JP3514181B2 - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
- Publication number
- JP3514181B2 JP3514181B2 JP23905999A JP23905999A JP3514181B2 JP 3514181 B2 JP3514181 B2 JP 3514181B2 JP 23905999 A JP23905999 A JP 23905999A JP 23905999 A JP23905999 A JP 23905999A JP 3514181 B2 JP3514181 B2 JP 3514181B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- face plate
- image forming
- electron source
- forming apparatus
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、冷電子源から放出
される電子線が蛍光面を有したフェースプレートに入射
し、発光により画像を形成する画像形成装置に関する。
される電子線が蛍光面を有したフェースプレートに入射
し、発光により画像を形成する画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、薄型でフラットなディスプレ
イとして、冷電子源、例えば、電界放出型（ＦＥ型)、
表面伝導型(ＳＣＥ型)、金属／絶縁層／金属(ＭＩＭ
型）、から放出された電子により、電子源と対向して配
置したガラス基板上に塗布した蛍光体を発光させて、文
字や画像を表示する画像形成装置が研究されている。
イとして、冷電子源、例えば、電界放出型（ＦＥ型)、
表面伝導型(ＳＣＥ型)、金属／絶縁層／金属(ＭＩＭ
型）、から放出された電子により、電子源と対向して配
置したガラス基板上に塗布した蛍光体を発光させて、文
字や画像を表示する画像形成装置が研究されている。
【０００３】このような画像形成装置は、代表的なブラ
ウン管に比べて、薄型、軽量化が可能であり、また、液
晶を用いた画像形成装置と比べて、自発光型であるため
バックライトが不要である、視野角特性が優れている等
の長所を有している。
ウン管に比べて、薄型、軽量化が可能であり、また、液
晶を用いた画像形成装置と比べて、自発光型であるため
バックライトが不要である、視野角特性が優れている等
の長所を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
画像形成装置では、スピント型に代表される電界放出型
電子源に見られるように放出された電子の広がりによ
り、画素サイズが小さくできず高精細化が困難である問
題があった。
画像形成装置では、スピント型に代表される電界放出型
電子源に見られるように放出された電子の広がりによ
り、画素サイズが小さくできず高精細化が困難である問
題があった。
【０００５】特開平５−４７３５４号公報で示されるス
ピント型の電界放出型電子源５’を用いたものは図５に
示すように、放出電子ｅの広がりを抑えるために収束電
極(グリッド)１２を設けることによって、放出電子ｅの
広がりを抑制し、画素サイズの小型化、画像の高精細化
を目指す試みがなされている。
ピント型の電界放出型電子源５’を用いたものは図５に
示すように、放出電子ｅの広がりを抑えるために収束電
極(グリッド)１２を設けることによって、放出電子ｅの
広がりを抑制し、画素サイズの小型化、画像の高精細化
を目指す試みがなされている。
【０００６】図８中、７’はガラス基板、１３は反射用
のアルミメタルバック、Ｒ，Ｇ、Ｂは透明電極を介して
ガラス基板８’に塗布してからパターン形成された蛍光
体である。
のアルミメタルバック、Ｒ，Ｇ、Ｂは透明電極を介して
ガラス基板８’に塗布してからパターン形成された蛍光
体である。
【０００７】しかし、このような方法では、構造が複雑
で、グリッドの形成や駆動回路の負荷増大によるコスト
アップが大きく、問題があった。
で、グリッドの形成や駆動回路の負荷増大によるコスト
アップが大きく、問題があった。
【０００８】本発明は、上記の点に鑑みて為された物
で、その目的とするところは、冷電子源からの放出電子
の広がりを抑え、画素サイズの小型化、画像の高精細化
を簡単な構造かつ低コストで実現でき、また真空射止パ
ネルの大型化に不可欠なスペーサの簡易固定方法、輝度
の向上を同時に実現できる画像形成装置を提供すること
にある。
で、その目的とするところは、冷電子源からの放出電子
の広がりを抑え、画素サイズの小型化、画像の高精細化
を簡単な構造かつ低コストで実現でき、また真空射止パ
ネルの大型化に不可欠なスペーサの簡易固定方法、輝度
の向上を同時に実現できる画像形成装置を提供すること
にある。
【０００９】
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、冷電子源と、冷電子源から放
出される電子が照射される蛍光面を備えたフェースプレ
ートを有する画像形成装置において、前記フェースプレ
ートの蛍光面側に凸部と、隣接する凸部間に形成される
凹部とを設け、前記凸部の断面形状がフェースプレート
に対して垂直な面において電子源方向に幅狭で且つ断面
が半円形状若しくは半楕円形状であり、前記凹部にフェ
ースプレートとリアプレートとの間に介在させるスペー
サの先端を嵌め込み固定して成ることを特徴とする。
に、請求項１の発明では、冷電子源と、冷電子源から放
出される電子が照射される蛍光面を備えたフェースプレ
ートを有する画像形成装置において、前記フェースプレ
ートの蛍光面側に凸部と、隣接する凸部間に形成される
凹部とを設け、前記凸部の断面形状がフェースプレート
に対して垂直な面において電子源方向に幅狭で且つ断面
が半円形状若しくは半楕円形状であり、前記凹部にフェ
ースプレートとリアプレートとの間に介在させるスペー
サの先端を嵌め込み固定して成ることを特徴とする。
【００１１】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、前記フェースプレートの凹部の断面形状がフェー
スプレートに対して垂直な面において矩形状であること
を特徴とする。
いて、前記フェースプレートの凹部の断面形状がフェー
スプレートに対して垂直な面において矩形状であること
を特徴とする。
【００１２】請求項３の発明では、請求項１又は２の発
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素の行若しくは列ごとであることを特徴とする。
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素の行若しくは列ごとであることを特徴とする。
【００１３】請求項４の発明では、請求項１又は２の発
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素を形成するドットごとであることを特徴とする。
明において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素を形成するドットごとであることを特徴とする。
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【発明の実施の形態】以下本発明を実施形態により説明
する。
する。
【００２１】（実施形態１）本実施形態の画像形成装置
は図１、図２に示すように電子源としては多孔質シリコ
ンを用いた平面型電子源５を使用したもので、ｐ型の単
結晶シリコン基板１の表面にｎ型領域２をストライプ状
に形成し（図１において紙面と直交する方向に延設）す
るとともに、シリコン基板１上には多結晶シリコン層３
を形成し、この多結晶シリコン層３の内、ｎ型領域２の
上に形成された部分を、酸化して多孔質多結晶シリコン
からなる電界ドリフト層４を形成し、更に多結晶シリコ
ン層３上に、ｎ型領域２とは直交する方向にストライプ
状に表面電極６を形成している。このような構造の電子
源５を形成するシリコン基板１は、リヤプレートを構成
するガラス基板７上に接着されている。
は図１、図２に示すように電子源としては多孔質シリコ
ンを用いた平面型電子源５を使用したもので、ｐ型の単
結晶シリコン基板１の表面にｎ型領域２をストライプ状
に形成し（図１において紙面と直交する方向に延設）す
るとともに、シリコン基板１上には多結晶シリコン層３
を形成し、この多結晶シリコン層３の内、ｎ型領域２の
上に形成された部分を、酸化して多孔質多結晶シリコン
からなる電界ドリフト層４を形成し、更に多結晶シリコ
ン層３上に、ｎ型領域２とは直交する方向にストライプ
状に表面電極６を形成している。このような構造の電子
源５を形成するシリコン基板１は、リヤプレートを構成
するガラス基板７上に接着されている。
【００２２】而して電子源５のｎ型領域２と表面電極６
に電圧を印加すれば、ｎ型領域２と表面電極６とが交差
している部分から電子が放出される。
に電圧を印加すれば、ｎ型領域２と表面電極６とが交差
している部分から電子が放出される。
【００２３】電子源５と対向して配置されるフェースプ
レートを形成するガラス基板８の対向面は、画素を形成
するＲ，Ｇ，Ｂの各ドットに対応して、ガラス基板８の
面に対して垂直な面の断面形状が半円形状（半楕円形状
でも良い）となる凸部９を画素の行方向或いは列方向に
形成し、凸部９、９間のガラス基板８の板面には後述す
るスペーサ１１の先端を嵌め込み固定するために断面が
矩形状の凹部１０を形成してある。
レートを形成するガラス基板８の対向面は、画素を形成
するＲ，Ｇ，Ｂの各ドットに対応して、ガラス基板８の
面に対して垂直な面の断面形状が半円形状（半楕円形状
でも良い）となる凸部９を画素の行方向或いは列方向に
形成し、凸部９、９間のガラス基板８の板面には後述す
るスペーサ１１の先端を嵌め込み固定するために断面が
矩形状の凹部１０を形成してある。
【００２４】この凹部１０は、サンドブラスト方法を用
いてガラス基板８を加工することにより形成される。そ
して１画素を形成する３つのドットに対応する凸部９…
の表面には、透明電極（図示せず）と電子によって赤、
緑、青に可視光を発光する蛍光体Ｒ，Ｇ、Ｂを各別に塗
布して蛍光面を形成している。
いてガラス基板８を加工することにより形成される。そ
して１画素を形成する３つのドットに対応する凸部９…
の表面には、透明電極（図示せず）と電子によって赤、
緑、青に可視光を発光する蛍光体Ｒ，Ｇ、Ｂを各別に塗
布して蛍光面を形成している。
【００２５】ここで、凹部１０の形成には一般的なガラ
ス加工方法であるサンドブラスト以外に、ウェットエッ
チ、ＲＩＥ、熱加圧等の凹部形成方法を用いることもで
きる。 また、平滑なガラス基板８に凸部９を形成する
方法としては、一般的なスクリーン印刷、ディスペンサ
ー塗布、メッキ等の凸部形成方法を用いる。
ス加工方法であるサンドブラスト以外に、ウェットエッ
チ、ＲＩＥ、熱加圧等の凹部形成方法を用いることもで
きる。 また、平滑なガラス基板８に凸部９を形成する
方法としては、一般的なスクリーン印刷、ディスペンサ
ー塗布、メッキ等の凸部形成方法を用いる。
【００２６】そして、フェースプレートを構成するガラ
ス基板８と、電子源５を設けたリアプレートを構成する
ガラス基板７とを、凹部１０に先端を嵌めてガラス基板
８と電子源５との間に固定されるスペーサ１１を介し
て、対向して設置し、周辺部を接着剤で封止することに
より、両ガラス基板７，８間の空間内を、１Ｐａ以下の
真空状態に維持して、パネル状の画像形成装置を構成し
ている。
ス基板８と、電子源５を設けたリアプレートを構成する
ガラス基板７とを、凹部１０に先端を嵌めてガラス基板
８と電子源５との間に固定されるスペーサ１１を介し
て、対向して設置し、周辺部を接着剤で封止することに
より、両ガラス基板７，８間の空間内を、１Ｐａ以下の
真空状態に維持して、パネル状の画像形成装置を構成し
ている。
【００２７】スペーサ１１の材料としては、ガラス、セ
ラミック或いは表面を琺瑯などにより絶縁処理した金属
が使用できる。
ラミック或いは表面を琺瑯などにより絶縁処理した金属
が使用できる。
【００２８】また、両ガラス基板７，８の接着には、フ
リットガラスやエポキシ系等の真空用接着剤を使用す
る。
リットガラスやエポキシ系等の真空用接着剤を使用す
る。
【００２９】このようにフェースプレートに凹部１０、
凸部９を設けると、フェースプレートと電子源５の間の
等電位面は歪められ、矢印で示すように放出された電子
ｅは凸部９に形成されたドットに対応せる蛍光面に収束
されることになり、その結果画素の小型化、画像の高精
細化した設計ができる。
凸部９を設けると、フェースプレートと電子源５の間の
等電位面は歪められ、矢印で示すように放出された電子
ｅは凸部９に形成されたドットに対応せる蛍光面に収束
されることになり、その結果画素の小型化、画像の高精
細化した設計ができる。
【００３０】また、画素の行方向又は列方向に凹部１０
を形成しているためスペーサ１１の固定が容易になる。
さらに、蛍光面からの発光が凸部９の内壁で反射してガ
ラス基板８の前面に放射されることによる輝度の向上効
果もある。
を形成しているためスペーサ１１の固定が容易になる。
さらに、蛍光面からの発光が凸部９の内壁で反射してガ
ラス基板８の前面に放射されることによる輝度の向上効
果もある。
【００３１】
【００３２】
【００３３】（実施形態２）
上記実施形態１では凸部９，凹部１０の形成を画素の行
方向或いは列方向としているが、本実施形態は画素の
Ｒ，Ｇ，Ｂのドット毎に図３に示すように形成してあ
る。
方向或いは列方向としているが、本実施形態は画素の
Ｒ，Ｇ，Ｂのドット毎に図３に示すように形成してあ
る。
【００３４】（実施形態３）
実施形態１又は２では多孔質シリコンを用いた電子源５
を用いているが、電子源５は多孔質シリコン型のものに
限定されるものではなく、例えば、スピント型やMIM
型、MOS型の電子源などを用いてもよく、本実施形態で
は図４に示すようにスピン型電子源５’に対向するよう
に配置されるフェースプレートを実施形態１と同様な形
状のものを用いている。
を用いているが、電子源５は多孔質シリコン型のものに
限定されるものではなく、例えば、スピント型やMIM
型、MOS型の電子源などを用いてもよく、本実施形態で
は図４に示すようにスピン型電子源５’に対向するよう
に配置されるフェースプレートを実施形態１と同様な形
状のものを用いている。
【００３５】
【発明の効果】請求項１の発明は、冷電子源と、冷電子
源から放出される電子が照射される蛍光面を備えたフェ
ースプレートを有する画像形成装置において、前記フェ
ースプレートの蛍光面側に凸部と、隣接する凸部間に形
成される凹部とを設け、前記凸部の断面形状がフェース
プレートに対して垂直な面において電子源方向に幅狭で
且つ断面が半円形状であり、前記凹部にフェースプレー
トとリアプレートとの間に介在させるスペーサの先端を
嵌め込み固定して成るので、フェースプレートとリヤプ
レート間の電界分布を画素中心部で密にすることがで
き、この結果放出電子を画素中心部に収束でき、同一電
子源面積に対する画素サイズの小型化や高輝度化がで
き、しかも半円形形状若しくは半楕円形状の凸部表面に
形成された蛍光体に放出電子が入射することによって発
光した光が、その凸部の表面で反射してフェースプレー
ト全面に導かれ、結果従来のフラットな構造に比べて輝
度が向上し、更に製造工程中での熱膨張係数の違いや張
り合わせ時の位置ずれが発生せずにスペーサによる画素
不良の発生が著しく減少するという効果がある。
源から放出される電子が照射される蛍光面を備えたフェ
ースプレートを有する画像形成装置において、前記フェ
ースプレートの蛍光面側に凸部と、隣接する凸部間に形
成される凹部とを設け、前記凸部の断面形状がフェース
プレートに対して垂直な面において電子源方向に幅狭で
且つ断面が半円形状であり、前記凹部にフェースプレー
トとリアプレートとの間に介在させるスペーサの先端を
嵌め込み固定して成るので、フェースプレートとリヤプ
レート間の電界分布を画素中心部で密にすることがで
き、この結果放出電子を画素中心部に収束でき、同一電
子源面積に対する画素サイズの小型化や高輝度化がで
き、しかも半円形形状若しくは半楕円形状の凸部表面に
形成された蛍光体に放出電子が入射することによって発
光した光が、その凸部の表面で反射してフェースプレー
ト全面に導かれ、結果従来のフラットな構造に比べて輝
度が向上し、更に製造工程中での熱膨張係数の違いや張
り合わせ時の位置ずれが発生せずにスペーサによる画素
不良の発生が著しく減少するという効果がある。
【００３６】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記フェースプレートの凹部の断面形状がフェース
プレートに対して垂直な面において矩形状であるので、
外部の大気圧による真空のフェースプレートとリヤプレ
ート間への圧力での変形、破損を防止するためにスペー
サを固定配置する際に、凹部の間隔とスペーサの幅を調
整することによって、フェースプレートに容易に固定可
能することができるという効果がある
て、前記フェースプレートの凹部の断面形状がフェース
プレートに対して垂直な面において矩形状であるので、
外部の大気圧による真空のフェースプレートとリヤプレ
ート間への圧力での変形、破損を防止するためにスペー
サを固定配置する際に、凹部の間隔とスペーサの幅を調
整することによって、フェースプレートに容易に固定可
能することができるという効果がある
【００３７】請求項３の発明は、請求項１又は２の発明
において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が画
素の行若しくは列ごとであるので、リブ状スペーサを容
易に固定可能であるという効果がある。
において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が画
素の行若しくは列ごとであるので、リブ状スペーサを容
易に固定可能であるという効果がある。
【００３８】請求項４の発明は、請求項１又は２の発明
において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が画
素を形成するドットごとであるので、請求項６の発明の
効果に加えて、ドットに対応する蛍光面の発光漏れを上
下左右とも抑制することができるという効果がある。
において、前記フェースプレートの凹、凸部の配置が画
素を形成するドットごとであるので、請求項６の発明の
効果に加えて、ドットに対応する蛍光面の発光漏れを上
下左右とも抑制することができるという効果がある。
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態１の要部の断面図である。
【図２】同上の要部の一部破断せる斜視図である。
【図３】本発明の実施形態２のガラス基板の一部省略せ
る下面図である。
る下面図である。
【図４】本発明の実施形態３の要部の断面図である。
【図５】従来例の要部の断面図である。
１ シリコン基板
２ ｎ型領域
３ 多結晶シリコン層
４ 電界ドリフト層
５ 電子源
６ 表面電極
７ ガラス基板
８ ガラス基板
９ 凸部
１０ 凹部
１１ スペーサ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｊ 29/32 Ｈ０１Ｊ 29/32
(72)発明者 菰田 卓哉
大阪府門真市大字門真1048番地松下電工
株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−205665（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−161316（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−171876（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−45221（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−161315（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−184237（ＪＰ，Ａ)
特開 昭51−40754（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−150531（ＪＰ，Ａ)
特公 昭48−40296（ＪＰ，Ｂ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 31/12
H01J 9/227
H01J 9/24
Claims (4)
- 【請求項１】冷電子源と、冷電子源から放出される電子
が照射される蛍光面を備えたフェースプレートを有する
画像形成装置において、前記フェースプレートの蛍光面
側に凸部と、隣接する凸部間に形成される凹部とを設
け、前記凸部の断面形状がフェースプレートに対して垂
直な面において電子源方向に幅狭で且つ断面が半円形状
若しくは半楕円形状であり、前記凹部にフェースプレー
トとリアプレートとの間に介在させるスペーサの先端を
嵌め込み固定して成ることを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２】前記フェースプレートの凹部の断面形状が
フェースプレートに対して垂直な面において矩形状であ
ることを特徴とする請求項１記載の記載の画像形成装
置。 - 【請求項３】前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素の行若しくは列ごとであることを特徴とする請求項
１又は２記載の画像形成装置。 - 【請求項４】前記フェースプレートの凹、凸部の配置が
画素を形成するドットごとであることを特徴とする請求
項１又は２記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23905999A JP3514181B2 (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23905999A JP3514181B2 (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 画像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068044A JP2001068044A (ja) | 2001-03-16 |
| JP3514181B2 true JP3514181B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=17039265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23905999A Expired - Fee Related JP3514181B2 (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3514181B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024461A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Hidetoshi Saito | 高輝度発光装置 |
| JP2007234230A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 平面表示装置およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-08-26 JP JP23905999A patent/JP3514181B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001068044A (ja) | 2001-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6445125B1 (en) | Flat panel display having field emission cathode and manufacturing method thereof | |
| US7095169B2 (en) | Flat panel display device | |
| US20060145595A1 (en) | Image display device | |
| JP3514181B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| US20050264167A1 (en) | Electron emission device | |
| JP4494301B2 (ja) | 画像表示装置 | |
| JP2002334670A (ja) | 表示装置 | |
| US20050140268A1 (en) | Electron emission device | |
| JP2003242908A (ja) | 画像表示装置 | |
| US7923913B2 (en) | Image display apparatus | |
| US7327075B2 (en) | Image display device with support member between front and rear substrates | |
| JP2752137B2 (ja) | フラットディスプレイ | |
| KR20070056680A (ko) | 전자 방출 표시 디바이스 | |
| US20070103053A1 (en) | Image display device | |
| US7148620B2 (en) | Image display device | |
| KR101009984B1 (ko) | 전계 방출 표시장치 | |
| US7477011B2 (en) | Cathode substrate for electron emission device and electron emission device with the same | |
| JPS6222362A (ja) | 真空容器 | |
| KR20070046544A (ko) | 진공 용기 | |
| KR20010091533A (ko) | 고 종횡비 스페이서가 채용된 고전압 전계 방출 표시 장치및 그 제조방법 | |
| JP2000228158A (ja) | 画像表示装置 | |
| KR20070041125A (ko) | 전자 방출 표시 디바이스 | |
| JP2006031982A (ja) | 電界放出型表示装置 | |
| JP2006202526A (ja) | 画像表示装置 | |
| US20070024176A1 (en) | Electron emission display and its method of manufacture |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031224 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040106 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080123 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 5 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |