JP2002100555A - Resist-peeling device and manufacturing method of device using it - Google Patents

Resist-peeling device and manufacturing method of device using it

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JP2002100555A JP2000289988A JP2000289988A JP2002100555A JP 2002100555 A JP2002100555 A JP 2002100555A JP 2000289988 A JP2000289988 A JP 2000289988A JP 2000289988 A JP2000289988 A JP 2000289988A JP 2002100555 A JP2002100555 A JP 2002100555A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for detecting the concentration of carbon dioxide that is dissolved into resist release liquid after use, replenishing amine solution into the resist release liquid based on the detection result, and reusing the resist release capacity of the resist release liquid while restoring it, and the manufacturing method of a device. SOLUTION: The resist-peeling capability of the resist-peeling liquid 3 is greatly deteriorated by dissolving carbon dioxide in the air into the resist-peeling liquid 3. In this case, the concentration of the carbon dioxide dissolved into the resist-peeling liquid 3 is detected based on a pH value measured by a pH meter 17 via a pH electrode 16, and an MEA(monoethanol amine) solution 14 is replenished based on the detection result.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はレジスト剥離装置
およびそれを用いたデバイスの製造方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a resist stripping apparatus and a device manufacturing method using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSIなどの半導体チップや薄膜トラン
ジスタなどのデバイスの製造プロセスにおいては、デバ
イス基板上に形成された被加工膜上にパターン形成され
たレジストをマスクとして被加工膜をエッチングし、次
いでレジストをレジスト剥離液を用いて剥離することが
多い。この場合、レジスト剥離液としては、アミン、グ
ライコールエーテル、水等を混合してなるものが使用さ
れ、使用後のレジスト剥離液を回収し、再使用してい
る。しかし、使用後のレジスト剥離液には剥離(溶解)
されたレジストが混入しているので、使用時間が長くな
ると、レジスト剥離液中のレジスト濃度が増加し、レジ
スト剥離能力が劣化し、使用に値しなくなってしまう。
このような場合、従来では、使用に値しなくなったレジ
スト剥離液をすべて新たなレジスト剥離液と交換してい
る。すなわち、使用に値しなくなったレジスト剥離液を
すべて廃棄している。
2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a semiconductor chip such as an LSI or a device such as a thin film transistor, a film to be processed is etched using a resist formed on a film to be processed formed on a device substrate as a mask, and then the resist is formed. Is often stripped using a resist stripper. In this case, a mixture of amine, glycol ether, water and the like is used as the resist stripper, and the used resist stripper is collected and reused. However, the resist is stripped (dissolved) after use
Since the used resist is mixed, when the use time is prolonged, the resist concentration in the resist stripping solution increases, the resist stripping ability is deteriorated, and the resist is not worthy of use.
In such a case, conventionally, the resist stripping solution that is no longer used is replaced with a new resist stripping solution. That is, the resist stripping solution that is no longer used is discarded.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来で
は、使用に値しなくなったレジスト剥離液をすべて新た
なレジスト剥離液と交換しているので、レジスト剥離液
の使用時間がどちらかといえば短く、交換頻度が多くな
り、稼働率が低下し、またレジスト剥離液を早期に廃棄
することとなり、コスト高となってしまうという問題が
あった。この発明の課題は、レジスト剥離液の使用時間
を延ばすことである。
As described above, conventionally, all the resist stripping solutions that are no longer used are replaced with new resist stripping solutions, so that the usage time of the resist stripping solution is rather short. There is a problem that it is short, the frequency of replacement increases, the operation rate decreases, and the resist stripping solution is discarded at an early stage, resulting in an increase in cost. An object of the present invention is to extend the use time of a resist stripper.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、レジスト剥離液を用いてレジストを剥離し、使用後
のレジスト剥離液を回収して再使用するレジスト剥離装
置において、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の
濃度を検出する二酸化炭素濃度検出手段と、この二酸化
炭素濃度検出手段による検出結果に基づいてレジスト剥
離液にアミン溶液を補給するアミン溶液補給手段とを具
備したものである。請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の発明において、前記二酸化炭素濃度検出手段と
して、レジスト剥離液のpHを測定するpH測定手段を
用いたものである。請求項3に記載の発明は、請求項2
に記載の発明において、前記pH測定手段により測定さ
れたpH値が設定値以下となったとき、前記アミン溶液
補給手段によりアミン溶液を補給するようにしたもので
ある。請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明
において、前記pH測定手段により測定されたpH値が
前記設定値よりも所定値上がったとき、前記アミン溶液
補給手段によるアミン溶液の補給を停止するようにした
ものである。請求項5に記載の発明は、請求項3に記載
の発明において、前記アミン溶液補給手段によるアミン
溶液の補給量が予め設定された量となるようにしたもの
である。請求項6に記載の発明は、請求項3〜5のいず
れかに記載の発明において、前記設定値を10.8〜1
1.2としたものである。請求項7に記載の発明は、請
求項6に記載の発明において、前記設定値を11.0と
したものである。請求項8に記載の発明は、請求項1に
記載の発明において、前記二酸化炭素濃度検出手段とし
て、レジスト剥離液の導電率を測定する導電率測定手段
を用いたものである。請求項9に記載の発明は、請求項
8に記載の発明において、レジスト剥離液の水分濃度を
測定し、この水分濃度が一定となるようにレジスト剥離
液に水分を補給する水分補給手段を備え、前記導電率測
定手段によるレジスト剥離液の導電率の測定を、レジス
ト剥離液の水分濃度を一定に保持した状態で行うように
したものである。請求項10に記載の発明は、請求項9
に記載の発明において、前記導電率測定手段により測定
された導電率が設定値以上となったとき、前記アミン溶
液補給手段によりアミン溶液を補給するようにしたもの
である。請求項11に記載の発明は、請求項10に記載
の発明において、前記導電率測定手段により測定された
導電率が前記設定値よりも所定値下がったとき、前記ア
ミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給を停止するよ
うにしたものである。請求項12に記載の発明は、請求
項10に記載の発明において、前記アミン溶液補給手段
によるアミン溶液の補給量が予め設定された量となるよ
うにしたものである。請求項13に記載の発明は、請求
項10〜12のいずれかに記載の発明において、前記設
定値を1300〜600μS/cmとしたものである。
請求項14に記載の発明は、請求項13に記載の発明に
おいて、前記設定値を900μS/cmとしたものであ
る。請求項15に記載の発明は、デバイス基板上に形成
された被加工膜上にパターン形成されたレジストをマス
クとして前記被加工膜をエッチングし、次いで前記レジ
ストをレジスト剥離液を用いて剥離し、使用後のレジス
ト剥離液を回収して再使用するデバイスの製造方法にお
いて、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を
検出し、この検出結果に基づいてレジスト剥離液にアミ
ン溶液を補給し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を
復元しながら再使用するようにしたものである。請求項
16に記載の発明は、請求項15に記載の発明におい
て、前記二酸化炭素の濃度を、レジスト剥離液のpHを
測定し、この測定結果に基づいて検出するようにしたも
のである。請求項17に記載の発明は、請求項16に記
載の発明において、測定されたpH値が設定値以下とな
ったとき、アミン溶液を補給するようにしたものであ
る。請求項18に記載の発明は、請求項17に記載の発
明において、測定されたpH値が前記設定値よりも所定
値上がったとき、アミン溶液の補給を停止するようにし
たものである。請求項19に記載の発明は、請求項17
に記載の発明において、アミン溶液の補給量が予め設定
された量となるようにしたものである。請求項20に記
載の発明は、請求項17〜19のいずれかに記載の発明
において、前記設定値を10.8〜11.2としたもの
である。請求項21に記載の発明は、請求項20に記載
の発明において、前記設定値を11.0としたものであ
る。請求項22に記載の発明は、請求項15に記載の発
明において、前記二酸化炭素の濃度を、レジスト剥離液
の導電率を測定し、この測定結果に基づいて検出するよ
うにしたものである。請求項23に記載の発明は、請求
項22に記載の発明において、レジスト剥離液の導電率
の測定を、レジスト剥離液の水分濃度を測定し、この水
分濃度が一定となるように水分を補給した状態で、行う
ようにしたものである。請求項24に記載の発明は、請
求項23に記載の発明において、測定された導電率が設
定値以上となったとき、アミン溶液を補給するようにし
たものである。請求項25に記載の発明は、請求項24
に記載の発明において、測定された導電率が前記設定値
よりも所定値下がったとき、アミン溶液の補給を停止す
るようにしたものである。請求項26に記載の発明は、
請求項24に記載の発明において、アミン溶液の補給量
が予め設定された量となるようにしたものである。請求
項27に記載の発明は、請求項24〜26のいずれかに
記載の発明において、前記設定値を1300〜600μ
S/cmとしたものである。請求項28に記載の発明
は、請求項27に記載の発明において、前記設定値を9
00μS/cmとしたものである。そして、この発明に
よれば、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を大きく劣
化させる要因が、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液
に溶け込むことであることに着目し、レジスト剥離液に
溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出し、この検出結果に
基づいてアミン溶液を補給するようにしているので、ア
ミン溶液の補給により、レジスト剥離液の二酸化炭素の
濃度が低下し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力が復
元され、したがってレジスト剥離液の使用時間を延ばす
ことができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a resist stripping apparatus for stripping a resist using a resist stripper, collecting a used resist stripper, and reusing the resist. And an amine solution replenishing means for replenishing the resist stripping solution with an amine solution based on the detection result by the carbon dioxide concentration detecting means. The invention described in claim 2 is the first invention.
In the invention described in (1), a pH measuring means for measuring a pH of a resist stripping solution is used as the carbon dioxide concentration detecting means. The invention according to claim 3 is the invention according to claim 2.
Wherein the amine solution is supplied by the amine solution replenishing means when the pH value measured by the pH measuring means falls below a set value. According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, when the pH value measured by the pH measuring means is higher than the set value by a predetermined value, the amine solution is replenished by the amine solution replenishing means. Is to be stopped. According to a fifth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the amount of the amine solution supplied by the amine solution supply means is set to a predetermined amount. The invention according to claim 6 is the invention according to any one of claims 3 to 5, wherein the set value is 10.8 to 1
1.2. The invention according to claim 7 is the invention according to claim 6, wherein the set value is 11.0. According to an eighth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a conductivity measuring means for measuring the conductivity of the resist stripping solution is used as the carbon dioxide concentration detecting means. According to a ninth aspect of the present invention, in accordance with the eighth aspect of the present invention, there is provided a water supply means for measuring a water concentration of the resist stripping solution and supplying water to the resist stripping solution so that the water concentration becomes constant. The conductivity of the resist stripping solution is measured by the conductivity measuring means while the moisture concentration of the resist stripping solution is kept constant. The invention according to claim 10 is the invention according to claim 9
In the invention described in (1), when the conductivity measured by the conductivity measuring means is equal to or more than a set value, the amine solution replenishing means replenishes the amine solution. According to an eleventh aspect of the present invention, in the invention according to the tenth aspect, when the conductivity measured by the conductivity measuring unit falls below a predetermined value from the set value, the amine solution is replenished by the amine solution replenishing unit. The supply is stopped. According to a twelfth aspect of the present invention, in the tenth aspect of the present invention, the amount of the amine solution supplied by the amine solution replenishing means is a predetermined amount. According to a thirteenth aspect of the present invention, in the first aspect, the set value is set to 1300 to 600 μS / cm.
According to a fourteenth aspect, in the thirteenth aspect, the set value is 900 μS / cm. The invention according to claim 15, etching the film to be processed using a resist patterned on a film to be processed formed on a device substrate as a mask, then peeling the resist using a resist peeling solution, In a method of manufacturing a device for recovering and reusing a used resist stripping solution, the concentration of carbon dioxide dissolved in the resist stripping solution is detected, and based on the detection result, an amine solution is supplied to the resist stripping solution, and the resist is removed. The stripper is reused while restoring the resist stripping ability of the stripper. According to a sixteenth aspect, in the fifteenth aspect, the concentration of the carbon dioxide is detected based on a result of measuring a pH of the resist stripping solution. According to a seventeenth aspect, in the sixteenth aspect, the amine solution is replenished when the measured pH value falls below a set value. According to an eighteenth aspect of the present invention, in the invention according to the seventeenth aspect, when the measured pH value is higher than the set value by a predetermined value, the supply of the amine solution is stopped. The invention according to claim 19 is the invention according to claim 17.
In the invention described in (1), the replenishment amount of the amine solution is set to a predetermined amount. According to a twentieth aspect, in the invention according to any one of the seventeenth to nineteenth aspects, the set value is set to 10.8 to 11.2. According to a twenty-first aspect, in the twenty-second aspect, the set value is 11.0. According to a twenty-second aspect of the present invention, in the fifteenth aspect, the concentration of the carbon dioxide is detected based on a result of measuring the conductivity of the resist stripping solution. According to a twenty-third aspect of the present invention, in the invention of the twenty-second aspect, the electric conductivity of the resist stripping solution is measured by measuring the water concentration of the resist stripping solution, and supplying water so that the water concentration is constant. In this state, it is performed. According to a twenty-fourth aspect of the present invention, in the twenty-third aspect of the present invention, the amine solution is replenished when the measured conductivity is equal to or higher than a set value. The invention according to claim 25 is the invention according to claim 24.
The replenishment of the amine solution is stopped when the measured electric conductivity falls below the set value by a predetermined value. The invention according to claim 26 is
In the invention according to claim 24, the replenishment amount of the amine solution is set to a predetermined amount. The invention according to claim 27 is the invention according to any one of claims 24 to 26, wherein the set value is 1300 to 600 μm.
S / cm. The invention according to claim 28 is the invention according to claim 27, wherein the set value is 9
The value was set to 00 μS / cm. According to the present invention, focusing on the fact that the carbon dioxide in the atmosphere dissolves into the resist stripping solution, the factor that significantly deteriorates the resist stripping ability of the resist stripping solution is focused on, Since the concentration is detected and the amine solution is replenished based on the detection result, the replenishment of the amine solution reduces the concentration of carbon dioxide in the resist stripping solution and restores the resist stripping ability of the resist stripping solution. Therefore, the use time of the resist stripping solution can be extended.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】図1はこの発明の一実施形態にお
けるレジスト剥離装置の概略構成図を示したものであ
る。このレジスト剥離装置は、LSIなどの半導体チッ
プや薄膜トランジスタなどのデバイスの製造プロセスに
おいて、デバイス基板21上に形成された、半導体膜、
絶縁膜、金属膜などの被加工膜22上にパターン形成さ
れたレジスト23をマスクとして被加工膜22をエッチ
ングするエッチング装置(図示せず)の後段に配置さ
れ、装置本体1を備えている。典型的には、デバイス基
板21は、ガラス基板であり、被加工膜22は、アモル
ファスシリコン半導体膜または該アモルファスシリコン
半導体膜およびその上に形成された絶縁膜、あるいは該
絶縁膜上に形成された金属膜である。装置本体1の下部
内には処理タンク2が設けられている。処理タンク2内
にはレジスト剥離液3が収容されている。レジスト剥離
液3は、一例として、モノエタノールアミン(ME
A)、ブチルジグリコール(BDG)、水等を混合した
ものからなっている。
FIG. 1 is a schematic block diagram of a resist stripping apparatus according to an embodiment of the present invention. This resist stripping apparatus is a semiconductor film formed on a device substrate 21 in a process of manufacturing a semiconductor chip such as an LSI or a device such as a thin film transistor.
The apparatus main body 1 is provided after an etching apparatus (not shown) that etches the processing film 22 using a resist 23 patterned on the processing film 22 such as an insulating film or a metal film as a mask. Typically, the device substrate 21 is a glass substrate, and the processing target film 22 is an amorphous silicon semiconductor film or the amorphous silicon semiconductor film and an insulating film formed thereon, or formed on the insulating film. It is a metal film. A processing tank 2 is provided in a lower portion of the apparatus main body 1. The processing tank 2 contains a resist stripper 3. The resist stripping solution 3 is, for example, monoethanolamine (ME
A), butyl diglycol (BDG), water and the like are mixed.

【0006】装置本体1の上部は処理室4となってい
る。処理室4は、搬入口5および搬出口6を有し、その
間にデバイス基板21搬送用の搬送ローラ7が設けられ
た構造となっている。この場合、処理室4の床部は漏斗
状のレジスト剥離液回収部8となってなり、このレジス
ト剥離液回収部8の筒口下部は処理タンク2の上部内に
配置されている。処理室4内において搬送ローラ7の上
方には複数のシャワー9が設けられている。シャワー9
は配管10を介して処理タンク2の下部に接続されてい
る。配管10にはポンプ11が介在されている。
The upper part of the apparatus main body 1 is a processing chamber 4. The processing chamber 4 has a carry-in port 5 and a carry-out port 6, and has a structure in which a transport roller 7 for transporting the device substrate 21 is provided therebetween. In this case, the floor of the processing chamber 4 serves as a funnel-shaped resist stripping liquid collecting unit 8, and the lower portion of the cylindrical opening of the resist stripping liquid collecting unit 8 is arranged in the upper part of the processing tank 2. A plurality of showers 9 are provided above the transport roller 7 in the processing chamber 4. Shower 9
Is connected to the lower part of the processing tank 2 via a pipe 10. A pump 11 is interposed in the pipe 10.

【0007】装置本体1の外部には補給タンク12が設
けられている。補給タンク12内には、100%のME
A溶液または水で適宜に希釈してなる高濃度のMEA溶
液(アミン溶液)13が収容されている。補給タンク1
2内のMEA溶液13は、ポンプ14の駆動により、配
管16を介して処理タンク2内に補給されるようになっ
ている。ポンプ14の駆動制御は、詳細は後述するが、
処理タンク2内に設けられたpH(ペーハー)電極16
に接続されたpHメータ17からのpH信号を受ける制
御部18によって行われるようになっている。
A supply tank 12 is provided outside the apparatus main body 1. 100% ME in the supply tank 12
A high-concentration MEA solution (amine solution) 13 appropriately diluted with A solution or water is accommodated. Supply tank 1
The MEA solution 13 in the processing tank 2 is supplied to the processing tank 2 through the pipe 16 by driving the pump 14. The drive control of the pump 14 will be described later in detail,
PH (pH) electrode 16 provided in the processing tank 2
The control unit 18 receives a pH signal from a pH meter 17 connected to the control unit 18.

【0008】次に、このレジスト剥離装置により、前段
のエッチング装置から送られてきたデバイス基板21上
のレジスト23を剥離する場合について説明する。処理
タンク2内のレジスト剥離液3は、ポンプ11の駆動に
より、配管10を介してシャワー9に供給される。する
と、シャワー9からレジスト剥離液3が搬送ローラ7上
のデバイス基板21上に散布され、デバイス基板21上
のレジスト23が溶解されて剥離される。この剥離(溶
解)されたレジストを含むレジスト剥離液3は、レジス
ト剥離液回収部8を介して処理タンク2内に回収され、
再使用される。
Next, the case where the resist 23 on the device substrate 21 sent from the preceding etching apparatus is stripped by the resist stripping apparatus will be described. The resist stripping solution 3 in the processing tank 2 is supplied to the shower 9 via the pipe 10 by driving the pump 11. Then, the resist stripper 3 is sprayed from the shower 9 on the device substrate 21 on the transport roller 7, and the resist 23 on the device substrate 21 is dissolved and stripped. The resist stripping liquid 3 containing the stripped (dissolved) resist is collected in the processing tank 2 via the resist stripping liquid collecting unit 8,
Reused.

【0009】ところで、レジスト剥離液3のレジスト剥
離能力を大きく劣化させる要因は、大気中の二酸化炭素
がレジスト剥離液3に溶け込むことである。すなわち、
レジスト剥離液3が処理室4内において大気中に曝され
ると、大気中の二酸化炭素がレジスト剥離液3に溶け込
む。そして、レジスト剥離液3に溶け込んだ二酸化炭素
の濃度がある値以上になると、レジスト剥離液3のレジ
スト剥離能力が大きく劣化し、デバイス基板21上にレ
ジスト残渣が発生するようになる。
A factor that greatly deteriorates the resist stripping ability of the resist stripping solution 3 is that carbon dioxide in the atmosphere dissolves into the resist stripping solution 3. That is,
When the resist stripping solution 3 is exposed to the atmosphere in the processing chamber 4, carbon dioxide in the atmosphere dissolves in the resist stripping solution 3. When the concentration of carbon dioxide dissolved in the resist stripping solution 3 exceeds a certain value, the resist stripping ability of the resist stripping solution 3 is greatly deteriorated, and a resist residue is generated on the device substrate 21.

【0010】ここで、レジスト剥離液3に溶け込んだ二
酸化炭素の濃度はレジスト剥離液3のpHに反比例す
る。レジスト剥離液3のpHは、レジスト剥離液3が新
液の場合12程度であるが、図2に示すように、使用時
間の経過に伴い、徐々に低下する。そして、レジスト剥
離液3のpHが10.8〜11.2(以下、一例とし
て、11.0)未満になると、レジスト剥離液3のレジ
スト剥離能力が大きく劣化し、デバイス基板21上にレ
ジスト残渣が発生するようになる。
Here, the concentration of carbon dioxide dissolved in the resist stripper 3 is inversely proportional to the pH of the resist stripper 3. The pH of the resist stripping solution 3 is about 12 when the resist stripping solution 3 is a new solution, but gradually decreases as the use time elapses as shown in FIG. When the pH of the resist stripping solution 3 falls below 10.8 to 11.2 (hereinafter, as an example, 11.0), the resist stripping ability of the resist stripping solution 3 is greatly deteriorated, and the resist residue on the device substrate 21 is reduced. Will occur.

【0011】そこで、処理タンク2(または配管10)
内のレジスト剥離液3のpHをpH電極16を介してp
Hメータ17で定期的に測定し、その測定結果(pH信
号)を制御部18に送出する。制御部18は、pHメー
タ17から供給されたpH信号に応じたpH値が予め設
定された値11.0以下であるか否かを判断し、11.
0以下である場合には、ポンプ14を駆動させる。ここ
で、11.0以下としたのは、11.0未満であると、
レジスト残渣が発生してしまうので、レジスト残渣が発
生する前に、ポンプ14を駆動させるためである。
Therefore, the processing tank 2 (or the pipe 10)
The pH of the resist stripping solution 3 in the inside is adjusted through the pH electrode 16 to pH
The measurement is periodically performed by the H meter 17 and the measurement result (pH signal) is sent to the control unit 18. The control unit 18 determines whether or not the pH value according to the pH signal supplied from the pH meter 17 is equal to or less than a preset value 11.0.
If it is 0 or less, the pump 14 is driven. Here, the reason why it is 11.0 or less is that if it is less than 11.0,
This is because the pump 14 is driven before the resist residue is generated because the resist residue is generated.

【0012】ポンプ14が駆動すると、補給タンク12
内のMEA溶液13が配管16を介して処理タンク2内
に補給される。すると、処理タンク2内のレジスト剥離
液3のpH値が増加し、二酸化炭素の濃度が低下する。
この結果、処理タンク2内のレジスト剥離液3のレジス
ト剥離能力が復元され、したがってレジスト剥離液3の
使用時間を延ばすことができ、ひいては稼働率が向上
し、またコストを低減することができる。
When the pump 14 is driven, the supply tank 12
The MEA solution 13 is supplied to the processing tank 2 through the pipe 16. Then, the pH value of the resist stripping solution 3 in the processing tank 2 increases, and the concentration of carbon dioxide decreases.
As a result, the resist stripping ability of the resist stripping solution 3 in the processing tank 2 is restored, so that the use time of the resist stripping solution 3 can be extended, and the operation rate can be improved and the cost can be reduced.

【0013】なお、ポンプ14の停止は、実験データに
基づいた量のMEA溶液13を補給したら、自動的に行
われるようにしてもよい。また、pHメータ17で測定
されたpH値が設定値11.0よりも所定値上がったと
き、例えば11.1となったとき、制御部18からポン
プ14に停止信号が送出されるようにしてもよい。
The pump 14 may be stopped automatically when the amount of the MEA solution 13 based on the experimental data is replenished. Further, when the pH value measured by the pH meter 17 rises by a predetermined value from the set value 11.0, for example, when it becomes 11.1, a stop signal is sent from the control unit 18 to the pump 14. Is also good.

【0014】ところで、pHを測定する場合、pH電極
16の校正という作業が必要であり、自動測定にはやや
不向きな面がある。また、pH電極16から電解液中の
カリウムイオンがレジスト剥離液3中に拡散する懸念が
ある。そこで、次に、このようなことを考慮する必要が
ない、この発明の他の実施形態について説明する。
By the way, when measuring pH, an operation of calibrating the pH electrode 16 is necessary, and there is a face that is not suitable for automatic measurement. In addition, there is a concern that potassium ions in the electrolyte may diffuse into the resist stripping solution 3 from the pH electrode 16. Therefore, next, another embodiment of the present invention which does not require such considerations will be described.

【0015】図3はこの発明の他の実施形態におけるレ
ジスト剥離装置の概略構成図を示したものである。この
図において、図1と同一名称部分には同一の符号を付
し、その説明を適宜省略する。この実施形態では、ポン
プ14の駆動制御は、詳細は後述するが、処理タンク2
内に設けられた導電率電極31に接続された導電率計3
2からの導電率信号を受ける制御部18によって行われ
るようになっている。また、処理タンク2内には、電磁
弁33が介在された配管34を介して水分が補給される
ようになっている。電磁弁33の制御は、詳細は後述す
るが、配管10に並列に接続された分岐配管35に介在
された吸光光度計36からの吸光度信号を受ける制御部
18によって行われるようになっている。
FIG. 3 is a schematic structural view of a resist stripping apparatus according to another embodiment of the present invention. In this figure, the same reference numerals are given to the same names as those in FIG. 1, and the description thereof will be omitted as appropriate. In this embodiment, the drive control of the pump 14 will be described in detail later.
Meter 3 connected to a conductivity electrode 31 provided therein
The control unit 18 receives the conductivity signal from the control unit 2. Further, the processing tank 2 is supplied with water via a pipe 34 having an electromagnetic valve 33 interposed. As will be described in detail later, the control of the solenoid valve 33 is performed by the control unit 18 that receives an absorbance signal from an absorptiometer 36 interposed in a branch pipe 35 connected in parallel to the pipe 10.

【0016】ここで、新液のレジスト剥離液3に二酸化
炭素を吸収させた場合におけるpHと導電率との関係
は、図4に示すような関係にある。この図から明らかな
ように、レジスト剥離液3の導電率は、新液の場合16
0μS/cm前後の値を示すが、pHが低下するに従
い、徐々に増加する。この場合、pH10.8〜11.
2に対応する導電率はほぼ1300〜600μS/cm
であり、pH11.0に対応する導電率はほぼ900μ
S/cmである。
Here, the relationship between the pH and the electrical conductivity when carbon dioxide is absorbed in the new resist stripping solution 3 is as shown in FIG. As is clear from this figure, the conductivity of the resist stripping solution 3 is 16
It shows a value around 0 μS / cm, but gradually increases as the pH decreases. In this case, the pH is 10.8-11.
2 is approximately 1300-600 μS / cm
And the conductivity corresponding to pH 11.0 is approximately 900μ.
S / cm.

【0017】ところで、レジスト剥離液3の水分濃度
(wt%)と導電率との関係は、図5に示すような関係
にある。この場合、図5において、一番上の線はレジス
ト剥離液3のpHが10.77の場合であり、次の線は
pH11.05の場合であり、次の線はpH11.39
の場合であり、次の線はpH11.65の場合であり、
次の線はpH11.85の場合である。この図から明ら
かなように、レジスト剥離液3の導電率は、pHの値に
関係なく、レジスト剥離液3中の水分の蒸発により、水
分濃度が低下すると、それに従い、徐々に減少する。
Incidentally, the relationship between the water concentration (wt%) of the resist stripping solution 3 and the electrical conductivity is as shown in FIG. In this case, in FIG. 5, the top line is the case where the pH of the resist stripping solution 3 is 10.77, the next line is the case where the pH is 11.05, and the next line is the case where the pH is 11.39.
And the next line is for pH 11.65,
The next line is for pH 11.85. As is clear from this figure, the conductivity of the resist stripping solution 3 gradually decreases as the water concentration decreases due to evaporation of the water in the resist stripping solution 3 irrespective of the pH value.

【0018】したがって、例えば図6に示すように、レ
ジスト剥離液3の水分濃度を一定とした場合には、レジ
スト剥離液3の導電率はpHと相関関係にある。この場
合、図6において、黒丸は水分濃度を43%と一定とし
た場合であり、黒四角は水分濃度を47.4%と一定と
した場合であり、黒三角は水分濃度を50.4%と一定
とした場合である。以上の結果、レジスト剥離液3の水
分濃度を一定に保持した状態で、導電率を測定すると、
pHの値が分かり、ひいてはレジスト剥離液3の二酸化
炭素の濃度が分かる。したがって、この実施形態では、
まず、レジスト剥離液3の水分濃度を一定に保持する必
要がある。このためには、レジスト剥離液3の水分濃度
を測定する必要がある。図3に示す吸光光度計36はそ
のためのものである。
Accordingly, for example, as shown in FIG. 6, when the water concentration of the resist stripping solution 3 is constant, the conductivity of the resist stripping solution 3 is correlated with the pH. In this case, in FIG. 6, a black circle indicates a case where the water concentration is fixed at 43%, a black square indicates a case where the water concentration is fixed at 47.4%, and a black triangle indicates a case where the water concentration is 50.4%. It is a case where it is fixed. As a result, when the electrical conductivity was measured while keeping the moisture concentration of the resist stripping solution 3 constant,
The value of pH is known, and the concentration of carbon dioxide in the resist stripping solution 3 is known. Therefore, in this embodiment,
First, it is necessary to keep the water concentration of the resist stripping solution 3 constant. For this purpose, it is necessary to measure the water concentration of the resist stripping solution 3. The absorptiometer 36 shown in FIG. 3 is for that purpose.

【0019】次に、吸光光度計36によるレジスト剥離
液3の水分濃度の測定について説明する。まず、図7は
一定の水分濃度のレジスト剥離液3の透過率を示したも
のである。この場合、図7において、波長980nm前
後における一番上の黒菱形で示す線はレジスト剥離液5
ml中の水分量が0mlの場合であり、次の黒四角で示
す線はレジスト剥離液5ml中の水分量が0.5mlの
場合であり、次の黒三角で示す線はレジスト剥離液5m
l中の水分量が1mlの場合であり、次の黒丸で示す線
はレジスト剥離液5ml中の水分量が2mlの場合であ
る。この図から明らかなように、波長980nmにピー
クがあるが、これは水分によるものである。そこで、吸
光光度計36でレジスト剥離液3の波長980nmの吸
光度を測定すると、レジスト剥離液3の水分濃度を求め
ることができる。
Next, measurement of the water concentration of the resist stripping solution 3 by the absorptiometer 36 will be described. First, FIG. 7 shows the transmittance of the resist stripping solution 3 having a constant water concentration. In this case, in FIG. 7, the line indicated by the uppermost black diamond at a wavelength of about 980 nm is the resist stripper 5
In the case where the water amount in 0 ml is 0 ml, the next line indicated by a black square is the case in which the water amount in 5 ml of the resist stripping solution is 0.5 ml, and the next line indicated by a black triangle is the line in which the resist stripping solution is 5 m
1 shows the case where the water content is 1 ml, and the next black circle line shows the case where the water content in 5 ml of the resist stripping solution is 2 ml. As is clear from this figure, there is a peak at a wavelength of 980 nm, which is due to moisture. Therefore, when the absorbance at a wavelength of 980 nm of the resist stripping solution 3 is measured by the absorptiometer 36, the water concentration of the resist stripping solution 3 can be obtained.

【0020】さて、吸光光度計36でレジスト剥離液3
の波長980nmの吸光度を定期的に測定し、その測定
結果(吸光度信号)を制御部18に送出する。制御部1
8は、吸光光度計36から供給された吸光度信号に基づ
いて、レジスト剥離液3の水分濃度がある設定値未満で
あるか否かを判断し、ある設定値未満である場合には、
電磁弁33を開き、水分を配管34を介して処理タンク
2内に補給し、レジスト剥離液3の水分濃度がある設定
値となるようにする。
Now, the resist stripping solution 3 is measured by the absorptiometer 36.
The absorbance at a wavelength of 980 nm is periodically measured, and the measurement result (absorbance signal) is sent to the control unit 18. Control unit 1
8 judges whether or not the moisture concentration of the resist stripping solution 3 is less than a certain set value based on the absorbance signal supplied from the absorptiometer 36, and when it is less than a certain set value,
The electromagnetic valve 33 is opened, and moisture is supplied into the processing tank 2 via the pipe 34 so that the moisture concentration of the resist stripping solution 3 becomes a certain set value.

【0021】このように、レジスト剥離液3の水分濃度
をある設定値に保持した状態において、処理タンク2内
のレジスト剥離液3の導電率を導電率電極31を介して
導電率計32で定期的に測定し、その測定結果(導電率
信号)を制御部18に送出する。制御部18は、導電率
計32から供給された導電率信号に応じた導電率が予め
設定された値例えばpH11.0にほぼ対応する900
μS/cm以上であるか否かを判断し、900μS/c
m以上である場合には、ポンプ14を駆動させる。
As described above, in a state where the water concentration of the resist stripping solution 3 is maintained at a certain set value, the conductivity of the resist stripping solution 3 in the processing tank 2 is periodically measured by the conductivity meter 32 through the conductivity electrode 31. And the measurement result (conductivity signal) is sent to the control unit 18. The control unit 18 controls the conductivity according to the conductivity signal supplied from the conductivity meter 32 so that the conductivity substantially corresponds to a preset value, for example, pH 11.0.
judge whether it is more than μS / cm, 900 μS / c
If it is not less than m, the pump 14 is driven.

【0022】ポンプ14が駆動すると、補給タンク12
内のMEA溶液13が配管16を介して処理タンク2内
に補給される。すると、処理タンク2内のレジスト剥離
液3の導電率が低下し、pH値が増加し、二酸化炭素の
濃度が低下する。この結果、処理タンク2内のレジスト
剥離液3のレジスト剥離能力が復元され、したがってレ
ジスト剥離液3の使用時間を延ばすことができ、ひいて
は稼働率が向上し、またコストを低減することができ
る。
When the pump 14 is driven, the supply tank 12
The MEA solution 13 is supplied to the processing tank 2 through the pipe 16. Then, the conductivity of the resist stripping solution 3 in the processing tank 2 decreases, the pH value increases, and the concentration of carbon dioxide decreases. As a result, the resist stripping ability of the resist stripping solution 3 in the processing tank 2 is restored, so that the use time of the resist stripping solution 3 can be extended, and the operation rate can be improved and the cost can be reduced.

【0023】なお、ポンプ14の停止は、実験データに
基づいた量のMEA溶液13を補給したら、自動的に行
われるようにしてもよい。また、導電率計32で測定さ
れた導電率が設定値900μS/cmよりも所定値下が
ったとき、例えば800μS/cmとなったとき、制御
部18からポンプ14に停止信号が送出されるようにし
てもよい。
The pump 14 may be stopped automatically after the MEA solution 13 is replenished in an amount based on the experimental data. When the conductivity measured by the conductivity meter 32 falls below a predetermined value of 900 μS / cm, for example, 800 μS / cm, a stop signal is sent from the control unit 18 to the pump 14. You may.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、レジスト剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検
出し、この検出結果に基づいてアミン溶液を補給してい
るので、アミン溶液の補給により、レジスト剥離液の二
酸化炭素の濃度が低下し、レジスト剥離液のレジスト剥
離能力が復元され、したがってレジスト剥離液の使用時
間を延ばすことができ、ひいては稼働率が向上し、また
コストを低減することができる。
As described above, according to the present invention, the concentration of carbon dioxide dissolved in the resist stripping solution is detected, and the amine solution is replenished based on the detection result. Thereby, the concentration of carbon dioxide in the resist stripping solution is reduced, the resist stripping ability of the resist stripping solution is restored, and therefore, the use time of the resist stripping solution can be extended, and thus the operation rate is improved and the cost is reduced. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施形態におけるレジスト剥離装
置の概略構成図。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a resist stripping apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】レジスト剥離液のpHの経時変化を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a change over time in pH of a resist stripping solution.

【図3】この発明の他の実施形態におけるレジスト剥離
装置の概略構成図。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a resist stripping apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図4】新液のレジスト剥離液に二酸化炭素を吸収させ
た場合におけるpHと導電率との関係を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between pH and conductivity when carbon dioxide is absorbed in a new resist stripping solution.

【図5】レジスト剥離液の水分濃度と導電率との関係を
示す図。
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the water concentration of a resist stripper and the electrical conductivity.

【図6】一定の水分濃度のレジスト剥離液のpHと導電
率との関係を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between pH and conductivity of a resist stripper having a constant water concentration.

【図7】一定の水分濃度のレジスト剥離液の透過率を示
す図。
FIG. 7 is a view showing the transmittance of a resist stripper having a constant moisture concentration.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 装置本体 2 処理タンク 3 レジスト剥離液 4 処理室 8 レジスト剥離液回収部 9 シャワー 11 ポンプ 12 補給タンク 13 MEA溶液 14 ポンプ 16 pH電極 17 pHメータ 18 制御部 21 デバイス基板 22 被加工膜 23 レジスト 31 導電率電極 32 導電率計 33 電磁弁 36 吸光光度計 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Apparatus main body 2 Processing tank 3 Resist stripping liquid 4 Processing chamber 8 Resist stripping liquid collection part 9 Shower 11 Pump 12 Supply tank 13 MEA solution 14 Pump 16 pH electrode 17 pH meter 18 Control part 21 Device substrate 22 Film to be processed 23 Resist 31 Conductivity electrode 32 Conductivity meter 33 Solenoid valve 36 Absorbance meter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H096 AA25 LA02 5F043 CC16 DD30 EE23 EE24 EE33 GG10 5F046 MA02 MA06 MA10  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H096 AA25 LA02 5F043 CC16 DD30 EE23 EE24 EE33 GG10 5F046 MA02 MA06 MA10

Claims (28)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レジスト剥離液を用いてレジストを剥離
し、使用後のレジスト剥離液を回収して再使用するレジ
スト剥離装置において、レジスト剥離液に溶け込んだ二
酸化炭素の濃度を検出する二酸化炭素濃度検出手段と、
この二酸化炭素濃度検出手段による検出結果に基づいて
レジスト剥離液にアミン溶液を補給するアミン溶液補給
手段とを具備することを特徴とするレジスト剥離装置。
1. A resist stripper for stripping a resist using a resist stripper, collecting and reusing a used resist stripper, and detecting the concentration of carbon dioxide dissolved in the resist stripper. Detecting means;
An amine solution replenishing means for replenishing the resist removing solution with an amine solution based on the detection result by the carbon dioxide concentration detecting means.
【請求項2】 請求項1に記載の発明において、前記二
酸化炭素濃度検出手段は、レジスト剥離液のpHを測定
するpH測定手段からなることを特徴とするレジスト剥
離装置。
2. The resist removing apparatus according to claim 1, wherein said carbon dioxide concentration detecting means comprises a pH measuring means for measuring a pH of a resist removing liquid.
【請求項3】 請求項2に記載の発明において、前記p
H測定手段により測定されたpH値が設定値以下となっ
たとき、前記アミン溶液補給手段によりアミン溶液を補
給することを特徴とするレジスト剥離装置。
3. The method according to claim 2, wherein said p
When the pH value measured by the H measuring means falls below a set value, the amine solution is replenished by the amine solution replenishing means.
【請求項4】 請求項3に記載の発明において、前記p
H測定手段により測定されたpH値が前記設定値よりも
所定値上がったとき、前記アミン溶液補給手段によるア
ミン溶液の補給を停止することを特徴とするレジスト剥
離装置。
4. The method according to claim 3, wherein said p
When the pH value measured by the H measuring means is higher than the set value by a predetermined value, the supply of the amine solution by the amine solution replenishing means is stopped.
【請求項5】 請求項3に記載の発明において、前記ア
ミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給量は予め設定
された量であることを特徴とするレジスト剥離装置。
5. The resist stripping apparatus according to claim 3, wherein the amount of the amine solution supplied by the amine solution supply means is a preset amount.
【請求項6】 請求項3〜5のいずれかに記載の発明に
おいて、前記設定値は10.8〜11.2であることを
特徴とするレジスト剥離装置。
6. The resist stripping apparatus according to claim 3, wherein the set value is 10.8 to 11.2.
【請求項7】 請求項6に記載の発明において、前記設
定値は11.0であることを特徴とするレジスト剥離装
置。
7. The resist stripping apparatus according to claim 6, wherein the set value is 11.0.
【請求項8】 請求項1に記載の発明において、前記二
酸化炭素濃度検出手段は、レジスト剥離液の導電率を測
定する導電率測定手段からなることを特徴とするレジス
ト剥離装置。
8. The resist stripping apparatus according to claim 1, wherein said carbon dioxide concentration detecting means comprises a conductivity measuring means for measuring the conductivity of a resist stripping solution.
【請求項9】 請求項8に記載の発明において、レジス
ト剥離液の水分濃度を測定し、この水分濃度が一定とな
るようにレジスト剥離液に水分を補給する水分補給手段
を備え、前記導電率測定手段によるレジスト剥離液の導
電率の測定は、レジスト剥離液の水分濃度を一定に保持
した状態で行うことを特徴とするレジスト剥離装置。
9. The invention according to claim 8, further comprising a water supply means for measuring a water concentration of the resist stripping solution, and supplying water to the resist stripping solution so that the water concentration is constant. A resist stripping apparatus characterized in that the measurement of the electrical conductivity of the resist stripping solution by the measuring means is performed while keeping the water concentration of the resist stripping solution constant.
【請求項10】 請求項9に記載の発明において、前記
導電率測定手段により測定された導電率が設定値以上と
なったとき、前記アミン溶液補給手段によりアミン溶液
を補給することを特徴とするレジスト剥離装置。
10. The invention according to claim 9, wherein the amine solution is replenished by the amine solution replenishing means when the conductivity measured by the conductivity measuring means becomes a set value or more. Resist stripper.
【請求項11】 請求項10に記載の発明において、前
記導電率測定手段により測定された導電率が前記設定値
よりも所定値下がったとき、前記アミン溶液補給手段に
よるアミン溶液の補給を停止することを特徴とするレジ
スト剥離装置。
11. The invention according to claim 10, wherein the replenishment of the amine solution by the amine solution replenishing means is stopped when the conductivity measured by the conductivity measuring means falls below the predetermined value by a predetermined value. A resist stripping apparatus, characterized in that:
【請求項12】 請求項10に記載の発明において、前
記アミン溶液補給手段によるアミン溶液の補給量は予め
設定された量であることを特徴とするレジスト剥離装
置。
12. The resist stripping apparatus according to claim 10, wherein the amount of the amine solution supplied by the amine solution replenishing means is a preset amount.
【請求項13】 請求項10〜12のいずれかに記載の
発明において、前記設定値は1300〜600μS/c
mであることを特徴とするレジスト剥離装置。
13. The method according to claim 10, wherein the set value is 1300 to 600 μS / c.
m.
【請求項14】 請求項13に記載の発明において、前
記設定値は900μS/cmであることを特徴とするレ
ジスト剥離装置。
14. The resist stripping apparatus according to claim 13, wherein the set value is 900 μS / cm.
【請求項15】 デバイス基板上に形成された被加工膜
上にパターン形成されたレジストをマスクとして前記被
加工膜をエッチングし、次いで前記レジストをレジスト
剥離液を用いて剥離し、使用後のレジスト剥離液を回収
して再使用するデバイスの製造方法において、レジスト
剥離液に溶け込んだ二酸化炭素の濃度を検出し、この検
出結果に基づいてレジスト剥離液にアミン溶液を補給
し、レジスト剥離液のレジスト剥離能力を復元しながら
再使用することを特徴とするデバイスの製造方法。
15. A method for etching a film to be processed using a resist patterned on a film to be processed formed on a device substrate as a mask, and then peeling off the resist using a resist stripping solution; In a method of manufacturing a device for recovering and reusing a stripping solution, the concentration of carbon dioxide dissolved in the resist stripping solution is detected, and based on the detection result, an amine solution is supplied to the resist stripping solution, and the resist in the resist stripping solution is removed. A method for manufacturing a device, wherein the device is reused while restoring the peeling ability.
【請求項16】 請求項15に記載の発明において、前
記二酸化炭素の濃度は、レジスト剥離液のpHを測定
し、この測定結果に基づいて検出することを特徴とする
デバイスの製造方法。
16. The device manufacturing method according to claim 15, wherein the concentration of the carbon dioxide is detected based on a result of measuring a pH of a resist stripping solution.
【請求項17】 請求項16に記載の発明において、測
定されたpH値が設定値以下となったとき、アミン溶液
を補給することを特徴とするデバイスの製造方法。
17. The device manufacturing method according to claim 16, wherein the amine solution is replenished when the measured pH value falls below a set value.
【請求項18】 請求項17に記載の発明において、測
定されたpH値が前記設定値よりも所定値上がったと
き、アミン溶液の補給を停止することを特徴とするデバ
イスの製造方法。
18. The device manufacturing method according to claim 17, wherein the supply of the amine solution is stopped when the measured pH value is higher than the set value by a predetermined value.
【請求項19】 請求項17に記載の発明において、ア
ミン溶液の補給量は予め設定された量であることを特徴
とするデバイスの製造方法。
19. The device manufacturing method according to claim 17, wherein the replenishment amount of the amine solution is a preset amount.
【請求項20】 請求項17〜19のいずれかに記載の
発明において、前記設定値は10.8〜11.2である
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
20. The device manufacturing method according to claim 17, wherein the set value is 10.8 to 11.2.
【請求項21】 請求項20に記載の発明において、前
記設定値は11.0であることを特徴とするデバイスの
製造方法。
21. The device manufacturing method according to claim 20, wherein the set value is 11.0.
【請求項22】 請求項15に記載の発明において、前
記二酸化炭素の濃度は、レジスト剥離液の導電率を測定
し、この測定結果に基づいて検出することを特徴とする
デバイスの製造方法。
22. The device manufacturing method according to claim 15, wherein the concentration of the carbon dioxide is detected based on a result of measuring the conductivity of the resist stripping solution.
【請求項23】 請求項22に記載の発明において、レ
ジスト剥離液の導電率の測定は、レジスト剥離液の水分
濃度を測定し、この水分濃度が一定となるように水分を
補給した状態で、行うことを特徴とするデバイスの製造
方法。
23. The method according to claim 22, wherein the measurement of the conductivity of the resist stripping solution is performed by measuring a water concentration of the resist stripping solution, and replenishing water so that the water concentration is constant. A method for manufacturing a device.
【請求項24】 請求項23に記載の発明において、測
定された導電率が設定値以上となったとき、アミン溶液
を補給することを特徴とするデバイスの製造方法。
24. The device manufacturing method according to claim 23, wherein the amine solution is replenished when the measured conductivity is equal to or higher than a set value.
【請求項25】 請求項24に記載の発明において、測
定された導電率が前記設定値よりも所定値下がったと
き、アミン溶液の補給を停止することを特徴とするデバ
イスの製造方法。
25. The device manufacturing method according to claim 24, wherein the replenishment of the amine solution is stopped when the measured electric conductivity falls below the set value by a predetermined value.
【請求項26】 請求項24に記載の発明において、ア
ミン溶液の補給量は予め設定された量であることを特徴
とするデバイスの製造方法。
26. The device manufacturing method according to claim 24, wherein the replenishment amount of the amine solution is a preset amount.
【請求項27】 請求項24〜26のいずれかに記載の
発明において、前記設定値は1300〜600μS/c
mであることを特徴とするデバイスの製造方法。
27. The method according to claim 24, wherein the set value is 1300 to 600 μS / c.
m. A method for manufacturing a device, comprising:
【請求項28】 請求項27に記載の発明において、前
記設定値は900μS/cmであることを特徴とするデ
バイスの製造方法。
28. The device manufacturing method according to claim 27, wherein the set value is 900 μS / cm.
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