JP3498897B2 - Electronic element sealing package and electronic element sealing structure - Google Patents
Electronic element sealing package and electronic element sealing structureInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は電子素子を封止す
るための電子素子封止用パッケージであってその封止の
ために導電性ガラスを用いた導電性ガラス封止パッケー
ジ及びこれを用いた電子素子封止構体に関するものであ
り、特に電子素子に対する電磁シールド効果を有するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic element encapsulating package for encapsulating an electronic element, and a conductive glass sealing package using conductive glass for the sealing, and the same. The present invention relates to an electronic element encapsulation structure, and particularly, has an electromagnetic shield effect for an electronic element.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子素子、例えば水晶振動子や圧電素子
あるいは半導体装置等は使用状態において外気に直接晒
された状態で放置するのはよくないため一般的には何ら
かの形のパッケージに収納されて使用に供されている。
パッケージに組み込まれた後、電子回路の一部を構成す
べくプリント基板構体等に組み込まれているのが実状で
ある。例えば水晶振動子や圧電素子等の電子素子をパッ
ケージングする場合には図11に示すようなパッケージ
が用いられている。2. Description of the Related Art Electronic elements, such as crystal oscillators, piezoelectric elements, semiconductor devices, etc., are generally not stored in a package of some form because it is not good to leave them in the state of being directly exposed to the outside air in use. It is used.
After being incorporated in a package, it is actually incorporated in a printed circuit board structure or the like so as to form a part of an electronic circuit. For example, when packaging an electronic element such as a crystal oscillator or a piezoelectric element, a package as shown in FIG. 11 is used.
【0003】図11に示すものはセラミックベース11
1とキャップ113とからなる電子素子封止用パッケー
ジ110の内部に何らかの電子素子片112をパッケー
ジングし、蓋を閉じることによって内部に収納された電
子素子片112が直接外部の環境に晒されるのを防止し
て悪い環境のもとでも電子素子片112の機能を十分に
確保することができるようにしたものである。例えばこ
のようなパッケージ材料はアルミナを主材料とするセラ
ミックからなっており、又内部に収納される電子素子片
としては例えば水晶振動子や圧電素子等の電子素子片が
用いられている。FIG. 11 shows a ceramic base 11
By packaging some electronic element piece 112 inside the electronic element sealing package 110 composed of 1 and the cap 113 and closing the lid, the electronic element piece 112 housed inside is directly exposed to the external environment. In order to prevent the above-mentioned problem, it is possible to sufficiently secure the function of the electronic element piece 112 even in a bad environment. For example, such a package material is made of a ceramic containing alumina as a main material, and as an electronic element piece housed inside, for example, an electronic element piece such as a crystal oscillator or a piezoelectric element is used.
【0004】このようのパッケージングされた後、封止
された電子素子封止構体はプリント基板構体上にはんだ
リフロー等で実装され他の電子素子と一体となって電子
回路を形成するようになっている。ところでこの種のパ
ッケージは所謂面実装に適しており、更に熱膨張係数を
内部に収納封止する電子素子片に比較的合わせ易いた
め、近年その使用が増加しつつある。After being packaged as described above, the sealed electronic element sealing structure is mounted on the printed circuit board structure by solder reflow or the like to form an electronic circuit integrally with other electronic elements. ing. By the way, this type of package is suitable for so-called surface mounting, and moreover, its use is increasing in recent years because it is relatively easy to match the coefficient of thermal expansion with the electronic element piece that is housed and sealed inside.
【0005】ここで図11について簡単に説明すると上
下のセラミックベース111とキャップ113との間に
描かれているものは水晶振動子や圧電素子の類の電子素
子片112であり、電子素子片112はセラミックベー
ス111上に設けられた二つの電極118、118でも
ってセラミックベース111上に物理的に固定され且つ
電気的に導通されている。この電子素子片112がセラ
ミックベース111上に固着された状態でセラミックベ
ース111とキャップ113の接合界面に封止材114
を塗布して上下から圧力を加え、その封止材114でも
ってセラミックベース111とキャップ113を完全に
封止し電子素子片112を周辺の環境から完全に保護し
ている。Briefly explaining FIG. 11, what is drawn between the upper and lower ceramic bases 111 and the cap 113 is an electronic element piece 112 such as a crystal oscillator or a piezoelectric element. Are physically fixed on the ceramic base 111 and electrically connected by the two electrodes 118, 118 provided on the ceramic base 111. With the electronic element piece 112 fixed on the ceramic base 111, a sealing material 114 is formed on the bonding interface between the ceramic base 111 and the cap 113.
Is applied and pressure is applied from above and below, the ceramic base 111 and the cap 113 are completely sealed by the sealing material 114, and the electronic element piece 112 is completely protected from the surrounding environment.
【0006】又、従来一般的に半導体素子等に用いられ
るパッケージングについて見てみると、これは図12に
示すようなものである。半導体素子片123に用いられ
るパッケージングは半導体素子片123をリードフレー
ム122上に載置し必要なワイヤボンデイング124を
行った後にリードフレーム122と一体に樹脂125で
封止する構造が取られている。Looking at the conventional packaging generally used for semiconductor devices and the like, this is as shown in FIG. The packaging used for the semiconductor element piece 123 has a structure in which the semiconductor element piece 123 is placed on the lead frame 122, necessary wire bonding 124 is performed, and then sealed with the resin 125 integrally with the lead frame 122. .
【0007】このようにして完成した半導体装置120
は信頼性が高く且つ安価であるために現在に至るまで半
導体装置の構造としては主流をなしてきたものであるが
近年の半導体装置の高性能化にともない半導体装置が微
小の応力にも弱くなるとともに消費電流が大きくなって
発熱が大きくなることにより従来の封止樹脂ではその熱
を十分に逃がすことができず、又はその熱により発生す
る封止樹脂の熱応力による悪影響等の問題が顕著になっ
ていている。The semiconductor device 120 thus completed
Has been the mainstream structure of semiconductor devices since it is highly reliable and inexpensive, but the semiconductor device has been weakened by a minute stress as the performance of the semiconductor device has been improved in recent years. At the same time, the current consumption increases and the heat generation increases, so that the heat cannot be sufficiently escaped by the conventional sealing resin, or the problem such as the adverse effect due to the thermal stress of the sealing resin generated by the heat becomes remarkable. Is becoming.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来は
電子素子片例えば水晶振動子や圧電素子あるいは半導体
素子片のようなものは、セラミックス材料からなる電子
素子封止用パッケージないしは封止樹脂を用いたパッケ
ージングが行われてきたのであるが、セラミック材料を
用いた封止パッケージないしは電子素子封止構体につい
てはその内部に封止される電子素子片を外部の電磁界か
ら有効に遮蔽することができないという問題がある。As described above, conventionally, the electronic element piece such as the crystal oscillator, the piezoelectric element, or the semiconductor element piece is the electronic element sealing package or the sealing resin made of the ceramic material. However, in the case of a sealed package using a ceramic material or an electronic element sealing structure, the electronic element piece sealed inside is effectively shielded from an external electromagnetic field. There is a problem that you can not.
【0009】一般的にはこのようなパッケージングによ
り用いられる電子素子片は非常に高精度の動作を要求さ
れるものであって外部の環境即ち湿気やガス等に対して
敏感でそれらからの影響を十分に排除しなければならな
いと共に電磁界から受ける影響も問題であり、電磁界を
有効に遮蔽することができない場合にはその素子の動作
を保証することができない場合もある。[0009] In general, sensitive to such packaging an electronic element pieces used be those which require high-precision operations in a non-normal outside environment i.e. moisture vapor and gases and the like from their Is also a problem, and the effect of the electromagnetic field is a problem. If the electromagnetic field cannot be effectively shielded, the operation of the element may not be guaranteed in some cases.
【0010】しかしながら従来用いられていたセラミッ
クス材料を用いたセラミックパッケージは一般的にはセ
ラミックパッケージ自体の材料が電磁遮蔽をすることが
できない材料即ち導電性材料でないものであるので、内
部に特に電磁界からの影響を受け易い電子素子片を封止
する場合には別途電磁遮蔽のための構造を設ける必要が
あった。However, a ceramic package using a ceramic material that has been conventionally used is generally a material that cannot shield electromagnetic waves, that is, a conductive material, so that an electromagnetic field is generated inside the ceramic package. In the case of sealing an electronic element piece that is easily affected by, it was necessary to separately provide a structure for electromagnetic shielding.
【0011】又図12に示す従来の半導体素子片をパッ
ケージする樹脂による封止構体のような場合もセラミッ
ク材料からなるパッケージングと同様外部からの電磁界
を有効に遮蔽することができない上に、前述のように消
費電流が大きくなることにより熱を十分外部に逃してや
る必要があるにも拘わらず、その樹脂の熱伝導性の問題
から現在では熱の悪影響を受けるというような場合も生
じてきている。Further, in the case of the conventional resin sealing structure for packaging the semiconductor element piece shown in FIG. 12, the electromagnetic field from the outside cannot be effectively shielded like the packaging made of a ceramic material. As mentioned above, even though it is necessary to dissipate heat sufficiently to the outside due to the increase in current consumption, there are cases in which heat is now adversely affected by the problem of heat conductivity of the resin. There is.
【0012】又、その他にこの内部に封入される半導体
素子片が益々高密度化するに伴って外部からの応力に対
して敏感になっているので全体を密着して樹脂で封止す
る場合にはその熱応力ないしは単純な力学的な樹脂が当
たることによる応力が半導体素子片に悪影響を与えると
いうような問題も生じている。In addition, as the density of the semiconductor element pieces enclosed therein becomes higher and higher, it becomes more sensitive to external stress. Therefore, when the whole is closely adhered and sealed with resin. However, there is a problem that the thermal stress or the stress caused by a simple mechanical resin hits the semiconductor element piece.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】 本発明は上記課題を解
決するために以下のような導電性ガラス封止パッケージ
及びこれを用いた電子素子封止構体を提供するものであ
る。即ち、セラミックベース上に導電性材料からなるキ
ャップを被せた電子素子封止用パッケージであって、前
記キャップには表面に金又は銀からなる金属薄膜が形成
され、この金属薄膜が形成された部分に導電性接着剤を
配してこのキャップを前記セラミックベース上に被着
し、このセラミックベースが有する接地電極を介して前
記キャップを接地電位に導くことができる電子素子封止
用パッケージを提供する。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides the following conductive glass-sealed package and an electronic element sealing structure using the same. That is, an electronic element sealing package in which a cap made of a conductive material is covered on a ceramic base, and a metal thin film made of gold or silver is formed on the surface of the cap, and a portion where the metal thin film is formed Provided is a package for encapsulating an electronic element, in which a conductive adhesive is provided on the ceramic base, the cap is adhered to the ceramic base, and the cap can be guided to a ground potential through a ground electrode of the ceramic base. .
【0014】また、前記導電性接着剤は、ガラス成分中
に金属材料からなる導電性粒子が分散させられた導電性
ガラスである請求項1に記載の電子素子封止用パッケー
ジを提供する。また、前記キャップは、金属材料又は導
電性セラミック材料からなる請求項1に記載の電子素子
封止用パッケージを提供する。また、前記セラミックベ
ースは、ガラス中にフォルステライトを30〜70wt
%分散させた熱膨張係数が100〜150×10−7/
℃のガラスセラミック複合材料からなり前記キャップは
ニッケル鉄合金からなる請求項1に記載の電子素子封止
用パッケージを提供する。The electronic element sealing package according to claim 1, wherein the conductive adhesive is conductive glass in which conductive particles made of a metal material are dispersed in a glass component. Also, the cap provides the electronic element encapsulating package according to claim 1, which is made of a metal material or a conductive ceramic material. Further, the ceramic base contains 30 to 70 wt of forsterite in the glass.
% Thermal expansion coefficient of 100 to 150 × 10 −7 /
A package for encapsulating an electronic device according to claim 1 , wherein the cap is made of a glass ceramic composite material at ℃ and the cap is made of a nickel-iron alloy.
【0015】また、水晶振動子片を配置したセラミック
ベース上に導電性材料からなるキャップを被せた電子素
子封止構体であって、前記セラミックベースは、ガラス
中にフォルステライトを30〜70wt%分散させた熱
膨張係数が100〜150×10−7/℃のガラスセラ
ミック複合材料からなり前記キャップは鉄ニッケル合金
からなり表面に金又は銀からなる金属薄膜が形成され、
この金属薄膜が形成された部分に導電性接着剤を配して
このキャップを前記セラミックベース上に被着し、この
セラミックベースが有する接地電極を介して前記キャッ
プを接地電位に導くことができる電子素子封止構体を提
供する。Further, there is provided an electronic element sealing structure in which a cap made of a conductive material is covered on a ceramic base on which a crystal oscillator piece is arranged, wherein the ceramic base has 30 to 70 wt% of forsterite dispersed in glass. The glass-ceramic composite material having a coefficient of thermal expansion of 100 to 150 × 10 −7 / ° C., the cap is made of an iron-nickel alloy, and a metal thin film made of gold or silver is formed on the surface of the cap.
An electronic device capable of introducing a conductive adhesive to the portion where the metal thin film is formed, depositing the cap on the ceramic base, and guiding the cap to the ground potential through the ground electrode of the ceramic base. An element sealing structure is provided.
【0016】また、請求項1に記載の電子素子封止用パ
ッケージに前記電子素子として圧電材料素子片を封止し
た電子素子封止構体。また、前記ベースは略矩形であっ
て、その長手方向に略矩形の電子素子を両端で固定する
請求項4に記載の電子素子封止構体を提供する。An electronic element encapsulation structure in which a piezoelectric material element piece as the electronic element is encapsulated in the electronic element encapsulation package according to claim 1 . The base has a substantially rectangular shape, and a substantially rectangular electronic element is fixed at both ends in the longitudinal direction of the base.
An electronic element sealing structure according to claim 4 is provided.
【0017】また、前期キャップの表面に酸化膜が形成
されている請求項1〜3のいづれか一に記載の電子素子
封止用パッケージを提供する。Further, there is provided the electronic element encapsulating package according to any one of claims 1 to 3 , wherein an oxide film is formed on the surface of the cap.
【0018】また、前記キャップの表面に酸化膜が形成
されている請求項4〜6のいづれか一に記載の電子素子
封止構体を提供する。The electronic element encapsulation structure according to any one of claims 4 to 6 , wherein an oxide film is formed on the surface of the cap.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】 以下本発明について特許請求の
範囲に記載された請求項順に図面を参酌しながら順次発
明を説明する。先ず請求項1記載の発明についてである
が、図1から図7でもって説明することができる。請求
項1記載の発明は、セラミックベース上に導電性材料か
らなるキャップを被せた電子素子封止用パッケージであ
って、前記キャップには表面に金又は銀からなる金属薄
膜が形成され、この金属薄膜が形成された部分に導電性
接着剤としてガラス成分中に金属材料からなる導電性粒
子が分散させられた導電性ガラスを配してこのキャップ
を前記セラミックベース上に被着し、このセラミックベ
ースが有する接地電極を介して前記キャップを接地電位
に導くことができる電子素子封止用パッケージである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be sequentially described with reference to the drawings in the order of the claims described in the claims. First, the invention according to claim 1 can be described with reference to FIGS. 1 to 7. According to a first aspect of the present invention, there is provided an electronic element sealing package in which a cap made of a conductive material is covered on a ceramic base, and a metal thin film made of gold or silver is formed on the surface of the cap. Conductive particles made of a metal material in the glass component as a conductive adhesive on the part where the thin film is formed
A conductive glass in which a child is dispersed is disposed, the cap is attached to the ceramic base, and the cap can be guided to the ground potential through the ground electrode of the ceramic base. It is a package.
【0020】請求項1記載の発明を代表的な図でもって
示したのが図1及び図2である。図1に示すものはセラ
ミックベース11上に導電性材料からなる平板状のキャ
ップ12が被された状態であって、そのキャップ12の
一部を破断して内部を見えるようにした電子素子封止用
パッケージ10であるが、この発明の特徴点はキャップ
自体が導電性材料からなるということの他にこのキャッ
プ12とセラミックベース11とを接着する際に予めキ
ャップ12の表面には金又は銀からなる金属薄膜13を
形成し、この金属薄膜13が形成された部分に導電性接
着剤14を配して、ないしは配されるようにしてこのキ
ャップ12を前記セラミックベース11上に接着するよ
うにしている点にある。The invention described in claim 1 is shown in FIGS. 1 and 2 by using typical drawings. FIG. 1 shows a state in which a flat plate-shaped cap 12 made of a conductive material is covered on a ceramic base 11, and a part of the cap 12 is broken so that the inside can be seen. The feature of the present invention is that the cap itself is made of a conductive material, and the surface of the cap 12 is previously made of gold or silver when the cap 12 and the ceramic base 11 are bonded together. The metal thin film 13 is formed, and the conductive adhesive 14 is arranged on the portion where the metal thin film 13 is formed, or the cap 12 is adhered onto the ceramic base 11 so as to be arranged. There is a point.
【0021】先ずキャップ12を導電性材料からなるよ
うにした趣旨であるが導電性材料からなるとするのは導
電性材料は電磁遮蔽の効果があるためである。従ってこ
のキャップ12はセラミックベース11に配される電子
素子片16の全体を被うようになっているのでこの電子
素子片16に外部特に上面側から電磁波が当てられる場
合であってもこのキャップ12によって電磁波が遮蔽さ
れてセラミックベース11に配置されている電子素子片
16に悪影響を与えるということがないのである。First, the cap 12 is made of a conductive material, but the cap 12 is made of a conductive material because the conductive material has an electromagnetic shielding effect. Therefore, since the cap 12 covers the entire electronic element piece 16 arranged on the ceramic base 11, even if electromagnetic waves are applied to the electronic element piece 16 from the outside, particularly from the upper surface side, the cap 12 Thus, the electromagnetic wave is not shielded and the electronic element piece 16 arranged on the ceramic base 11 is not adversely affected.
【0022】又、このキャップ12に電磁遮蔽の効果を
有効に持たせるために単にキャップ12の材料が導電性
材料から成っているのみではなく、そのキャップ12が
セラミックベース11が有する接地電極15を介して接
地電位に導かれている点にも特徴がある。このように接
地電位に導かれると電磁波がキャップに当たった場合で
あってもキャップ12の状態を常にゼロ電位に保つこと
ができるので有効に電磁遮蔽をすることができるのであ
る。Further, in order to effectively provide the cap 12 with an electromagnetic shielding effect, the material of the cap 12 is not only made of a conductive material, but the cap 12 has the ground electrode 15 which the ceramic base 11 has. It is also characterized in that it is led to the ground potential via the. When the electromagnetic wave hits the cap when it is guided to the ground potential in this way, the state of the cap 12 can be always kept at zero potential, so that electromagnetic shielding can be effectively performed.
【0023】又この発明の更なる特徴点はキャップ12
とセラミックベース11との接着部分に金属薄膜13が
形成されている点である。一般的に考えればセラミック
ケース11上に形成された接地電極15とキャップ12
とを導電性接着剤14でもって接着し、キャップ12を
セラミックベース11上に被着すればそれで済むように
思えるが実際には導電性材料からなるキャップ12は酸
化され易く従って実際の導電性接着剤14被着面には薄
いながらも酸化膜が形成されており、この酸化膜の形成
によってセラミックベース11上に形成された接地電極
15とキャップ12との接続の抵抗値が大きな値となっ
ている。A further feature of the present invention is the cap 12
That is, the metal thin film 13 is formed in the bonding portion between the ceramic base 11 and the ceramic base 11. Generally considered, the ground electrode 15 and the cap 12 formed on the ceramic case 11.
It seems that it suffices to adhere the above with a conductive adhesive 14 and to apply the cap 12 on the ceramic base 11, but in reality, the cap 12 made of a conductive material is easily oxidized and therefore the actual conductive adhesive is used. An oxide film is formed on the surface on which the agent 14 is adhered although it is thin, and the resistance value of the connection between the ground electrode 15 formed on the ceramic base 11 and the cap 12 becomes large due to the formation of this oxide film. There is.
【0024】この抵抗値が大きな値となれば必ずしもキ
ャップ12を全面的にゼロボルト即ち接地電位に導くこ
とができないので電磁遮蔽の能力に影響がでることとな
るのである。例えば請求項1記載の発明のようにキャッ
プの表面に金又は銀からなる金属薄膜を形成しない場合
には接地電極とキャップとの抵抗値は10オーム〜数1
0オーム程度となるのであるが、本発明のようにこのキ
ャップの導電性接着剤が配される部分に金又は銀からな
る金属薄膜を形成した場合には抵抗値を1オーム以下に
下げることができるのである。If the resistance value is large, the cap 12 cannot be entirely guided to zero volt, that is, the ground potential, and the electromagnetic shielding ability is affected. For example, when the metal thin film made of gold or silver is not formed on the surface of the cap as in the invention described in claim 1, the resistance value between the ground electrode and the cap is 10 ohm to several 1
Although it is about 0 ohm, when a metal thin film made of gold or silver is formed on the portion of the cap where the conductive adhesive is disposed as in the present invention, the resistance value can be lowered to 1 ohm or less. You can do it.
【0025】このように金又は銀からなる金属薄膜とし
ては例えば銀ペーストのようなもの、金ペーストのよう
なものを用いて薄膜を形成することが考えられる。金ペ
ーストや銀ペーストのようなものはスクリーン印刷のよ
うな方法でキャップに配置することも可能であるし、ス
クリーン印刷ではなく少量づつ滴下するような方法で配
置することも可能である。金又は銀ペーストのようなも
のを用いた場合にはその後400℃程度に昇温して溶媒
を飛ばし金又は銀の薄膜を形成することができる。As the metal thin film made of gold or silver, it is conceivable to form the thin film by using, for example, silver paste or gold paste. The gold paste or silver paste can be placed on the cap by a method such as screen printing, or can be placed by a method of dropping little by little instead of screen printing. When a gold or silver paste is used, the temperature can be raised to about 400 ° C. to remove the solvent and form a gold or silver thin film.
【0026】尚、ここで言うところの金又は銀からなる
金属薄膜はこのような材料が含まれていればよいのであ
って例えば銀パラジウム合金からなるものであっても又
金とその他の金属との混合物のようなものであってもよ
いことはいうまでもない。このようにキャップの導電性
接着剤が配される部分に金又は銀からなる金属薄膜を形
成することにより、この接合部分の抵抗値を下げられる
作用であるがこれは導電性接着剤とキャップとの間の導
電の仕組みに関係がある。It is to be noted that the metal thin film made of gold or silver referred to here only needs to contain such a material. For example, even if it is made of a silver-palladium alloy, gold and other metals are not included. It goes without saying that it may be a mixture of By forming a metal thin film made of gold or silver on the portion of the cap where the conductive adhesive is arranged, the resistance value of the joint portion can be lowered. Related to the mechanism of conduction between.
【0027】導電性接着剤の内部には金属の微粒子例え
ば銀の微粒子のようなものが含まれているが、この金属
製の微粒子はこの導電性接着剤を導電性たり得るために
必須の役割を果たしている。しかしながらこのキャップ
が導電性材料からなり封止される段階でそのキャップの
接合部分の表面に薄いながらも酸化膜が形成されている
場合にはこの導電性接着剤中に含まれる銀等の金属製の
微粒子がキャップ側に被着することなくキャップの表面
にはその酸化物と相性がよい非導電性の材料が集中する
ような現象が見られるのである。The conductive adhesive contains fine particles of metal such as fine particles of silver. The fine particles made of metal are indispensable for the conductive adhesive to be conductive. Plays. However, when an oxide film is formed on the surface of the joint portion of the cap, which is thin, when the cap is made of a conductive material, it is made of metal such as silver contained in the conductive adhesive. There is a phenomenon in which the non-conductive material having good compatibility with the oxide is concentrated on the surface of the cap without the fine particles of (3) being deposited on the cap side.
【0028】従って導電性接着剤中に含まれる金属製粒
子がキャップの界面側に現れず、従って導電性が低いも
のとなってしまうのである。勿論この導電性接着剤中に
含まれる金属粒子が全くキャップ側に存在しないという
ことではないがこのようにキャップの表面が酸化される
ことによりこの導電性接着剤に含まれる金属粒子がキャ
ップ側に存在する割合が減るのである。Therefore, the metal particles contained in the conductive adhesive do not appear on the interface side of the cap, so that the conductivity becomes low. Of course, this does not mean that the metal particles contained in the conductive adhesive do not exist on the cap side at all, but the metal particles contained in the conductive adhesive are converted to the cap side by oxidizing the surface of the cap in this way. The proportion that exists is reduced.
【0029】ところが本発明のようにこのキャップの表
面に金又は銀からなる金属薄膜を形成した場合にはこれ
らの金属薄膜は酸化しにくくないしは導電性接着剤に含
まれる銀粒子と相性がよいために導電性接着際を塗布し
た場合にその導電性接着剤中に含まれる金属粒子がキャ
ップ側に十分接触するような形で分布するのである。However, when a metal thin film made of gold or silver is formed on the surface of the cap as in the present invention, these metal thin films are difficult to oxidize or have good compatibility with silver particles contained in the conductive adhesive. When the conductive adhesive is applied to the metal particles, the metal particles contained in the conductive adhesive are distributed in such a manner that they are in sufficient contact with the cap side.
【0030】従って、例えキャップが酸化されるような
環境に置かれている場合であってもその部分は酸化して
ないか、ないしは導電性接着剤中に含まれる銀粒子と同
一の金属が存在するため導電性接着剤中の金属粒子のキ
ャップに対するなじみがよくなってセラミックベースが
有する接地電極とキャップとの抵抗値を大きく下げるこ
とができるのである。Therefore, even if the cap is placed in an environment where it is oxidized, that part is not oxidized, or the same metal as the silver particles contained in the conductive adhesive is present. As a result, the metal particles in the conductive adhesive become more compatible with the cap, and the resistance value between the ground electrode and the cap of the ceramic base can be greatly reduced.
【0031】図2もセラミックベース21とキャップ2
2の間に電子素子片26が配されており、基本的には図
1と同様な構造を持つ請求項1記載の発明を現す電子素
子異封止用パッケージ20であるが図2のものと図1の
ものとの相違点は接地電極の配され方である。図1のも
のは接地電極15がセラミックベース11の短辺側から
外部に存在してプリント基板構体側に延在するのである
が図2の場合にはセラミックベース21の側面に凹部2
7が設けられて、この凹部27の内部が金属材料で被覆
されこの部分が接地電極25として用いられているので
ある。FIG. 2 also shows the ceramic base 21 and the cap 2.
The electronic element differently encapsulating package 20 has the electronic element piece 26 disposed between the two, and basically has the same structure as that of FIG. The difference from that of FIG. 1 is the arrangement of the ground electrode. In FIG. 1, the ground electrode 15 exists from the short side of the ceramic base 11 to the outside and extends to the printed circuit board structure side. In the case of FIG. 2, however, the recess 2 is formed on the side surface of the ceramic base 21.
7 is provided, the inside of the recess 27 is covered with a metal material, and this portion is used as the ground electrode 25.
【0032】又図3に示すものは図1及び図2に記載し
たような電子素子封止用パッケージないしはこれを用い
た電子素子封止構体31がプリント回路基板30上に配
置される状態を示すものである。このようにプリント回
路基板上に配置された場合に、例え周囲に強い電磁波を
発生するような部品が存在する場合であってもこのキャ
ップが導電性であるために特にその他に遮蔽機構を設け
る必要もなくこの電子素子封止用パッケージの内部の電
子素子片を電磁遮蔽することが可能となるのである。FIG. 3 shows a state in which the electronic element sealing package as shown in FIGS. 1 and 2 or the electronic element sealing structure 31 using the same is arranged on the printed circuit board 30. It is a thing. Even if there are parts that generate strong electromagnetic waves in the surroundings when arranged on the printed circuit board as described above, it is necessary to provide another shielding mechanism because the cap is conductive. Without this, it is possible to electromagnetically shield the electronic element piece inside the electronic element sealing package.
【0033】又図4(a)及び(b)に示すものは図1
及び図2に示した電子素子封止用パッケージのその他の
実施例40a、40bを示すものである。この場合にキ
ャップ42a、42bは図1及び図2のものとは異なり
弁当箱の蓋のような形状をしているのであるが、いずれ
にしてもそのキャップ42a、42bの内面ないしは外
面に金又は銀からなる金属薄膜42af、42bfが形
成され導電性接着剤44a、44bでセラミックベース
41a、41bの接地電極45a、45bに導かれてい
るために十分によい電磁遮断効果を持つものである。The one shown in FIGS. 4A and 4B is shown in FIG.
3A and 3B show other examples 40a and 40b of the electronic element sealing package shown in FIG. In this case, the caps 42a and 42b are shaped like a lid of a lunch box, unlike those of FIGS. 1 and 2, but in any case, the caps 42a and 42b have gold or gold on their inner or outer surfaces. Since the metal thin films 42af, 42bf made of silver are formed and guided to the ground electrodes 45a, 45b of the ceramic bases 41a, 41b by the conductive adhesives 44a, 44b, they have a sufficiently good electromagnetic shielding effect.
【0034】尚、このように弁当箱の蓋状にすることに
よって嵩が高い電子素子を内部に収納する場合であって
もその電子素子全体を包み込むようにキャップをするこ
とができるので電磁遮蔽の効果は大である。図4(a)
に示すものはキャップ42aの内面に金属薄膜42af
を形成したものであり、図4(b)に示すものはキャッ
プ42bの外面に金属薄膜42bfを形成したものであ
る。Even when a bulky electronic element is housed inside by thus forming the lunch box as a lid, a cap can be provided so as to enclose the entire electronic element, so that electromagnetic shielding is provided. The effect is great. Figure 4 (a)
Shows the metal thin film 42af on the inner surface of the cap 42a.
4B, the metal thin film 42bf is formed on the outer surface of the cap 42b.
【0035】何れにしてもキャップ42a、42bの表
面に金又は銀からなる金属薄膜42af、42bfを形
成し、この金属薄膜が形成された部分に導電性接着剤4
4a、44bを配してこのキャップ42a、42bを前
記セラミックベース41a、41b上に被着しこのセラ
ミックベースが有する接地電極45a、45bを介して
キャップ42a、42bを接地電位に導くことができる
ようにしてあるので従来のものと比べて接地電極45
a、45bとキャップ42a、42bとの間の抵抗値を
極めて小さくすることができ、具体的には1オーム以下
にすることができ大きな電磁遮蔽効果を実現することが
できるのである。In any case, metal thin films 42af and 42bf made of gold or silver are formed on the surfaces of the caps 42a and 42b, and the conductive adhesive 4 is formed on the portions where the metal thin films are formed.
4a and 44b are arranged so that the caps 42a and 42b are attached to the ceramic bases 41a and 41b, and the caps 42a and 42b can be guided to the ground potential via the ground electrodes 45a and 45b of the ceramic bases. Therefore, the ground electrode 45 is
The resistance value between a and 45b and the caps 42a and 42b can be made extremely small, specifically 1 ohm or less, and a large electromagnetic shielding effect can be realized.
【0036】図5に示すものはこのセラミックベースの
製造工程を簡単に示したものである。前述のように樹脂
等のモールドでもって半導体素子を封止する場合にはそ
の熱が問題になるのであるが半導体素子をこのようなセ
ラミックパッケージに封止する場合には高い熱伝導率を
持つセラミックス材料を用いることにより半導体素子片
が発生する熱を有効に外部に排除して半導体素子片の機
能を担保するのである。FIG. 5 simply shows the manufacturing process of this ceramic base. As described above, heat is a problem when a semiconductor element is sealed with a resin mold or the like. However, when the semiconductor element is sealed in such a ceramic package, a ceramic having a high thermal conductivity is used. By using the material, the heat generated by the semiconductor element piece is effectively removed to the outside to ensure the function of the semiconductor element piece.
【0037】例えばアルミナを用いてこのようなセラミ
ックパッケージのベースを製造する場合について簡単に
説明する。図5に示すのがそれである。IC素子の進歩
に伴い基板には配線回路の高密度化、発熱の防止、温度
湿度変化や埃からの保護が要求されるようになり多層化
基板やICパッケージや圧電素子等の素子を組み合わせ
たパッケージが発展してきているが本発明はこれらをさ
らに改良したものであって、このセラミックベース材料
はグリーンシート法を用いて製造することができる。The case of manufacturing such a ceramic package base using alumina, for example, will be briefly described. That is shown in FIG. With the progress of IC devices, it has become necessary to increase the density of wiring circuits, prevent heat generation, and protect from changes in temperature and humidity and dust from the substrates, and combined devices such as multilayer substrates, IC packages, and piezoelectric devices. Although packaging has evolved, the present invention is a further improvement thereof, and the ceramic base material can be manufactured using the green sheet method.
【0038】グリーンシート法はドクターブレード法に
より作成したガラス、セラミックやアルミナのグリーン
シートに導体ペーストを印刷したものを積層し一括して
焼成したものであり、電子素子片例えば圧電素子や水晶
振動子、LSIやVLSIにとって又更により高信頼性
を必要とされる素子にとって極めて信頼性の高い多層回
路基板ないしは多層回路を有するセラミックベースの製
造方法である。The green sheet method is one in which a conductor paste is printed on a glass, ceramic, or alumina green sheet prepared by the doctor blade method, which is laminated and fired together. It is a method of manufacturing a multilayer circuit board or a ceramic base having a multilayer circuit, which is extremely reliable for LSIs, VLSIs, and elements requiring higher reliability.
【0039】この方法で作られるセラミックベースには
多くの特徴があるが、先ず第一点として微細配線を施し
た多数のシートの積層が容易であるため高密度配線が可
能であるということである。従ってこの電子素子封止用
パッケージのセラミックベースも多層に配線することに
より内部に多くの電極ポイントを有する素子を容易に収
納することができるのである。Although the ceramic base produced by this method has many characteristics, the first point is that high density wiring is possible because it is easy to stack a large number of sheets having fine wiring. . Therefore, the ceramic base of this electronic element encapsulation package can be easily accommodated by arranging the ceramic base in a multi-layer manner.
【0040】第二に絶縁基板や導体を同時焼成してつく
るので一体化が完全で信頼性が高いというメリットもあ
る。グリーンシート法による多層回路基板等のセラミッ
ク体の基本的製造プロセスを説明すると先ず、原料粉体
とフラックス、有機バインダ、溶剤、可塑剤をボールミ
ル中で良く混合しスラリーとする。このスラリーをブレ
ードによりキャリアテープ上に伸展し、乾燥したものを
グリーンシートとする。Secondly, since the insulating substrate and the conductor are produced by simultaneous firing, there is an advantage that the integration is complete and the reliability is high. The basic manufacturing process of a ceramic body such as a multilayer circuit board by the green sheet method will be described. First, raw material powder, flux, organic binder, solvent and plasticizer are thoroughly mixed in a ball mill to form a slurry. The slurry is spread on a carrier tape with a blade and dried to obtain a green sheet.
【0041】このグリーンシートは厚みが0.1〜1.
0mm程度のもので厚さは必要に応じて調整することが
できる。このグリーンシート上に金属粉末にて作成した
導体ペーストをスクリーン印刷する。この導体ペースト
は電極材料となり、具体的には接地電極もこの方法によ
って形成される。グリーンシート法における多層化の方
法にはシート積層、印刷多層と両者を併用の3方法があ
るがよく用いられているのはシート積層法である。This green sheet has a thickness of 0.1-1.
The thickness is about 0 mm, and the thickness can be adjusted as necessary. A conductor paste made of metal powder is screen-printed on this green sheet. This conductor paste serves as an electrode material, and more specifically, the ground electrode is also formed by this method. There are three methods of multilayering in the green sheet method: sheet lamination, printing multilayer and both methods in combination, and the sheet lamination method is often used.
【0042】シート積層法によればグリーンシートに金
型やマイクロドリルにて穴あけを行いその中に導体ペー
ストを充填し、パターンを印刷したものを複数枚積層し
焼成することによってセラミックベース体が製造され
る。このようなシート積層法により製造されるセラミッ
クベースの概略仕様としては配線材質は銀、銀パラジウ
ム、ないしは銅のようなもので最小線幅は0.08mm
程度、配線最小線間隔は0.1mm程度、最小スルーホ
ール径は0.1mm程度、最小スルーホールピッチは
0.25mm程度である。According to the sheet stacking method, a ceramic base body is manufactured by punching holes in a green sheet with a die or a microdrill, filling a conductive paste therein, stacking a plurality of patterns-printed ones, and firing them. To be done. As a general specification of the ceramic base manufactured by such a sheet lamination method, the wiring material is silver, silver palladium, or copper, and the minimum line width is 0.08 mm.
The minimum wiring line spacing is about 0.1 mm, the minimum through hole diameter is about 0.1 mm, and the minimum through hole pitch is about 0.25 mm.
【0043】又従来用いられてきた材料粉体の材質とし
ては熱伝導性がよいものとして90〜94%程度のアル
ミナを用い、熱膨張係数は75×10−7/℃、誘電率
は8.5、比抵抗は1014Ω/cm程度のものであ
る。又このように積層されるシートの最大積層数は45
層程度までが可能であるがこのようなセラミックパッケ
ージにおいては高々10層程度もあれば十分高密度のセ
ラミックパッケージ即ち電子素子封止用パッケージを製
造することができる。As the material of the material powder that has been conventionally used, alumina having a good thermal conductivity of about 90 to 94% is used, the thermal expansion coefficient is 75 × 10 −7 / ° C., and the dielectric constant is 8. 5. The specific resistance is about 10 14 Ω / cm. The maximum number of sheets that can be laminated in this way is 45
Although the number of layers is possible, if such a ceramic package has at most about 10 layers, it is possible to manufacture a ceramic package with a sufficiently high density, that is, an electronic element sealing package.
【0044】複数枚のグリーンシートを一体化する工程
を説明するとこれは図6に示すようなものである。一般
的には低温等方圧圧密成形所謂CIP法が用いられてい
る。CIP法ではもとの材料となる積層されたグリーン
シートをゴム質の袋の中に入れそれを圧縮容器の中に入
れてある圧力伝達液(純粘性液体)の中に入れその伝達
液を圧縮し、伝達液中に発生するパスカル圧によって袋
中の原料粉体を等方的に圧縮圧密する。The process of integrating a plurality of green sheets will be explained as shown in FIG. Generally, the low temperature isotropic consolidation molding, so-called CIP method is used. In the CIP method, the laminated green sheets that are the original material are put in a rubber bag and put in a pressure transmission liquid (pure viscous liquid) that is placed in a compression container and the transmission liquid is compressed. Then, the raw material powder in the bag is isotropically compressed and consolidated by the Pascal pressure generated in the transfer liquid.
【0045】パスカル圧によって四方八方から等方的に
締められるので一軸圧密の場合に比べてより高度の等方
加圧や高密度加圧均質加圧が達成される。このため保形
成に優れた高密度形成体を得ることができ電子素子封止
用のセラミックベースの製造方法として最適である。Since it is clamped isotropically from all sides by Pascal pressure, higher isotropic pressure and higher density homogeneous compression can be achieved as compared with the case of uniaxial consolidation. Therefore, it is possible to obtain a high-density formed body excellent in retention formation, and it is the most suitable as a method for manufacturing a ceramic base for encapsulating electronic elements.
【0046】この方法は先ずセラミックスシートを目的
の形状にパンチングしたグリーンシート60とパターン
を印刷したグリーンシート61、62に加工する工程、
これらのグリーンシート61,62を重ねあわせ積層体
63を形成する工程、その積層体63をビニール袋64
に入れ包装する工程、グリーンシートの積層体63を入
れ包装されたビニール袋64を真空引きする工程、ビニ
ール袋64がグリーンシート積層体63に密着するよう
にする工程、等方プレスをする工程からなっている。In this method, first, a ceramic sheet is punched into a desired shape into a green sheet 60 and pattern-printed green sheets 61 and 62 are processed.
A process of stacking these green sheets 61 and 62 to form a laminated body 63, and the laminated body 63 is covered with a vinyl bag 64.
From the step of putting in and packaging, the step of vacuuming the vinyl bag 64 in which the green sheet laminated body 63 is put and packaged, the step of bringing the vinyl bag 64 into close contact with the green sheet laminated body 63, and the step of performing isotropic pressing Has become.
【0047】尚、低温等方圧圧密成形の他に高温等方圧
圧密成形所謂HIPを用いるものもあるが原理的には同
様である。このように低温等方圧圧密成形を行うのは等
方プレスをすることによりシート中に含まれるバインダ
ーを軟化させ、軟化させたバインダーでグリーンシート
間を接着しセラミック体を完成するためである。従来は
以上のようにグリーンシートの成形においては主に低温
等方圧圧密成形が行なわれていたが本発明者等は更にセ
ラミックベースを形成するための最適な方法をも見出し
ている。In addition to the low temperature isotropic consolidation forming, there is one using high temperature isotropic consolidation forming, so-called HIP, but the principle is the same. The reason why the low temperature isotropic consolidation is performed is to soften the binder contained in the sheet by performing an isotropic press and to bond the green sheets with the softened binder to complete the ceramic body. Conventionally, as described above, low temperature isotropic consolidation molding has been mainly performed in the molding of the green sheet, but the present inventors have also found an optimal method for forming the ceramic base.
【0048】この方法ではセラミックシート61,62
を正確に重ねあわせビニール袋64にて包装し真空引き
する工程を数回繰り返す必要がなく、又ビニール袋64
等の廃棄物が多量に発生するという問題も回避すること
ができる。即ちグリーンシート61,62を積層して形
成されるセラミック体の製造方法であり、グリーンシー
トの積層面にこのグリーンシート61,62に含まれる
バインダーを溶解する溶剤を塗布する工程とこの溶剤を
塗布されたグリーンシートを積層する工程と、この積層
されたグリーンシートをプレスして一体化する工程とプ
レスされたグリーンシートを焼成する工程とからなるセ
ラミックベースの製造方法である。In this method, the ceramic sheets 61, 62 are
It is not necessary to repeat the steps of accurately stacking and wrapping in a vinyl bag 64 and evacuating several times.
It is also possible to avoid the problem that a large amount of waste is generated. That is, it is a method for manufacturing a ceramic body formed by stacking green sheets 61 and 62, and a step of applying a solvent that dissolves the binder contained in the green sheets 61 and 62 to the stacking surface of the green sheets, and applying this solvent. A method of manufacturing a ceramic base comprising a step of stacking the stacked green sheets, a step of pressing the stacked green sheets to integrate them, and a step of firing the pressed green sheets.
【0049】このような方法についてこの溶剤の塗布は
濡らされたメッシュシートを前記グリーンシートの積層
面に密接して行うことができ、又溶剤蒸気を積層面にス
プレーすることによって行うものでもよい。又積層され
たグリーンシートをプレスして一体化する工程において
はプレス圧力が1kg/cm2以上10kg/cm2以下
の圧力で行うのが好ましい。また、一方向プレスでは3
0〜50kg/cm2100℃前後にて接着が可能であ
る。また、グリーンシート中の可塑剤の見直しで低圧接
着も可能である。Regarding such a method, the application of the solvent can be carried out by bringing a wet mesh sheet into close contact with the laminated surface of the green sheet, or by spraying solvent vapor onto the laminated surface. Further, in the step of pressing and integrating the laminated green sheets, it is preferable that the pressing pressure is 1 kg / cm 2 or more and 10 kg / cm 2 or less. In addition, 3 in the one-way press
Bonding is possible around 0 to 50 kg / cm 2 100 ° C. Also, low-pressure bonding is possible by reviewing the plasticizer in the green sheet.
【0050】又前記バインダーはポリビニルブチラー
ル、前記溶剤はメタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、N−ブタノール、の中から適当な組み合わ
せによって設計することが可能である。又前記溶剤では
シクロヘキサノン、イソホロンの組み合わせも良く、バ
インダにはポリビニルブチラール、溶剤にはN−Nジメ
チルホルムアミドを用いるのがよい。以上のように本発
明者等は電子素子封止用パッケージのうちセラミックベ
ースの製造方法について安価で且つ確実な製造方法をも
見出しているのである。The binder can be designed by polyvinyl butyral, and the solvent can be designed by an appropriate combination of methanol, ethanol, isopropyl alcohol and N-butanol. The solvent may be a combination of cyclohexanone and isophorone, polyvinyl butyral as the binder, and N—N dimethylformamide as the solvent. As described above, the present inventors have found an inexpensive and reliable manufacturing method for a ceramic base in an electronic element sealing package.
【0051】次に導電性接着剤としてガラス成分中に金
属材料からなる導電性粒子が分散させられた導電性ガラ
スを用いることについて簡単に説明する。一般的には導
電性封止剤としては先ず考えられるのは有機系の封止剤
であるが、有機系の封止剤中のバインダには高温化する
ことによってガスが発生するものがあり、このようなガ
スは封止用パッケージ内に封止された電子素子片に対し
て悪影響を与える場合がある。Next , gold is used as a conductive adhesive in the glass component.
Conductive glass in which conductive particles made of a metal material are dispersed
A brief description will be given of the use of the space. Generally, the first conceivable conductive sealant is an organic sealant, but some binders in the organic sealant generate gas when the temperature rises, Such a gas may adversely affect the electronic device piece sealed in the sealing package.
【0052】従ってこのようなガスを発生しない材料と
してガラスが考えられ、そのガラスの中で特にガラス中
に導電性粒子を分散した導電性接着剤が請求項1記載の
導電性接着剤として適したものであるということが言え
る。これを図をもって示したのが図7(a)(b)であ
る。要は金属粒子72とガラスのバインダ73からなる
導電性接着剤70中の金属粒子72が連続して繋がって
いればよい。これにより図8に示すように導電性接着剤
80中の金属粒子82が連続している部分に電気の流れ
ができ、結果としてキャップを接地電位に導くことがで
きるのである。尚、この導電性接着剤中のバインダを有
機系のものにしても問題が生じない場合にはそれでもよ
い。Therefore, glass is considered as a material that does not generate such a gas, and a conductive adhesive in which conductive particles are dispersed in the glass is suitable as the conductive adhesive according to claim 1. It can be said that it is a thing. This is shown in FIGS. 7A and 7B. The point is that the metal particles 72 and the metal particles 72 in the conductive adhesive 70 composed of the glass binder 73 may be continuously connected. As a result, as shown in FIG. 8, electricity can flow to the portion where the metal particles 82 in the conductive adhesive 80 are continuous, and as a result, the cap can be guided to the ground potential. Incidentally, if the binder in the conductive adhesive is made of an organic type, it may be used if no problem occurs.
【0053】この種の有機系の封止剤としてはポリイミ
ド系のものとエポキシ系のものがよい。ポリイミド系の
ものは特に銀粒子を含有する導電性ポリイミド封止剤が
よく、一般的な特性としては150℃〜300℃程度で
硬化させることができ、使用温度範囲は−55℃〜35
℃程度、最高継続使用温度は200℃程度、ダイシェア
接着強度は夫々25℃で205kg、150℃で170
kg、300℃で150kg、350℃で70kg程度
のものが実現できる。As the organic sealing agent of this type, a polyimide type and an epoxy type are preferable. The polyimide-based material is preferably a conductive polyimide sealant containing silver particles, and as a general property, it can be cured at about 150 ° C to 300 ° C, and the operating temperature range is -55 ° C to 35 ° C.
℃, maximum continuous use temperature is about 200 ℃, die shear adhesive strength is 205 kg at 25 ℃, 170 at 150 ℃
About 150 kg at 300 ° C. and 70 kg at 350 ° C. can be realized.
【0054】又十分高密度に形成された体積抵抗率は
0.0001〜0.0002Ωcm程度を実現すること
ができる。従ってこの程度のダイシェア強度とこの程度
の体積抵抗率を有する場合には本発明の目的であるとこ
ろの電子素子片を外部の電磁界から十分有効に遮蔽する
ことができるのである。Further, the volume resistivity formed with a sufficiently high density can realize about 0.0001 to 0.0002 Ωcm. Therefore, when the die shear strength is about this level and the volume resistivity is about this level, the electronic element piece, which is the object of the present invention, can be sufficiently effectively shielded from the external electromagnetic field.
【0055】又この程度の機械的強度を有すればプリン
ト基板上に面実装する際にも十分な強度があり、又他の
電子部品等と合わせて高温炉に入れられはんだ工程やそ
の他の工程を通過する場合にも特に問題はない。エポキ
シ系の封止剤についてはその諸特性は原則的にはポリイ
ミド系の封止剤と同様であるが硬化減量いわゆるTGA
はポリイミド系の封止剤よりも小さく一般的には以下の
ような特性を有する。Further, if it has such a mechanical strength, it has a sufficient strength even when it is surface-mounted on a printed circuit board, and it is put in a high temperature furnace together with other electronic parts and the like, and a soldering step and other steps. There is no particular problem when passing through. The characteristics of the epoxy-based sealant are basically the same as those of the polyimide-based sealant, but the curing loss is so-called TGA.
Is smaller than a polyimide-based sealant and generally has the following characteristics.
【0056】即ち硬化条件は120℃程度〜200℃程
度であり、使用温度範囲は−55℃〜150℃程度、ダ
イシェア接着強度は夫々25℃で380キロ、150℃
で84キロ、350℃で35キロである。又十分高密度
に形成されるので体積抵抗率も0.0002Ωcm程度
と低い。このような有機系の導電性接着剤はセラミック
体からなるセラミックパッケージのセラミックベースの
所定部分にスクリーン印刷やデイスペンサあるいはスタ
ンピング等の各方法で配置されるようになっている。勿
論セラミックベースに配置せずにキャップの金属薄膜が
形成される部分に配置するようなものであってもよいこ
とは言うまでもない。That is, the curing conditions are about 120 ° C. to 200 ° C., the operating temperature range is about −55 ° C. to 150 ° C., and the die shear adhesive strength at 25 ° C. is 380 kg and 150 ° C., respectively.
It is 84 kg and 35 kg at 350 ° C. Further, since it is formed with a sufficiently high density, the volume resistivity is as low as about 0.0002 Ωcm. Such an organic conductive adhesive is arranged on a predetermined portion of a ceramic base of a ceramic package made of a ceramic body by various methods such as screen printing, dispenser or stamping. It goes without saying that the cap may be arranged not on the ceramic base but on the part of the cap where the metal thin film is formed.
【0057】次に請求項2に記載の発明について説明す
る。請求項2記載の発明は前述のように前記キャップ
は、金属材料または導電性セラミック材料からなる請求
項1に記載の電子素子封止用パッケージである。導電性
のキャップの材料としては一般的に金属材料を思い付く
であろうが金属材料以外のセラミック材料であって導電
性のものを用いることも可能である。Next, the invention described in claim 2 will be described. Billing invention according to claim 2 wherein the cap as described above, made of a metal material or a conductive ceramic material
Item 2. The electronic element encapsulating package according to Item 1 . As a material for the conductive cap, a metal material is generally conceived, but it is also possible to use a ceramic material other than the metal material, which is conductive.
【0058】このように導電性のセラミック材料を用い
た場合にはキャップの形状を比較的加工し易く例えば図
9に示すような嵩だかのキャップ92も可能であるので
外部からの電磁遮蔽が特に必要であってその電子素子片
93をキャップ92によって保護しようとする場合には
図9に示すように電子素子片93を縦に配置し、その電
子素子片93の全体がキャップ92によって収納される
ような電子素子封止用パッケージ90にすればよい。When a conductive ceramic material is used in this way, the shape of the cap is relatively easy to process, and a bulky cap 92 as shown in FIG. When it is necessary to protect the electronic element piece 93 with the cap 92, the electronic element piece 93 is arranged vertically as shown in FIG. 9, and the entire electronic element piece 93 is accommodated by the cap 92. Such an electronic element sealing package 90 may be used.
【0059】次に請求項3記載の発明について説明す
る。請求項3記載の発明は前述のように前記セラミック
ベースは、ガラス中にフォルステライトを30〜70w
t%分散させた熱膨張係数が100〜150×10‐7
/℃のガラスセラミック複合材料からなり前記キャップ
はニッケル鉄合金からなる請求項1に記載の電子素子封
止用パッケージである。請求項3記載の発明の特徴点は
セラミックベースの材料が所謂ガラスセラミック複合材
料を用いている点とキャップの材料としてニッケル鉄合
金を用いている点にある。Next, the invention according to claim 3 will be described. In the invention according to claim 3, as described above, the ceramic base contains forsterite in a glass of 30 to 70 w.
Coefficient of thermal expansion dispersed by t% is 100 to 150 × 10 −7
The electronic element encapsulating package according to claim 1 , wherein the cap is made of a glass ceramic composite material of / ° C and the cap is made of a nickel-iron alloy. The features of the invention according to claim 3 are that the so-called glass-ceramic composite material is used as the ceramic-based material and the nickel-iron alloy is used as the cap material.
【0060】このようにガラスセラミック材料を用いる
ことによって熱膨張係数を比較的高くすることができる
のでこのセラミックベースの熱膨張係数を例えば水晶振
動子片の熱膨張係数に合わせることが可能となる。又キ
ャップの材料としてニッケル鉄合金を用いた場合には非
常に高い電磁遮蔽性能を有するため薄いキャップを用い
る場合であっても有効な電磁遮蔽性能を確保することが
できるのである。Since the coefficient of thermal expansion can be made relatively high by using the glass ceramic material as described above, it becomes possible to match the coefficient of thermal expansion of this ceramic base with the coefficient of thermal expansion of, for example, a crystal oscillator piece. Further, when a nickel-iron alloy is used as the material of the cap, it has an extremely high electromagnetic shielding performance, so that even if a thin cap is used, an effective electromagnetic shielding performance can be secured.
【0061】次に請求項4記載の発明を説明する。請求
項4記載の発明は前述のように、水晶振動子片を配置し
たセラミックベース上に導電性材料からなるキャップを
被せた電子素子封止構体であって、前記セラミックベー
スは、ガラス中にフォルステライトを30〜70wt%
分散させた熱膨張係数が100〜150×10−7/℃
のガラスセラミック複合材料からなり前記キャップは鉄
ニッケル合金からなり表面に金又は銀からなる金属薄膜
が形成され、この金属薄膜が形成された部分に導電性接
着剤を配してこのキャップを前記セラミックベース上に
被着し、このセラミックベースが有する接地電極を介し
て前記キャップを接地電位に導くことができる電子素子
封止構体である。Next, the invention according to claim 4 will be described. Claim
As described above, the invention of Item 4 is an electronic element sealing structure in which a cap made of a conductive material is covered on a ceramic base on which a crystal oscillator piece is arranged, and the ceramic base is forsterite in glass. 30-70 wt%
The dispersed thermal expansion coefficient is 100 to 150 × 10 −7 / ° C.
Of the glass-ceramic composite material, the cap is made of an iron-nickel alloy, and a metal thin film made of gold or silver is formed on the surface of the cap. An electronic element encapsulation structure, which is attached to a base and can lead the cap to a ground potential through a ground electrode of the ceramic base.
【0062】請求項4記載の発明は請求項3記載の発明
を更に具体的にしたものであってフォルステライトを含
有するガラスセラミック複合材料をベースとする場合に
は水晶振動子が最適であることから水晶振動子片を配置
したセラミックベースに限定したものである。[0062] The invention of claim 4, wherein the is the optimum crystal oscillator when a obtained by more specifically the invention of claim 3, wherein based on glass-ceramic composite materials containing false Terai bets Therefore, it is limited to the ceramic base on which the crystal unit is arranged.
【0063】次に請求項5記載の発明について説明す
る。請求項5記載の発明は前述のように請求項1に記載
の電子素子封止用パッケージに前記電子素子として圧電
材料素子片を封止した電子素子封止構体である。請求項
5記載の発明は請求項1記載の発明が実際の電子素子片
を封止して電子素子封止構体となったものをクレームす
るものである。Next, the invention according to claim 5 will be described. The invention described in claim 5 is the electronic element sealing structure in which the piezoelectric element sealing element as the electronic element is sealed in the electronic element sealing package described in claim 1 as described above. Claim
The invention described in claim 5 claims the invention described in claim 1 in which an actual electronic element piece is sealed to form an electronic element sealing structure.
【0064】次に請求項6記載の発明について説明す
る。請求項6記載の発明は前述のように前記ベースは略
矩形であって、その長手方向に略矩形の電子素子を両端
で固定する請求項4に記載の電子素子封止構体である。
このようにセラミックベース上に配置される電子素子が
両端で固定されている場合即ち図11に示されているよ
うな場合には実際にこの電子素子封止構体が加熱工程に
供された場合に内部の電子素子に生じる熱応力が問題と
なる。即ち熱膨張係数が一般的には電子素子片のものと
セラミックベースのものとは異なるためその熱膨張係数
の違いによって電子素子片に対して熱応力が加えられ
る。Next, the invention according to claim 6 will be described. The invention according to claim 6 is the electronic element sealing structure according to claim 4 , wherein the base is substantially rectangular as described above, and the substantially rectangular electronic element is fixed at both ends in the longitudinal direction thereof.
In this way, when the electronic element arranged on the ceramic base is fixed at both ends, that is, when the electronic element sealing structure is actually subjected to the heating step as shown in FIG. The thermal stress generated in the internal electronic device becomes a problem. That is, since the thermal expansion coefficient is generally different between that of the electronic element piece and that of the ceramic base, thermal stress is applied to the electronic element piece due to the difference in the thermal expansion coefficient .
【0065】この熱応力は電子素子片に悪影響を与える
のでできるだけこの熱応力っは小さい方がよい。そこで
このようなセラミックベースの材料として前述のように
ガラスセラミックス複合体を用いたのである。このよう
にガラスセラミックス複合体を用いた場合には図10に
示すように電子素子片102が両端で固定される電子素
子封止用パッケージ100であっても電子素子片102
とセラミックベース101との熱膨張係数が合致してい
るので熱応力が必要以上に電子素子片102に与えられ
るということもなく、このような電子素子片の固定方法
であってもその電子素子片の性能を損なうということが
ないという特徴を有する。Since this thermal stress adversely affects the electronic element piece, the thermal stress should be as small as possible. Therefore, as a material for such a ceramic base, the glass-ceramic composite is used as described above. When the glass-ceramic composite is used as described above, the electronic element piece 102 is fixed even at the electronic element sealing package 100 in which the electronic element piece 102 is fixed at both ends as shown in FIG.
Since the coefficient of thermal expansion of the ceramic base 101 and that of the ceramic base 101 match, thermal stress will not be applied to the electronic element piece 102 more than necessary. It does not impair the performance of.
【0066】次に請求項7及び請求項8記載の発明につ
いて説明する。請求項7記載の発明は前述のように、前
記キャップの表面に酸化膜が形成されている請求項1〜
3のいづれか一に記載の電子素子封止用パッケージであ
る。請求項8記載の発明は前述のように前記キャップの
表面に酸化膜が形成されている請求項4〜6のいづれか
一に記載の電子素子封止構体である。このようにキャッ
プの表面に酸化膜が形成されていても金属薄膜をその上
に形成することによって導電性接着剤中に含まれる金属
粒子の偏在を防止してキャップとセラミックパッケージ
の接地電極との間の低い抵抗値を実現することができる
のである。Next, the invention according to claims 7 and 8 will be described. As described above, the invention according to claim 7 is such that an oxide film is formed on the surface of the cap .
3 is a package for encapsulating an electronic element according to any one of 3 above. The invention according to claim 8 is the electronic element sealing structure according to any one of claims 4 to 6 , wherein an oxide film is formed on the surface of the cap as described above. Thus, even if an oxide film is formed on the surface of the cap, by forming a metal thin film thereon, uneven distribution of metal particles contained in the conductive adhesive is prevented, and the cap and the ground electrode of the ceramic package are A low resistance value in between can be realized.
【0067】従って請求項7又は請求項8記載のように
キャップの表面に酸化膜が形成されている場合であって
も十分に電磁遮蔽効果を有する電子素子封止構体ないし
は電子素子封止用パッケージを実現できる。特にこのキ
ャップの表面に酸化膜を形成する必要がある場合例えば
酸化膜を形成してその金属キャップないしは導電性キャ
ップの外部環境からの保護を図ろうとするような場合に
はキャップの表面を参加することが必須となるのである
が、このような場合であっても電磁遮蔽性能を損なわな
いというのが請求項7又は請求項8記載の発明の特徴点
であるということができる。Therefore, even when the oxide film is formed on the surface of the cap as described in claim 7 or claim 8, the electronic element sealing structure or the electronic element sealing package having a sufficient electromagnetic shielding effect is obtained. Can be realized. Especially when it is necessary to form an oxide film on the surface of the cap, for example, when the oxide film is formed to protect the metal cap or the conductive cap from the external environment, the cap surface is joined. Although it is essential, it can be said that the feature of the invention of claim 7 or claim 8 is that the electromagnetic shielding performance is not impaired even in such a case.
【0068】[0068]
【発明の効果】 以上説明したように請求項1〜8
記載の発明によれば導電性材料からなるキャップを用い
セラミックベース上にこれを封止し、特にセラミックベ
ースの接地電極に対して導電性接着剤を用いて封止する
際にキャップの部分に金属薄膜を形成したので非常に小
さな接続抵抗を実現することができ、十分な電磁遮蔽を
実現することができる。又セラミックベース上に電子素
子片を封止するので熱の問題もなく、又特定の熱膨張係
数に合わせることによって熱応力が内部に収納される電
子素子片に溜まるということもない優れた電子素子封止
用パッケージ及び電子素子封止構体が実現される。EFFECTS OF THE INVENTION As described above, claims 1 to 8
According to the described invention, a cap made of a conductive material is used to seal this on a ceramic base, and in particular, when a conductive adhesive is used to seal the ground electrode of the ceramic base, a metal is applied to the portion of the cap. Since the thin film is formed, a very small connection resistance can be realized and sufficient electromagnetic shielding can be realized. Further, since the electronic element piece is sealed on the ceramic base, there is no problem of heat, and thermal stress is not accumulated in the electronic element piece accommodated inside by adjusting to a specific coefficient of thermal expansion. A sealing package and an electronic element sealing structure are realized.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】 本発明の電子素子封止用パッケージの実施例
の一部破断斜視図FIG. 1 is a partially cutaway perspective view of an embodiment of an electronic element sealing package of the present invention.
【図2】 本発明の電子素子封止用パッケージの他の実
施例の一部破断斜視図FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of another embodiment of the electronic element sealing package of the present invention.
【図3】 本発明の電子素子封止構体がプリント基板上
に配置された状態を示す斜視図FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the electronic element sealing structure of the present invention is arranged on a printed circuit board.
【図4】 本発明の電子素子封止用パッケージの他の実
施例を示す側断面図FIG. 4 is a side sectional view showing another embodiment of the electronic element sealing package of the present invention.
【図5】 セラミックベースの製造工程図FIG. 5: Manufacturing process diagram of ceramic base
【図6】 グリーンシートを一体化する工程図[Figure 6] Process diagram for integrating green sheets
【図7】 導電性接着剤の構成を示す概念図FIG. 7 is a conceptual diagram showing the configuration of a conductive adhesive.
【図8】 導電性接着剤を導電する仕組みを示す概念図FIG. 8 is a conceptual diagram showing a mechanism for conducting a conductive adhesive.
【図9】 嵩だかのキャップによる電子素子片の収納を
示す電子素子封止用パッケージの分解斜視図FIG. 9 is an exploded perspective view of an electronic element sealing package showing storage of an electronic element piece by a bulky cap.
【図10】 電子素子片が両端で固定されている場合の
熱応力を示す正面図FIG. 10 is a front view showing thermal stress when the electronic element piece is fixed at both ends.
【図11】 従来の半導体装置の側断面図FIG. 11 is a side sectional view of a conventional semiconductor device.
【図12】 従来の電子素子封止用パッケージの分解斜
視図FIG. 12 is an exploded perspective view of a conventional electronic element sealing package.
10、20、電子素子封止用パッケージ 31 電子素子封止構体 41a、41b、91、101 セラミックベース 42a、42b、92 キャップ 42af、42bf 金属薄膜 14、44a、44b 導電性接着剤 45a、45b 接地電極 72,82 導電性粒子 10, 20, electronic element encapsulation package 31 Electronic element sealing structure 41a, 41b, 91, 101 Ceramic base 42a, 42b, 92 caps 42af, 42bf Metal thin film 14,44a, 44b Conductive adhesive 45a, 45b Ground electrode 72,82 conductive particles
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/04 H03H 9/02 Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/04 H03H 9/02
Claims (8)
らなるキャップを被せた電子素子封止用パッケージであ
って,前記キャップには表面に金又は銀からなる金属薄
膜が形成され、この金属薄膜が形成された部分には導電
性接着剤としてガラス成分中に金属材料からなる導電性
粒子が分散させられた導電性ガラスを配してこのキャッ
プを前記セラミックベース上に被着し、このセラミック
ベースが有する接地電極を介して前記キャップを接地電
位に導くことができる電子素子封止用パッケージ。1. A package for electronic device encapsulation, comprising a ceramic base and a cap made of a conductive material, wherein a metal thin film made of gold or silver is formed on the surface of the cap, and the metal thin film is formed. The part that has been made of a conductive adhesive is made of a metallic material in the glass component.
A conductive glass in which particles are dispersed is disposed, the cap is applied to the ceramic base, and the cap can be guided to the ground potential through the ground electrode of the ceramic base. package.
性セラミック材料からなる請求項1に記載の電子素子封
止用パッケージ。2. The package for encapsulating an electronic element according to claim 1 , wherein the cap is made of a metal material or a conductive ceramic material.
にフォルステライトを30〜70wt%分散させた熱膨
張係数が100〜150×10−7/℃のガラスセラミ
ック複合材料からなり前記キャップはニッケル鉄合金か
らなる請求項1に記載の電子素子封止用パッケージ。3. The ceramic base is made of a glass-ceramic composite material in which forsterite is dispersed in glass in an amount of 30 to 70 wt% and has a thermal expansion coefficient of 100 to 150 × 10 −7 / ° C., and the cap is made of a nickel iron alloy. The package for encapsulating an electronic element according to claim 1 .
ベース上にあるキャップを被せた電子素子封止構体であ
って、前記セラミックベースは、ガラス中にフォルステ
ライトを30〜70wt%分散させた熱膨張係数が10
0〜150×10−7/℃のガラスセラミック複合材料
からなり前記キャップは鉄ニッケル合金からなり表面に
は金又は銀からなる金属薄膜が形成され、この金属薄膜
が形成された部分には導電性接着剤を配してこのキャッ
プを前記セラミックベース上に被着し、このセラミック
ベースが有する接地電極を介して前記キャップを接地電
位に導くことができる電子素子封止構体。4. An electronic device sealing structure body covered with a cap located on the ceramic base arranged a crystal oscillator piece, the ceramic base was 30 to 70 wt% dispersed forsterite in glass heat Expansion coefficient is 10
The cap is made of a glass-ceramic composite material of 0 to 150 × 10 −7 / ° C., the cap is made of an iron-nickel alloy, and a metal thin film made of gold or silver is formed on the surface of the cap. An electronic element encapsulation structure in which an adhesive is disposed and the cap is adhered to the ceramic base, and the cap can be guided to a ground potential via a ground electrode of the ceramic base.
ッケージに前記電子素子として圧電材料素子を封止した
電子素子封止構体。5. The electronic element sealing structure body sealing the piezoelectric material element as the electronic element to an electronic device package for sealing according to claim 1.
長手方向に略矩形の電子素子を両端で固定する請求項4
に記載の電子素子封止構体。6. The base is generally rectangular, claim 4 for fixing the electronic elements substantially rectangular in a longitudinal direction at both ends
The electronic element encapsulating structure as described in 1.
されている請求項1〜3のいずれか一に記載の電子素子
封止用パッケージ。7. The electronic device package for sealing according to any one of claims 1 to 3 oxide film is formed on the surface of the cap.
されている請求項4〜6のいずれか一に記載の電子素子
封止構体。8. The electronic element encapsulating structure according to claim 4 , wherein an oxide film is formed on the surface of the cap.
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