JP3473685B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JP3473685B2
JP3473685B2 JP33838299A JP33838299A JP3473685B2 JP 3473685 B2 JP3473685 B2 JP 3473685B2 JP 33838299 A JP33838299 A JP 33838299A JP 33838299 A JP33838299 A JP 33838299A JP 3473685 B2 JP3473685 B2 JP 3473685B2
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裕 小野
茂 橋田
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、対象物を2次元方
向に位置決めするXYステージを備えた半導体製造装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置には、例えば、プロー
バ、露光機、ウエハ検査装置等がある。プローバ、露光
機、ウエハ検査装置等はXYステージを備えている。プ
ローバでは、XYステージでウエハを2次元方向に位置
決めすることによって、検査箇所にプローブを当て、ウ
エハ上の半導体回路を検査する。露光機では、XYステ
ージでウエハを2次元方向に位置決めすることによっ
て、ウエハに光を当て、フォトエッチングによりチップ
上にパターンを形成する。ウエハ検査装置では、XYス
テージでウエハを2次元方向に位置決めすることによっ
て、ウエハをカメラで撮像し、ウエハにごみが付着して
いたり、きずが付いていないか等を検査する。
【0003】図7は従来における半導体製造装置に用い
るXYステージの構成例を示した図である。図7で、ス
ライダ部1にはウエハホルダ20が設けられている。ウ
エハホルダ20上に検査対象であるウエハ21が載せら
れている。ガイドバー2,3はプレート4上に引かれて
いて、X軸方向に延びている。支持部材5はスライダ部
1をガイドバー2,3に移動自在に支持する。モータ6
の出力軸にはねじ7が連結されている。部材8にねじ7
が螺合されている。部材8はスライダ部1に固定されて
いる。モータ6が回転駆動することによって、スライダ
部1はX軸方向に移動する。
【0004】ガイドバー9,10はプレート11に引か
れていて、Y軸方向に延びている。支持部材12はプレ
ート4をガイドバー9,10に移動自在に支持する。モ
ータ13の出力軸にはねじ14が連結されている。部材
15にねじ14が螺合されている。部材15はプレート
4に固定されている。モータ13が回転駆動することに
よって、プレート4はY軸方向に移動する。
【0005】このようにモータ6,13の回転駆動によ
って、スライダ部1はX,Y軸方向に位置決めされる。
スライダ部31を移動し、ウエハ21が位置固定された
プローブ(図示せず)に当たる位置に位置決めする。こ
の状態でスライダ部31を2次元方向に移動すると、位
置固定されたプローブがウエハ21の各チップに順番に
当てられ、各チップの検査が行われる。
【0006】しかし、図7の従来例では次の問題点があ
った。
【0007】(問題点1)図8に示すように、加工誤差
によりガイドバー9,10に曲がりがあると、プレート
4はガイドバー9,10に沿って移動したときにθ方向
に回転ずれが生じる。これをヨーイングとする。ヨーイ
ングによる角度ずれをΔθ、スライダ部1の支点からス
ライダ部1がある位置までのアーム長をLとすると、ス
ライダ部1の位置ずれΔY=L・Δθになる。このよう
に、ヨーイングによる角度ずれがアーム長で増幅されて
スライダ部1に位置誤差が生じる。
【0008】図7の従来例では、スライダ部1をθ方向
に制御できないため、ヨーイングによる誤差は加工精度
により決まる。このため、加工精度によっては位置決め
精度が悪くなるという問題点があった。
【0009】(問題点2)ねじ機構を設けているため、
バックラッシュ等によりスライダ部1に位置ずれが生
じ、位置決め精度が悪くなるという問題点があった。
【0010】(問題点3)Y軸方向への移動機構の上に
X軸方向への移動機構が載せられ、さらにその上にスラ
イダ部1が載せられているため、構成が大型化する。
【0011】他の従来例として、スライダ部1の上にモ
ータを搭載し、X軸方向とY軸方向の位置制御だけでな
くθ方向の位置制御を行うXYステージがあった。しか
し、このXYステージでは図7の従来例よりも更に構成
が大型で複雑になる。
【0012】ウエハに形成された半導体回路が高集積化
されるのに伴って、高精度な位置決めが要求される。し
かし、従来例では十分な位置決め精度が得られないこと
あった。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】本発明は上述した問題点を解決するために
なされたものであり、圧縮空気を用いてスライダ部を浮
揚させた状態で位置制御を行うとともに、2つのX軸モ
ータと1つのY軸モータを用いてX軸方向とY軸方向だ
けでなくθ方向の位置制御も行うXYステージを搭載す
ることにより、高精度な位置決めが可能で、しかもXY
ステージを小型化できる半導体製造装置を実現すること
を目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は次のとおりの構
成になった半導体製造装置である。
【0016】(1)対象物を2次元方向に位置決めする
XYステージを備えた半導体製造装置であって、このX
Yステージは、X軸方向及びY軸方向に沿って一定ピッ
チで歯が形成された格子プラテンと、前記対象物ととも
にX軸方向及びY軸方向に移動自在なスライダ部と、こ
のスライダ部を前記格子プラテン上に浮揚させる浮揚手
段と、前記スライダ部をX軸方向にそれぞれ移動させる
第1及び第2のX軸モータと、前記スライダ部をY軸方
向に移動させるY軸モータと、前記スライダ部のX軸方
向位置を検出する第1及び第2のX軸センサと、前記ス
ライダ部のY軸方向位置を検出するY軸センサと、前記
第1及び第2のX軸センサの位置検出信号をもとに、ス
ライダ部のX軸方向の位置をフィードバック制御すると
ともに、ヨーイング方向の位置をフィードバック制御す
るXθ位置制御部と、前記Y軸センサの位置検出信号を
もとにスライダ部のY軸方向の位置をフィードバック制
御を行うY軸位置制御部と、を有することを特徴とする
2次元位置決め装置。
【0017】(2)前記半導体製造装置は、前記スライ
ダ部を位置制御してウエハをプローブに当たる位置に位
置決めし、ウエハにプローブを当てて検査を行うプロー
バであることを特徴とする(1)記載の半導体製造装
置。
【0018】(3)前記半導体製造装置は、前記スライ
ダ部を位置制御してウエハをカメラが撮像できる位置に
位置決めし、ウエハをカメラで撮像して検査するウエハ
検査装置であることを特徴とする(1)記載の半導体製
造装置。 (4)前記半導体製造装置は、前記スライダ部を位置制
御してウエハを光源の光が当たる位置に位置決めし、ウ
エハ上にフォトエッチングを施してパターンを形成する
露光機であることを特徴とする(1)記載の半導体製造
装置。
【0019】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明を詳しく
説明する。図1は本発明の半導体製造装置に適用される
XYステージの構成例を示した図である。図1で、格子
プラテン30は、磁性体で構成されていて、X軸方向及
びY軸方向に沿って一定ピッチで歯が形成されている。
図では簡略化のため一部の歯だけを示している。スライ
ダ部31には位置決めの対象物が載せられる。浮揚手段
32は、スライダ部31を格子プラテン30上に浮揚さ
せる。スライダ部31の格子プラテン30と対向する面
にはノズルが設けられていて、このノズルから浮揚手段
32が圧縮空気を噴出させることによって、浮上力を得
ている。
【0020】Y軸モータ33は、スライダ部31に搭載
され、Y軸方向に一定ピッチで歯332が形成されてい
る。Y軸モータ33は、歯332と格子プラテン30の
歯301との間に磁気吸引力を生じさせてスライダ部を
Y軸方向に移動させる。X軸モータ34,35は、スラ
イダ部31の中心に対して対称な位置にそれぞれ搭載さ
れている。X軸モータ34,35は、X軸方向に一定ピ
ッチで歯341,351が形成されている。X軸モータ
34,35は、歯341,351と歯301との間に磁
気吸引力を生じさせてスライダ部をX軸方向に移動させ
る。
【0021】連結部材311,312はY軸モータ33
とX軸モータ34,35を連結する。X軸ミラー36
は、格子プラテン30の側面に装着され、Y軸方向に鏡
面が形成されている。Y軸ミラー37は、格子プラテン
30の側面に装着され、X軸方向に鏡面が形成されてい
る。
【0022】Y軸センサ38は、Y軸モータ33に搭載
されていて、Y軸ミラー37に光を照射し、その反射光
を受け、光の干渉を利用してスライダ部31のY軸方向
の位置を検出するレーザ干渉計である。X軸センサ39
及び40は、X軸モータ34及び35にそれぞれ搭載さ
れていて、X軸ミラー36に光を照射し、その反射光を
受け、光の干渉を利用してスライダ部31のY軸方向の
位置を検出するレーザ干渉計である。
【0023】位置制御部50は、X軸方向、Y軸方向及
びθ方向の位置指令値と、Y軸センサ38とX軸センサ
39,20の検出位置をもとにスライダ部31の位置を
フィードバック制御する。
【0024】X軸モータ34,35が推力Fxを発生す
ると、スライダ部11はX方向に移動する。X軸モータ
34が推力−Fxを発生し、X軸モータ35が推力Fx
を発生すると、スライダ部11はθ1方向に回転する。
Y軸モータ33が推力Fyを発生すると、スライダ部1
1はY方向に移動する。
【0025】図2は図1のXYステージにあるサーボ制
御系の構成図である。図2で図1と同一のものは同一符
号を付ける。
【0026】図1で、X軸センサ39は、スライダ部の
移動方向を判別し、判別した方向に応じてアップパルス
またはダウンパルスを発生する。発生パルス数はスライ
ダ部の移動量に応じた数になる。アップダウンカウンタ
500はアップパルスまたはダウンパルスに応じてアッ
プカウントまたはダウンカウントを行う。アップダウン
カウンタ500のカウントがスライダ部の検出位置にな
る。X軸センサ39の具体的構成については後述する。
【0027】補正手段501は、ミラーの曲がりに依存
するスライダ部の位置とスライダ部のヨーイングを除去
するための補正量を対応させた補正テーブル502を保
持している。補正手段501は、与えられた指令位置を
もとに補正テーブル502から補正量を読み出し、読み
出した補正量でアップダウンカウンタ500の検出位置
を補正する。補正テーブル502のデータはキャリブレ
ーションによって得たデータである。補正手段501
は、図1のX軸ミラー36とY軸ミラー37の機械的誤
差による曲がりを補正するために設けられている。X軸
ミラー36とY軸ミラー37の曲がりが位置検出に影響
しない程度の曲がりであれば、補正手段501は設けな
くてもよい。
【0028】X軸センサ40についてもX軸センサ39
と同様にアップダウンカウンタ503、補正手段50
4、補正テーブル505が設けられている。変換回路5
06は、補正手段501及び504から得たX軸方向の
検出位置X1及びX2の信号を受け、これらの信号をス
ライダ部中心のX軸方向の位置x及びスライダ部のヨー
イング角θの信号に変換する。変換式は次のとおりであ
る。 x=(X1+X2)/2,θ=(x2−x1)/2Ld Ld:スライダ部の中心からX軸センサ39,40の光
軸までの距離(Ldを図1に示す)
【0029】X軸位置制御部507は、X軸位置指令値
Xiと検出位置xの偏差をもとにスライダ部のX軸方向
の位置をフィードバック制御するための制御信号を出力
する。X軸速度演算回路508は、検出位置xの変化速
度からスライダ部のX軸方向の移動速度を検出する。X
軸速度演算回路508は、例えばF/V変換器である。
X軸速度制御部509は、X軸位置制御部507の制御
信号とX軸速度演算回路508の検出速度の偏差をもと
にスライダ部のX軸方向の移動速度をフィードバック制
御するための制御信号を出力する。この制御信号はスラ
イダ部をX軸方向に移動させる推力指令値Ir0にな
る。
【0030】θの制御についても同様にθ位置制御部5
10、θ速度演算回路511、θ速度制御部512が設
けられている。θ速度制御部512の制御信号がスライ
ダ部をθ方向に回転させる推力指令値Irθになる。リ
ミッタ513は、X軸方向の推力指令値Ir0のリミッ
ト値をImax−|Irθ|(Imaxは最大推力指令
値)に制限し、制限後の推力指令値Irxを出力する。
これによって、θ方向の推力指令値Irθの大きさに応
じてX軸方向の推力指令値Ir0のリミット値を制限し
ている。
【0031】指令値変換回路514は、X軸方向の推力
指令値Irx、θ方向の推力指令値Irθを次式により
X軸モータ34及び35の推力指令値Ir1及びIr2
に変換する。 Ir1=Irx−Irθ、Ir2=Irx+Irθ 推力指令値Ir1及びIr2はリミッタ513の作用に
より−Imax〜Imaxの範囲におさまる。
【0032】電流センサ515は、X軸モータ34のコ
イルに流れる電流を検出する。転流・電流制御回路51
6は、X軸モータ34の転流制御とコイルに流れる電流
の制御を行う。転流角演算回路517は、アップダウン
カウンタ500のカウントとsin値が対応して格納さ
れたsinテーブルを持っている。X軸モータ34が3
相モータである場合は、アップダウンカウンタ500の
カウントが与えられると、転流角演算回路517はsi
nテーブルからsinφとsin(φ+120°)の値
を読み出す。φはアップダウンカウンタ500のカウン
トに応じて変わる角度である。
【0033】マルチプライング・デジタル・アナログ変
換器(MDAとする)518,519は、推力指令値I
r1をアナログ入力信号、sinテーブルから読み出し
たsinφとsin(φ+120°)の値をゲイン設定
信号としてIr1sinφとIr1sin(φ+120
°)なる電流指令値を出力する。ここで、2つの指令値
の位相が120°ずれているのは、モータが3相モータ
であるためである。相数が異なる場合は位相ずれは他の
値になる。
【0034】X軸電流制御回路520は、電流指令値I
r1sinφ,Ir1sin(φ+120°)と電流セ
ンサ515の電流検出値の偏差をもとにX軸モータ34
のコイルに流れる電流を制御する。
【0035】X軸モータ35についても同様に電流セン
サ51と転流・電流制御回路52が設けられている。Y
軸方向のサーボ制御系についても、X軸方向及びθ方向
のサーボ制御系と同様に、アップダウンカウンタ52
3、補正手段524、補正テーブル525、Y軸位置制
御部526、Y軸速度演算回路527、Y軸速度制御部
528、転流・電流制御回路529が設けられている。
Y軸方向のサーボ制御系では、変換回路506で行った
ような制御量の変換を行わないで制御を実行している。
【0036】図3は図2の制御系を簡略化して示した図
である。図3で、変換回路506は、X軸センサ39,
40及びY軸センサ38の検出値X1、X2、及びYを
スライダ部中心のX軸方向の位置x、スライダ部のヨー
イング角θ及びY軸方向の位置Yに変換する。X軸位置
速度制御部60は、位置xの信号を帰還信号としてスラ
イダ部のX軸方向の位置と速度をフィードバック制御す
る。X軸位置速度制御部60の制御信号は、X軸方向の
推力指令値Irxとして出力される。θ位置速度制御部
61は、ヨーイング角θの信号を帰還信号としてスライ
ダ部のθ方向の位置と速度をフィードバック制御する。
θ位置速度制御部61の制御信号はθ方向の推力指令値
Irθとして出力される。
【0037】ここで、推力指令値Irx,IrθをIr
x−IrθとIrx+Irθに変換することにより、X
軸モータ34と35の推力指令値に変換する。このよう
にしてX軸方向の制御とθ方向の制御はそれぞれ独立に
行われる。Y軸位置速度制御部62は、位置Yの信号を
帰還信号としてスライダ部のY軸方向の位置と速度をフ
ィードバック制御する。Y軸位置速度制御部62の制御
信号はY軸方向の推力指令値Iryとして出力される。
【0038】図4は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。この実施例ではプローバの例を示している。図4の
プローバは図1乃至図3に示す構成のXYステージを備
えている。図4ではXYステージの詳細な構成を省略す
る。スライダ部31は、検査の順番に従ってa,b,c
の位置をとる。スライダ部31がaの位置にあるとき
は、ウエハのロードとアンロードが行われる。すなわ
ち、検査が済んだウエハはウエハステージ20からアン
ロードされ、これから検査を行うウエハがウエハステー
ジ20にロードされる。ウエハがウエハステージ20に
載せられると、スライダ部31はbの位置に移動する。
【0039】bの位置では、カメラ70でウエハ21を
撮像し、ウエハ21の位置を画像計測する。カメラ70
は既知の位置に固定されている。画像計測の結果、ウエ
ハ21の位置がウエハステージ20に対してずれている
ときは、ずれ量を算出する。その後、スライダ部31は
cの位置に移動する。
【0040】cの位置では、ウエハ21にプローブ71
が当たる位置にスライダ部31を位置決めする。このと
き、前述したずれ量を補正量として位置決めを行う。カ
メラ72はプローブ71を撮像する。プローブ71は既
知の位置に固定されている。テスタ73は、パフォーマ
ンスボード74とプローブカード75を介して信号をプ
ローブ71に送り、ウエハ21を検査する。スライダ部
31をX軸方向とY軸方向に移動していくことによっ
て、ウエハ21の各チップに対して順番に検査を行って
いく。制御システム76はテスタ73を制御する。制御
システム76は、例えば、検査手順のシーケンス制御、
スライダ部31の位置制御、カメラ72の画像をもとに
したプローブ位置の画像計測等を行う。
【0041】図の例では説明の都合上、3つのスライダ
部を同時に示したが、1つのスライダ部がa,b,cの
位置に順番に移動していく。なお、3つのスライダ部を
同時に配置し、3つのスライダ部が交替でa,b,cの
位置に来るようにしてもよい。
【0042】図5は本発明の他の実施例を示す構成図で
ある。この実施例では露光機の例を示している。図5の
露光機は図1乃至図3に示す構成のXYステージを備え
ている。基板表面にフォトレジストが塗布されたウエハ
21がウエハホルダ20に載せられ、このウエハ21
フォトマスク80が載せられている。スライダ部31は
光源81の光がウエハ21に当たる位置に位置決めされ
る。光源81から照射された紫外線等がフォトマスク8
0に当たり、ウエハ21上にフォトエッチングによりパ
ターンが形成される。
【0043】図6は本発明の他の実施例を示す構成図で
ある。この実施例ではウエハ検査装置の例を示してい
る。図6のウエハ検査装置は図1乃至図3に示す構成の
XYステージを備えている。カメラ90がウエハ21を
撮像できる位置にスライダ部31を位置決めする。この
状態でスライダ部31を移動し、ウエハ21の各チップ
に対して順番に検査を行っていく。検査装置91は、カ
メラ90の撮影画像をもとにチップにごみが付着してい
たり、きずが付いていないか等を検査する。
【0044】なお、実施例に限らず、本発明は他の半導
体製造装置、例えば、ボンダ、ハンドラ等に適用しても
よい。
【0045】
【発明の効果】本発明によれば次の効果が得られる。
【0046】請求項1の発明では、スライダ部を浮揚さ
せた状態で位置制御を行うとともに、2つのX軸モータ
と1つのY軸モータを用いてX軸方向とY軸方向だけで
なくヨーイング方向の位置制御も行うXYステージを搭
載している。これによって、高精度な位置決めが可能
で、しかもXYステージを小型化できる半導体製造装置
を実現した。
【0047】請求項2記載の発明によれば、検査対象の
ウエハをプローブに対して高精度に位置決めできるプロ
ーバを実現した。
【0048】請求項3記載の発明によれば、ウエハをカ
メラに対して高精度に位置決めできるウエハ検査装置を
実現した。請求項4記載の発明によれば、フォトエッチ
ングの対象となるウエハを光源に対して高精度に位置決
めできる露光機を実現した
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体製造装置に適用されるXYステ
ージの構成例を示した図である。
【図2】図1のXYステージの要部構成図である。
【図3】図2の制御系を簡略化して示した図である。
【図4】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図5】本発明の他の実施例を示す構成図である。
【図6】本発明の他の実施例を示す構成図である。
【図7】従来における半導体製造装置に用いるXYステ
ージの構成例を示した図である。
【図8】従来における半導体製造装置に用いるXYステ
ージの構成例を示した図である。
【符号の説明】
21 ウエハ 30 格子プラテン 31 スライダ部 32 浮揚手段 33 Y軸モータ 34,35 X軸モータ 50 位置制御部 71 プローブ 80 フォトマスク 81 光源 90 カメラ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−333301(JP,A) 特開 平7−209384(JP,A) 実開 平5−53245(JP,U) 国際公開99/048192(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/66 G01R 1/06 G01R 31/28

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】対象物を2次元方向に位置決めするXYス
    テージを備えた半導体製造装置であって、このXYステ
    ージは、 X軸方向及びY軸方向に沿って一定ピッチで歯が形成さ
    れた格子プラテンと、 前記対象物とともにX軸方向及びY軸方向に移動自在な
    スライダ部と、 このスライダ部を前記格子プラテン上に浮揚させる浮揚
    手段と、 前記スライダ部をX軸方向にそれぞれ移動させる第1及
    び第2のX軸モータと、 前記スライダ部をY軸方向に移動させるY軸モータと、 前記スライダ部のX軸方向位置を検出する第1及び第2
    のX軸センサと、 前記スライダ部のY軸方向位置を検出するY軸センサ
    と、 前記第1及び第2のX軸センサの位置検出信号をもと
    に、スライダ部のX軸方向の位置をフィードバック制御
    するとともに、ヨーイング方向の位置をフィードバック
    制御するXθ位置制御部と、 前記Y軸センサの位置検出信号をもとにスライダ部のY
    軸方向の位置をフィードバック制御を行うY軸位置制御
    部と、 を有することを特徴とする2次元位置決め装置。
  2. 【請求項2】前記半導体製造装置は、前記スライダ部を
    位置制御してウエハをプローブに当たる位置に位置決め
    し、ウエハにプローブを当てて検査を行うプローバであ
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
  3. 【請求項3】前記半導体製造装置は、前記スライダ部を
    位置制御してウエハをカメラが撮像できる位置に位置決
    めし、ウエハをカメラで撮像して検査するウエハ検査装
    置であることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装
    置。
  4. 【請求項4】前記半導体製造装置は、前記スライダ部を
    位置制御してウエハを光源の光が当たる位置に位置決め
    し、ウエハ上にフォトエッチングを施してパターンを形
    成する露光機であることを特徴とする請求項1記載の半
    導体製造装置。
JP33838299A 1999-11-29 1999-11-29 半導体製造装置 Expired - Lifetime JP3473685B2 (ja)

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