JP3500585B2 - 可変インダクタンス素子 - Google Patents
可変インダクタンス素子Info
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- piezoelectric element
- magnetostrictive material
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- inductance
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インダクタンス値を変
化可能な可変インダクタンス素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、可変インダクタンス素子として
は、コイルの中の鉄心を移動させる構造のものや、コイ
ルの端子を移動させる構造のものが知られている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】従来の可変インダクタ
ンス素子は、前述したような機械的構造を有しているた
め、手作業によりインダクタンス値を調整および設定
し、以後は設定値に固定して使用するような用途に用い
られるのがせいぜいで、例えば、ＬＣ共振回路において
共振条件を自動制御等するためにインダクタンス値を随
時変化させるような用途に使用することは困難である。 【０００４】従来の可変インダクタンス素子はまた、上
記機械的構造を有するためにある程度以上の小型化は困
難であり、近年の電子機器の小型化、高集積度化に対す
るネックとなっている。 【０００５】本発明の課題は、インダクタンス値を容易
に、かつ随時、変化させることが可能な可変インダクタ
ンス素子を提供することである。 【０００６】本発明の他の課題は、小型の可変インダク
タンス素子を提供することである。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、印加電
圧に応じて伸縮する圧電素子部と、印加応力に応じて透
磁率が変化する磁歪材料と平面コイルとを重ね合わせて
成るインダクタンス素子部とを、前記圧電素子部と前記
磁歪材料とを密な状態にして前記圧電素子部の伸縮方向
に重ね合わせ、前記伸縮方向の寸法を規定するホルダに
収容したことを特徴とする可変インダクタンス素子が得
られる。 【０００８】 【作用】本発明による可変インダクタンス素子における
圧電素子部は、逆電歪作用により、印加電圧に応じて応
力を生ずる。一方、インダクタンス素子部における磁歪
材料は、逆磁歪作用により、印加応力に応じて透磁率が
変化する。そして、圧電素子部と、磁歪材料とコイルと
から成るインダクタンス素子部とを、圧電素子部と磁歪
材料とを密な状態にして圧電素子部の伸縮方向に重ね合
わせ、伸縮方向の寸法を規定するホルダに収容した構成
の本発明による可変インダクタンス素子においては、圧
電素子部への印加電圧に応じて磁歪材料の透磁率が変化
し、さらに、透磁率の変化に応じてコイルのインダクタ
ンス値が変化する。即ち、本発明による可変インダクタ
ンス素子は、印加電圧に応じてインダクタンス値が変化
する。 【０００９】尚、磁歪材料には、正の磁歪特性を持つも
のと、負の磁歪特性を持つものとがある。正の磁歪の磁
歪材料は、印加される磁界の方向に伸びる一方、印加磁
界に垂直な方向に縮む。他方、負の磁歪の磁歪材料は、
印加される磁界の方向に縮む一方、印加磁界に垂直な方
向に伸びる。 【００１０】 【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
よる可変インダクタンス素子を説明する。 【００１１】図１は、本実施例による可変インダクタン
ス素子を示す概念図である。図１において、本可変イン
ダクタンス素子は、圧電材料１１と電極１２とから成
り、印加電圧Ｖｉｎに応じて伸縮する圧電素子部１０
と、印加応力Ｐに応じて透磁率が変化する正の磁歪の磁
歪材料２２と平面コイル２１とを重ね合わせて成るイン
ダクタンス素子部２０とを、圧電素子部１０と磁歪材料
２２とを密な状態にして圧電素子部１０の伸縮方向に重
ね合わせ、伸縮方向の寸法を規定するホルダ３０に収容
した構成である。尚、磁歪材料２２への印加応力Ｐは、
圧電素子部１０の伸縮によるものである。 【００１２】圧電素子部１０に正の印加電圧Ｖｉｎを印
加すると、逆圧電作用によって外形が図中上下方向に伸
びる。この場合、圧電横作用と圧電縦作用のどちらを用
いてもかまわない。圧電素子部１０とインダクタンス素
子部２０とは、ホルダ３０によって伸縮方向の寸法が規
定されているので、インダクタンス素子部２０の磁歪材
料２２に応力Ｐが加わる。正の磁歪の磁歪材料２２の透
磁率は、応力Ｐが印加されていないときに比べて上昇す
る。さらに、インダクタンス素子部２０の平面コイル２
１の両端のインダクタンス値Ｌは、磁歪材料２２の透磁
率に依存するため、上昇する。即ち、圧電素子部への印
加電圧Ｖｉｎに応じて、インダクタンス素子部のインダ
クタンス値Ｌを変化させることができる。尚、磁歪材料
２２が負の磁歪であるならば、その透磁率は応力Ｐの印
加によって減少し、さらにインダクタンス値Ｌも減少す
る。 【００１３】尚、印加電圧Ｖｉｎ＝０ボルトのときのイ
ンダクタンス値Ｌがインダクタンス値の所望する範囲の
最小値となるように平面コイル２１の形状等を設定して
おくことが好ましい。あるいは、印加電圧Ｖｉｎの所定
値のときのインダクタンス値Ｌをインダクタンス値の所
望する範囲の中心付近とし、印加電圧Ｖｉｎの所定値を
バイアス電圧値としてもよい。 【００１４】本実施例による可変インダクタンス素子の
動作速度、即ち、印加電圧Ｖｉｎの印加からインダクタ
ンス値Ｌの発生までの所要時間は、およそ圧電素子部１
０の変形に要する時間に依存するが、圧電素子部１０の
反応速度は速いため、高速にインダクタンス値Ｌを変化
させることができる。 【００１５】また、圧電素子部１０は消費電力が小さい
ため、インダクタンス値Ｌを変化させるためのエネルギ
ーロスが小さい。 【００１６】尚、本発明において、機械的構造とは、雄
ネジと雌ネジとの組み合わせ等、組み合わさった（互い
に係合する）対の部材の少なくとも一方が移動し、対の
部材間の相対位置関係が変化するような構造をいう。し
たがって、本発明による可変インダクタンス素子の構造
は、本発明にていう機械的構造を有してはいない。 【００１７】本発明による可変インダクタンス素子は、
薄膜プロセスを用いて構成できる。このため、小型に構
成できることは勿論、他の素子と共に、集積回路に組み
込むことも可能である。 【００１８】図２は、図１に示した本実施例による可変
インダクタンス素子の具体例を示す概略的な斜視図であ
り、一部を透視して描いている。図２において、本可変
インダクタンス素子は、既知の圧電材料１１と副電極１
２ｂとを交互に積層し、主電極１２ａにて接続した薄膜
積層タイプの圧電素子部１０と、圧電素子部１０からの
印加応力Ｐに応じて透磁率が変化するＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系
非晶質薄膜である磁歪材料２２と平面コイル２１とを重
ね合わせて成る薄膜積層タイプのインダクタンス素子部
２０とを、圧電素子部１０と磁歪材料２２とを密な状態
にして圧電素子部１０の伸縮方向に重ね合わせ、伸縮方
向の寸法を規定する上枠３１と下板３２とから成るホル
ダ３０に収容した構成である。尚、磁歪材料２２として
のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系非晶質薄膜は、正の磁歪である。 【００１９】尚、圧電素子部１０の構造や、圧電材料１
１の種類には、特に制限はないが、低電圧で駆動できる
ものが好ましい。また、インダクタンス素子部２０構造
にも制限はなく、例えば、チップインダクタや薄膜マイ
クロインダクタなどの小型のインダクタンス素子の使用
も可能である。また、インダクタンス素子部２０におけ
る磁歪材料２２としては、磁歪が大きく、かつ透磁率が
高いものが好ましい。 【００２０】ここで、本可変インダクタンス素子は、イ
ンダクタンス値Ｌを２００ｎＨ〜４００ｎＨの範囲に可
変であることが要求されるとする。 【００２１】図３に、図２に示した本実施例による可変
インダクタンス素子の印加電圧Ｖｉｎに対するインダク
タンス値Ｌの変化を示す。図３において、印加電圧Ｖｉ
ｎが１００ボルトのときにインダクタンス値Ｌが３００
ｎＨであるので、本素子のベース電圧値は１００ボルト
とすることが好ましい。そして、印加電圧Ｖｉｎを０ボ
ルト（ベース電圧値に対して、−１００ボルト）から２
００ボルト（ベース電圧値に対して、＋１００ボルト）
まで変化させることでインダクタンス値Ｌは２００ｎＨ
〜４００ｎＨよりも広い範囲に変化する。 【００２２】図２に示した本発明による可変インダクタ
ンス素子と、比較例として従来の鉄心を動かす形状の可
変インダクタンス素子のインダクタンス値Ｌを２００ｎ
Ｈから４００ｎＨへ変化させるのに要する時間を測定し
た。尚、比較例における鉄心の移動には、電気モータに
よる機械的駆動手段を用いた。図４に、本発明による可
変インダクタンス素子（図中、線Ａ）と、比較例による
可変インダクタンス素子（図中、線Ｂ）のインダクタン
ス値Ｌの経時的な変化を示す。図４において、本可変イ
ンダクタンス素子は、従来の素子に比べて、短時間にイ
ンダクタンス値Ｌを変化させることができることがわか
る。 【００２３】また、前述の比較例による可変インダクタ
ンス素子の体積は、電気モータを除いても、約１０００
ｍｍ3 であり、しかも、これより小型化することは構造
上困難である。一方、図２に示した本発明による可変イ
ンダクタンス素子は、その体積が約７０ｍｍ3 であり、
小型である。 【００２４】尚、以上説明した実施例においては、イン
ダクタンス素子部２０の磁歪材料２２が圧電素子部１０
からの押し付け応力によって透磁率を変化させている
が、本発明においては、圧電素子部１０を収縮させるこ
とによって引張応力を生じさせ、磁歪材料２２を引っ張
ることで透磁率を変化させてもよい。この場合には、圧
電素子部が縮む方向にインダクタンス素子部の磁歪材料
を引っ張れるように、圧電素子部の伸縮方向にて圧電素
子部と磁歪材料とを接合させる必要がある。 【００２５】 【発明の効果】本発明による可変インダクタンス素子
は、印加電圧に応じて伸縮する圧電素子部と、印加応力
に応じて透磁率が変化する磁歪材料と平面コイルとを重
ね合わせて成るインダクタンス素子部とを、圧電素子部
と磁歪材料とを密な状態にして圧電素子部の伸縮方向に
重ね合わせ、伸縮方向の寸法を規定するホルダに収容し
た構成であるため、インダクタンス値を容易かつ高速
に、随時変化させることが可能である。また、インダク
タンス値が安定しており、長期間使用しても特性が劣化
することもない。さらに、小型であり、特に、薄膜プロ
セスを用いて構成すれば、他の素子と共に集積回路に組
み込める程度に、極めて小型である。
化可能な可変インダクタンス素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、可変インダクタンス素子として
は、コイルの中の鉄心を移動させる構造のものや、コイ
ルの端子を移動させる構造のものが知られている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】従来の可変インダクタ
ンス素子は、前述したような機械的構造を有しているた
め、手作業によりインダクタンス値を調整および設定
し、以後は設定値に固定して使用するような用途に用い
られるのがせいぜいで、例えば、ＬＣ共振回路において
共振条件を自動制御等するためにインダクタンス値を随
時変化させるような用途に使用することは困難である。 【０００４】従来の可変インダクタンス素子はまた、上
記機械的構造を有するためにある程度以上の小型化は困
難であり、近年の電子機器の小型化、高集積度化に対す
るネックとなっている。 【０００５】本発明の課題は、インダクタンス値を容易
に、かつ随時、変化させることが可能な可変インダクタ
ンス素子を提供することである。 【０００６】本発明の他の課題は、小型の可変インダク
タンス素子を提供することである。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、印加電
圧に応じて伸縮する圧電素子部と、印加応力に応じて透
磁率が変化する磁歪材料と平面コイルとを重ね合わせて
成るインダクタンス素子部とを、前記圧電素子部と前記
磁歪材料とを密な状態にして前記圧電素子部の伸縮方向
に重ね合わせ、前記伸縮方向の寸法を規定するホルダに
収容したことを特徴とする可変インダクタンス素子が得
られる。 【０００８】 【作用】本発明による可変インダクタンス素子における
圧電素子部は、逆電歪作用により、印加電圧に応じて応
力を生ずる。一方、インダクタンス素子部における磁歪
材料は、逆磁歪作用により、印加応力に応じて透磁率が
変化する。そして、圧電素子部と、磁歪材料とコイルと
から成るインダクタンス素子部とを、圧電素子部と磁歪
材料とを密な状態にして圧電素子部の伸縮方向に重ね合
わせ、伸縮方向の寸法を規定するホルダに収容した構成
の本発明による可変インダクタンス素子においては、圧
電素子部への印加電圧に応じて磁歪材料の透磁率が変化
し、さらに、透磁率の変化に応じてコイルのインダクタ
ンス値が変化する。即ち、本発明による可変インダクタ
ンス素子は、印加電圧に応じてインダクタンス値が変化
する。 【０００９】尚、磁歪材料には、正の磁歪特性を持つも
のと、負の磁歪特性を持つものとがある。正の磁歪の磁
歪材料は、印加される磁界の方向に伸びる一方、印加磁
界に垂直な方向に縮む。他方、負の磁歪の磁歪材料は、
印加される磁界の方向に縮む一方、印加磁界に垂直な方
向に伸びる。 【００１０】 【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
よる可変インダクタンス素子を説明する。 【００１１】図１は、本実施例による可変インダクタン
ス素子を示す概念図である。図１において、本可変イン
ダクタンス素子は、圧電材料１１と電極１２とから成
り、印加電圧Ｖｉｎに応じて伸縮する圧電素子部１０
と、印加応力Ｐに応じて透磁率が変化する正の磁歪の磁
歪材料２２と平面コイル２１とを重ね合わせて成るイン
ダクタンス素子部２０とを、圧電素子部１０と磁歪材料
２２とを密な状態にして圧電素子部１０の伸縮方向に重
ね合わせ、伸縮方向の寸法を規定するホルダ３０に収容
した構成である。尚、磁歪材料２２への印加応力Ｐは、
圧電素子部１０の伸縮によるものである。 【００１２】圧電素子部１０に正の印加電圧Ｖｉｎを印
加すると、逆圧電作用によって外形が図中上下方向に伸
びる。この場合、圧電横作用と圧電縦作用のどちらを用
いてもかまわない。圧電素子部１０とインダクタンス素
子部２０とは、ホルダ３０によって伸縮方向の寸法が規
定されているので、インダクタンス素子部２０の磁歪材
料２２に応力Ｐが加わる。正の磁歪の磁歪材料２２の透
磁率は、応力Ｐが印加されていないときに比べて上昇す
る。さらに、インダクタンス素子部２０の平面コイル２
１の両端のインダクタンス値Ｌは、磁歪材料２２の透磁
率に依存するため、上昇する。即ち、圧電素子部への印
加電圧Ｖｉｎに応じて、インダクタンス素子部のインダ
クタンス値Ｌを変化させることができる。尚、磁歪材料
２２が負の磁歪であるならば、その透磁率は応力Ｐの印
加によって減少し、さらにインダクタンス値Ｌも減少す
る。 【００１３】尚、印加電圧Ｖｉｎ＝０ボルトのときのイ
ンダクタンス値Ｌがインダクタンス値の所望する範囲の
最小値となるように平面コイル２１の形状等を設定して
おくことが好ましい。あるいは、印加電圧Ｖｉｎの所定
値のときのインダクタンス値Ｌをインダクタンス値の所
望する範囲の中心付近とし、印加電圧Ｖｉｎの所定値を
バイアス電圧値としてもよい。 【００１４】本実施例による可変インダクタンス素子の
動作速度、即ち、印加電圧Ｖｉｎの印加からインダクタ
ンス値Ｌの発生までの所要時間は、およそ圧電素子部１
０の変形に要する時間に依存するが、圧電素子部１０の
反応速度は速いため、高速にインダクタンス値Ｌを変化
させることができる。 【００１５】また、圧電素子部１０は消費電力が小さい
ため、インダクタンス値Ｌを変化させるためのエネルギ
ーロスが小さい。 【００１６】尚、本発明において、機械的構造とは、雄
ネジと雌ネジとの組み合わせ等、組み合わさった（互い
に係合する）対の部材の少なくとも一方が移動し、対の
部材間の相対位置関係が変化するような構造をいう。し
たがって、本発明による可変インダクタンス素子の構造
は、本発明にていう機械的構造を有してはいない。 【００１７】本発明による可変インダクタンス素子は、
薄膜プロセスを用いて構成できる。このため、小型に構
成できることは勿論、他の素子と共に、集積回路に組み
込むことも可能である。 【００１８】図２は、図１に示した本実施例による可変
インダクタンス素子の具体例を示す概略的な斜視図であ
り、一部を透視して描いている。図２において、本可変
インダクタンス素子は、既知の圧電材料１１と副電極１
２ｂとを交互に積層し、主電極１２ａにて接続した薄膜
積層タイプの圧電素子部１０と、圧電素子部１０からの
印加応力Ｐに応じて透磁率が変化するＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系
非晶質薄膜である磁歪材料２２と平面コイル２１とを重
ね合わせて成る薄膜積層タイプのインダクタンス素子部
２０とを、圧電素子部１０と磁歪材料２２とを密な状態
にして圧電素子部１０の伸縮方向に重ね合わせ、伸縮方
向の寸法を規定する上枠３１と下板３２とから成るホル
ダ３０に収容した構成である。尚、磁歪材料２２として
のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系非晶質薄膜は、正の磁歪である。 【００１９】尚、圧電素子部１０の構造や、圧電材料１
１の種類には、特に制限はないが、低電圧で駆動できる
ものが好ましい。また、インダクタンス素子部２０構造
にも制限はなく、例えば、チップインダクタや薄膜マイ
クロインダクタなどの小型のインダクタンス素子の使用
も可能である。また、インダクタンス素子部２０におけ
る磁歪材料２２としては、磁歪が大きく、かつ透磁率が
高いものが好ましい。 【００２０】ここで、本可変インダクタンス素子は、イ
ンダクタンス値Ｌを２００ｎＨ〜４００ｎＨの範囲に可
変であることが要求されるとする。 【００２１】図３に、図２に示した本実施例による可変
インダクタンス素子の印加電圧Ｖｉｎに対するインダク
タンス値Ｌの変化を示す。図３において、印加電圧Ｖｉ
ｎが１００ボルトのときにインダクタンス値Ｌが３００
ｎＨであるので、本素子のベース電圧値は１００ボルト
とすることが好ましい。そして、印加電圧Ｖｉｎを０ボ
ルト（ベース電圧値に対して、−１００ボルト）から２
００ボルト（ベース電圧値に対して、＋１００ボルト）
まで変化させることでインダクタンス値Ｌは２００ｎＨ
〜４００ｎＨよりも広い範囲に変化する。 【００２２】図２に示した本発明による可変インダクタ
ンス素子と、比較例として従来の鉄心を動かす形状の可
変インダクタンス素子のインダクタンス値Ｌを２００ｎ
Ｈから４００ｎＨへ変化させるのに要する時間を測定し
た。尚、比較例における鉄心の移動には、電気モータに
よる機械的駆動手段を用いた。図４に、本発明による可
変インダクタンス素子（図中、線Ａ）と、比較例による
可変インダクタンス素子（図中、線Ｂ）のインダクタン
ス値Ｌの経時的な変化を示す。図４において、本可変イ
ンダクタンス素子は、従来の素子に比べて、短時間にイ
ンダクタンス値Ｌを変化させることができることがわか
る。 【００２３】また、前述の比較例による可変インダクタ
ンス素子の体積は、電気モータを除いても、約１０００
ｍｍ3 であり、しかも、これより小型化することは構造
上困難である。一方、図２に示した本発明による可変イ
ンダクタンス素子は、その体積が約７０ｍｍ3 であり、
小型である。 【００２４】尚、以上説明した実施例においては、イン
ダクタンス素子部２０の磁歪材料２２が圧電素子部１０
からの押し付け応力によって透磁率を変化させている
が、本発明においては、圧電素子部１０を収縮させるこ
とによって引張応力を生じさせ、磁歪材料２２を引っ張
ることで透磁率を変化させてもよい。この場合には、圧
電素子部が縮む方向にインダクタンス素子部の磁歪材料
を引っ張れるように、圧電素子部の伸縮方向にて圧電素
子部と磁歪材料とを接合させる必要がある。 【００２５】 【発明の効果】本発明による可変インダクタンス素子
は、印加電圧に応じて伸縮する圧電素子部と、印加応力
に応じて透磁率が変化する磁歪材料と平面コイルとを重
ね合わせて成るインダクタンス素子部とを、圧電素子部
と磁歪材料とを密な状態にして圧電素子部の伸縮方向に
重ね合わせ、伸縮方向の寸法を規定するホルダに収容し
た構成であるため、インダクタンス値を容易かつ高速
に、随時変化させることが可能である。また、インダク
タンス値が安定しており、長期間使用しても特性が劣化
することもない。さらに、小型であり、特に、薄膜プロ
セスを用いて構成すれば、他の素子と共に集積回路に組
み込める程度に、極めて小型である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による可変インダクタンス素
子を示す概念図である。 【図２】本発明の一実施例による可変インダクタンス素
子を示す斜視図である。 【図３】図２に示す可変インダクタンス素子の印加電圧
とインダクタンス値との関係を示す図である。 【図４】図２に示す可変インダクタンス素子と、比較例
としての従来の可変インダクタンス素子との、インダク
タンス値の変化に要する時間を比較する図である。 【符号の説明】 １０ 圧電素子部 １１ 圧電材料 １２ 電極 １２ａ 主電極 １２ｂ 副電極 ２０ インダクタンス素子部 ２１ 平面コイル ２２ 磁歪材料 ３０ ホルダ ３１ 上枠 ３２ 下板
子を示す概念図である。 【図２】本発明の一実施例による可変インダクタンス素
子を示す斜視図である。 【図３】図２に示す可変インダクタンス素子の印加電圧
とインダクタンス値との関係を示す図である。 【図４】図２に示す可変インダクタンス素子と、比較例
としての従来の可変インダクタンス素子との、インダク
タンス値の変化に要する時間を比較する図である。 【符号の説明】 １０ 圧電素子部 １１ 圧電材料 １２ 電極 １２ａ 主電極 １２ｂ 副電極 ２０ インダクタンス素子部 ２１ 平面コイル ２２ 磁歪材料 ３０ ホルダ ３１ 上枠 ３２ 下板
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 印加電圧に応じて伸縮する圧電素子部
と、印加応力に応じて透磁率が変化する磁歪材料と平面
コイルとを重ね合わせて成るインダクタンス素子部と
を、前記圧電素子部と前記磁歪材料とを密な状態にして
前記圧電素子部の伸縮方向に重ね合わせ、前記伸縮方向
の寸法を規定するホルダに収容したことを特徴とする可
変インダクタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21086594A JP3500585B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 可変インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21086594A JP3500585B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 可変インダクタンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878240A JPH0878240A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3500585B2 true JP3500585B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=16596389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21086594A Expired - Fee Related JP3500585B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 可変インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3500585B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5195974B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2013-05-15 | 日産自動車株式会社 | 回転電機 |
| JP4876614B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2012-02-15 | 日産自動車株式会社 | 回転電機 |
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1994
- 1994-09-05 JP JP21086594A patent/JP3500585B2/ja not_active Expired - Fee Related
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