JP2868546B2 - 露光装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、露光装置に関し、詳しくは露光装置内にお
いてマスクとウエハを位置合わせするため高精度で位置
検出を行なうことのできるアライメント検出機構を備え
た露光装置に関するものである。

［従来技術］ 従来より半導体製造用の露光装置においては、マスク
とウエハの相対的な位置合わせが性能向上を図るための
重要な一要素となっている。特に最近の露光装置におけ
る位置合わせにおいては、半導体素子の高集積度化のた
めに、サブミクロン以下の位置合わせ精度を有するもの
が要求されている。多くの位置合わせ装置においては、
マスクおよびウエハ面上に所謂アライメントパターンを
設け、それより得られる位置情報を利用して双方のアラ
イメントを行なっている。

第９図は、その一例としてアライメントパターンとし
て回折格子を用いた反射光重心検知方式のアライメント
検出機構を示している。同図において、101は発光素子
である半導体レーザ、102は半導体レーザ101から出力さ
れる光束を平行光にするためのコリメータレンズ、103
はハーフミラーである。ハーフミラー103は半導体レー
ザ101からの光束をマスクおよびウエハ方向へ反射さ
せ、またマスクおよびウエハからの光束を透過させてい
る。

104は第１物体で例えばポリイミド等の材質のフィル
ムに金等の半導体パターンおよびアライメントマークが
書かれているマスクである。104aはアライメントマーク
であり、マスク104面上に形成されており、ハーフミラ
ー103からの反射光束を受けている。105は第２物体で半
導体パターンおよびアライメントマークが形成されるシ
リコン等のウエハである。105aはアライメントマークで
あり、ウエハ105に形成されている。106は蓄積型光電変
換素子でありマスク104に形成されているアライメント
マーク104aとウエハ105に形成されたアライメントマー
ク105aを介したアライメント情報を持つ光束を受光する
CCD等から成っている。

107はLDドライバであり、半導体レーザ101を外部から
設定される光量で駆動している。108はセンサドライバ
であり、光電変換素子106を外部から設定される蓄積時
間で駆動制御している。109は信号処理部であり、光電
変換素子106の出力を処理し例えば位置情報を持つ光束
の重心等を計算している。110は変位計であり、マスク1
04とウエハ105の相対振動を測定する例えば静電容量変
位計等である。111はマイクロコンピュータであり、変
位計110の出力を受け、マスク104とウエハ105の相対振
動から半導体レーザ101の光量を設定しさらに光電変換
素子106の蓄積時間を設定し、LDドライバ107やセンサド
ライバ108にその旨の信号を送出している。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、このような検出機構において、光源からマ
スク104およびウエハ105上に照射されるビームスポット
の位置や入射角が正確に位置決めできなかった場合、 CCD106上に結像する反射光束の照度が減少することに
よってS/N比が低下する。

投光ビームの中心がずれるのでCCD106上に結像するビ
ームスポットの重心が移動し、これが原因となって検出
機構より得られるアライメント計測データの絶対精度が
損なわれる。

という欠点があった。

一方、サブミクロン以下の位置合わせ精度を実現する
ためには、上記従来例に見るようにアライメント計測光
学系より投下されるアライメント計測ビームの投光位置
および入射角を正確に所定のアライメントマークに合わ
せることを必要とするようになった。

本発明は、上述の従来例における問題点に鑑み、転写
パターンとウエハ間の位置ずれを検出する際のアライメ
ント光学系の位置決めが正確になされ、投下されるアラ
イメントビームの位置を正確かつ迅速に位置決めするこ
とができ、従って、アライメント光学系が生じるアライ
メント計測誤差を抑制することができる露光装置を提供
することを目的とする。

［課題を解決するための手段および作用］ 上記の目的を達成するため、本発明の露光装置は、マ
スク上の転写パターンをウエハ上に露光転写する露光手
段と、ウエハを保持してウエハと平行な面内を第１の座
標系で移動可能であって転写パターンとウエハとを位置
合わせするためのウエハステージと、ウエハステージ上
に設けられ投光されるビームを計測する受光素子と、ウ
エハと平行な面内を第２の座標系で移動可能であって転
写パターンとウエハ間の位置ずれを検出するアライメン
ト検出機構とを備え、アライメント検出機構から投下さ
れるアライメントビームを前記ウエハステージ上の受光
素子にて検出することにより該アライメントビームの投
下位置を計測し、投下位置の計測を複数箇所で行なった
計測データを利用して第１の座標系と第２の座標系との
間の座標変換を可能とし、これに基づいて転写パターン
とウエハ間の位置ずれを検出する際のアライメント検出
機構の位置決めがなされる。

また、第１の座標系を定義するウエハステージの位置
計測用の第１の計測手段と、第２の座標系を定義するア
ライメント検出機構の位置計測用の第２の計測手段とを
備え、第２の座標系を第１の座標系に変換するための変
換テーブルが作成される。

［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。

第２図は、本発明の一実施例に係る露光装置の一部ハ
ードウエア構成を示している。

同図において、３はウエハでありウエハステージ24上
のウエハチャック（不図示）にチャッキングされる。５
は所定方向に回転可能な粗θステージでありＺ・チルト
（tilt）ステージ６上に保持されている。Ｚ・チルトス
テージ６は所定方向に移動可能で微θステージ７の上に
保持されている。微θステージ７は所定方向に回転可能
で微Ｘステージ８の上に保持されている。微Ｘステージ
８は所定方向に移動可能で微Ｙステージ９の上に保持さ
れている。微Ｙステージ９は所定方向に移動可能で粗Ｘ
ステージ10の上に保持されている。粗Ｘステージ10は所
定方向に移動可能で粗Ｙステージ11の上に保持されてい
る。粗Ｙステージ11は所定方向に移動可能でフレームに
保持されている。

ステージ24の位置X,Yおよび姿勢θ，ωx,ωｙは、装
置の固定位置に配置されたレーザ干渉計から投光される
レーザビーム17をＺ・チルトステージ６上に固定されて
いるミラー16で反射し、反射光をレーザ干渉計で受光し
て測長する。２はマスクであり、マスクθステージ13上
のマスクチャック（不図示）にチャッキングされてい
る。マスクθステージ４は露光光１を法線とする平面内
において回転可能であり、フレームに保持されている。

12は複数の検出光学計（以下、ピックアップと呼ぶ）
であり、マスク〜ウエハ間のギャップ（間隔）計測およ
びマスク〜ウエハ間のアライメントずれ計測を行なう。
特に、本実施例の露光装置では４基のピックアップが装
備されている。各ピックアップ12はそれぞれX,Y方向に
移動可能なピックアップステージ13の上に保持されてい
る。

23はピックアップ12からの投光ビームを示している。
投光ビームは斜めに投光されているので露光の際ピック
アップが露光光１を遮ることはない。したがって、露光
時にピックアップ12を退避させる必要がない。

露光光１によりマスク２上に形成された転写パターン
を、前レイヤーまでに転写されているウエハ上の転写済
パターンの上に焼き付ける。さらに不図示のギャップセ
ンサがＺ・チルトステージ６の上に設置されており、ウ
エハチャック（不図示）の下面を相対的に計測する。

14はＺ・チルトステージ６上に設置された受光素子、
26はフレーム上に固定された投光素子でありウエハステ
ージ24と対抗する位置にある。受光素子14はピックアッ
プ12から投下されるアライメント検出用の投光ビーム23
および投光素子26より投下される投光ビームを検出す
る。受光素子14で受けた投光ビームは重心検知等の方法
でビームの中心位置を算出され、ウエハステージ24の位
置データを加味した上で、精度良くビーム中心の位置計
測することが可能である。

第３図のブロック図を参照して、本実施例における電
気的ハードウエア構成を説明する。

本実施例の露光装置は最上位に位置するメインプロセ
ッサ301のもとにすべての機能が管理されている。メイ
ンプロセッサ301は通信路302および通信I/F（インター
フェース）303を介して各ハードウエアユニットに接続
されており、第３図はその中でアライメント機能や、ス
テージ制御機能、ピックアップステージ制御機能を含ん
だハードウエアユニットを抽出したものである。同ハー
ドウエアユニットの呼称をここでは本体制御ブロックを
呼ぶものとする。

本体制御ブロックは、アライメント系に関して、４つ
のピックアップ12（第２図参照）を２軸方向（α軸、β
軸）に位置決め制御するピックアップステージ制御部30
5、ウエハ３とマスク２の平面上の位置ずれおよび平行
出しを行なうためのファインAA・AF制御部309a〜ｄ、並
びにウエハX,Y粗動ステージ10,11（第２図参照）および
ウエハ微動ステージ６〜９を位置決め制御するためのス
テージ制御部313を具備している。

本体コントロールユニット304は所定のシーケンスを
行なうプログラムが格納されており、このシーケンスに
従って上記各制御部を動作させるコントロール部分であ
る。また、本体コントロールユニット304は上位のメイ
ンプロセッサユニット301と通信路302および通信I/F303
を介して接続されており、データの授受を行なう。

さらに、前述の各制御部のうち、ファインAA・AF制御
部309a〜ｄおよびステージ制御部313は各々通信I/F306,
308,310,312を介して通信路307,311を通じ、本体コント
ロールユニット304とデータの授受を行なう。

これら通信路をもって本体コントロールユニット304
と接続されている各制御部は内部にCPUが搭載されハー
ドウエア的な信号処理はすべてこの中で完結されてい
る。本構成により各制御部を独立動作かつ階層化させる
ことが可能である。

本体コントロールユニット部304とのデータ授受に関
しては、ピックアップステージ制御部305では４つのピ
ックアップステージ13の各々の駆動量がダウンロードさ
れる。

第３図におけるファインAA・AF制御部309a〜ｄを詳細
に説明する。なお、４ブロックあるファインAA・AF制御
部309a〜ｄは、同一構成を採るので、以下の説明ではひ
とつのブロックについて説明する。

第４図は、ファインAA・AF制御部309a〜ｄの構成を示
す構成図である。

同図において、307は第３図における本体コントロー
ユニット304と通信する通信線、308は通信線307から送
られる命令を受けアライメント情報やギャップ情報を送
る通信I/F、401は通信I/F308から命令を受けアライメン
ト計測やギャップ計測を行なう信号を作りそしてアライ
メント情報やギャップ情報を通信I/F308に送るファイン
AA・AFインターフェース部、405はファインAA・AFイン
ターフェース部401が決定する光出力で半導体レーザ406
を駆動するファインAA・AFレーザダイオード駆動部、40
6は発光素子である半導体レーザ、411は半導体レーザ40
6から出力される光束を平行光にするコリメータレン
ズ、413は半導体レーザ406から出力される投光ビーム、
414はマスク２上に金等で半導体回路パターンと共に書
かれているAFマーク、416はマスク２上に金等で半導体
回路パターンと共に書かれているマスク上AAマーク、41
5はウエハ３上に前露光ショットで半導体回路パターン
と共に半導体プロセスで焼かれているウエハ上AAマーク
を示す。

412はマスク上AAマーク416とウエハ上AAマーク415そ
してAFマーク414とウエハ３により構成される光学系に
よって得られるアライメント情報およびギャップの情報
をもつ受光ビーム、407はマスク上AAマーク416とウエハ
上AAマーク415により構成される光学系によって得られ
るアライメント情報を持った光束であるAAスポット、41
0はマスク上AFマーク414とウエハ３により構成される光
学系によって得られるギャップ情報を持った光束である
AFスポット、408はアライメント情報を持った光束であ
るAAスポット407を受光し電気信号に変換する例えばCCD
等のラインセンサであるAAセンサ、409はギャップ情報
を持った光束であるAFスポット410を受光し電気信号に
変換する例えばCCD等のラインセンサであるAFセンサ、4
03はAAスポット407を受光し電気信号に変換するAAセン
サ408の出力を増幅するプリアンプ、404はAFスポット41
0を受光し電気信号に変換するAFセンサ409の出力を増幅
するプリアンプ、402はAAセンサ408の出力を増幅するプ
リアンプ403の出力を処理しアライメント情報を計算し
そしてさらにAFセンサ409の出力を増幅するプリアンプ4
04の出力を処理しギャップ情報を計算するファインAA・
AF信号処理部である。

第４図において、アライメント情報（マスクとウエハ
ずれ）は以下のように求めることができる。ファインAA
・AFレーザダイオード駆動部405は、ファインAA・AFイ
ンターフェース部401により設定される光出力で半導体
レーザ406をAAセンサ408が飽和しない範囲の十分大きな
光出力で駆動する。そして、半導体レーザ406を出射し
た光束は、コリメータレンズ411を透過した後、投光ビ
ーム413となり、マスク上AAマーク416を透過しウエハ上
AAマーク415で反射され、受光ビーム412となりAAスポッ
ト407としてAAセンサ408に入射する。

ダブルグレーティング物理光学素子となるマスクAAマ
ーク416とウエハAAマーク415とは、マスク２とウエハ３
の間のずれを、例えば100倍に拡大してAAスポット407の
ずれ（位置）とすることができる。AAスポット407を受
光したAAセンサ408の出力は、プリアンプ403で増幅され
ファインAA・AF信号処理部402に入力される。ファインA
A・AF信号処理部402は、AAセンサ408に入射したAAスポ
ット407の位置をその重心を利用して求める。そして、A
Aスポットの重心のずれ（位置）を例えば1/100倍するこ
とによりマスクAAマーク416とウエハAAマーク415すなわ
ちマスク２とウエハ３とのずれを求める。

次に、ギャップ情報は第４図において以下のように求
めることができる。ファインAA・AFレーザダイオード駆
動部405は、ファインAA・AFインターフェース部401によ
り設定される光出力で半導体レーザ406をAFセンサ409が
飽和しない範囲の十分大きな光出力で駆動する。そして
半導体レーザ406を出射した光束は、コリメータレンズ4
11を透過した後、投光ビーム413となり、AFマーク414を
透過しウエハ３で反射され、受光ビーム412となりAFス
ポット410としてAFセンサ409に入射する。

マスク２上に２種類のグレーティングレンズとして構
成されたマスクAFマーク414は、マスク２とウエハ３と
の面間隔を、例えば15倍に拡大してAFスポット410のず
れ（位置）とする。AFセンサ409の出力はプリアンプ404
で増幅されファインAA・AF信号処理部402に入力され
る。ファインAA・AF信号処理部402は、AFセンサ409に入
射したAFスポット410の位置をその重心を利用して求め
る。そして、AFスポット410の重心の位置を例えば1/15
倍することにより、マスクAFマーク414とウエハ３すな
わちマスク２とウエハ３の面間隔を求める。

ファインAA・AF信号処理部402は、アナログ回路で実
現しても良いし、プリアンプ403および404の出力をアナ
ログディジタル変換器（図示せず）でディジタル化した
後でマイクロコンピュータ等でディジタル処理しても構
わない。また、ファインAA・AFインターフェース部は本
体コントロールユニット304の指示により、アライメン
ト情報やギャップ情報を求め、必要に応じて通信I/F30
6,308と通信線307を通じる本体コントロールユニット30
4に送信することができる。

418はピックアップ12の筐体417に固定されたミラーで
あり、コリメータ420から射出される計測光419を反射す
る。この機構はAA計測時のピックアップ12からの投光ビ
ーム413のマスク２への入射角度および位置をピックア
ップ12の筐体の姿勢より検出する機能を持つ。コリメー
タ420の制御・検出機能は次に詳述するピックアップス
テージ制御部305の中に含まれている。

第５図は、第２図にて掲載のピックアップステージ13
のα方向アクチュエータユニットおよびβ方向アクチュ
エータユニットをコントロールする電気ブロックと、ピ
ックアップ12のメカクランプを制御する電気ブロックお
よびピックアップ12の姿勢計測を行なう計測ユニットを
示している。

第５図を参照して、第３図のピックアップステージ制
御部305は、ピックアップステージコントロールユニッ
ト501〜504（４基分）、ピックアップヘッドクランプ制
御部505およびピックアップヘッド姿勢計測部506より成
っている。ピックアップステージコントロールユニット
501〜504は、α方向およびβ方向アクチュエータユニッ
トのドライバであるα軸駆動部5076a〜ｄおよびβ軸駆
動部508a〜ｄに対して、駆動距離に相当するパルス数を
出力する機能および同パルスの払い出しのタイミング
を、本体コントロールユニット304から転送された目標
位置からピックアッ12に衝撃を与えないような台型駆動
パターンとして作成する機能を有している。

α軸駆動部507a〜ｄおよびβ軸駆動部508a〜ｄは、DC
モーター用のドライバであって、本体コントロールユニ
ット304からの指令によりサーボループのゲインを０に
することも可能である。ピックアップヘッドクランプ制
御部505は、ピックアップ12のピッチングおよびローリ
ングによる位置制御誤差を抑制する目的で超平面である
ピックアップ基準面（不図示）に押しつけるために用い
るアクチュエータの駆動部509、およびこの状態の確認
を行なうためのセンサ部510により成っている。状態確
認のためのセンサ（不図示）は、ピックアップステージ
各基について装備されているので、センサ部510は合計
４チャンネルの入力を有している。

ピックアップヘッド姿勢計測部506は各ピックアップ1
2毎に装備されたコリメータ511から得られるデータをも
とに、投光ビーム413の入射角度および入射位置ずれを
計算し、本体コントロールユニット304に送っている。
この値よりマスク２とウエハ３との間のAA計測を行なっ
た場合に所望の位置に所望の角度で投光ビーム413が当
たっていないことによる発生誤差を打ち消す処理を行な
うことができる。

第６図は、第３図にて掲載のステージ制御部313の詳
細ブロック図である。このユニットは本体コントロール
ユニット304とは通信I/F310,312および通信路311を介し
て情報の授受を行なう。ウエハステージコントロールユ
ニット601は内部にCPU（不図示）を持ち、本体コントロ
ールユニット304から送られてくるステージの目標位置
に対し、ウエハステージ内部に搭載されている各アクチ
ュエータの駆動量を計算する。また、このほかにウエハ
ステージ上の受光センサ（PSD）14より出力される信号
を受けるPSD測長系コントロールユニット609から送られ
るデータをもとに然るべき位置データに変換する処理機
能も有している。602はレーザ干渉計測長ユニットであ
り、ウエハ面に対し法線方向にあたる軸（Ｚ軸）を除い
た５軸における位置計測を行なっている。603は微小変
位センサコントロールユニットであり、微小変位センサ
27のドライブ、および信号処理をすることにより、ウエ
ハステージのＺ軸変位量を計測する。

604はX,Y粗動コントローラであって第２図における粗
Ｘステージ10,粗Ｙステージ11の電動シリンダの制御を
行なう。605はθ粗動コントローラである。θ粗動軸は
第２図で示すように、X,Y駆動軸（第２図のステージ8,
9,10,11）、Z,ωx,ωｙ駆動軸（第２図のステージ
６）、θ微動軸（第２図のステージ７）の上に搭載され
ており、θ粗動軸５を動かしたことによるウエハステー
ジの位置変化は干渉計からの光軸17の反射用のミラー16
の動きには反映されない。従って、本実施例においては
θ粗動軸５のアクチュエータとしてインチワームアクチ
ュエータを用いることにより、θ軸粗合わせ後の位置変
動を禁止している。606はチルトステージコントローラ
であり、X,Y駆動軸8,9,10,11およびθ微動軸７上に搭載
されているチルトステージ６の位置をウエハステージコ
ントロールユニット601からの指令により制御する。607
は微動ステージコントローラであり微X,Y軸8,9の微小変
位アクチュエータの制御を行なう。608はマスクθコン
トローラであり、マスクステージに搭載されたマスクθ
微動ステージ４の制御を行なう。

第７図は、本実施例におけるピックアップ12およびピ
ックアップステージ13一基分の外観図である。同図にお
いて、701はα軸クロスローラーガイド703aによって案
内されるα軸ステージ、702はβ軸クロスローラーガイ
ド703bによって案内されるβ軸ステージである。この２
つのステージ701,702はエンコーダ付きのアクチュエー
タ704,705にてそれぞれ位置決め制御される。707はピッ
クアップヘッドクランプ用のプッシュロッドである。プ
ッシュロッド707が突出た状態になると不図示の天井を
プッシュロッド707が押す反作用で、ファインAA・AF光
学系を内部に持った鏡筒706を固定したピックアップヘ
ッド708が超平面（不図示）に押し付けられる。

第８図は、ウエハステージの測長光学系であるレーザ
干渉計光軸を相直交する座標系801と見立てた場合に、
ピックアップステージ13におけるエンコーダ等で与えら
れる座標系802を同干渉計による直交座標系上に投影し
た図である。ピックアップステージ13は、クロスローラ
ーガイド703の歪みおよびクロスローラー（不図示）の
真円度等の要因により、原点803が干渉計で与えられる
座標系801と一致しても、原点から離れた任意の点804に
おいて誤差δを生ずる。この誤差δのうち再現性のある
ものは第８図に示したような座標系802を構成すること
ができる。従って、ピックアップステージとウエハステ
ージ間の座標系の変換ができれば、ウエハステージ側座
標系801によって管理されるマスク２上のマスクアライ
メントマーク414,416に対し、ピックアップ12からの投
光ビーム413のスポット位置を、より正確に制御するこ
とができる。

第１図は、ピックアップ各基毎に有する座標系をレー
ザ干渉計によって定義される直交座標系に変換（ピック
アップステージとウエハステージ間の座標の変換）する
ための変換テーブルを作成するためのシーケンスを示す
フローチャートを示す。

まず、ステップ901でピックアップ12の各基固有の原
点出しを行なう。ステップ902で変換テーブル作成用の
サンプリングデータ計測点へ移動する。ステップ903で
はウエハステージ上のPSD14へ投光するためにAA計測用
のLDを点灯する。ステップ904〜906では、ウエハステー
ジを模索させる等を行なうことにより、ピックアップ12
から投光ビームの当たる位置を計測する。本実施例にお
いてはピックアップ12は全部で４基あるので、ビーム位
置計測905、およびピックアップ位置座標計算906のステ
ップは、１回のピックアップステージ各基の移動毎に各
基毎に計４回行なわれる。

ステップ907でサンプリングデータを全部計測したか
どうかが判断され、計測し終わるまで、ステップ908で
ピックアップ４基をステップさせ、ステップ904〜906で
次の計測ルーチンに入る。ステップ907でサンプリング
データをすべて計測し終えると、本体コントロールユニ
ット304内のCPUは、ステップ909でこれらのデータをも
とに補間計算し補間テーブルを作成する。この補間テー
ブルは、ステップ910で本体コントロールユニット304内
のメモリの中に格納され、通常シーケンスを実行中、ピ
ックアップ12を駆動する際に逐次参照される。

第10図のフローチャートを参照してこの過程を説明す
る。すなわちピックアップ12から出力される投光ビーム
413の照射位置はステージ側の位置計測を行なっている
レーザ干渉計の光軸17基準の座標系で与えられ（ステッ
プ1001）、この座標系で表わされた値はステージ座標か
らピックアップ各軸のテーブルによって各々の駆動軸に
おける目標値に変換される（ステップ1002）。この目標
値は各ピックアップステージコントロールユニット501
〜504の目標値としてセットされ（ステップ1003）、次
のステップで駆動スタート指令を出す（ステップ100
4）。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、転写パターン
とウエハ間の位置ずれを検出する際のアライメント光学
系の位置決めが正確になされ、投下されるアライメント
ビームの位置を正確かつ迅速に位置決めすることができ
る。従って、アライメント光学系が生じるアライメント
計測誤差を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置におけるピ
ックアップステージとウエハステージ間の座標の変換テ
ーブルを作成するためのシーケンスを示すフローチャー
ト、 第２図は、上記実施例の露光装置の構成図、 第３図は、第２図に示したメカユニットを駆動制御する
ための電気的ハードウエア構成概略図、 第４図は、第３図に示した構成要素のひとつである「フ
ァインAA・AF制御部」の詳細図、 第５図は、第３図に示した構成要素のひとつである「ピ
ックアップステージ制御部」の詳細図、 第６図は、第３図に示した構成要素のひとつである「ス
テージ制御部」の詳細図、 第７図は、第２図に示した構成部品である「ピックアッ
プ」および「ピックアップステージ」のうちの１基分に
おけるメカ構成詳細図、 第８図は、レーザ干渉計によって定義される直交座標軸
に対するピックアップ各基毎に有する座標平面の概念
図、 第９図は、回折格子を応用したマスクおよびウエハアラ
イメント計測光学系の概略図、 第10図は、ピックアップ各軸をレーザ干渉計によって定
義される座標に駆動するための処理シーケンスを示すフ
ローチャートである。 2:マスク、 3:ウエハ、 12:ピックアップ、 13:ピックアップステージ、 14:受光装置（PSD） 17:レーザ干渉計の計測光軸、 413:投光ビーム。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鵜澤 俊一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 水澤 伸俊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 刈谷 卓夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−66631（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−144626（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】マスク上の転写パターンをウエハ上に露光
   転写する露光手段と、ウエハを保持してウエハと平行な
   面内を第１の座標系で移動可能であって転写パターンと
   ウエハとを位置合わせするためのウエハステージと、該
   ウエハステージ上に設けられ投光されるビームを計測す
   る受光素子と、ウエハと平行な面内を第２の座標系で移
   動可能であって転写パターンとウエハ間の位置ずれを検
   出するアライメント検出機構とを備え、該アライメント
   検出機構から投下されるアライメントビームを前記ウエ
   ハステージ上の受光素子にて検出することにより該アラ
   イメントビームの投下位置を計測し、該投下位置の計測
   を複数箇所で行なった計測データを利用して前記第１の
   座標系と前記第２の座標系との間の座標変換を可能と
   し、これに基づいて転写パターンとウエハ間の位置ずれ
   を検出する際の前記アライメント検出機構の位置決めが
   なされることを特徴とする露光装置。
2. 【請求項２】前記第１の座標系を定義する前記ウエハス
   テージの位置計測用の第１の計測手段と、前記第２の座
   標系を定義する前記アライメント検出機構の位置計測用
   の第２の計測手段とを備え、前記第２の座標系を前記第
   １の座標系に変換するための変換テーブルが作成される
   ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。