JP3478703B2 - 炭化けい素電極板の製造方法 - Google Patents
炭化けい素電極板の製造方法Info
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- JP3478703B2 JP3478703B2 JP14092097A JP14092097A JP3478703B2 JP 3478703 B2 JP3478703 B2 JP 3478703B2 JP 14092097 A JP14092097 A JP 14092097A JP 14092097 A JP14092097 A JP 14092097A JP 3478703 B2 JP3478703 B2 JP 3478703B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング装置、
アッシング装置、スパッタリング装置等に使用される電
極板、特に炭化けい素電極板の製造方法に関するもので
ある。
アッシング装置、スパッタリング装置等に使用される電
極板、特に炭化けい素電極板の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体プロセスのエッチング装
置、アッシング装置、スパッタリング装置等に使用され
る電極板の材質としては、単結晶シリコン、アルミニウ
ム、カーボン、炭化けい素等が使用されている。これら
の内、炭化けい素（ＳｉＣ）については、主として難加
工性、高コストであるという理由で作製が難しかった。
置、アッシング装置、スパッタリング装置等に使用され
る電極板の材質としては、単結晶シリコン、アルミニウ
ム、カーボン、炭化けい素等が使用されている。これら
の内、炭化けい素（ＳｉＣ）については、主として難加
工性、高コストであるという理由で作製が難しかった。
【０００３】これまで、ＳｉＣを材料として電極板を製
造する場合、ＳｉＣ微粉末を焼結法等でブロックを作製
し、これを切削加工、研削加工により所望の形状、厚み
に加工していたが、ＳｉＣは硬脆性材料であるため、欠
けたり割れたりし易くて加工が難しく、高コストであっ
た。
造する場合、ＳｉＣ微粉末を焼結法等でブロックを作製
し、これを切削加工、研削加工により所望の形状、厚み
に加工していたが、ＳｉＣは硬脆性材料であるため、欠
けたり割れたりし易くて加工が難しく、高コストであっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点を解決するためになされたもので、ＳｉＣを材料
として、半導体デバイス製造に使用される電極板の製造
方法において、切削、研削加工等の機械的加工方法によ
らない、高精度で加工処理し易く、低コストである炭化
けい素電極板の製造方法を開発することを目的としてい
る。
問題点を解決するためになされたもので、ＳｉＣを材料
として、半導体デバイス製造に使用される電極板の製造
方法において、切削、研削加工等の機械的加工方法によ
らない、高精度で加工処理し易く、低コストである炭化
けい素電極板の製造方法を開発することを目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明に記載した発明は、半導体デバイス製
造に使用される高周波を印加する反応装置用電極板の製
造方法において、該電極板をＣＶＤ法により炭化けい素
（ＳｉＣ）を所望の形状をしたカーボンサセプタ上に堆
積させて作製することを特徴とする炭化けい素電極板の
製造方法である。
るために、本発明に記載した発明は、半導体デバイス製
造に使用される高周波を印加する反応装置用電極板の製
造方法において、該電極板をＣＶＤ法により炭化けい素
（ＳｉＣ）を所望の形状をしたカーボンサセプタ上に堆
積させて作製することを特徴とする炭化けい素電極板の
製造方法である。
【０００６】このような製造方法によれば、反応ガスの
流れに対向する位置に置いたカーボンサセプタの型の形
状に沿ってＳｉＣが堆積するので、反応終了後、型であ
るカーボンサセプタを外せば所望の形状をした、精度の
高い成形物を容易にかつ低コストで得ることができる。
流れに対向する位置に置いたカーボンサセプタの型の形
状に沿ってＳｉＣが堆積するので、反応終了後、型であ
るカーボンサセプタを外せば所望の形状をした、精度の
高い成形物を容易にかつ低コストで得ることができる。
【０００７】そして、本発明に記載した発明は、半導体
デバイス製造に使用される高周波を印加する反応装置用
電極板の製造方法において、該電極板をＣＶＤ法により
炭化けい素を所望の形状をしたカーボンサセプタ上に堆
積させ、その後、カーボンサセプタと炭化けい素を分離
し、成形された炭化けい素を酸化させて不要なカーボン
を除去することを特徴とする炭化けい素電極板の製造方
法である。
デバイス製造に使用される高周波を印加する反応装置用
電極板の製造方法において、該電極板をＣＶＤ法により
炭化けい素を所望の形状をしたカーボンサセプタ上に堆
積させ、その後、カーボンサセプタと炭化けい素を分離
し、成形された炭化けい素を酸化させて不要なカーボン
を除去することを特徴とする炭化けい素電極板の製造方
法である。
【０００８】この製造方法によれば、成形された炭化け
い素を酸化燃焼させるので、ＳｉＣ自体には化学的変質
はないが、例えば、カーボンサセプタとの接触面に僅か
に残っているカーボンや、型の一部として残存している
不要なカーボンは、低温で容易に酸化燃焼されＣＯガス
等として除去されるので、不純物のない型の原形そのま
まの高精度な成形物を容易に、安いコストで得ることが
できる。
い素を酸化燃焼させるので、ＳｉＣ自体には化学的変質
はないが、例えば、カーボンサセプタとの接触面に僅か
に残っているカーボンや、型の一部として残存している
不要なカーボンは、低温で容易に酸化燃焼されＣＯガス
等として除去されるので、不純物のない型の原形そのま
まの高精度な成形物を容易に、安いコストで得ることが
できる。
【０００９】ここで、前記カーボンサセプタを、複数本
のカーボン製ピンをカーボン台板上に所定の間隔で直立
させた構造から成るものとしておくと、ＣＶＤ反応時
に、ピンとピンの間の空間でかつ、カーボン台板上にＳ
ｉＣが堆積し、所望の小径孔を有する電極板の原形とな
る成形物が得られる。
のカーボン製ピンをカーボン台板上に所定の間隔で直立
させた構造から成るものとしておくと、ＣＶＤ反応時
に、ピンとピンの間の空間でかつ、カーボン台板上にＳ
ｉＣが堆積し、所望の小径孔を有する電極板の原形とな
る成形物が得られる。
【００１０】また、本発明に記載した発明は、前記カー
ボンサセプタのカーボンピンをカーボン台板から取り外
せる構造とし、ＳｉＣ堆積反応終了後、カーボン台板を
取り外し、該カーボンピンのみを酸化焼却して、電極板
に該ピンの外形に相当する反応ガス整流用小径孔及び電
極板取付け孔を成形させることを特徴とする炭化けい素
電極板の製造方法である。
ボンサセプタのカーボンピンをカーボン台板から取り外
せる構造とし、ＳｉＣ堆積反応終了後、カーボン台板を
取り外し、該カーボンピンのみを酸化焼却して、電極板
に該ピンの外形に相当する反応ガス整流用小径孔及び電
極板取付け孔を成形させることを特徴とする炭化けい素
電極板の製造方法である。
【００１１】カーボンサセプタの構造を、このようにし
ておくと、ＳｉＣ堆積反応終了後、例えば、ナットをゆ
るめてカーボン台板を取り外し、その後、カーボンピン
を付けたまま酸化、完全燃焼させると、カーボンピンは
消滅し、カーボンピン外径に等しい孔径の反応ガス整流
用小径孔が多数成形される。また、電極板の外周には電
極板取付け用孔が成形される。ここに成形された小径孔
は、仕上げ加工を必要としない程精度が高い。また、カ
ーボン台板を取り外した後のＳｉＣ板のカーボン台板と
の接触面は、カーボンで僅かに汚染されている場合もあ
るが、酸化、燃焼処理により、カーボンは完全に消滅し
てＳｉＣの新面が成形されるので、電極板として使用し
た時に、半導体ウエーハ等の被処理物に不純物汚染をも
たらすことはない。
ておくと、ＳｉＣ堆積反応終了後、例えば、ナットをゆ
るめてカーボン台板を取り外し、その後、カーボンピン
を付けたまま酸化、完全燃焼させると、カーボンピンは
消滅し、カーボンピン外径に等しい孔径の反応ガス整流
用小径孔が多数成形される。また、電極板の外周には電
極板取付け用孔が成形される。ここに成形された小径孔
は、仕上げ加工を必要としない程精度が高い。また、カ
ーボン台板を取り外した後のＳｉＣ板のカーボン台板と
の接触面は、カーボンで僅かに汚染されている場合もあ
るが、酸化、燃焼処理により、カーボンは完全に消滅し
てＳｉＣの新面が成形されるので、電極板として使用し
た時に、半導体ウエーハ等の被処理物に不純物汚染をも
たらすことはない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図１は本発明の電極板の製造
方法に用いるカーボンサセプタの一例を示す説明図であ
り、図２はカーボンサセプタにＣＶＤ法によりＳｉＣを
堆積させた状態を示す説明図である。図３は、ＳｉＣ成
形終了後、カーボンサセプタのカーボン台板のみを除去
した状態を示す説明図である。図４は、作製された電極
板の一例を示す平面図である。図５は、本発明で作製さ
れる電極板が適用される装置の一例で、高周波を印加す
るドライエッチング装置の概要図である。
を用いて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図１は本発明の電極板の製造
方法に用いるカーボンサセプタの一例を示す説明図であ
り、図２はカーボンサセプタにＣＶＤ法によりＳｉＣを
堆積させた状態を示す説明図である。図３は、ＳｉＣ成
形終了後、カーボンサセプタのカーボン台板のみを除去
した状態を示す説明図である。図４は、作製された電極
板の一例を示す平面図である。図５は、本発明で作製さ
れる電極板が適用される装置の一例で、高周波を印加す
るドライエッチング装置の概要図である。
【００１３】本発明者等は、特にＳｉＣを材料とした電
極板の製造方法において、穿孔加工や表面仕上げ加工に
切削、研削等の機械的加工処理を避けて、高精度で低コ
ストである成形方法について種々検討した結果、これに
はカーボンサセプタを型としてこれにＣＶＤ法によりＳ
ｉＣを堆積させた後、カーボンサセプタを外し、さらに
不要なカーボン部材を酸化、燃焼して除去すればよいこ
とに想到し、本発明を完成させたものである。
極板の製造方法において、穿孔加工や表面仕上げ加工に
切削、研削等の機械的加工処理を避けて、高精度で低コ
ストである成形方法について種々検討した結果、これに
はカーボンサセプタを型としてこれにＣＶＤ法によりＳ
ｉＣを堆積させた後、カーボンサセプタを外し、さらに
不要なカーボン部材を酸化、燃焼して除去すればよいこ
とに想到し、本発明を完成させたものである。
【００１４】ここで、本発明の製造方法で作製する電極
板の一例を図４に基づいて説明すると、円板状電極板１
０の材質はＳｉＣであり、各種ガス流通用の小径孔６を
数百〜数千個穿設したものである。また、電極板の外周
部には電極板取付孔５が穿設されている。電極板の大き
さは、通常、被処理物の大きさに対応して、直径で２０
０〜４００ｍｍ、厚さ数ｍｍ〜数十ｍｍのものが使用さ
れ、小径孔の孔径は、直径で数十μｍ〜数百μｍであ
る。
板の一例を図４に基づいて説明すると、円板状電極板１
０の材質はＳｉＣであり、各種ガス流通用の小径孔６を
数百〜数千個穿設したものである。また、電極板の外周
部には電極板取付孔５が穿設されている。電極板の大き
さは、通常、被処理物の大きさに対応して、直径で２０
０〜４００ｍｍ、厚さ数ｍｍ〜数十ｍｍのものが使用さ
れ、小径孔の孔径は、直径で数十μｍ〜数百μｍであ
る。
【００１５】この電極板が適用される装置の一例として
図５に高周波を印加するドライエッチング装置を示し
た。ここでは、電極板３１が高周波を印加するドライエ
ッチング装置３０にセットされた状態を表しており、該
電極板３１に対向する位置に被処理物である半導体ウエ
ーハ３３と平面電極３２が設置され、両電極間に高周波
が印加される。一方、エッチングガスは、ガス供給系３
６から内部ガス容器３５に入り、電極板３１の小径孔で
整流され、ウエーハ３３に向けて噴出し、ここでプラズ
マを発生してウエーハ表面をエッチング処理するように
なっている。
図５に高周波を印加するドライエッチング装置を示し
た。ここでは、電極板３１が高周波を印加するドライエ
ッチング装置３０にセットされた状態を表しており、該
電極板３１に対向する位置に被処理物である半導体ウエ
ーハ３３と平面電極３２が設置され、両電極間に高周波
が印加される。一方、エッチングガスは、ガス供給系３
６から内部ガス容器３５に入り、電極板３１の小径孔で
整流され、ウエーハ３３に向けて噴出し、ここでプラズ
マを発生してウエーハ表面をエッチング処理するように
なっている。
【００１６】次に、本発明のＳｉＣ電極板の製造方法を
工程順に説明する。先ず、第１の実施の形態は、図１に
示したような電極板成形用の型として、カーボンサセプ
タ２０を用意する。このカーボンサセプタ２０は、複数
本のカーボンピン３をカーボン台板２上に所定の間隔で
直立させた構造をしており、その結合はカーボン台板を
貫通したカーボンピンの下端部をナット４で締めつける
ようにして、ＳｉＣ堆積反応終了後分解可能としてあ
る。
工程順に説明する。先ず、第１の実施の形態は、図１に
示したような電極板成形用の型として、カーボンサセプ
タ２０を用意する。このカーボンサセプタ２０は、複数
本のカーボンピン３をカーボン台板２上に所定の間隔で
直立させた構造をしており、その結合はカーボン台板を
貫通したカーボンピンの下端部をナット４で締めつける
ようにして、ＳｉＣ堆積反応終了後分解可能としてあ
る。
【００１７】続いて、このカーボンサセプタ２０をＣＶ
Ｄ反応装置にセットし、通常の条件下でＳｉＣを所定の
厚さになるまでカーボン台板上に堆積させる。この堆積
した状態は、図２に示したように、カーボンピン３を所
定の厚さまで埋め尽くした板状のＳｉＣ成形体１とな
る。
Ｄ反応装置にセットし、通常の条件下でＳｉＣを所定の
厚さになるまでカーボン台板上に堆積させる。この堆積
した状態は、図２に示したように、カーボンピン３を所
定の厚さまで埋め尽くした板状のＳｉＣ成形体１とな
る。
【００１８】次いで、ＳｉＣの堆積した板状成形体１か
らナット４を取り外してカーボン台板２を分離した後、
図３のようなカーボンピン３付きＳｉＣ成形体１を電気
炉で酸化雰囲気中で加熱し、５００〜８００℃でカーボ
ンピン３を燃焼除去して、ＳｉＣ電極板１０を得る。
らナット４を取り外してカーボン台板２を分離した後、
図３のようなカーボンピン３付きＳｉＣ成形体１を電気
炉で酸化雰囲気中で加熱し、５００〜８００℃でカーボ
ンピン３を燃焼除去して、ＳｉＣ電極板１０を得る。
【００１９】以上のような工程で作製された電極板は、
切削、研削加工等の機械的加工処理を行わなくても、カ
ーボンサセプタの型の精度をそのまま写した精度の高い
もので、その加工性は容易であり、低コストで製造する
ことができる。
切削、研削加工等の機械的加工処理を行わなくても、カ
ーボンサセプタの型の精度をそのまま写した精度の高い
もので、その加工性は容易であり、低コストで製造する
ことができる。
【００２０】また、第２の実施形態について、第１の実
施形態との相違点のみ説明すると、カーボンピン３のカ
ーボン台板２への取付けを、前記ナット４によるのでは
なく、カーボンサセプタ２０のカーボンピン３の先端部
にネジを切ってカーボン台板２に対してネジ込み式とし
（図示せず）、そしてＳｉＣ堆積後のカーボン台板２の
取り外しについては、カーボンピン３の根元のカーボン
台板２をカッターで切断するようにして分離する。この
後は、第１の実施形態と同様にカーボンピン３を燃焼除
去すればよく、加工性、精度については、第１の実施形
態とほぼ同様である。
施形態との相違点のみ説明すると、カーボンピン３のカ
ーボン台板２への取付けを、前記ナット４によるのでは
なく、カーボンサセプタ２０のカーボンピン３の先端部
にネジを切ってカーボン台板２に対してネジ込み式とし
（図示せず）、そしてＳｉＣ堆積後のカーボン台板２の
取り外しについては、カーボンピン３の根元のカーボン
台板２をカッターで切断するようにして分離する。この
後は、第１の実施形態と同様にカーボンピン３を燃焼除
去すればよく、加工性、精度については、第１の実施形
態とほぼ同様である。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例１）ＣＶＤ反応装置内に、図１に示したような
カーボン台板２の所定の箇所に、所定の数のカーボンピ
ン３を立て、ナット４で固定したカーボンサセプタ２０
を設置し、ここにメチルトリクロロシラン、水素、アル
ゴンを各々、圧力１２０Ｐａ、流量０．５ｍｏｌ／ｈ
ｒ、５．０ｍｏｌ／ｈｒ、１．０ｍｏｌ／ｈｒの条件下
に供給し、１２００℃で２４時間反応させて、ＳｉＣを
カーボン台板２上に堆積させた。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例１）ＣＶＤ反応装置内に、図１に示したような
カーボン台板２の所定の箇所に、所定の数のカーボンピ
ン３を立て、ナット４で固定したカーボンサセプタ２０
を設置し、ここにメチルトリクロロシラン、水素、アル
ゴンを各々、圧力１２０Ｐａ、流量０．５ｍｏｌ／ｈ
ｒ、５．０ｍｏｌ／ｈｒ、１．０ｍｏｌ／ｈｒの条件下
に供給し、１２００℃で２４時間反応させて、ＳｉＣを
カーボン台板２上に堆積させた。
【００２２】この反応によって外径２００ｍｍで厚さ３
ｍｍのＳｉＣ成形体１を得た（図２）。その後、成形さ
れたＳｉＣ成形体１をカーボンピン３を付けたまま、カ
ーボン台板２から外し（図３）、それを電気炉中で酸化
させ、不要なカーボンピン３を燃焼除去して、電極板取
り付け用孔５、及び各種ガス流通用小径孔６を成形させ
て、電極板１０（図４）を得た。
ｍｍのＳｉＣ成形体１を得た（図２）。その後、成形さ
れたＳｉＣ成形体１をカーボンピン３を付けたまま、カ
ーボン台板２から外し（図３）、それを電気炉中で酸化
させ、不要なカーボンピン３を燃焼除去して、電極板取
り付け用孔５、及び各種ガス流通用小径孔６を成形させ
て、電極板１０（図４）を得た。
【００２３】このようにして製造した電極板は、カーボ
ンを全く残存せず、型そのままの高精度を持った成形物
であり、本発明の製造方法が、加工性が容易で、精度が
高く、低コストであることを表している。
ンを全く残存せず、型そのままの高精度を持った成形物
であり、本発明の製造方法が、加工性が容易で、精度が
高く、低コストであることを表している。
【００２４】（実施例２）メチルトリクロロシラン、水
素、アルゴンを各々、圧力１５０Ｐａ、流量１．０ｍｏ
ｌ／ｈｒ、３．０ｍｏ／ｈｒ、３．０ｍｏｌ／ｈｒの条
件下に供給し、１５００℃で８時間反応させた以外は、
実施例１と同様の装置、条件下にＳｉＣをを堆積させ、
型を外し、ピンを燃やして外径２００ｍｍ、厚さ３ｍｍ
の電極板を得た。作製したＳｉＣ電極板の精度は実施例
１とほぼ同精度であった。
素、アルゴンを各々、圧力１５０Ｐａ、流量１．０ｍｏ
ｌ／ｈｒ、３．０ｍｏ／ｈｒ、３．０ｍｏｌ／ｈｒの条
件下に供給し、１５００℃で８時間反応させた以外は、
実施例１と同様の装置、条件下にＳｉＣをを堆積させ、
型を外し、ピンを燃やして外径２００ｍｍ、厚さ３ｍｍ
の電極板を得た。作製したＳｉＣ電極板の精度は実施例
１とほぼ同精度であった。
【００２５】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００２６】例えば、本発明の電極板の製造方法の適用
にあたっては、高周波を印加するプラズマドライエッチ
ング装置における反応ガス整流用電極板の製造方法とし
て好適とされるが、本発明はこのような例に限定される
ものではなく、リアクティブイオンエッチング装置用、
プラズマアッシング装置用、スパッタリング装置用また
はプラズマＣＶＤ装置用の電極板の製造方法としてもほ
ぼ同様の作用効果を挙げることができ、有効に使用され
る。
にあたっては、高周波を印加するプラズマドライエッチ
ング装置における反応ガス整流用電極板の製造方法とし
て好適とされるが、本発明はこのような例に限定される
ものではなく、リアクティブイオンエッチング装置用、
プラズマアッシング装置用、スパッタリング装置用また
はプラズマＣＶＤ装置用の電極板の製造方法としてもほ
ぼ同様の作用効果を挙げることができ、有効に使用され
る。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、寸法精度の高い炭化け
い素電極板を容易に作製することができ、経済性に優れ
た電極板を供給することができる。
い素電極板を容易に作製することができ、経済性に優れ
た電極板を供給することができる。
【図１】本発明の製造方法に用いるカーボンサセプタの
一例を示す説明図である。
一例を示す説明図である。
【図２】本発明の製造方法を説明するための説明図で、
カーボンサセプタ上にＣＶＤ法でＳｉＣを堆積した状態
を表している。
カーボンサセプタ上にＣＶＤ法でＳｉＣを堆積した状態
を表している。
【図３】本発明の製造方法を説明するための説明図で、
カーボンサセプタのナットとカーボン台板を取り外した
状態を表している。
カーボンサセプタのナットとカーボン台板を取り外した
状態を表している。
【図４】本発明の方法で作製されるＳｉＣ電極板の平面
図である。
図である。
【図５】本発明で作製されるＳｉＣ電極板を設置した装
置の一例で、プラズマドライエッチング装置の概要図で
ある。
置の一例で、プラズマドライエッチング装置の概要図で
ある。
１…ＳｉＣ成形体、
２…カーボン台板、
３…カーボンピン、
４…カーボンナット、
５…電極板取付孔、
６…小径孔、
１０…ＳｉＣ電極板、
２０…カーボンサセプタ、
３０…プラズマドライエッチング装置、
３１…ＳｉＣ電極板、
３２…平面電極、
３３…半導体ウエーハ、
３４…チャンバー、
３５…内部ガス容器、
３６…ガス供給系、
３７…ガス排出系。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−162593（ＪＰ，Ａ)
特開 昭53−147700（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−104488（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−138737（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−35081（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−287495（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−54488（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−92972（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C30B 1/00 - 35/00
H01L 21/302
H01L 21/205
C23C 16/32
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体デバイス製造に使用される高周波
を印加する反応装置用電極板の製造方法において、該電
極板をＣＶＤ法により炭化けい素（ＳｉＣ）を所望の形
状をしたカーボンサセプタ上に堆積させて作製し、その
際、前記カーボンサセプタが、複数本のカーボンピンを
カーボン台板上に所定の間隔で直立させた構造から成
り、該カーボンサセプタのカーボンピンをカーボン台板
から取り外せる構造とし、炭化けい素堆積反応終了後、
カーボン台板を取り外し、該カーボンピンのみを酸化焼
却して、炭化けい素板に該カーボンピンの外形に相当す
る反応ガス整流用小径孔及び電極板取付け孔を成形させ
ることを特徴とする炭化けい素電極板の製造方法。 - 【請求項２】 半導体デバイス製造に使用される高周波
を印加する反応装置用電極板の製造方法において、該電
極板をＣＶＤ法により炭化けい素を所望の形状をしたカ
ーボンサセプタ上に堆積させ、その後、カーボンサセプ
タと炭化けい素を分離し、成形された炭化けい素を酸化
させて不要なカーボンを除去して作製し、その際、前記
カーボンサセプタが、複数本のカーボンピンをカーボン
台板上に所定の間隔で直立させた構造から成り、該カー
ボンサセプタのカーボンピンをカーボン台板から取り外
せる構造とし、炭化けい素堆積反応終了後、カーボン台
板を取り外し、該カーボンピンのみを酸化焼却して、炭
化けい素板に該カーボンピンの外形に相当する反応ガス
整流用小径孔及び電極板取付け孔を成形させることを特
徴とする炭化けい素電極板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14092097A JP3478703B2 (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 炭化けい素電極板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14092097A JP3478703B2 (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 炭化けい素電極板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10316497A JPH10316497A (ja) | 1998-12-02 |
| JP3478703B2 true JP3478703B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=15279899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14092097A Expired - Fee Related JP3478703B2 (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 炭化けい素電極板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3478703B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8883029B2 (en) * | 2013-02-13 | 2014-11-11 | Lam Research Corporation | Method of making a gas distribution member for a plasma processing chamber |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP14092097A patent/JP3478703B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10316497A (ja) | 1998-12-02 |
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