JP3468165B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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Description
クス方式の液晶表示装置の駆動回路に関し、特に駆動回
路をアクティブマトリクス基板と同一の基板に形成した
液晶表示装置に関する。
置は、互いに直行して配置する複数の信号線と走査線の
交点にトランジスタを形成した表示部と、複数の信号線
と走査線の電圧を制御する駆動回路部で構成される。こ
の表示部に使用するトランジスタは、アモルファスシリ
コン(a−Si:amorphous−Silicon)薄膜トランジスタ
(TFT:Thin−Film Transistor),多結晶シリコン
(p−Si:poly− Silicon)TFT,単結晶シリコ
ンのMOS(Metal−Oxide Semicondutor)トランジスタ
などの種類がある。ここでa−Si TFTはガラス基
板に形成され、その駆動回路は単結晶シリコンの集積回
路が外付けされる。p−Si TFTは石英基板に形成
する高温p−Si TFTとガラス基板に形成する低温
p−SiTFTがあり、いずれもその駆動回路は単結晶
シリコンのMOSトランジスタと共に表示部と同一の基
板に形成される。また、ガラス基板に形成するアモルフ
ァスシリコンTFTと低温p−Si TFTは大型のサ
イズまで実現でき、石英基板と単結晶シリコン基板を用
いるものは中,小型のサイズに限定される。
晶表示装置の構成および動作をさらに詳しく説明する。
に、ドレインを信号線に、ソースを表示電極に接続して
いる。この表示電極に対向して1面に透明電極を形成し
た対向基板を設け、液晶はこの表示電極と対向基板との
間に挾持される。通常、表示電極には保持容量を接続す
るので、ソース電極には保持容量と液晶容量が並列に接
続される。ここで、ゲート電極が選択状態になるとトラ
ンジスタは導通し、信号線の映像信号を液晶容量および
保持容量に書き込む。ゲート電極が非選択状態になると
トランジスタはハイインピーダンスとなり、液晶容量に
書き込まれた映像信号を保持する。
査回路と、信号線の電圧を制御する信号回路で構成され
ている。走査回路は、各走査線に1フレーム時間ごとに
1回走査パルスを印加する。通常このパルスのタイミン
グはパネルの上側から下に向かって順にずれている。1
フレームの時間としては1/60秒がよく用いられる。
代表的な画素構成である1024×768ドットのパネ
ルでは、1フレーム時間に768回の走査が行われるの
で、走査パルスの時間幅は約20μsとなる。この走査
回路には通常シフトレジスタが用いられ、このシフトレ
ジスタの動作速度は約50kHzである。
る1行分の画素に対応する液晶駆動電圧を各信号線に印
加する。走査パルスが印加された選択画素では走査線に
接続されたトランジスタのゲート電極の電圧が高くな
り、トランジスタがオン状態になる。このとき、液晶駆
動電圧は、信号線からトランジスタのドレイン,ソース
間を経由して液晶に印加され、液晶容量と保持容量とを
合わせた画素容量を充電する。この動作を繰り返すこと
により、パネル全面の画素容量には、フレーム時間ごと
に繰り返し映像信号に対応した電圧が液晶に印加され
る。
てアナログ方式とディジタル方式がある。アナログ方式
の場合、信号線を駆動する信号回路はシフトレジスタと
サンプル・ホールド回路で構成される。シフトレジスタ
は各画素に対応するサンプル・ホールド回路のタイミン
グを発生する。サンプル・ホールド回路では、このタイ
ミングで各画素に対応する映像信号をサンプリングし、
各信号線に液晶駆動電圧を供給する。この駆動方法は、
タイミングを発生するシフトレジスタと映像信号をサン
プリングするサンプルホールド回路を簡単な回路で構成
できるので、主に駆動回路一体型の液晶表示パネルに使
用される。
ジスタは走査回路の走査パルスの時間幅で1024のタ
イミングを発生する。このため、このシフトレジスタの
タイミングの時間間隔は20ns以下になり、このシフ
トレジスタは50MH以上の動作速度が必要となる。サ
ンプル・ホールド回路にはこのように短い時間タイミン
グで映像信号をサンプリングすることが要求される。駆
動回路一体型の液晶表示装置では、映像信号を複数に分
けて入力することでサンプリングの時間を長くする方法
が取られている。このため、高速の映像信号をサンプリ
ングによって複数の映像信号に分割するとともに、分割
した信号を増幅,交流化を行う信号変換回路が必要にな
る。
動する信号回路は、シフトレジスタ,2段のラッチ回
路,ディジタルアナログ変換回路(以下DA変換回路)
で構成される。ディジタル信号で順次入力される映像信
号はシフトレジスタと2段のラッチ回路によって各信号
線に対応するラッチ回路に格納する。DA変換回路はこ
のデータをアナログ電圧に変換して、各信号線に液晶駆
動電圧を供給する。
ット数は、表示する階調で決定され、フルカラー表示に
必要な各色256階調のとき8ビットとなる。上述の画
素構成の場合、16384ビット(8ビット×2×10
24)のラッチ回路と、1024個の8ビットDA変換回路
が必要となる。各信号線のDA変換回路は、基準電圧を
スイッチで選択する方法が用いられる。この各信号線毎
にDA変換回路を設ける方法は、例えば特開平9−26765
号公報に記載されている。
る方法として、スイッチの抵抗を用いて演算する方法
や、充電時間によって分解能を増加させる方法が提案さ
れている。前者は例えば、特開平5−333817号公報に、
後者は例えば、特開平5−313603号公報に記載されてい
る。
映像信号を高速に動作するDA変換器でアナログ信号に
変換した後、前記アナログ方式と同じ方法で各信号線の
電圧を発生する方法が提案されている。この方法は、例
えば特開平5−80722号公報または特開平5−173506号公
報に記載されている。
晶Siの集積回路で構成し、アクティブマトリクス基板
に外付けしていた。この集積回路は、現状では約300
本の信号線毎に分割して設けられる。一方、駆動回路一
体型の液晶表示装置では、表示に必要な全ての信号線の
駆動回路を同一基板に形成する必要がある。この信号線
の数は前記の例では1024本である。さらに、カラー
表示のものではこの3倍の3072本となる。
置では、従来の単結晶Siの集積回路で駆動する信号線
数の約10倍となる。また、信号線の負荷容量は、画像
表示サイズに比例するので、駆動回路一体型の液晶表示
装置に従来回路の技術を適用する場合、必要な性能を確
保した上で、回路規模(素子数,占有面積)を低減する
ことが、重要な課題である。
回路占有面積を低減することを目的としており、駆動回
路一体型で大型サイズの液晶表示装置を提供することを
目的とする。
置の目的を達成するための技術手段について以下説明す
る。
号線の交点に設けたスイッチング素子と、前記走査線の
電圧を制御する走査回路と、前記信号線の電圧を制御す
る信号回路を形成した第1の基板,片面に透明電極を形
成した第2の基板,前記第1の基板と前記第2の基板に
液晶を挾持した液晶表示装置において、前記信号回路
を、複数の電圧を発生する階調電圧発生手段と、前記階
調電圧発生手段で発生した電圧の中から表示データに応
じた電圧を複数の電圧選択スイッチで選択する電圧選択
手段と、前記表示データを入力して前記電圧選択手段を
制御する制御手段と前記電圧選択手段の出力電圧を所定
のタイミングでサンプリングするサンプル手段で構成
し、前記制御手段が少なくも複数の前記選択スイッチを
導通状態にして前記信号線を充電する第1の状態と、前
記第1の状態よりも少ない数の前記選択スイッチを導通
状態にする第2の状態をとるようにしたものである。
する前記選択スイッチの数を、前記第1の状態が2以上
で、前記第2の状態が1にしたものである。
ッチをM個,N組に分け(N,Mは2以上の整数)、前
記第1の状態で導通状態にする前記選択スイッチを、前
記第2の状態で導通状態にする前記選択スイッチが含ま
れる組にしたものである。
状態で導通状態にする選択スイッチの数Mを2のn乗
(nは自然数)にしたものである。
路を前記表示データ(jビット)とその論理否定を入力
して、jビットを2のi乗にデコードするデコーダで構
成し、前記表示データの下位nビット(1≦n<j)の
前記表示データとその論理否定をそれぞれ制御信号T1
と論理和をとり、前記論理和の出力を前記デコーダに入
力したものである。
状態で前記選択スイッチを導通状態にして選択する前記
階調電圧の平均が、前記第2の状態で前記選択スイッチ
を導通状態にして選択する前記階調電圧とほぼ等しくし
たものである。
状態で導通状態にする前記選択スイッチを、前記第2の
状態で導通状態にする前記選択スイッチと、前記第2の
状態で導通状態にする前記選択スイッチよりも高い電圧
を選択する前記選択スイッチと、前記第2の状態で導通
状態にする前記選択スイッチよりも低い電圧を選択する
前記選択スイッチにしたものである。
状態で導通状態にする前記選択スイッチが隣接したもの
である。
状態で導通状態にする前記選択スイッチの数が奇数にし
たものである。
の状態で導通状態にする前記選択スイッチの数が3にし
たものである。
回路を前記表示データ(jビット)を2のi乗にデコー
ドするデコーダと、2入力論理積回路と、3入力論理和
回路で構成し、前記論理積回路の入力を前記デコーダの
各出力と前記制御信号T1とし、前記論理和回路の入力
を前記デコーダの各出力と、隣接する2つの前記論理積
回路の出力としたものである。
明する。図2は本発明におけるDA変換回路の第2の実
施例を示すブロック構成図である。本実施例は制御回路
510,階調電圧発生回路520,電圧選択回路53
0,負荷回路540で構成される。制御回路510は3
ビットの表示データD0〜D2と制御信号T1を入力
し、8本(2の3乗)のスイッチ制御信号X0…X7を
出力し、前記階調電圧発生回路520は8本の階調電圧
V0〜V7を出力する。電圧選択回路530は8個のス
イッチS0〜S7で構成し、スイッチ制御信号で階調電
圧選択して電圧Voを出力する。負荷回路540は等価
的に容量CLで表わしたもので、前記出力に接続され
る。
1,612,613,ORゲート621,622,複数の
ANDゲート631で構成する。前記インバータ61
1,612,613は前記表示データを反転する。前記
ORゲート621,622は前記制御信号T1を共通に
入力すると共に、前記表示データの最下位ビットD0と
その反転信号を入力する。前記複数のANDゲート63
1は前記ORゲート621,622の出力と前記D0を
除く前記表示データD1,D2とその反転信号の中か
ら、3本を図示のように選択して入力する。
路510の3ビットの表示データD0〜D3及び制御信
号T1とスイッチ制御信号X0…X7の関係を示す真理
値表である。前記制御信号T1が“L”のとき、前記3
ビットの表示データD0〜D3で、8本のスイッチ制御
信号X0…X7からいずれか1本を選択する。一方、制
御信号が“H”のときは、前記3ビットの表示データD
0〜D7で、8本のスイッチ制御信号X0…X7から連
続した2本を選択する。
のときの等価回路を示す。前記表示データは3ビットと
もに“H”となる状態について示した。導通状態の前記
選択スイッチの抵抗値をRonとした。前記制御信号T
1が“H”の場合は前記階調電圧V6,V7に接続され
た選択スイッチが導通状態となり、前記制御信号T1が
“L”の場合は前記階調電圧V7に接続された選択スイ
ッチが導通状態となる。
例の動作を図5に示す。
プリチャージ期間と電圧整定期間に分け、前記制御信号
T1は、プリチャージ期間を“H"で、電圧整定期間を
“L"にしている。この結果プリチャージ期間は2個の
選択スイッチが導通状態になり、整定期間は1個の選択
スイッチが導通状態になる。この結果、プリチャージ期
間の出力電圧Voの電圧応答時定数は、電圧整定期間と
きに対し、約1/2となる。
量の応答時定数を短くできるので、この分前記選択スイ
ッチの抵抗を高くすることができる。この結果、前記選
択スイッチの面積を少なくして、回路規模を低減するこ
とができる。
回路の第2の実施例を示すブロック構成図と真理値表で
ある。本実施例は制御回路510,階調電圧発生回路5
20,電圧選択回路530,負荷回路540で構成され
る。前記制御回路510はnビットの表示データD0〜
D(n−1)と制御信号T1を入力し、N本(Nは2のn
乗)のスイッチ制御信号X(0)…X(N−1)を出力し、
前記階調電圧発生回路520はN本の階調電圧V0〜V
(N−1)を出力する。電圧選択回路530はN個のスイ
ッチS0〜S(N−1)で構成し、スイッチ制御信号で階
調電圧選択して電圧Voを出力する。負荷回路540は
等価的に容量CLで表され、前記出力に接続される。
トの表示データD0〜D(n−1)、制御信号T1とスイ
ッチ制御信号X(0)…X(N−1)の関係を示す真理値表
である。制御信号が“L”のとき、前記nビットの表示
データD0〜D(n−1)で、N本のスイッチ制御信号X
(0)…X(N−1)からいずれか1本を選択する。一方、
制御信号が“H”のときは、前記nビットの表示データ
D0〜D(n−1)で、N本のスイッチ制御信号X(0)…
X(N−1)から連続した2本を選択する。
記制御信号T1選択できるので、nビットの表示データ
を入力する場合でも、図2に示す第1の実施例と同様の
効果がある。
する制御回路の他の実施例を示す。本発明の制御回路5
10は前記表示データの上位2ビットのデコーダ641
と前記表示データの下位1ビットのデコーダ642,複
数のORゲート643,複数のANDゲート644で構
成される。前記デコーダ641には前記表示データD
1,D2を入力し、前記デコーダ642には前記表示デ
ータD0を入力する。前記複数のORゲート643は前
記制御信号T1を共通に入力すると共に、前記デコーダ
642の出力を入力する。前記複数のANDゲート64
4は前記複数のORゲート643の出力と前記デコーダ
641の出力を図示のように接続する。以上のように構
成することにより、本実施例における制御回路510の
真理値表は、図2に示す制御回路510の真理値表であ
る図3と同様となる。本実施例ではデコーダを上位と下
位に分けて構成するので、全体のトランジスタ数を低減
できる効果がある。
の実施例を示すブロック構成図を示す。本実施例は4ビ
ットの表示データD0〜D3と制御信号T1を入力し
て、16本の制御信号X0〜X15を出力する制御回路
660と、16段階の階調電圧V0〜V15を出力する
階調電圧発生回路520と、16個のスイッチS0〜S
15で構成する。前記図7の制御回路510は前記表示
データの上位2ビットのデコーダ660と前記表示デー
タの下位2ビットのデコーダ670,複数のORゲート
671,複数のANDゲート661で構成される。前記
デコーダ660には前記表示データD2,D3を入力し、
前記デコーダ670には前記表示データD0,D1を入
力する。前記複数のORゲート671は前記制御信号T
1を共通に入力すると共に、前記デコーダ670の出力
を入力する。前記複数のANDゲート6661は前記複
数のORゲート671の出力と前記デコーダ660の出
力を図示のように接続する。
理値表を図8に示す。制御回路T1が“H”の状態のと
きのみを示した。本状態における選択スイッチは、スイ
ッチ制御信号を4個ずつ、4組にわけ、この分けた組毎
に導通状態にする。このように導通状態にする選択スイ
ッチの数を増やすことによって、負荷容量の充電時間を
1/4とさらに短縮することができる効果がある。
の実施例を示すブロック構成図を示す。本実施例は制御
回路510,階調電圧発生回路520,選択スイッチ回
路530で構成する。
710,複数のANDゲート720,複数のORゲート
730で構成する。前記デコーダ730には前記表示デ
ータD0〜D2を入力する。前記複数のANDゲート7
20は前記制御信号T1を共通に入力すると共に、前記
デコーダ720の出力を入力する。前記複数のORゲー
ト730は前記デコーダ710の各出力を入力するとと
もに、前記複数のANDゲートの出力を図示のように接
続する。
ッチS0〜S7と前記選択スイッチS0と並列に接続す
る選択スイッチS0a,S0bと前記選択スイッチS7
と並列に接続する選択スイッチS7a,S7bで構成さ
れる。前記選択スイッチS0a,S0bは前記複数のA
NDゲート720の中で、前記デコード回路の0出力と
前記制御信号T1との論理積で制御し、前記選択スイッ
チS7a,S7bは前記複数のANDゲート720の中
で、前記デコード回路の710の出力と前記制御信号T
1との論理積で制御する。
の真理値表を図10に示す。前記制御信号T1が“L”
のとき、前記3ビットの表示データD0〜D3で、8本
のスイッチ制御信号X0…X7からいずれか1本を選択
する。一方、制御信号が“H”のときは、前記3ビット
の表示データD0〜D7で、8本のスイッチ制御信号X
0…X7から連続した3本を選択する。この結果、プリ
チャージ期間の整定値を整定期間の整定値とほぼ等しく
することができるので、整定期間を短くできる効果があ
る。
晶表示装置のブロック構成図である。本液晶表示装置は
映像信号源810,インターフェース回路820,液晶
パネル600を構成する。
ス状に配置した表示部100と、複数の走査線30を駆
動す走査回路300と、複数の信号線20を駆動するサ
ンプル・ホールド回路210と、サンプル・ホールド回
路210のサンプリングタイミングを制御する水平走査
回路220,ディジタルの映像信号をアナログに変換し
た映像信号をサンプル・ホールド回路200に出力する
DA変換回路500a,500bで構成される。DA変
換回路500a,500bは、偶数ラインと偶数ライン
の表示データをそれぞれ入力し、前記サンプルホールド
回路210の映像信号線を駆動する。
持容量1b,液晶容量1cで構成し、MOSトランジス
タのゲート端子は走査線に、ドレイン端子は信号線に、
ソース端子は液晶容量1cと保持容量1bに接続され
る。この保持容量1bと液晶容量1cの他端は、表示部
100と対向して配置し液晶を挾持する対向基板の電極
と同電位に接続される。サンプル・ホールド回路200
は、各信号線毎に接続するMOSトランジスタ201と
容量202で構成し、映像信号V1を奇数ラインの信号
線に、映像信号V2を偶数ラインの信号線に出力するよ
うMOSトランジスタのドレイン端子を信号線に、ソー
ス端子をV1またはV2の映像信号に、ゲート端子は水
平走査回路220の出力に接続している。
記DA変換回路500a,500bの出力負荷は、前記
映像信号線と前記信号線が加算されるが、前記DA変換
回路500a,500bに本発明のDA変換回路を用い
ることで高速に充電することが可能なので、前記選択ス
イッチは高くてもよい。この結果、前記選択スイッチの
占有面積を低減できる効果がある。
に駆動して、駆動回路の占有面積を低減できるので、高
精細,大画面の液晶表示装置でも十分な画質が得られる
効果がある。
示すブロック構成図と真理値表。
示すブロック構成図。
用いたデコーダの真理値表を示す図。
状態を示す等価回路。
動作を示す図。
路の実施例を示すブロック構成図。
示すブロック構成図。
用いたデコーダの真理値表を示す図。
示すブロック構成図。
に用いたデコーダの真理値表を示す図。
のブロック構成図。
・ホールド回路、400…シフトレジスタ、500a,5
00b…DA変換回路、510…制御回路、520…階
調電圧発生回路、530…電圧選択回路、540…負荷
回路、T1…制御端子。
Claims (9)
- 【請求項1】走査線と信号線の交点に設けたスイッチン
グ素子と、前記走査線の電圧を制御する走査回路と、前
記信号線の電圧を制御する信号回路を形成した第1の基
板、片面に透明電極を形成した第2の基板、 前記第1の基板と前記第2の基板に液晶を挟持した液晶
表示装置において、 前記信号回路を、複数の電圧を発生する階調電圧発生手
段と、前記階調電圧発生手段で発生した電圧の中から表
示データに応じた電圧を複数の選択スイッチで選択する
電圧選択手段と、前記表示データを入力して前記電圧選
択手段を制御する制御手段と、前記電圧選択手段の出力
電圧を所定のタイミングでサンプリングするサンプル手
段で構成し、 前記制御手段は、少なくとも複数の前記選択スイッチを
導通状態にして前記信号線を駆動する第1の状態と、前
記第1の状態よりも少ない数の前記選択スイッチを導通
状態にして前記信号線を駆動する第2の状態をとり、前
記制御手段は、導通状態にする前記選択スイッチの数
を、前記第1の状態が2以上で、前記第2の状態が1で
あるようにし、かつ、前記選択スイッチをM個,N組に
分け(N,Mは2以上の整数)、前記第1の状態で導通
状態にする前記選択スイッチを、前記第2の状態で導通
状態にする前記選択スイッチが含まれる組にすることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】請求項1記載の液晶表示装置において、 前記制御手段は、前記第1の状態で導通状態にする選択
スイッチの数Mを2のn乗(nは自然数)であることを
特徴にした液晶表示装置。 - 【請求項3】請求項2記載の液晶表示装置において、 前記制御手段を前記表示データ(jビット)とその論理
否定を入力して、jビットを2のj乗にデコードするデ
コーダで構成し、前記表示データの下位nビット(1≦
n<j)の前記表示データとその論理否定をそれぞれ制
御信号T1と論理和をとり、前記論理和の出力を前記デ
コーダに入力することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項4】請求項1記載の液晶表示装置において、 前記第1の状態で前記選択スイッチを導通状態にして選
択する前記階調電圧の平均を、前記第2の状態で前記選
択スイッチを導通状態にして選択する前記階調電圧とほ
ぼ等しくしたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項5】請求項4記載の液晶表示装置において、 前記第1の状態で導通状態にする前記選択スイッチの数
が奇数であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項6】請求項5記載の液晶表示装置において、 前記第1の状態で導通状態にする前記選択スイッチを、
前記第2の状態で導通状態にする前記選択スイッチと、
前記第2の状態で導通状態にする前記選択スイッチより
も高い電圧を選択する前記選択スイッチと、前記第2の
状態で導通状態にする前記選択スイッチよりも低い電圧
を選択する前記選択スイッチにしたことを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項7】請求項5記載の液晶表示装置において、 前記第1の状態で導通状態にする前記選択スイッチが隣
接していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項8】請求項7記載の液晶表示装置において、 前記第1の状態で導通状態にする前記選択スイッチの数
が3であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項9】請求項8記載の液晶表示装置において、 前記制御回路を前記表示データ(jビット)を2のj乗
にデコードするデコーダと、2入力論理積回路と、3入
力論理和回路で構成し、前記論理積回路の入力を前記デ
コーダの各出力と前記制御信号T1とし、前記論理和回
路の入力を前記デコーダの各出力と、隣接する2つの前
記論理積回路の出力としたことを特徴とする液晶表示装
置。
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