JP3477775B2 - El表示装置 - Google Patents
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- JP3477775B2 JP3477775B2 JP32813793A JP32813793A JP3477775B2 JP 3477775 B2 JP3477775 B2 JP 3477775B2 JP 32813793 A JP32813793 A JP 32813793A JP 32813793 A JP32813793 A JP 32813793A JP 3477775 B2 JP3477775 B2 JP 3477775B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、交流電圧を印加する
ことにより発光するEL(エレクトロルミネッセンス)
素子を用いたEL表示装置に関するものである。
ことにより発光するEL(エレクトロルミネッセンス)
素子を用いたEL表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来技術として、特公昭63−3074
5号公報のように物理的に騒音を封じ込め、騒音がケー
スの外へ出て行くのを防ぐ方法が知られている。又、特
開昭63−249895号公報には、EL素子の駆動波
形をなまらせることにより、高周波成分を少なくして騒
音を低減する方法が示されている。
5号公報のように物理的に騒音を封じ込め、騒音がケー
スの外へ出て行くのを防ぐ方法が知られている。又、特
開昭63−249895号公報には、EL素子の駆動波
形をなまらせることにより、高周波成分を少なくして騒
音を低減する方法が示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特公昭63−
30745号公報のように物理的に騒音を封じ込める方
法で大きな効果を得るには、EL素子の大きさに比べて
大きなケースが必要となる。又、特開昭63−2498
95号公報の方法では、高周波成分を低減する事はでき
ても、一番騒音の強い周波数成分を低減できるとは限ら
ない。
30745号公報のように物理的に騒音を封じ込める方
法で大きな効果を得るには、EL素子の大きさに比べて
大きなケースが必要となる。又、特開昭63−2498
95号公報の方法では、高周波成分を低減する事はでき
ても、一番騒音の強い周波数成分を低減できるとは限ら
ない。
【0004】そこで、この発明の目的は、装置を大型化
することなく騒音を防止することができるEL表示装置
を提供することにある。
することなく騒音を防止することができるEL表示装置
を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、EL
発光層両面に一対以上の電極を形成してなるEL素子
と、このEL発光層を挟む電極間に交流電圧を印加する
電圧印加手段とを備えたEL表示装置において、 前記電圧印加手段は、f0=n/Tが成り立つ場合にお
いて、次の2式 n/T≒i/τ τ<T/2 ただし、f0は前記EL素子を内蔵したEL表示装置本
体の可聴領域での共振周波数、nは交流電圧信号の高調
波の次数、Tは交流電圧信号の周期、iは1,2,3
…、τは交流電圧信号のパルス幅を満足するようにパル
ス幅τを設定した矩形波の交流電圧信号を出力するよう
にしたEL表示装置をその要旨とする。
発光層両面に一対以上の電極を形成してなるEL素子
と、このEL発光層を挟む電極間に交流電圧を印加する
電圧印加手段とを備えたEL表示装置において、 前記電圧印加手段は、f0=n/Tが成り立つ場合にお
いて、次の2式 n/T≒i/τ τ<T/2 ただし、f0は前記EL素子を内蔵したEL表示装置本
体の可聴領域での共振周波数、nは交流電圧信号の高調
波の次数、Tは交流電圧信号の周期、iは1,2,3
…、τは交流電圧信号のパルス幅を満足するようにパル
ス幅τを設定した矩形波の交流電圧信号を出力するよう
にしたEL表示装置をその要旨とする。
【0006】請求項2の発明は、EL発光層両面に一対
以上の電極を形成してなるEL素子と、このEL発光層
を挟む電極間に交流電圧を印加する電圧印加手段とを備
えたEL表示装置において、前記電圧印加手段は、f0
=n/Tが成り立つ場合において、基本となる交流電圧
信号に対し位相差αが、次の2式 α≒{(2i−1)/2}・T/nτ≦α≦(T/2)−τ ただし、nは交流電圧信号の高調波の次数、Tは交流電
圧信号の周期、iは1,2,3…、f0は前記EL素子
を内蔵したEL表示装置本体の可聴領域での共振周波
数、τは交流電圧信号のパルス幅を満足する信号を合成
した矩形波の交流電圧信号を出力するようにしたEL表
示装置をその要旨とする。
以上の電極を形成してなるEL素子と、このEL発光層
を挟む電極間に交流電圧を印加する電圧印加手段とを備
えたEL表示装置において、前記電圧印加手段は、f0
=n/Tが成り立つ場合において、基本となる交流電圧
信号に対し位相差αが、次の2式 α≒{(2i−1)/2}・T/nτ≦α≦(T/2)−τ ただし、nは交流電圧信号の高調波の次数、Tは交流電
圧信号の周期、iは1,2,3…、f0は前記EL素子
を内蔵したEL表示装置本体の可聴領域での共振周波
数、τは交流電圧信号のパルス幅を満足する信号を合成
した矩形波の交流電圧信号を出力するようにしたEL表
示装置をその要旨とする。
【0007】請求項3の発明は、EL発光層両面に一対
以上の電極を形成してなるEL素子と、このEL発光層
を挟む電極間に交流電圧を印加する電圧印加手段とを備
えたEL表示装置において、前記電圧印加手段は、f0
=n/Tが成り立つ場合において、次の2式 n/T≒i/τ τ<T/2 ただし、f0は前記EL素子を内蔵したEL表示装置本
体の可聴領域での共振周波数、nは交流電圧信号の高調
波の次数、Tは交流電圧信号の周期、iは1,2,3
…、τは交流電圧信号のパルス幅を満足するようにパル
ス幅τを設定し、かつ、基本となる交流電圧信号に対し
位相差αが、次の2式 α≒{(2i−1)/2}・T/nτ≦α≦(T/2)−τ ただし、nは交流電圧信号の高調波の次数、Tは交流電
圧信号の周期、iは1,2,3…、τは交流電圧信号の
パルス幅を満足する信号を合成した矩形波の交流電圧信
号を出力するようにしたEL表示装置をその要旨とす
る。
以上の電極を形成してなるEL素子と、このEL発光層
を挟む電極間に交流電圧を印加する電圧印加手段とを備
えたEL表示装置において、前記電圧印加手段は、f0
=n/Tが成り立つ場合において、次の2式 n/T≒i/τ τ<T/2 ただし、f0は前記EL素子を内蔵したEL表示装置本
体の可聴領域での共振周波数、nは交流電圧信号の高調
波の次数、Tは交流電圧信号の周期、iは1,2,3
…、τは交流電圧信号のパルス幅を満足するようにパル
ス幅τを設定し、かつ、基本となる交流電圧信号に対し
位相差αが、次の2式 α≒{(2i−1)/2}・T/nτ≦α≦(T/2)−τ ただし、nは交流電圧信号の高調波の次数、Tは交流電
圧信号の周期、iは1,2,3…、τは交流電圧信号の
パルス幅を満足する信号を合成した矩形波の交流電圧信
号を出力するようにしたEL表示装置をその要旨とす
る。
【0008】
【作用】請求項1の発明において、EL素子の駆動によ
る振動の周波数成分は、駆動電圧波形に含まれる高調波
の和になっており、図3に示す両極性パルスの駆動波形
はフーリエ展開より、
る振動の周波数成分は、駆動電圧波形に含まれる高調波
の和になっており、図3に示す両極性パルスの駆動波形
はフーリエ展開より、
【0009】
【数1】
【0010】となる。an はn次高調波の振幅で、n次
高調波の周波数はn/Tで表される。ここで、図3の駆
動波形のパルス幅τを変化させた場合、偶数次の高調波
の振幅は、上式のが「0」であることから、「0」に
なる。従って、図3の駆動波形は、奇数次の高調波しか
無いため、ある特定の高調波を減少させるには、上式の
を「0」にすればよい。即ち、
高調波の周波数はn/Tで表される。ここで、図3の駆
動波形のパルス幅τを変化させた場合、偶数次の高調波
の振幅は、上式のが「0」であることから、「0」に
なる。従って、図3の駆動波形は、奇数次の高調波しか
無いため、ある特定の高調波を減少させるには、上式の
を「0」にすればよい。即ち、
【0011】
【数2】
【0012】とすればよい。これから、
【0013】
【数3】
【0014】の関係が成り立つ周波数で、高調波の振幅
は減衰する。従って、図3のパルス幅τを調整して、f
0 =n/T≒i/τの関係を満たすことにより、減衰す
る高調波の周波数とEL素子を内蔵したEL表示装置本
体の共振周波数(可聴)f0 を一致させると、振動音が
低減される。
は減衰する。従って、図3のパルス幅τを調整して、f
0 =n/T≒i/τの関係を満たすことにより、減衰す
る高調波の周波数とEL素子を内蔵したEL表示装置本
体の共振周波数(可聴)f0 を一致させると、振動音が
低減される。
【0015】請求項2の発明において、駆動波形に図8
に示すように位相をα時間だけずれた破線の波形を合成
した場合、破線の波形のフーリエ変換は、
に示すように位相をα時間だけずれた破線の波形を合成
した場合、破線の波形のフーリエ変換は、
【0016】
【数4】
【0017】となり、2つの波形を合成すると、
【0018】
【数5】
【0019】となる。この式のが「0」となるよう
【0020】
【数6】
【0021】の関係が成り立つようにαを決めることに
より、n次の高調波が低減される。即ち、α≒{(2i
−1)/2}・T/n={(2i−1)/2}/f0 の
関係を満たすことにより、減衰する高調波の周波数とE
L素子を内蔵したEL表示装置本体の共振周波数(可
聴)f0 を一致させると、振動音が低減される。
より、n次の高調波が低減される。即ち、α≒{(2i
−1)/2}・T/n={(2i−1)/2}/f0 の
関係を満たすことにより、減衰する高調波の周波数とE
L素子を内蔵したEL表示装置本体の共振周波数(可
聴)f0 を一致させると、振動音が低減される。
【0022】請求項3の発明においては、請求項1と請
求項2の両方の作用により騒音が低減される。
求項2の両方の作用により騒音が低減される。
【0023】
(第1実施例)以下、この発明を具体化した第1実施例
を図面に従って説明する。
を図面に従って説明する。
【0024】図2には、EL表示装置の全体概略図を示
す。EL表示装置におけるEL表示装置本体8はケース
28を有し、そのケース28内にはEL素子1と電圧印
加回路(駆動回路)27とが配置されている。そして、
電圧印加回路(駆動回路)27によりEL素子1が駆動
される。
す。EL表示装置におけるEL表示装置本体8はケース
28を有し、そのケース28内にはEL素子1と電圧印
加回路(駆動回路)27とが配置されている。そして、
電圧印加回路(駆動回路)27によりEL素子1が駆動
される。
【0025】図1は、EL素子1の断面図である。ガラ
ス基板2上には、透明電極3と絶縁層4とEL発光層5
と絶縁層6と背面電極7とが順に積層されている。この
ガラス基板2と透明電極3と絶縁層4とEL発光層5と
絶縁層6と背面電極7とからEL素子1が構成されてい
る。ここで、背面電極7には、例えばアルミニウム,
I.T.O(Insium Tin Oxide),G
aをドープしたZnO(以下、ZnOという)等が用い
られ、透明電極3にはI.T.O、ZnO等が用いられ
る。又、絶縁層4,6にはTa2 O5 、A12 O3 等が
用いられ、EL発光層5にはMn、TbOF等を発光中
心として添加したZnS等が用いられる。尚、EL素子
の電極については、どのような形状のものでもよく、例
えばドットマトリクス型のEL素子で使用される、格子
状に配置された電極でもよい。
ス基板2上には、透明電極3と絶縁層4とEL発光層5
と絶縁層6と背面電極7とが順に積層されている。この
ガラス基板2と透明電極3と絶縁層4とEL発光層5と
絶縁層6と背面電極7とからEL素子1が構成されてい
る。ここで、背面電極7には、例えばアルミニウム,
I.T.O(Insium Tin Oxide),G
aをドープしたZnO(以下、ZnOという)等が用い
られ、透明電極3にはI.T.O、ZnO等が用いられ
る。又、絶縁層4,6にはTa2 O5 、A12 O3 等が
用いられ、EL発光層5にはMn、TbOF等を発光中
心として添加したZnS等が用いられる。尚、EL素子
の電極については、どのような形状のものでもよく、例
えばドットマトリクス型のEL素子で使用される、格子
状に配置された電極でもよい。
【0026】又、EL素子1のガラス基板2はケース2
8に固定され、ケース28内にEL素子1が内蔵された
構造となっている。透明電極3と背面電極7との間に図
3に示す駆動電圧を印加すると、EL素子1が発光す
る。しかし、このとき、EL素子1からは、駆動波形に
含まれている周波数と同じ周波数の音が発生する。
8に固定され、ケース28内にEL素子1が内蔵された
構造となっている。透明電極3と背面電極7との間に図
3に示す駆動電圧を印加すると、EL素子1が発光す
る。しかし、このとき、EL素子1からは、駆動波形に
含まれている周波数と同じ周波数の音が発生する。
【0027】又、この周波数がEL表示装置本体8の共
振周波数と一致したとき、特に大きな音が発生する。従
って、駆動により起こる振動の周波数が、EL表示装置
本体8の共振周波数付近(可聴周波数:15Hz〜20
KHz)の周波数成分を含まないようにすることによ
り、発生する音を低減できる。
振周波数と一致したとき、特に大きな音が発生する。従
って、駆動により起こる振動の周波数が、EL表示装置
本体8の共振周波数付近(可聴周波数:15Hz〜20
KHz)の周波数成分を含まないようにすることによ
り、発生する音を低減できる。
【0028】図4に、このEL素子1を駆動させるため
の電圧印加回路(駆動回路)27の例を示す。電圧印加
回路27は3つの入力端子IN1,IN2,IN3と、
出力端子OUTを有している。又、各入力端子IN1,
IN2,IN3は図示しないC−MOSロジックICに
接続され、出力端子OUTは背面電極7および透明電極
3に接続されている。
の電圧印加回路(駆動回路)27の例を示す。電圧印加
回路27は3つの入力端子IN1,IN2,IN3と、
出力端子OUTを有している。又、各入力端子IN1,
IN2,IN3は図示しないC−MOSロジックICに
接続され、出力端子OUTは背面電極7および透明電極
3に接続されている。
【0029】出力端子OUTはP−MOSFET9およ
びN−MOSFET10のドレイン端子に接続され、ダ
イオード11を介してP−MOSFET12のドレイン
端子に、ダイオード13を介してN−MOSFET14
のドレイン端子に、それぞれ接続されている。尚、ダイ
オード11は出力端子OUTからP−MOSFET12
への電流を遮断し、ダイオード13はN−MOSFET
14から出力端子OUTへの電流を遮断する方向に、極
性が決定されている。
びN−MOSFET10のドレイン端子に接続され、ダ
イオード11を介してP−MOSFET12のドレイン
端子に、ダイオード13を介してN−MOSFET14
のドレイン端子に、それぞれ接続されている。尚、ダイ
オード11は出力端子OUTからP−MOSFET12
への電流を遮断し、ダイオード13はN−MOSFET
14から出力端子OUTへの電流を遮断する方向に、極
性が決定されている。
【0030】P−MOSFET9は高圧電源VHに、N
−MOSFET10は低圧電源VLに、P−MOSFE
T12およびN−MOSFET14はアース端子15お
よびアース端子16に、それぞれのソース端子が接続さ
れている。又、MOSFET9,10,12のゲート・
ソース間には、ツェナーダイオード17,18,19が
接続されている。これらのツェナーダイオード17,1
8,19は、ゲート・ソース間電圧が所定電圧となった
ときに降伏して各MOSFETを保護するものである。
−MOSFET10は低圧電源VLに、P−MOSFE
T12およびN−MOSFET14はアース端子15お
よびアース端子16に、それぞれのソース端子が接続さ
れている。又、MOSFET9,10,12のゲート・
ソース間には、ツェナーダイオード17,18,19が
接続されている。これらのツェナーダイオード17,1
8,19は、ゲート・ソース間電圧が所定電圧となった
ときに降伏して各MOSFETを保護するものである。
【0031】P−MOSFET9のゲート端子にはイン
バータ20とコンデンサ21を介して入力端子IN1が
接続されている。このコンデンサ21は電流の直流成分
を遮断する。N−MOSFET10のゲート端子にはバ
ッファ22とコンデンサ23を介して入力端子IN3が
接続されている。又、P−MOSFET12のゲート端
子にはインバータ24とコンデンサ25を介して入力端
子IN2が接続され、さらに、N−MOSFET14の
ゲート端子には入力端子IN2がバッファ26を介して
接続されている。
バータ20とコンデンサ21を介して入力端子IN1が
接続されている。このコンデンサ21は電流の直流成分
を遮断する。N−MOSFET10のゲート端子にはバ
ッファ22とコンデンサ23を介して入力端子IN3が
接続されている。又、P−MOSFET12のゲート端
子にはインバータ24とコンデンサ25を介して入力端
子IN2が接続され、さらに、N−MOSFET14の
ゲート端子には入力端子IN2がバッファ26を介して
接続されている。
【0032】次に、このように構成されたEL表示装置
の動作を説明する。電圧印加回路27は次のように動作
する。入力端子IN1,IN2,IN3には図5に示す
駆動信号がそれぞれ入力されている。まず、図5のta
のタイミング以前においては、入力端子IN2がHレベ
ルであり、P−MOSFET12のゲート電位はLレベ
ルであり、P−MOSFET12はオンしている。又、
N−MOSFET14のゲート電位はHレベルであり、
N−MOSFET14はオンしている。このため、出力
端子OUTはアース端子15,16と導通する。又、こ
のとき、入力端子IN1,IN2は共にLレベルとなっ
ている。入力端子IN1がLレベルであるため、P−M
OSFET9のゲート電位がHレベルとなってP−MO
SFET9はオフしている。又、入力端子IN3がLレ
ベルであるため、N−MOSFET10のゲート電位が
LレベルとなってN−MOSFET10はオフしてい
る。従って、出力端子OUTは高圧電源VH,低圧電源
VLと絶縁され、出力端子OUTから出力される駆動信
号は0Vとなる。
の動作を説明する。電圧印加回路27は次のように動作
する。入力端子IN1,IN2,IN3には図5に示す
駆動信号がそれぞれ入力されている。まず、図5のta
のタイミング以前においては、入力端子IN2がHレベ
ルであり、P−MOSFET12のゲート電位はLレベ
ルであり、P−MOSFET12はオンしている。又、
N−MOSFET14のゲート電位はHレベルであり、
N−MOSFET14はオンしている。このため、出力
端子OUTはアース端子15,16と導通する。又、こ
のとき、入力端子IN1,IN2は共にLレベルとなっ
ている。入力端子IN1がLレベルであるため、P−M
OSFET9のゲート電位がHレベルとなってP−MO
SFET9はオフしている。又、入力端子IN3がLレ
ベルであるため、N−MOSFET10のゲート電位が
LレベルとなってN−MOSFET10はオフしてい
る。従って、出力端子OUTは高圧電源VH,低圧電源
VLと絶縁され、出力端子OUTから出力される駆動信
号は0Vとなる。
【0033】そして、図5のtaのタイミングとなる
と、入力端子IN1がHレベルとなると共に入力端子I
N2がLレベルとなる。入力端子IN1がHレベルとな
るとP−MOSFET9がオンし、出力端子OUTが高
圧電源VHと導通する。又、入力端子IN2がLレベル
となるとMOSFET12,14がオフして出力端子O
UTはアース端子15,16と絶縁される。さらに、入
力端子IN3がLレベルに保持されN−MOSFET1
0はオフしたままであるので、出力端子OUTは高圧電
源VHの高電位となる。
と、入力端子IN1がHレベルとなると共に入力端子I
N2がLレベルとなる。入力端子IN1がHレベルとな
るとP−MOSFET9がオンし、出力端子OUTが高
圧電源VHと導通する。又、入力端子IN2がLレベル
となるとMOSFET12,14がオフして出力端子O
UTはアース端子15,16と絶縁される。さらに、入
力端子IN3がLレベルに保持されN−MOSFET1
0はオフしたままであるので、出力端子OUTは高圧電
源VHの高電位となる。
【0034】次に、図5のtbのタイミングとなると、
入力端子IN1がLレベルとなるとともに入力端子IN
2がHレベルとなる。即ち、入力端子IN1〜IN3が
taのタイミング以前の状態となるので、出力端子OU
Tは0Vとなる。
入力端子IN1がLレベルとなるとともに入力端子IN
2がHレベルとなる。即ち、入力端子IN1〜IN3が
taのタイミング以前の状態となるので、出力端子OU
Tは0Vとなる。
【0035】さらに、図5のtcのタイミングとなる
と、入力端子IN3がHレベルとなるとともに入力端子
IN2がLレベルとなる。入力端子IN3がHレベルと
なるとN−MOSFET10がオンし、出力端子OUT
が低圧電源VLと導通する。又、入力端子IN2がLレ
ベルとなると前述のように出力端子OUTはアース端子
15,16と絶縁される。さらに、入力端子IN1がL
レベルに保持されP−MOSFET9はオフしたままで
あるので、出力端子OUTは低圧電源VLの低電位とな
る。
と、入力端子IN3がHレベルとなるとともに入力端子
IN2がLレベルとなる。入力端子IN3がHレベルと
なるとN−MOSFET10がオンし、出力端子OUT
が低圧電源VLと導通する。又、入力端子IN2がLレ
ベルとなると前述のように出力端子OUTはアース端子
15,16と絶縁される。さらに、入力端子IN1がL
レベルに保持されP−MOSFET9はオフしたままで
あるので、出力端子OUTは低圧電源VLの低電位とな
る。
【0036】続いて、図5のtdのタイミングとなる
と、入力端子IN1〜IN3はtaのタイミング以前の
状態となり出力端子OUTは0Vとなる。以下、この動
作が繰り返される。尚、ダイオード11は、P−MOS
FET9がオンしたときP−MOSFET12に逆バイ
アス電圧が印加されるのを防止し、ダイオード13はN
−MOSFET10がオンしたときにN−MOSFET
14に逆バイアス電圧が印加されるのを防止している。
と、入力端子IN1〜IN3はtaのタイミング以前の
状態となり出力端子OUTは0Vとなる。以下、この動
作が繰り返される。尚、ダイオード11は、P−MOS
FET9がオンしたときP−MOSFET12に逆バイ
アス電圧が印加されるのを防止し、ダイオード13はN
−MOSFET10がオンしたときにN−MOSFET
14に逆バイアス電圧が印加されるのを防止している。
【0037】このような出力が透明電極3および背面電
極7に入力されると、EL発光層5に交流電圧が印加さ
れる。即ち、所定間隔をあけて高電位と低電位とのパル
スを交互に繰り返す矩形波状の交流電圧となる。
極7に入力されると、EL発光層5に交流電圧が印加さ
れる。即ち、所定間隔をあけて高電位と低電位とのパル
スを交互に繰り返す矩形波状の交流電圧となる。
【0038】図3は電圧印加回路27の出力波形の拡大
図である。ここで、Vmは駆動電圧、tr は立ち上がり
時間、τはパルス幅、Tは周期である。尚、ここで、電
圧印加回路27は、図5の出力のような、駆動波形を出
力できるEL駆動回路であればどのような形式のもので
あってもよい。
図である。ここで、Vmは駆動電圧、tr は立ち上がり
時間、τはパルス幅、Tは周期である。尚、ここで、電
圧印加回路27は、図5の出力のような、駆動波形を出
力できるEL駆動回路であればどのような形式のもので
あってもよい。
【0039】そして、本実施例では図3に示す交流電圧
信号(駆動信号)のパルス幅τを調整することにより騒
音低減を図っている。以下に、その詳細を説明する。い
ま、背面電極7と透明電極3との間に図3のような駆動
電圧を印加すると、EL発光層5が圧電特性により振動
する。その振動の周波数分布の中にEL表示装置本体8
の共振周波数成分と一致する周波数があると、EL表示
装置本体8が共振を起こし、騒音が発生する。
信号(駆動信号)のパルス幅τを調整することにより騒
音低減を図っている。以下に、その詳細を説明する。い
ま、背面電極7と透明電極3との間に図3のような駆動
電圧を印加すると、EL発光層5が圧電特性により振動
する。その振動の周波数分布の中にEL表示装置本体8
の共振周波数成分と一致する周波数があると、EL表示
装置本体8が共振を起こし、騒音が発生する。
【0040】EL素子1の駆動による振動の周波数成分
は、駆動電圧波形に含まれる高調波の和になっており、
図3に示す両極性パルスの駆動波形はフーリエ展開よ
り、
は、駆動電圧波形に含まれる高調波の和になっており、
図3に示す両極性パルスの駆動波形はフーリエ展開よ
り、
【0041】
【数7】
【0042】となる。an はn次高調波の振幅で、n次
高調波の周波数はn/Tで表される。ここで、図3の駆
動波形のパルス幅τを変化させた場合、偶数次の高調波
の振幅は、式(1)のが「0」となることにより、
「0」になる。従って、図3の駆動波形は、奇数次の高
調波しか無いため、ある特定の高調波を減少させるに
は、式(1)のを「0」にすればよい。即ち、
高調波の周波数はn/Tで表される。ここで、図3の駆
動波形のパルス幅τを変化させた場合、偶数次の高調波
の振幅は、式(1)のが「0」となることにより、
「0」になる。従って、図3の駆動波形は、奇数次の高
調波しか無いため、ある特定の高調波を減少させるに
は、式(1)のを「0」にすればよい。即ち、
【0043】
【数8】
【0044】とすればよい。これから、
【0045】
【数9】
【0046】の関係が成り立つ周波数で、高調波の振幅
は減衰する。これは、パルス幅τの逆数の整数倍の周波
数で高調波の振幅が減衰することを意味する。従って、
図3のパルス幅τを調整することにより、減衰する高調
波の周波数n/TとEL表示装置本体8の共振周波数
(可聴)f0 を一致させ、振動音を低減することができ
る。
は減衰する。これは、パルス幅τの逆数の整数倍の周波
数で高調波の振幅が減衰することを意味する。従って、
図3のパルス幅τを調整することにより、減衰する高調
波の周波数n/TとEL表示装置本体8の共振周波数
(可聴)f0 を一致させ、振動音を低減することができ
る。
【0047】図6,7は、パルス幅τを変えた場合の高
調波の低減の様子を示している。つまり、図6はパルス
幅τを「50μsec」に設定した場合の高調波の低減
の様子を示し、図7はパルス幅τを「100μsec」
に設定した場合の高調波の低減の様子を示す。
調波の低減の様子を示している。つまり、図6はパルス
幅τを「50μsec」に設定した場合の高調波の低減
の様子を示し、図7はパルス幅τを「100μsec」
に設定した場合の高調波の低減の様子を示す。
【0048】このように本実施例では、EL発光層5両
面に一対の電極3,7を形成してなるEL素子1と、こ
のEL発光層5を挟む電極3,7間に交流電圧を印加す
る電圧印加回路27(電圧印加手段)とを備えたEL表
示装置において、電圧印加回路27は、f0=n/Tが
成り立つ場合において、次の2式 n/T≒i/τ τ<T/2 ただし、f0はEL素子1を内蔵したEL表示装置本体
8の可聴領域での共振周波数、nは交流電圧信号の高調
波の次数、Tは交流電圧信号の周期、iは1,2,3
…、τは交流電圧信号のパルス幅を満足するようにパル
ス幅τを設定した矩形波の交流電圧信号を出力するよう
にした。よって、可聴周波数帯域内の高調波が低減でき
る。このようにして、装置が大型化することなく最も騒
音の影響している駆動周波数を低減でき騒音を防止する
ことができることとなる。 (第2実施例) 次に、第2実施例を第1実施例との相違点を中心に説明
する。
面に一対の電極3,7を形成してなるEL素子1と、こ
のEL発光層5を挟む電極3,7間に交流電圧を印加す
る電圧印加回路27(電圧印加手段)とを備えたEL表
示装置において、電圧印加回路27は、f0=n/Tが
成り立つ場合において、次の2式 n/T≒i/τ τ<T/2 ただし、f0はEL素子1を内蔵したEL表示装置本体
8の可聴領域での共振周波数、nは交流電圧信号の高調
波の次数、Tは交流電圧信号の周期、iは1,2,3
…、τは交流電圧信号のパルス幅を満足するようにパル
ス幅τを設定した矩形波の交流電圧信号を出力するよう
にした。よって、可聴周波数帯域内の高調波が低減でき
る。このようにして、装置が大型化することなく最も騒
音の影響している駆動周波数を低減でき騒音を防止する
ことができることとなる。 (第2実施例) 次に、第2実施例を第1実施例との相違点を中心に説明
する。
【0049】図1の構成のEL素子1において、駆動波
形に図8に示すように位相をα時間だけずれた破線の波
形を合成した場合、破線の波形のフーリエ変換は、
形に図8に示すように位相をα時間だけずれた破線の波
形を合成した場合、破線の波形のフーリエ変換は、
【0050】
【数10】
【0051】となり、2つの波形を合成すると、
【0052】
【数11】
【0053】となる。この式のが「0」となるよう
【0054】
【数12】
【0055】の関係が成り立つようにαを決めることに
より、n次の高調波を低減することができる。即ち、α
≒{(2i−1)/2}・T/n={(2i−1)/
2}/f 0 の関係を満たすことにより、減衰する高調波
の周波数n/TとEL表示装置本体8の共振周波数(可
聴)f0 を一致させると、振動音が低減する。
より、n次の高調波を低減することができる。即ち、α
≒{(2i−1)/2}・T/n={(2i−1)/
2}/f 0 の関係を満たすことにより、減衰する高調波
の周波数n/TとEL表示装置本体8の共振周波数(可
聴)f0 を一致させると、振動音が低減する。
【0056】図9,10,11,12はパルス間の位相
によって、高調波および、騒音が低減する様子を示して
いる。つまり、図9,10は信号の合成を行わない場合
を示し、図11,12は信号の合成を行った場合を示
す。
によって、高調波および、騒音が低減する様子を示して
いる。つまり、図9,10は信号の合成を行わない場合
を示し、図11,12は信号の合成を行った場合を示
す。
【0057】尚、ここで、一周期でのパルスの数を増や
すことにより、低減できる高調波の数も増やすことがで
きる。又、図8において実線で示す信号と破線で示す信
号の、それぞれのパルス幅が異なっていても、それらの
値が近い場合には騒音低減の効果は変わらない。
すことにより、低減できる高調波の数も増やすことがで
きる。又、図8において実線で示す信号と破線で示す信
号の、それぞれのパルス幅が異なっていても、それらの
値が近い場合には騒音低減の効果は変わらない。
【0058】このように本実施例では、EL発光層5両
面に一対以上の電極3,7を形成してなるEL素子1
と、このEL発光層5を挟む電極3,7間に交流電圧を
印加する電圧印加回路27(電圧印加手段)とを備えた
EL表示装置において、電圧印加回路27は、f0=n
/Tが成り立つ場合において、基本となる交流電圧信号
に対し位相差αが、次の2式 α≒{(2i−1)/2}・T/nτ≦α≦(T/2)−τ ただし、nは交流電圧信号の高調波の次数、Tは交流電
圧信号の周期、iは1,2,3…、f0はEL素子1を
内蔵したEL表示装置本体8の可聴領域での共振周波
数、τは交流電圧信号のパルス幅を満足する信号を合成
した矩形波の交流電圧信号を出力するようにした。よっ
て、可聴周波数帯域内の高調波が低減する。 (第3実施例) 次に、第3実施例を説明する。
面に一対以上の電極3,7を形成してなるEL素子1
と、このEL発光層5を挟む電極3,7間に交流電圧を
印加する電圧印加回路27(電圧印加手段)とを備えた
EL表示装置において、電圧印加回路27は、f0=n
/Tが成り立つ場合において、基本となる交流電圧信号
に対し位相差αが、次の2式 α≒{(2i−1)/2}・T/nτ≦α≦(T/2)−τ ただし、nは交流電圧信号の高調波の次数、Tは交流電
圧信号の周期、iは1,2,3…、f0はEL素子1を
内蔵したEL表示装置本体8の可聴領域での共振周波
数、τは交流電圧信号のパルス幅を満足する信号を合成
した矩形波の交流電圧信号を出力するようにした。よっ
て、可聴周波数帯域内の高調波が低減する。 (第3実施例) 次に、第3実施例を説明する。
【0059】本実施例では、第1実施例のパルス幅の調
整による方式と、第2実施例の基本となる交流電圧信号
に対し位相差αの信号を合成した方式とを両方行ってい
る。このようにすることにより、騒音を良好に低減でき
る。
整による方式と、第2実施例の基本となる交流電圧信号
に対し位相差αの信号を合成した方式とを両方行ってい
る。このようにすることにより、騒音を良好に低減でき
る。
【0060】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
装置を大型化することなく騒音を防止することができる
優れた効果を発揮する。
装置を大型化することなく騒音を防止することができる
優れた効果を発揮する。
【図1】実施例のEL素子の断面図である。
【図2】EL表示装置の全体概略図である。
【図3】駆動信号を示す波形図である。
【図4】電圧印加回路の構成図である。
【図5】電圧印加回路における波形図である。
【図6】周波数に対する電圧を示す特性図である。
【図7】周波数に対する電圧を示す特性図である。
【図8】波形図である。
【図9】周波数に対する電圧を示す特性図である。
【図10】周波数に対する音圧を示す特性図である。
【図11】周波数に対する電圧を示す特性図である。
【図12】周波数に対する音圧を示す特性図である。
1 EL素子
3 透明電極
5 EL発光層
7 背面電極
8 EL表示装置本体
27 電圧印加手段としての電圧印加回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平5−234676(JP,A)
実開 平3−60799(JP,U)
実開 平1−150400(JP,U)
実開 昭58−173231(JP,U)
実開 平4−29199(JP,U)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H05B 33/00 - 33/28
H05B 41/14 - 41/29
G09G 3/00 - 3/16
G09G 3/19 - 3/34,3/38
Claims (3)
- 【請求項1】 EL発光層両面に一対以上の電極を形成
してなるEL素子と、 このEL発光層を挟む電極間に交流電圧を印加する電圧
印加手段とを備えたEL表示装置において、 前記電圧印加手段は、f0=n/Tが成り立つ場合にお
いて、次の2式 n/T≒i/τ τ<T/2 ただし、f0は前記EL素子を内蔵したEL表示装置本
体の可聴領域での共振周波数、nは交流電圧信号の高調
波の次数、Tは交流電圧信号の周期、iは1,2,3
…、τは交流電圧信号のパルス幅を満足するようにパル
ス幅τを設定した矩形波の交流電圧信号を出力するよう
にしたことを特徴とするEL表示装置。 - 【請求項2】 EL発光層両面に一対以上の電極を形成
してなるEL素子と、 このEL発光層を挟む電極間に交流電圧を印加する電圧
印加手段とを備えたEL表示装置において、 前記電圧印加手段は、f0=n/Tが成り立つ場合にお
いて、基本となる交流電圧信号に対し位相差αが、次の
2式 α≒{(2i−1)/2}・T/nτ≦α≦(T/2)−τ ただし、nは交流電圧信号の高調波の次数、Tは交流電
圧信号の周期、iは1,2,3…、f0は前記EL素子
を内蔵したEL表示装置本体の可聴領域での共振周波
数、τは交流電圧信号のパルス幅を満足する信号を合成
した矩形波の交流電圧信号を出力するようにしたことを
特徴とするEL表示装置。 - 【請求項3】 EL発光層両面に一対以上の電極を形成
してなるEL素子と、 このEL発光層を挟む電極間に交流電圧を印加する電圧
印加手段とを備えたEL表示装置において、 前記電圧印加手段は、f0=n/Tが成り立つ場合にお
いて、次の2式 n/T≒i/τ τ<T/2 ただし、f0は前記EL素子を内蔵したEL表示装置本
体の可聴領域での共振周波数、nは交流電圧信号の高調
波の次数、Tは交流電圧信号の周期、iは1,2,3
…、τは交流電圧信号のパルス幅を満足するようにパル
ス幅τを設定し、 かつ、基本となる交流電圧信号に対し位相差αが、次の
2式 α≒{(2i−1)/2}・T/nτ≦α≦(T/2)−τ ただし、nは交流電圧信号の高調波の次数、Tは交流電
圧信号の周期、iは1,2,3…、τは交流電圧信号の
パルス幅を満足する信号を合成した矩形波の交流電圧信
号を出力するようにしたことを特徴とするEL表示装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32813793A JP3477775B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | El表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32813793A JP3477775B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | El表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07192869A JPH07192869A (ja) | 1995-07-28 |
JP3477775B2 true JP3477775B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=18206915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32813793A Expired - Fee Related JP3477775B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | El表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3477775B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2910749B1 (fr) * | 2006-12-22 | 2010-12-17 | Valeo Securite Habitacle | Dispositif d'emission-reception de signaux pour vehicule automobile |
JP5870313B2 (ja) | 2011-11-17 | 2016-02-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子点灯回路及び該回路を有する照明装置 |
JP2013223409A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Sony Corp | 送電装置、非接触電力伝送システムおよび信号生成方法 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32813793A patent/JP3477775B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07192869A (ja) | 1995-07-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |