JP3481887B2 - Power module - Google Patents
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は強制風冷式のパワー
モジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a forced air cooling type power module.
【0002】[0002]
【従来の技術】パワーモジュールは、多数の半導体素子
を用いて構成され、保守性の良さと装置を小型にできる
ことから、強制風冷による冷却構造を適用する例が増え
ている。装置は小型高性能であるとともに、より安価で
あることが求められることから、使用する半導体素子
も、価格・機能・外形、適用回路等により、様々な種類
が適用されている。2. Description of the Related Art A power module is composed of a large number of semiconductor elements, has good maintainability, and can be made compact in size. Therefore, an example of applying a cooling structure by forced air cooling is increasing. Since the device is required to be small in size, high in performance, and cheaper in price, various types of semiconductor elements to be used are applied depending on price, function, outer shape, application circuit, and the like.
【0003】半導体素子には、外形に比較して発生熱量
が比較的大きい高速スイッチング素子や、比較的小さい
ダイオード、サイリスタなどがある。従って、これらを
組み合わせて装置に高密度実装するには、半導体素子の
発熱量のアンバランスを解消して効率よく冷却すること
が設計上の重要なテーマになっている。しかしながら、
高速スイッチング素子の小型、高速、大容量化に伴う熱
密度の著しい増大により、このテーマを満足すること
は、より困難になりつつある。The semiconductor element includes a high-speed switching element that generates a relatively large amount of heat as compared with its outer shape, a relatively small diode, and a thyristor. Therefore, in order to mount these devices in a high density by combining them, it is an important design theme to eliminate the imbalance of the heat generation amount of the semiconductor elements and to efficiently cool them. However,
Satisfying this theme is becoming more difficult due to the significant increase in heat density accompanying the miniaturization, high speed, and large capacity of high-speed switching elements.
【0004】図11は、このようなパワーモジュールを
構成する具体的な回路の一例を示すものである。FIG. 11 shows an example of a concrete circuit which constitutes such a power module.
【0005】この回路は、交流入力点L0の交流電圧を
直流電圧に変換する整流器L1を構成するダイオード素
子L5と、直流電力を交流電力に変換する整流器L1と
平滑コンデンサL4をはさんで並列に接続されるインバ
ータ回路L2を構成する高速スイッチング素子L6と、
平滑コンデンサL4が未充電時に突入電流から回路を保
護するための抵抗L8を有するバイパス回路L3の開閉
を行うサイリスタ素子L7とを備えている。In this circuit, a diode element L5 forming a rectifier L1 for converting an AC voltage at an AC input point L0 into a DC voltage, a rectifier L1 converting a DC power into an AC power, and a smoothing capacitor L4 are sandwiched in parallel. A high-speed switching element L6 that constitutes the connected inverter circuit L2,
The smoothing capacitor L4 includes a thyristor element L7 that opens and closes a bypass circuit L3 having a resistor L8 for protecting the circuit from an inrush current when it is not charged.
【0006】インバータ回路L2にて高速スイッチング
素子L6を2個ずつ並列に接続しているのは、必要な出
力電力を得、かつ高速スイッチング素子L6の使用最高
温度以下で使用するためである。すなわち、高速スイッ
チング素子L6の1個当たりの電流を減らして発熱量を
下げ、熱密度を下げるためである。Two high-speed switching elements L6 are connected in parallel in the inverter circuit L2 in order to obtain the required output power and to use the high-speed switching element L6 at the maximum operating temperature or less. That is, this is because the current per one high-speed switching element L6 is reduced to reduce the amount of heat generation and the heat density.
【0007】図12及び図13は、図11で示した回路
を構成するパワーユニットの一例を示す図である。半導
体素子を取り付けるための平板K9と前記半導体の発生
する熱エネルギーを外気に放出するための放熱フィンK
10とを有する熱伝導の良い金属からなる半導体冷却フ
ィンK8には、冷却風K7に対して上流側にサイリスタ
素子L7と、ダイオード素子L5を配置し、冷却風K7
に対して下流側に高速スイッチング素子L6を配置して
いる。12 and 13 are diagrams showing an example of a power unit forming the circuit shown in FIG. A flat plate K9 for mounting a semiconductor element and a radiation fin K for radiating the heat energy generated by the semiconductor to the outside air
In the semiconductor cooling fin K8 made of a metal having good thermal conductivity, the thyristor element L7 and the diode element L5 are arranged on the upstream side of the cooling air K7.
On the other hand, the high speed switching element L6 is arranged on the downstream side.
【0008】図15に示す回路は、図11に示すの回路
に於いて、高速スイッチング素子L6を大容量化した場
合のインバータ回路を示し、高速スイッチング素子L6
の並列数を削減した以外は、図11に示す回路と同じ回
路である。A circuit shown in FIG. 15 shows an inverter circuit in the case where the high-speed switching element L6 in the circuit shown in FIG. 11 has a large capacity.
The circuit is the same as the circuit shown in FIG. 11 except that the number of parallel lines is reduced.
【0009】また、図16は、図11で示した回路を構
成する半導体素子の冷却構造の一例を示す図である。こ
の図において、半導体素子冷却器K13は、平板状で所
定の厚みを有し内部に沸騰冷却のための冷媒液K16が
充填された中空部を有し、平板面に設けられた半導体素
子L11が発生する熱エネルギーを前記冷媒液に伝達す
る蒸発部K11と、前記蒸発部K11の端に取り付けら
れ前記蒸発部K11に連続する中空部を有し前記冷媒液
K16の沸騰による冷媒ガスK17を介して前記蒸発部
の熱エネルギーが伝達されるとともに冷却風K7に前記
熱エネルギーを放出するためのフィンK14を有する凝
縮部K12と、を備えている。この半導体素子冷却器K
13の蒸発部K11には、冷却風K7の上流側からみて
左側にサイリスタ素子L7と、ダイオード素子L5を配
置し、冷却風K7に対して右側に高速スイッチング素子
L6を配置している。また、冷却器K13の背面側にも
同様にサイリスタ素子L7、ダイオード素子L5、高速
スイッチング素子L6を配置している。FIG. 16 is a diagram showing an example of a cooling structure of a semiconductor element which constitutes the circuit shown in FIG. In this figure, a semiconductor element cooler K13 has a hollow portion having a flat plate shape and a predetermined thickness filled with a coolant liquid K16 for boiling cooling, and a semiconductor element L11 provided on the flat plate surface is Through an evaporation part K11 that transfers the generated heat energy to the refrigerant liquid and a hollow part that is attached to the end of the evaporation part K11 and is continuous with the evaporation part K11, through a refrigerant gas K17 by boiling of the refrigerant liquid K16. And a condenser K12 having fins K14 for transmitting the heat energy of the evaporator and releasing the heat energy to the cooling air K7. This semiconductor element cooler K
In the evaporation unit K11 of 13, the thyristor element L7 and the diode element L5 are arranged on the left side when viewed from the upstream side of the cooling air K7, and the high speed switching element L6 is arranged on the right side with respect to the cooling air K7. Further, a thyristor element L7, a diode element L5, and a high-speed switching element L6 are similarly arranged on the back side of the cooler K13.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】図11、図12、図1
3に示した従来のパワーユニットには以下に示す問題点
がある。Problems to be Solved by the Invention FIGS. 11, 12, and 1
The conventional power unit shown in FIG. 3 has the following problems.
【0011】半導体素子冷却フィンK8は、汎用性が高
く安価だが、熱伝導性のよい金属のみで形成されている
ためフィン効率によって冷却熱密度に限界がある。この
ため半導体素子の小型大容量化による熱密度の増加に対
応できない。装置容量を拡大するためには、冷却フィン
が許容できる熱密度の半導体素子を使用し、並列数を増
加させることで装置容量増に対応することになる。ま
た、熱密度を低減するために、半導体素子間の間隔を必
要に応じて広げる必要がある。The semiconductor element cooling fin K8 is versatile and inexpensive, but is limited in cooling heat density due to fin efficiency because it is made of only metal having good thermal conductivity. Therefore, it is not possible to cope with the increase in heat density due to the miniaturization and large capacity of the semiconductor element. In order to expand the device capacity, a semiconductor element having a heat density that the cooling fins can tolerate is used, and the device capacity is increased by increasing the parallel number. Further, in order to reduce the heat density, it is necessary to widen the distance between the semiconductor elements as needed.
【0012】また、前記冷却フィンはフィン効率によっ
て、冷却フィン内部での熱の拡散に限界があり、冷却風
に対して直列方向への熱の影響が大きい。Further, the cooling fins have a limit to the diffusion of heat inside the cooling fins due to the fin efficiency, and the influence of heat in the series direction on the cooling air is large.
【0013】上流の熱の影響を避けるためには、図14
に示すように、発熱の中心線をずらす等の手法をとる
が、冷却フィンが大きくなり装置小型化を考慮すると好
ましくない。また、ダイオード素子L5とサイリスタ素
子L7では熱密度が異なる。本例では、サイリスタ素子
L7の熱密度がダイオード素子L5より高いため、図1
2に示すように、サイリスタ素子L7の下流に配置する
高速スイッチング素子L6aへの熱の影響が、ダイオー
ド素子L5の下流に配置する高速スイッチング素子L6
bより大きい。これにより、冷却フィンはL6bの最高
温度点で選定しなければならず、冷却フィンが大型にな
るが、L6b以外の場所では必要以上の冷却容量がある
ことになって効率が悪い。In order to avoid the influence of upstream heat, FIG.
As shown in FIG. 5, a method of shifting the center line of heat generation is used, but this is not preferable in consideration of downsizing of the device because the cooling fin becomes large. Further, the diode element L5 and the thyristor element L7 have different heat densities. In this example, since the heat density of the thyristor element L7 is higher than that of the diode element L5,
As shown in FIG. 2, the influence of heat on the high-speed switching element L6a arranged downstream of the thyristor element L7 is such that the high-speed switching element L6 arranged downstream of the diode element L5.
Greater than b. As a result, the cooling fins must be selected at the maximum temperature point of L6b, and the cooling fins become large. However, there is a cooling capacity larger than necessary at locations other than L6b, which is inefficient.
【0014】上述の問題点の内、半導体素子の小型大容
量化による高熱密度化に対応したのが図15、図16な
いし図19に示すパワーユニットである。冷却器K13
は、特開平8−204075に示される様な、内部に沸
騰冷却のための冷媒液が充填された中空部を持ち、半導
体素子の発熱を冷媒の沸騰、凝縮により熱輸送する熱サ
イフォン式の冷却構造を備える冷却器である。Among the above-mentioned problems, the power unit shown in FIGS. 15 and 16 to 19 corresponds to the high heat density due to the small size and large capacity of the semiconductor element. Cooler K13
JP-A-8-204075 discloses a thermosyphon-type cooling system that has a hollow portion filled with a coolant liquid for boiling cooling and transports the heat generated by a semiconductor element by boiling and condensing the coolant. It is a cooler having a structure.
【0015】この冷却器は、冷却器内部の熱抵抗が少な
くまたフィン効率が良い。さらに、蒸発器に取り付けら
れた半導体素子L11において発生熱量に大きなアンバ
ランスがあっても、均熱化の度合いが大きいため、図1
1、図12ないし図14に示す冷却フィンに比べて熱抵
抗の大きい半導体素子にも適用でき、また体積も小さく
できる。しかし、圧力容器構造や封入冷媒は比較的高価
である。This cooler has low heat resistance inside the cooler and good fin efficiency. Further, even if there is a large imbalance in the amount of heat generated in the semiconductor element L11 attached to the evaporator, the degree of soaking is large, and therefore, FIG.
1. It can be applied to a semiconductor device having a large thermal resistance as compared with the cooling fins shown in FIGS. However, the pressure vessel structure and the enclosed refrigerant are relatively expensive.
【0016】ダイオード素子L5、サイリスタ素子L7
などを実装するために、取付面積が広くなるが、凝縮部
K12の厚みは、熱密度の大きい高速スイッチング素子
L6の熱密度でほぼ決定されるため内容積が拡大し、必
要以上に冷媒量が増え高価となる。Diode element L5, thyristor element L7
For example, the mounting area is increased to mount the device, but the thickness of the condenser K12 is almost determined by the heat density of the high-speed switching element L6 having a high heat density, so that the inner volume is expanded, and the amount of refrigerant is larger than necessary. It increases and becomes expensive.
【0017】さらに、冷却風K7に対して並列方向に幅
が広くなることで、凝縮部K12の開口面積も増加して
冷却風量が増える。このため、冷却風量を増加するに
は、凝縮部の開口面積に対応して換気ファンを大型にす
る必要があり、装置の小型化、低コスト化に反すると共
に、騒音が大きくなるなどの問題もある。Further, since the width of the cooling air K7 is increased in the direction parallel to the cooling air K7, the opening area of the condenser K12 is increased and the amount of cooling air is increased. Therefore, in order to increase the cooling air volume, it is necessary to increase the size of the ventilation fan corresponding to the opening area of the condensing unit, which is contrary to downsizing and cost reduction of the device, and also causes problems such as loud noise. is there.
【0018】本発明は、上述の問題点を解決しようとし
てなされたもので、高熱密度の半導体素子と低熱密度の
半導体素子を高密度実装する、小型で容量単価を低減で
きるパワーモジュールを提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and provides a small-sized power module capable of reducing the unit cost of capacitance, in which a high heat density semiconductor element and a low heat density semiconductor element are mounted at high density. With the goal.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明の第1の特徴は、
内部に冷媒液が充填され、平板面に設けられたスイッチ
ング素子が発生する熱エネルギーを冷媒液に伝達する蒸
発部と、冷媒液の沸騰による蒸気を介して蒸発部の熱エ
ネルギーが伝達されるとともに外気に熱エネルギーを放
出するフィンを備えた凝縮部と、を有する冷却器と、半
導体素子を取り付ける平板と、前記半導体素子の発生す
る熱エネルギーを外気に放出するフィンと、を有する冷
却フィンとを備え、冷却フィンと冷却器とを冷却風経路
に対して直列に配置すると共に、冷却フィンの排気側と
凝縮器の吸気側とを連結したことである。The first feature of the present invention is to:
The refrigerant liquid is filled inside, and the heat energy of the evaporator is transferred via the vaporization part that transfers the heat energy generated by the switching element provided on the flat plate surface to the coolant liquid, and the vapor due to the boiling of the coolant liquid. A cooling fin having a condenser having a fin for discharging heat energy to the outside air; a flat plate for mounting a semiconductor element; and a fin for discharging the heat energy generated by the semiconductor element to the outside air. That is, the cooling fin and the cooler are arranged in series with respect to the cooling air path, and the exhaust side of the cooling fin and the intake side of the condenser are connected.
【0020】従って、上流側の熱のアンバランスを解消
して、冷却器形状の小型化に寄与する。また、熱源を冷
却風に対して直列にできるので、吸気口面積を小さくし
て、換気ファンを小型化できる。さらに、小型大容量化
による熱密度の高い高速スイッチング素子と熱密度の低
い半導体素子が混在した装置の冷却効率を良くして小型
化し容量単価を低減することができる。Therefore, the heat imbalance on the upstream side is eliminated, which contributes to downsizing of the shape of the cooler. Further, since the heat source can be connected in series to the cooling air, the area of the intake port can be reduced and the ventilation fan can be downsized. Further, it is possible to improve the cooling efficiency of a device in which a high-speed switching element having a high heat density and a semiconductor element having a low heat density coexist due to the reduction in size and the increase in capacity to reduce the size and reduce the unit cost of capacitance.
【0021】本発明の第2の特徴は、冷却フィンの排気
側を凝縮部の吸気側の一部分に連結したことである。The second feature of the present invention is that the exhaust side of the cooling fin is connected to a part of the intake side of the condenser.
【0022】従って、冷却フィンと冷却器の凝縮部の形
状に於いて相互依存性が少なく、最適な外形にすること
で、装置外形を小型とし価格を低減できる。Therefore, the shapes of the cooling fins and the condenser of the cooler have little interdependence, and by optimizing the outer shape, the outer shape of the apparatus can be made small and the cost can be reduced.
【0023】本発明の第3の特徴は、冷却フィンの排気
側と凝縮部の吸気側とを連結する風洞を備え、冷却フィ
ン、冷却器、風洞の全て又はいずれかを着脱自在に構成
することである。従って、冷却フィン又は冷却器を分割
して個別に保守点検を行なうことができ、保守性を向上
させる。A third feature of the present invention is to provide a wind tunnel for connecting the exhaust side of the cooling fins with the intake side of the condenser, and to attach or remove all or any of the cooling fins, the cooler, and the wind tunnel. Is. Therefore, the cooling fins or the coolers can be divided and the maintenance and inspection can be performed individually, and the maintainability is improved.
【0024】本発明の第4の特徴は、パワーユニットの
吸気口から凝縮部の吸気側に冷却風を誘導する風洞を備
えるとともに、この風洞が冷却フィンを被っていること
である。従って、冷却フィンの冷却容量を最適な大きさ
として、装置コストを低減でき、また保守性に優れたパ
ワーユニットを提供することができる。A fourth feature of the present invention is that the wind tunnel for guiding cooling air from the intake port of the power unit to the intake side of the condenser is provided, and the wind tunnel covers the cooling fins. Therefore, the cooling capacity of the cooling fins can be optimized to reduce the cost of the device and provide a power unit with excellent maintainability.
【0025】本発明の第5の特徴は、複数の半導体素子
を冷却フィンに取り付けて風洞内に配置し、風洞を貫通
する冷却風が半導体素子の表面も冷却することである。
従って、冷却フィンに備えられた半導体素子表面を冷却
することができる。また、風洞内に冷却フィンに備えら
れた半導体素子を収納して、装置実装密度を上げること
ができる。A fifth feature of the present invention is that a plurality of semiconductor elements are attached to cooling fins and arranged in a wind tunnel, and the cooling air passing through the wind tunnel also cools the surface of the semiconductor element.
Therefore, the surface of the semiconductor element provided on the cooling fin can be cooled. In addition, the device mounting density can be increased by accommodating the semiconductor element provided in the cooling fin in the wind tunnel.
【0026】本発明の第6の特徴は、冷却フィンの平板
に交流電力を直流に変換するための整流回路を構成する
半導体素子を配置すると共に、蒸発部の平板に直流を交
流に変換するインバータ回路を構成するスイッチング素
子を配置し、整流回路とインバータ回路を電気的に接続
して成ることである。従って、同一モジュール内にコン
バータ、インバータからなる電力変換回路を収納するパ
ワーユニットの小型高性能化を可能とすることができ
る。A sixth feature of the present invention is that a semiconductor element constituting a rectifying circuit for converting AC power into DC is arranged on the flat plate of the cooling fin, and an inverter for converting DC into AC is arranged on the plate of the evaporation section. This is to arrange a switching element that constitutes a circuit and electrically connect a rectifier circuit and an inverter circuit. Therefore, it is possible to reduce the size and performance of a power unit that houses a power conversion circuit including a converter and an inverter in the same module.
【0027】[0027]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しつつ詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0028】図1及び図2は、本発明の第1の実施の形
態を示すものであって、図15に示す回路構成における
実装を示す実装図である。FIGS. 1 and 2 show a first embodiment of the present invention, and are mounting diagrams showing mounting in the circuit configuration shown in FIG.
【0029】パワーモジュールK3の外郭は、箱状のユ
ニットシャーシK19で構成され、前記ユニットシャー
シK19の正面には、交流入力点L0と入力ヒューズL
9、出力端子L10が設けられている。また、パワーモ
ジュールK3の内部には、半導体冷却フィンK8、冷却
器K13、平滑コンデンサL4を備える。An outer shell of the power module K3 is composed of a box-shaped unit chassis K19, and an AC input point L0 and an input fuse L are provided in front of the unit chassis K19.
9, an output terminal L10 is provided. Further, inside the power module K3, a semiconductor cooling fin K8, a cooler K13, and a smoothing capacitor L4 are provided.
【0030】半導体素子を取り付けるための平板K9と
半導体の発生する熱エネルギーを外気に放出するための
放熱フィンK10を有する熱伝導の良い金属からなる半
導体冷却フィンK8には、冷却風K7に対して並列にサ
イリスタ素子L7と、ダイオード素子L5を配置してい
る。The semiconductor cooling fin K8 made of a metal having good thermal conductivity, which has a flat plate K9 for mounting a semiconductor element and a heat radiation fin K10 for radiating the heat energy generated by the semiconductor to the outside air, is exposed to the cooling air K7. A thyristor element L7 and a diode element L5 are arranged in parallel.
【0031】冷却風K7において、前記半導体冷却フィ
ンK8の下流側には、図17ないし図19を用いて説明
した冷却器と同じ内部構造を持つ冷却器K13が配置さ
れている。冷却器K13の蒸発部K11には、高熱密度
の高速スイッチング素子L6が設けられている。In the cooling air K7, a cooler K13 having the same internal structure as the cooler described with reference to FIGS. 17 to 19 is arranged on the downstream side of the semiconductor cooling fin K8. The evaporator K11 of the cooler K13 is provided with a high heat density high-speed switching element L6.
【0032】前記冷却フィンK8の排気側は前記冷却器
K13の凝縮部K12の吸気側と連結している。The exhaust side of the cooling fin K8 is connected to the intake side of the condenser K12 of the cooler K13.
【0033】また、本図には示していないが、前記電気
部品を図15にて示す回路となるように配線する電線、
導体も配置されている。Although not shown in the figure, electric wires for wiring the electric parts so as to form the circuit shown in FIG.
Conductors are also arranged.
【0034】ユニットシャーシK19の正面に設けられ
た開口部から吸気した冷却風K7は半導体素子冷却フィ
ンK8、冷却器K13を貫通して、背面の排気口から排
出される。The cooling air K7 sucked from the opening provided on the front surface of the unit chassis K19 passes through the semiconductor element cooling fins K8 and the cooler K13, and is discharged from the exhaust port on the rear surface.
【0035】前記冷却器K13の内部は小容量の圧力容
器であり、冷媒ガスが飽和状態で存在するため、内部圧
力とガス温度には相関関係が成り立ち、前記凝縮部K1
2に外部から局部的に熱が加えられた場合、温度差に伴
う局部的な内部圧力差を均一化するよう作用する。すな
わち、冷媒ガスは内部温度を平均化するよう循環するこ
とになる。Since the inside of the cooler K13 is a small-capacity pressure vessel and the refrigerant gas is in a saturated state, there is a correlation between the internal pressure and the gas temperature, and the condenser section K1.
When heat is locally applied to 2 from the outside, it acts to equalize the local internal pressure difference due to the temperature difference. That is, the refrigerant gas circulates so as to average the internal temperature.
【0036】このため、上流の冷却フィンK8で熱のア
ンバランスが発生し、前記冷却器K13の吸気点に温度
差が生じても、冷媒ガスにより平均化され、蒸発部K1
1に取り付けられた高速スイッチング素子L6に与える
影響は、前記冷却フィンK8の発生熱量の平均値とな
る。冷却風量と発熱量と温度上昇値は1次の相関関係が
あり、上流の冷却フィンK8による前記冷却器内部のガ
ス温度上昇は、凝縮器K12を貫通する冷却風量と、上
流の冷却フィンK8の発熱量のみから定まることにな
り、部分的な熱のアンバランスに影響されない。Therefore, even if a heat imbalance occurs in the upstream cooling fin K8 and a temperature difference occurs at the intake point of the cooler K13, it is averaged by the refrigerant gas, and the evaporation section K1.
The effect on the high-speed switching element L6 attached to No. 1 is the average value of the amount of heat generated by the cooling fin K8. There is a first-order correlation between the cooling air flow rate, the heat generation amount, and the temperature increase value, and the gas temperature rise inside the cooler due to the upstream cooling fin K8 is due to the cooling air flow rate passing through the condenser K12 and the upstream cooling fin K8. It will be determined only by the calorific value, and will not be affected by the partial heat imbalance.
【0037】本実施の形態のパワーモジュールによれ
ば、熱源を冷却風に対して直列にできるので、吸気口面
積を小さくして、換気ファンを小型化することができ
る。また、上流側の熱のアンバランスを解消して冷却器
形状の小型化に寄与する。さらに、小型大容量化による
熱密度の高い高速スイッチング素子と熱密度の低い半導
体素子が混在した装置の冷却効率を良くして小型化し容
量単価を低減するとともに、騒音を低減する。According to the power module of this embodiment, the heat source can be connected in series to the cooling air, so that the area of the intake port can be reduced and the ventilation fan can be downsized. Further, it contributes to the downsizing of the shape of the cooler by eliminating the heat imbalance on the upstream side. Further, the cooling efficiency of a device in which a high-speed switching element having a high heat density and a semiconductor element having a low heat density coexist due to a small size and a large capacity is improved to reduce the size, reduce the unit price of the capacity, and reduce the noise.
【0038】図3及び図4は、本発明の第2の実施の形
態を示すものであって、図15に示す回路についての実
装を示す実装図である。この実施の形態は、図1及び図
2に示した実施の形態のうち、冷却フィンK8の排気面
積と冷却器K13の凝縮部K11の吸気面積を変えたも
のであり、ダイオード素子L5とサイリスタ素子L7に
よる発熱量から決まる冷却フィンK8の排気側の外形
と、高速スイッチング素子L6の発熱量によって決まる
冷却器K13の吸気部の外形を同一にできない場合にも
適用できる。FIGS. 3 and 4 show a second embodiment of the present invention and are mounting diagrams showing mounting of the circuit shown in FIG. This embodiment differs from the embodiments shown in FIGS. 1 and 2 in that the exhaust area of the cooling fin K8 and the intake area of the condenser K11 of the cooler K13 are changed, and the diode element L5 and the thyristor element are changed. The present invention can also be applied to the case where the outer shape of the cooling fin K8 determined by the heat generation amount of L7 on the exhaust side and the outer shape of the intake part of the cooler K13 determined by the heat generation amount of the high-speed switching element L6 cannot be the same.
【0039】本実施の形態のパワーモジュールによれ
ば、冷却フィンと冷却器の凝縮部の形状に於いて相互依
存性が少なく、最適な外形にすることで、装置外形を小
型とし価格を低減できる。According to the power module of this embodiment, the shapes of the cooling fins and the condenser of the cooler have little interdependence, and the optimum outer shape allows the outer shape of the device to be small and the cost to be reduced. .
【0040】図5及び図6は、本発明の第3の実施の形
態を示すものであって、図15に示す回路についての実
装を示す実装図である。この実施の形態は、図1に示す
実施の形態において、冷却フィンK8と冷却器K13の
凝縮器K12とを風洞K18を介して連結したものであ
る。半導体冷却フィンK8は、半導体冷却フィンK8上
部に設けられた固定パネルK21aに固定されている。
固定パネルK21aは半導体冷却フィンK8の横幅より
広い横幅を持ち、突出した耳部をユニットシャーシK1
9の上部に載せて、ネジ等で締結される。また、冷却器
K13も同様に冷却器固定パネルK21bにて固定され
る。FIGS. 5 and 6 show a third embodiment of the present invention, and are mounting diagrams showing the mounting of the circuit shown in FIG. In this embodiment, in the embodiment shown in FIG. 1, the cooling fin K8 and the condenser K12 of the cooler K13 are connected via a wind tunnel K18. The semiconductor cooling fin K8 is fixed to a fixed panel K21a provided above the semiconductor cooling fin K8.
The fixed panel K21a has a width wider than that of the semiconductor cooling fin K8, and the protruding ear portion has a unit chassis K1.
It is placed on the upper part of 9 and fastened with screws or the like. Further, the cooler K13 is similarly fixed by the cooler fixing panel K21b.
【0041】固定パネルK21a,K21bには取手K
20が取り付けられている。風洞K18はユニットシャ
ーシK19に固定されている。A handle K is attached to the fixed panels K21a and K21b.
Twenty is attached. The wind tunnel K18 is fixed to the unit chassis K19.
【0042】冷却フィンK8を固定する固定パネルK2
1aとユニットシャーシK19を締結しているネジを取
り外して取手K20を上にひけば、冷却フィンK8の取
り外しができるようになっており、冷却器K13も同様
に取り外しができるようになっている。Fixed panel K2 for fixing cooling fin K8
The cooling fin K8 can be removed by removing the screw that fastens the unit chassis K19 to the unit 1a and pulling the handle K20 upward, and the cooler K13 can be similarly removed.
【0043】本実施の形態のパワーモジュールによれ
ば、冷却器K13内部のガス温度と、凝縮器K12を貫
通する冷却風量と、上流の冷却フィンK8の発熱量に関
する相関を保ち、かつ、冷却フィンK8又は冷却器K1
3を分割して個別に保守点検を行なうことができ、保守
性を向上させることができる。According to the power module of this embodiment, the correlation between the gas temperature inside the cooler K13, the amount of cooling air passing through the condenser K12, and the amount of heat generation of the upstream cooling fin K8 is maintained, and the cooling fin is maintained. K8 or cooler K1
It is possible to perform maintenance and inspection separately by dividing 3 and to improve maintainability.
【0044】図7及び図8は、本発明の第4の実施の形
態を示すものであって、図15に示す回路についての実
装を示す実装図である。この実施の形態は、図5及び図
6に示す実施の形態において、風洞を、凝縮部K12の
吸気口からユニットシャーシK19正面の開口部まで延
ばしたものである。冷却フィンK8の平板K9は、風洞
K118の床の一部を構成し、放熱フィンK10はこの
平板K9から風洞内部に向かって突出するように形成さ
れている。風洞K118の上部には、固定パネルK21
aと取手K20が設けられ、固定パネルK21aはユニ
ットシャーシK19にネジ等で締結されている。固定パ
ネルK21aをユニットシャーシK19に締結している
ネジを外して、取手K20を上に引くと、風洞K118
と共に冷却フィンK8が取り外される。FIGS. 7 and 8 show a fourth embodiment of the present invention and are mounting diagrams showing mounting of the circuit shown in FIG. In this embodiment, in the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, the wind tunnel is extended from the inlet of the condenser K12 to the opening in front of the unit chassis K19. The flat plate K9 of the cooling fin K8 constitutes a part of the floor of the wind tunnel K118, and the heat radiation fin K10 is formed so as to project from the flat plate K9 toward the inside of the wind tunnel. At the top of the wind tunnel K118, a fixed panel K21
a and a handle K20 are provided, and the fixed panel K21a is fastened to the unit chassis K19 with screws or the like. If the screw that fastens the fixed panel K21a to the unit chassis K19 is removed and the handle K20 is pulled up, the wind tunnel K118
At the same time, the cooling fin K8 is removed.
【0045】本実施の形態のパワーモジュールによれ
ば、冷却器K13内部のガス温度と、凝縮器K12を貫
通する冷却風量と、上流の冷却フィンK8の発熱量に関
する相関を保ちかつ、冷却フィンの冷却容量を最適な大
きさとして、装置コストを低減でき、また保守性に優れ
たパワーユニットを提供する。According to the power module of the present embodiment, the gas temperature inside the cooler K13, the amount of cooling air passing through the condenser K12, and the heat generation amount of the upstream cooling fin K8 are maintained and the cooling fin (EN) Provided is a power unit which has an optimal cooling capacity, which can reduce the cost of the device and which is excellent in maintainability.
【0046】図9及び図10は、本発明の第4の実施の
形態を示すものであって、図15に示す回路についての
実装を示す実装図である。この実施の形態は、図7及び
図8に示す実施の形態のうち、凝縮部K12の吸気口か
らユニットシャーシK19正面の開口部まで延ばした風
洞K118の内部に、ダイオード素子L5、サイリスタ
素子L7と共に冷却フィンK8を配置したものである。FIGS. 9 and 10 show a fourth embodiment of the present invention and are mounting diagrams showing the mounting of the circuit shown in FIG. In this embodiment, among the embodiments shown in FIGS. 7 and 8, the diode element L5 and the thyristor element L7 are provided inside the wind tunnel K118 extending from the inlet of the condenser K12 to the opening in front of the unit chassis K19. The cooling fin K8 is arranged.
【0047】また、前記風洞K118の両側面はユニッ
トシャーシK19の一部で構成される。風洞K118の
上部には、少なくとも冷却フィンK8とダイオード素子
L5、サイリスタ素子L7から成る平面形状より大きな
穴が開けられている。冷却フィンK8上部には、固定パ
ネルK21aを備え、固定パネルK21aは端でユニッ
トシャーシにネジ等で締結される。固定パネルK21a
をユニットシャーシK19に締結しているネジを外し
て、取手K20を上に引くと、冷却フィンK8が取り外
される。Both side surfaces of the wind tunnel K118 are constituted by part of the unit chassis K19. A hole larger than the planar shape including at least the cooling fin K8, the diode element L5, and the thyristor element L7 is bored in the upper part of the wind tunnel K118. A fixed panel K21a is provided on the upper portion of the cooling fin K8, and the fixed panel K21a is fastened to the unit chassis at the end with screws or the like. Fixed panel K21a
When the screw fastening the unit to the unit chassis K19 is removed and the handle K20 is pulled upward, the cooling fin K8 is removed.
【0048】本実施の形態のパワーモジュールによれ
ば、冷却フィンK8に装着された半導体素子表面を冷却
することができ、また、風洞内に、冷却フィンK8に設
けられた半導体素子を収納し、装置実装密度を向上させ
ることができる。According to the power module of the present embodiment, the surface of the semiconductor element mounted on the cooling fin K8 can be cooled, and the semiconductor element provided on the cooling fin K8 can be housed in the wind tunnel. The device mounting density can be improved.
【0049】[0049]
【発明の効果】本発明によれば、複数の熱密度の異なる
半導体素子を用いた電力変換用のパワーモジュールにお
いて、熱のアンバランスを解消して、冷却器形状の小型
化を実現することができる。According to the present invention, in a power module for power conversion using a plurality of semiconductor elements having different heat densities, it is possible to eliminate the heat imbalance and realize the miniaturization of the cooler shape. it can.
【図1】本発明の第1の実施の形態であるパワーモジュ
ールの実装状態を示す概略平面実装図。FIG. 1 is a schematic plane mounting view showing a mounted state of a power module according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1に示すパワーモジュールの実装状態を示す
概略側断面実装図。FIG. 2 is a schematic side sectional mounting view showing a mounted state of the power module shown in FIG.
【図3】本発明の第2の実施の形態であるパワーモジュ
ールの冷却フィン及び冷却器部分の実装状態を示す概略
正面実装図。FIG. 3 is a schematic front mounting view showing a mounting state of cooling fins and a cooler portion of the power module according to the second embodiment of the present invention.
【図4】図3に示す冷却フィン及び冷却器部分の実装状
態を示す概略側面実装図。FIG. 4 is a schematic side mounting view showing a mounting state of a cooling fin and a cooler portion shown in FIG.
【図5】本発明の第3の実施の形態であるパワーモジュ
ールの実装状態を示す概略平面実装図。FIG. 5 is a schematic plan view showing a mounting state of the power module according to the third embodiment of the present invention.
【図6】図5に示すパワーモジュールの実装状態を示す
概略側断面実装図。6 is a schematic side sectional mounting view showing a mounted state of the power module shown in FIG.
【図7】本発明の第4の実施の形態であるパワーモジュ
ールの実装状態を示す概略平面実装図。FIG. 7 is a schematic plan view showing a mounting state of the power module according to the fourth embodiment of the present invention.
【図8】図7に示すパワーモジュールの実装状態を示す
概略側断面実装図。8 is a schematic side sectional mounting view showing a mounted state of the power module shown in FIG. 7. FIG.
【図9】本発明の第5の実施の形態であるパワーモジュ
ールの実装状態を示す概略平面実装図。FIG. 9 is a schematic plan mounting view showing a mounting state of a power module according to a fifth embodiment of the present invention.
【図10】図9に示すパワーモジュールの実装状態を示
す概略側断面実装図。FIG. 10 is a schematic side sectional mounting view showing a mounted state of the power module shown in FIG.
【図11】パワーモジュールの具体的な回路の一例を示
す回路図。FIG. 11 is a circuit diagram showing an example of a specific circuit of the power module.
【図12】図11に示す回路を構成する従来のパワーモ
ジュールの実装例を示す概略平面実装図。FIG. 12 is a schematic plan view showing a mounting example of a conventional power module forming the circuit shown in FIG.
【図13】図12に示すパワーモジュールの概略側断面
実装図。13 is a schematic side sectional mounting view of the power module shown in FIG.
【図14】図12に示すパワーモジュールにおいて高速
スイッチング素子の配列を変えた状態を示す概略平面実
装図。14 is a schematic plan mounting view showing a state in which the arrangement of high-speed switching elements is changed in the power module shown in FIG.
【図15】パワーモジュールの他の具体的な回路の一例
を示す回路図。FIG. 15 is a circuit diagram showing an example of another specific circuit of the power module.
【図16】図15に示す回路を構成する従来のパワーモ
ジュールの実装例を示す概略側断面実装図。16 is a schematic side sectional mounting view showing a mounting example of a conventional power module that constitutes the circuit shown in FIG.
【図17】図16中に示す冷却器の内部を示す正断面実
装図。FIG. 17 is a front sectional view showing the inside of the cooler shown in FIG.
【図18】図16中に示す冷却器を示す正面実装図。FIG. 18 is a front mounting view showing the cooler shown in FIG. 16.
【図19】図16中に示す冷却器を示す側面実装図。FIG. 19 is a side surface mounting view showing the cooler shown in FIG. 16;
K3 パワーモジュール K8 冷却フィン K9 平板 K10 放熱フィン K11 蒸発部 K12 凝縮部 K13 冷却器 K18 風洞 K118 風洞 L5 ダイオード素子 L6 スイッチング素子 L7 サイリスタ素子 K3 power module K8 cooling fin K9 flat plate K10 heat dissipation fin K11 Evaporator K12 condensing part K13 cooler K18 wind tunnel K118 wind tunnel L5 diode element L6 switching element L7 thyristor element
Claims (6)
れたスイッチング素子が発生する熱エネルギーを前記冷
媒液に伝達する蒸発部と、前記冷媒液の沸騰による蒸気
を介して前記蒸発部の熱エネルギーが伝達されるととも
に外気に前記熱エネルギーを放出するフィンを備えた凝
縮部と、を有する冷却器と、 半導体素子を取り付ける平板と、前記半導体素子の発生
する熱エネルギーを外気に放出するフィンと、を有する
冷却フィンと、を備え、 前記冷却フィンと前記冷却器とを冷却風経路に対して直
列に配置すると共に、前記冷却フィンの排気側と前記凝
縮部の吸気側とを連結したことを特徴とするパワーモジ
ュール。1. An evaporating section which is filled with a refrigerant liquid and which transfers thermal energy generated by a switching element provided on a flat plate surface to the refrigerant liquid, and the evaporating section through vapor generated by boiling of the refrigerant liquid. The heat energy of the semiconductor element is transmitted to the outside air and a condenser having a fin having a fin for releasing the heat energy to the outside air, a flat plate to which the semiconductor element is attached, and the heat energy generated by the semiconductor element is emitted to the outside air. A cooling fin having a fin, the cooling fin and the cooler are arranged in series with respect to a cooling air path, and an exhaust side of the cooling fin and an intake side of the condenser are connected to each other. A power module characterized in that.
気側の一部分に連結したことを特徴とする請求項1に記
載のパワーモジュール。2. The power module according to claim 1, wherein the exhaust side of the cooling fin is connected to a part of the intake side of the condenser.
気側とを連結する風洞を備え、前記冷却フィン、前記冷
却器、前記風洞の全て又はいずれかを着脱自在に構成す
ることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール。3. A wind tunnel that connects the exhaust side of the cooling fin and the intake side of the condenser is provided, and all or any of the cooling fin, the cooler, and the wind tunnel are detachably configured. The power module according to claim 1.
部の吸気側に冷却風を誘導する風洞を備えるとともに、
この風洞が前記冷却フィンを被っていることを特徴とす
る請求項1ないし3のいずれかに記載のパワーモジュー
ル。4. A wind tunnel for guiding cooling air from an intake port of the power unit to an intake side of the condenser section,
The power module according to claim 1, wherein the wind tunnel covers the cooling fins.
付けて前記風洞内に配置し、前記風洞を貫通する冷却風
が前記半導体素子の表面も冷却することを特徴とする請
求項4に記載のパワーモジュール。5. The semiconductor device according to claim 4, wherein a plurality of semiconductor elements are attached to the cooling fin and arranged in the wind tunnel, and cooling air passing through the wind tunnel also cools the surface of the semiconductor element. Power module.
流に変換するための整流回路を構成する半導体素子を配
置すると共に、前記蒸発部の前記平板に直流を交流に変
換するインバータ回路を構成するスイッチング素子を配
置し、前記整流回路と前記インバータ回路を電気的に接
続して成ることを特徴とする請求項1ないし5のいずれ
かに記載のパワーモジュール。6. A semiconductor element forming a rectifying circuit for converting AC power into DC is arranged on the flat plate of the cooling fin, and an inverter circuit for converting DC into AC is formed on the flat plate of the evaporation section. 6. The power module according to claim 1, further comprising a switching element arranged to electrically connect the rectifier circuit and the inverter circuit.
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