; X2水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール
またはヘテロアリール; X3およびX4はそれぞれ、水素、アルキル、アルケニル、
アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、また
はヘテロ置換アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ールもしくはヘテロアリール(ただし、X3およびX4の両
方がアシルではない); X5は−COX10、−COOX10、−COSX10、−CONX8X10または
−SO2X11; X6は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ル、ヘテロアリール、またはヒドロキシ保護基; X7はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘ
テロアリールまたはスルフヒドリル保護基; X8は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ル、ヘテロアリール、またはヘテロ置換アルキル、アル
ケニル、アルキニル、アリールもしくはヘテロアリー
ル; X9はアミノ保護基; X10はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、
ヘテロアリール、またはヘテロ置換アルキル、アルケニ
ル、アルキニル、アリールもしくはヘテロアリール; X11はアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、
ヘテロアリール、−OX10または−NX8X14; X14は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ールまたはヘテロアリール; E1およびE2は、それらが結合する炭素と共に、二環、三
環または四環タキサン骨格を形成し; E3は水素であり; Mはアンモニウムまたはテトラアルキルアンモニウ
ム。]。 - 【請求項2】アルコキシドは、下記式で示される請求項
1記載の方法: 【化3】 [式中、 R1は水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、またはR14と
共にカーボネートを形成; R2は水素、ヒドロキシ、−OCOR31、またはR2aと共にオ
キソを形成; R2aは水素、またはR2と共にオキソを形成; R4は水素、R4aと共にオキソ、オキシランもしくはメチ
レンを形成、またはR5aおよびそれらが結合する炭素原
子と共にオキセタン環を形成; R4aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ール、ヘテロアリール、シアノ、ヒドロキシ、−OCO
R30、またはR4と共にオキソ、オキシランもしくはメチ
レンを形成; R5は水素、またはR5aと共にオキソを形成; R5aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、アシルオキ
シ、R5と共にオキソを形成、またはR4およびそれらが結
合する炭素原子と共にオキセタン環を形成; R6は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ルもしくはヘテロアリール、ヒドロキシ、保護ヒドロキ
シ、またはR6と共にオキソを形成; R6aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ールもしくはヘテロアリール、ヒドロキシ、保護ヒドロ
キシ、またはR6aと共にオキソを形成; R7は水素、ハロゲン、保護ヒドロキシ、−OR28、または
R7aと共にオキソを形成; R7aは水素、またはR7と共にオキソを形成; R9は水素、またはR9aと共にオキソを形成; R9aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、アシルオキ
シ、またはR9と共にオキソを形成; R10は水素、またはR10aと共にオキソを形成; R10aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、−OCOR29、
またはR10と共にオキソを形成; R14は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ールもしくはヘテロアリール、ヒドロキシ、保護ヒドロ
キシ、またはR1と共にカーボネートを形成; R14aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ールまたはヘテロアリール; R28は水素、アシル、またはヒドロキシ保護基; R29、R30およびR31はそれぞれ水素、アルキル、アルケ
ニル、アルキニル、単環アリールまたは単環ヘテロアリ
ール。]。 - 【請求項3】X2およびX4は水素または低級アルキルであ
り、X3はアリールであり、X1は−OX6であり、X6はヒド
ロキシ保護基である請求項1記載の方法。 - 【請求項4】X3はフェニルであり、X1は−OX6であり、X
6はトリエチルシリル、エトキシエチルまたは2,2,2−ト
リクロロエトキシメチルである請求項3記載の方法。 - 【請求項5】Mはテトラアルキルアンモニウムである請
求項3記載の方法。 - 【請求項6】下記式で示されるアルコキシド: 【化4】 [式中、 R1は水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、またはR14と
共にカーボネートを形成; R2は水素、ヒドロキシ、−OCOR31、またはR2aと共にオ
キソを形成; R2aは水素、またはR2と共にオキソを形成; R4は水素、R4aと共にオキソ、オキシランもしくはメチ
レンを形成、またはR5aおよびそれらが結合する炭素原
子と共にオキセタン環を形成; R4aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ール、ヘテロアリール、シアノ、ヒドロキシ、−OCO
R30、またはR4と共にオキソ、オキシランもしくはメチ
レンを形成; R5は水素、またはR5aと共にオキソを形成; R5aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、アシルオキ
シ、R5と共にオキソを形成、またはR4およびそれらが結
合する炭素原子と共にオキセタン環を形成; R6は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ルもしくはヘテロアリール、ヒドロキシ、保護ヒドロキ
シ、またはR6aと共にオキソを形成; R6aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ールもしくはヘテロアリール、ヒドロキシ、保護ヒドロ
キシ、またはR6と共にオキソを形成; R7は水素、ハロゲン、保護ヒドロキシ、−OR28、または
R7aと共にオキソを形成; R7aは水素、またはR7と共にオキソを形成; R9は水素、またはR9aと共にオキソを形成; R9aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、アシルオキ
シ、またはR9と共にオキソを形成; R10は水素、またはR10aと共にオキソを形成; R10aは水素、ヒドロキシ、保護ヒドロキシ、−OCOR29、
またはR10と共にオキソを形成; R14は水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ールもしくはヘテロアリール、ヒドロキシ、保護ヒドロ
キシ、またはR1と共にカーボネートを形成; R14aは水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ールまたはヘテロアリール; R28は水素、アシル、またはヒドロキシ保護基; R29、R30およびR31はそれぞれ水素、アルキル、アルケ
ニル、アルキニル、単環アリールまたは単環ヘテロアリ
ール; Mはアンモニウムまたはテトラアルキルアンモニウ
ム。]。 - 【請求項7】Mはテトラアルキルアンモニウムである請
求項6記載のアルコキシド。 - 【請求項8】Mはアンモニウムまたはテトラアルキルア
ンモニウムであり、X3は式: 【化5】 [式中、Phはフェニル、Meはメチル、XはCl、Br、F、
CH3O−またはNO2−である。] で示される基である請求項1記載の方法。 - 【請求項9】Mはテトラアルキルアンモニウムであり、
X1は−OX6であり、X5は−COX10、−COOX10または−CONX
8X10であり、X10はアルキル、フェニル、フリルまたは
チエニルである請求項1記載の方法。 - 【請求項10】X5は−COX10であり、X10はフェニル、メ
トキシ、エトキシ、t−ブトキシまたは 【化6】 であり、XはCl、Br、F、CH3O−またはNO2−である請
求項1記載の方法。 - 【請求項11】R7aは水素; R7はハロゲン、保護ヒドロキシ、または−OR28; R5は水素; R5aはアシルオキシ、またはR4およびそれらが結合する
炭素原子と共にオキセタン環を形成; R4はR4aと共にオキソを形成、またはR5aおよびそれらが
結合する炭素原子と共にオキセタン環を形成; R4aはヒドロキシ、または−OCOR30; R2はヒドロキシ、または−OCOR31; R2aは水素; R1はヒドロキシ、または保護ヒドロキシ; R28は水素、アシル、またはヒドロキシ保護基; R29、R30およびR31はそれぞれ水素、アルキル、アルケ
ニル、アルキニル、単環アリールまたは単環ヘテロアリ
ール である請求項2記載の方法。 - 【請求項12】アルコキシドは、式: 【化7】 [式中、Zは−OCOCH3または−OT2; T1はヒドロキシ保護基; T2はヒドロキシ保護基; Phはフェニル; Acはアセチル; Mはアンモニウムまたはテトラアルキルアンモニウ
ム。] で示される請求項1記載の方法。 - 【請求項13】X1は−XO6であり、X2は水素であり、X3
はフェニルであり、X4は水素であり、X5は−COX10であ
り、X6はヒドロキシ保護基であり、X10はフェニルであ
る請求項12記載の方法。 - 【請求項14】アルコキシドは三環タキサン核を有する
請求項1記載の方法。 - 【請求項15】アルコキシドは四環タキサン核を有する
請求項1記載の方法。 - 【請求項16】X1は−OX6であり、X3およびX4はそれぞ
れ、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ルまたはヘテロアリールであり、X5は−COX10または−C
OOX10であり、X6はヒドロキシ保護基であり、X10はアル
キル、アルケニル、アルキニル、アリールまたはヘテロ
アリールである請求項1記載の方法。
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