JP3502342B2 - アジドのアミドへのホスフィン還元 - Google Patents

アジドのアミドへのホスフィン還元

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JP3502342B2 JP2000363912A JP2000363912A JP3502342B2 JP 3502342 B2 JP3502342 B2 JP 3502342B2 JP 2000363912 A JP2000363912 A JP 2000363912A JP 2000363912 A JP2000363912 A JP 2000363912A JP 3502342 B2 JP3502342 B2 JP 3502342B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、4,5−ジアミノ
−シキミ酸誘導体、特にエチル(3R,4R,5S)−
4−アセトアミド−5−アミノ−3−(1−エチルプロ
ポキシ)−1−シクロヘキセン−1−カルボキシラー
ト、及び4−アミノ−5−アジド−シキミ酸誘導体、特
にエチル(3R,4R,5S)−4−アセトアミド−5
−アジド−3−(1−エチルプロポキシ)−1−シクロ
ヘキセン−1−カルボキシラートの薬学的に許容可能な
付加塩の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】4,5−ジアミノ−シキミ酸誘導体、特
に該エチル(3R,4R,5S)−4−アセトアミド−
5−アミノ−3−(1−エチルプロポキシ)−1−シク
ロヘキセン−1−カルボキシラート及びその薬学的に許
容可能な付加塩は、ウイルスのノイラミニダーゼの強力
な阻害剤である(J. C. Rohloff et al., J. Org. Che
m. 63, 1998, 4545-4550; WO 98/07685)。
【0003】ラネーニッケル触媒の存在下、水素化によ
る、エチル(3R,4R,5S)−4−アセトアミド−
5−アジド−3−(1−エチルプロポキシ)−1−シク
ロヘキセン−1−カルボキシラートのエチル(3R,4
R,5S)−4−アセトアミド−5−アミノ−3−(1
−エチルプロポキシ)−1−シクロヘキセン−1−カル
ボキシラートへの還元は、当該技術で既知である(J.
C. Rohloff et al., 同書)。
【0004】その前の合成からの“5−アジド”出発化
合物は、2重結合へのヒドラゾ酸の形式付加によって形
成される“2,5−ジアジド”の少量を常に含有するこ
とが見出された。水素化の間に、5位のアジド基は容易
に所望のアミノ基に変換されるが、2位のアジド基の転
換は極めて緩徐である。その結果、“エームス陽性”を
示し、そしてそれゆえ変異原性の疑いのある“2−アジ
ド−5−アミノ”中間体が形成される。
【0005】この中間体は、通常の精製技術では十分に
除去することはできない。また、この問題は、“シクロ
ヘキセン2重結合”が水素化される水素化時間を延長す
ることによっても克服することができない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、当該技術で既知のこの問題を包含しない方法、す
なわち、優れた品質の標的生成物の容易な入手を可能に
する方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の酸の触媒
量の存在下ホスフィンを用いる還元によって、この目的
が驚くべきことに達成され得ることが見出された。
【0008】したがって、本発明は、式(I):
【0009】
【化3】
【0010】(式中、R1は、場合により置換されてい
るアルキル基であり、R2は、アルキル基であり、そし
てR3及びR4は、相互に独立の、H又はアミノ保護基で
あり、ただし、R3及びR4の両方はHではない)の4,
5−ジアミノ−シキミ酸誘導体、又はその薬学的に許容
可能な付加塩の製造方法において、必要に応じて薬学的
に許容可能な付加塩への更なる変換による式(II):
【0011】
【化4】
【0012】(式中、R1、R2、R3及びR4は、触媒量
の酸の存在下ホスフィンを用いて上記と同義である)の
4−アミノ−5−アジド−シキミ酸の還元を特徴とする
方法に関する。
【0013】用語R1のアルキルは、1〜20個の炭素
原子、好都合には1〜12個の炭素原子の、直鎖又は分
枝であるアルキル基を意味する。該アルキル基の例とし
ては、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、
n−ブチル、tert-ブチル、ペンチル及びその異性体、
ヘキシル及びその異性体、ヘプチル及びその異性体、オ
クチル及びその異性体、ノニル及びその異性体、デシル
及びその異性体、ウンデシル及びその異性体、並びに、
ドデシル及びその異性体である。
【0014】このアルキル基は、例えば、WO98/07685に
定義されるような1つ以上の置換基で置換することもで
きる。適切な置換基は、C16−アルキル(上記と同義
である)、C16−アルケニル、C36−シクロアルキ
ル、C16−アルコキシ、C 16−アルコキシカルボニ
ル、F、Cl、Br、及びIである。R1の好ましい意
味は、1−エチルプロピルである。
【0015】R2は、上記で例示するように1〜12個
の炭素原子、好都合には1〜6個の炭素原子の直鎖又は
分枝であるアルキル基である。
【0016】R2の好ましい意味は、エチルである。
【0017】用語R3及びR4のアミノ保護基は、当該技
術で通常に用いられそして既知のあらゆる保護基をい
う。これらは、例えば、"Protective Groups in Organi
c Chemistry", Theodora W. Green et al., John Wiley
& Sons Inc., New York, 1991, p.315-385に記載され
ている。適切なアミノ保護基は、例えば、WO 98/07685
にも示されている。
【0018】好ましいアミノ保護基は、アルカノイル
基、より好ましくは、ヘキサノイル、ペンタノイル、ブ
タノイル(ブチリル)、プロパノイル(プロピオニ
ル)、エタノイル(アセチル)、及びメタノイル(ホル
ミル)のような低級C16−アルカノイル基である。好
ましいアルカノイル基、したがって好ましいR3の意味
は、アセチルそしてR4の意味は、Hである。
【0019】本発明の本方法の出発化合物としての式
(II)の4−アミノ−5−アジド−シキミ酸誘導体は、
J. C. Rohloff et al., 同書. 及びWO 98/07685に記載
されているとおりに入手する。
【0020】好ましい式(II)の4−アミノ−5−アジ
ド−シキミ酸誘導体は、エチル(3R,4R、5S)−
4−アセトアミド−5−アジド−3−(1−エチルプロ
ポキシ)−1−シクロヘキセン−1−カルボキシラート
である。したがって、好ましい式(I)の4,5−ジア
ミノ−シキミ酸誘導体は、エチル(3R、4R,5S)
−4−アセトアミド−5−アミノ−3−(1−エチルプ
ロポキシ)−1−シクロヘキセン−1−カルボキシラー
ト及びエチル(3R,4R,5S)−4−アセトアミド
−5−アミノ−3−(1−エチルプロポキシ)−1−シ
クロヘキセン−1−カルボキシラート ホスファート
(1:1)である。
【0021】用いられるホスフィンは、一般式(II
I): P(R53 III (式中、R5は、アルキルである。)で示すことができ
る。
【0022】好都合には、R5は、上記の直鎖又は分枝
であるC18アルキル基である。
【0023】安定的に用いることができるホスフィン
は、トリオクチルホスフィン、トリイソブチルホスフィ
ン、トリ−n−ブチルホスフィン、及びトリエチルホス
フィンである。最も好ましいホフフィンは、トリ−n−
ブチルホスフィンである。
【0024】原則として、このホスフィンに、式(II)
の4−アミノ−5−アジド−シキミ酸誘導体の化学両論
量の量、又は1.05当量までの僅かに過剰量を加え
る。
【0025】典型的には、還元は、アルコール、好まし
くは、水性エタノール又は水性テトラヒドロフラン、最
も好ましくは水性エタノールのような極性プロトン性溶
媒中で行われる。
【0026】反応温度は、主に用いられるホスフィンに
よるが、原則として−20℃〜30℃、好ましくは0℃
〜25℃の範囲内である。
【0027】2つの温度レベルで反応を行うことが有利
であり、それによってホスフィンの添加のために上記所
定の一層低い温度範囲を有し、そしてその後室温に至る
までの僅かに高い温度を有し、反応を完了に導くことが
できる。
【0028】本発明の特定の実施態様について、転換中
に存在する触媒量の酸が、数%の少量で生じて所望しな
い不純物をもたらす別のエステル加水分解を抑制するこ
とが見出された。
【0029】適切な酸は、カルボン酸、好ましくは酢酸
である。通常は、酢酸を氷酢酸の形態で、式(II)の4
−アミノ−5−アジド−シキミ酸に関して0.5mol%
〜3.0mol%の触媒量を加える。
【0030】原則として、この過程を、3時間〜6時間
後に完了する。
【0031】その後、反応混合物の生成を当業者に既知
の方法を適用することによってすることができる。好都
合には、反応混合物を、好ましくは5%未満の酢酸を用
いる安定化後に、減圧濃縮する。
【0032】4,5−ジアミノ−シキミ酸誘導体を、例
えば蒸発及び結晶化によって単離することができるが、
例えば、エタノール溶液に維持し、次いでJ. C. Rohlof
f etal., J. Org. Chem. 63, 1998, 4545-4550; WO 98/
07685に記載されている方法にしたがって薬学的に許容
可能な付加塩へ更に転換することが好ましい。
【0033】用語“薬学的に許容可能な酸付加塩”は、
塩酸、臭化水素酸、硝酸、硫酸、リン酸、クエン酸、ギ
酸、マレイン酸、コハク酸、酒石酸、メタンスルホン
酸、p−トルエンスルホン酸などのような無機及び有機
酸の塩を包含する。
【0034】塩形成は、それ自体既知の当業者に周知の
方法でおこなわれる。無機酸の塩のみならず、有機酸の
塩もまた考慮に入る。塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸炎、
硝酸塩、クエン酸塩、酢酸塩、マレイン酸塩、コハク酸
塩、メタンスルホン酸塩、p−トルエンスルホン酸塩等
が、該塩の例である。
【0035】好ましい薬学的に許容可能な酸付加塩は、
−20℃〜60℃の温度で、好ましくはエタノール溶液
中で、形成することができるリン酸との1:1塩であ
る。
【0036】下記の実施例は、本発明を制限することな
く、より詳細に本発明を例証する。
【0037】
【実施例】1.エチル(3R,4R,5S)−4−アセ
トアミド−5−アミノ−3−(1−エチルプロポキシ)
−1−シクロヘキセン−1−カルボキシラートの製造 エチル(3R,4R,5S)−4−アセトアミド−5−
アジド−3−(1−エチルプロポキシ)−1−シクロヘ
キセン−1−カルボキシラート50.0g(0.147
mol)を、機械式スターラー、濃縮器、及び250ml滴
下漏斗を装備し、窒素を除去した1000mlガラス反応
器内に置いた。エタノール300ml、水50ml及び酢酸
0.09gを加えた。得られた透明溶液31.4g
(0.155mol)に、トリブチルホスフィンのエタノ
ール溶液150mlを、30〜90分間かけて5℃(+/
−5℃)の温度で連続的に加えた。ジャケットの僅かな
冷却のもとに(〜3℃)、反応温度をこの温度で維持し
た。供給器をエタノール20mlで洗浄した。透明な反応
混合物をジャケットの僅かな冷却のもとに5℃(+/−
5℃)で更に90分間攪拌した。続いて、温度を20〜
25℃へ30〜60分間以内に上昇させ、そして溶液を
更に3時間攪拌した(窒素発生)。
【0038】反応終了後、酢酸0.18g(HPLCコ
ントロール)を透明溶液に加えた。次に、この混合物を
最大温度60℃そして最大ジャケット温度75℃で、減
圧下(300から50mbar(hPa)へ)、ほぼ乾燥する
まで濃縮した。油状残査(80〜100ml)をエタノー
ル160mlで希釈し、次に得られた溶液を上記のような
方法にしたがって再び濃縮した。この油状残査を容量が
250mlに至るまでエタノールに溶解させた。この溶液
の含水量をKF(Karl Fischer)滴定で測定し、1.0
%(重量%)未満であった。 収率:エタノール溶液中の表題産物44.4g(HPL
Cでは97%領域)。
【0039】2.エチル(3R,4R,5S)−4−ア
セトアミド−5−アミノ−3−(1−エチルプロポキ
シ)−1−シクロヘキセン−1−カルボキシラート ホ
スファート(1:1)の製造 機械式スターラー、濃縮器、及び500mlの滴下漏斗を
装備した、乾燥しそして窒素を除去した1000mlガラ
ス反応器内に、オルトリン酸(水中で85%)17.0
gをエタノール400mlに溶解させ、そして得られた透
明溶液を50〜55℃まで加熱した。続いて、実施例1
で得られ、そしてエチル(3R,4R,5S)−4−ア
セトアミド−5−アミノ−3−(1−エチルプロポキ
シ)−1−シクロヘキセン−1−カルボキシラート0.
147molを含有するエタノール溶液250mlを攪拌下
に加えた。この溶液の全用量の3分の2(約160ml)
を手早く添加した後、添加を中止しそして過飽和の透明
溶液に予め得られたエチル(3R,4R,5S)−4−
アセトアミド−5−アミノ−3−(1−エチルプロポキ
シ)−1−シクロヘキセン−1−カルボキシラート ホ
スファート(1:1)0.2gを播種した。直後に結晶
化が始まった。得られた粘稠懸濁液を50〜55℃で4
5〜60分間攪拌した。次に、残りのアミン溶液を、5
0〜55℃で懸濁液にゆっくりと(45〜60分間)加
えた。供給器をエタノール20mlで洗浄した。次に、こ
の粘稠懸濁液を12〜20℃まで約4時間連続的に冷却
した(冷却速度=10℃/時間)。結晶化が完了するま
で、12〜20℃で更に2±1時間攪拌を続けた。エチ
ル(3R,4R,5S)−4−アセトアミド−5−アミ
ノ−3−(1−エチルプロポキシ)−1−シクロヘキセ
ン−1−カルボキシラートホスファート(1:1)を加
圧濾過(0.3bar窒素過圧、Dacron (登録商標)フィル
タークロス)によって単離した。結晶性産物をアセトン
240mlで2回、そしてn−ヘプタン300mlで2回室
温で洗浄した。エチル(3R,4R,5S)−4−アセ
トアミド−5−アミノ−3−(1−エチルプロポキシ)
−1−シクロヘキセン−1−カルボキシラート ホスフ
ァート(1:1)を恒量まで50℃の最高温度で減圧
(≒20mbar)乾燥した。 収率:含有量99重量%の無色針状形態の表題産物54
〜55g(88〜91%)(不純物総量<0.5重量
%、単一の不純物≦0.1重量%)。
【0040】比較例1 エチル(3R,4R,5S)−4−アセトアミド−5−
アミノ−3−(1−エチルプロポキシ)−1−シクロヘ
キセン−1−カルボキシラート(Ra−Niを用いる水
素化)の製造
【0041】エチル(3R,4R,5S)−4−アセト
アミド−5−アジド−3−(1−エチルプロポキシ)−
1−シクロヘキセン−1−カルボキシラート100g
(0.295mol)をエタノール800mlに溶解し、ラ
ネーニッケル(Degussa)34gを含むエタノール20
0mlと一緒に2lのスチールオートクレーブ内に置い
た。このオートクレーブを閉め、窒素を用いて2回洗浄
し、次に2barの水素圧力下に設定した。水素化を、1
000rpmでの機械的攪拌下、20〜25℃の温度で、
全ての出発物質が反応するまで、そして“2−アジド−
5−アミノ中間体”の含量が≦0.01領域(GC測
定)になるまで、すなわち約5〜8時間後まで行った。
一方、この“過水素化”によって“シクロヘキセン2重
結合”もまた水素化されることが見出された。
【0042】その結果それぞれのシクロヘキサン誘導体
の含量は、3〜6%領域(GC測定)であった。
【0043】混ぜ合わせ(work up)をシクロペンテン
52mlの添加続いて窒素雰囲気中で1時間の攪拌によっ
て行った。次に、反応混合物を加圧フィルターによって
圧縮した(2barN2過圧)。次に、反応器内の残査をエ
タノール400mlで希釈し、続いて加圧濾過した。合わ
せた濾液(約1250ml)を500mlの溶液になるまで
濃縮し、そして表題産物約70〜80gを含有した。
【0044】比較例2 エチル(3R,4R,5S)−4−アセトアミド−5−
アミノ−3−(1−エチルプロポキシ)−1−シクロヘ
キセン−1−カルボキシラート ホスファート(1:
1)の製造
【0045】機械式スターラー、濃縮器、及び500ml
の滴下漏斗を装備した、乾燥しそして窒素を除去した2
000mlガラス反応器内で、オルトリン酸(水中で85
%)33.0gをエタノール1400mlに溶解させ、そ
して得られた透明溶液を50〜55℃まで加熱した。続
いて、比較例1で得られそしてエチル(3R,4R,5
S)−4−アセトアミド−5−アミノ−3−(1−エチ
ルプロポキシ)−1−シクロヘキセン−1−カルボキシ
ラート約224mmolを含有するエタノール溶液500ml
を攪拌下に添加した。この溶液の全容量の3分の2(約
330ml)を手早く添加(10〜15分間)した後、添
加を中止しそして過飽和の透明溶液に予め得られたエチ
ル(3R,4R,5S)−4−アセトアミド−5−アミ
ノ−3−(1−エチルプロポキシ)−1−シクロヘキセ
ン−1−カルボキシラート ホスファート(1:1)
0.4gを播種した。直後に結晶化が始まった。得られ
た粘稠懸濁液を50〜55℃で45〜60分間攪拌し
た。次に、残りのアミン溶液を、50〜55℃で懸濁液
にゆっくりと加えた(45〜60分間)。供給器をエタ
ノール20mlで洗浄した。次に、粘稠懸濁液を−20℃
まで約4〜7時間内に連続的に冷却した。エチル(3
R,4R,5S)−4−アセトアミド−5−アミノ−3
−(1−エチルプロポキシ)−1−シクロヘキセン−1
−カルボキシラート ホスファート(1:1)を濾過に
よって単離しそしてアセトン(室温)480mlで2回洗
浄した。結晶性産物をアセトン2600mlに24℃〜2
8℃で3時間再懸濁させ、濾過し、アセトン(室温)4
00mlで2回洗浄しそしてn−ヘプタン(室温)600
mlで2回洗浄した。エチル(3R,4R,5S)−4−
アセトアミド−5−アミノ−3−(1−エチルプロポキ
シ)−1−シクロヘキセン−1−カルボキシラート ホ
スファート(1:1)を恒量まで25〜28℃の温度で
減圧(≒20mbar)乾燥させた。 収率:含有量99重量%の無色針状の形態での表題産物
73〜90g(80〜85%)。“過水素化”シクロヘ
キサン誘導体はまだ0.5〜2.0領域%であった(G
C測定)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07C 231/12 C07C 233/52 C07C 209/42

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式(I): 【化1】 (式中、 R1は、 −アルキル、C −アルケニル、
    −シクロアルキル、C −アルコキシ、C
    −アルコキシカルボニル、F、Cl、Br又はI
    で置換されていてもよいアルキル基であり、 R2は、アルキル基であり、そしてR3及びR4は、相互
    に独立して、H又はアミノ保護基であるが、ただし、R
    3及びR4の両方がHではない)の4,5−ジアミノ−シ
    キミ酸誘導体、又はその薬学的に許容可能な付加塩の製
    造方法であって、 式(II): 【化2】 (式中、 R1、R2、R3及びR4は、上記と同義である)の4−ア
    ミノ−5−アジド−シキミ酸誘導体を、触媒量の酸の存
    在下ホスフィンを用いて還元し、必要に応じて薬学的に
    許容可能な付加塩へ更に変換することを特徴とする製造
    方法。
  2. 【請求項2】 使用されるホスフィンが、式(III): P(R53 III (式中、R5は、アルキルである)を有する、請求項1
    記載の方法。
  3. 【請求項3】 トリ−n−ブチルホスフィンを用いる、
    請求項2記載の方法。
  4. 【請求項4】 還元が、極性プロトン性溶媒中、−20
    〜30℃の温度で行われる、請求項1〜3いずれか1項
    記載の方法。
  5. 【請求項5】 極性プロトン性溶媒が、水性エタノール
    である、請求項4記載の方法。
  6. 【請求項6】 触媒量のカルボン酸の存在下で行われ
    る、請求項1〜5いずれか1項記載の方法。
  7. 【請求項7】 触媒量の酢酸0.5mol%〜3.0mol%
    の存在下で行われる、請求項1〜6いずれか1項記載の
    方法。
  8. 【請求項8】 式(II)の4−アミノ−5−アジド−シ
    キミ酸誘導体が、エチル(3R,4R,5S)−4−ア
    セトアミド−5−アジド−3−(1−エチルプロポキ
    シ)−1−シクロヘキセン−1−カルボキシラートであ
    る、請求項1〜7記載の方法。
  9. 【請求項9】 式(I)の4,5−ジアミノ−シキミ酸
    誘導体が、エチル(3R,4R,5S)−4−アセトア
    ミド−5−アミノ−3−(1−エチルプロポキシ)−1
    −シクロヘキセン−1−カルボキシラート ホスファー
    ト(1:1)である、請求項1〜7いずれか1項記載の
    方法。
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