JP3474714B2 - 相変化光記録媒体 - Google Patents
相変化光記録媒体Info
- Publication number
- JP3474714B2 JP3474714B2 JP25926596A JP25926596A JP3474714B2 JP 3474714 B2 JP3474714 B2 JP 3474714B2 JP 25926596 A JP25926596 A JP 25926596A JP 25926596 A JP25926596 A JP 25926596A JP 3474714 B2 JP3474714 B2 JP 3474714B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical recording
- layer
- change optical
- phase
- phase change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光を照射し
て情報の記録・再生を行う相変化光記録媒体に関する。 【０００２】 【従来の技術】光記録媒体は、大容量性、高速アクセス
性、媒体可搬性を兼ね備えた大容量記憶メディアとし
て、昨今のパーソナルコンピューターの隆盛を支えてい
る。なかでも相変化光記録媒体は動作原理が単純なこと
から実用化が急速に進んでいる。相変化光記録媒体の原
理は以下のようなものである。すなわち記録時には、相
変化光記録層に比較的高出力で短パルスのレーザービー
ムを照射して記録部位を融点以上に加熱した後、急冷し
て非晶質の記録マークを形成する。再生時には、記録部
位の反射率変化を検出することにより記録情報を読み取
る。消去時には、相変化記録層に記録時よりも低出力で
長パルスのレーザービームを照射した後、徐冷して結晶
化温度以上融点未満に保持することにより結晶化する。 【０００３】以上のように相変化光記録媒体では、非晶
質−結晶質の反射率変化を読み取るため、光学系の構造
が簡単である。また、光磁気記録媒体のように磁界を必
要とせず、光強度変調による重ね書き（オーバーライ
ト）が容易で、データ転送速度が速いという特徴も持っ
ている。さらに、ＣＤ−ＲＯＭをはじめとする再生専用
媒体との互換性にも優れている。 【０００４】相変化光記録媒体の記録密度を向上させる
ためには、記録マーク間隔を短くする、記録マークを小
さくする、などが考えられる。このうち、記録マーク間
隔を短くするためには、ランド／グルーブ記録（Ｌ／Ｄ
記録）やマーク長記録などが提案されている。Ｌ／Ｇ記
録は、グルーブの深さをレーザー波長の１／６程度に設
定してクロストークを低減することによりランドおよび
グルーブへの記録を可能にするもので、従来のランドま
たはグルーブのみに記録する方式に比較して約２倍の高
密度化が期待できる。マーク長記録は、記録マークエッ
ジ部の反射率変化（反射率の微分成分）を検出するもの
で、従来のマークポジション記録に比べて約１．５倍の
高密度化が期待できる。このような高密度化記録技術に
加えて、ＲＯＭ媒体などに対して提案されている超解像
技術を用いれば、現状で６５０Ｍｂｐｓｉ（ｂｉｔ／ｉ
ｎｃｈ2 ）の記録密度を１０〜２０倍向上させることが
可能であると予想されている。 【０００５】マーク長記録により記録密度の向上を達成
するためには、マークエッジ位置を正確に決定する必要
がある。しかし、基板上に下部保護層、相変化光記録
層、上部保護層、全反射層を積層した４層構造の従来の
相変化光記録媒体ではマークエッジ位置の変動が大き
く、ジッターの増加を招くため、期待されるほど線記録
密度を向上させることができない。 【０００６】従来の相変化光記録媒体においてマークエ
ッジが変動する原因の一つは、非晶質部の光吸収率（Ａ
ａ）の方が結晶部の光吸収率（Ａｃ）よりも高いことに
よるものである。すなわち、Ａａ＞Ａｃという条件での
オーバーライトを考えると、結晶部は光吸収率が小さい
ため温度上昇が少ないうえに溶融潜熱を要することか
ら、非晶質部と比較して溶融しにくい。このため、オー
バーライトする領域が結晶状態および非晶質状態のうち
どちらであるかによって、新たに形成される記録マーク
のサイズが異なってしまう。 【０００７】以上のようなオーバーライト記録時のマー
クエッジ部の乱れを抑制するためには、結晶部の溶融潜
熱も考慮して、Ａａ≦Ａｃ、すなわちＡｃ／Ａａ≧１と
いう条件を満たすことが好ましい。Ａｃ／Ａａ≧１の条
件を実現するためには、上述した下部保護層、相変化光
記録層、上部保護層、全反射層という４層構造に代え
て、相変化光記録媒体の積層構造を改良することが提案
されている。例えば、上部保護層上に全反射層の代わり
に半透明反射層を設けた積層構造が知られている（ＩＳ
ＯＭ／ＯＤＳ−ｊｏｉｎｔ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ，
ｐ．７１（Ｔｈ．３．５））。この積層構造は、半透明
反射層で一部の光を透過させることにより、実効的にＡ
ｃ／Ａａ≧１の条件を実現するものである。また、基板
と下部保護層との間に半透明反射層を挿入した積層構造
が知られている（ＵＳＰ５，４３１，９７８）。この積
層構造では、光の干渉作用を利用して実効的にＡｃ／Ａ
ａ≧１の条件を実現している。 【０００８】しかし、このようにマーク長記録方式に対
応させた相変化光記録媒体では、半透明反射層を設けた
ことによる放熱特性の低下に起因して、相変化光記録層
の熱負荷の増大により繰り返し記録回数が低下するとい
う問題が生じる。しかも、光照射時の熱応答時間が比較
的長くため、Ｌ／Ｇ記録を採用すると、隣接トラックの
記録マーク端部を消去（クロスイレーズ）しやすいとい
う問題が生じる。 【０００９】また、初期結晶化後の結晶組織と２回目以
降の消去後の結晶組織とが異なることによる問題も指摘
されている。特に、２回目以降の消去を経た後にオーバ
ーライトすると、記録マーク周辺には溶融後に結晶化し
たものと思われる粗大結晶組織が存在する。このため、
結晶組織の不均一性に伴うジッターの増加が問題とな
る。しかも、初期化直後と比較して、２回目以降の消去
後のオーバーライト記録時のＣ／Ｎは極端に低下するた
め、繰り返し記録回数が制限される原因となっている。 【００１０】このような２回目以降の消去後の結晶組織
を調整するために、下部保護層と相変化光記録層との界
面に凹凸を形成した相変化光記録媒体が知られている
（特開平６−１８０８６１号）。この相変化光記録媒体
では、下部保護層に凹凸を設けることにより相変化光記
録層との界面の面積を広くし結晶核の生成を容易にな
り、多数回の記録・消去を行なっても結晶部の結晶粒子
サイズを安定させることができる。 【００１１】しかし、この相変化光記録媒体を製造する
には、保護層をスパッタリングにより形成した後、マス
クを設けてドライエッチングすることにより凹凸を形成
する必要があり、製造工程が複雑になるという問題があ
った。 【００１２】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、記録
マークエッジ部の乱れが少なく、マークエッジ記録に適
した高密度記録が可能な相変化光記録媒体を提供するこ
とにある。 【００１３】 【課題を解決するための手段】本発明の相変化光記録媒
体は、光照射により結晶状態と非晶質状態の２つの状態
間を遷移する相変化光記録層を具備した相変化光記録媒
体において、相変化光記録層に隣接して、５〜１００ｎ
ｍの粒子サイズを有する金属粒子を誘電体中に２〜２０
％の体積分率で分散させた混合膜からなり、相変化光記
録層の結晶粒子サイズを制御する作用を有するシード層
を設けたことを特徴とするものである。 【００１４】 【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の相変化光記録媒体を構成する相変化光記
録層には、光照射によって結晶状態と非晶質状態間を可
逆的に遷移し、両状態間で光学的特性が異なる材料が用
いられる。具体的には、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、
ＳｎＳｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｎ、ＩｎＳｅＴｌＣｏなどが
挙げられる。相変化光記録層の結晶粒子の面積は最小記
録マーク面積の１／２０以下に維持されることが好まし
い。このため、相変化光記録層の結晶粒子サイズは５〜
１００ｎｍ、さらに５〜５０ｎｍに維持されることが好
ましい。 【００１５】本発明の相変化光記録媒体において、相変
化光記録層に隣接して相変化光記録層の結晶粒子サイズ
を制御する作用を有するシード層を設ける。シード層
は、相変化光記録層のいずれか一方の面に隣接して設け
てもよいし、両面に隣接して設けてもよい。このシード
層は、金属粒子を誘電体中に分散させた混合膜からなっ
ている。シード層は記録層材料より高い融点を持ち、レ
ーザー光の照射により溶融および再結晶化しないことが
要求される。相変化光記録層の結晶粒子サイズを上記の
範囲に制御するためには、シード層中の金属粒子の粒子
サイズも５〜１００ｎｍ、さらに５〜５０ｎｍであるこ
とが好ましい。 【００１６】また、相変化光記録層は記録時に急熱急
冷、消去時に徐熱徐冷されるので、シード層は熱伝導の
制御性に優れていることが好ましい。さらに、相変化光
記録層の非晶質部と結晶部の光吸収率の比がＡｃ／Ａａ
≧１という条件を満たすように、シード層は光学定数の
制御性にも優れていることが好ましい。 【００１７】これらの観点から、シード層を構成する金
属粒子および誘電体に好適な材料としては以下のような
ものが挙げられる。金属粒子としては、比較的融点が高
い金属または合金が好ましい。具体的には、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａからなる群より選択される１種
以上が用いられる。誘電体としては、酸化物系セラミッ
クス例えばＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｃ
ｅＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｖ2 Ｏ5 、ＣａＯ；窒化物系セラミ
ックス例えばＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＢＮ、ＴｉＮ、Ｖ
Ｎ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＺｒＮ；炭化物系セラミ
ックス例えばＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＶＣ、ＴａＣ、
ＮｂＣ、ＷＣ、Ｂ4 Ｃ、ＳｉＣ；その他ＺｎＳ、ＳＩＡ
ＬＯＮ（サイアロン）からなる群より選択される１種以
上が用いられる。 【００１８】金属粒子は熱伝導率を高くし、誘電体は熱
伝導率を低くするので、両者の比率を調整することによ
りシード層の熱伝導率を調整でき、同時に光学定数も調
整できる。所望の熱伝導率および光学定数を得るために
は、シード層中の金属粒子の体積分率は２〜２０％であ
ることが好ましい。 【００１９】本発明におけるシード層を形成するには以
下のような方法が用いられる。例えば、金属ターゲット
および誘電体ターゲットを同時または交互にスパッタす
る方法；複数の金属材料からなるターゲットを用い、酸
素、窒素または炭素を含有する不活性ガス（Ａｒ、Ｎ
ｅ、Ｋｒなど）雰囲気中において、同時または交互にス
パッタする方法などを用いることができる。いずれの方
法でも、別個のターゲットを用いてもよいし、複合ター
ゲットを用いてもよい。これらの方法において、投入電
力、到達圧力、スパッタ圧力、反応性ガス種、基板バイ
アス、基板温度、添加物などのプロセスパラメーターを
選択・制御することにより、シード層中の金属粒子の粒
子サイズおよび体積分率ならびにシード層の熱伝導率お
よび光学定数を制御できる。 【００２０】本発明の相変化光記録媒体は、基板上に上
述した相変化光記録層およびシード層を含む種々の層を
積層した構造を有する。具体的には、以下のような積層
構造が挙げられる。 【００２１】例えば、基板上に、シード層、相変化光記
録層、上部保護層、反射層を形成した積層構造を採用す
ることができる。この場合、シード層の膜厚は１０〜２
０ｎｍとすることが好ましい。なお、基板とシード層と
の間または上部保護層と反射層との間に熱伝導率または
光吸収率を調整するための層を挿入してもよい。 【００２２】基板上に、下部保護層、相変化光記録層、
シード層、反射層を形成した積層構造としてもよい。こ
の場合、シード層の膜厚は５０〜２５０ｎｍとすること
が好ましい。なお、シード層の反射率を上げて、反射層
を省略してもよい。また、基板と下部保護層との間また
はシード層と反射層との間に熱伝導率または光吸収率を
調整するための層を挿入してもよい。 【００２３】基板上に、第１シード護層、相変化光記録
層、第２シード層、反射層を形成した積層構造としても
よい。この場合、第１シード層の膜厚は２０〜２００ｎ
ｍ、第２シード層の膜厚は５０〜２００ｎｍとすること
が好ましい。なお、第２シード層の反射率を上げて、反
射層を省略してもよい。また、基板と第１シード層との
間または第２シード層と反射層との間に熱伝導率または
光吸収率を調整するための層を挿入してもよい。 【００２４】基板の材料としては、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）など
を用いることができる。基板の表面にはトラッキングガ
イド用のグルーブが設けられる。 【００２５】保護層の材料としては、酸化物、窒化物、
炭化物、ホウ化物、硫化物もしくはフッ化物またはこれ
らの混合物からなる誘電体を用いることができる。反射
層は、半透明反射層でも全反射層でもよい。半透明反射
層としては、Ａｌ、ＡｕもしくはＣｕまたはこれらを含
有する合金を用い、光透過性を示すように薄い膜厚に形
成したものが挙げられる。また、Ｓｉなど厚膜でも光透
過性のある材料を用いることもできる。全反射層として
は、Ａｌ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＭｏもしくはＣｕまたは
これらを含有する合金を用い、光透過性を示さないよう
に厚い膜厚に形成したものが挙げられる。 【００２６】本発明の相変化光記録媒体では、基板のそ
りを防止して記録再生動作を安定させるために、最上層
の上に上記基板と同様な材質からなる対向基板を接着し
てもよい。接着層には例えば紫外線硬化樹脂を用いるこ
とができる。 【００２７】 【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 図１に本実施例における相変化光記録媒体の断面図を示
す。ポリカーボネート基板１１上に、ＡｕをＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 中に分散させた混合膜からなるシード層１２、Ｇ
ｅＳｂＴｅからなる相変化光記録層１３、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 からなる保護層１４、Ａｕからなる反射層１５が順
次形成されている。 【００２８】この相変化光記録媒体は以下のようにして
作製された。グルーブ付きポリカーボネート基板１１を
多元スパッタ装置内の基板ホルダーに装着し、装置内を
真空排気した後、Ａｒガスを導入した。基板ホルダーを
自公転させながらスパッタリングを行い、各層を順次形
成した。まず、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットとＡｕター
ゲットにそれぞれＲＦ電力とＤＣ電力を投入して２元同
時スパッタリングを行い、基板１１上に膜厚５０〜２０
０ｎｍのシード層１２を形成した。このとき、両ターゲ
ットへの投入電力や膜厚を調整することにより、シード
層１２の金属／誘電体の混合比を変化させ、光学定数、
熱伝導率、金属粒子の粒径、粒子間隔を制御した。な
お、粒径や粒子間隔は、基板へのバイアスパワー調整
や、基板温度調整などで制御することもできる。次に、
ＧｅＳｂＴｅターゲットにＲＦ電力を投入してスパッタ
リングを行い、シード層１２上に膜厚１０ｎｍの相変化
光記録層１３を形成した。ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット
にＲＦ電力を投入してスパッタリングを行い、相変化光
記録層１３上に膜厚２００ｎｍの保護層１４を形成し
た。最後に、ＡｕターゲットにＤＣ電力を投入してスパ
ッタリングを行い、保護層１４上に膜厚５０ｎｍの反射
層１５を形成した。 【００２９】上記の方法で、種々の粒子サイズ、粒子間
隔、光学特性、熱伝導率を持つシード層１２を形成し、
相変化光記録媒体を作製した。得られた相変化光記録媒
体について下記に示す条件で記録／再生特性を評価し
た。また、評価が終了した媒体に対しては、シード層と
相変化光記録層の構造を調べるために、サンプル加工を
施した後、ＴＥＭ観察を実施した。 【００３０】記録／再生条件 光源波長：６８５ｎｍ 対物レンズＮＡ：０．６ トラックピッチ：０．７μｍ 最短マーク長：０．４μｍ 線速度：６ｍ／ｓ 変調符号：８／１６変調 ウィンドウ幅：３６ｎｓ 上記の条件では最小マークの面積は０．１９μｍ2 とな
る。 【００３１】図２に、ＴＥＭ観察によるシード層の粒子
サイズと初期結晶化後の相変化光記録層の結晶粒子サイ
ズとの関係を示す。相変化光記録層の結晶粒子サイズ
は、シード層の粒子サイズよりやや大きな値を示してい
るが、両者はよく比例しており、相変化光記録層の結晶
粒子サイズがシード層の粒子サイズに依存していること
が明らかになった。 【００３２】図３に、相変化光記録層の結晶粒子サイズ
とジッターとの関係を示す。ここで表示しているジッタ
ーは、ウィンドウ幅に対するエッジ位置におけるジッタ
ーの比率として定義している。図３から明らかなよう
に、相変化光記録層の結晶粒子サイズが１００ｎｍ以下
ではジッターは１５％以下となり、特に５０ｎｍ以下
（最小マークに対する面積比率約２％以下）では３％前
後の非常に良好な特性を示している。 【００３３】比較のために、ポリカーボネート基板上
に、膜厚１００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 、膜厚１５ｎｍ
のＧｅＳｂＴｅ、膜厚２００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 、
膜厚５０ｎｍのＡｕを形成して従来の相変化光記録媒体
を作製した。この相変化光記録媒体を上記と同一の条件
で評価したところ、ジッターは平均して１０％であっ
た。 【００３４】以上のように、本発明における相変化光記
録媒体において、シード層は相変化光記録層の結晶粒子
サイズの制御に非常に有効であり、その結果として非常
に良好なジッター特性を得ることができる。 【００３５】実施例２ 図４に本実施例における相変化光記録媒体の断面図を示
す。ポリカーボネート基板２１上に、ＺｎＳ−ＳＩＡＬ
ＯＮからなる保護層２２、ＩｎＳｂＴｅからなる相変化
光記録層２３、ＡｌをＺｎＳ−ＳｉＯ2 中に分散させた
混合膜からなるシード層２４、ＡｌＭｏからなる反射層
２５が順次形成されている。 【００３６】この相変化光記録媒体は、実施例１と同様
の操作で作製された。グルーブ付きポリカーボネート基
板２１を多元スパッタ装置内の基板ホルダーに装着し、
装置内を真空排気した後、Ａｒガスを導入した。基板ホ
ルダーを自公転させながらスパッタリングを行い、各層
を順次形成した。まず、ＺｎＳ−ＳＩＡＬＯＮターゲッ
トにＲＦ電力を投入してスパッタリングを行い、基板２
１上に膜厚２２０ｎｍの保護層２２を形成した。次に、
ＩｎＳｂＴｅターゲットにＲＦ電力を投入してスパッタ
リングを行い、保護層２２上に膜厚１５ｎｍの相変化光
記録層２３を形成した。ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットと
ＡｌターゲットにそれぞれＲＦ電力とＤＣ電力を投入し
て２元同時スパッタリングを行い、相変化光記録層１３
上に膜厚５０〜２００ｎｍのシード層２４を形成した。
このとき、両ターゲットへの投入電力や膜厚を調整する
ことにより、シード層２４の金属／誘電体の混合比を変
化させ、光学定数、熱伝導率、金属粒子の粒径、粒子間
隔を制御した。なお、粒径や粒子間隔は、基板へのバイ
アスパワー調整や、基板温度調整などで制御することも
できる。最後に、ＡｌＭｏターゲットにＤＣ電力を投入
してスパッタリングを行い、シード層２４上に膜厚７０
ｎｍの反射層２５を形成した。 【００３７】得られた相変化光記録媒体について実施例
１と同一の条件で記録／再生評価およびＴＥＭ観察を行
った。図５に、相変化光記録層の結晶粒子サイズとジッ
ターとの関係を示す。図５から明らかなように、相変化
光記録層の結晶粒子サイズが１００ｎｍ以下ではジッタ
ーは１２％以下となり、特に５０ｎｍ以下（最小マーク
に対する面積比率約２％以下）では３％前後の非常に良
好な特性を示している。 【００３８】以上のように、本発明における相変化光記
録媒体において、シード層を相変化光記録層に対して反
射層の側に設けた場合でも非常に良好なジッター特性を
得ることができる。 【００３９】実施例３ 図６に本実施例における相変化光記録媒体の断面図を示
す。ポリカーボネート基板３１上に、ＡｌをＳｉ3 Ｎ4
中に分散させた混合膜からなる第１シード層３２、Ｇｅ
ＳｂＴｅからなる相変化光記録層３３、ＣｏをＺｎＳ中
に分散させた混合膜からなる第２シード層３４が順次形
成されている。 【００４０】この相変化光記録媒体は、実施例１と同様
の操作で作製された。グルーブ付きポリカーボネート基
板３１を多元スパッタ装置内の基板ホルダーに装着し、
装置内を真空排気した後、Ａｒガスを導入した。基板ホ
ルダーを自公転させながらスパッタリングを行い、各層
を順次形成した。まず、Ｓｉ3 Ｎ4 ターゲットとＡｌタ
ーゲットにＲＦ電力を投入してスパッタリングを行い、
基板３１上に膜厚１５０ｎｍの第１シード層３２を形成
した。次に、ＧｅＳｂＴｅターゲットにＲＦ電力を投入
してスパッタリングを行い、第１シード層３２上に膜厚
１３ｎｍの相変化光記録層３３を形成した。最後に、Ｚ
ｎＳターゲットとＣｏターゲットにそれぞれＲＦ電力と
ＤＣ電力を投入して２元同時スパッタリングを行い、相
変化光記録層１３上に膜厚５０〜２００ｎｍの第２シー
ド層３４を形成した。このとき、両ターゲットへの投入
電力や膜厚を調整することにより、第２シード層３４の
金属／誘電体の混合比を変化させ、光学定数、熱伝導
率、金属粒子の粒径、粒子間隔を制御した。なお、粒径
や粒子間隔は、基板へのバイアスパワー調整や、基板温
度調整などで制御することもできる。 【００４１】得られた相変化光記録媒体について実施例
１と同一の条件で記録／再生評価およびＴＥＭ観察を行
った。図７に、相変化光記録層の結晶粒子サイズとジッ
ターとの関係を示す。図７から明らかなように、相変化
光記録層の結晶粒子サイズが１００ｎｍ以下ではジッタ
ーは１０％以下となり、特に５０ｎｍ以下（最小マーク
に対する面積比率約２％以下）では４％前後の非常に良
好な特性を示している。 【００４２】以上のように、本発明における相変化光記
録媒体において、シード層を相変化光記録層の両面に設
け、反射層を設けない構成でも非常に良好なジッター特
性を得ることができる。 【００４３】 【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、マ
ーク長記録において微小記録マークを形成した場合で
も、マークエッジの乱れが小さくジッター特性が良好な
相変化光記録媒体を提供できる。
て情報の記録・再生を行う相変化光記録媒体に関する。 【０００２】 【従来の技術】光記録媒体は、大容量性、高速アクセス
性、媒体可搬性を兼ね備えた大容量記憶メディアとし
て、昨今のパーソナルコンピューターの隆盛を支えてい
る。なかでも相変化光記録媒体は動作原理が単純なこと
から実用化が急速に進んでいる。相変化光記録媒体の原
理は以下のようなものである。すなわち記録時には、相
変化光記録層に比較的高出力で短パルスのレーザービー
ムを照射して記録部位を融点以上に加熱した後、急冷し
て非晶質の記録マークを形成する。再生時には、記録部
位の反射率変化を検出することにより記録情報を読み取
る。消去時には、相変化記録層に記録時よりも低出力で
長パルスのレーザービームを照射した後、徐冷して結晶
化温度以上融点未満に保持することにより結晶化する。 【０００３】以上のように相変化光記録媒体では、非晶
質−結晶質の反射率変化を読み取るため、光学系の構造
が簡単である。また、光磁気記録媒体のように磁界を必
要とせず、光強度変調による重ね書き（オーバーライ
ト）が容易で、データ転送速度が速いという特徴も持っ
ている。さらに、ＣＤ−ＲＯＭをはじめとする再生専用
媒体との互換性にも優れている。 【０００４】相変化光記録媒体の記録密度を向上させる
ためには、記録マーク間隔を短くする、記録マークを小
さくする、などが考えられる。このうち、記録マーク間
隔を短くするためには、ランド／グルーブ記録（Ｌ／Ｄ
記録）やマーク長記録などが提案されている。Ｌ／Ｇ記
録は、グルーブの深さをレーザー波長の１／６程度に設
定してクロストークを低減することによりランドおよび
グルーブへの記録を可能にするもので、従来のランドま
たはグルーブのみに記録する方式に比較して約２倍の高
密度化が期待できる。マーク長記録は、記録マークエッ
ジ部の反射率変化（反射率の微分成分）を検出するもの
で、従来のマークポジション記録に比べて約１．５倍の
高密度化が期待できる。このような高密度化記録技術に
加えて、ＲＯＭ媒体などに対して提案されている超解像
技術を用いれば、現状で６５０Ｍｂｐｓｉ（ｂｉｔ／ｉ
ｎｃｈ2 ）の記録密度を１０〜２０倍向上させることが
可能であると予想されている。 【０００５】マーク長記録により記録密度の向上を達成
するためには、マークエッジ位置を正確に決定する必要
がある。しかし、基板上に下部保護層、相変化光記録
層、上部保護層、全反射層を積層した４層構造の従来の
相変化光記録媒体ではマークエッジ位置の変動が大き
く、ジッターの増加を招くため、期待されるほど線記録
密度を向上させることができない。 【０００６】従来の相変化光記録媒体においてマークエ
ッジが変動する原因の一つは、非晶質部の光吸収率（Ａ
ａ）の方が結晶部の光吸収率（Ａｃ）よりも高いことに
よるものである。すなわち、Ａａ＞Ａｃという条件での
オーバーライトを考えると、結晶部は光吸収率が小さい
ため温度上昇が少ないうえに溶融潜熱を要することか
ら、非晶質部と比較して溶融しにくい。このため、オー
バーライトする領域が結晶状態および非晶質状態のうち
どちらであるかによって、新たに形成される記録マーク
のサイズが異なってしまう。 【０００７】以上のようなオーバーライト記録時のマー
クエッジ部の乱れを抑制するためには、結晶部の溶融潜
熱も考慮して、Ａａ≦Ａｃ、すなわちＡｃ／Ａａ≧１と
いう条件を満たすことが好ましい。Ａｃ／Ａａ≧１の条
件を実現するためには、上述した下部保護層、相変化光
記録層、上部保護層、全反射層という４層構造に代え
て、相変化光記録媒体の積層構造を改良することが提案
されている。例えば、上部保護層上に全反射層の代わり
に半透明反射層を設けた積層構造が知られている（ＩＳ
ＯＭ／ＯＤＳ−ｊｏｉｎｔ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ，
ｐ．７１（Ｔｈ．３．５））。この積層構造は、半透明
反射層で一部の光を透過させることにより、実効的にＡ
ｃ／Ａａ≧１の条件を実現するものである。また、基板
と下部保護層との間に半透明反射層を挿入した積層構造
が知られている（ＵＳＰ５，４３１，９７８）。この積
層構造では、光の干渉作用を利用して実効的にＡｃ／Ａ
ａ≧１の条件を実現している。 【０００８】しかし、このようにマーク長記録方式に対
応させた相変化光記録媒体では、半透明反射層を設けた
ことによる放熱特性の低下に起因して、相変化光記録層
の熱負荷の増大により繰り返し記録回数が低下するとい
う問題が生じる。しかも、光照射時の熱応答時間が比較
的長くため、Ｌ／Ｇ記録を採用すると、隣接トラックの
記録マーク端部を消去（クロスイレーズ）しやすいとい
う問題が生じる。 【０００９】また、初期結晶化後の結晶組織と２回目以
降の消去後の結晶組織とが異なることによる問題も指摘
されている。特に、２回目以降の消去を経た後にオーバ
ーライトすると、記録マーク周辺には溶融後に結晶化し
たものと思われる粗大結晶組織が存在する。このため、
結晶組織の不均一性に伴うジッターの増加が問題とな
る。しかも、初期化直後と比較して、２回目以降の消去
後のオーバーライト記録時のＣ／Ｎは極端に低下するた
め、繰り返し記録回数が制限される原因となっている。 【００１０】このような２回目以降の消去後の結晶組織
を調整するために、下部保護層と相変化光記録層との界
面に凹凸を形成した相変化光記録媒体が知られている
（特開平６−１８０８６１号）。この相変化光記録媒体
では、下部保護層に凹凸を設けることにより相変化光記
録層との界面の面積を広くし結晶核の生成を容易にな
り、多数回の記録・消去を行なっても結晶部の結晶粒子
サイズを安定させることができる。 【００１１】しかし、この相変化光記録媒体を製造する
には、保護層をスパッタリングにより形成した後、マス
クを設けてドライエッチングすることにより凹凸を形成
する必要があり、製造工程が複雑になるという問題があ
った。 【００１２】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、記録
マークエッジ部の乱れが少なく、マークエッジ記録に適
した高密度記録が可能な相変化光記録媒体を提供するこ
とにある。 【００１３】 【課題を解決するための手段】本発明の相変化光記録媒
体は、光照射により結晶状態と非晶質状態の２つの状態
間を遷移する相変化光記録層を具備した相変化光記録媒
体において、相変化光記録層に隣接して、５〜１００ｎ
ｍの粒子サイズを有する金属粒子を誘電体中に２〜２０
％の体積分率で分散させた混合膜からなり、相変化光記
録層の結晶粒子サイズを制御する作用を有するシード層
を設けたことを特徴とするものである。 【００１４】 【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の相変化光記録媒体を構成する相変化光記
録層には、光照射によって結晶状態と非晶質状態間を可
逆的に遷移し、両状態間で光学的特性が異なる材料が用
いられる。具体的には、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、
ＳｎＳｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｎ、ＩｎＳｅＴｌＣｏなどが
挙げられる。相変化光記録層の結晶粒子の面積は最小記
録マーク面積の１／２０以下に維持されることが好まし
い。このため、相変化光記録層の結晶粒子サイズは５〜
１００ｎｍ、さらに５〜５０ｎｍに維持されることが好
ましい。 【００１５】本発明の相変化光記録媒体において、相変
化光記録層に隣接して相変化光記録層の結晶粒子サイズ
を制御する作用を有するシード層を設ける。シード層
は、相変化光記録層のいずれか一方の面に隣接して設け
てもよいし、両面に隣接して設けてもよい。このシード
層は、金属粒子を誘電体中に分散させた混合膜からなっ
ている。シード層は記録層材料より高い融点を持ち、レ
ーザー光の照射により溶融および再結晶化しないことが
要求される。相変化光記録層の結晶粒子サイズを上記の
範囲に制御するためには、シード層中の金属粒子の粒子
サイズも５〜１００ｎｍ、さらに５〜５０ｎｍであるこ
とが好ましい。 【００１６】また、相変化光記録層は記録時に急熱急
冷、消去時に徐熱徐冷されるので、シード層は熱伝導の
制御性に優れていることが好ましい。さらに、相変化光
記録層の非晶質部と結晶部の光吸収率の比がＡｃ／Ａａ
≧１という条件を満たすように、シード層は光学定数の
制御性にも優れていることが好ましい。 【００１７】これらの観点から、シード層を構成する金
属粒子および誘電体に好適な材料としては以下のような
ものが挙げられる。金属粒子としては、比較的融点が高
い金属または合金が好ましい。具体的には、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａからなる群より選択される１種
以上が用いられる。誘電体としては、酸化物系セラミッ
クス例えばＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｃ
ｅＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｖ2 Ｏ5 、ＣａＯ；窒化物系セラミ
ックス例えばＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＢＮ、ＴｉＮ、Ｖ
Ｎ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＺｒＮ；炭化物系セラミ
ックス例えばＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＶＣ、ＴａＣ、
ＮｂＣ、ＷＣ、Ｂ4 Ｃ、ＳｉＣ；その他ＺｎＳ、ＳＩＡ
ＬＯＮ（サイアロン）からなる群より選択される１種以
上が用いられる。 【００１８】金属粒子は熱伝導率を高くし、誘電体は熱
伝導率を低くするので、両者の比率を調整することによ
りシード層の熱伝導率を調整でき、同時に光学定数も調
整できる。所望の熱伝導率および光学定数を得るために
は、シード層中の金属粒子の体積分率は２〜２０％であ
ることが好ましい。 【００１９】本発明におけるシード層を形成するには以
下のような方法が用いられる。例えば、金属ターゲット
および誘電体ターゲットを同時または交互にスパッタす
る方法；複数の金属材料からなるターゲットを用い、酸
素、窒素または炭素を含有する不活性ガス（Ａｒ、Ｎ
ｅ、Ｋｒなど）雰囲気中において、同時または交互にス
パッタする方法などを用いることができる。いずれの方
法でも、別個のターゲットを用いてもよいし、複合ター
ゲットを用いてもよい。これらの方法において、投入電
力、到達圧力、スパッタ圧力、反応性ガス種、基板バイ
アス、基板温度、添加物などのプロセスパラメーターを
選択・制御することにより、シード層中の金属粒子の粒
子サイズおよび体積分率ならびにシード層の熱伝導率お
よび光学定数を制御できる。 【００２０】本発明の相変化光記録媒体は、基板上に上
述した相変化光記録層およびシード層を含む種々の層を
積層した構造を有する。具体的には、以下のような積層
構造が挙げられる。 【００２１】例えば、基板上に、シード層、相変化光記
録層、上部保護層、反射層を形成した積層構造を採用す
ることができる。この場合、シード層の膜厚は１０〜２
０ｎｍとすることが好ましい。なお、基板とシード層と
の間または上部保護層と反射層との間に熱伝導率または
光吸収率を調整するための層を挿入してもよい。 【００２２】基板上に、下部保護層、相変化光記録層、
シード層、反射層を形成した積層構造としてもよい。こ
の場合、シード層の膜厚は５０〜２５０ｎｍとすること
が好ましい。なお、シード層の反射率を上げて、反射層
を省略してもよい。また、基板と下部保護層との間また
はシード層と反射層との間に熱伝導率または光吸収率を
調整するための層を挿入してもよい。 【００２３】基板上に、第１シード護層、相変化光記録
層、第２シード層、反射層を形成した積層構造としても
よい。この場合、第１シード層の膜厚は２０〜２００ｎ
ｍ、第２シード層の膜厚は５０〜２００ｎｍとすること
が好ましい。なお、第２シード層の反射率を上げて、反
射層を省略してもよい。また、基板と第１シード層との
間または第２シード層と反射層との間に熱伝導率または
光吸収率を調整するための層を挿入してもよい。 【００２４】基板の材料としては、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）など
を用いることができる。基板の表面にはトラッキングガ
イド用のグルーブが設けられる。 【００２５】保護層の材料としては、酸化物、窒化物、
炭化物、ホウ化物、硫化物もしくはフッ化物またはこれ
らの混合物からなる誘電体を用いることができる。反射
層は、半透明反射層でも全反射層でもよい。半透明反射
層としては、Ａｌ、ＡｕもしくはＣｕまたはこれらを含
有する合金を用い、光透過性を示すように薄い膜厚に形
成したものが挙げられる。また、Ｓｉなど厚膜でも光透
過性のある材料を用いることもできる。全反射層として
は、Ａｌ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＭｏもしくはＣｕまたは
これらを含有する合金を用い、光透過性を示さないよう
に厚い膜厚に形成したものが挙げられる。 【００２６】本発明の相変化光記録媒体では、基板のそ
りを防止して記録再生動作を安定させるために、最上層
の上に上記基板と同様な材質からなる対向基板を接着し
てもよい。接着層には例えば紫外線硬化樹脂を用いるこ
とができる。 【００２７】 【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 図１に本実施例における相変化光記録媒体の断面図を示
す。ポリカーボネート基板１１上に、ＡｕをＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 中に分散させた混合膜からなるシード層１２、Ｇ
ｅＳｂＴｅからなる相変化光記録層１３、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 からなる保護層１４、Ａｕからなる反射層１５が順
次形成されている。 【００２８】この相変化光記録媒体は以下のようにして
作製された。グルーブ付きポリカーボネート基板１１を
多元スパッタ装置内の基板ホルダーに装着し、装置内を
真空排気した後、Ａｒガスを導入した。基板ホルダーを
自公転させながらスパッタリングを行い、各層を順次形
成した。まず、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットとＡｕター
ゲットにそれぞれＲＦ電力とＤＣ電力を投入して２元同
時スパッタリングを行い、基板１１上に膜厚５０〜２０
０ｎｍのシード層１２を形成した。このとき、両ターゲ
ットへの投入電力や膜厚を調整することにより、シード
層１２の金属／誘電体の混合比を変化させ、光学定数、
熱伝導率、金属粒子の粒径、粒子間隔を制御した。な
お、粒径や粒子間隔は、基板へのバイアスパワー調整
や、基板温度調整などで制御することもできる。次に、
ＧｅＳｂＴｅターゲットにＲＦ電力を投入してスパッタ
リングを行い、シード層１２上に膜厚１０ｎｍの相変化
光記録層１３を形成した。ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット
にＲＦ電力を投入してスパッタリングを行い、相変化光
記録層１３上に膜厚２００ｎｍの保護層１４を形成し
た。最後に、ＡｕターゲットにＤＣ電力を投入してスパ
ッタリングを行い、保護層１４上に膜厚５０ｎｍの反射
層１５を形成した。 【００２９】上記の方法で、種々の粒子サイズ、粒子間
隔、光学特性、熱伝導率を持つシード層１２を形成し、
相変化光記録媒体を作製した。得られた相変化光記録媒
体について下記に示す条件で記録／再生特性を評価し
た。また、評価が終了した媒体に対しては、シード層と
相変化光記録層の構造を調べるために、サンプル加工を
施した後、ＴＥＭ観察を実施した。 【００３０】記録／再生条件 光源波長：６８５ｎｍ 対物レンズＮＡ：０．６ トラックピッチ：０．７μｍ 最短マーク長：０．４μｍ 線速度：６ｍ／ｓ 変調符号：８／１６変調 ウィンドウ幅：３６ｎｓ 上記の条件では最小マークの面積は０．１９μｍ2 とな
る。 【００３１】図２に、ＴＥＭ観察によるシード層の粒子
サイズと初期結晶化後の相変化光記録層の結晶粒子サイ
ズとの関係を示す。相変化光記録層の結晶粒子サイズ
は、シード層の粒子サイズよりやや大きな値を示してい
るが、両者はよく比例しており、相変化光記録層の結晶
粒子サイズがシード層の粒子サイズに依存していること
が明らかになった。 【００３２】図３に、相変化光記録層の結晶粒子サイズ
とジッターとの関係を示す。ここで表示しているジッタ
ーは、ウィンドウ幅に対するエッジ位置におけるジッタ
ーの比率として定義している。図３から明らかなよう
に、相変化光記録層の結晶粒子サイズが１００ｎｍ以下
ではジッターは１５％以下となり、特に５０ｎｍ以下
（最小マークに対する面積比率約２％以下）では３％前
後の非常に良好な特性を示している。 【００３３】比較のために、ポリカーボネート基板上
に、膜厚１００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 、膜厚１５ｎｍ
のＧｅＳｂＴｅ、膜厚２００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 、
膜厚５０ｎｍのＡｕを形成して従来の相変化光記録媒体
を作製した。この相変化光記録媒体を上記と同一の条件
で評価したところ、ジッターは平均して１０％であっ
た。 【００３４】以上のように、本発明における相変化光記
録媒体において、シード層は相変化光記録層の結晶粒子
サイズの制御に非常に有効であり、その結果として非常
に良好なジッター特性を得ることができる。 【００３５】実施例２ 図４に本実施例における相変化光記録媒体の断面図を示
す。ポリカーボネート基板２１上に、ＺｎＳ−ＳＩＡＬ
ＯＮからなる保護層２２、ＩｎＳｂＴｅからなる相変化
光記録層２３、ＡｌをＺｎＳ−ＳｉＯ2 中に分散させた
混合膜からなるシード層２４、ＡｌＭｏからなる反射層
２５が順次形成されている。 【００３６】この相変化光記録媒体は、実施例１と同様
の操作で作製された。グルーブ付きポリカーボネート基
板２１を多元スパッタ装置内の基板ホルダーに装着し、
装置内を真空排気した後、Ａｒガスを導入した。基板ホ
ルダーを自公転させながらスパッタリングを行い、各層
を順次形成した。まず、ＺｎＳ−ＳＩＡＬＯＮターゲッ
トにＲＦ電力を投入してスパッタリングを行い、基板２
１上に膜厚２２０ｎｍの保護層２２を形成した。次に、
ＩｎＳｂＴｅターゲットにＲＦ電力を投入してスパッタ
リングを行い、保護層２２上に膜厚１５ｎｍの相変化光
記録層２３を形成した。ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットと
ＡｌターゲットにそれぞれＲＦ電力とＤＣ電力を投入し
て２元同時スパッタリングを行い、相変化光記録層１３
上に膜厚５０〜２００ｎｍのシード層２４を形成した。
このとき、両ターゲットへの投入電力や膜厚を調整する
ことにより、シード層２４の金属／誘電体の混合比を変
化させ、光学定数、熱伝導率、金属粒子の粒径、粒子間
隔を制御した。なお、粒径や粒子間隔は、基板へのバイ
アスパワー調整や、基板温度調整などで制御することも
できる。最後に、ＡｌＭｏターゲットにＤＣ電力を投入
してスパッタリングを行い、シード層２４上に膜厚７０
ｎｍの反射層２５を形成した。 【００３７】得られた相変化光記録媒体について実施例
１と同一の条件で記録／再生評価およびＴＥＭ観察を行
った。図５に、相変化光記録層の結晶粒子サイズとジッ
ターとの関係を示す。図５から明らかなように、相変化
光記録層の結晶粒子サイズが１００ｎｍ以下ではジッタ
ーは１２％以下となり、特に５０ｎｍ以下（最小マーク
に対する面積比率約２％以下）では３％前後の非常に良
好な特性を示している。 【００３８】以上のように、本発明における相変化光記
録媒体において、シード層を相変化光記録層に対して反
射層の側に設けた場合でも非常に良好なジッター特性を
得ることができる。 【００３９】実施例３ 図６に本実施例における相変化光記録媒体の断面図を示
す。ポリカーボネート基板３１上に、ＡｌをＳｉ3 Ｎ4
中に分散させた混合膜からなる第１シード層３２、Ｇｅ
ＳｂＴｅからなる相変化光記録層３３、ＣｏをＺｎＳ中
に分散させた混合膜からなる第２シード層３４が順次形
成されている。 【００４０】この相変化光記録媒体は、実施例１と同様
の操作で作製された。グルーブ付きポリカーボネート基
板３１を多元スパッタ装置内の基板ホルダーに装着し、
装置内を真空排気した後、Ａｒガスを導入した。基板ホ
ルダーを自公転させながらスパッタリングを行い、各層
を順次形成した。まず、Ｓｉ3 Ｎ4 ターゲットとＡｌタ
ーゲットにＲＦ電力を投入してスパッタリングを行い、
基板３１上に膜厚１５０ｎｍの第１シード層３２を形成
した。次に、ＧｅＳｂＴｅターゲットにＲＦ電力を投入
してスパッタリングを行い、第１シード層３２上に膜厚
１３ｎｍの相変化光記録層３３を形成した。最後に、Ｚ
ｎＳターゲットとＣｏターゲットにそれぞれＲＦ電力と
ＤＣ電力を投入して２元同時スパッタリングを行い、相
変化光記録層１３上に膜厚５０〜２００ｎｍの第２シー
ド層３４を形成した。このとき、両ターゲットへの投入
電力や膜厚を調整することにより、第２シード層３４の
金属／誘電体の混合比を変化させ、光学定数、熱伝導
率、金属粒子の粒径、粒子間隔を制御した。なお、粒径
や粒子間隔は、基板へのバイアスパワー調整や、基板温
度調整などで制御することもできる。 【００４１】得られた相変化光記録媒体について実施例
１と同一の条件で記録／再生評価およびＴＥＭ観察を行
った。図７に、相変化光記録層の結晶粒子サイズとジッ
ターとの関係を示す。図７から明らかなように、相変化
光記録層の結晶粒子サイズが１００ｎｍ以下ではジッタ
ーは１０％以下となり、特に５０ｎｍ以下（最小マーク
に対する面積比率約２％以下）では４％前後の非常に良
好な特性を示している。 【００４２】以上のように、本発明における相変化光記
録媒体において、シード層を相変化光記録層の両面に設
け、反射層を設けない構成でも非常に良好なジッター特
性を得ることができる。 【００４３】 【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、マ
ーク長記録において微小記録マークを形成した場合で
も、マークエッジの乱れが小さくジッター特性が良好な
相変化光記録媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１における相変化光記録媒体の
断面図。 【図２】本発明の実施例１におけるシード層の粒子サイ
ズと初期結晶化後の相変化光記録層の結晶粒子サイズと
の関係を示す図。 【図３】本発明の実施例１における相変化光記録層の結
晶粒子サイズとジッターとの関係を示す図。 【図４】本発明の実施例２における相変化光記録媒体の
断面図。 【図５】本発明の実施例２における相変化光記録層の結
晶粒子サイズとジッターとの関係を示す図。 【図６】本発明の実施例３における相変化光記録媒体の
断面図。 【図７】本発明の実施例３における相変化光記録層の結
晶粒子サイズとジッターとの関係を示す図。 【符号の説明】 １１…ポリカーボネート基板 １２…シード層 １３…相変化光記録層 １４…保護層 １５…反射層 ２１…ポリカーボネート基板 ２２…保護層 ２３…相変化光記録層 ２４…シード層 ２５…反射層 ３１…ポリカーボネート基板 ３２…第１シード層 ３３…相変化光記録層 ３４…第２シード層
断面図。 【図２】本発明の実施例１におけるシード層の粒子サイ
ズと初期結晶化後の相変化光記録層の結晶粒子サイズと
の関係を示す図。 【図３】本発明の実施例１における相変化光記録層の結
晶粒子サイズとジッターとの関係を示す図。 【図４】本発明の実施例２における相変化光記録媒体の
断面図。 【図５】本発明の実施例２における相変化光記録層の結
晶粒子サイズとジッターとの関係を示す図。 【図６】本発明の実施例３における相変化光記録媒体の
断面図。 【図７】本発明の実施例３における相変化光記録層の結
晶粒子サイズとジッターとの関係を示す図。 【符号の説明】 １１…ポリカーボネート基板 １２…シード層 １３…相変化光記録層 １４…保護層 １５…反射層 ２１…ポリカーボネート基板 ２２…保護層 ２３…相変化光記録層 ２４…シード層 ２５…反射層 ３１…ポリカーボネート基板 ３２…第１シード層 ３３…相変化光記録層 ３４…第２シード層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−158637（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−326073（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−113936（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−42654（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−244424（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 7/24
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 光照射により結晶状態と非晶質状態の２
つの状態間を遷移する相変化光記録層を具備した相変化
光記録媒体において、相変化光記録層に隣接して、５〜
１００ｎｍの粒子サイズを有する金属粒子を誘電体中に
２〜２０％の体積分率で分散させた混合膜からなり、相
変化光記録層の結晶粒子サイズを制御する作用を有する
シード層を設けたことを特徴とする相変化光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25926596A JP3474714B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 相変化光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25926596A JP3474714B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 相変化光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106027A JPH10106027A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3474714B2 true JP3474714B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=17331710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25926596A Expired - Fee Related JP3474714B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 相変化光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3474714B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7626915B2 (en) | 2004-12-15 | 2009-12-01 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical recording medium and recording and reproducing method thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100922870B1 (ko) * | 2002-09-28 | 2009-10-20 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 재생전용 광디스크 |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP25926596A patent/JP3474714B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7626915B2 (en) | 2004-12-15 | 2009-12-01 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical recording medium and recording and reproducing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10106027A (ja) | 1998-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07169094A (ja) | 光記録媒体 | |
| TW407271B (en) | Rewritable optical information medium | |
| US5631895A (en) | Optical information recording medium | |
| JP2000229479A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4018340B2 (ja) | 書換可能型光学情報媒体 | |
| KR100753968B1 (ko) | 다시 쓰기 가능한 광학 정보 기록매체 | |
| JP2002190112A (ja) | 光記録方法および光記録媒体 | |
| JP3474714B2 (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JPH11513166A (ja) | 可逆性光情報媒体 | |
| US20050276169A1 (en) | Optical recording method | |
| JPH03240590A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH05151619A (ja) | 光情報記録媒体及び記録方法 | |
| JP3080844B2 (ja) | 相変化型光ディスク | |
| JP3138661B2 (ja) | 相変化型光ディスク | |
| JPH11115315A (ja) | 光学情報記録媒体とその製造方法、及びこの媒体を用いた情報の記録再生方法 | |
| JP2002509633A (ja) | リライタブル光情報媒体 | |
| JPH08329521A (ja) | 光記録媒体 | |
| KR100910127B1 (ko) | 재기록가능한 광 저장매체와 이 매체의 용도 | |
| JP3523035B2 (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JP3532427B2 (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JPH07307036A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP2002260274A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JPH08249721A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2986897B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2000339750A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |