JP3497978B2 - ダイアモンド冷陰極作製装置 - Google Patents
ダイアモンド冷陰極作製装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、加熱することな
く電子を放出する電子源（冷陰極といわれている）にお
いて、良好な電子放出特性を得るための冷陰極作製装置
に関するものである。冷陰極は、蛍光体と組み合わせて
ディスプレイに、光導電膜と組み合わせて撮像装置に応
用される他、超高周波素子や磁気センサなどさまざまな
方面での応用が考えられる。
く電子を放出する電子源（冷陰極といわれている）にお
いて、良好な電子放出特性を得るための冷陰極作製装置
に関するものである。冷陰極は、蛍光体と組み合わせて
ディスプレイに、光導電膜と組み合わせて撮像装置に応
用される他、超高周波素子や磁気センサなどさまざまな
方面での応用が考えられる。
【０００２】
【従来の技術】これまで冷陰極材料としては、主として
モリブデン（Ｍｏ）やニッケル（Ｎｉ）などの高融点金
属やシリコンが用いられてきた。しかし、ダイアモンド
は化学的に安定であり、高硬度であるばかりでなく、負
性電子親和力特性をもつので冷陰極材料として有望であ
る。通常ダイアモンド結晶はＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ2 などの水
素炭化物やＣＯなどを原料として、化学気相法（ＣＶ
Ｄ：Chemical Vapor Deposition)などで基板に成長が行
なわれている。これらの場合、基板温度をおよそ８００
℃以上の高温にもたらして、上記原料を分解して基板上
にダイアモンド結晶を堆積することを特徴とする。
モリブデン（Ｍｏ）やニッケル（Ｎｉ）などの高融点金
属やシリコンが用いられてきた。しかし、ダイアモンド
は化学的に安定であり、高硬度であるばかりでなく、負
性電子親和力特性をもつので冷陰極材料として有望であ
る。通常ダイアモンド結晶はＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ2 などの水
素炭化物やＣＯなどを原料として、化学気相法（ＣＶ
Ｄ：Chemical Vapor Deposition)などで基板に成長が行
なわれている。これらの場合、基板温度をおよそ８００
℃以上の高温にもたらして、上記原料を分解して基板上
にダイアモンド結晶を堆積することを特徴とする。
【０００３】熱陰極のように加熱することなく電子を放
出する冷陰極に多結晶ダイアモンド、あるいはダイアモ
ンド状炭素を用いる場合には、あらかじめモリブデン
（Ｍｏ）などの高融点金属やシリコンなどで尖鋭な先端
を有する陰極と、絶縁物を介してその陰極を取り囲むゲ
ート電極から成る冷陰極（この種の冷陰極を通常Spindt
型と呼んでいる）を作製しておき、その陰極の上方から
上記のＣＶＤ法で前記被膜を作製して陰極先端をコーテ
ィングすることが行なわれている。また、シリコンなど
の基板にピラミット型の凹みを作製しておいて、これに
ＣＶＤ法で前記被膜を堆積し、その後基板を除去する方
法も試みられている。
出する冷陰極に多結晶ダイアモンド、あるいはダイアモ
ンド状炭素を用いる場合には、あらかじめモリブデン
（Ｍｏ）などの高融点金属やシリコンなどで尖鋭な先端
を有する陰極と、絶縁物を介してその陰極を取り囲むゲ
ート電極から成る冷陰極（この種の冷陰極を通常Spindt
型と呼んでいる）を作製しておき、その陰極の上方から
上記のＣＶＤ法で前記被膜を作製して陰極先端をコーテ
ィングすることが行なわれている。また、シリコンなど
の基板にピラミット型の凹みを作製しておいて、これに
ＣＶＤ法で前記被膜を堆積し、その後基板を除去する方
法も試みられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】こうしたＣＶＤ法でも
上述のように基板冷陰極を８００℃以上の高温にもたら
す必要があり、しかも、表面層は多量の欠陥を含んだ状
態か非晶質層になっているとの報告がある。冷陰極の特
性は表面層の状態に大きく左右されるので、このような
表面層の構造は好ましくない。
上述のように基板冷陰極を８００℃以上の高温にもたら
す必要があり、しかも、表面層は多量の欠陥を含んだ状
態か非晶質層になっているとの報告がある。冷陰極の特
性は表面層の状態に大きく左右されるので、このような
表面層の構造は好ましくない。
【０００５】一方、低温の作製法として、尖鋭な形状を
もたない薄膜型の冷陰極作製には、グラファイトターゲ
ットに強力なレーザ光を照射して炭素原子や分子、イオ
ン、クラスタなどを蒸発させ基板に堆積させるレーザア
ブレーション法も研究されている。照射するレーザ光に
はＡｒＦ（波長１９３nm）、ＫｒＦ（波長２５６nm）な
どのエキシマレーザパルスが用いられる。ただし、この
方法で作製できるダイアモンド結晶のサイズは非常に小
さく、低品質のダイアモンド状炭素被膜になっていると
の報告もある。このような被膜はダイアモンド結晶成分
の割合が小さいので冷陰極として十分な性能が得られな
い。
もたない薄膜型の冷陰極作製には、グラファイトターゲ
ットに強力なレーザ光を照射して炭素原子や分子、イオ
ン、クラスタなどを蒸発させ基板に堆積させるレーザア
ブレーション法も研究されている。照射するレーザ光に
はＡｒＦ（波長１９３nm）、ＫｒＦ（波長２５６nm）な
どのエキシマレーザパルスが用いられる。ただし、この
方法で作製できるダイアモンド結晶のサイズは非常に小
さく、低品質のダイアモンド状炭素被膜になっていると
の報告もある。このような被膜はダイアモンド結晶成分
の割合が小さいので冷陰極として十分な性能が得られな
い。
【０００６】レーザアブレーション法で、良質のサイズ
の大きい結晶が育成できない理由は、１）常圧ではダイ
アモンド相よりグラファイト相の方が安定相であるの
で、パルスレーザアブレーション法で作製中にグラファ
イト相が出現し、これがダイアモンド結晶表面を覆うこ
とによりダイアモンド相成長を阻害する。２）ダイアモ
ンド結晶の成長には高エネルギのイオンが必要である
が、レーザアブレーションでは低エネルギのイオンや中
性分子など、結晶の育成に不要な粒子も多量に基板に付
着するのでダイアモンド相のみの成長が妨げられること
などによると考えられる。
の大きい結晶が育成できない理由は、１）常圧ではダイ
アモンド相よりグラファイト相の方が安定相であるの
で、パルスレーザアブレーション法で作製中にグラファ
イト相が出現し、これがダイアモンド結晶表面を覆うこ
とによりダイアモンド相成長を阻害する。２）ダイアモ
ンド結晶の成長には高エネルギのイオンが必要である
が、レーザアブレーションでは低エネルギのイオンや中
性分子など、結晶の育成に不要な粒子も多量に基板に付
着するのでダイアモンド相のみの成長が妨げられること
などによると考えられる。
【０００７】そこで本発明の目的は、前記不要なグラフ
ァイト相の堆積を抑え、前記高エネルギイオンの割合い
を大きくしてダイアモンド相成長の促進されるダイアモ
ンド冷陰極作製装置を提供せんとするものである。
ァイト相の堆積を抑え、前記高エネルギイオンの割合い
を大きくしてダイアモンド相成長の促進されるダイアモ
ンド冷陰極作製装置を提供せんとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明のダイアモンド冷陰極作製装置は、多結晶ダ
イアモンドまたはダイアモンド状炭素被膜で表面が被覆
された冷陰極を作製するダイアモンド冷陰極作製装置に
おいて、該作製装置が：反応炉中に載置され、前記多結
晶ダイアモンドまたはダイアモンド状炭素被膜が堆積さ
れるべき冷陰極被堆積基板と；反応炉中で前記被堆積基
板の近傍に置かれ、レーザアブレーションによりその被
堆積基板に前記多結晶ダイアモンドまたはダイアモンド
状炭素被膜を供給するためのグラファイトターゲット
と；該ターゲットにエキシマレーザパルス光を照射する
ためのレーザ供給源と；前記堆積される被膜に前記レー
ザパルス光の照射と同時に不要なグラファイト相の堆積
を抑えるためのＸ線を照射するＸ線供給源とを具備した
ことを特徴とするものである。
め、本発明のダイアモンド冷陰極作製装置は、多結晶ダ
イアモンドまたはダイアモンド状炭素被膜で表面が被覆
された冷陰極を作製するダイアモンド冷陰極作製装置に
おいて、該作製装置が：反応炉中に載置され、前記多結
晶ダイアモンドまたはダイアモンド状炭素被膜が堆積さ
れるべき冷陰極被堆積基板と；反応炉中で前記被堆積基
板の近傍に置かれ、レーザアブレーションによりその被
堆積基板に前記多結晶ダイアモンドまたはダイアモンド
状炭素被膜を供給するためのグラファイトターゲット
と；該ターゲットにエキシマレーザパルス光を照射する
ためのレーザ供給源と；前記堆積される被膜に前記レー
ザパルス光の照射と同時に不要なグラファイト相の堆積
を抑えるためのＸ線を照射するＸ線供給源とを具備した
ことを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の好適な実施態様は、前記Ｘ
線がシンクロトン放射光で得られ、そのエネルギが炭素
原子の内殻電子の束縛エネルギ以上のエネルギを有する
ことを特徴とするものである。
線がシンクロトン放射光で得られ、そのエネルギが炭素
原子の内殻電子の束縛エネルギ以上のエネルギを有する
ことを特徴とするものである。
【００１０】さらに、好適な実施態様は、前記被堆積基
板に被膜が堆積される時に基板を補助的に加熱または冷
却するための、加熱手段または冷却手段を具備すること
を特徴とするものである。
板に被膜が堆積される時に基板を補助的に加熱または冷
却するための、加熱手段または冷却手段を具備すること
を特徴とするものである。
【００１１】
【００１２】また、好適な実施態様は、前記堆積される
被膜に電気的に活性な不純物原子を添加するための、ド
ーピングガス供給源を具備することを特徴とするもので
ある。
被膜に電気的に活性な不純物原子を添加するための、ド
ーピングガス供給源を具備することを特徴とするもので
ある。
【００１３】またさらに、好適な実施態様は、照射され
る前記Ｘ線のビームを絞ったり、マスクを用いて前記被
堆積基板を局所的に被覆して、前記堆積される被膜に空
間的選択的な処理を行う選択手段を具備することを特徴
とするものである。
る前記Ｘ線のビームを絞ったり、マスクを用いて前記被
堆積基板を局所的に被覆して、前記堆積される被膜に空
間的選択的な処理を行う選択手段を具備することを特徴
とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明作製装置によれば不要なグ
ラファイト相の堆積を抑え、高エネルギイオンの割合い
を大きくしてダイアモンド相成長の促進をはかるので、
良質のダイアモンド冷陰極が作製できる。
ラファイト相の堆積を抑え、高エネルギイオンの割合い
を大きくしてダイアモンド相成長の促進をはかるので、
良質のダイアモンド冷陰極が作製できる。
【００１５】 レーザアブレーション中に堆積被膜表面
に対して照射を行うＸ線エネルギは、炭素の内殻電子の
束縛エネルギ以上に選ぶのが好適である。また、高輝度
のＸ線を照射するためのシンクロトロン放射光を用いる
のが効率的である。この場合Ｘ線フォトンの役割は以下
の通りである。アブレーションで生成する低エネルギの
分子やクラスタ、イオンにＸ線フォトンが吸収されて内
殻電子が励起されると、オージェ過程を経て炭素多価イ
オンが生成され、クーロン爆発によってこれら多価イオ
ンが飛散し基板に達する。また基板表面に付着した分子
やクラスタもＸ線フォトンを吸収すると同様に多価イオ
ンとなる。多価イオンは高いポテンシャルエネルギを有
しているので、多価イオン自身が高い拡散係数を持つだ
けでなく、隣接する原子や分子との間で電荷の移動が起
り、それら多数の原子をさらにイオン化してダイアモン
ド相の成長を活性化する作用があると考えられる。
に対して照射を行うＸ線エネルギは、炭素の内殻電子の
束縛エネルギ以上に選ぶのが好適である。また、高輝度
のＸ線を照射するためのシンクロトロン放射光を用いる
のが効率的である。この場合Ｘ線フォトンの役割は以下
の通りである。アブレーションで生成する低エネルギの
分子やクラスタ、イオンにＸ線フォトンが吸収されて内
殻電子が励起されると、オージェ過程を経て炭素多価イ
オンが生成され、クーロン爆発によってこれら多価イオ
ンが飛散し基板に達する。また基板表面に付着した分子
やクラスタもＸ線フォトンを吸収すると同様に多価イオ
ンとなる。多価イオンは高いポテンシャルエネルギを有
しているので、多価イオン自身が高い拡散係数を持つだ
けでなく、隣接する原子や分子との間で電荷の移動が起
り、それら多数の原子をさらにイオン化してダイアモン
ド相の成長を活性化する作用があると考えられる。
【００１６】図１はダイアモンド的結合とグラファイト
的結合が混在するダイアモンド状炭素膜に放射光Ｘ線
（およそ４ｋｅＶ以上のエネルギをもつフォトン）を照
射した場合の照射時間と膜中のダイアモンド的結合の割
合の関係を示す。ダイアモンド結合の割合は、被膜のレ
ーザラマン分光スペクトルで、Ｇピーク（１６００cm-1
付近に中心をもつピーク）とＤピーク（１３５０cm-1付
近に中心をもつブロードなピーク）の強度比から推定し
たものである。この比が小さいほどダイアモンド的結合
の割合が大きい。
的結合が混在するダイアモンド状炭素膜に放射光Ｘ線
（およそ４ｋｅＶ以上のエネルギをもつフォトン）を照
射した場合の照射時間と膜中のダイアモンド的結合の割
合の関係を示す。ダイアモンド結合の割合は、被膜のレ
ーザラマン分光スペクトルで、Ｇピーク（１６００cm-1
付近に中心をもつピーク）とＤピーク（１３５０cm-1付
近に中心をもつブロードなピーク）の強度比から推定し
たものである。この比が小さいほどダイアモンド的結合
の割合が大きい。
【００１７】図から、照射時間の増加にともなってダイ
アモンド的結合は増加し、１０2 秒程度の照射で飽和す
る傾向にある。さらに高輝度Ｘ線を照射した場合の値を
Δ印で示す。同じ照射時間でも○印、□印に比べて大き
くダイアモンド的結合が増加することがわかる。すなわ
ち、これらの結果は、本発明のＸ線の照射がダイアモン
ド結晶成長促進に効果があることを裏付けている。
アモンド的結合は増加し、１０2 秒程度の照射で飽和す
る傾向にある。さらに高輝度Ｘ線を照射した場合の値を
Δ印で示す。同じ照射時間でも○印、□印に比べて大き
くダイアモンド的結合が増加することがわかる。すなわ
ち、これらの結果は、本発明のＸ線の照射がダイアモン
ド結晶成長促進に効果があることを裏付けている。
【００１８】さらに図１で破線は放射光Ｘ線照射前のラ
マンピークの強度比を示し、□印、○印はともに放射光
Ｘ線照射時のラマンピークの強度比で、□印は被堆積基
板の温度が常温、○印は液体窒素温度時のデータであ
る。基板温度の効果はこの範囲ではあまり顕著ではな
く、液体窒素温度時に幾分効果があるかなという程度で
ある。
マンピークの強度比を示し、□印、○印はともに放射光
Ｘ線照射時のラマンピークの強度比で、□印は被堆積基
板の温度が常温、○印は液体窒素温度時のデータであ
る。基板温度の効果はこの範囲ではあまり顕著ではな
く、液体窒素温度時に幾分効果があるかなという程度で
ある。
【００１９】
【実施例】以下添付図面を参照し実施例により本発明ダ
イアモンド冷陰極作製装置の実施態様をより具体的に説
明する。図２に本発明に係る基本的な構成略線図を示
す。反応炉１中にグラファイトターゲット２と被堆積基
板３を通常のレーザアブレーションのように配置する。
エキシマレーザ光のパルス光４はグラファイトターゲッ
ト２表面に入射して通常のアブレーションを行う。一方
Ｘ線ビーム５は被堆積基板上に堆積する被膜６を照射す
るように入射する。被膜６を大面積化する場合には基板
を走査することもできるし、必要に応じて基板加熱用ヒ
ータ７により被堆積基板３を補助的に加熱することもで
きる。
イアモンド冷陰極作製装置の実施態様をより具体的に説
明する。図２に本発明に係る基本的な構成略線図を示
す。反応炉１中にグラファイトターゲット２と被堆積基
板３を通常のレーザアブレーションのように配置する。
エキシマレーザ光のパルス光４はグラファイトターゲッ
ト２表面に入射して通常のアブレーションを行う。一方
Ｘ線ビーム５は被堆積基板上に堆積する被膜６を照射す
るように入射する。被膜６を大面積化する場合には基板
を走査することもできるし、必要に応じて基板加熱用ヒ
ータ７により被堆積基板３を補助的に加熱することもで
きる。
【００２０】図３は尖鋭な先端をもつ多結晶ダイアモン
ド冷陰極を作製する場合の、その被堆積基板３の部分拡
大図を示す。その他の作製装置部分の構成は全く図２の
それと同じである。あらかじめ金属などで尖鋭な先端を
もつ陰極１１とそれを取囲むゲート電極１２を両者の間
に絶縁物１３を介して作製しておく（この種の冷陰極は
spindt型と呼ばれている）。このあらかじめ形成した冷
陰極に上方からアブレーション４を行うと同時にＸ線照
射５を行う。アブレーションを行う際には陰極にバイア
ス電圧１４を印加して陰極部に選択的にダイアモンドが
成長するようにしても良い。
ド冷陰極を作製する場合の、その被堆積基板３の部分拡
大図を示す。その他の作製装置部分の構成は全く図２の
それと同じである。あらかじめ金属などで尖鋭な先端を
もつ陰極１１とそれを取囲むゲート電極１２を両者の間
に絶縁物１３を介して作製しておく（この種の冷陰極は
spindt型と呼ばれている）。このあらかじめ形成した冷
陰極に上方からアブレーション４を行うと同時にＸ線照
射５を行う。アブレーションを行う際には陰極にバイア
ス電圧１４を印加して陰極部に選択的にダイアモンドが
成長するようにしても良い。
【００２１】図４は冷陰極アレイを作製する場合の、そ
の被堆積基板３の部分拡大図を示す。この場合もその他
の作製装置部分の構成は全く図２のそれと同じである。
はじめ図４（ａ）のように照射Ｘ線ビーム５を絞って、
被堆積被膜２１を局所的に照射して、微小Ｘ線の照射に
より低抵抗のダイアモンド化した部分２２とＸ線が照射
されなかったためダイアモンド化せず高抵抗ダイアモン
ド状炭素のまま残された部分２３とを作り、部分２２の
みから電子放出が起こるようにし、この照射領域の近傍
に図４（ｂ）のようにゲート電極２４を作製し、被膜２
１とゲート電極２４の間に電圧を印加して電子を局所的
に放出させる。Ｘ線ビームの局所的な照射は、上記のよ
うに絞ることの他Ｘ線に対して吸収の大きい材料で作製
したマスクを用いても良い。
の被堆積基板３の部分拡大図を示す。この場合もその他
の作製装置部分の構成は全く図２のそれと同じである。
はじめ図４（ａ）のように照射Ｘ線ビーム５を絞って、
被堆積被膜２１を局所的に照射して、微小Ｘ線の照射に
より低抵抗のダイアモンド化した部分２２とＸ線が照射
されなかったためダイアモンド化せず高抵抗ダイアモン
ド状炭素のまま残された部分２３とを作り、部分２２の
みから電子放出が起こるようにし、この照射領域の近傍
に図４（ｂ）のようにゲート電極２４を作製し、被膜２
１とゲート電極２４の間に電圧を印加して電子を局所的
に放出させる。Ｘ線ビームの局所的な照射は、上記のよ
うに絞ることの他Ｘ線に対して吸収の大きい材料で作製
したマスクを用いても良い。
【００２２】図５は、不純物を添加する場合の実施例で
ある。冷陰極としてのダイアモンドには、負性電子親和
力特性が期待されている。この特性を生かすには低抵抗
のｎ型ダイアモンドを作製する必要がある。そこで図の
ように窒素ラジカル８を基板表面近傍に導入してレーザ
アブレーションを行う。これにより、被膜堆積と同時に
ｎ型不純物としての窒素を添加する。
ある。冷陰極としてのダイアモンドには、負性電子親和
力特性が期待されている。この特性を生かすには低抵抗
のｎ型ダイアモンドを作製する必要がある。そこで図の
ように窒素ラジカル８を基板表面近傍に導入してレーザ
アブレーションを行う。これにより、被膜堆積と同時に
ｎ型不純物としての窒素を添加する。
【００２３】以上本発明装置をいくつかの実施例により
具体的に説明してきたが、本発明はこれら実施例に限定
されることなく、発明の要旨内で各種の変形、変更の可
能なことは自明であろう。
具体的に説明してきたが、本発明はこれら実施例に限定
されることなく、発明の要旨内で各種の変形、変更の可
能なことは自明であろう。
【００２４】
【発明の効果】本発明により、低温で良質の結晶からな
るダイアモンド冷陰極を作製できる。さらに、Ｘ線照射
を局所的に行うことにより、冷陰極アレイを作製するこ
ともできる。本発明によるダイアモンド作製装置は、冷
陰極だけではなく、ＦＥＴなどその他の電子デバイス
や、ダイアモンド膜によるコーティング技術にも応用で
きる。
るダイアモンド冷陰極を作製できる。さらに、Ｘ線照射
を局所的に行うことにより、冷陰極アレイを作製するこ
ともできる。本発明によるダイアモンド作製装置は、冷
陰極だけではなく、ＦＥＴなどその他の電子デバイス
や、ダイアモンド膜によるコーティング技術にも応用で
きる。
【図１】被膜にＸ線を照射した場合の、照射時間と膜中
のダイアモンド的結合の割合の関係を示す図。
のダイアモンド的結合の割合の関係を示す図。
【図２】本発明装置実施例に係る基本的な構成略線図。
【図３】本発明の他の態様を説明するためのその被堆積
基板の部分拡大図。
基板の部分拡大図。
【図４】本発明のさらに別の態様を説明するためのその
被堆積基板の部分拡大図。
被堆積基板の部分拡大図。
【図５】本発明のさらに別の態様を説明するための装置
の構成略線図。
の構成略線図。
【符号の説明】
１ 反応炉
２ グラファイトターゲット
３ 被堆積基板
４ エキシマレーザ光パルス
５ Ｘ線ビーム
６ 被膜
７ 基板加熱用ヒータ
８ 窒素ラジカルビーム
１１ 陰極
１２，２４ ゲート電極
１３ 絶縁膜
１４ バイアス電圧
２１ 被堆積被膜
２２ 微少Ｘ線の照射部
２３ Ｘ線の非照射部
フロントページの続き
(72)発明者 大西 弘幸
東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本
放送協会 放送技術研究所内
(56)参考文献 特開 平９−270227（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−148791（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−20593（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−258120（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−55319（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 9/02
C30B 29/04
Claims (5)
- 【請求項１】 多結晶ダイアモンドまたはダイアモンド
状炭素被膜で表面が被覆された冷陰極を作製するダイア
モンド冷陰極作製装置において、 該作製装置が：反応炉中に載置され、前記多結晶ダイア
モンドまたはダイアモンド状炭素被膜が堆積されるべき
冷陰極被堆積基板と；反応炉中で前記被堆積基板の近傍
に置かれ、レーザアブレーションによりその被堆積基板
に前記多結晶ダイアモンドまたはダイアモンド状炭素被
膜を供給するためのグラファイトターゲットと；該ター
ゲットにエキシマレーザパルス光を照射するためのレー
ザ供給源と；前記堆積される被膜に前記レーザパルス光
の照射と同時に不要なグラファイト相の堆積を抑えるた
めのＸ線を照射するＸ線供給源とを具備したことを特徴
とするダイアモンド冷陰極作製装置。 - 【請求項２】 前記Ｘ線がシンクロトロン放射光で得ら
れ、そのエネルギが炭素原子の内殻電子の束縛エネルギ
以上のエネルギを有することを特徴とする請求項１に記
載のダイアモンド冷陰極作製装置。 - 【請求項３】 前記被堆積基板に被膜が堆積される時に
基板を補助的に加熱または冷却するための、過熱手段ま
たは冷却手段を具備することを特徴とする請求項１また
は２に記載のダイアモンド冷陰極作製装置。 - 【請求項４】 前記堆積される被膜に電気的に活性な不
純物原子を添加するための、ドーピングガス供給源を具
備することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項
に記載のダイアモンド冷陰極作製装置。 - 【請求項５】 照射される前記Ｘ線のビームを絞った
り、マスクを用いて前記被堆積基板を局所的に被覆し
て、前記堆積される被膜に空間的選択的な処理を行う選
択手段を具備することを特徴とする請求項１から４のい
ずれか１項に記載のダイアモンド冷陰極作製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29537697A JP3497978B2 (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | ダイアモンド冷陰極作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29537697A JP3497978B2 (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | ダイアモンド冷陰極作製装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135004A JPH11135004A (ja) | 1999-05-21 |
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