JP3499061B2 - Multilayer aluminum nitride circuit board - Google Patents
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表面導体層を有す
る多層窒化アルミニウム回路基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer aluminum nitride circuit board having a surface conductor layer.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、パワ―IC、高周波トランジスタ
等の大電流を必要とする半導体素子の発展に伴って、セ
ラミックス基板の需要は年々増加している。特に、窒化
アルミニウム基板は、熱伝導率が高く、放熱性に優れる
等の特徴を有することから、増大傾向にある半導体素子
からの放熱量に対応し得る基板として注目されている。
このような窒化アルミニウム基板を半導体用パッケージ
や多層回路基板等として使用する場合には、同時焼成に
より多層構造の窒化アルミニウム基板と導体層とを一括
して作製することが一般的である。2. Description of the Related Art In recent years, the demand for ceramic substrates has been increasing year by year with the development of semiconductor devices such as power ICs and high frequency transistors which require large currents. In particular, since the aluminum nitride substrate has features such as high thermal conductivity and excellent heat dissipation, it is attracting attention as a substrate that can cope with the increasing amount of heat dissipation from semiconductor elements.
When such an aluminum nitride substrate is used as a semiconductor package, a multilayer circuit board, or the like, it is common to simultaneously manufacture a multilayer aluminum nitride substrate and a conductor layer by simultaneous firing.
【0003】一般的な同時焼成による多層窒化アルミニ
ウム基板の製造方法について説明する。まず、窒化アル
ミニウムグリーンシートに所望の内部回路パターンに応
じてスルーホールを形成し、このスルーホール内に導体
ペーストを充填すると共に、グリーンシート上に導体ペ
ーストを所望の回路パターン状に塗布する。このような
グリーンシートを複数層積層した後、このグリーンシー
ト積層体を金属製プレートで挟み、上下方向から加熱し
つつ加圧して、窒化アルミニウム成形体を作製する。A general method for manufacturing a multilayer aluminum nitride substrate by simultaneous firing will be described. First, a through hole is formed in an aluminum nitride green sheet in accordance with a desired internal circuit pattern, and a conductor paste is filled in the through hole, and the conductor paste is applied in a desired circuit pattern on the green sheet. After laminating a plurality of such green sheets, the green sheet laminate is sandwiched between metal plates and pressed from above and below while being heated to produce an aluminum nitride compact.
【0004】この際、表面導体層となるペースト塗布層
は潰れ、下地のグリーンシート内にめり込んでほぼ平ら
な面となる。すなわち、表面導体層となるペースト塗布
層の上面は、周辺の窒化アルミニウムグリーンシートと
同一面を形成する。この後、窒化アルミニウム成形体に
脱脂処理を施し、さらに所定の温度で焼成することによ
って、窒化アルミニウム基材と導体層とを同時に焼結さ
せて、多層窒化アルミニウム回路基板を得る。At this time, the paste coating layer serving as the surface conductor layer is crushed and embedded in the underlying green sheet to form a substantially flat surface. That is, the upper surface of the paste coating layer, which is the surface conductor layer, is flush with the surrounding aluminum nitride green sheet. Thereafter, the aluminum nitride molded body is subjected to degreasing treatment and further fired at a predetermined temperature to simultaneously sinter the aluminum nitride base material and the conductor layer to obtain a multilayer aluminum nitride circuit board.
【0005】上述したような表面導体層をボンディング
パッド等として用いる場合には、その上にNi/Au等
のメッキを行い、このメッキ層上にボンディングワイヤ
が接合される。ところで、このようなワイヤボンディン
グ性のみを考慮した場合、上述したような平坦な表面導
体層は、一般にボンディングの容易化やボンディング強
度の向上等に繋がり、良好な結果をもたらす。When the above-mentioned surface conductor layer is used as a bonding pad or the like, Ni / Au or the like is plated thereon, and a bonding wire is bonded onto this plating layer. By the way, when only such wire bonding property is taken into consideration, the flat surface conductor layer as described above generally leads to facilitation of bonding, improvement of bonding strength, and the like, and brings good results.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多層窒
化アルミニウム回路基板においては、焼成工程時に窒化
アルミニウム材料からしみ出してくる液相成分が導体層
部分に集まりやすいという傾向があり、その結果焼成後
の表面導体層の表面に多くの液相成分が残留してしま
う。この表面導体層上に存在する液相成分は、メッキを
阻害する働きを有しており、メッキの被着を不均一にす
るという問題を生じさせている。However, in the multilayer aluminum nitride circuit board, there is a tendency that liquid phase components exuding from the aluminum nitride material during the firing step tend to collect in the conductor layer portion, and as a result, after firing, Many liquid phase components remain on the surface of the surface conductor layer. The liquid phase component existing on the surface conductor layer has a function of hindering plating, which causes a problem of non-uniform deposition of plating.
【0007】ワイヤボンディング実装においては、比較
的メッキ層を厚く形成するため、多少のメッキ阻害要因
があっても、見掛け上は十分メッキを実施することが可
能であった。ただし、メッキ当初の被着不均一は、加熱
試験等によりふくれを発生させたり、またボンディング
ワイヤの接合強度の低下要因となっている。また特に、
半導体チップとパッケージとの接続方法にフリップチッ
プ法を適用する場合、メッキ厚を薄くすることが望まれ
るため、メッキ当初の被着不均一は直接的に電気的特性
の低下原因となってしまう。In wire bonding mounting, since the plating layer is formed relatively thick, it is apparently possible to carry out the plating satisfactorily even if there are some factors that hinder the plating. However, the non-uniform deposition at the beginning of plating causes blistering due to a heating test or the like, and causes a decrease in bonding strength of the bonding wire. And especially,
When the flip chip method is applied to the method of connecting the semiconductor chip and the package, it is desired to reduce the plating thickness, so that the non-uniform deposition at the beginning of plating directly causes a decrease in electrical characteristics.
【0008】このように、従来の多層窒化アルミニウム
回路基板においては、表面導体層上の液相成分量を低減
することによって、メッキの被着性を高めることが課題
とされていた。なお、多層アルミナ回路基板等の場合に
は、表面導体層上に液相成分がしみ出しても、液相がガ
ラス成分であるために容易にエッチング除去することが
できるが、窒化アルミニウム基板の場合には xAl2 O
3 ・ yY2 O3 等からなる液相成分を有効に除去し得る
エッチャントがなく、現状ではエッチングにより液相成
分だけを除去することはできない。As described above, in the conventional multilayer aluminum nitride circuit board, it has been a problem to improve the adherence of plating by reducing the amount of liquid phase component on the surface conductor layer. In the case of a multilayer alumina circuit board, etc., even if the liquid phase component exudes on the surface conductor layer, it can be easily removed by etching because the liquid phase is a glass component. XAl 2 O
Since there is no etchant capable of effectively removing the liquid phase component such as 3 · yY 2 O 3, it is impossible at present to remove only the liquid phase component by etching.
【0009】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、表面導体層のメッキ被着性を向上さ
せた多層アルミニウム回路基板を提供することを目的と
している。The present invention has been made in order to solve such a problem, and an object thereof is to provide a multilayer aluminum circuit board in which the plating adherence of the surface conductor layer is improved.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の多層窒化アルミ
ニウム回路基板は、多層窒化アルミニウム基板と、前記
多層窒化アルミニウム基板との同時焼成により形成され
た内部導体層と、前記内部導体層と電気的に接続され、
前記多層窒化アルミニウム基板表面に同時焼成により形
成された接続パッドとを具備し、前記多層窒化アルミニ
ウム基板には一方の表面のみにその表面より突出する前
記接続パッドが形成され、前記接続パッド上にメッキ層
が設けられていることを特徴とする。前記メッキ層は、
前記接続パッド上の Ni メッキ層及び前記 Ni メッキ層上の
Au メッキ層であってもよい。 A multilayer aluminum nitride circuit board of the present invention is a multilayer aluminum nitride substrate, an internal conductor layer formed by simultaneous firing of the multilayer aluminum nitride substrate, and the internal conductor layer electrically. Connected to the
A connection pad formed by co-firing on the surface of the multi-layer aluminum nitride substrate , wherein the multi-layer aluminum nitride substrate has only one surface before protruding from the surface;
A connection pad is formed , and a plating layer is formed on the connection pad.
Is provided . The plating layer is
On the Ni plating layer and the Ni plating layer on the connection pad
It may be an Au plating layer.
【0011】本発明の多層窒化アルミニウム回路基板に
おいては、一方の表面に形成される表面導体層をその周
辺の基板部分より突出した形状としているため、表面導
体層内に窒化アルミニウム基板内の液相成分がしみ込ん
だとしても、表面導体層の高さや液相成分のしみ出し経
路が制限されること等によって、その表面へのしみ出し
は軽減される。また、表面導体層の表面積が増大するこ
とに伴って、表面導体層の表面における液相成分の還元
反応が進行しやすくなり、これによっても表面導体層上
の液相成分の残留が抑制される。[0011] In the multi-layer aluminum nitride circuit board of the present invention, since the surface conductive layer formed on the other hand the surface of the more protruding shape like substrate portions around the, the surface conductor layer in an aluminum nitride substrate Even if the liquid phase component permeates, the height of the surface conductor layer and the path for the liquid phase component to permeate can reduce the permeation of the liquid phase component to the surface. Further, as the surface area of the surface conductor layer increases, the reduction reaction of the liquid phase component on the surface of the surface conductor layer easily progresses, and this also suppresses the residual liquid phase component on the surface conductor layer. .
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Modes for carrying out the present invention will be described below.
【0013】図1は、本発明の一実施形態による多層窒
化アルミニウム回路基板の構成を示す断面図である。同
図に示す多層窒化アルミニウム回路基板1は、焼成によ
り多層一体化された複数の窒化アルミニウム層、例えば
4層の窒化アルミニウム層2a、2b、2c、2dを有
する多層窒化アルミニウム基板2と、この多層窒化アル
ミニウム基板2の内部に設けられた内部導体層3と、多
層窒化アルミニウム基板2の表面に設けられた表面導体
層4とから構成されている。なお、図1では 4層の窒化
アルミニウム層により構成された多層窒化アルミニウム
基板2を示したが、本発明の多層窒化アルミニウム回路
基板は特に窒化アルミニウム層の層数に限定されるもの
ではない。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a multilayer aluminum nitride circuit board according to an embodiment of the present invention. The multilayer aluminum nitride circuit board 1 shown in the figure has a plurality of aluminum nitride layers integrated by firing, for example,
A multilayer aluminum nitride substrate 2 having four aluminum nitride layers 2a, 2b, 2c, 2d, an internal conductor layer 3 provided inside the multilayer aluminum nitride substrate 2, and a multilayer aluminum nitride substrate 2 provided on the surface thereof. And a surface conductor layer 4. Although FIG. 1 shows the multilayer aluminum nitride substrate 2 composed of four aluminum nitride layers, the multilayer aluminum nitride circuit board of the present invention is not particularly limited to the number of aluminum nitride layers.
【0014】上述した内部導体層3は、各窒化アルミニ
ウム層2a〜2dに設けられたスルーホール5内に充填
された導体層3aと、各窒化アルミニウム層2a〜2d
上に形成された回路導体層3bとから構成されている。
この内部導体層3は、所望の内部回路パターンに応じて
形成されているものであり、多層窒化アルミニウム基板
2の一方の表面、具体的には上面側に形成された接続パ
ッド等として表面導体層(上面側表面導体層)4aと他
方の表面、具体的には下面側に形成された接続パッド等
として表面導体層(下面側表面導体層)4bとにそれぞ
れ電気的に接続されている。The above-mentioned inner conductor layer 3 includes the conductor layer 3a filled in the through hole 5 provided in each of the aluminum nitride layers 2a to 2d and each of the aluminum nitride layers 2a to 2d.
It is composed of the circuit conductor layer 3b formed above.
The internal conductor layer 3 is formed according to a desired internal circuit pattern, and is a surface conductor layer as a connection pad or the like formed on one surface of the multilayer aluminum nitride substrate 2, specifically, the upper surface side. The upper surface conductor layer 4a is electrically connected to the other surface, specifically, the surface conductor layer (lower surface conductor layer) 4b as a connection pad or the like formed on the lower surface.
【0015】多層窒化アルミニウム基板1は、例えば窒
化アルミニウム基材(多層窒化アルミニウム基板2)と
内部導体層3や表面導体層4を形成する金属材料、具体
的には導体ペーストの塗布・充填層とを同時焼成するこ
とにより作製されるものである。多層窒化アルミニウム
基板2は、一般的な窒化アルミニウム焼結体からなるも
のであり、例えば窒化アルミニウム粉末に焼結助剤とし
て酸化イットリウムのような希土類酸化物粉末や酸化ア
ルミニウム粉末等を添加し、このような混合粉末を焼結
させたものが例示される。The multilayer aluminum nitride substrate 1 includes, for example, an aluminum nitride base material (multilayer aluminum nitride substrate 2) and a metal material for forming the internal conductor layer 3 and the surface conductor layer 4, specifically, a coating / filling layer of a conductor paste. It is produced by co-firing. The multilayer aluminum nitride substrate 2 is made of a general aluminum nitride sintered body. For example, a rare earth oxide powder such as yttrium oxide or an aluminum oxide powder is added to aluminum nitride powder as a sintering aid. An example is one obtained by sintering such mixed powder.
【0016】内部導体層3や表面導体層4を形成する金
属材料としては、タングステン、モリブデン等の高融点
金属が例示される。これら高融点金属は単体で用いても
よいし、あるいはチタンやジルコニア等の活性金属との
混合物として用いてもよい。特に、本発明においては、
窒化アルミニウムと熱膨張率等が近似するタングステン
を主成分として用いることが好ましい。Examples of the metal material for forming the inner conductor layer 3 and the surface conductor layer 4 include refractory metals such as tungsten and molybdenum. These refractory metals may be used alone or as a mixture with an active metal such as titanium or zirconia. In particular, in the present invention,
It is preferable to use, as a main component, tungsten whose coefficient of thermal expansion is similar to that of aluminum nitride.
【0017】上述した表面導体層4のうち接続パッド等
としての上面側表面導体層4aは、その周辺の多層窒化
アルミニウム基板2の表面より突出された凸状形状を有
している。このように、上面側表面導体層4を突出形成
することによって、その最表面への多層窒化アルミニウ
ム基板2の液相成分のしみ出し、残留等を抑制すること
ができる。その結果として、良好なメッキ被着性を再現
性よく得ることが可能となり、薄いメッキ層で十分にそ
の効果を得ることができる。Of the surface conductor layers 4 described above, the surface conductor layer 4a on the upper surface side serving as a connection pad or the like has a convex shape protruding from the surface of the multilayer aluminum nitride substrate 2 around it. By thus forming the upper surface conductor layer 4 so as to project, it is possible to prevent the liquid phase component of the multilayer aluminum nitride substrate 2 from seeping out and remaining on the outermost surface thereof. As a result, good plating adherence can be obtained with good reproducibility, and the effect can be sufficiently obtained with a thin plating layer.
【0018】すなわち、多層窒化アルミニウム回路基板
1は、スルーホール5内に導体ペーストを充填すると共
に、回路導体層3bや表面導体層4となる導体ペースト
の塗布層を形成した窒化アルミニウムグリーンシートを
必要枚数積層し、この積層体を加熱しつつ加圧して圧着
体とし、この圧着体を窒化アルミニウム焼結体等からな
るセッタ上に配置して、脱脂および焼成することによっ
て形成される。このセッタと接していない側の表面は、
直接焼成雰囲気に晒されることになる。焼成雰囲気には
通常窒素雰囲気が適用されるが、焼成治具等から蒸発す
るカーボンやカーボンガス(COx )が焼成雰囲気中に
含まれることは避けられない。That is, the multilayer aluminum nitride circuit board 1 requires an aluminum nitride green sheet in which the through holes 5 are filled with a conductive paste and a coated layer of the conductive paste serving as the circuit conductive layer 3b and the surface conductive layer 4 is formed. It is formed by stacking a number of sheets, pressing the laminated body while heating to form a pressure-bonded body, disposing the pressure-bonded body on a setter made of an aluminum nitride sintered body, and degreasing and firing. The surface on the side not in contact with this setter is
It will be directly exposed to the firing atmosphere. A nitrogen atmosphere is usually applied as the firing atmosphere, but it is inevitable that carbon or carbon gas (CO x ) evaporated from a firing jig or the like is included in the firing atmosphere.
【0019】このような雰囲気中で焼成を行うと、セッ
タと接していない上面側表面導体層4aはカーボンを含
む雰囲気に晒されながら焼結することになる。また、焼
結時には、窒化アルミニウム層2a〜2d内の液相成
分、例えば xAl2 O3 ・ yY2 O3 からなる液相成分
は多層窒化アルミニウム基板2の表面側に徐々にしみ出
してくる。この際、液相成分はスルーホール5内に充填
された導体層3aを主に通って、焼成雰囲気に直接晒さ
れている上面側表面導体層4aに到達し、その表面にし
み出すと考えられる。これは、 xAl2 O3 ・ yY2 O
3 等の液相成分はカーボン量が多く還元反応が進行する
ところへ移動する性質を有しているため、最終的にはカ
ーボンを含む焼成雰囲気に直接晒されている上面側表面
導体層4aの表面にしみ出すものと考えられる。When firing is performed in such an atmosphere, the upper surface conductor layer 4a not in contact with the setter is sintered while being exposed to the atmosphere containing carbon. Further, at the time of sintering, the liquid phase component in the aluminum nitride layer 2 a to 2 d, for example a liquid phase component comprising xAl 2 O 3 · yY 2 O 3 comes seeps slowly on the surface side of the multilayer aluminum nitride substrate 2. At this time, it is considered that the liquid phase component mainly passes through the conductor layer 3a filled in the through hole 5 and reaches the upper surface side conductor layer 4a which is directly exposed to the firing atmosphere, and exudes to the surface thereof. . This is xAl 2 O 3 · yY 2 O
Since the liquid phase component such as 3 has a property of moving to a place where a large amount of carbon is present and the reduction reaction progresses, finally, the upper surface conductor layer 4a of the upper surface conductor layer 4a exposed directly to the firing atmosphere containing carbon is used. It is thought to exude to the surface.
【0020】この際、図3に示す従来の多層窒化アルミ
ニウム回路基板のように、焼成雰囲気に晒される上面側
表面導体層4aが最上層の窒化アルミニウム層2a内に
めり込んで同一平面を形成していると、 xAl2 O3 ・
yY2 O3 等の液相成分がカーボンを含む焼成雰囲気に
直接晒されている上面側表面導体層4a最表面に容易に
しみ出しあるいは残留が生じ、この表面に存在する液相
成分がメッキの被着性を阻害している。なお、図中矢印
は液相成分のしみ出し経路を、Xは表面にしみ出した液
相成分を示している。At this time, as in the conventional multilayer aluminum nitride circuit board shown in FIG. 3, the upper surface side conductor layer 4a exposed to the firing atmosphere is embedded in the uppermost aluminum nitride layer 2a to form the same plane. If there is xAl 2 O 3 ·
The liquid phase component such as yY 2 O 3 is easily exposed or left on the outermost surface of the upper surface-side conductor layer 4a which is directly exposed to the firing atmosphere containing carbon, and the liquid phase component existing on this surface causes plating. It inhibits adherence. The arrow in the figure indicates the exudation path of the liquid phase component, and the X indicates the liquid phase component exuding on the surface.
【0021】これに対して、本発明の多層窒化アルミニ
ウム回路基板においては、図2に示すように、焼成雰囲
気に晒される上面側表面導体層4aが最上層の窒化アル
ミニウム層2aより突出形成されているため、上面側表
面導体層4a内に液相成分がしみ込んだとしても、その
最表面へのしみ出しが軽減される。これは、上面側表面
導体層4aの高さhに由来するしみ出し距離の増大、液
相成分のしみ出し経路の制限(ほぼスルーホール5内に
充填された導体層3aのみによる液相成分のしみ出し)
等による。さらに、上面側表面導体層4aの表面に液相
成分がしみ出した場合には、液相成分は焼成雰囲気によ
り還元(Al2 O3 +CO+N2 → 2AlN+ 2C
O2 )されるが、上面側表面導体層4aを窒化アルミニ
ウム層2aより突出形成することで表面積の増大を図っ
ているため、上記還元反応が進行しやすくなる。このこ
とによっても、上面側表面導体層4aの表面における液
相成分の残留が抑制されると考えられる。On the other hand, in the multilayer aluminum nitride circuit board of the present invention, as shown in FIG. 2, the upper surface side surface conductor layer 4a exposed to the firing atmosphere is formed so as to protrude from the uppermost aluminum nitride layer 2a. Therefore, even if the liquid phase component soaks into the upper surface side conductor layer 4a, the exudation to the outermost surface is reduced. This is because the bleeding distance resulting from the height h of the upper surface-side conductor layer 4a is increased, and the bleeding path of the liquid phase component is limited (the liquid phase component due to only the conductor layer 3a filled in the through hole 5 is Exudation)
Etc. Furthermore, when the liquid phase component exudes on the surface of the upper surface side conductor layer 4a, the liquid phase component is reduced by the firing atmosphere (Al 2 O 3 + CO + N 2 → 2AlN + 2C
O 2) is although, since the aim to increase the surface area by protruding the upper side surface conductor layer 4a of aluminum nitride layer 2a, the reduction reaction tends to proceed. It is considered that this also suppresses the liquid phase component from remaining on the surface of the upper surface conductor layer 4a.
【0022】上述したように、上面側表面導体層4aを
突出形成することによって、上面側表面導体層4の表面
への多層窒化アルミニウム基板2の液相成分のしみ出し
および残留を抑制することが可能となる。上面側表面導
体層4aの具体的な形状としては、上述した液相成分の
しみ出しおよび残留の抑制効果を十分に得るために、そ
の高さh(焼成後)を 3μm 以上とすることが好まし
い。高さhは 7μm 以上とすることがさらに好ましい。As described above, by forming the upper surface side conductor layer 4a so as to project, it is possible to suppress the exudation and residue of the liquid phase component of the multilayer aluminum nitride substrate 2 on the surface of the upper surface side conductor layer 4. It will be possible. As a specific shape of the upper surface-side conductor layer 4a, it is preferable that the height h (after firing) be 3 μm or more in order to sufficiently obtain the above-described effect of suppressing exudation and residual of the liquid phase component. . It is more preferable that the height h is 7 μm or more.
【0023】なお、上述したように液相成分のしみ出し
が問題となるのは、基本的には焼成雰囲気に直接晒され
る側のみであるため、この焼成雰囲気に直接晒される上
面側表面導体層4aのみを凸状とすることによって、メ
ッキ被着性改善効果は十分に得ることができる。従っ
て、セッタ等と直接接する下面側表面導体層4bは従来
と同様な平面状、すなわち窒化アルミニウム層4d内に
埋め込まれた形状としてもよい。As described above, the exudation of the liquid phase component is basically a problem only on the side directly exposed to the firing atmosphere. Therefore, the surface conductor layer on the upper surface side directly exposed to the firing atmosphere. By making only 4a convex, the effect of improving plating adherence can be sufficiently obtained. Therefore, the lower surface conductor layer 4b that is in direct contact with the setter or the like may have the same planar shape as the conventional one, that is, the shape embedded in the aluminum nitride layer 4d.
【0024】上述した実施形態の多層窒化アルミニウム
回路基板1は、例えば以下のようにして製造される。図
4を参照して多層窒化アルミニウム回路基板1の製造工
程について説明する。The multilayer aluminum nitride circuit board 1 of the above-described embodiment is manufactured, for example, as follows. The manufacturing process of the multilayer aluminum nitride circuit board 1 will be described with reference to FIG.
【0025】まず、複数枚の窒化アルミニウムグリーン
シート2a′〜2d′を用意し、これらに所望の回路パ
ターンに応じてそれぞれスルーホール5を形成する。次
いでスルーホール5内に導体ペーストを充填(3a′)
すると共に、各グリーンシート2a′〜2b′上に内部
導体層3の回路導体層3aや表面導体層4の形状に応じ
て導体ペーストを塗布(3a′、4a′、4b′)す
る。この際、焼成時に上面側となるペースト塗布層4
a′は、比較的厚く塗布することが好ましい。ペースト
塗布層4a′の具体的な厚さは、導体ペースト中の金属
含有量等によっても異なるが、通常10μm 以上とするこ
とが好ましい。そして、これら窒化アルミニウムグリー
ンシート2a′〜2d′を積層する(図4(a))。First, a plurality of aluminum nitride green sheets 2a 'to 2d' are prepared, and through holes 5 are formed in each of them according to a desired circuit pattern. Next, the conductive paste is filled in the through holes 5 (3a ').
At the same time, a conductor paste is applied (3a ', 4a', 4b ') on each of the green sheets 2a'-2b' according to the shapes of the circuit conductor layer 3a of the inner conductor layer 3 and the surface conductor layer 4. At this time, the paste coating layer 4 that becomes the upper surface side during firing
It is preferable that a'is applied relatively thickly. Although the specific thickness of the paste coating layer 4a 'varies depending on the metal content in the conductor paste and the like, it is usually preferably 10 μm or more. Then, these aluminum nitride green sheets 2a 'to 2d' are laminated (FIG. 4A).
【0026】次に、上記窒化アルミニウムグリーンシー
ト2a′〜2d′の積層体に、加熱・加圧処理を施す。
この加圧処理に際して、図4(b)に示すように、下面
側は通常のメタルプレート11でよいが、上面側はゴム
シート12のような柔軟体層を表面に設けたメタルプレ
ート13を用いる。このように、ゴムシート12を介し
て上面側のペースト塗布層4a′に加圧力を加えること
によって、図3のようにペースト塗布層4a′が窒化ア
ルミニウムグリーンシート2a′内にめり込むことが防
止できる。すなわち、加熱・加圧処理後においても、上
面側のペースト塗布層4a′は凸状形状を有しているこ
とになる。Next, the laminated body of the aluminum nitride green sheets 2a 'to 2d' is subjected to heating / pressurizing treatment.
In this pressure treatment, as shown in FIG. 4B, the lower surface side may be a normal metal plate 11, but the upper surface side uses a metal plate 13 provided with a flexible layer such as a rubber sheet 12 on the surface. . As described above, by applying a pressing force to the paste coating layer 4a 'on the upper surface side through the rubber sheet 12, it is possible to prevent the paste coating layer 4a' from being embedded in the aluminum nitride green sheet 2a 'as shown in FIG. . That is, even after the heating / pressurizing process, the paste coating layer 4a 'on the upper surface side has a convex shape.
【0027】このようなグリーンシート圧着体2′に脱
脂処理を施した後、窒素雰囲気のような非酸化性雰囲気
中で焼成して、窒化アルミニウム基材と導体層金属とを
同時に焼結させる。加熱・加圧処理後においても上面側
のペースト塗布層4a′は凸状形状を有してため、焼成
後に凸状の上面側表面導体層4aが得られると共に、焼
成時においても凸状形状が維持されるために、前述した
ように上面側表面導体層4aの表面への多層窒化アルミ
ニウム基板2の液相成分のしみ出しおよび残留を抑制す
ることが可能となる。これによって、メッキ被着性の良
好な多層窒化アルミニウム回路基板1を再現性よく得る
ことができる。After degreasing the green sheet pressure-bonded body 2 ', it is fired in a non-oxidizing atmosphere such as a nitrogen atmosphere to simultaneously sinter the aluminum nitride base material and the conductor layer metal. Even after the heating / pressurizing treatment, the paste coating layer 4a 'on the upper surface side has a convex shape, so that a convex upper surface side surface conductor layer 4a is obtained after firing, and the convex shape is also maintained during firing. Since it is maintained, it is possible to suppress the exudation and residual of the liquid phase component of the multilayer aluminum nitride substrate 2 on the surface of the upper surface side conductor layer 4a as described above. This makes it possible to obtain the multilayer aluminum nitride circuit board 1 having good plating adherence with good reproducibility.
【0028】図1に示した多層窒化アルミニウム回路基
板1は、例えば図5に示すように、半導体パッケージ2
0のパッケージ基体等として用いられる。図5を参照し
て、本発明の多層窒化アルミニウム回路基板の具体的な
使用例である半導体パッケージ20について説明する。
なお、多層窒化アルミニウム回路基板1の基本的な構成
は重複するため省略する。The multilayer aluminum nitride circuit board 1 shown in FIG. 1 has a semiconductor package 2 as shown in FIG. 5, for example.
It is used as a 0 package base. With reference to FIG. 5, a semiconductor package 20 which is a specific example of use of the multilayer aluminum nitride circuit board of the present invention will be described.
Note that the basic structure of the multilayer aluminum nitride circuit board 1 is duplicated and therefore omitted.
【0029】すなわち、多層窒化アルミニウム回路基板
1の表面導体層4、すなわち凸状形状を有する上面側表
面導体層4aおよび下面側表面導体層4b上には、それ
ぞれNi/Auメッキ層21(上面側表面導体層4a上
のメッキ層は図示せず)等が形成されている。電極パッ
ドとしての下面側表面導体層4b上には、メッキ層21
を介して外部接続端子となるバンプ端子22がそれぞれ
接合されている。That is, on the surface conductor layer 4 of the multilayer aluminum nitride circuit board 1, that is, on the upper surface-side surface conductor layer 4a and the lower surface-side surface conductor layer 4b having the convex shape, the Ni / Au plating layer 21 (upper surface side) is formed. A plating layer (not shown) or the like is formed on the surface conductor layer 4a. On the lower surface conductor layer 4b as an electrode pad, the plating layer 21 is formed.
The bump terminals 22, which serve as external connection terminals, are bonded to each other via the.
【0030】また、多層窒化アルミニウム回路基板1の
上面側には、リッド23に接合された状態で半導体素子
24が実装されており、この半導体素子24の電極(バ
ンプ電極)25は、多層窒化アルミニウム回路基板1の
接続パッドとしての上面側表面導体層4aと電気的に接
続されている。リッド23は、多層窒化アルミニウム回
路基板1の外周部に封着材26を介して接合されてい
る。リッド23としては、窒化アルミニウム製リッドや
金属製リッド等が用いられる。On the upper surface side of the multilayer aluminum nitride circuit board 1, a semiconductor element 24 is mounted in a state of being bonded to the lid 23, and the electrode (bump electrode) 25 of this semiconductor element 24 is a multilayer aluminum nitride. It is electrically connected to the upper surface conductor layer 4a as a connection pad of the circuit board 1. The lid 23 is bonded to the outer peripheral portion of the multilayer aluminum nitride circuit board 1 via a sealing material 26. As the lid 23, an aluminum nitride lid, a metal lid, or the like is used.
【0031】このような構成の半導体パッケージ20に
おいては、表面導体層4特に接続パッドとしての上面側
表面導体層4aが良好なメッキ被着性を有しているた
め、メッキ厚を薄くしても健全なメッキ層を得ることが
できる。また、上面側表面導体層4aは、抵抗の増大要
因等となる液相成分の表面へのしみ出しが抑制されてい
るため、メッキ層との低接続抵抗が実現できる。従っ
て、上述したようなフリップチップ法でパッケージと半
導体素子24とを接続する際に、薄いメッキ層で良好な
電気的接続を得ることができる。さらに、加熱処理等に
伴うメッキ層のふくれ等の異常発生が回避できる。これ
らによって、半導体素子24の接続信頼性を高めること
ができると共に、接続抵抗の低減等を図ることが可能と
なる。その結果として、半導体素子24の動作特性の向
上を図ることができる。In the semiconductor package 20 having such a structure, the surface conductor layer 4 and particularly the surface conductor layer 4a on the upper surface side serving as the connection pad have good plating adherence, so that the plating thickness can be reduced. A sound plating layer can be obtained. Further, since the upper surface conductor layer 4a is suppressed from seeping out the liquid phase component, which causes a resistance increase, to the surface, a low connection resistance with the plating layer can be realized. Therefore, when the package and the semiconductor element 24 are connected by the flip chip method as described above, good electrical connection can be obtained with a thin plating layer. Further, it is possible to avoid the occurrence of abnormalities such as blistering of the plating layer due to heat treatment and the like. As a result, the connection reliability of the semiconductor element 24 can be improved and the connection resistance can be reduced. As a result, the operating characteristics of the semiconductor element 24 can be improved.
【0032】[0032]
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について述べ
る。EXAMPLES Next, specific examples of the present invention will be described.
【0033】実施例1〜3、比較例1〜3
まず、それぞれ 4枚の窒化アルミニウムグリーンシート
を用意し、各窒化アルミニウムグリーンシートにスルー
ホールを形成した。次いで、これらスルーホール内にタ
ングステンペーストを充填すると共に、各窒化アルミニ
ウムグリーンシート上にタングステンペーストを印刷し
た。なお、実施例1および比較例1については、上面側
表面導体層となるペースト塗布層の厚さを 7μm とし、
実施例2および比較例3については、上面側表面導体層
となるペースト塗布層の厚さを15μm とし、実施例3お
よび比較例3については、上面側表面導体層となるペー
スト塗布層の厚さを25μm とした。Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 First, four aluminum nitride green sheets were prepared, and through holes were formed in each aluminum nitride green sheet. Then, while filling the through holes with the tungsten paste, the tungsten paste was printed on each aluminum nitride green sheet. In addition, in Example 1 and Comparative Example 1, the thickness of the paste coating layer to be the upper surface conductor layer was 7 μm,
For Example 2 and Comparative Example 3, the thickness of the paste coating layer to be the upper surface conductor layer was 15 μm, and for Example 3 and Comparative Example 3, the thickness of the paste coating layer to be the upper surface conductor layer. Was set to 25 μm.
【0034】次に、これら窒化アルミニウムグリーンシ
ートをそれぞれ積層して、 6個のグリーンシート積層体
を作製した。これら各グリーンシート積層体を、実施例
1〜3については図4に示したゴムシート12を介在さ
せたプレス装置で加熱しつつ加圧し、また比較例1〜3
については上下共にメタルプレートを用いたプレス装置
で加熱しつつ加圧した。加圧力はいずれも100MPaとし
た。Next, these aluminum nitride green sheets were laminated to form six green sheet laminates. For each of Examples 1 to 3, these green sheet laminates were pressed while being heated while being heated by the press device with the rubber sheet 12 interposed therebetween, and Comparative Examples 1 to 3.
In regard to, the upper and lower sides were pressed while being heated by a pressing device using a metal plate. The applied pressure was 100 MPa in all cases.
【0035】上述した各圧着体を窒素気流中で脱脂した
後、窒化アルミニウム製のセッタ上に配置して窒素中に
て 2073Kで焼成し、窒化アルミニウムとタングステンと
を同時に焼成することによって、それぞれ多層窒化アル
ミニウム回路基板を得た。これら各多層窒化アルミニウ
ム回路基板の上面側表面導体層の高さを表1に示す。After degreasing each of the above pressure-bonded bodies in a nitrogen stream, they are placed on an aluminum nitride setter and fired at 2073 K in nitrogen, and aluminum nitride and tungsten are fired at the same time to obtain multilayers. An aluminum nitride circuit board was obtained. Table 1 shows the height of the upper surface conductor layer of each of the multilayer aluminum nitride circuit boards.
【表1】
次に、上述した各多層窒化アルミニウム回路基板の上面
側表面導体層上に、Ni/Auメッキを施した。メッキ
は、Niメッキ厚 1.5μm /Auメッキ厚0.1μm(メッ
キNo1)と、Niメッキ厚 5μm /Auメッキ厚 1.5μm
(メッキNo2)の 2種類を実施した。それら各メッキ時の
メッキの被着性をそれぞれ評価した。それらの結果を表
2に示す。[Table 1] Next, Ni / Au plating was applied on the upper surface conductor layer of each of the above-mentioned multilayer aluminum nitride circuit boards. The plating is Ni plating thickness 1.5 μm / Au plating thickness 0.1 μm (plating No1), Ni plating thickness 5 μm / Au plating thickness 1.5 μm
Two types of (plating No2) were implemented. The adherence of the plating during each plating was evaluated. The results are shown in Table 2.
【0036】[0036]
【表2】
表2から明らかなように、上面側表面導体層を凸状とし
た各実施例においては、メッキ厚を薄くした場合(メッ
キNo1)においても良好なメッキ被着性が得られている。
一方、各比較例においては、メッキ厚を薄くした場合に
はメッキの付着むらが発生しており、メッキ厚を厚くす
ることでようやく見掛け上は良好なメッキ層が得られ
た。ただし、比較例2および比較例3によるメッキ層(N
o2*)は、その後に673Kで加熱試験を行ったところ、メッ
キ層にふくれが発生した。これは、メッキ被着当初に空
洞が生じ、この空洞が加熱試験により膨張したものと考
えられる。なお、実施例1〜3によるメッキ層に対して
同様な加熱試験を施したが、いずれもメッキ層のふくれ
は観察されなかった。[Table 2] As is clear from Table 2, in each of the examples in which the upper surface-side surface conductor layer has a convex shape, good plating adherence is obtained even when the plating thickness is thin (plating No. 1).
On the other hand, in each of the comparative examples, when the plating thickness was made thin, uneven adhesion of the plating occurred, and by making the plating thickness thick, an apparently good plating layer was finally obtained. However, the plating layer (N
o2 *) was then subjected to a heating test at 673K, and swelling occurred in the plating layer. It is considered that this is because a cavity was formed at the beginning of the plating and the cavity was expanded by the heating test. A similar heating test was performed on the plated layers according to Examples 1 to 3, but no blister of the plated layers was observed.
【0037】[0037]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層窒化
アルミニウム回路基板によれば、表面導体層のメッキ被
着性を大幅に向上させることが可能となる。これによっ
て、表面導体層上にメッキを施してパッケージ基体等と
して使用する際に、メッキ厚を薄くした上で良好なメッ
キ層を得ることができる。従って、低抵抗で接続信頼性
に優れた多層アルミニウム回路基板を提供することが可
能となる。As described above, according to the multilayer aluminum nitride circuit board of the present invention, it is possible to greatly improve the plating adherence of the surface conductor layer. As a result, when the surface conductor layer is plated and used as a package substrate or the like, it is possible to reduce the plating thickness and obtain a good plating layer. Therefore, it is possible to provide a multilayer aluminum circuit board having low resistance and excellent connection reliability.
【図1】 本発明の一実施形態の多層窒化アルミニウム
回路基板の要部構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main configuration of a multilayer aluminum nitride circuit board according to an embodiment of the present invention.
【図2】 本発明の多層窒化アルミニウム回路基板にお
ける液相成分のしみ出し抑制作用を説明するための図で
ある。FIG. 2 is a diagram for explaining the action of suppressing the exudation of liquid phase components in the multilayer aluminum nitride circuit board of the present invention.
【図3】 従来の多層窒化アルミニウム回路基板におけ
る液相成分のしみ出し状態を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the exudation state of a liquid phase component in a conventional multilayer aluminum nitride circuit board.
【図4】 本発明の多層窒化アルミニウム回路基板の一
製造工程例の要部を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the main parts of one manufacturing process example of the multilayer aluminum nitride circuit board of the present invention.
【図5】 図1に示す多層窒化アルミニウム回路基板を
用いて作製した半導体パッケージの一構成例を示す断面
図である。5 is a cross-sectional view showing a configuration example of a semiconductor package manufactured using the multilayer aluminum nitride circuit board shown in FIG.
1……多層窒化アルミニウム回路基板 2……多層窒化アルミニウム基板 2a〜2d……窒化アルミニウム層 3……内部導体層 4……表面導体層 4a…上面側表面導体層(接続パッド) 4b…下面側表面導体層(電極パッド) 5……スルーホール 1 ... Multilayer aluminum nitride circuit board 2 ... Multilayer aluminum nitride substrate 2a to 2d ... Aluminum nitride layer 3 ... Inner conductor layer 4 ... Surface conductor layer 4a ... Upper surface conductor layer (connection pad) 4b ... Lower surface conductor layer (electrode pad) 5: Through hole
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−191049(JP,A) 特開 平7−94625(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/12 - 23/15 H05K 3/46 Front page continuation (56) References JP-A-5-191049 (JP, A) JP-A-7-94625 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 23 / 12-23/15 H05K 3/46
Claims (2)
された内部導体層と、 前記内部導体層と電気的に接続され、前記多層窒化アル
ミニウム基板表面に同時焼成により形成された接続パッ
ドとを具備し、 前記多層窒化アルミニウム基板には一方の表面のみにそ
の表面より突出する前記接続パッドが形成され、前記接
続パッド上にメッキ層が設けられていることを特徴とす
る多層窒化アルミニウム回路基板。1. A multilayer aluminum nitride substrate, an internal conductor layer formed by simultaneous firing of the multilayer aluminum nitride substrate, and an internal conductor layer that is electrically connected to the internal conductor layer and is simultaneously fired on the surface of the multilayer aluminum nitride substrate. Formed connection pad
; And a de, the multilayer aluminum nitride substrate is the connection pad projecting from its surface only on one surface is formed, the contact
A multilayer aluminum nitride circuit board , wherein a plating layer is provided on the continuous pad .
ッキ層及び前記 Ni メッキ層上の Au メッキ層であることを
特徴とする請求項1記載の多層窒化アルミニウム回路基
板。 2. The plating layer is a Ni film on the connection pad.
That it is the Au plating layer on the Ni layer and the Ni plating layer
A multilayer aluminum nitride circuit board according to claim 1, characterized in that
Board.
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