JP3508712B2 - Resist stripping apparatus and device manufacturing method using the same - Google Patents

Resist stripping apparatus and device manufacturing method using the same

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JP3508712B2
JP3508712B2 JP2000289988A JP2000289988A JP3508712B2 JP 3508712 B2 JP3508712 B2 JP 3508712B2 JP 2000289988 A JP2000289988 A JP 2000289988A JP 2000289988 A JP2000289988 A JP 2000289988A JP 3508712 B2 JP3508712 B2 JP 3508712B2
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resist stripping
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はレジスト剥離装置
およびそれを用いたデバイスの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist stripping apparatus and a device manufacturing method using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSIなどの半導体チップや薄膜トラン
ジスタなどのデバイスの製造プロセスにおいては、デバ
イス基板上に形成された被加工膜上にパターン形成され
たレジストをマスクとして被加工膜をエッチングし、次
いでレジストをレジスト剥離液を用いて剥離することが
多い。この場合、レジスト剥離液としては、アミン、グ
ライコールエーテル、水等を混合してなるものが使用さ
れ、使用後のレジスト剥離液を回収し、再使用してい
る。しかし、使用後のレジスト剥離液には剥離(溶解)
されたレジストが混入しているので、使用時間が長くな
ると、レジスト剥離液中のレジスト濃度が増加し、レジ
スト剥離能力が劣化し、使用に値しなくなってしまう。
このような場合、従来では、使用に値しなくなったレジ
スト剥離液をすべて新たなレジスト剥離液と交換してい
る。すなわち、使用に値しなくなったレジスト剥離液を
すべて廃棄している。
2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a semiconductor chip such as an LSI or a device such as a thin film transistor, the film to be processed is etched by using a resist patterned on the film to be processed formed on a device substrate as a mask, and then the resist is processed. Is often stripped using a resist stripper. In this case, as the resist stripping solution, a mixture of amine, glycol ether, water, etc. is used, and the used resist stripping solution is collected and reused. However, it is stripped (dissolved) in the resist stripper after use.
Since the formed resist is mixed, if the use time becomes long, the resist concentration in the resist stripping solution increases, the resist stripping ability deteriorates, and it becomes unusable.
In such a case, conventionally, all the resist stripping solution that is no longer worth using is replaced with a new resist stripping solution. That is, all the resist stripping liquid that is no longer worth using is discarded.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来で
は、使用に値しなくなったレジスト剥離液をすべて新た
なレジスト剥離液と交換しているので、レジスト剥離液
の使用時間がどちらかといえば短く、交換頻度が多くな
り、稼働率が低下し、またレジスト剥離液を早期に廃棄
することとなり、コスト高となってしまうという問題が
あった。この発明の課題は、レジスト剥離液の使用時間
を延ばすことである。
As described above, in the prior art, since all the resist stripping solution that is no longer worth using is replaced with a new resist stripping solution, the usage time of the resist stripping solution is rather rather. There are problems that it is short, the replacement frequency is high, the operation rate is lowered, and the resist stripping solution is discarded at an early stage, resulting in high cost. An object of the present invention is to extend the use time of the resist stripping solution.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、レジスト剥離液を用いてレジストを剥離し、使用後
のレジスト剥離液を回収して再使用するレジスト剥離装
置において、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の
濃度を検出するためのpH測定手段と、このpH測定手
による測定結果に基づいてレジスト剥離液にアミン溶
液を補給するアミン溶液補給手段とを具備したものであ
請求項4に記載の発明は、レジスト剥離液を用いて
レジストを剥離し、使用後のレジスト剥離液を回収して
再使用するレジスト剥離装置において、レジスト剥離液
に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出するため、レジス
ト剥離液の導電率を測定する導電率測定手段と、この導
電率測定手段による測定結果に基づいてレジスト剥離液
にアミン溶液を補給するアミン溶液補給手段とを具備し
ものである請求項に記載の発明は、デバイス基板
上に形成された被加工膜上にパターン形成されたレジス
トをマスクとして前記被加工膜をエッチングし、次いで
前記レジストをレジスト剥離液を用いて剥離し、使用後
のレジスト剥離液を回収して再使用するデバイスの製造
方法において、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素
の濃度を検出するためのpH測定手段を備え、このpH
測定手段による測定結果に基づいてレジスト剥離液にア
ミン溶液を補給し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力
を復元しながら再使用するようにしたものである請求
10に記載された発明は、デバイス基板上に形成され
た被加工膜上にパターン形成されたレジストをマスクと
して前記被加工膜をエッチングし、次いで前記レジスト
をレジスト剥離液を用いて剥離し、使用後のレジスト剥
離液を回収して再使用するデバイスの製造方法におい
て、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検
出するため、レジスト剥離液の導電率を測定する導電率
測定手段を備え、この導電率測定手段手段による測定結
果に基づいてレジスト剥離液にアミン溶液を補給し、レ
ジスト剥離液のレジスト剥離能力を復元しながら再使用
するようにしたものであるそして、この発明によれ
ば、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を大きく劣化さ
せる要因が、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液に溶
け込むことであることに着目し、レジスト剥離液に溶け
込んだ二酸化炭素の濃度を、pH測定手段あるいはレジ
スト剥離液の導電率を測定する導電率測定手段により
し、この測定結果に基づいてアミン溶液を補給するよ
うにしているので、アミン溶液の補給により、レジスト
剥離液の二酸化炭素の濃度が低下し、レジスト剥離液の
レジスト剥離能力が復元され、したがってレジスト剥離
液の使用時間を延ばすことができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a resist stripping apparatus for stripping a resist using a resist stripping solution, recovering the used resist stripping solution and reusing the resist stripping solution. and pH measuring means for detecting the concentration of carbon dioxide melted into hand this pH measurement
And an amine solution replenishing means for replenishing the resist stripping solution with the amine solution based on the measurement result by the step . The invention according to claim 4 uses a resist stripping solution.
Remove the resist and collect the resist remover after use.
In a resist stripping device to be reused, resist stripping liquid
To detect the concentration of carbon dioxide dissolved in the
Conductivity measuring means for measuring the conductivity of the stripping solution, and
Resist stripping solution based on the measurement result by the electric conductivity measuring means
And an amine solution replenishing means for replenishing the amine solution with
It is a thing . According to a seventh aspect of the invention, the film to be processed is etched by using a resist patterned on the film to be processed formed on the device substrate as a mask, and then the resist is peeled off using a resist peeling liquid, the method of manufacturing a device using the resist stripping solution is recovered for reuse after use, comprising a pH measuring means for detecting the concentration of carbon dioxide melted into the resist stripping solution, the pH
An amine solution is replenished to the resist stripping solution based on the measurement result by the measuring means , and the resist stripping solution is reused while restoring the resist stripping ability of the resist stripping solution . The invention described in claim 10 is formed on a device substrate.
The patterned resist on the processed film as a mask
The processed film by etching, and then the resist
With a resist remover, and remove the resist after use.
In the method of manufacturing devices that collect and reuse syneresis
Check the concentration of carbon dioxide dissolved in the resist stripper.
Conductivity to measure the conductivity of the resist stripping solution
A measuring means is provided, and the measurement result by the conductivity measuring means is provided.
Add the amine solution to the resist stripper based on the
Reuse while restoring the resist stripping ability of Gist stripper
It is obtained by way. Then, according to this invention, focusing on the fact that the carbon dioxide in the atmosphere dissolves in the resist stripping liquid as a factor that significantly deteriorates the resist stripping ability of the resist stripping liquid, The concentration is measured by a pH measuring means or a cash register.
Measuring the conductivity measuring means for measuring the conductivity of the strike stripping solution
Since the amine solution is replenished based on this measurement result, the replenishment of the amine solution reduces the concentration of carbon dioxide in the resist stripping solution and restores the resist stripping ability of the resist stripping solution. The use time of the resist stripping solution can be extended.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】図1はこの発明の一実施形態にお
けるレジスト剥離装置の概略構成図を示したものであ
る。このレジスト剥離装置は、LSIなどの半導体チッ
プや薄膜トランジスタなどのデバイスの製造プロセスに
おいて、デバイス基板21上に形成された、半導体膜、
絶縁膜、金属膜などの被加工膜22上にパターン形成さ
れたレジスト23をマスクとして被加工膜22をエッチ
ングするエッチング装置(図示せず)の後段に配置さ
れ、装置本体1を備えている。典型的には、デバイス基
板21は、ガラス基板であり、被加工膜22は、アモル
ファスシリコン半導体膜または該アモルファスシリコン
半導体膜およびその上に形成された絶縁膜、あるいは該
絶縁膜上に形成された金属膜である。装置本体1の下部
内には処理タンク2が設けられている。処理タンク2内
にはレジスト剥離液3が収容されている。レジスト剥離
液3は、一例として、モノエタノールアミン(ME
A)、ブチルジグリコール(BDG)、水等を混合した
ものからなっている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic block diagram of a resist stripping apparatus according to an embodiment of the present invention. This resist stripping apparatus is a semiconductor film formed on a device substrate 21 in a manufacturing process of a semiconductor chip such as an LSI and a device such as a thin film transistor.
The device main body 1 is provided at a stage subsequent to an etching device (not shown) that etches the film 22 to be processed by using the resist 23 patterned on the film 22 to be processed such as an insulating film and a metal film as a mask. Typically, the device substrate 21 is a glass substrate, and the processed film 22 is an amorphous silicon semiconductor film or the amorphous silicon semiconductor film and an insulating film formed thereon, or formed on the insulating film. It is a metal film. A processing tank 2 is provided in the lower part of the apparatus body 1. A resist stripping solution 3 is contained in the processing tank 2. The resist stripper 3 is, for example, a monoethanolamine (ME
A), butyldiglycol (BDG), water and the like are mixed.

【0006】装置本体1の上部は処理室4となってい
る。処理室4は、搬入口5および搬出口6を有し、その
間にデバイス基板21搬送用の搬送ローラ7が設けられ
た構造となっている。この場合、処理室4の床部は漏斗
状のレジスト剥離液回収部8となってなり、このレジス
ト剥離液回収部8の筒口下部は処理タンク2の上部内に
配置されている。処理室4内において搬送ローラ7の上
方には複数のシャワー9が設けられている。シャワー9
は配管10を介して処理タンク2の下部に接続されてい
る。配管10にはポンプ11が介在されている。
A processing chamber 4 is provided above the apparatus main body 1. The processing chamber 4 has a carry-in port 5 and a carry-out port 6, and a carrying roller 7 for carrying the device substrate 21 is provided between them. In this case, the floor of the processing chamber 4 is a funnel-shaped resist stripping liquid recovery part 8, and the lower part of the cylinder port of the resist stripping liquid recovery part 8 is arranged in the upper part of the processing tank 2. A plurality of showers 9 are provided above the transport rollers 7 in the processing chamber 4. Shower 9
Is connected to the lower part of the processing tank 2 via a pipe 10. A pump 11 is interposed in the pipe 10.

【0007】装置本体1の外部には補給タンク12が設
けられている。補給タンク12内には、100%のME
A溶液または水で適宜に希釈してなる高濃度のMEA溶
液(アミン溶液)13が収容されている。補給タンク1
2内のMEA溶液13は、ポンプ14の駆動により、配
管16を介して処理タンク2内に補給されるようになっ
ている。ポンプ14の駆動制御は、詳細は後述するが、
処理タンク2内に設けられたpH(ペーハー)電極16
に接続されたpHメータ17からのpH信号を受ける制
御部18によって行われるようになっている。
A replenishment tank 12 is provided outside the apparatus main body 1. In the supply tank 12, 100% ME
A high-concentration MEA solution (amine solution) 13 appropriately diluted with the A solution or water is stored. Supply tank 1
The MEA solution 13 in 2 is supplied to the processing tank 2 through the pipe 16 by driving the pump 14. The drive control of the pump 14, which will be described in detail later,
PH (pH) electrode 16 provided in the processing tank 2
The control unit 18 receives a pH signal from the pH meter 17 connected to the.

【0008】次に、このレジスト剥離装置により、前段
のエッチング装置から送られてきたデバイス基板21上
のレジスト23を剥離する場合について説明する。処理
タンク2内のレジスト剥離液3は、ポンプ11の駆動に
より、配管10を介してシャワー9に供給される。する
と、シャワー9からレジスト剥離液3が搬送ローラ7上
のデバイス基板21上に散布され、デバイス基板21上
のレジスト23が溶解されて剥離される。この剥離(溶
解)されたレジストを含むレジスト剥離液3は、レジス
ト剥離液回収部8を介して処理タンク2内に回収され、
再使用される。
Next, description will be given of a case where the resist stripping apparatus strips the resist 23 on the device substrate 21 sent from the etching apparatus at the preceding stage. The resist stripping solution 3 in the processing tank 2 is supplied to the shower 9 through the pipe 10 by driving the pump 11. Then, the resist stripping liquid 3 is sprayed from the shower 9 onto the device substrate 21 on the transport roller 7, and the resist 23 on the device substrate 21 is dissolved and stripped. The resist stripping solution 3 containing the stripped (dissolved) resist is collected in the processing tank 2 via the resist stripping solution collecting section 8.
To be reused.

【0009】ところで、レジスト剥離液3のレジスト剥
離能力を大きく劣化させる要因は、大気中の二酸化炭素
がレジスト剥離液3に溶け込むことである。すなわち、
レジスト剥離液3が処理室4内において大気中に曝され
ると、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液3に溶け込
む。そして、レジスト剥離液3に溶け込んだ二酸化炭素
の濃度がある値以上になると、レジスト剥離液3のレジ
スト剥離能力が大きく劣化し、デバイス基板21上にレ
ジスト残渣が発生するようになる。
A factor that greatly deteriorates the resist stripping ability of the resist stripping solution 3 is that carbon dioxide in the atmosphere dissolves in the resist stripping solution 3. That is,
When the resist stripping solution 3 is exposed to the atmosphere in the processing chamber 4, carbon dioxide in the atmosphere dissolves in the resist stripping solution 3. Then, when the concentration of carbon dioxide dissolved in the resist stripping solution 3 becomes a certain value or more, the resist stripping ability of the resist stripping solution 3 is significantly deteriorated, and a resist residue is generated on the device substrate 21.

【0010】ここで、レジスト剥離液3に溶け込んだ二
酸化炭素の濃度はレジスト剥離液3のpHに反比例す
る。レジスト剥離液3のpHは、レジスト剥離液3が新
液の場合12程度であるが、図2に示すように、使用時
間の経過に伴い、徐々に低下する。そして、レジスト剥
離液3のpHが10.8〜11.2(以下、一例とし
て、11.0)未満になると、レジスト剥離液3のレジ
スト剥離能力が大きく劣化し、デバイス基板21上にレ
ジスト残渣が発生するようになる。
The concentration of carbon dioxide dissolved in the resist stripping solution 3 is inversely proportional to the pH of the resist stripping solution 3. The pH of the resist stripping solution 3 is about 12 when the resist stripping solution 3 is a new solution, but as shown in FIG. 2, it gradually decreases with the lapse of use time. When the pH of the resist stripping solution 3 is less than 10.8 to 11.2 (hereinafter, 11.0 as an example), the resist stripping ability of the resist stripping solution 3 is greatly deteriorated, and the resist residue on the device substrate 21 is reduced. Will occur.

【0011】そこで、処理タンク2(または配管10)
内のレジスト剥離液3のpHをpH電極16を介してp
Hメータ17で定期的に測定し、その測定結果(pH信
号)を制御部18に送出する。制御部18は、pHメー
タ17から供給されたpH信号に応じたpH値が予め設
定された値11.0以下であるか否かを判断し、11.
0以下である場合には、ポンプ14を駆動させる。ここ
で、11.0以下としたのは、11.0未満であると、
レジスト残渣が発生してしまうので、レジスト残渣が発
生する前に、ポンプ14を駆動させるためである。
Therefore, the processing tank 2 (or the pipe 10)
The pH of the resist stripping solution 3 in the
The H meter 17 periodically measures and the measurement result (pH signal) is sent to the control unit 18. The control unit 18 determines whether the pH value according to the pH signal supplied from the pH meter 17 is a preset value 11.0 or less, and 11.
If it is 0 or less, the pump 14 is driven. Here, the reason why the value is 11.0 or less is that it is less than 11.0,
This is because the resist residue is generated, and therefore the pump 14 is driven before the resist residue is generated.

【0012】ポンプ14が駆動すると、補給タンク12
内のMEA溶液13が配管16を介して処理タンク2内
に補給される。すると、処理タンク2内のレジスト剥離
液3のpH値が増加し、二酸化炭素の濃度が低下する。
この結果、処理タンク2内のレジスト剥離液3のレジス
ト剥離能力が復元され、したがってレジスト剥離液3の
使用時間を延ばすことができ、ひいては稼働率が向上
し、またコストを低減することができる。
When the pump 14 is driven, the replenishment tank 12
The MEA solution 13 therein is replenished into the processing tank 2 via the pipe 16. Then, the pH value of the resist stripping solution 3 in the processing tank 2 increases and the concentration of carbon dioxide decreases.
As a result, the resist stripping ability of the resist stripping solution 3 in the processing tank 2 is restored, so that the use time of the resist stripping solution 3 can be extended, and the operating rate can be improved and the cost can be reduced.

【0013】なお、ポンプ14の停止は、実験データに
基づいた量のMEA溶液13を補給したら、自動的に行
われるようにしてもよい。また、pHメータ17で測定
されたpH値が設定値11.0よりも所定値上がったと
き、例えば11.1となったとき、制御部18からポン
プ14に停止信号が送出されるようにしてもよい。
The pump 14 may be stopped automatically when the amount of MEA solution 13 based on the experimental data is replenished. Also, when the pH value measured by the pH meter 17 rises above the set value 11.0 by a predetermined value, for example, becomes 11.1, a stop signal is sent from the control unit 18 to the pump 14. Good.

【0014】ところで、pHを測定する場合、pH電極
16の校正という作業が必要であり、自動測定にはやや
不向きな面がある。また、pH電極16から電解液中の
カリウムイオンがレジスト剥離液3中に拡散する懸念が
ある。そこで、次に、このようなことを考慮する必要が
ない、この発明の他の実施形態について説明する。
By the way, when the pH is measured, it is necessary to calibrate the pH electrode 16, and automatic measurement is somewhat unsuitable. Further, there is a concern that potassium ions in the electrolytic solution may diffuse from the pH electrode 16 into the resist stripping solution 3. Therefore, next, another embodiment of the present invention that does not need to consider such a thing will be described.

【0015】図3はこの発明の他の実施形態におけるレ
ジスト剥離装置の概略構成図を示したものである。この
図において、図1と同一名称部分には同一の符号を付
し、その説明を適宜省略する。この実施形態では、ポン
プ14の駆動制御は、詳細は後述するが、処理タンク2
内に設けられた導電率電極31に接続された導電率計3
2からの導電率信号を受ける制御部18によって行われ
るようになっている。また、処理タンク2内には、電磁
弁33が介在された配管34を介して水分が補給される
ようになっている。電磁弁33の制御は、詳細は後述す
るが、配管10に並列に接続された分岐配管35に介在
された吸光光度計36からの吸光度信号を受ける制御部
18によって行われるようになっている。
FIG. 3 is a schematic block diagram of a resist stripping apparatus according to another embodiment of the present invention. In this figure, the same reference numerals are given to the same names as those in FIG. 1, and the description thereof will be omitted as appropriate. In this embodiment, the drive control of the pump 14 will be described in detail later, but the processing tank 2
Conductivity meter 3 connected to the conductivity electrode 31 provided inside
The control unit 18 receives the conductivity signal from the controller 2. Further, water is replenished in the processing tank 2 through a pipe 34 in which an electromagnetic valve 33 is interposed. The solenoid valve 33 is controlled by a control unit 18 which receives an absorbance signal from an absorptiometer 36 interposed in a branch pipe 35 connected in parallel to the pipe 10, which will be described in detail later.

【0016】ここで、新液のレジスト剥離液3に二酸化
炭素を吸収させた場合におけるpHと導電率との関係
は、図4に示すような関係にある。この図から明らかな
ように、レジスト剥離液3の導電率は、新液の場合16
0μS/cm前後の値を示すが、pHが低下するに従
い、徐々に増加する。この場合、pH10.8〜11.
2に対応する導電率はほぼ1300〜600μS/cm
であり、pH11.0に対応する導電率はほぼ900μ
S/cmである。
Here, the relationship between pH and conductivity when carbon dioxide is absorbed in the new resist stripping solution 3 is as shown in FIG. As is clear from this figure, the conductivity of the resist stripping solution 3 is 16
It shows a value around 0 μS / cm, but gradually increases as the pH decreases. In this case, pH 10.8-11.
The conductivity corresponding to 2 is approximately 1300 to 600 μS / cm
And the conductivity corresponding to pH 11.0 is approximately 900μ.
S / cm.

【0017】ところで、レジスト剥離液3の水分濃度
(wt%)と導電率との関係は、図5に示すような関係
にある。この場合、図5において、一番上の線はレジス
ト剥離液3のpHが10.77の場合であり、次の線は
pH11.05の場合であり、次の線はpH11.39
の場合であり、次の線はpH11.65の場合であり、
次の線はpH11.85の場合である。この図から明ら
かなように、レジスト剥離液3の導電率は、pHの値に
関係なく、レジスト剥離液3中の水分の蒸発により、水
分濃度が低下すると、それに従い、徐々に減少する。
By the way, the relationship between the water concentration (wt%) of the resist stripping solution 3 and the electrical conductivity is as shown in FIG. In this case, in FIG. 5, the top line shows the case where the pH of the resist stripping solution 3 is 10.77, the next line shows the case where the pH is 11.05, and the next line shows the pH 11.39.
And the next line is for pH 11.65,
The next line is for pH 11.85. As is clear from this figure, the conductivity of the resist stripping solution 3 gradually decreases in accordance with the decrease in the water concentration due to the evaporation of water in the resist stripping solution 3 regardless of the pH value.

【0018】したがって、例えば図6に示すように、レ
ジスト剥離液3の水分濃度を一定とした場合には、レジ
スト剥離液3の導電率はpHと相関関係にある。この場
合、図6において、黒丸は水分濃度を43%と一定とし
た場合であり、黒四角は水分濃度を47.4%と一定と
した場合であり、黒三角は水分濃度を50.4%と一定
とした場合である。以上の結果、レジスト剥離液3の水
分濃度を一定に保持した状態で、導電率を測定すると、
pHの値が分かり、ひいてはレジスト剥離液3の二酸化
炭素の濃度が分かる。したがって、この実施形態では、
まず、レジスト剥離液3の水分濃度を一定に保持する必
要がある。このためには、レジスト剥離液3の水分濃度
を測定する必要がある。図3に示す吸光光度計36はそ
のためのものである。
Therefore, for example, as shown in FIG. 6, when the water concentration of the resist stripping solution 3 is constant, the conductivity of the resist stripping solution 3 has a correlation with pH. In this case, in FIG. 6, the black circles indicate the case where the water concentration is constant at 43%, the black squares indicate the case where the water concentration is constant at 47.4%, and the black triangles indicate the water concentration 50.4%. And constant. As a result of the above, when the conductivity was measured with the water concentration of the resist stripping solution 3 kept constant,
The value of pH is known, and thus the concentration of carbon dioxide in the resist stripping solution 3 is known. Therefore, in this embodiment,
First, it is necessary to keep the water concentration of the resist stripper 3 constant. For this purpose, it is necessary to measure the water concentration of the resist stripping solution 3. The absorptiometer 36 shown in FIG. 3 is for that purpose.

【0019】次に、吸光光度計36によるレジスト剥離
液3の水分濃度の測定について説明する。まず、図7は
一定の水分濃度のレジスト剥離液3の透過率を示したも
のである。この場合、図7において、波長980nm前
後における一番上の黒菱形で示す線はレジスト剥離液5
ml中の水分量が0mlの場合であり、次の黒四角で示
す線はレジスト剥離液5ml中の水分量が0.5mlの
場合であり、次の黒三角で示す線はレジスト剥離液5m
l中の水分量が1mlの場合であり、次の黒丸で示す線
はレジスト剥離液5ml中の水分量が2mlの場合であ
る。この図から明らかなように、波長980nmにピー
クがあるが、これは水分によるものである。そこで、吸
光光度計36でレジスト剥離液3の波長980nmの吸
光度を測定すると、レジスト剥離液3の水分濃度を求め
ることができる。
Next, the measurement of the water concentration of the resist stripping solution 3 by the absorptiometer 36 will be described. First, FIG. 7 shows the transmittance of the resist stripping solution 3 having a constant water concentration. In this case, in FIG. 7, the upper black rhombus line around the wavelength of 980 nm is the resist stripper 5
The amount of water in ml is 0 ml, the line shown by the black square in the following is the case where the amount of water in 5 ml of the resist stripper is 0.5 ml, and the line shown by the next black triangle is the resist stripper of 5 m.
The amount of water in 1 is 1 ml, and the line indicated by the black circle in the following is when the amount of water in 5 ml of the resist stripping solution is 2 ml. As is clear from this figure, there is a peak at a wavelength of 980 nm, which is due to water. Therefore, by measuring the absorbance of the resist stripping solution 3 at a wavelength of 980 nm with the absorptiometer 36, the water concentration of the resist stripping solution 3 can be obtained.

【0020】さて、吸光光度計36でレジスト剥離液3
の波長980nmの吸光度を定期的に測定し、その測定
結果(吸光度信号)を制御部18に送出する。制御部1
8は、吸光光度計36から供給された吸光度信号に基づ
いて、レジスト剥離液3の水分濃度がある設定値未満で
あるか否かを判断し、ある設定値未満である場合には、
電磁弁33を開き、水分を配管34を介して処理タンク
2内に補給し、レジスト剥離液3の水分濃度がある設定
値となるようにする。
Now, the resist stripper 3 with the absorptiometer 36
The absorbance at the wavelength of 980 nm is periodically measured, and the measurement result (absorbance signal) is sent to the control unit 18. Control unit 1
8 determines whether or not the water concentration of the resist stripping solution 3 is below a certain set value based on the absorbance signal supplied from the absorptiometer 36, and if it is below a certain set value,
The electromagnetic valve 33 is opened, and water is replenished into the processing tank 2 via the pipe 34 so that the water concentration of the resist stripping solution 3 becomes a certain set value.

【0021】このように、レジスト剥離液3の水分濃度
をある設定値に保持した状態において、処理タンク2内
のレジスト剥離液3の導電率を導電率電極31を介して
導電率計32で定期的に測定し、その測定結果(導電率
信号)を制御部18に送出する。制御部18は、導電率
計32から供給された導電率信号に応じた導電率が予め
設定された値例えばpH11.0にほぼ対応する900
μS/cm以上であるか否かを判断し、900μS/c
m以上である場合には、ポンプ14を駆動させる。
As described above, the conductivity of the resist stripping solution 3 in the processing tank 2 is periodically measured by the conductivity meter 32 via the conductivity electrode 31 while the water concentration of the resist stripping solution 3 is kept at a certain set value. The measurement result (conductivity signal) is sent to the control unit 18. The control unit 18 determines that the conductivity according to the conductivity signal supplied from the conductivity meter 32 substantially corresponds to a preset value, for example, pH 11.0 900.
900 μS / c is determined by determining whether or not it is μS / cm or more.
If it is m or more, the pump 14 is driven.

【0022】ポンプ14が駆動すると、補給タンク12
内のMEA溶液13が配管16を介して処理タンク2内
に補給される。すると、処理タンク2内のレジスト剥離
液3の導電率が低下し、pH値が増加し、二酸化炭素の
濃度が低下する。この結果、処理タンク2内のレジスト
剥離液3のレジスト剥離能力が復元され、したがってレ
ジスト剥離液3の使用時間を延ばすことができ、ひいて
は稼働率が向上し、またコストを低減することができ
る。
When the pump 14 is driven, the replenishment tank 12
The MEA solution 13 therein is replenished into the processing tank 2 via the pipe 16. Then, the conductivity of the resist stripping solution 3 in the processing tank 2 decreases, the pH value increases, and the carbon dioxide concentration decreases. As a result, the resist stripping ability of the resist stripping solution 3 in the processing tank 2 is restored, so that the use time of the resist stripping solution 3 can be extended, and the operating rate can be improved and the cost can be reduced.

【0023】なお、ポンプ14の停止は、実験データに
基づいた量のMEA溶液13を補給したら、自動的に行
われるようにしてもよい。また、導電率計32で測定さ
れた導電率が設定値900μS/cmよりも所定値下が
ったとき、例えば800μS/cmとなったとき、制御
部18からポンプ14に停止信号が送出されるようにし
てもよい。
The pump 14 may be stopped automatically when the MEA solution 13 in an amount based on the experimental data is replenished. Further, when the conductivity measured by the conductivity meter 32 falls below a set value of 900 μS / cm by a predetermined value, for example, 800 μS / cm, a stop signal is sent from the control unit 18 to the pump 14. May be.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を
pH測定手段あるいはレジスト剥離液の導電率を測定す
る導電率測定手段により測定し、この測定結果に基づい
てアミン溶液を補給するようにしているので、アミン溶
液の補給により、レジスト剥離液の二酸化炭素の濃度が
低下し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力が復元さ
れ、したがってレジスト剥離液の使用時間を延ばすこと
ができる。
As described in the foregoing, according to the present invention, the concentration of carbon dioxide melted into the resist stripping solution,
Measures the pH measuring means or the electrical conductivity of the resist stripper.
Measured by that the conductivity measuring means, since so as to replenish the amine solution on the basis of the measurement result, the replenishment of the amine solution, the concentration of carbon dioxide in the resist stripping solution is reduced, resist peeling of the resist stripping solution The capacity is restored, and thus the usage time of the resist stripping solution can be extended.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施形態におけるレジスト剥離装
置の概略構成図。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a resist stripping apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】レジスト剥離液のpHの経時変化を示す図。FIG. 2 is a view showing a change with time of pH of a resist stripping solution.

【図3】この発明の他の実施形態におけるレジスト剥離
装置の概略構成図。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a resist stripping apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図4】新液のレジスト剥離液に二酸化炭素を吸収させ
た場合におけるpHと導電率との関係を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between pH and conductivity when carbon dioxide is absorbed in a new resist stripping solution.

【図5】レジスト剥離液の水分濃度と導電率との関係を
示す図。
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the water concentration of the resist stripping solution and the electrical conductivity.

【図6】一定の水分濃度のレジスト剥離液のpHと導電
率との関係を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between pH and electrical conductivity of a resist stripping solution having a constant water concentration.

【図7】一定の水分濃度のレジスト剥離液の透過率を示
す図。
FIG. 7 is a diagram showing the transmittance of a resist stripping solution having a constant water concentration.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 装置本体 2 処理タンク 3 レジスト剥離液 4 処理室 8 レジスト剥離液回収部 9 シャワー 11 ポンプ 12 補給タンク 13 MEA溶液 14 ポンプ 16 pH電極 17 pHメータ 18 制御部 21 デバイス基板 22 被加工膜 23 レジスト 31 導電率電極 32 導電率計 33 電磁弁 36 吸光光度計 1 device body 2 processing tank 3 Resist stripper 4 processing room 8 Resist stripping liquid recovery section 9 showers 11 pumps 12 Supply tank 13 MEA solution 14 pumps 16 pH electrode 17 pH meter 18 Control unit 21 Device board 22 Processed film 23 Resist 31 Conductivity electrode 32 conductivity meter 33 Solenoid valve 36 Absorptiometer

フロントページの続き (56)参考文献 特開2001−223153(JP,A) 特開2000−258925(JP,A) 特開 平11−133630(JP,A) 特開 平10−335212(JP,A) 特開 平10−83946(JP,A) 特開 平9−219385(JP,A) 特開 平9−213617(JP,A) 特開 平8−241882(JP,A) 特開 平8−146622(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/42 H01L 21/306 H01L 21/304 Continuation of front page (56) Reference JP 2001-223153 (JP, A) JP 2000-258925 (JP, A) JP 11-133630 (JP, A) JP 10-335212 (JP, A) ) JP-A-10-83946 (JP, A) JP-A-9-219385 (JP, A) JP-A-9-213617 (JP, A) JP-A-8-241882 (JP, A) JP-A-8- 146622 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/42 H01L 21/306 H01L 21/304

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 レジスト剥離液を用いてレジストを剥離
し、使用後のレジスト剥離液を回収して再使用するレジ
スト剥離装置において、レジスト剥離液に溶け込んだ二
酸化炭素の濃度を検出するためのpH測定手段と、この
pH測定手段による測定結果に基づいてレジスト剥離液
にアミン溶液を補給するアミン溶液補給手段とを具備す
ることを特徴とするレジスト剥離装置。
1. A pH for detecting the concentration of carbon dioxide dissolved in a resist stripping solution in a resist stripping apparatus for stripping a resist using a resist stripping solution, recovering the used resist stripping solution and reusing it. Measuring means and this
A resist stripping apparatus comprising: an amine solution replenishing means for replenishing a resist stripping solution with an amine solution based on a measurement result by a pH measuring means .
【請求項2】 請求項に記載の発明において、前記p
H測定手段により測定されたpH値が設定値以下となっ
たとき、前記アミン溶液補給手段によりアミン溶液を補
給することを特徴とするレジスト剥離装置。
2. The invention according to claim 1 , wherein the p
A resist stripping apparatus, wherein the amine solution is replenished by the amine solution replenishing means when the pH value measured by the H measuring means becomes equal to or lower than a set value.
【請求項3】 請求項に記載の発明において、前記設
定値は10.8〜11.2であることを特徴とするレジ
スト剥離装置。
3. The resist stripping apparatus according to claim 2 , wherein the set value is 10.8 to 11.2.
【請求項4】 レジスト剥離液を用いてレジストを剥離
し、使用後のレジスト剥離液を回収して再使用するレジ
スト剥離装置において、レジスト剥離液に溶け込んだ二
酸化炭素の濃度を検出するため、レジスト剥離液の導電
率を測定する導電率測定手段と、この導電率測定手段に
よる測定結果に基づいてレジスト剥離液にアミン溶液を
補給するアミン溶液補給手段とを具備することを特徴と
するレジスト剥離装置。
4. A resist stripping solution is used to strip the resist.
Register to collect and reuse the resist stripper after use.
In the stripping device, the two
Conduct conductivity of the resist stripper to detect the concentration of carbon oxide
Conductivity measuring means for measuring the conductivity, and this conductivity measuring means
Based on the measurement results of
A resist stripping apparatus comprising: an amine solution replenishing means for replenishing .
【請求項5】 請求項に記載の発明において、レジス
ト剥離液の水分濃度を測定し、この水分濃度が一定とな
るようにレジスト剥離液に水分を補給する水分補給手段
を備え、前記導電率測定手段によるレジスト剥離液の導
電率の測定は、レジスト剥離液の水分濃度を一定に保持
した状態で行うことを特徴とするレジスト剥離装置。
5. The invention according to claim 4 , further comprising a water replenishing means for measuring the water concentration of the resist stripping solution and replenishing the resist stripping solution with water so that the water concentration becomes constant. The resist stripping apparatus is characterized in that the electrical conductivity of the resist stripping solution is measured by the measuring means while the water concentration of the resist stripping solution is kept constant.
【請求項6】 請求項に記載の発明において、前記設
定値は1300〜600μS/cmであることを特徴と
するレジスト剥離装置。
6. The resist stripping apparatus according to claim 5 , wherein the set value is 1300 to 600 μS / cm.
【請求項7】 デバイス基板上に形成された被加工膜上
にパターン形成されたレジストをマスクとして前記被加
工膜をエッチングし、次いで前記レジストをレジスト剥
離液を用いて剥離し、使用後のレジスト剥離液を回収し
て再使用するデバイスの製造方法において、レジスト剥
離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出するためのp
H測定手段を備え、このpH測定手段による測定結果に
基づいてレジスト剥離液にアミン溶液を補給し、レジス
ト剥離液のレジスト剥離能力を復元しながら再使用する
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
7. A resist after use is etched by etching the film to be processed using a resist patterned on the film to be processed formed on a device substrate as a mask, and then peeling the resist using a resist peeling solution. In a device manufacturing method in which the stripping solution is collected and reused , p for detecting the concentration of carbon dioxide dissolved in the resist stripping solution is used.
A method for manufacturing a device, comprising: an H measuring means , wherein the amine solution is replenished to the resist stripping solution based on the measurement result by the pH measuring means and the resist stripping solution is reused while restoring the resist stripping ability.
【請求項8】 請求項に記載の発明において、測定さ
れたpH値が設定値以下となったとき、アミン溶液を補
給することを特徴とするデバイスの製造方法。
8. The method of manufacturing a device according to claim 7 , wherein the amine solution is replenished when the measured pH value becomes equal to or lower than a set value.
【請求項9】 請求項に記載の発明において、前記設
定値は10.8〜11.2であることを特徴とするデバ
イスの製造方法。
9. The device manufacturing method according to claim 8 , wherein the set value is 10.8 to 11.2.
【請求項10】 デバイス基板上に形成された被加工膜
上にパターン形成されたレジストをマスクとして前記被
加工膜をエッチングし、次いで前記レジストをレジスト
剥離液を用いて剥離し、使用後のレジスト剥離液を回収
して再使用するデバイスの製造方法において、レジスト
剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出するため、
レジスト剥離液の導電率を測定する導電率測定手段を備
え、この導電率測定手段手段による測定結果に基づいて
レジスト剥離液にアミン溶液を補給し、レジスト剥離液
のレジスト剥離能力を復元しながら再使用することを特
徴とするデバイスの製造方法。
10. A processed film formed on a device substrate.
The resist patterned above is used as a mask to form the target.
Etching the processed film, and then removing the resist
Strip using a stripper and collect the resist stripper after use
In a device manufacturing method for reuse after reuse
To detect the concentration of carbon dioxide dissolved in the stripper,
Equipped with conductivity measuring means to measure the conductivity of the resist stripper
Eh, based on the measurement result by this conductivity measuring means
Amine solution is replenished to the resist stripper to remove the resist stripper.
A method for manufacturing a device, wherein the device is reused while restoring the resist stripping ability of the device.
【請求項11】 請求項10に記載の発明において、レ
ジスト剥離液の導電率の測定は、レジスト剥離液の水分
濃度を測定し、この水分濃度が一定となるように水分を
補給した状態で、行うことを特徴とするデバイスの製造
方法。
11. The invention according to claim 10 , wherein the electrical conductivity of the resist stripping solution is measured by measuring the water concentration of the resist stripping solution and supplying water so that the water concentration becomes constant. A method for manufacturing a device, which is characterized by being performed.
【請求項12】 請求項11に記載の発明において、測
定された導電率が設定値以上となったとき、アミン溶液
を補給することを特徴とするデバイスの製造方法。
12. The method of manufacturing a device according to claim 11 , wherein the amine solution is replenished when the measured conductivity becomes equal to or higher than a set value.
【請求項13】 請求項12に記載の発明において、前
記設定値は1300〜600μS/cmであることを特
徴とするデバイスの製造方法。
13. The device manufacturing method according to claim 12 , wherein the set value is 1300 to 600 μS / cm.
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