JP3489194B2 - Ｂｇｓ波利用表面波トラップフフィルタ - Google Patents
Ｂｇｓ波利用表面波トラップフフィルタInfo
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- JP3489194B2 JP3489194B2 JP16552694A JP16552694A JP3489194B2 JP 3489194 B2 JP3489194 B2 JP 3489194B2 JP 16552694 A JP16552694 A JP 16552694A JP 16552694 A JP16552694 A JP 16552694A JP 3489194 B2 JP3489194 B2 JP 3489194B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、振幅リップル及び群遅
延リップルを低減したＢＧＳ波利用表面波デバイスに関
する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ＢＧＳ波を用いた表面波デバイス
は、図１１および図１２に示すように、基板１１の裏面
に、ＢＧＳ波の伝播方向（矢印方向）に対して４５゜溝
１１ａと１３５゜溝１１ｂを形成することによって、バ
ルク波を散乱させ、かつ、リップルを抑圧していた。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなバルク波散乱およびリップル抑圧の手段は、
以下のような問題点を有している。 １．リップルの抑圧効果が小さくて、リップルが大きい
ため、この表面波デバイスを、例えば、ＴＶ、ＶＴＲの
隣接チャンネル映像周波数のトラップとして使用した場
合、反共振点より高域側の振幅リップル又は位相リップ
ルが、ＴＶ、ＶＴＲの明るさ又は色ずれを生じさせる。 ２．溝加工時間が長い。 ３．表面波デバイスの底面の接着面積が、図１２に示す
ように、溝加工のため減少し、表面波デバイスとパッケ
ージのボンディングが、固着力不足のため、適切に行え
ない。 【０００４】したがって、本発明は、振幅リップル、位
相リップルが小さく、バルク波抑圧のための底面溝加工
時間が短く、そして接着底面積の増加により加工不良を
低減させた表面波デバイスを提供することを目的とす
る。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明の課題に対する解
決手段は、ＢＧＳ波用ＩＤＴが形成されているＳＡＷ基
板の裏面に、当該基板の厚みに対して３３％以上の深さ
を有する溝を、ＢＧＳ波の進行方向に対して４５゜の角
度で、形成したことを特徴とするＢＧＳ波利用表面波ト
ラップフィルタである。 【０００６】 【作用】本発明は、ＢＧＳ波用ＩＤＴが形成されている
ＳＡＷ基板の裏面に、当該基板の厚みに対して３３％以
上の深さを有する溝を、ＢＧＳ波の進行方向に対して４
５゜の角度で形成しているので、振幅リップル及び位相
リップルが小さくなり、、バルク波抑圧のための底面溝
加工時間が短くなり、並びに接着底面積の増加により加
工不良が低減する。また、ＴＶ、ＶＴＲの隣接チャンネ
ル映像周波数トラップに応用した場合には、振幅リップ
ル及び位相リップルの低減により、明るさのムラ及び色
ズレが減少する。 【０００７】 【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例に係る表面波デ
バイスの底面図、図２は図１のＸ−Ｘ線一部断面形態説
明図である。図１および図２において、１はＳＡＷ基板
で、このＳＡＷ基板１の表面には、図示しないがＢＧＳ
波用ＩＤＴが形成されている。ＳＡＷ基板１の裏面に
は、図１及び図２に示すように、ＢＧＳ波の進行方向
（矢印方向）と４５゜の角度で、ＳＡＷ基板１の厚みＴ
に対して３３％以上の深さｄの溝１ａが複数本形成され
ている。 【０００８】本実施例は以上のような構成よりなるが、
これを具体的な実施例において確認した効果について次
に記載する。なお、比較のために、従来例も併せて製作
した。この従来例の製作に当たっては、本実施例と共通
する事項については、共通の条件とした。 基板 ：ＰＺＴ 溝幅 ：１００μｍ 基板厚みＴ：４５０μｍ 溝間隔 ：３００μｍ 溝深さｄ ：０〜１８０μｍ 搭載ＩＤＴ：隣接チャンネル映像周波 数トラップ 上記のような基板等の条件において、溝深さを０〜１８
０μｍの範囲（溝深さ率ｄ／Ｔ＝０〜４０％）におい
て、４回計測した場合の本実施例の振幅リップル特性を
図３に、同じく群遅延リップル特性を図４に、それぞれ
示す。また、従来例においては、上記条件の他に、１３
５゜方向の溝深さを１５０μｍ（溝深さ率ｄ／Ｔ＝３３
％）に固定した場合で、その振幅リップル特性を図５
に、同じく群遅延リップル特性を図６に、それぞれ示
す。 【０００９】本実施例の図３と従来例の図５とを比較し
てみると、溝深さ率ｄ／Ｔに対する振幅リップル特性
が、逆になっていることが理解される。即ち、溝の深さ
を増していくと、振幅リップルが、本実施例において
は、減少しているのに対して、従来例においては、増加
している。また、本実施例の図４と従来例の図６とを比
較してみると、溝深さ率ｄ／Ｔに対する群遅延リップル
特性が、これまた逆になっていることが理解される。即
ち、溝の深さを増していくと、群遅延リップルが、本実
施例においては、減少しているのに対して、従来例にお
いては、増加している。 【００１０】本実施例は、ＴＶ、ＶＴＲのＰＡＬ方式に
おける隣接チャンネル映像周波数（３１．９ＭＨｚ）用
トラップフィルタに応用した場合であるが、本実施例の
トラップ周波数特性を図７に、従来例を図８に示す。こ
れらの例においては、溝深さｄはいづれも１５０μｍで
ある。本実施例の図７と従来例の図８を比較してみる
と、下記のようになる。 本実施例 ：振幅リップル平均値 ：０．５７ｄＢ 群遅延リップル平均値：１２６．４ｄＢ 従来例 ：振幅リップル平均値 ：０．９１ｄＢ 群遅延リップル平均値：１８９．０ｄＢ これらの結果より、振幅リップル平均値も群遅延リップ
ル平均値も、本実施例の方が、従来例よりも改善されて
いることが理解できる。 【００１１】以上のように、本実施例と従来例において
作用効果が異なる原因について、以下に言及する。図９
と図１０はそれぞれ本実施例と従来例のＳＡＷ基板の断
面概略図である。図９に示す本実施例は、上述のよう
に、ＳＡＷ基板９に４５゜溝９ａしか形成されていない
ので、図１０に示す従来例の場合に比較して、溝９ａの
数が少なく、したがって、溝９ａの底面９ｂのトータル
面積も小さく、溝底面９ｂからのバルク波の反射波も少
ない。但し、この場合、ＳＡＷ基板９の底面９ｃで反射
するバルク波が多少増加するが、伝播距離が長いので影
響は少ない。 【００１２】これに対し、図１０に示す従来例は、ＳＡ
Ｗ基板１０に４５゜溝１０ａの他に、１３５゜溝１０ｂ
も形成されているので、溝１０ａ、１０ｂの数が多くな
り、その分、溝底面１０ｃのトータル面積も大きくな
り、この溝底面１０ｃからの反射波が多くなる。そし
て、この溝底面１０ｃからの反射波は減衰少なくＳＡＷ
基板１０の表面に戻るので、振幅リップル特性および群
遅延時間リップル特性に悪影響を与えることになる。 【００１３】上記実施例においては、ＴＶ、ＶＴＲのＰ
ＡＬ方式隣接チャンネル映像周波数用トラップについて
記載したが、本発明は、ＴＶ、ＶＴＲのトラップフィル
タのみならず、これ以外の映像用フィルタ、音響用フィ
ルタ、通信機用フィルタなどについても適用されるもの
である。 【００１４】 【発明の効果】本発明は、振幅リップル及び位相（群遅
延時間）リップルが小さく、バルク波抑圧のための底面
加工時間が短く、並びに接着底面積の増加により加工不
良が低減することになる。本発明は、ＴＶ、ＶＴＲの隣
接チャンネル映像周波数トラップに応用した場合には、
振幅リップル及び位相リップルの低減により、明るさの
ムラ及び色ズレが減少する。
延リップルを低減したＢＧＳ波利用表面波デバイスに関
する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ＢＧＳ波を用いた表面波デバイス
は、図１１および図１２に示すように、基板１１の裏面
に、ＢＧＳ波の伝播方向（矢印方向）に対して４５゜溝
１１ａと１３５゜溝１１ｂを形成することによって、バ
ルク波を散乱させ、かつ、リップルを抑圧していた。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなバルク波散乱およびリップル抑圧の手段は、
以下のような問題点を有している。 １．リップルの抑圧効果が小さくて、リップルが大きい
ため、この表面波デバイスを、例えば、ＴＶ、ＶＴＲの
隣接チャンネル映像周波数のトラップとして使用した場
合、反共振点より高域側の振幅リップル又は位相リップ
ルが、ＴＶ、ＶＴＲの明るさ又は色ずれを生じさせる。 ２．溝加工時間が長い。 ３．表面波デバイスの底面の接着面積が、図１２に示す
ように、溝加工のため減少し、表面波デバイスとパッケ
ージのボンディングが、固着力不足のため、適切に行え
ない。 【０００４】したがって、本発明は、振幅リップル、位
相リップルが小さく、バルク波抑圧のための底面溝加工
時間が短く、そして接着底面積の増加により加工不良を
低減させた表面波デバイスを提供することを目的とす
る。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明の課題に対する解
決手段は、ＢＧＳ波用ＩＤＴが形成されているＳＡＷ基
板の裏面に、当該基板の厚みに対して３３％以上の深さ
を有する溝を、ＢＧＳ波の進行方向に対して４５゜の角
度で、形成したことを特徴とするＢＧＳ波利用表面波ト
ラップフィルタである。 【０００６】 【作用】本発明は、ＢＧＳ波用ＩＤＴが形成されている
ＳＡＷ基板の裏面に、当該基板の厚みに対して３３％以
上の深さを有する溝を、ＢＧＳ波の進行方向に対して４
５゜の角度で形成しているので、振幅リップル及び位相
リップルが小さくなり、、バルク波抑圧のための底面溝
加工時間が短くなり、並びに接着底面積の増加により加
工不良が低減する。また、ＴＶ、ＶＴＲの隣接チャンネ
ル映像周波数トラップに応用した場合には、振幅リップ
ル及び位相リップルの低減により、明るさのムラ及び色
ズレが減少する。 【０００７】 【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施例に係る表面波デ
バイスの底面図、図２は図１のＸ−Ｘ線一部断面形態説
明図である。図１および図２において、１はＳＡＷ基板
で、このＳＡＷ基板１の表面には、図示しないがＢＧＳ
波用ＩＤＴが形成されている。ＳＡＷ基板１の裏面に
は、図１及び図２に示すように、ＢＧＳ波の進行方向
（矢印方向）と４５゜の角度で、ＳＡＷ基板１の厚みＴ
に対して３３％以上の深さｄの溝１ａが複数本形成され
ている。 【０００８】本実施例は以上のような構成よりなるが、
これを具体的な実施例において確認した効果について次
に記載する。なお、比較のために、従来例も併せて製作
した。この従来例の製作に当たっては、本実施例と共通
する事項については、共通の条件とした。 基板 ：ＰＺＴ 溝幅 ：１００μｍ 基板厚みＴ：４５０μｍ 溝間隔 ：３００μｍ 溝深さｄ ：０〜１８０μｍ 搭載ＩＤＴ：隣接チャンネル映像周波 数トラップ 上記のような基板等の条件において、溝深さを０〜１８
０μｍの範囲（溝深さ率ｄ／Ｔ＝０〜４０％）におい
て、４回計測した場合の本実施例の振幅リップル特性を
図３に、同じく群遅延リップル特性を図４に、それぞれ
示す。また、従来例においては、上記条件の他に、１３
５゜方向の溝深さを１５０μｍ（溝深さ率ｄ／Ｔ＝３３
％）に固定した場合で、その振幅リップル特性を図５
に、同じく群遅延リップル特性を図６に、それぞれ示
す。 【０００９】本実施例の図３と従来例の図５とを比較し
てみると、溝深さ率ｄ／Ｔに対する振幅リップル特性
が、逆になっていることが理解される。即ち、溝の深さ
を増していくと、振幅リップルが、本実施例において
は、減少しているのに対して、従来例においては、増加
している。また、本実施例の図４と従来例の図６とを比
較してみると、溝深さ率ｄ／Ｔに対する群遅延リップル
特性が、これまた逆になっていることが理解される。即
ち、溝の深さを増していくと、群遅延リップルが、本実
施例においては、減少しているのに対して、従来例にお
いては、増加している。 【００１０】本実施例は、ＴＶ、ＶＴＲのＰＡＬ方式に
おける隣接チャンネル映像周波数（３１．９ＭＨｚ）用
トラップフィルタに応用した場合であるが、本実施例の
トラップ周波数特性を図７に、従来例を図８に示す。こ
れらの例においては、溝深さｄはいづれも１５０μｍで
ある。本実施例の図７と従来例の図８を比較してみる
と、下記のようになる。 本実施例 ：振幅リップル平均値 ：０．５７ｄＢ 群遅延リップル平均値：１２６．４ｄＢ 従来例 ：振幅リップル平均値 ：０．９１ｄＢ 群遅延リップル平均値：１８９．０ｄＢ これらの結果より、振幅リップル平均値も群遅延リップ
ル平均値も、本実施例の方が、従来例よりも改善されて
いることが理解できる。 【００１１】以上のように、本実施例と従来例において
作用効果が異なる原因について、以下に言及する。図９
と図１０はそれぞれ本実施例と従来例のＳＡＷ基板の断
面概略図である。図９に示す本実施例は、上述のよう
に、ＳＡＷ基板９に４５゜溝９ａしか形成されていない
ので、図１０に示す従来例の場合に比較して、溝９ａの
数が少なく、したがって、溝９ａの底面９ｂのトータル
面積も小さく、溝底面９ｂからのバルク波の反射波も少
ない。但し、この場合、ＳＡＷ基板９の底面９ｃで反射
するバルク波が多少増加するが、伝播距離が長いので影
響は少ない。 【００１２】これに対し、図１０に示す従来例は、ＳＡ
Ｗ基板１０に４５゜溝１０ａの他に、１３５゜溝１０ｂ
も形成されているので、溝１０ａ、１０ｂの数が多くな
り、その分、溝底面１０ｃのトータル面積も大きくな
り、この溝底面１０ｃからの反射波が多くなる。そし
て、この溝底面１０ｃからの反射波は減衰少なくＳＡＷ
基板１０の表面に戻るので、振幅リップル特性および群
遅延時間リップル特性に悪影響を与えることになる。 【００１３】上記実施例においては、ＴＶ、ＶＴＲのＰ
ＡＬ方式隣接チャンネル映像周波数用トラップについて
記載したが、本発明は、ＴＶ、ＶＴＲのトラップフィル
タのみならず、これ以外の映像用フィルタ、音響用フィ
ルタ、通信機用フィルタなどについても適用されるもの
である。 【００１４】 【発明の効果】本発明は、振幅リップル及び位相（群遅
延時間）リップルが小さく、バルク波抑圧のための底面
加工時間が短く、並びに接着底面積の増加により加工不
良が低減することになる。本発明は、ＴＶ、ＶＴＲの隣
接チャンネル映像周波数トラップに応用した場合には、
振幅リップル及び位相リップルの低減により、明るさの
ムラ及び色ズレが減少する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る表面波デバイスの底
面図 【図２】 図１のＸ−Ｘ線一部断面形態説明図 【図３】 本実施例の振幅リップル特性図 【図４】 本実施例の群遅延リップル特性図 【図５】 従来例の振幅リップル特性図 【図６】 従来例の群遅延リップル特性図 【図７】 本実施例の振幅および群遅延特性図 【図８】 従来例の振幅および群遅延特性図 【図９】 本実施例のＳＡＷ基板の断面概略図 【図１０】 従来例のＳＡＷ基板の断面概略図 【図１１】 従来例の表面波デバイスの底面の平面図 【図１２】 従来例の表面波デバイスの概略形態斜視図 【符号の説明】 １、９ ＳＡＷ基板 １ａ、９ａ 溝 Ｔ 基板厚み ｄ 溝深さ ９ｂ 溝底面 ９ｃ 基板底面
面図 【図２】 図１のＸ−Ｘ線一部断面形態説明図 【図３】 本実施例の振幅リップル特性図 【図４】 本実施例の群遅延リップル特性図 【図５】 従来例の振幅リップル特性図 【図６】 従来例の群遅延リップル特性図 【図７】 本実施例の振幅および群遅延特性図 【図８】 従来例の振幅および群遅延特性図 【図９】 本実施例のＳＡＷ基板の断面概略図 【図１０】 従来例のＳＡＷ基板の断面概略図 【図１１】 従来例の表面波デバイスの底面の平面図 【図１２】 従来例の表面波デバイスの概略形態斜視図 【符号の説明】 １、９ ＳＡＷ基板 １ａ、９ａ 溝 Ｔ 基板厚み ｄ 溝深さ ９ｂ 溝底面 ９ｃ 基板底面
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フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−86114（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−40811（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−294313（ＪＰ，Ａ)
実開 平１−137624（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 9/25
H03H 9/64
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 ＢＧＳ波用ＩＤＴが形成されているＳＡ
Ｗ基板の裏面に、当該基板の厚みに対して３３％以上の
深さを有する溝を、ＢＧＳ波の進行方向に対して４５゜
の角度で、形成したことを特徴とするＢＧＳ波利用表面
波トラップフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16552694A JP3489194B2 (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | Ｂｇｓ波利用表面波トラップフフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16552694A JP3489194B2 (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | Ｂｇｓ波利用表面波トラップフフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832403A JPH0832403A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3489194B2 true JP3489194B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=15814074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16552694A Expired - Fee Related JP3489194B2 (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | Ｂｇｓ波利用表面波トラップフフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3489194B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7085063B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-08-01 | 3M Innovative Properties Company | Multi-directional optical element and an optical system utilizing the multi-directional optical element |
| JP2009232338A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイス |
-
1994
- 1994-07-18 JP JP16552694A patent/JP3489194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0832403A (ja) | 1996-02-02 |
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