JPH0881787A - Production of oxide etching product - Google Patents
Production of oxide etching productInfo
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- JPH0881787A JPH0881787A JP22024694A JP22024694A JPH0881787A JP H0881787 A JPH0881787 A JP H0881787A JP 22024694 A JP22024694 A JP 22024694A JP 22024694 A JP22024694 A JP 22024694A JP H0881787 A JPH0881787 A JP H0881787A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物エッチング製品
の製造方法に関するものであり、さらに詳しくは本発明
は、酸化物をエッチングするためのエッチング液の組成
を常に一定に保つことにより、得られる酸化物エッチン
グ製品の不良率を著しく改善することのできる製造方法
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing an oxide etching product. More specifically, the present invention is obtained by always keeping the composition of an etching solution for etching an oxide constant. The present invention relates to a manufacturing method capable of remarkably improving the defect rate of the oxide etching product.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、基材表面上に酸化物の薄膜を
形成し、この薄膜上にエッチングレジストを形成し、適
当なマスクをその上に重ねて、例えば紫外線を照射し、
その後、所望するレジスト回路パターンを現像し、酸化
物の薄膜をエッチング液を用いてエッチングすることに
よって、酸化物エッチング製品を製造することは、広く
行われている。例えば、透明導電性金属酸化物の薄膜を
用いた酸化物エッチング製品は、液晶ディスプレイなど
の表示素子、タッチパネルなどの入力装置の透明電極と
して使用されている。そして上記の透明導電性金属酸化
物としては、錫酸化物、インジウム酸化物、インジウム
錫酸化物等が使用され、またエッチング液としては、通
常塩酸−硝酸の混合水溶液が使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a thin oxide film is formed on the surface of a substrate, an etching resist is formed on the thin film, an appropriate mask is superposed on the thin film, and, for example, irradiated with ultraviolet rays,
Thereafter, it is widely practiced to develop an oxide etching product by developing a desired resist circuit pattern and etching a thin oxide film with an etching solution. For example, an oxide etching product using a thin film of a transparent conductive metal oxide is used as a display element such as a liquid crystal display or a transparent electrode of an input device such as a touch panel. As the transparent conductive metal oxide, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide or the like is used, and as the etching solution, a mixed aqueous solution of hydrochloric acid-nitric acid is usually used.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
エッチング液として塩酸−硝酸の混合水溶液を用いた場
合、加熱により塩酸や水が蒸散したり、被エッチング物
がエッチング液を持ち出したりするため、エッチング液
の成分組成が常に変化してしまう欠点がある。この傾向
は、エッチング液をスプレーするときに顕著となり、ま
たエッチング工程におけるダクトの吸引条件も影響を与
える。この結果、エッチング液の性能が変わり、製品の
仕上がりに影響を与え、不良率の増大、信頼性の低下を
もたらしている。そこで、一般にエッチング液の成分組
成の変化を制御する方法として、個々の液成分を分析・
測定し、変化した分量に応じてその成分を補給する方法
が考えられるが、この方法では工程が複雑なだけでな
く、煩雑な補給液の交換が必要であり、また、装置が大
掛かりとなり効率の悪いものであった。However, for example, when a mixed aqueous solution of hydrochloric acid-nitric acid is used as the etching solution, hydrochloric acid or water evaporates by heating, or the etching object brings out the etching solution. There is a drawback that the composition of the component always changes. This tendency becomes remarkable when the etching solution is sprayed, and the suction condition of the duct in the etching process also influences. As a result, the performance of the etching solution changes, which affects the finish of the product, resulting in an increase in defective rate and a decrease in reliability. Therefore, generally, as a method of controlling the change in the composition of the etching solution, analysis and analysis of individual solution components are performed.
A method of measuring and replenishing the component according to the changed amount is conceivable, but this method not only complicates the process but also requires complicated replacement of the replenishing solution, and the apparatus becomes large-scaled and the efficiency is high. It was bad.
【０００４】近年、上記のような表示素子や入力素子は
大型化するとともに、高密度化、微細化が行われてお
り、精度が高く効率の良い酸化物エッチング製品の製造
方法が求められている。従って本発明は、酸化物エッチ
ング製品の不良率の増大および信頼性の低下を防止し、
精度が高く効率の良い酸化物のエッチング加工を可能に
する酸化物エッチング製品の製造方法を提供することを
目的とするものである。In recent years, the display element and the input element as described above have become large in size, and have been highly densified and miniaturized. Therefore, a method of manufacturing an oxide etching product with high accuracy and efficiency is required. . Therefore, the present invention prevents an increase in the defective rate and a decrease in reliability of oxide-etched products,
It is an object of the present invention to provide a method for producing an oxide etching product, which enables highly accurate and efficient oxide etching processing.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究の
結果、上記のような従来の課題を解決することができ
た。すなわち本発明は、基材表面上に、錫酸化物、イン
ジウム酸化物またはインジウム錫酸化物の薄膜を形成す
る工程、前記酸化物の薄膜上にエッチングレジストのパ
ターンを形成する工程および前記酸化物の薄膜を塩酸−
硝酸混合水溶液からなるエッチング液を用いてエッチン
グする工程を含む酸化物エッチング製品の製造方法にお
いて、前記のエッチング液を用いてエッチングする工程
の中で、該エッチング液の導電率が測定され、この測定
結果が、予め決定しておいた導電率に対して変動してい
た場合、所定の組成の塩酸−硝酸混合水溶液を該エッチ
ング液に補給し、該エッチング液の導電率を、前記の予
め決定しておいた導電率に調節することにより、該エッ
チング液の組成が一定に保たれていることを特徴とす
る、酸化物エッチング製品の製造方法を提供するもので
ある。As a result of earnest research, the present inventors were able to solve the above-mentioned conventional problems. That is, the present invention provides a step of forming a thin film of tin oxide, indium oxide or indium tin oxide on the surface of a substrate, a step of forming a pattern of an etching resist on the thin film of oxide, and a step of forming the oxide film. Hydrochloric acid thin film
In the method for producing an oxide etching product including the step of etching using an etching solution composed of a nitric acid mixed aqueous solution, the conductivity of the etching solution is measured in the etching step using the etching solution, and the measurement is performed. When the result is fluctuated with respect to the previously determined conductivity, hydrochloric acid-nitric acid mixed aqueous solution having a predetermined composition is replenished to the etching solution, and the conductivity of the etching solution is determined as described above. The present invention provides a method for producing an oxide etching product, characterized in that the composition of the etching solution is kept constant by adjusting the preset conductivity.
【０００６】さらにまた本発明は、エッチング液の塩酸
−硝酸の混合水溶液における、塩酸：硝酸の重量比率
が、１：０.０５〜１：５であり、エッチング液中の全
酸が、該エッチング液１００gあたり０.６〜０.９モル
の割合で含まれる前記の製造方法を提供するものであ
る。Furthermore, in the present invention, the weight ratio of hydrochloric acid: nitric acid in the hydrochloric acid-nitric acid mixed aqueous solution of the etching solution is 1: 0.05 to 1: 5, and the total acid in the etching solution is the etching solution. The above-mentioned production method is provided, which is contained in an amount of 0.6 to 0.9 mol per 100 g of the liquid.
【０００７】以下、本発明をさらに詳細に説明する。本
発明者らは、エッチャー、加熱温度、スプレー圧、ダク
トの吸引条件等のエッチング条件を固定すれば、エッチ
ング液の成分の変動がそれぞれ一定で、さらにこの変動
は各成分について一方向的であることを見いだし、さら
にエッチング液の成分の組成の変動と、エッチング液の
導電率に著しい相関関係を有することを見いだし、本発
明を完成することができた。The present invention will be described in more detail below. If the etching conditions such as the etcher, the heating temperature, the spray pressure, and the suction condition of the duct are fixed, the inventors of the present invention can make the fluctuations of the components of the etching solution constant, and the fluctuations are unidirectional for each component. The inventors have found that there is a significant correlation between the variation in the composition of the components of the etching solution and the conductivity of the etching solution, and the present invention has been completed.
【０００８】（基材表面上に酸化物の薄膜を形成する工
程）本発明における基材および酸化物の薄膜を形成する
方法は、とくに制限されず自由に選択することができ
る。本発明における酸化物の種類としては、錫酸化物、
インジウム酸化物またはインジウム錫酸化物が挙げられ
る。(Step of Forming Oxide Thin Film on Substrate Surface) The method of forming the base material and the oxide thin film in the present invention is not particularly limited and can be freely selected. Examples of the type of oxide in the present invention include tin oxide,
Indium oxide or indium tin oxide can be used.
【０００９】（酸化物の薄膜上にエッチングレジストを
形成する工程）本発明に用いることのできるエッチング
レジストおよびその形成方法も、とくに制限されず、自
由に選択することができる。(Step of Forming Etching Resist on Oxide Thin Film) The etching resist that can be used in the present invention and the method of forming the same are not particularly limited and can be freely selected.
【００１０】（エッチング液を用いてエッチングする工
程）本発明は、この工程に主な特徴を有する。本発明
は、まず、あらかじめ導電率とエッチング液の組成の変
動との関係を明らかにしておくことが必要である。この
関係は、エッチャー、加熱温度、スプレー圧、ダクトの
吸引条件等のエッチング条件を固定し、実際に酸化物エ
ッチング製品を製造し、そのときのエッチング液の各成
分の変動を調べることにより、簡単に割り出せる。この
関係が明らかになれば、補給液の各成分の濃度が算出可
能となる。エッチング液の補給液は、算出された各濃度
の塩酸−硝酸混合液を一液として調製しておき、導電率
の変動がみられたときエッチャー等に補給するのが簡便
で好ましいが、所定濃度の塩酸および硝酸を、別々に調
製しておき、エッチャー内に個別に導入されるようにし
ておいてもよい。(Step of Etching Using Etching Solution) The present invention has a main feature in this step. In the present invention, it is first necessary to clarify in advance the relationship between the conductivity and the variation in the composition of the etching solution. This relationship is simple by fixing the etching conditions such as etcher, heating temperature, spray pressure, and suction condition of the duct, actually manufacturing the oxide etching product, and examining the fluctuation of each component of the etching solution at that time. Can be calculated. If this relationship becomes clear, the concentration of each component of the replenisher can be calculated. As a replenisher for the etching solution, it is convenient and preferable to prepare a hydrochloric acid-nitric acid mixture solution of each calculated concentration as one solution and replenish it to an etcher or the like when a change in conductivity is observed. The hydrochloric acid and the nitric acid may be separately prepared and individually introduced into the etcher.
【００１１】本発明に使用できるエッチング液は、導電
率およびエッチング液の組成の変動が良好な相関関係を
示す塩酸−硝酸混合水溶液が挙げられる。量比として
は、好ましくは、エッチング液中の塩酸：硝酸の重量比
率が１：０.０５〜１：５であることがよい。塩酸に対
する硝酸の量が上記未満であると、エッチング速度が低
下する傾向にあり、逆に上記の比を超えた硝酸量では、
エッチングレジストに悪影響を与えやすくなる。The etching solution which can be used in the present invention includes a hydrochloric acid-nitric acid mixed aqueous solution which shows a good correlation in the variation of the conductivity and the composition of the etching solution. Regarding the quantitative ratio, it is preferable that the weight ratio of hydrochloric acid: nitric acid in the etching solution is 1: 0.05 to 1: 5. When the amount of nitric acid to hydrochloric acid is less than the above, the etching rate tends to decrease, and conversely, when the amount of nitric acid exceeds the above ratio,
The etching resist is likely to be adversely affected.
【００１２】また、エッチング液中の全酸が、エッチン
グ液１００gあたり０.４モルを超え０.６モル未満の割
合で含まれると、導電率の変化率が小さいのでエッチン
グ液の成分の組成の制御が難しく、場合によっては制御
精度が低下することもあるので、この範囲のエッチング
液組成を使用しないことが好ましい。さらに、エッチン
グ液中の全酸が、エッチング液１００gあたり０.２モル
未満の割合で含まれるとエッチング効率が低下すること
があり、逆に全酸が０.９モルを超えるとエッチングレ
ジストに悪影響を与えやすくなるので、エッチング液中
の全酸は、エッチング液１００gあたり０.２〜０.４モ
ル若しくは０.６〜０.９モルの範囲で含まれることが好
ましく、とくに０.６〜０.９モルであると後述するエッ
チング液の補給液の組成が決定しやすいので好ましい。When the total acid in the etching solution is contained in a proportion of more than 0.4 mol and less than 0.6 mol per 100 g of the etching solution, the rate of change in conductivity is small, so that the composition of the components of the etching solution is small. Since the control is difficult and the control accuracy may be lowered depending on the case, it is preferable not to use the etching solution composition in this range. Further, if the total acid in the etching solution is contained in a ratio of less than 0.2 mol per 100 g of the etching solution, the etching efficiency may decrease, and if the total acid exceeds 0.9 mol, the etching resist is adversely affected. Therefore, the total acid in the etching solution is preferably contained in the range of 0.2-0.4 mol or 0.6-0.9 mol per 100 g of the etching solution, and particularly preferably 0.6-0. It is preferable that it is 0.9 mol because the composition of the replenisher for the etching liquid described later can be easily determined.
【００１３】エッチング温度は通常の範囲でよいが、低
いとエッチング速度が小さくなり、高いとエッチング液
の成分の組成の変化が速くなり、しかもエッチングレジ
ストへの影響が大きくなるので２０〜５０℃が好まし
い。スプレーを用いてエッチングする場合、スプレー圧
力は通常の範囲でよいが、エッチング速度、エッチング
レジストへの物理的影響からみて１〜５kg/cm2が好まし
い。The etching temperature may be in the usual range, but if it is low, the etching rate becomes small, and if it is high, the composition of the components of the etching solution changes rapidly and the effect on the etching resist becomes large. preferable. In the case of etching using a spray, the spray pressure may be in the usual range, but is preferably 1 to 5 kg / cm 2 in view of the etching rate and the physical influence on the etching resist.
【００１４】[0014]
【作用】本発明は、酸化物エッチング製品の製造方法に
おけるエッチング工程において、あらかじめ導電率とエ
ッチング液の成分の組成の変動との相関関係を明らかに
しておき、一方、エッチング液の導電率の変化を導電率
計で検知し、上記相関関係から、補給すべき各成分の量
を知り、これを補給することによりエッチング液の成分
の組成を一定に保つ（導電率を設定値に保つ）方法であ
る。The present invention clarifies the correlation between the conductivity and the variation in the composition of the components of the etching solution in the etching step in the method for producing an oxide etching product, while the conductivity of the etching solution changes. Is detected by a conductivity meter, the amount of each component to be replenished is known from the above correlation, and by replenishing this, the composition of the components of the etching solution is kept constant (conductivity is kept at a set value). is there.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。実施例 １ 図１に示される装置を使用して、エッチング処理を行っ
た。すなわち、エッチング液のオーバーフロー配管９を
備えたスプレー式のエッチャー１により、被エッチング
物に向かってエッチング液が適用される。エッチャー１
におけるエッチング液は、送液ポンプ４により、エッチ
ング液送液管６を通って導電率検出および制御部２に送
られ、ここで導電率が測定される。導電率測定後のエッ
チング液は、エッチング液戻り配管７をを通ってエッチ
ャーに戻される。さらに、導電率の測定値に基づいて、
エッチング液の補給量を推定し、信号化し、制御信号配
線１０によりこの信号が補給液送液ポンプ５に送られ、
必要な量のエッチング液を、補給液貯槽３から、該補給
液送液ポンプ５を介して、補給液送液管８を通ってエッ
チャー１に送るというものである。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. Example 1 An etching process was performed using the apparatus shown in FIG. That is, the etching solution is applied toward the object to be etched by the spray type etcher 1 provided with the etching solution overflow pipe 9. Etcher 1
The etching solution in (1) is sent by the solution sending pump 4 through the etching solution sending tube 6 to the conductivity detection and control section 2, where the conductivity is measured. The etching solution after the conductivity measurement is returned to the etcher through the etching solution return pipe 7. Furthermore, based on the conductivity measurements,
The replenishing amount of the etching liquid is estimated, converted into a signal, and this signal is sent to the replenishing liquid feed pump 5 by the control signal wiring 10.
The required amount of etching liquid is sent from the replenishing liquid storage tank 3 to the etcher 1 through the replenishing liquid feeding pump 5 and the replenishing liquid feeding pipe 8.
【００１６】なお、本実施例においては、基材としてガ
ラス板、酸化物としてインジウム錫酸化物、エッチング
レジストとして熱硬化型インクを用いた。なお、基材へ
は、スパッタリングによりインジウム錫酸化物を形成さ
せ、またスクリーン印刷法によりエッチングレジストを
形成させた。インジウム錫酸化物膜の寸法は、厚さは５
００Å、サイズは、３２０mm×４００mmとした。また、
エッチング条件としては、温度４５℃、エッチャーとし
てスプレー式を用い、スプレー圧力１.５ kg／cm2、エ
ッチング有効距離２ｍ、保有液量３００リットル、コン
ベア速度２.０m／分とした。エッチング液の成分および
組成としては、３５％塩酸および６７％硝酸を用い、水
を加え、塩酸が２１.５重量％（エッチング液１００gあ
たり０.６０モル含まれている）、硝酸が６.５重量％
（エッチング液１００gあたり０.１０モル含まれてい
る）となるように混合し、得られた混合液３１０kg を
エッチャーに仕込んだ。エッチング液の成分および組成
を一定に保つための補給液としては、塩酸２８.５重量
％および硝酸６.５重量％の混合水溶液を使用した。制
御部の導電率設定値は、７８５ms／cmとした。なお、導
電率は、電磁誘導型導電率計を用いて測定した。制御装
置を稼働し補給液を自動供給しながらエッチングを続
け、被エッチング物４００００枚の処理を行ったが、エ
ッチングに起因する不良品は発生しなかった。この間に
使用した補給液量は４５０kg であった。なお、処理枚
数毎のエッチング液の分析結果を次の表１に示す。表１
から分かるように、処理枚数が増えても、エッチングの
成分の組成は、あまり変化していないことがわかる。In this example, a glass plate was used as the substrate, indium tin oxide was used as the oxide, and thermosetting ink was used as the etching resist. Indium tin oxide was formed on the substrate by sputtering, and an etching resist was formed by screen printing. The size of the indium tin oxide film is 5
The size was 00 mm and the size was 320 mm × 400 mm. Also,
The etching conditions were a temperature of 45 ° C., a spray type etcher, a spray pressure of 1.5 kg / cm 2 , an effective etching distance of 2 m, a retained liquid amount of 300 liters, and a conveyor speed of 2.0 m / min. As the components and composition of the etching solution, 35% hydrochloric acid and 67% nitric acid were used, water was added, and hydrochloric acid was 21.5% by weight (containing 0.60 mol per 100 g of the etching solution) and nitric acid was 6.5. weight%
(Etching solution is contained in an amount of 0.10 mol per 100 g), and 310 kg of the obtained mixed solution is charged into an etcher. As a replenishing liquid for keeping the components and composition of the etching liquid constant, a mixed aqueous solution of 28.5% by weight of hydrochloric acid and 6.5% by weight of nitric acid was used. The conductivity setting value of the control unit was 785 ms / cm. The conductivity was measured using an electromagnetic induction type conductivity meter. The control device was operated to continue the etching while automatically supplying the replenisher, and 40000 sheets of the objects to be etched were processed, but no defective product due to the etching was generated. The amount of replenisher used during this period was 450 kg. The results of analysis of the etching solution for each number of processed sheets are shown in Table 1 below. Table 1
As can be seen from the above, the composition of the etching components does not change much even if the number of processed wafers increases.
【００１７】[0017]
【表１】 [Table 1]
【００１８】実施例 ２ 図２に示される装置を使用して、エッチング処理を行っ
た。すなわち、この装置は、実施例１で用いた図１の装
置とほぼ同様であるが、補給液貯槽１１、補給液送液ポ
ンプ１２および補給液送液管１３が別に設置されてい
る。なお、本実施例においては、基材としてガラス板、
酸化物としてインジウム錫酸化物、エッチングレジスト
として熱硬化型インクを用いた。なお、基材へは、スパ
ッタリングによりインジウム錫酸化物を形成させ、また
スクリーン印刷法によりエッチングレジストを形成させ
た。インジウム錫酸化物膜の寸法は、厚さは５００Å、
サイズは、３２０mm×４００mmとした。また、エッチン
グ条件としては、温度４０℃、エッチャーとしてスプレ
ー式を用い、スプレー圧力１.５ kg／cm2、エッチング
有効距離２ｍ、保有液量３００リットル、コンベア速度
２５０m／分とした。エッチング液の成分および組成と
しては、塩酸が１１.７重量％（エッチング液１００gあ
たり０.３２モル含まれている）、硝酸が２２.３重量％
（エッチング液１００gあたり０.３５モル含まれてい
る）となるように混合し、得られた混合液３００kg を
エッチャーに仕込んだ。補給液としては、６７％硝酸お
よび３０％塩酸を使用し、所望される導電率が達成され
るように、両酸成分を、それぞれ１.０：２.４の容量比
において送液ポンプによりエッチャーに送った。制御部
の導電率設定値は ７７０ms／cmとした。なお導電率の
測定装置および条件は、実施例１と同じとした。制御装
置を稼働し補給液を自動供給しながらエッチングを続
け、被エッチング物６００００枚の処理を行ったが、エ
ッチングに起因する不良品は発生しなかった。 Example 2 An etching treatment was carried out using the apparatus shown in FIG. That is, this device is almost the same as the device of FIG. 1 used in Example 1, but the replenishing liquid storage tank 11, the replenishing liquid feeding pump 12, and the replenishing liquid feeding pipe 13 are separately installed. In this example, a glass plate as the base material,
Indium tin oxide was used as the oxide, and thermosetting ink was used as the etching resist. Indium tin oxide was formed on the substrate by sputtering, and an etching resist was formed by screen printing. The indium tin oxide film has a thickness of 500Å,
The size was 320 mm x 400 mm. The etching conditions were a temperature of 40 ° C., a spray type etcher, a spray pressure of 1.5 kg / cm 2 , an effective etching distance of 2 m, a retained liquid amount of 300 liters, and a conveyor speed of 250 m / min. As for the composition and composition of the etching solution, hydrochloric acid is 11.7% by weight (containing 0.32 mol per 100 g of etching solution) and nitric acid is 22.3% by weight.
The mixture was mixed so that it contained 0.35 mol per 100 g of etching solution, and 300 kg of the obtained mixed solution was charged into an etcher. 67% nitric acid and 30% hydrochloric acid were used as replenishers, and both acid components were mixed by a feed pump at a volume ratio of 1.0: 2.4 to achieve the desired conductivity. Sent to. The conductivity set value of the control unit was 770 ms / cm. The conductivity measuring device and conditions were the same as in Example 1. The control device was operated to continue the etching while automatically supplying the replenishing liquid, and 60000 pieces of the object to be etched were processed, but no defective product due to the etching was generated.
【００１９】比較例 １ 実施例１と同様の処理を、制御装置を稼働させずに行っ
た。結果は、被エッチング物を８５００枚処理した時点
で、エッチング不足により短絡が数箇所に発生し、基板
上に目的とする回路形成ができず不良品が発生した。エ
ッチング液の成分の組成の分析結果は表２のとおりであ
った。 Comparative Example 1 The same processing as in Example 1 was performed without operating the control device. As a result, when 8500 objects to be etched were processed, short circuits occurred in several places due to insufficient etching, and the intended circuit could not be formed on the substrate, resulting in defective products. Table 2 shows the results of analysis of the composition of the components of the etching solution.
【００２０】[0020]
【表２】 [Table 2]
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明の方法は、酸化物をエッチングす
るためのエッチング液の組成を常に一定に、簡単に保つ
ことができるため、得られる酸化物エッチング製品の不
良率を著しく改善することができる。EFFECTS OF THE INVENTION The method of the present invention can maintain the composition of an etching solution for etching an oxide constantly constant and easily, and therefore can significantly improve the defect rate of the obtained oxide etching product. it can.
【図１】本発明を実施するための装置の一例を示す図で
ある。FIG. 1 is a diagram showing an example of an apparatus for carrying out the present invention.
【図２】本発明を実施するための別の装置の一例を示す
図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of another device for carrying out the present invention.
１ スプレー式エッチャー ２ 導電率検出および制御部 ３，１１ 補給液貯槽 ４ 送液ポンプ ５，１２ 補給液送液ポンプ ６ エッチング液送液配管 ７ エッチング液戻り配管 ８，１３ 補給液送液配管 ９ オーバーフロー配管 １０ 制御信号配線 1 Spray type etcher 2 Conductivity detection and control unit 3,11 Replenishment liquid storage tank 4 Liquid feed pump 5,12 Replenishment liquid feed pump 6 Etching liquid feed pipe 7 Etching liquid return pipe 8,13 Replenishment liquid feed pipe 9 Overflow Piping 10 Control signal wiring
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 吉勝 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭電 化工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Yoshikatsu Kubota 7-35 Higashiohisa, Arakawa-ku, Tokyo Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.
Claims (2)
化物またはインジウム錫酸化物の薄膜を形成する工程、
前記酸化物の薄膜上にエッチングレジストのパターンを
形成する工程および前記酸化物の薄膜を塩酸−硝酸混合
水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングする工
程を含む酸化物エッチング製品の製造方法において、 前記のエッチング液を用いてエッチングする工程の中
で、該エッチング液の導電率が測定され、この測定結果
が、予め決定しておいた導電率に対して変動していた場
合、所定の組成の塩酸−硝酸混合水溶液を該エッチング
液に補給し、該エッチング液の導電率を、前記の予め決
定しておいた導電率に調節することにより、該エッチン
グ液の組成が一定に保たれていることを特徴とする、酸
化物エッチング製品の製造方法。1. A step of forming a thin film of tin oxide, indium oxide or indium tin oxide on the surface of a substrate,
In the method for producing an oxide etching product, which comprises the step of forming a pattern of an etching resist on the oxide thin film and the step of etching the oxide thin film with an etching solution consisting of a hydrochloric acid-nitric acid mixed aqueous solution, In the step of etching using an etching solution, the conductivity of the etching solution is measured, and when the measurement result fluctuates with respect to a predetermined conductivity, hydrochloric acid having a predetermined composition is used. The composition of the etching solution is kept constant by supplying a nitric acid mixed aqueous solution to the etching solution and adjusting the conductivity of the etching solution to the previously determined conductivity. And a method for manufacturing an oxide etching product.
における、塩酸：硝酸の重量比率が、１：０.０５〜
１：５であり、エッチング液中の全酸が、該エッチング
液１００gあたり０.６〜０.９モルの割合で含まれる請
求項１に記載の製造方法。2. The weight ratio of hydrochloric acid: nitric acid in the hydrochloric acid-nitric acid mixed aqueous solution of the etching solution is 1: 0.05.
The production method according to claim 1, wherein the total amount of the acid is 1: 5, and the total acid content in the etching solution is 0.6 to 0.9 mol per 100 g of the etching solution.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006075506A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrode and method for fabricating same |
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- 1994-09-14 JP JP22024694A patent/JP3406079B2/en not_active Expired - Lifetime
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