JP3505212B2 - Joint and method of manufacturing joint - Google Patents
Joint and method of manufacturing jointInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス基材を用
いた接合体およびセラミックス基材の表面を金属化した
メタライズ体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bonded body using a ceramic base material and a metallized body in which the surface of the ceramic base material is metallized.
【０００２】[0002]
【従来の技術】セラミックス基材と金属基材、あるいは
セラミックス基材同士の接合技術は、半導体デバイス等
の機能材料の接合からガスタービン等の構造材料の接合
までの広い範囲で応用されている。従来の有効な接合方
法としては、 Mo-Mn法、ＤＢＣ法、活性金属法等が知ら
れている。2. Description of the Related Art Joining techniques of ceramic base materials and metal base materials or ceramic base materials are widely applied from the bonding of functional materials such as semiconductor devices to the bonding of structural materials such as gas turbines. The Mo-Mn method, the DBC method, the active metal method and the like are known as conventional effective joining methods.
【０００３】上述したような接合方法のうち、 Mo-Mn法
やＤＢＣ法を適用した場合、得られる接合体は引張り強
度等に代表される機械的接合強度が母材強度と比較して
低いため、上記方法は強度や耐熱疲労性等が要求される
ような部位への適用が困難であるという問題を有してい
た。接合体の強度が母材と比較して低い理由は主に、界
面における化学的接合力が低い場合と、セラミックス基
材内に接合相手材等との熱膨張係数の違いに起因する応
力集中部が生じ、この部分の強度が劣化する場合が考え
られる。Among the above-mentioned joining methods, when the Mo-Mn method or the DBC method is applied, the resulting joined body has a lower mechanical joining strength represented by tensile strength and the like as compared with the base metal strength. However, the above method has a problem that it is difficult to apply the method to a site where strength and heat fatigue resistance are required. The reason why the strength of the bonded body is lower than that of the base material is mainly due to the low chemical bonding strength at the interface and the stress concentration part in the ceramic base material due to the difference in the thermal expansion coefficient between the bonded base material and the like. May occur and the strength of this part may deteriorate.
【０００４】活性金属法は、Ti等のセラミックスに対す
る還元作用等を利用して、界面における高い化学的結合
力で接合を行うもので、 Mo-Mn法やＤＢＣ法等に比べて
高い機械的接合強度を有する接合体が得られるため、有
効な接合方法とされている。しかし、活性金属法を適用
した場合でも、セラミックス基材内に発生する応力集中
が未だ大きいことから、得られる接合体においてはセラ
ミックス母材より機械的強度が十分ではない。[0004] The active metal method uses a reducing action on ceramics such as Ti to bond with a high chemical bonding force at the interface, and has a higher mechanical bonding than the Mo-Mn method or the DBC method. This is an effective joining method because a joined body having strength can be obtained. However, even when the active metal method is applied, the stress concentration generated in the ceramic base material is still large, and therefore the resulting joined body has insufficient mechanical strength as compared with the ceramic base material.
【０００５】このように、セラミックス接合体の強度を
セラミックス母材並にするためには、界面での化学的結
合力の向上を図ると共に、セラミックス側の応力集中を
抑制するという、 2つの因子を制御する必要があるが、
現状の接合方法はこれらを十分に満足するまでには至っ
ていない。As described above, in order to make the strength of the ceramics bonded body equal to that of the ceramics base material, two factors are required to improve the chemical bonding force at the interface and suppress the stress concentration on the ceramics side. Need to control,
The current joining method has not been fully satisfied with these.
【０００６】一方、前述した Mo-Mn法、ＤＢＣ法、活性
金属法等は、セラミックス基材の接合に限らず、セラミ
ックス基材表面の金属化（メタライズ）にも適用されて
いる。セラミックス基材のメタライズは、セラミックス
基材を回路基板等として使用する際の回路の形成手段と
して広く利用されている。しかし、このようなメタライ
ズ技術においても、上述した接合体の場合と同様に、従
来法ではセラミックス基材とメタライズ層との接合強度
（密着性）を十分に高めることができないという問題が
あった。On the other hand, the above-mentioned Mo-Mn method, DBC method, active metal method, etc. are applied not only to the joining of ceramic base materials but also to the metallization of the ceramic base surface. Metallization of a ceramic base material is widely used as a circuit forming means when the ceramic base material is used as a circuit board or the like. However, even in such a metallizing technique, as in the case of the above-mentioned bonded body, the conventional method has a problem that the bonding strength (adhesion) between the ceramic base material and the metallized layer cannot be sufficiently increased.
【０００７】また、セラミックス基材のメタライズ技術
においては、上記した接合強度の点以外に、回路パター
ン等の再現性やメタライズ層の物理的特性等も考慮しな
ければならない。例えば、従来のTiを含む Ag-Cuろう材
を用いたメタライズ層の形成方法においては、上記ろう
材を溶融させ、ろう材の液相状態を利用してメタライズ
層を形成しているため、ろう材の側面等へのはみ出し等
が生じやすく、微細なパターンを形成することが困難で
あった。In addition, in the technique of metallizing a ceramic substrate, reproducibility of a circuit pattern, physical characteristics of a metallized layer and the like must be considered in addition to the above-mentioned bonding strength. For example, in the conventional method of forming a metallized layer using an Ag-Cu brazing filler metal containing Ti, the brazing filler metal is melted and the metallized layer is formed by utilizing the liquid phase state of the brazing filler metal. It was difficult to form a fine pattern because the material was likely to protrude to the side surface or the like.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の接合方法やメタライズ方法は、接合界面にてセラミッ
クス母材の強度に匹敵するような、十分に高い機械的接
合強度を得ることが困難であるという問題を有してい
た。As described above, it is difficult for the conventional joining method and metallizing method to obtain a sufficiently high mechanical joining strength comparable to the strength of the ceramic base material at the joining interface. Had the problem of being.
【０００９】このようなことから、セラミックス接合体
においては、界面での化学的結合力の向上を図ると共
に、セラミックス側の応力集中を再現性よく抑制するこ
とが可能な接合技術が強く求められている。また、セラ
ミックスメタライズ体においては、十分な密着強度が再
現性よく得られると共に、微細なパターンの再現性に優
れたメタライズ技術が強く求められている。Therefore, in the ceramics joined body, there is a strong demand for a joining technique capable of improving the chemical bonding force at the interface and suppressing the stress concentration on the ceramics side with good reproducibility. There is. Further, in the ceramic metallized body, there is a strong demand for a metallization technique which can obtain sufficient adhesion strength with good reproducibility and is excellent in reproducibility of fine patterns.
【００１０】特に、酸化物系セラミックス基材に比べ
て、機械的特性、熱伝導性等の点で優れる窒化物系セラ
ミックス基材や炭化物系セラミックス基材を用いた場合
に、上述したような条件を満足させることが強く望まれ
ている。In particular, when a nitride ceramics base material or a carbide ceramics base material, which is superior to the oxide ceramics base material in mechanical properties, thermal conductivity, etc., is used, the above-mentioned conditions are satisfied. It is strongly desired to satisfy.
【００１１】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、界面での化学的結合力の向上を図る
と共に、セラミックス側の応力集中を再現性よく抑制
し、高機械的接合強度が安定して得られる接合体を提供
することを目的としている。また、本発明の他の目的
は、窒化物系セラミックス基材を用いた場合に、界面で
の化学的結合力の向上を図ると共に、セラミックス側の
応力集中を抑制し、高機械的接合強度が安定して得られ
る接合体を提供することにある。The present invention has been made in order to address such a problem, and aims to improve the chemical bonding force at the interface, suppress stress concentration on the ceramic side with good reproducibility, and achieve high mechanical bonding. The object is to provide a joined body with stable strength. Another object of the present invention is to improve the chemical bonding force at the interface when the nitride-based ceramic base material is used, suppress the stress concentration on the ceramic side, and improve the high mechanical bonding strength. It is to provide a joined body that can be stably obtained.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段と作用】本発明者らは、前
述したセラミックスの接合やメタライズについて検討を
重ねた結果、活性金属を含む接合層内に存在する化合物
層等の厚さを特定の膜厚比内に制御することにより、化
学的結合力の向上を図った上で、セラミックス側の応力
集中を再現性よく緩和することが可能であること、また
窒化物系セラミックス基材を用いる場合には、活性金属
を含む接合層やメタライズ層内のセラミックス基材との
界面近傍に、セラミックス基材の構成元素のうち非金属
元素を含む特定構造の化合物を存在させることにより、
化学的結合力の向上を図った上で、セラミックス側の応
力集中を緩和することが可能であることを見出した。Means and Actions for Solving the Problems As a result of repeated studies on the bonding and metallization of the above-mentioned ceramics, the present inventors have determined the thickness of the compound layer or the like existing in the bonding layer containing the active metal. By controlling within the film thickness ratio, it is possible to improve the chemical bonding force and relieve the stress concentration on the ceramic side with good reproducibility. Also, when using a nitride-based ceramic substrate By the presence of a compound having a specific structure containing a non-metal element among the constituent elements of the ceramic base material in the vicinity of the interface with the ceramic base material in the bonding layer or the metallized layer containing the active metal,
It was found that the stress concentration on the ceramics side can be relaxed after improving the chemical bonding force.
【００１３】本発明における第１の接合体は、上記した
第１および第２の知見に基いて成されたもので、セラミ
ックス基材と金属基材、あるいはセラミックス基材同士
が、酸素、窒素または炭素の拡散層と金属層とを有する
接合層を介して接合されている接合体であって、前記拡
散層と金属層との層厚比が 1:999〜 7:3の範囲であるこ
とを特徴としている。また、上記接合体において、前記
拡散層は、酸素、窒素または炭素と、Ti、Zr、Hf、Ta、
NbおよびMoから選ばれた少なくとも 1種とが少なくとも
共存する層であることを特徴としている。The first bonded body in the present invention is formed based on the above-mentioned first and second findings, and the ceramic base material and the metal base material or the ceramic base materials are oxygen, nitrogen or A bonded body bonded through a bonding layer having a carbon diffusion layer and a metal layer, wherein the layer thickness ratio of the diffusion layer and the metal layer is in the range of 1: 999 to 7: 3. It has a feature. Further, in the above joined body, the diffusion layer, oxygen, nitrogen or carbon, Ti, Zr, Hf, Ta,
The layer is characterized by at least coexisting with at least one selected from Nb and Mo.
【００１４】本発明における第２の接合体は、上記した
第２の知見に基いて成されたものであり、窒化物系セラ
ミックス基材と金属基材、あるいは少なくとも一方が窒
化物系セラミックスからなるセラミックス基材同士の接
合体であって、Ti、Zr、Hf、Ta、NbおよびMoから選ばれ
た少なくとも１種からなる第１の金属元素と、Cu、Ni、
Co、Fe、Mn、Cr、 VおよびZnから選ばれた少なくとも１
種からなる第２の金属元素と、窒素とを、組成比で 70a
t%以上含有する化合物を含む接合層を介して、前記窒化
物系セラミックス基材と金属基材、あるいは前記セラミ
ックス基材同士が接合されていることを特徴としてい
る。[0014] second binder that put the present invention, the above
Has been made based on the second knowledge, nitrogen fluoride-based ceramic substrate and metal substrate, or at least one of a conjugate between a ceramic substrate made of a nitride ceramic, Ti, Zr, A first metal element consisting of at least one selected from Hf, Ta, Nb and Mo, and Cu, Ni,
At least 1 selected from Co, Fe, Mn, Cr, V and Zn
The second metal element consisting of seeds and nitrogen are mixed in a composition ratio of 70a.
The nitride ceramics base material and the metal base material or the ceramics base materials are bonded to each other through a bonding layer containing a compound containing t% or more.
【００１５】[0015]
【００１６】[0016]
【００１７】[0017]
【００１８】まず、本発明における第１の接合体につい
て詳述する。第１の接合体は、上述したように、接合層
中に存在する酸素、窒素または炭素の拡散層と金属層と
の層厚比を 1:999〜 7:3の範囲に制御したものである。
ここで、接合体に用いるセラミックス基材としては、酸
化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウ
ム、酸化ベリリウム、酸化ケイ素等を主体とする酸化物
系セラミックス焼結体、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ボロン等を主体とする窒化物系セラミックス焼
結体、炭化ケイ素等を主体とする炭化物系セラミックス
焼結体等、各種のセラミックス焼結体を適用することが
可能である。また、金属基材としては、鋼材、 Fe-Ni系
合金、Mo合金、 W合金等、用途に応じて種々の金属材料
を適用することが可能である。First, the first bonded body in the present invention will be described in detail. As described above, the first bonded body has a layer thickness ratio of the diffusion layer of oxygen, nitrogen, or carbon present in the bonding layer and the metal layer controlled in the range of 1: 999 to 7: 3. .
Here, as the ceramic base material used for the bonded body, an oxide ceramics sintered body mainly containing aluminum oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, beryllium oxide, silicon oxide, etc., aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, etc. It is possible to apply various types of ceramics sintered bodies such as a nitride-based ceramics sintered body containing mainly, a carbide-based ceramics sintered body containing silicon carbide or the like as a main body. Further, as the metal base material, various metal materials such as steel materials, Fe—Ni based alloys, Mo alloys, W alloys and the like can be applied depending on the application.
【００１９】上記接合層中の拡散層は、基本的にはセラ
ミックス基材の構成元素のうちの非金属元素、すなわち
酸素、窒素または炭素が接合層側に拡散して形成される
ものであり、このような拡散層の形成を容易にするため
に、接合層のセラミックス基材との界面近傍には、Ti、
Zr、Hf、Ta、NbおよびMoから選ばれた少なくとも 1種の
活性金属を配置することが好ましい。すなわち、拡散層
の好ましい形態は、酸素、窒素または炭素と、Ti、Zr、
Hf、Ta、NbおよびMoから選ばれた少なくとも 1種の活性
金属とが少なくとも共存する層である。また、拡散層中
の酸素、窒素または炭素の量は 10at%以上であることが
好ましい。酸素、窒素または炭素の量が10at%未満であ
ると、十分な接合力を得ることが困難となる。The diffusion layer in the bonding layer is basically formed by diffusing a non-metal element of the constituent elements of the ceramic substrate, that is, oxygen, nitrogen or carbon to the bonding layer side. In order to facilitate the formation of such a diffusion layer, Ti,
It is preferable to dispose at least one active metal selected from Zr, Hf, Ta, Nb and Mo. That is, the preferred form of the diffusion layer is oxygen, nitrogen or carbon, and Ti, Zr,
It is a layer in which at least one active metal selected from Hf, Ta, Nb and Mo coexists. The amount of oxygen, nitrogen or carbon in the diffusion layer is preferably 10 at% or more. If the amount of oxygen, nitrogen or carbon is less than 10 at%, it becomes difficult to obtain a sufficient bonding force.
【００２０】ここで、拡散層内における酸素、窒素また
は炭素は、金属中に固溶している状態でもよいが、酸化
物、窒化物、炭化物等の化合物の形態で存在させること
が好ましい。上記化合物としては、酸素、窒素および炭
素から選ばれた 1種と活性金属との化合物、酸素、窒素
および炭素から選ばれた 1種と活性金属と第２の金属元
素との 3元系化合物等が挙げられる。この 3元系化合物
を構成する第２の金属元素は、接合層中に存在する金属
層の構成元素であってもよいし、またそれ以外の金属元
素であってもよい。Here, oxygen, nitrogen or carbon in the diffusion layer may be in a solid solution state in the metal, but it is preferable to exist in the form of a compound such as an oxide, a nitride or a carbide. Examples of the compound include a compound of one kind selected from oxygen, nitrogen and carbon and an active metal, a ternary compound of one kind selected from oxygen, nitrogen and carbon and an active metal and a second metal element, etc. Is mentioned. The second metal element forming the ternary compound may be a constituent element of the metal layer existing in the bonding layer, or may be another metal element.
【００２１】上記 3元系化合物の具体例としては、拡散
層内の元素が酸素である場合にはMe(1)-Me(2)-O 系化合
物（ただし、Me(1)=Ti,Zr,Hf,Ta,Nb,Mo から選ばれる少
なくとも 1種、Me(2)=Cu,Ni,Co,Fe,Mn,Cr,V,Znから選ば
れる少なくとも 1種）、拡散層内の元素が窒素である場
合には Me(1)-Me(2)-N系化合物（ただし、 Me(1)および
Me(2)は前記と同様）、拡散層内の元素が炭素である場
合には Me(1)-Me(2)-C系化合物（ただし、 Me(1)および
Me(2)は前記と同様）が挙げられ、いずれもMe(1)と Me
(2)と酸素、窒素または炭素とを原子比で 3:3:1〜 4:2:
1の範囲で含む、空間群Fd3mのダイヤモンド構造を有す
る化合物が好ましい。このような空間群Fd3mのダイヤモ
ンド構造を有する化合物は、セラミックス基材と化学的
結合力の大きい界面を形成すると共に、それ自体の熱膨
張係数がセラミックス基材と金属基材の中間的な値とな
るため、セラミックス基材側に発生する応力を低減する
役割を果たす。As a specific example of the above ternary compound, when the element in the diffusion layer is oxygen, a Me (1) -Me (2) -O based compound (where Me (1) = Ti, Zr , Hf, Ta, Nb, Mo, at least one selected from Me (2) = Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, V, Zn), and the element in the diffusion layer is nitrogen. Is Me (1) -Me (2) -N based compound (provided that Me (1) and
Me (2) is the same as above), and when the element in the diffusion layer is carbon, the Me (1) -Me (2) -C-based compound (provided that Me (1) and
Me (2) is the same as above), both of which are Me (1) and Me
(2) and oxygen, nitrogen or carbon in an atomic ratio of 3: 3: 1 to 4: 2:
A compound having a diamond structure of space group Fd3m, which is included in the range of 1, is preferable. Such a compound having a diamond structure of the space group Fd3m forms an interface with a large chemical bonding force with the ceramic base material, and its own thermal expansion coefficient is an intermediate value between the ceramic base material and the metal base material. Therefore, it plays a role of reducing the stress generated on the ceramic base material side.
【００２２】上述したような 2元系化合物や 3元系化合
物は、少なくともセラミックス基材との接合界面近傍に
存在させることが好ましく、具体的には層状に存在させ
たり、あるいは分散して存在させる。拡散層は、上述し
たような化合物のみによって構成してもよいし、あるい
は上記化合物とその構成金属元素との混合層としてもよ
い。さらに、拡散層内には、後述する金属層の構成元素
や酸素、窒素、炭素以外のセラミックス基材を構成する
元素等が拡散していても特に問題はない。The above-mentioned binary compound and ternary compound are preferably present at least in the vicinity of the bonding interface with the ceramic substrate, and specifically, they are present in a layered form or dispersed. . The diffusion layer may be composed of only the compound as described above, or may be a mixed layer of the compound and its constituent metal elements. Furthermore, there is no particular problem even if the constituent elements of the metal layer, which will be described later, and the constituent elements of the ceramic base material other than oxygen, nitrogen, and carbon are diffused in the diffusion layer.
【００２３】また、接合層中の金属層は、実質的なろう
材成分として寄与する部分であり、例えば Ag-Cu、Cu、
Ni、Au、 Au-Cu等を主成分とする層が例示される。この
ような金属層内には、酸素、窒素、炭素以外のセラミッ
クス基材を構成する元素等が拡散していてもよい。Further, the metal layer in the bonding layer is a portion that substantially contributes as a brazing filler metal component, such as Ag-Cu, Cu,
Examples include layers containing Ni, Au, Au-Cu, etc. as main components. Elements other than oxygen, nitrogen, and carbon that form the ceramic substrate may be diffused in such a metal layer.
【００２４】本発明の第１の接合体においては、上述し
たような拡散層と金属層との層厚比を 1:999〜 7:3の範
囲とすることが重要である。すなわち、接合層中におけ
る拡散層の層厚比が小さすぎると十分な接合強度が得ら
れず、また拡散層の層厚比が大きすぎると応力緩和効果
が逆に低下すると共に接合強度が低下する。より好まし
い拡散層と金属層との層厚比は1:10〜 1:1の範囲であ
る。また、金属層としてAg-Cuや Au-Cu等の 2元系合金
を用いる場合には、拡散層と金属層との層厚比は1:999
〜 1:2の範囲とすることが好ましい。In the first bonded body of the present invention, it is important that the layer thickness ratio of the diffusion layer and the metal layer as described above is within the range of 1: 999 to 7: 3. That is, if the layer thickness ratio of the diffusion layer in the bonding layer is too small, sufficient bonding strength cannot be obtained, and if the layer thickness ratio of the diffusion layer is too large, the stress relaxation effect decreases conversely and the bonding strength decreases. . A more preferable layer thickness ratio between the diffusion layer and the metal layer is in the range of 1:10 to 1: 1. When a binary alloy such as Ag-Cu or Au-Cu is used as the metal layer, the layer thickness ratio between the diffusion layer and the metal layer is 1: 999.
It is preferably in the range of to 1: 2.
【００２５】また、接合層全体の厚さは、 100nm〜 2μ
m の範囲とすることが好ましい。接合層全体の厚さが 1
00nm未満であると十分な機械的強度が得られず、また接
合層全体の厚さが 2μm を超えると接合層によるセラミ
ックス基材への応力の影響が大きくなると共に、接合強
度が低下する。The total thickness of the bonding layer is 100 nm to 2 μm.
The range of m is preferable. The total thickness of the bonding layer is 1
When the thickness is less than 00 nm, sufficient mechanical strength cannot be obtained, and when the thickness of the entire bonding layer exceeds 2 μm, the effect of stress on the ceramic base material by the bonding layer increases and the bonding strength decreases.
【００２６】上述したような第１の接合体は、例えば以
下のようにして作製される。まず、セラミックス基材の
表面に、例えばTi、Zr、Hf、Ta、NbおよびMoから選ばれ
た少なくとも 1種からなる薄膜を形成し、次いでその上
に Ag-Cu、Cu、Ni、Au、 Au-Cu等からなる薄膜を積層形
成する。また、これら以外の金属元素を接合層中に含ま
せる場合には、同様に薄膜として多層化する。なお、セ
ラミックス基材上に形成する薄膜層は、多層膜であって
もよいし、単層膜であってもよい。The above-mentioned first bonded body is manufactured, for example, as follows. First, a thin film of at least one selected from, for example, Ti, Zr, Hf, Ta, Nb, and Mo is formed on the surface of the ceramic substrate, and then Ag-Cu, Cu, Ni, Au, Au -Laminate and form thin films of Cu or the like. In addition, when a metal element other than these is included in the bonding layer, it is similarly thinly formed into multiple layers. The thin film layer formed on the ceramic substrate may be a multilayer film or a single layer film.
【００２７】上記薄膜の形成方法としては、スパッタリ
ング法、蒸着法、ＣＶＤ法等の物理的、化学的成膜法を
適用することができる。これら薄膜の厚さは、拡散層内
に前述したような化合物が形成されると共に、接合処理
（熱処理）後の接合層全体の厚さが例えば 2μm 以下と
なるように設定するものとする。As a method for forming the above thin film, a physical or chemical film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method or the like can be applied. The thickness of these thin films is set so that the compound as described above is formed in the diffusion layer and the total thickness of the bonding layer after the bonding treatment (heat treatment) is, for example, 2 μm or less.
【００２８】次に、上記薄膜層上に接合相手部材を配置
した後に熱処理を施して、上記薄膜を本発明で規定する
接合層、すなわち拡散層と金属層との層厚比が 1:999〜
7:3の範囲の接合層とする。熱処理条件は、接合層中の
拡散層と金属層との層厚比が上記条件を満足するように
設定する。Next, heat treatment is carried out after disposing a joining partner member on the thin film layer, so that the thin film has a joining layer defined by the present invention, that is, a layer thickness ratio of the diffusion layer and the metal layer of 1: 999-.
The bonding layer is in the range of 7: 3. The heat treatment conditions are set so that the layer thickness ratio between the diffusion layer and the metal layer in the bonding layer satisfies the above conditions.
【００２９】具体的には、接合温度までの昇温過程で、
セラミックス基材から酸素、窒素または炭素を薄膜層内
の一部に拡散させて、前述したような 2元系化合物や 3
元系化合物等を生成し、この後接合温度まで昇温して、
セラミックス基材と接合相手部材とを接合する。この
際、酸素、窒素または炭素の拡散層の生成範囲が上記層
厚比を満足するように、昇温速度等を制御することが重
要である。Specifically, in the process of raising the temperature to the bonding temperature,
Oxygen, nitrogen, or carbon is diffused from the ceramic substrate to a part of the thin film layer, and the binary compound or 3
Generate the original compound, etc., and then raise the temperature to the bonding temperature,
The ceramic base material and the joining partner member are joined. At this time, it is important to control the temperature rising rate and the like so that the production range of the diffusion layer of oxygen, nitrogen or carbon satisfies the above layer thickness ratio.
【００３０】また、接合温度まで昇温して、接合温度に
おいてセラミックス基材から酸素、窒素または炭素を薄
膜層内の一部に拡散させ、前述したような 2元系化合物
や 3元系化合物等を生成すると共に、セラミックス基材
と接合相手部材とを接合してもよい。この際には、接合
時間等を十分に制御する。Further, the temperature is raised to the bonding temperature and oxygen, nitrogen or carbon is diffused from the ceramic base material into a part of the thin film layer at the bonding temperature, and the binary compound or the ternary compound as described above is used. It is also possible to bond the ceramic base material and the bonding partner member while generating the. At this time, the bonding time and the like are sufficiently controlled.
【００３１】ここで、接合温度は、接合層中の金属層成
分の溶融温度未満とし、固相反応によって拡散層の生成
や接合を行うことが重要である。接合層が溶融過程を経
ると、拡散層と金属層との層厚比を制御することが難し
く、高接合力や応力緩和効果を再現性よく得ることが困
難となる。なお、薄膜を用いる方法によれば、セラミッ
クス基材と薄膜とのコンタクトが予めとれているため、
固相状態での拡散、化合物生成反応が速やかに進行す
る。Here, it is important that the bonding temperature is lower than the melting temperature of the metal layer components in the bonding layer and the diffusion layer is generated and bonded by a solid-phase reaction. When the joining layer undergoes the melting process, it is difficult to control the layer thickness ratio between the diffusion layer and the metal layer, and it is difficult to obtain a high joining force and a stress relaxation effect with good reproducibility. According to the method using a thin film, since the ceramic base material and the thin film have been previously contacted,
Diffusion and compound formation reaction in the solid phase rapidly proceed.
【００３２】上述したような熱処理を施し、拡散層と金
属層との層厚比が 1:999〜 7:3の範囲の接合層を得るこ
とによって、前述したように化学的結合力の大きい接合
界面が得られると共に、セラミックス基材側に発生する
応力を再現性よく低減することができる。よって、接合
部の機械的強度の低下が少ない接合体が得られる。By performing the heat treatment as described above to obtain a bonding layer having a layer thickness ratio of the diffusion layer and the metal layer in the range of 1: 999 to 7: 3, as described above, the bonding having a large chemical bonding force is obtained. The interface can be obtained, and the stress generated on the ceramic substrate side can be reduced with good reproducibility. Therefore, it is possible to obtain a bonded body in which the mechanical strength of the bonded portion is not significantly reduced.
【００３３】次に、本発明の第２の接合体について詳述
する。第２の接合体は、窒化物系セラミックス基材を用
いる場合には、Ti、Zr、Hf、Ta、NbおよびMoから選ばれ
た少なくとも１種からなる第１の金属元素（Me(1))と、
Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr、 VおよびZnから選ばれた少な
くとも１種からなる第２の金属元素（Me(2))と、主に窒
化物系セラミックス基材側から拡散させた窒素とを主構
成元素とする化合物、換言すればそれら元素を組成比で
70at%以上含有する化合物を含む接合層を含む接合層を
用いた接合体である。Next, the second bonded body of the present invention will be described in detail. When the nitride-based ceramic base material is used, the second bonded body is a first metal element (Me (1)) composed of at least one selected from Ti, Zr, Hf, Ta, Nb and Mo. When,
The second metal element (Me (2)) consisting of at least one selected from Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, V, and Zn was diffused mainly from the nitride-based ceramic substrate side. A compound containing nitrogen as the main constituent element, in other words, a composition ratio of those elements.
It is a joined body using a joining layer including a joining layer containing a compound containing 70 at% or more.
【００３４】なお、用いる窒化物系セラミックス基材、
金属基材は、前述した第１の接合体の説明の中で例示し
たものと同様である。The nitride-based ceramic base material used
Kim Shokumotozai are similar to those exemplified in the description of the first binder described above.
【００３５】上記３元系化合物としては、Me(1) とMe
(2) と窒素を原子比で3:3:1 〜 4:2:1の範囲で含む、空
間群Fd3mのダイヤモンド構造を有するものが好ましい。
上記化合物中の元素の組み合せは、特に限定されるもの
ではないが、例えば窒化物系の場合には Ti-Zn-N、Zr-V
-N、 Zr-Fe-N、 Zr-Co-N、 Zr-Ni-N、Zr-Zn-N 、 Hf-Zn
-N等が例示される。これら化合物の原子比は、上記した
ように Me(1)3 Me(2)3 N 〜 Me(1)4 Me(2)2 N の範囲
で変化するものである。これら化合物は、少なくともセ
ラミックス基材との接合界面近傍に存在させる必要があ
り、具体的には層状に存在させたり、あるいは分散して
存在させる。The above ternary compounds include Me (1) and Me
(2) and the nitrogen atomic ratio 3: 3: 1 to 4: 2: 1 range, those having a diamond structure of space group Fd3m are preferred.
The combination of elements in the above compound is not particularly limited, but for example, in the case of a nitride system, Ti-Zn-N, Zr-V
-N, Zr-Fe-N, Zr-Co-N, Zr-Ni-N, Zr-Zn-N, Hf-Zn
-N and the like are exemplified. The atomic ratio of these compounds, as described above Me (1) 3 Me (2 ) 3 N ~ Me (1) 4 Me (2) Ru der which varies from 2 N. These compounds must be present in the bonding interface area between the at least ceramic base, specifically or be present in a layer, or be present in a dispersed.
【００３６】上記したような空間群Fd3mのダイヤモンド
構造を有する化合物は、化合物自体の性質およびセラミ
ックス基材からの窒素または炭素の拡散により形成され
るという形成過程に由来して、セラミックス基材と化学
的結合力の大きい界面を形成すると共に、それ自体の熱
膨張係数がセラミックス基材と金属基材の中間的な値と
なるため、セラミックス基材側に発生する応力を低減す
る役割を果たす。すなわち、応力緩和材としての機能を
有するものである。このようなことから、セラミックス
基材の強度と比較して、接合部の機械的強度の低下が少
ない接合体を得ることが可能となる。また、上記 Me(1)
-Me(2)-N系化合物または Me(1)-Me(2)-C系化合物を含む
接合層の厚さは 2μm 以下とすることが好ましい。The compound having a diamond structure of the space group Fd3m as described above originates from the property of the compound itself and the formation process of being formed by diffusion of nitrogen or carbon from the ceramic base material, and the chemical reaction with the ceramic base material. Since it forms an interface having a large dynamic bonding force and the coefficient of thermal expansion of itself becomes an intermediate value between the ceramic base material and the metal base material, it serves to reduce the stress generated on the ceramic base material side. That is, it has a function as a stress relaxation material. From the above, it is possible to obtain a bonded body in which the mechanical strength of the bonded portion is less deteriorated as compared with the strength of the ceramic base material. Also, the above Me (1)
The thickness of the bonding layer containing the -Me (2) -N compound or the Me (1) -Me (2) -C compound is preferably 2 μm or less.
【００３７】第２の接合体における接合層は、実質的に
上記 Me(1)-Me(2)-N系化合物のみによって構成してもよ
いし、あるいは上記化合物とその構成金属元素との混合
層とすることもできる。これらの形態において、上記化
合物はろう材としての機能も有しているものの、実質的
なろう材成分として上記化合物の構成金属元素、具体的
には Me(2)を上記化合物とは別に含ませることができ
る。また、 Me(1)および Me(2)以外に、ろう材として機
能する金属元素、例えばAgやAu等を接合層中に含ませる
ことも可能である。The bonding layer of the second conjugate, substantially the Me (1) -Me (2) may be constituted by only -N-based compound, or the compound and its constituent metal elements It is also possible to use a mixed layer of In these forms, although the compound also has a function as a brazing material, the constituent metal element of the compound, specifically Me (2), is contained as a substantial brazing material component separately from the compound. be able to. In addition to Me (1) and Me (2), a metal element that functions as a brazing material, such as Ag or Au, can be included in the bonding layer.
【００３８】上記 Me(1)-Me(2)-N系化合物と、それを含
む接合層の形成方法は、特に限定されるものではない
が、前述した第１の接合体の製造方法と同様な固相熱処
理法を適用することが好ましい。The method for forming the Me (1) -Me (2) -N-based compound and the bonding layer containing the same is not particularly limited, but is not limited to the above-described method for manufacturing the first bonded body. It is preferable to apply a similar solid-state heat treatment method.
【００３９】すなわち、まず窒化物系セラミックス基材
上に、 Me(1)および Me(2)の薄膜を順に積層形成して多
層膜を作製する。この際、Me(1) 膜はセラミックス基材
側に形成する。また、 Me(1)および Me(2)以外の金属元
素を接合層中に含ませる場合には、同様に薄膜として多
層化する。薄膜の形成方法は、前述した通りであるが、
薄膜の厚さは上述した組成比の Me(1)-Me(2)-N 系化合
物が形成されるように設定するものとする。なお、例え
ば Me(2)自体をろう材として機能させる際には、その分
を考慮して厚さを設定するものとする。[0039] That is, first nitride ceramic base
On top of this, a thin film of Me (1) and Me (2) is sequentially laminated to form a multilayer film. At this time, the Me (1) film is formed on the ceramic substrate side. In addition, when a metal element other than Me (1) and Me (2) is included in the bonding layer, the thin film is similarly formed into multiple layers. The method for forming the thin film is as described above,
The thickness of the thin film depends on the composition ratio of Me (1) -Me (2) -N
It shall be set so that objects are formed. Note that, for example, when Me (2) itself functions as a brazing filler metal, the thickness is set in consideration of the amount.
【００４０】次に、上記薄膜層上に接合相手部材を配置
した後、前述したような固相熱処理を施す。この際、接
合温度までの昇温速度は、昇温過程で Me(1)-Me(2)-N系
化合物が十分に形成されるような速度に設定することが
好ましい。すなわち、 Me(1)-Me(2)-N系化合物は、多層
薄膜間の固相反応により形成されるため、このような固
相反応が十分に進行するように、ゆっくりとした速度で
昇温することが好ましい。具体的には、昇温速度は15℃
／分以下とすることが好ましい。このように、薄膜を用
いる方法では、セラミックス基材と薄膜とのコンタクト
が予めとれているため、固相状態での拡散、化合物生成
反応が速やかに進行する。上記化合物中の窒素や炭素
は、基本的にはセラミックス基材側から供給されるもの
であるが、上記薄膜層内や雰囲気内から供給することも
可能である。Next, after arranging the joining partner member on the thin film layer, the solid phase heat treatment as described above is performed. At this time, it is preferable that the temperature rising rate up to the bonding temperature is set so that the Me (1) -Me (2) -N-based compound is sufficiently formed in the temperature rising process. That is, the Me (1) -Me (2) -N-based compound is formed by the solid-phase reaction between the multilayer thin films, so that such a solid-phase reaction proceeds sufficiently at a slow rate. It is preferable to raise the temperature. Specifically, the heating rate is 15 ° C
It is preferably not more than / minute. As described above, in the method using the thin film, since the ceramic base material and the thin film are already in contact with each other, the diffusion in the solid state and the compound formation reaction rapidly proceed. Nitrogen and carbon in the compound are basically supplied from the ceramic substrate side, but it is also possible to supply nitrogen and carbon from the thin film layer or the atmosphere.
【００４１】上述したように、 Me(1)-Me(2)-N系化合物
を接合層内に形成することによって、化学的結合力の大
きい接合界面が得られると共に、セラミックス基材側に
発生する応力を低減することができる。よって、接合部
の機械的強度の低下が少ない接合体が得られる。また、
Me(1)-Me(2)-N系化合物は、ろう材に対する濡れ性も高
いことから、接合層中のろう材成分が上記化合物上に良
好に濡れ広がるため、さらに良好な接合強度が得られ
る。[0041] As described above, Me (1) -Me (2 ) -N compound
By forming in the bonding layer, it is possible to obtain a bonding interface having a large chemical bonding force and reduce the stress generated on the ceramic base material side. Therefore, it is possible to obtain a bonded body in which the mechanical strength of the bonded portion is not significantly reduced. Also,
Me (1) -Me (2) -N -based compound, since high wettability for the brazing material, for brazing material component of the bonding layer is spread satisfactorily wet on the compound, the better the bonding strength can get.
【００４２】なお、上記した接合方法では、接合熱処理
時に Me(1)-Me(2)-N系化合物を同時に形成しているが、
これら化合物の形成方法はこれに限定されるものではな
く、例えば予め上記化合物を形成した後、接合熱処理を
行うこともできる。In the joining method described above, the Me (1) -Me (2) -N-based compound is simultaneously formed during the joining heat treatment.
The method for forming these compounds is not limited to this, and for example, the bonding heat treatment may be performed after the above compounds are formed in advance.
【００４３】上述した空間群Fd3mのダイヤモンド構造を
有する Me(1)-Me(2)-N系化合物は、接合体の接合層に限
らず、メタライズ層の接合強度の向上にも寄与する。す
なわち、本発明における第１のメタライズ体は、上記Me
(1)-Me(2)-N 化合物を含むメタライズ層を窒化物系セラ
ミックス基材上に設けたものである。上記化合物やセラ
ミックス基材の具体的な構成等は、前述した接合体と同
様である。[0043] Me (1) -Me (2) -N -based compound having a diamond structure of space group Fd3m described above is not limited to the bonding layer of the bonded body, which contributes to improving the bonding strength of the metallization layer. That is, the first metallized body in the present invention is the above Me
(1) is so also provided on the nitride-based ceramic substrate metallized layer containing -Me (2) -N compound. The specific configurations and the like of the compounds and the ceramic base material are the same as those of the above-mentioned joined body.
【００４４】上記メタライズ層は、必ずしも上記化合物
のみで構成しなければならないものではなく、接合強度
の向上の点から窒化物系セラミックス基材または炭化物
系セラミックス基材との界面近傍に存在していればよ
い。また、上記 Me(1)-Me(2)-N系化合物のろう材に対す
る濡れ性の高さを利用する際には、メタライズ層の表面
に上記化合物が例えば斑状に現出していればよいが、層
状に存在させることがより好ましい。The metallized layer does not necessarily have to be composed of only the above compound, and may be present in the vicinity of the interface with the nitride-based ceramic base material or the carbide-based ceramic base material from the viewpoint of improving the bonding strength. Good. Further, when utilizing the high wettability of the Me (1) -Me (2) -N-based compound with respect to the brazing filler metal, it is sufficient that the compound appears, for example, in spots on the surface of the metallized layer. However, it is more preferable that they are present in layers.
【００４５】上記メタライズ体は、例えば以下のように
して作製される。まず、前述した接合体の作製と同様
に、セラミックス基材上に Me(1)およびMe(2)の薄膜を
順に積層形成して、多層膜を作製する。これら薄膜の厚
さは特に限定されるものではないが、原子比でMe(1):Me
(2)= 1:1〜 3:1の範囲となるように設定することが好ま
しい。この組成範囲の際に、特に前述した空間群Fd3mの
ダイヤモンド構造を有する化合物が形成され易いためで
ある。また、用いる窒化物系セラミックス基材や炭化物
系セラミックス基材としては、界面における反応性と拡
散を高めるように、表面平滑性や清浄度の高いものが好
ましい。The metallized body is produced, for example, as follows. First, in the same manner as in the production of the bonded body described above, thin films of Me (1) and Me (2) are sequentially formed on the ceramic base material to produce a multilayer film. The thickness of these thin films is not particularly limited, but the atomic ratio Me (1): Me
(2) = It is preferable to set it in the range of 1: 1 to 3: 1. This is because, in this composition range, the compound having the diamond structure of the space group Fd3m described above is likely to be formed. Further, as the nitride-based ceramic base material or the carbide-based ceramic base material to be used, one having high surface smoothness and high cleanliness is preferable so as to enhance reactivity and diffusion at the interface.
【００４６】次に、上記薄膜の多層膜を形成したセラミ
ックス基材に、各薄膜の融点以下で、かつ多層薄膜間お
よび薄膜とセラミックス基材間の固相反応が進行し得る
温度以上の温度範囲で熱処理を施す。具体的な熱処理温
度としては、 Me(1)としてZr、 Me(2)としてNiを用いた
場合、 700℃〜 900℃の温度範囲が好ましい。熱処理温
度があまり低くても、また融点を超えるほど高くても、
目的とするMe(1)-Me(2)-N系化合物を十分に形成するこ
とができない。また、熱処理雰囲気は、真空中や不活性
雰囲気としてもよいし、また窒素含有雰囲気等とするこ
ともできる。Next, a temperature range below the melting point of each thin film and above the temperature at which the solid phase reaction between the multi-layer thin films and between the thin film and the ceramic base material can proceed on the ceramic base material on which the above-mentioned thin film multilayer film is formed. Heat treatment is performed. As a specific heat treatment temperature, when Zr is used as Me (1) and Ni is used as Me (2), a temperature range of 700 ° C. to 900 ° C. is preferable. Even if the heat treatment temperature is too low or higher than the melting point,
The purpose to Me (1) -Me (2) -N -based compound can not be sufficiently formed. The heat treatment atmosphere may be a vacuum, an inert atmosphere, or a nitrogen-containing atmosphere.
【００４７】このような温度による熱処理によって、界
面や多層薄膜間での固相反応が進行して、 Me(1)-Me(2)
-N系化合物が形成される。固相反応の進行は、例えば窒
化物系セラミックス基材上に、ZrとNiの薄膜を順に形成
した場合、Tiが窒化物系セラミックスを還元して窒素を
生成し、この窒素とZrとNiとにより、空間群Fd3mのダイ
ヤモンド構造を有する化合物が形成される。上記 Me(1)
-Me(2)-N系化合物中の窒素は、窒化物系セラミックス基
材側から供給されるものであるが、上記薄膜層内や雰囲
気内から供給することも可能である。この際、メタライ
ズ層のセラミックス基材側は、セラミックス基材側から
窒素を供給し、表面側は雰囲気内から窒素を供給する等
によって、 Me(1)-Me(2)-N系化合物をメタライズ層内で
分離形成したり、あるいは部分的に連続した状態で形成
することも可能である。 By the heat treatment at such a temperature, the solid-phase reaction proceeds at the interface and between the multilayer thin films, and Me (1) -Me (2)
-N-based compounds are formed. The progress of the solid-phase reaction is, for example, when a thin film of Zr and Ni is sequentially formed on a nitride-based ceramic substrate, Ti reduces the nitride-based ceramic to generate nitrogen, and this nitrogen, Zr and Ni Thereby, a compound having a diamond structure in the space group Fd3m is formed. Me (1) above
Nitrogen in the -Me (2) -N-based compound is supplied from the nitride ceramics base material side, but it is also possible to supply it from the thin film layer or the atmosphere. At this time, the ceramic base material side of the metallized layer is supplied with nitrogen from the ceramic base material side, and the surface side is supplied with nitrogen from the atmosphere, etc. to metallize the Me (1) -Me (2) -N compound. It is also possible to form the layers separately, or to form them in a partially continuous state .
【００４８】このように、 Me(1)-Me(2)-N系化合物をメ
タライズ層内に形成することによって、化学的結合力の
大きいメタライズ層が得られる。また、上記化合物をメ
タライズ層の表面に存在させれば、ろう材に対して濡れ
性に優れたメタライズ層が得られる。ここで、 Me(1)-M
e(2)-N系化合物またはMe(1)-Me(2)-C 系化合物のメタラ
イズ層中における比率は、特に規定されるものではない
が、メタライズ層全体を上記化合物で構成するために
は、薄膜の形成段階における膜厚を上記化合物の原子比
に合せて設定したり、また十分に上記化合物が形成され
るように熱処理時間を設定することが重要である。[0048] Thus, by forming the Me (1) -Me (2) -N -based compound in the main <br/> Taraizu layer, large metallized layer of chemical bonding force can be obtained. When the above compound is present on the surface of the metallized layer, a metallized layer excellent in wettability with respect to the brazing material can be obtained. Where Me (1) -M
The ratio of the e (2) -N-based compound or the Me (1) -Me (2) -C-based compound in the metallized layer is not particularly specified, but in order to constitute the entire metallized layer with the above compound. It is important to set the film thickness in the step of forming a thin film in accordance with the atomic ratio of the compound, and to set the heat treatment time so that the compound is sufficiently formed.
【００４９】また、上記したような固相反応によりメタ
ライズ層を形成することによって、微細パターンのメタ
ライズ層を再現性よく得ることが可能となる。さらに、
上記したような薄膜形成法を用いることにより、マスキ
ングを用いれば従来用いられていたペースト等では得ら
れない加工精度を達成することができ、また密着性の向
上も図れる。またさらに、薄膜形成法を用いることによ
り、従来用いられてきたペーストや箔では起こらなかっ
た低温から固相反応を起こすことができる。Further, by forming the metallized layer by the solid-phase reaction as described above, it becomes possible to obtain a metallized layer having a fine pattern with good reproducibility. further,
By using the thin film forming method as described above, it is possible to achieve a processing accuracy that cannot be obtained with a conventionally used paste or the like by using masking, and also improve the adhesion. Furthermore, by using the thin film forming method, it is possible to cause a solid-phase reaction from a low temperature, which has not occurred in the paste and foil used conventionally.
【００５０】[0050]
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
【００５１】実施例１
純度 99%のアルミナ基材の接合面上に、スッパタリング
法によって、Ti、Cu、Agの順に薄膜を積層形成した。各
薄膜の厚さは、それぞれ 540nm、 300nm、 660nmとし
た。次いで、上記薄膜の積層体上にFe-42%Ni合金基材を
当接させ、1.33×10-3Paの真空中にて昇温速度10℃／分
で 800℃まで加熱することによって、界面に Ti-33at%O
と空間群Fd3mのダイヤモンド構造を有するTi3 Cu3 O 化
合物とからなる酸素拡散層を形成し、その後冷却して、
アルミナ基材とFe-42%Ni合金基材とを接合した。Example 1 Thin films of Ti, Cu, and Ag were formed in this order on the bonding surface of an alumina base material having a purity of 99% by the sputtering method. The thickness of each thin film was 540 nm, 300 nm, and 660 nm, respectively. Next, the Fe-42% Ni alloy base material was brought into contact with the above-mentioned thin film laminate, and heated to 800 ° C at a temperature rising rate of 10 ° C / minute in a vacuum of 1.33 × 10 -3 Pa to form an interface On Ti-33at% O
And an oxygen diffusion layer consisting of a Ti 3 Cu 3 O compound having a diamond structure of space group Fd3m, and then cooled,
The alumina base material and the Fe-42% Ni alloy base material were joined.
【００５２】このようにして得た接合体の接合層の厚さ
は 1.5μm であった。また、接合層内には、アルミナ基
材側から Ti-33at%OとTi3 Cu3 O 化合物とからなる酸素
拡散層と Ag-Cuからなる金属層が順に層厚比 1:9の割合
で存在していた。なお、酸素拡散層からはAlとAgも検出
された。上記接合体の引張り試験を行ったところ、接合
強度は6kg/mm2 であった。The thickness of the bonding layer of the bonded body thus obtained was 1.5 μm. Further, the bonding layer, the metal layer is sequentially thickness ratio consisting of oxygen diffusion layer and the Ag-Cu consisting of alumina base material side and Ti-33at% O and Ti 3 Cu 3 O Compound 1: 9 in a proportion of Existed. Al and Ag were also detected in the oxygen diffusion layer. When a tensile test was conducted on the above joined body, the joining strength was 6 kg / mm 2 .
【００５３】一方、純度 99%のアルミナ基材の接合面上
に、ペースト状のTi-Cu-Agろう材を塗布し、このろう材
層を溶融させてFe-42%Ni合金基材を接合したところ、こ
の接合体の引張り試験による接合強度は2kg/mm2 であっ
た。また、接合層内の酸素拡散層と金属層との層厚比は
8:2であった。On the other hand, a paste-like Ti-Cu-Ag brazing material is applied onto the bonding surface of an alumina base material having a purity of 99%, and the brazing material layer is melted to bond the Fe-42% Ni alloy base material. As a result, the joint strength of this joint body as determined by a tensile test was 2 kg / mm 2 . The layer thickness ratio of the oxygen diffusion layer and the metal layer in the bonding layer is
It was 8: 2.
【００５４】実施例２
純度 99%のアルミナ基材の接合面上に、スッパタリング
法によって、Ti、Niの順に薄膜を積層形成した。各薄膜
の厚さは、それぞれ1400nm、 300nmとした。次いで、上
記薄膜の積層体上にMo合金基材を当接させ、1.33×10-3
Paの真空中にて昇温速度10℃／分で1000℃まで加熱する
ことによって、界面に Ti-33at%Oと空間群Fd3mのダイヤ
モンド構造を有するTi3 Ni3 O 化合物とからなる酸素拡
散層を形成し、その後冷却して、アルミナ基材とMo合金
基材とを接合した。Example 2 Thin films of Ti and Ni were laminated in this order on the bonding surface of an alumina base material having a purity of 99% by the sputtering method. The thickness of each thin film was 1400 nm and 300 nm, respectively. Then, contact the Mo alloy substrate on the thin film laminate, 1.33 × 10 -3
By heating to 1000 ° C. at a heating rate of 10 ° C. / min in vacuum of Pa, oxygen diffusion layer made of a Ti 3 Ni 3 O compound having a diamond structure of Ti-33at% O and space group Fd3m the interface Was formed and then cooled to bond the alumina base material and the Mo alloy base material.
【００５５】このようにして得た接合体の接合層の厚さ
は 1.7μm であった。また、接合層内には、アルミナ基
材側から Ti-33at%OとTi3 Ni3 O 化合物とからなる酸素
拡散層とNiからなる金属層が順に層厚比 1:1の割合で存
在していた。なお、酸素拡散層からはAlも検出された。
上記接合体の引張り試験を行ったところ、接合強度は7k
g/mm2 であった。The thickness of the bonding layer of the bonded body thus obtained was 1.7 μm. Further, in the bonding layer, an oxygen diffusion layer composed of Ti-33at% O and a Ti 3 Ni 3 O compound and a metal layer composed of Ni were present in this order from the alumina base material side at a layer thickness ratio of 1: 1. Was there. Al was also detected in the oxygen diffusion layer.
When the tensile test of the above bonded body was conducted, the bonding strength was 7k.
It was g / mm 2 .
【００５６】一方、純度 99%のアルミナ基材の接合面上
に、ペースト状の Ti-Niろう材を塗布し、このろう材層
を溶融させてMo合金基材を接合したところ、この接合体
の引張り試験による接合強度は2kg/mm2 であった。ま
た、接合層内の酸素拡散層と金属層との層厚比は 9:1で
あった。On the other hand, when a paste-like Ti-Ni brazing material was applied onto the bonding surface of an alumina base material having a purity of 99% and the brazing material layer was melted to bond the Mo alloy base material, this bonded body was obtained. The joint strength in the tensile test was 2 kg / mm 2 . The layer thickness ratio between the oxygen diffusion layer and the metal layer in the bonding layer was 9: 1.
【００５７】実施例３
純度 99%のアルミナ基材の接合面上に、スッパタリング
法によって、Ti、Cuの順に薄膜を積層形成した。各薄膜
の厚さは、それぞれ 520nm、 780nmとした。次いで、上
記薄膜の積層体上にMo合金基材を当接させ、9.31×10-4
Paの真空中にて昇温速度 5℃／分で 900℃まで加熱する
ことにより、界面に Ti-40at%Oと空間群Fd3mのダイヤモ
ンド構造を有するTi3 Cu3 O 化合物とからなる酸素拡散
層を形成し、その後冷却して、アルミナ基材とMo合金基
材とを接合した。Example 3 Thin films of Ti and Cu were laminated in this order on the bonding surface of an alumina base material having a purity of 99% by the sputtering method. The thickness of each thin film was 520 nm and 780 nm, respectively. Then, a Mo alloy substrate was brought into contact with the laminate of the above thin films, and 9.31 × 10 −4
By heated in Pa vacuum up to 900 ° C. at a heating rate of 5 ° C. / min, oxygen diffusion layer made of a Ti 3 Cu 3 O compound having a diamond structure of Ti-40 at% O and space group Fd3m the interface Was formed and then cooled to bond the alumina base material and the Mo alloy base material.
【００５８】このようにして得た接合体の接合層の厚さ
は 1.3μm であった。また、接合層内には、アルミナ基
材側から Ti-40at%OとTi3 Cu3 O 化合物とからなる酸素
拡散層とCuからなる金属層が順に層厚比 2:1の割合で存
在していた。なお、酸素拡散層からはAlも検出された。
上記接合体の引張り試験を行ったところ、接合強度は6.
5 kg/mm2 であった。The thickness of the bonding layer of the bonded body thus obtained was 1.3 μm. Further, the bonding layer, the alumina-based material Ti-40 at% from the side O and Ti 3 Cu 3 O compound consisting of oxygen diffusion layer and Cu consisting of a metal layer sequentially thickness ratio 2: present in proportions of 1 Was there. Al was also detected in the oxygen diffusion layer.
When a tensile test was performed on the above bonded body, the bonding strength was 6.
It was 5 kg / mm 2 .
【００５９】一方、純度 99%のアルミナ基材の接合面上
に、ペースト状の Ti-Cuろう材を塗布し、このろう材層
を溶融させてMo合金基材を接合したところ、この接合体
の引張り試験による接合強度は2.5kg/mm2 であった。ま
た、接合層内の酸素拡散層と金属層との層厚比は 8:2で
あった。On the other hand, when a paste-like Ti-Cu brazing material was applied on the bonding surface of an alumina base material having a purity of 99% and the brazing material layer was melted to bond the Mo alloy base material, the bonded body was The joint strength of the tensile test was 2.5 kg / mm 2 . The layer thickness ratio between the oxygen diffusion layer and the metal layer in the bonding layer was 8: 2.
【００６０】実施例４
純度 95%のアルミナ基材の接合面上に、スッパタリング
法によって、Ti、Cuの順に薄膜を積層形成した。各薄膜
の厚さは、それぞれ 460nm、 540nmとした。次いで、上
記薄膜の積層体上にMo合金基材を当接させ、9.31×10-4
Paの真空中にて昇温速度15℃／分で 900℃まで加熱する
ことにより、界面に Ti-50at%OとTi2 Cu2 O 化合物とか
らなる酸素拡散層を形成し、その後冷却して、アルミナ
基材とMo合金基材とを接合した。Example 4 Thin films of Ti and Cu were formed in this order on the bonding surface of an alumina base material having a purity of 95% by the sputtering method. The thickness of each thin film was 460 nm and 540 nm, respectively. Then, a Mo alloy substrate was brought into contact with the laminate of the above thin films, and 9.31 × 10 −4
An oxygen diffusion layer consisting of Ti-50at% O and Ti 2 Cu 2 O compound is formed at the interface by heating in a vacuum of Pa at a heating rate of 15 ° C / min to 900 ° C, and then cooled. The alumina base material and the Mo alloy base material were joined together.
【００６１】このようにして得た接合体の接合層の厚さ
は 1.0μm であった。また、接合層内には、アルミナ基
材側から Ti-50at%OとTi2 Cu2 O 化合物とからなる酸素
拡散層とCuからなる金属層が順に層厚比 1:2の割合で存
在していた。また、酸素拡散層からはAlも検出された。
上記接合体の引張り試験を行ったところ、接合強度は5k
g/mm2 であった。The thickness of the bonding layer of the bonded body thus obtained was 1.0 μm. Further, in the bonding layer, an oxygen diffusion layer composed of Ti-50at% O and a Ti 2 Cu 2 O compound and a metal layer composed of Cu were present in this order from the alumina base material side in a layer thickness ratio of 1: 2. Was there. Al was also detected in the oxygen diffusion layer.
When the tensile test of the above bonded body was conducted, the bonding strength was 5k.
It was g / mm 2 .
【００６２】一方、純度 95%のアルミナ基材の接合面上
に、ペースト状の Ti-Cuろう材を塗布し、このろう材層
を溶融させてMo合金基材を接合したところ、この接合体
の引張り試験による接合強度は3kg/mm2 であった。ま
た、接合層内の酸素拡散層と金属層との層厚比は10:1で
あった。On the other hand, when a paste-like Ti-Cu brazing material was applied on the bonding surface of an alumina base material having a purity of 95% and this brazing material layer was melted to bond the Mo alloy base material, The bonding strength of the tensile test was 3 kg / mm 2 . The layer thickness ratio between the oxygen diffusion layer and the metal layer in the bonding layer was 10: 1.
【００６３】実施例５
純度 99%の窒化アルミニウム基材の接合面上に、スッパ
タリング法によって、Zr、Cu、Agの順に薄膜を積層形成
した。各薄膜の厚さは、それぞれ 320nm、 370nm、 810
nmとした。次いで、上記薄膜の積層体上にMo合金基材を
当接させ、9.31×10-4Paの真空中にて昇温速度15℃／分
で 800℃まで加熱することによって、界面に ZrNと空間
群Fd3mのダイヤモンド構造を有するZr3 Cu3 N 化合物と
からなる窒素拡散層を形成し、その後冷却して、窒化ア
ルミニウム基材とMo合金基材とを接合した。Example 5 A thin film of Zr, Cu, and Ag was laminated in this order on the joint surface of an aluminum nitride base material having a purity of 99% by the sputtering method. The thickness of each thin film is 320 nm, 370 nm, 810, respectively.
nm. Then, a Mo alloy base material was brought into contact with the above-mentioned thin film laminate, and heated to 800 ° C. at a temperature rising rate of 15 ° C./minute in a vacuum of 9.31 × 10 −4 Pa to thereby form ZrN and space at the interface. A nitrogen diffusion layer made of a Zr 3 Cu 3 N compound having a diamond structure of group Fd3m was formed, and then cooled to bond the aluminum nitride base material and the Mo alloy base material.
【００６４】このようにして得た接合体の接合層の厚さ
は 1.5μm であった。また、接合層内には、窒化アルミ
ニウム基材側から ZrNとZr3 Cu3 NO化合物とからなる窒
素拡散層と Ag-Cuからなる金属層が順に層厚比1:10の割
合で存在していた。なお、窒素拡散層からはAlも検出さ
れた。上記接合体の引張り試験を行ったところ、接合強
度は5kg/mm2 であった。The thickness of the bonding layer of the bonded body thus obtained was 1.5 μm. Further, in the bonding layer, a nitrogen diffusion layer made of ZrN and a Zr 3 Cu 3 NO compound and a metal layer made of Ag-Cu are present in order from the aluminum nitride base material side at a layer thickness ratio of 1:10. It was Al was also detected in the nitrogen diffusion layer. When the tensile test of the above joined body was carried out, the joining strength was 5 kg / mm 2 .
【００６５】一方、純度 95%の窒化アルミニウム基材の
接合面上に、ペースト状のZr-Ag-Cuろう材を塗布し、こ
のろう材層を溶融させてMo合金基材を接合したところ、
この接合体の引張り試験による接合強度は3kg/mm2 であ
った。また、接合層内の窒素拡散層と金属層との層厚比
は 9:1であった。On the other hand, when a paste-like Zr-Ag-Cu brazing material was applied onto the bonding surface of an aluminum nitride base material having a purity of 95% and the brazing material layer was melted to bond the Mo alloy base material,
The joint strength of this joint body as determined by a tensile test was 3 kg / mm 2 . The layer thickness ratio between the nitrogen diffusion layer and the metal layer in the bonding layer was 9: 1.
【００６６】実施例６
純度 97%の窒化アルミニウム基材の接合面上に、スッパ
タリング法によって、Zr、Niの順に薄膜を積層形成し
た。各薄膜の厚さは、それぞれ 900nm、 300nmとした。
次いで、上記薄膜の積層体上にFe-42%Ni合金基材を当接
させ、 1.064×10-3Paの真空中にて昇温速度 5℃／分で
1000℃まで加熱することによって、界面に空間群Fd3mの
ダイヤモンド構造を有する Zr-Ni-N系化合物を形成しな
がら、窒化アルミニウム基材とFe-42%Ni合金基材とを接
合した。Example 6 Thin films of Zr and Ni were laminated in this order on the joint surface of an aluminum nitride base material having a purity of 97% by the sputtering method. The thickness of each thin film was 900 nm and 300 nm, respectively.
Next, the Fe-42% Ni alloy base material was brought into contact with the laminate of the above thin films, and the temperature was raised in a vacuum of 1.064 × 10 −3 Pa at a heating rate of 5 ° C./min.
The aluminum nitride base material and the Fe-42% Ni alloy base material were joined while forming a Zr-Ni-N-based compound having a diamond structure of space group Fd3m at the interface by heating to 1000 ° C.
【００６７】このようにして得た接合体の引張り試験を
行ったところ、接合強度は3kg/mm2であった。また、接
合層内からは、厚さ約 0.7μm の空間群Fd3mのダイヤモ
ンド構造を有する Zr-Ni-N系化合物層が検出された。When a tensile test was conducted on the thus obtained joined body, the joining strength was 3 kg / mm 2 . In addition, a Zr-Ni-N-based compound layer having a diamond structure with a space group Fd3m and a thickness of about 0.7 μm was detected in the bonding layer.
【００６８】一方、純度 97%の窒化アルミニウム基材の
接合面上に、ペースト状の Zr-Niろう材を塗布し、この
ろう材を溶融させて、Fe-42%Ni合金基材を接合した。こ
の接合体の引張り試験を行ったところ、接合強度は1kg/
mm2 であり、また接合層内からは空間群Fd3mのダイヤモ
ンド構造を有する Zr-Ni-N系化合物は検出されなかっ
た。On the other hand, a paste-like Zr-Ni brazing material was applied onto the joining surface of an aluminum nitride substrate having a purity of 97%, and the brazing material was melted to join the Fe-42% Ni alloy substrate. . When a tensile test was performed on this bonded body, the bonding strength was 1 kg /
mm 2 and no Zr-Ni-N compound having a diamond structure of space group Fd3m was detected in the bonding layer.
【００６９】実施例７
純度 97%の窒化アルミニウム基材の接合面上に、スッパ
タリング法によって、Zr、Feの順に薄膜を積層形成し
た。各薄膜の厚さは、それぞれ 700nm、 500nmとした。
次いで、上記薄膜の積層体上にFe-42%Ni合金基材を当接
させ、 1.064×10-3Paの真空中にて昇温速度 8℃／分で
1000℃まで加熱することにより、界面に空間群Fd3mのダ
イヤモンド構造を有する Zr-Fe-N系化合物を形成しなが
ら、窒化アルミニウム基材とFe-42%Ni合金基材とを接合
した。Example 7 Thin films of Zr and Fe were laminated in this order on the joint surface of an aluminum nitride base material having a purity of 97% by the sputtering method. The thickness of each thin film was 700 nm and 500 nm, respectively.
Next, the Fe-42% Ni alloy base material was brought into contact with the laminated body of the above-mentioned thin film, and the temperature rising rate was 8 ° C / minute in a vacuum of 1.064 × 10 -3 Pa.
The aluminum nitride base material and the Fe-42% Ni alloy base material were bonded while forming a Zr-Fe-N-based compound having a diamond structure of space group Fd3m at the interface by heating to 1000 ° C.
【００７０】このようにして得た接合体の引張り試験を
行ったところ、接合強度は3.5kg/mm2 であった。また、
接合層内からは、厚さ約 0.3μm の空間群Fd3mのダイヤ
モンド構造を有する Zr-Fe-N系化合物層が検出された。When a tensile test was conducted on the thus obtained joint, the joint strength was 3.5 kg / mm 2 . Also,
A Zr-Fe-N-based compound layer having a diamond structure with a space group Fd of 3 m and a thickness of about 0.3 μm was detected in the bonding layer.
【００７１】一方、純度 97%の窒化アルミニウム基材の
接合面上に、ペースト状の Zr-Feろう材を塗布し、この
ろう材を溶融させて、Fe-42%Ni合金基材を接合した。こ
の接合体の引張り試験を行ったところ、接合強度は2kg/
mm2 であり、また接合層内からは空間群Fd3mのダイヤモ
ンド構造を有する Zr-Fe-N系化合物は検出されなかっ
た。On the other hand, a paste-like Zr-Fe brazing material was applied onto the joining surface of an aluminum nitride substrate having a purity of 97%, and the brazing material was melted to join the Fe-42% Ni alloy substrate. . When a tensile test was performed on this bonded body, the bonding strength was 2 kg /
mm 2 and no Zr-Fe-N compound having a diamond structure with space group Fd3m was detected in the bonding layer.
【００７２】[0072]
【００７３】[0073]
【００７４】[0074]
【００７５】実施例９
純度 97%の窒化ケイ素基材の接合面上に、スッパタリン
グ法によって、Zr、Niの順に薄膜を、 Zr:Niの原子比が
1:1となるように積層形成した。薄膜の積層体の厚さは
300nmとした。次に、上記薄膜を形成した窒化ケイ素基
材を真空炉中に配置し、雰囲気を2.66×10-4Paの真空度
とした後、10℃／分で 900℃まで昇温し、10分間保持し
た後、加熱電源を切って炉冷した。試料が室温になった
ところで炉から取り出したところ、窒化ケイ素基材上に
空間群Fd3mのダイヤモンド構造を有する Zr-Ni-N系化合
物層が形成されていた。Example 9 A thin film of Zr and Ni was deposited in this order on the joint surface of a silicon nitride substrate having a purity of 97% by the sputtering method, and the atomic ratio of Zr: Ni was
The layers were formed in a ratio of 1: 1. The thickness of the thin film stack is
It was set to 300 nm. Next, the silicon nitride substrate on which the above thin film is formed is placed in a vacuum furnace, the atmosphere is set to a vacuum degree of 2.66 × 10 −4 Pa, the temperature is raised to 900 ° C. at 10 ° C./minute, and the temperature is maintained for 10 minutes. After that, the heating power was turned off and the furnace was cooled. When the sample was taken out of the furnace when it reached room temperature, a Zr-Ni-N-based compound layer having a diamond structure with a space group Fd of 3 m was formed on the silicon nitride substrate.
【００７６】上記化合物層が形成されている面に対する
Ni-Zr系ろう材の濡れ角度を測定したところ、従来の M
o-Mn法で形成したメタライズ層と比較して10度小さかっ
た。また、上記化合物層が形成されている面上にコバー
ル合金基材を当接させ、上記Ni-Zr系ろう材を用いて加
熱接合した。この接合体の引張り試験を行ったところ、
接合強度は5kg/mm2 であり、従来の Mo-Nn法によるメタ
ライズ層に接合した場合と比較して3kg/mm2 強度が向上
した。With respect to the surface on which the compound layer is formed
When wetting angle of Ni-Zr brazing material was measured,
It was 10 degrees smaller than the metallized layer formed by the o-Mn method. Further, a Kovar alloy base material was brought into contact with the surface on which the compound layer was formed, and heat bonding was performed using the Ni—Zr brazing material. When the tensile test of this joined body was performed,
The bonding strength is 5 kg / mm 2 , which is an improvement of 3 kg / mm 2 compared to the case of bonding to the metallized layer by the conventional Mo-Nn method.
【００７７】実施例１０
純度 97%の窒化ケイ素基材の接合面上に、スッパタリン
グ法によって、Zr、Feの順に薄膜を、 Zr:Feの原子比が
1:1となるように積層形成した。薄膜の積層体の厚さは
500nmとした。次に、上記薄膜を形成した窒化ケイ素基
材を真空炉中に配置し、雰囲気を1.33×10-4Paの真空度
とした後、 7℃／分で 900℃まで昇温し、10分間保持し
た後、加熱電源を切って炉冷した。試料が室温になった
ところで炉から取り出したところ、窒化ケイ素基材上に
空間群Fd3mのダイヤモンド構造を有する Zr-Fe-N系化合
物層が形成されていた。Example 10 On the bonding surface of a silicon nitride substrate having a purity of 97%, thin films of Zr and Fe were formed in this order by a sputtering method, and the atomic ratio of Zr: Fe was
The layers were formed in a ratio of 1: 1. The thickness of the thin film stack is
It was set to 500 nm. Next, the silicon nitride substrate on which the above thin film is formed is placed in a vacuum furnace, the atmosphere is set to a vacuum degree of 1.33 × 10 −4 Pa, the temperature is raised to 900 ° C. at 7 ° C./minute, and the temperature is maintained for 10 minutes. After that, the heating power was turned off and the furnace was cooled. When the sample was taken out of the furnace when it reached room temperature, a Zr-Fe-N-based compound layer having a diamond structure with a space group of Fd3m was formed on the silicon nitride substrate.
【００７８】上記化合物層が形成されている面に対する
Fe-Zr系ろう材の濡れ角度を測定したところ、従来の M
o-Mn法で形成したメタライズ層と比較して 8度小さかっ
た。また、上記化合物層が形成されている面上にコバー
ル合金基材を当接させ、上記Fe-Zr系ろう材を用いて加
熱接合した。この接合体の引張り試験を行ったところ、
接合強度は4kg/mm2 であり、従来の Mo-Nn法によるメタ
ライズ層に接合した場合と比較して2kg/mm2 強度が向上
した。With respect to the surface on which the compound layer is formed
The wetting angle of the Fe-Zr brazing material was measured and
It was 8 degrees smaller than the metallized layer formed by the o-Mn method. Further, a Kovar alloy base material was brought into contact with the surface on which the compound layer was formed, and heat bonding was performed using the Fe—Zr brazing material. When the tensile test of this joined body was performed,
The bonding strength is 4 kg / mm 2 , which is an improvement of 2 kg / mm 2 compared to the case of bonding to the metallized layer by the conventional Mo-Nn method.
【００７９】[0079]
【００８０】[0080]
【００８１】[0081]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の接
合体によれば、界面での化学的結合力の向上を図った上
で、セラミックス側の応力集中を再現性よく抑制するこ
とできるため、セラミックス基材の強度と比較して、接
合部の機械的強度の低下が少ない接合体を安定して提供
することが可能となる。As described above, according to the first bonded body of the present invention, it is possible to reproducibly suppress the stress concentration on the ceramic side while improving the chemical bonding force at the interface. Therefore, compared with the strength of the ceramic base material, it is possible to stably provide a bonded body in which the mechanical strength of the bonded portion is less reduced.
【００８２】また、本発明の第２の接合体によれば、窒
化物系セラミックス基材を用いた場合に、界面での化学
的結合力の向上を図った上で、セラミックス側の応力集
中を抑制することができるため、セラミックス基材の強
度と比較して、接合部の機械的強度の低下が少ない接合
体を安定して提供することが可能となる。Further, according to the second bonded body of the present invention, when the nitride-based ceramic base material is used, the chemical bonding force at the interface is improved and the stress concentration on the ceramic side is improved. Since it can be suppressed, it becomes possible to stably provide a bonded body in which the mechanical strength of the bonded portion is less reduced as compared with the strength of the ceramic base material.
【００８３】[0083]
【００８４】[0084]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−151384（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−252382（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−218229（ＪＰ，Ａ) 岩本信也、宗宮重行編，金属とセラミ ックスの接合，日本，内田老鶴圃，1990 年 ９月15日，第１版，95〜105、173〜 189、191〜209、276〜283頁 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 37/00 - 37/02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-58-151384 (JP, A) JP-A-3-252382 (JP, A) JP-A-5-218229 (JP, A) Shinya Iwamoto, Shigeyuki Soumiya Ed., Joining of metal and ceramics, Japan, Uchida old crane field, September 15, 1990, 1st edition, 95-105, 173-189, 191-209, 276-283 (58) Fields investigated (58) Int.Cl. 7 , DB name) C04B 37/00-37/02
Claims (4)
セラミックス基材同士が、酸素、窒素または炭素の拡散
層と金属層とを有する接合層を介して接合されている接
合体であって、前記接合層の厚さが100nm 〜 2μm の範
囲であり、かつ前記拡散層と金属層との層厚比が 1:999
〜 7:3の範囲であることを特徴とする接合体。1. A ceramic substrate and metal substrate, or a ceramic substrate with each other, oxygen, a conjugate which is bonded via the bonding layer having a diffusion layer and a metal layer of nitrogen or carbon, wherein The thickness of the bonding layer is 100 nm to 2 μm.
A circumference, and the layer thickness ratio between the diffusion layer and the metal layer is 1: 999
A zygote characterized by being in the range of to 7: 3.
散層は、酸素、窒素または炭素と、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb
およびMoから選ばれた少なくとも１種とが共存する層で
あることを特徴とする接合体。2. The bonded body according to claim 1, wherein the diffusion layer contains oxygen, nitrogen or carbon and Ti, Zr, Hf, Ta or Nb.
And a layer in which at least one selected from Mo coexists.
あるいは少なくとも一方が窒化物系セラミックスからな
るセラミックス基材同士の接合体であって、Ti、Zr、H
f、Ta、NbおよびMoから選ばれた少なくとも１種からな
る第１の金属元素と、Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Cr、 Vおよ
びZnから選ばれた少なくとも１種からなる第２の金属元
素と、窒素とを、組成比で 70at%以上含有する、空間群
Fd3mのダイヤモンド構造を有する化合物を含む接合層を
介して、前記窒化物系セラミックス基材と金属基材、あ
るいは前記セラミックス基材同士が接合されていること
を特徴とする接合体。3. A nitride ceramics base material and a metal base material,
Alternatively, at least one is a joined body of ceramic base materials made of nitride ceramics, and Ti, Zr, H
A first metal element consisting of at least one kind selected from f, Ta, Nb and Mo, and a second metal element consisting of at least one kind selected from Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, V and Zn. Space group containing metallic elements and nitrogen in a composition ratio of 70 at% or more
A bonded body, wherein the nitride ceramics base material and the metal base material or the ceramics base materials are bonded to each other through a bonding layer containing a compound having a Fd3m diamond structure .
に、Ti、Zr、Hf、Ta、NbおよびMoから選ばれた少なくとAnd at least selected from Ti, Zr, Hf, Ta, Nb and Mo.
も１種からなる第１の金属元素による第１の薄膜を形成Also forms a first thin film of a first metal element consisting of one kind
する工程と、And the process of 前記第１の金属元素の薄膜の上に、少なくともCu、Ni、At least Cu, Ni, on the thin film of the first metal element,
Co、Fe、Mn、Cr、 VおよびZnから選ばれた少なくとも１At least 1 selected from Co, Fe, Mn, Cr, V and Zn
種からなる第２の金属元素による第２の薄膜を含む金属A metal containing a second thin film of a second metal element consisting of a seed
薄膜を形成する工程と、A step of forming a thin film, 前記窒化物系セラミックス基材の金属薄膜形成面に、接Contact the metal thin film formation surface of the nitride ceramics base material
合すべき他のセラミックス基材又は金属基材を配置し、Place another ceramic or metal substrate to be combined,
真空中又は不活性雰囲気中で加熱処理して、前記窒化物The nitride is heat treated in a vacuum or in an inert atmosphere.
系セラミックス基材と金属基材、あるいは前記セラミッCeramic base material and metal base material, or the ceramic
クス基材同士の間に空間群Fd3mのダイヤモンド構造を有There is a diamond structure with space group Fd3m between
する化合物を含む接合層を形成する工程とを有することForming a bonding layer containing a compound to
を特徴とする接合体の製造方法。And a method for manufacturing a joined body.
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- 1994-03-09 JP JP03866694A patent/JP3505212B2/en not_active Expired - Lifetime
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| 岩本信也、宗宮重行編，金属とセラミックスの接合，日本，内田老鶴圃，１９９０年 ９月１５日，第１版，９５〜１０５、１７３〜１８９、１９１〜２０９、２７６〜２８３頁 |
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