JP3508025B2 - マイクロメカニカルのシリコン・オン・ガラス音叉ジャイロスコープの製造方法 - Google Patents

マイクロメカニカルのシリコン・オン・ガラス音叉ジャイロスコープの製造方法

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JP3508025B2 JP52072795A JP52072795A JP3508025B2 JP 3508025 B2 JP3508025 B2 JP 3508025B2 JP 52072795 A JP52072795 A JP 52072795A JP 52072795 A JP52072795 A JP 52072795A JP 3508025 B2 JP3508025 B2 JP 3508025B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 この発明は、広くは、微小構造デバイスの製造方法に
関し、詳しくは、微小構造のシリコン・オン・ガラス音
叉ジャイロスコープの製造方法に関する。
発明の背景 回転ディスク、回転球体、クォーツ音叉、光ファイバ
ーレーザー、半球体共鳴などのジャイロスコープの機能
を遂行する多くの方法がある。さらに、ジンバルで支え
られたジャイロスコープ、および、ポリシリコンと金属
の音叉ジャイロスコープのような既知のマイクロメカニ
カルのジャイロスコープ器具が多数存在する。
“大形”または微小構造でないジャイロスコープは、
大きくて、重く、高価なものである。これまでの微小構
造のジャイロスコープは、感度が低く、度重なるマスキ
ングならびに処理工程によって作るのが困難であり、可
動のマスが電極マテリアルに接触し、これにくっついて
しまう問題がある。
共鳴マスが、下位にある通常は金の金属電極に接触す
ると、くっつきが生じ、スプリングフリーでなくなり、
しまいには、デバイスが駄目になってしまう。くっつき
やすいジャイロスコープへ加えられ駆動力と圧力のマグ
ニチュードは、この現象で制限されざるを得ない。
発明の概要 本発明の教示によれば、シリコン基板とガラス基板の
シングルサイド処理、できた基板構造体の陽極ボンディ
ング、および音叉エレメンツをフリーにする最終エッチ
ング工程を含む、マイクロメカニカル音叉ジャイロルコ
ープの製造方法が提供される。この方法は、処理工程が
少なく、簡単であって、したがって、マイクロメカニカ
ルのジャイロスコープをより安く、より容易に製造でき
るようになる。
特に、該方法は、櫛駆動マイクロメカニカル音叉ジャ
イロスコープに関して、ここで特定される。このような
ジャイロスコープは、ガラス基板の第１の面を有するも
ので、一つ、又は、それ以上のアンカーから伸びている
第１と第２の振動組み立て体を備える回転可能なシリコ
ン組み立て体が前記の面の上にサスペンドされている。
それぞれの振動組み立て体の両端には、駆動及び被駆動
のフィンガー電極が配置されていて、これら電極は、振
動モーションを音叉の振動エレメンツに与える、それぞ
れ間にはさみこまれた複数のフィンガーによって形成さ
れている。該フィンガー電極は、エリアと容量並びにデ
バイスのモーションに伴う容量変化を大幅に増大するも
ので、これによって、システムの感度を大きく向上させ
る。
そのようなジャイロスコープする方法は、各シリコン
基板の第１の面とガラス基板で行われる。該シリコン基
板については、一つ、または、それ以上の凹部が水酸化
カリウム（KOH）を用いて形成される。続く単一のボロ
ン拡散で、シリコンジャイロスコープ構造の厚みを決め
る。最後に、反応性イオンエッチング（RIE）を用い
て、選択した位置におけるボロンエッチング停止層を越
えて該構造体の特徴部を定める。
ガラス基板処理は、該ガラスの第１の面を選択的に凹
ます第１の工程を含む。つぎに、チタン・プラチナ・ゴ
ールドのようなマルチメタル・システムを凹んだ第１の
面にデポジットし、ついで、選択的に取り去り、該面を
越してほんの僅かに伸びている金属デポジットをもった
平らなガラス面にする。
最終的に、一方の基板を裏返して他方の第１の面に合
わせ、両者を正合し、ついでアノードボンディングす
る。該シリコンへのリードトランスファーは、連続した
金のめっき部分を介して行われる；バインディングプロ
セスが生ずる高温により、シリコンとゴールドとがシン
ターし、かくして、化学ボンディングを形成する。
記載したようなロウプロファイルで、凹んだ金属デポ
ジットにより、マルチメタル・システムの部分をインパ
クトするシリコンジャイロスコープ構造の部分のポテン
シャルが大幅に減少するが、このようなインパクトは、
極端な角速度および／または物理的衝撃を受けるとジャ
イロスコープに起こりやすい。ついで該シリコンと最上
位のゴールド層とが、特に、ゴールドがソフトな金属で
あることから、くっつくことになる。他の実施例では、
前記ゴールドを除去することにより、マルチメタル・シ
ステムの露出した面が硬いプラチナ層になる。
シリコン・インパクトによる金属デポジットからゴー
ルドを除去する工程により、スティッキング（くっつ
き）への抵抗が増す。しかしながら、さらに別の工程を
とることにより、このデバイス破損モードの傾向を大幅
に減らすことができる。特に、プラチナ層は、マスがイ
ンパクトする接触領域を減らす隔離子または隔離ポスト
配列にパターン化できるから、これらのプラチナ隔離子
を形成することで、スティッキングが必ずや減少するも
のである。
このように形成された音叉ジャイロスコープ構成体
は、別々になっている処理工程を減らし、この結果、製
造コストと製造時間を減らし、シリコン構造体、ガラス
基板および、これらの間に配置された金属電極間の付着
に対する抵抗性を高める。ここに記載の方法の使用の他
の有益な結果には、ガラス基板の使用から渦流容量の減
少が含まれる。
図面の簡単な記述 本発明のこれらの、そして、他の特徴は、すべて例示
的の詳しい記述と添付の図面において、以下により詳し
く記載するものであって、該図面の： 図１は、本発明の方法により製造されたマイクロメカ
ニカルの櫛駆動音叉ジャイロスコープの一実施例の略図
的平面図であり； 図2Aは、本発明の方法の一つの工程を示すシリコン基
板の部分の断面図であり； 図2Bは、本発明の方法における他の工程を示す図2Aの
基板の図であり； 図2Cは、本発明の方法における他の工程を示す図2Bの
基板の図であり； 図3Aは、本発明の方法の一つの工程を示すガラス基板
の部分の断面図であり； 図3Bは、本発明の方法における他の工程を示す図3Aの
基板の図であり； 図3Cは、本発明の方法における他の工程を示す図3Bの
基板の図であり； 図4Aは、本発明の方法における図2Cの基板上に配置し
た図3Cの基板の部分の断面図であり；そして 図4Bは、本発明の方法における他の工程を示す図4Aの
基板の図である。
発明の詳細な記述 本発明は、溶解したシリコンウェーハ・プロセスによ
り製造されたマイクロメカニカルのチューニングフォー
ク・ジャイロスコープを企図するもので、該プロセスに
より、静電結合がエッチングされたガラス基板12、その
上にデポジットされた金属電極およびシリコン櫛型駆動
音叉ジャイロスコープ14の間にハーマチックシールを形
成するものである。溶解シリコンウェーハ・プロセス
は、シリコン基板のシングルサイド・プロセッシングを
含み、このプロセッシングには、凹部をエッチング、エ
ッチレジスタントドーパントをシリコン基板内に拡散
し、所望の部位における拡散層を介してエッチングする
ことによるシリコンジャイロスコープの種々のコンポー
ネンツをリリーズする工程が含まれる。ガラス基板もシ
ングルサイド・プロセッシングを受けるもので、このプ
ロセッシングには、凹部をエッチングし、該凹部にマル
チメタル・システムをデポジットし、そして、該マルチ
メタル・システムの部分をエッチングする工程が含まれ
る。一方の基板を他方に対し裏返し、二つの基板を陽極
結合する前に、これらを正合する。
図１においては、本発明により製造された櫛駆動ジャ
イロスコープの一つの実施例が示されている。かく製造
されたジャイロスコープは、多数のそれぞれ入り組んだ
フィンガー24により形成された駆動フィンガー電極16と
被駆動フィンガー電極18を用いて振動モーションを音叉
振動要素20に与える。該フィンガー電極は、エリアと容
量ならびにデバシスのモーションによる容量変化を大幅
に増大して、システムの感度を大幅に向上する。さら
に、このような電極構造は、ここに記載の溶解シリコン
ウェーハ・プロセスに適応する。かくて、音叉ジャイロ
スコープ14により、ガラス基板の使用に起因の渦流容量
が減り、別々のプロセッシング工程を減らして製造コス
トダウンと製造時間の短縮が図れ、シリコン基板、ガラ
ス基板および、これらの間の金属電極の間の付着に対す
る抵抗を増やす。
ここに記載のプロセスは、図１に示された以外のマイ
クロメカニカルの櫛形ドライブ・ジャイロスコープの種
々の具体形の製造に適用できることが理解できる。しか
しながら、これらのジャイロスコープには、つぎのよう
な要素を含むことが共通の特徴である。ガラス基板の第
１の面は、その上に、シリコンの回転可能の組み立て体
30をサスペンドしており、この組み立て体は、一つ、又
は、それ以上のアンカー32から延長している第１と第２
の振動組み立て体20を備えている。ガラス基板の第１の
面には、被駆動フィンガー電極18と互い違いに組み合っ
ている協同する駆動フィンガー電極16が配置されてい
る。トルク電極36またはリバランス電極、および感知電
極38が振動組み立て体および／または振動組み立て体と
アンカーとの間に延びている支持構造体の部分の下位の
ガラス基板に配置されている。また、ガラス基板には、
トランスデューサーを電極36,38および左側駆動モータ
ー44、右側駆動モーター46および中央駆動モーター48を
接続する金属導電リード40が配置されている。これらの
トランスデューサーは、左側トルクトランスデューサー
50、右側トルクトランスデューサー52、左側感知トラン
スデューサー54、右側感知トランスデューサー56および
モータートランスデューサー58を含む。
要するに、図１に示したようなジャイロスコープ14の
製造方法は、反応性イオンエッチング（RIE）とシリコ
ンのボロン拡散で開始されて、サスペンドされたジャイ
ロスコープ構造を作る。特別に言えば、図2Aに示すよう
に、プロセッシングは、モデレートのドーピング（例え
ば、＞１Ω−cm）のｐ型シリコンウェーハ100で開始さ
れる。水酸化カリウム（KOH）を用いて、該シリコンに
エッチングされた凹部102が電極を構成する導電性要素
のためのギャップ間隙を定める。凹部は、RIE技術また
はプラズマ技術を用いて形成することもできる。
図2Bに示すように、次に、高温（例えば、1150℃から
1175℃）ボロン（p++）拡散層104がシリコン基板の面に
形成される。５μｍから10μｍの範囲にある拡散層の深
さで、作られるジャイロスコープ構造体の厚みが決ま
る。該構造体の特徴のアウトラインは、RIEを使用して
の該p++拡散エッチング停止層104のエッチングにより定
まり、かくして、図2Cに示すような構造体の個々の要素
をリリーズし、ユニークに定める。好ましくは、CF3Br
（トリフルオロブロモメタン）化学品をパラレルプレー
ト・リアクター内で用いて、ストレイトの側壁106を作
り、ハイアスペクト比にする。BCl3/Cl2（ボロン・トリ
クロライド／クロライン）またはHBr（臭化水素）、CF4
（四フッ化炭素）、O2（酸素）化学混合物のような化学
品も使用できるものである。
したがって、図2Bのボロン拡散層がジャイロスコープ
の厚みを決定し、図2CのRIEエッチングがジャイロスコ
ープ要素の幅を決める。
図3Aから図3Cを参照して、ガラス・プロセッシングを
記述する。図3Aにおいては、＃7740コーニング・ガラス
ウェーハのようなガラスウェーハ12を選択的にエッチン
グして、低地になった金属デポジション・サイト200を
形成する。フッ化水素酸またはプラズマ（例えば、RI
E）をガラスエッチング剤として用いる。次に、マルチ
メタル・システム202をエッチングされた凹部にデポジ
ットする。本発明の一つの実施例は、チタン・プラチナ
・ゴールド（Ti−Pt−Au）を組み合わせたものを電極と
コンダクターに使用する。チタン210を最初に、ガラス
ウェーハ12の凹部200に、そのガラスに対する良好な付
着性による理由で、例えば被膜厚さ400Åといった厚さ
で被着する。つぎに、プラチナ層212をチタン層210に、
例えば、700Åの深さで、被着する。最後に、例えば、
深さが1000Åのゴールド層214をプラチナ層212に被着す
る。ゴールド層214により、ワイヤーボンディングのた
めのすぐれたコンタクトポイントが作られる。これらの
例示的厚さによって、ガラス基板12の上に、僅か500Å
だけ金属が突き出る平らな構造体が作られる。
これら３種の金属は、互いに合金にならないもので、
静電結合を約375℃の温度で行える。さらにプラチナ層2
12は、ゴールド層214とチタン層210相互の付着性を高め
る付着プロモーターとして機能する。しかしながら、ゴ
ールド層214は、モデレートな圧力（例えば、＞50ト
ル）で圧縮されるソフトな金属である。
述べたように、マイクロメカニカルで、ガラス基板に
シリコン基板があり、櫛型駆動のジャイロスコープの種
々の具体例が知られている。これら具体例においては、
シリコンデバイスと金属電極との間のミニマムの電極ギ
ャップは、理想的に減らされていて、より高いマグニチ
ュードの駆動力とより大きなアンプリチュードの振動の
使用が可能となり、これによって、ジャイロスコープの
感度が増大する。そしてさらに、電極ギャップを最小の
ものにして、より高い圧力のもとにジャイロスコープを
操作できるようになっている。この電極ギャップの極小
化の結果として、“スティッキング”が発生する；下に
位置するゴールドまたは他のソフトの金属電極に対する
シリコン共鳴マスの付着は、レート感知デバイスを使い
ものにできなくしてしまう。
メカニカル音叉ジャイロスコープのネガティブな点を
克服するために、本発明によるジャイロスコープの一つ
の実施例は、ゴールドを、化学的に安定であり（したが
って、化学反応が付着を助けない）、圧縮に耐え、EDP
に耐える金属に置き換えている。プラチナ層212がこれ
らの要求を満たすものであって、図3Bに示すように、大
きな力のシリコンインパクトを受ける電極の上面220に
位置するのが理想的である。例えば、類似の特性を持つ
他の金属もプラチナの代替になることを認識できる。例
えば、適当な金属としては、耐熱性の珪素化合物および
タングステン、モリブデン、チタン・タングステン（Ti
W）、パラジウム、イリジウム、タングステン珪化物お
よびチタン珪化物のような貴金属の範疇にあるものであ
る。しかしながら、ジャイロスコープの実施例のいくつ
かにおいては、ゴールドとのゴールドとコンビネーショ
ン（例えば、チタン・ゴールド、プラチナ・ゴールド）
も許容できる。
付着またはスティッキングの問題に対処する他のアス
ペクトは、二つの接触するマテリアルズの間の接触領域
による縦方向の硬度である。接触領域が減れば、有効な
スティッキング力も減少する。この点は、本発明におい
ては、ゴールド層214をサスペンドされているシリコン
デバイスト接触しやすい領域、例えば、電極の領域から
エッチングで取り除くことによって達成している。下位
に位置するプラチナ層にマスキングして、エッチングを
行い、ポストまたは隔離子を形成し、これによって、図
3Cに示すように、トータルの接触領域を減らす。ゴール
ド層のエッチングを行うに適当なエッチング剤は、ヨー
素ベースの溶液である。
隔離子230の数を少なくすることは有益であるが、こ
の数が少なすぎると、インパクトするシリコンが該隔離
子にだらりと下がり、残っているプラチナシートまたは
露出したタイタンシートに接触し、かくして、付着傾向
を助長する。四角な配置の４個の隔離子がフリーのスタ
ンディング膜体に対するコーナーとして作用する；実際
には、４つのコーナーの隔離子の間の領域が圧力センサ
ーとして機能する。これらの領域の硬度は、プレートベ
ンディング理論の基づく。隔離子の間のリニアのスペー
ス、dmaxは、次式により与えられる： 式（１） Ｅ＝ヤング率 ｔ＝プレートの厚さ ｈ＝ギャップスペース θ＝接触角度 ν＝ポアッソン比 α＝0.00581 γ１＝サーフェステンション（72mJ/m2） 例示実施例によれば、高さ0.3μｍの隔離子について
は、dmax＝118μｍである。
記述し、図解した本発明の一つの実施例は、プラチナ
の隔離子230を有している。しかしながら、プラチナの
平らな層は、すでに述べたプラチナの有益な物理特性
と、サスペンドしているシリコンジャイロスコープ構造
体に対する金属コンダクタの低い輪郭によって、適用さ
れるジャイロスコープによっては、十分な付着抵抗性が
あるものであることを理解すべきである。
さらに、本発明は、ソリッドのガラスウェーハ基板12
を使用するものとして記載されている。シリコン構造体
とガラス基板との間のサーマルミスマッチのインパクト
を比較的厚いシリコン構造体により、なくすことができ
る。しかしながら、ガラス基板の利点、即ち、アモルフ
ァスガラスが不均一のシリコンウェーハ面と漂遊粒子に
結合する漂遊キャパシタンスと漂遊能力の減少がシリコ
ンウェーハにスパッタリングされたガラスを使うことで
達成できる。そのような基板は、サーマルミスマッチの
おそれがなくなり、シリコンへのガラスのアノードボン
ディングに起因する前記利点が守られる。さらに、結合
すべきガラスの層がより薄いことで、低温のアノードボ
ンディングが行える。
シリコンウェーハ100とガラスウェーハ12を処理した
後、図4A〜図4Bに示すように、一方のウェーハを逆さに
して両者を正合する。ガラスとシリコン構造体は、例え
ば、375℃の温度、該ガラスとシリコン両者へのポテン
シャルが約1000Vで静電結合される。ガラス基板12の上
にデポジットされたゴールド層214と、シリコン層100と
が圧縮結合され、ついで、シンタリングして、化学的に
結合された導電性低抵抗のリード（例えば、40μmx20μ
ｍ領域に対し40Ω）を作る。
プロセスの最終工程は、エチレン・ジアミン・ピロカ
テコール・水（EDP）における選択的エッチングであ
る。EDPは、シリコン基板100を溶解するが、ヘビイにド
ープされた（p++）拡散層104104で溶解が停止する。水
酸化カリウム、ヒドラリンおよびフッ化水素酸・硝酸・
酢酸溶液のような他の選択的シリコンエッチング剤がシ
リコン溶解のための代替物である。このように、全体の
製造シーケンスは、唯一のシングルサイド・プロセッシ
ングで、シリコンへのマスキング工程も最少で、シリコ
ンへの拡散工程も１回で、ガラスへのマスキングも１回
である。この処理は、高収率でバッチプロセスに匹敵す
る。
この発明を図解実施例について示し、記載したが、態
様と詳細における前記した種々の他の変化、省略、付加
が当業者により、発明のスピリットと範囲を逸脱するこ
となしに行えるものであることを理解すべきである。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−172846（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−16769（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−304303（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−133976（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01C 19/56 G01P 9/04 H01L 21/306

Claims (23)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】関連した電極、トランスデューサーおよび
    接続する電気リードを含み、慣性率感知に適したジャイ
    ロスコープである櫛型駆動音叉ジャイロスコープを製造
    する方法で、以下の工程からなる方法： 第１の面をもつシリコン基板を用意し； 前記シリコン基板の前記第１の面の選択した領域に前記
    ジャイロスコープの別個の要素を形成し； 第１の面をもつガラス基板を用意し； 前記ガラス基板の前記第１の面の複数の凹んだ領域に複
    数の複層金属デポジットを形成し、前記複層金属デポジ
    ットの第１の金属層はソフトな金属からなり； 前記複層金属デポジットの第１の金属層をエッチングし
    て前記複層金属デポジットの第２の金属層を露出させ、
    前記第２の金属層をマスキングして前記第２の金属層を
    エッチングすることにより、前記複数の凹んだ領域の選
    択したものから前記音叉ジャイロスコープの可動マスに
    対向する個所として選択した前記第１の金属層の部分を
    除去するとともに、当該除去部分に複数の隔離子を形成
    し； 前記シリコン基板の前記第１の面を前記ガラス基板の前
    期第１の面へボンディングし；そして 前記シリコン基板をエッチング剤にさらすこと。
  2. 【請求項２】前記ジャイロスコープ形成の工程が以下の
    工程を含む請求の範囲１の方法： 前記シリコン基板の前記第１の面に複数の突き出た領域
    を形成し； 前記シリコン基板の第１の面へシリコンエッチング耐性
    のあるドーパントを拡散することによって、前記シリコ
    ン基板にドープされた領域とドープされていない領域と
    を形成し；そして 前記シリコン基板の前記第１の面の選択された部分を除
    いて、前記ジャイロスコープの前記別々の要素を画定す
    ること。
  3. 【請求項３】複層金属デポジットを形成する前記工程が
    以下の工程を含む請求の範囲１の方法： 前記ガラス基板の前記第１の面をエッチングし、複数の
    凹んだ領域を形成し；そして 前記ガラス基板の前記凹んだ領域に、個々の導電性金属
    層を連続してデポジットすることにより、前記複数の複
    層金属被着層を形成すること。
  4. 【請求項４】第１の金属層を除去する前記工程が前記第
    １の金属層をエッチングして、前記第２の層の平な面を
    露出させる工程を含む請求の範囲１の方法。
  5. 【請求項５】前記第１の金属層をエッチングする工程が
    前記第１の金属層をマスキングし、そして、前記マスク
    された第１の金属層をエッチング剤にさらす工程を具備
    する請求の範囲１の方法。
  6. 【請求項６】前記第２の金属層をエッチングする前記工
    程が前記第２の金属層に規則的に間隔をおいた配列の前
    記隔離子を形成するものである請求の範囲１の方法。
  7. 【請求項７】前記第２の金属層をエッチングする前記工
    程が前記複数の隔離子が伸びている第３の金属層を露出
    する工程を含む請求の範囲１の方法。
  8. 【請求項８】前記第２の金属層をエッチングする前記工
    程が前記複数の隔離子が延びている前記第２の金属層の
    平らな面を形成する工程を含む請求の範囲１の方法。
  9. 【請求項９】前記シリコン基板の前記第１の面を前記ガ
    ラス基板の前記第１の面にボンドする前記工程が以下の
    工程を含む請求の範囲１の方法： 前記シリコン基板と前記ガラス基板の一方を上下反転さ
    せ； 整合したオリエンテーションに前記両基板を配置し；そ
    して 前記両基板をボンディングすること。
  10. 【請求項１０】前記ボンディングの工程が両基板をアノ
    ードボンディングする工程を含む請求の範囲９の方法。
  11. 【請求項１１】前記複数の凹んだ領域に複数の複層金属
    デポジットを形成する前記工程が、チタンの第３の基
    層、プラチナの第２の基層およびゴールドの第１の基層
    をこの順に連続してデポジットする工程を含む請求の範
    囲１の方法。
  12. 【請求項１２】レートセンサー用途に使用されるに適し
    たマイクロメカニカル音叉構造体を形成するプロセスで
    あって、以下の工程からなるプロセス： 平らな第１の面をもつシリコン基板を用意すること； 前記シリコン基板の前記第１の面の高さが変化するパタ
    ーンを形成すること； 前記シリコン基板の前記第１の面を独立した時間にわた
    り、シリコンドーパントにさらすこと； 前記シリコン基板の選択した部分を除くこと； 平らな第１の面を有する第２の基板を用意し、該第２の
    基板の前記第１の面はガラスからなること； 前記第２の基板の前記第１の面に複数の凹部を形成する
    こと； 前記複数の凹部に複数の積層した金属層をデポジット
    し、前記複数の積層した金属層の第１の金属層はソフト
    な金属からなること； 前記複数の凹部の少なくとも一つから第２の金属層を露
    出させるように前記音叉構造体の可動マスに対向するこ
    ととなる個所の第１の金属層を除去すること； 前記第２の基板の前記第１の面に対して前記シリコン基
    板の前記第１の面を配置すること； 前記シリコンドーパントにさらされていない前記シリコ
    ン基板の第２の面を除くこと。
  13. 【請求項１３】前記シリコン基板の前記第１の面に高さ
    が変化しているパターンを形成する前記工程が水酸化カ
    リウムまたはプラズマ技術を用いて前記シリコン基板の
    前記第１の面をエッチングする工程を含む請求の範囲12
    の方法。
  14. 【請求項１４】前記シリコン基板の前記第１の面を露出
    させる前期工程が前記シリコン基板の前記第１の面へボ
    ロンを拡散する工程を含む請求の範囲12の方法。
  15. 【請求項１５】前記シリコン基板の選択された部分を除
    去する前記工程がパラレルプレート・リアクター内でト
    リフルオロブロモメタン化学作用を使用することを含む
    請求の範囲12の方法。
  16. 【請求項１６】第２の基板を設ける前記工程がガラスか
    らなる第２の基板を設ける工程を含む請求の範囲12の方
    法。
  17. 【請求項１７】第２の基板を設ける前記工程がガラスを
    スパッタリングして被着した第２の基板を設ける工程を
    含む請求の範囲12の方法。
  18. 【請求項１８】前記第２の基板の前記第１の面に複数の
    凹部を形成する前記工程がフッ化水素酸またはプラズマ
    技術を用いて前記第２の基板をエッチングする工程を含
    む請求の範囲12の方法。
  19. 【請求項１９】前記複数の凹部に複数の積層された金属
    層をデポジットする前記工程がチタンの第３の基層、プ
    ラチナの第２の基層およびゴールドの第１の基層をこの
    順に連続してデポジットする工程を含む請求の範囲12の
    方法。
  20. 【請求項２０】第１の金属層を除いて第２の金属層を露
    出させる前記工程が以下の工程を含む請求の範囲12の方
    法： 前記第１の金属層をエッチングすること； 前記第２の金属層をマスキングすること；および 前記第２の金属層をエッチングすること。
  21. 【請求項２１】前記第２の金属層をエッチングする前記
    工程が前記第２の金属層から伸びる複数の隔離子を形成
    する請求の範囲20の方法。
  22. 【請求項２２】前記第２の基板の前記第１の面に対し
    て、前記シリコン基板の前記第１の面を配置する前記工
    程が前記シリコン基板の前記第１の面と前記第２の基板
    の前記第１の面を互いにアノードボンドする工程を含む
    請求の範囲12の方法。
  23. 【請求項２３】前記シリコン基板の前記第２の面を除去
    する前記工程が前記第２の面をエチレン・ジアミン・ピ
    ロカテコール・水にさらす工程を含む請求の範囲12の方
    法。
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