JP3465097B2 - 潜像転写用電子写真感光体 - Google Patents
潜像転写用電子写真感光体Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は潜像転写方式の電子写真
法に好適な単層型（感光層が一層からなる）の有機電子
写真感光体に関する。 【０００２】 【従来の技術】電子写真法の一方式であるカールソンプ
ロセスに用いられる感光体として多くの感光体方式と構
成材料が知られている。望まれる要求品質を達成するた
め、感光体の機能を分離し、組成や成分を変えたいくつ
かの層にそれらの機能を分担させた、いわゆる機能分離
方式の感光体が現在の感光体の主方式となっている。こ
の方式により、帯電性、感度、機械的強度やこれらの繰
り返し使用性が実用上十分な程度に満足されてきてい
る。その背景には数多くの材料の開発がある。とりわ
け、有機材料は種類が豊富であり、また電気絶縁性にも
優れていることから多くの提案がなされている。 【０００３】それらのうち電荷発生物質として、例えば
フタロシアニンに関するものとして特公昭４９−４３３
８号公報にはＸ型無金属フタロシアニンが、特開昭４８
−７２４号公報にはπ型の無金属フタロシアニンが、特
開昭５８−１８２６３９号公報にはτ型の無金属フタロ
シアニンが、特開昭５１−２３７３８号公報にはε型の
銅フタロシアニンが、特開昭５９−４９５４４号公報に
はチタニル金属フタロシアニン結晶が、特開昭６１−２
３９２４８号公報にはα型チタニルフタロシアニン、特
開昭６２−６７０９４号公報にはβ型チタニル金属フタ
ロシアニンが開示され、また、ジスアゾ顔料に関するも
のとして特開昭４７−３７５４３、同５２−４２４１、
同５３−９５０３３、同５４−７２７号公報等がある。
また、正孔移動材料の例として、特開昭５２−１２４３
３０、同５２−１３９０６４号公報にオキサジアゾール
化合物が、特開昭５５−４６７６０、同５６−４６７６
１号公報にヒドラゾン化合物が、特開昭５６−１１９１
３２号公報にベンジジン系のジアミン化合物が、特開昭
５８−６５４４０、同５８−１９８０４３号公報にスチ
リルトリアリールアミン化合物が、特開平３−１０７８
６０号公報にブタジエン系化合物が開示されている。ま
た、感光体の構成としてよく知られている機能分離型の
積層構成のほか、特開昭５４−１６３３号公報では電荷
発生顔料を電荷輸送物質であるドナーとアクセプタと共
に樹脂中に分散した単層感光体が、さらに特開平３−２
５６０５０号公報ではアクセプタ性化合物としてジフェ
ノキノン誘導体を用いた上記と同様の構成の単層感光体
の提案がなされている。 【０００４】一方、電子写真法の一方式である潜像転写
方式は、上述のカールソン法と異なり、感光体と静電潜
像保持が可能な静電記録体との間に電圧を印加すること
により、感光体上に形成された静電潜像を静電記録体上
に転写し、しかる後に転写された静電潜像を現像し可視
化するものである。この方式は古くから知られ、例えば
Ｒ．Ｍ．シヤファート著「電子写真」（共立出版、昭和
４８年）、７０貢にＴＥＳＩ（潜像転写）法の記載があ
る。それによると、潜像転写法には、感光体上に先ず静
電潜像が作られ、次に静電記録体に該静電潜像を転写す
る逐次法と、静電記録体と感光体を接触した状態で静電
潜像を作る直接法がある。本発明はこの内、主として逐
次法に好適な電子写真感光体に関するものである。潜像
転写法はカールソン法と比べ、記録体として導電層と誘
電層が必要であるため普通紙を用いることができない欠
点があるが、感光体上の静電潜像を直接現像する必要が
ないため、電子写真プロセスに必要な各種ユニットを電
子写真感光体周りに配置する装置設計の余裕度が高いメ
リットがある。このようなメリットを生かし、電子写真
装置の創製期の頃には逐次潜像転写法を採用した複写機
が市販されたこともあった。このような複写機に用いら
れた電子写真感光体として、蒸着Ｓｅ層電荷発生層と
し、ポリビニルカルバゾールを電荷輸送層に用いた積層
型感光体がある。しかしながら、このような逐次転写方
式を用いた複写機に適用可能な感光体は、特殊な特性を
持つ必要はなく、上記カールソン法用の電子写真用感光
体をそのまま逐次転写方式の潜像転写プロセス用の感光
体として用いることが可能である。 【０００５】これに対し、同時転写方式では感光体に対
する工夫が逐次転写方式以上に要求されるため、例えば
融く特開昭５６−４３６６５号公報では高耐圧の要請に
対し絶縁層を設けるなどの提案がなされている。しかし
ながら、最近では、このようなカールソン法の適用範囲
の中でカールソン法と対抗するのではなく、カールソン
法では困難な高品質な電子写真画像出力用に潜像転写法
を見直す検討がなされている。潜像転写方式では現像後
の転写工程が必要でないため、カールソン法と比べ本質
的に高精細な高品質画像が得られる可能性を有している
からである。 【０００６】このような高品質画像出力装置に用いられ
る潜像転写方式用の感光体としては、感度が高く、繰り
返しによる電位の安定が重要な要素であるが、とりわ
け、転写電位が高くとれる必要がある。静電記録体上へ
の転写電位が低いと出力画像の濃度が低くなる。記録体
誘電層を厚くすると記録体の電位は向上するが、転写さ
れた電荷量は増大しない。高画質化のためにプロセス速
度を遅くしたシステムでは、現像濃度は主として記録体
の表面電荷量で決定されるため、このような方策では画
像濃度を高くすることができないことが理解される。記
録紙の電位を高くするために感光体として要求される特
性としては、帯電性が良く高感度であることであり、カ
ールソンプロセス用に要求される特性と何ら矛盾しな
い。これは、感光体上での画像部と非画像部の電位コン
トラストを大きくすることで、最適なプロセス条件の設
定により、記録体上での転写電位を大きくすることが可
能になるためである。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来用
いられてきた電子写真感光体を静電転写プロセスに用い
た場合、直ちに高い転写電位が得られるかどうかは不明
であった。実際に積層型の感光体を該プロセスに適用し
た場合には転写電位としては、かなり低いものしか得ら
れなかった。そこで、記録体の表面電荷量を高めるに
は、潜像転写時に感光体の電位と記録体導電層の電位の
差を大きくするように転写電圧を印加すればよいが、転
写電圧を大きくし過ぎると、画像ぬけのような異常画像
が発生するという問題が生じる。 【０００８】また、本発明者らの検討の結果、記録体の
表面電荷量が大きくなるような感光体構成およびプロセ
ス条件では、初期では記録体電位を確実に大きく取れる
ものの、経時で転写条件を一定に保った場合には記録体
電位が減少し易くなることが明らかになった。この理由
は現在明瞭ではないが、転写される電荷量の増加に伴っ
て、感光体が受ける何らかの静電的ダメージが大きくな
り、潜像転写に寄与する特性が劣化しているものと考え
られる。そこで、記録体電位の減少に伴って転写電位を
増加させるように調製を行うと、前述した異常画像とい
う問題が発生してしまう。従って、従来の技術では記録
体電位を大きくし、かつ、経時でも一定に保つことがプ
ロセス上困難であることが明らかとなった。本発明は、
このような状況に鑑みてなされたもので長期的に安定し
た画像濃度が得られる潜像転写用電子写真感光体を得る
ことを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、電子写
真感光体上に静電潜像を形成した後に、該感光体の表面
側に静電記録体を接触させ、該感光体と該静電記録体の
間に電圧を印加して該静電記録体上に感光体に対応した
静電潜像を転写し、しかる後に該静電記録体上の静電潜
像を可視化する潜像転写方式の電子写真法に用いられる
感光体において、導電性基体上に直接または下引き層を
介して単層の有機感光層を設けてなり、該感光層は少な
くとも電荷発生顔料、下記一般式（Ｉ）〜（VII)で表わ
される有機正孔輸送物質のいずれか１種以上および下記
一般式（VIII）、（XI）または（XIV)で表わされる有機
アクセプタ性化合物が結着剤中に分散され、かつ前記有
機正孔輸送物質と前記有機アクセプタ性化合物の重量組
成比が５０／１〜５／１または２／１〜１／５の範囲に
あることを特徴とする潜像転写感光体が提供される。 【化１】 （式（Ｉ）中、Ａｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3は、無置換
の、またはアルキル基、アルコキシ基、チオアルコキシ
基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニト
ロ基もしくはアミノ基で置換されたアリール基もしくは
複素環基を表す。） 【化２】 （式（II）中、Ｒ1およびＲ2は、水素原子、アルキル基
もしくはアリール基を表し、また、Ｒ1とＲ2の間で環を
形成してもよい。Ａｒ1はアリーレン基もしくは複素環
基を、Ａｒ2およびＡｒ3はアルキル基、アリール基もし
くは複素環基を表す。） 【化３】 （式（III)中、Ａｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3は、無置換
の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
シアノ基、ニトロ基もしくはアミノ基で置換されたアリ
ール基もしくは複素環基を表す。） 【化４】 （式（IV）中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ5およびＡｒ6は、無
置換の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基もしくはアミノ基で置換された
アリール基を、Ａｒ3およびＡｒ4は、無置換の、または
上記置換基で置換されたアリーレン基を表す。） 【化５】 （式（Ｖ）中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、無
置換の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基もしくはアミノ基で置換された
アリール基を、Ｘはアルキレン基、硫黄、酸素もしくは
（ＣＨ＝ＣＨ）ｎ（ｎは１以上の整数）を表す。） 【化６】 （式（VI）中、Ａｒ1は、無置換の、またはアルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基
もしくはアミノ基で置換されたアリール基もしくは複素
環基を、Ａｒ2およびＡｒ3はアルキル基、フェニル基も
しくはナフチル基を表す。） 【化７】 （式（VII)中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、無
置換の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子もしくはアミノ基で置換されたアリール基もしくは複
素環基を表す。また、ｎは０または１の整数を表す。） 上記一般式（Ｉ）〜（VII)で示される化合物の具体例を
表１−１〜１−１８に示す。ただし、本発明はこれら具
体例に限定されるものではない。 【００１０】 【表１−（１）】【００１１】 【表１−（２）】【００１２】 【表１−（３）】【００１３】 【表１−（４）】【００１４】 【表１−（５）】【００１５】 【表１−（６）】【００１６】 【表１−（７）】【００１７】 【表１−（８）】【００１８】 【表１−（９）】【００１９】 【表１−（１０）】【００２０】 【表１−（１１）】【００２１】 【表１−（１２）】【００２２】 【表１−（１３）】【００２３】 【表１−（１４）】【００２４】 【表１−（１５）】【００２５】 【表１−（１６）】【００２６】 【表１−（１７）】【００２７】 【表１−（１８）】【００２８】 【表１−（１９）】【００２９】また、前記有機アクセプタ性化合物として
下記一般式（VIII）、（XI）または（ＸIV）で表わされ
る化合物が提供される。 【化８】 上式（VIII）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一または
異なる水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、シアノ基、ニトロ基よりなる群から選ばれ
た少なくとも１種の基を表す。Ｘは＝Ｏ、下式（IX）及
び（Ｘ）で表される基よりなる群から選ばれた少なくと
も１種の基を表す。 ＝Ｃ（Ａ1）（Ｂ1） ……（IX） ＝Ｎ−Ｒ5 ……（Ｘ） 上式（IX）において、Ａ1、Ｂ1は同一または異なる水素
原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の
芳香族基および−ＣＯＯＲ6よりなる群から選ばれた少
なくとも１種の基を表す。上式（Ｘ）において、Ｒ5は
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
の芳香族基、あるいはシアノ基を表す。前記Ｒ6は置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳
香族基を表す。 【００３０】上式（VIII）における、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3お
よびＲ4において、置換もしくは無置換のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブ
チル基、ｎ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等のア
ルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等のシ
クロアルキル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル
基、ブロモエチル基、フルオロプロピル基等のハロゲン
置換アルキル基、ベンジル基等がそれぞれ例示される。 【００３１】上式（IX）において、Ａ1、Ｂ1において、
置換もしくは無置換の芳香族基としては、フェニル基、
ナフチル基、アントラセン基、ピレン基などの芳香族基
が例示され、その置換基としては、クロロ基、ブロモ
基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ブチル基、ニトロ基、シアノ基、メトキシ基、
エトキシ基、アセトキシ基、メトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、メチルカ
ルボニル基、エチルカルボニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
ミノ基、ベンゾオキシアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ド基、メチルチオキシ基、トリフルオロメチル基、フェ
ニル基などがそれぞれ例示される。上式（IX）および
（Ｘ）におけるＲ5、Ｒ6において置換もしくは無置換の
アルキル基、芳香族基の例は先に挙げたＲ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＢ1のそれらの例と同様である。 【００３２】本発明の一般式（VIII）で示される化合物
の具体例を表２−１〜２−４に示すが、これらに限定さ
れるものではない。 【００３３】 【表２−（１）】【００３４】 【表２−（２）】【００３５】 【表２−（３）】【００３６】 【表２−（４）】【００３７】 【化９】 上式（XI）中、（Ｗ）ｎは同一または異なる水素原子、
ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、シア
ノ基、ニトロ基よりなる群から選ばれた少なくとも１種
の基を表す。ｎは０〜４の整数を表す。Ｘは＝Ｏ、下式
（XII）及び（XIII）で表される基よりなる群から選ば
れた少なくとも１種の基を表す。 ＝Ｃ（Ａ2）（Ｂ2） ……（XII） Ｎ−Ｒ7 ……（XIII） 上式（XII）において、Ａ2、Ｂ2は同一または異なる水
素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換
の芳香族基および−ＣＯＯＲ8よりなる群から選ばれた
少なくとも１種の基を表す。上式（XIII）において、Ｒ
7は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換の芳香族基あるいはシアノ基を表す。前記Ｒ8は置
換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の
芳香族基を表す。 【００３８】上式（XII）における、Ａ2、Ｂ2におい
て、置換もしくは無置換の芳香族基としてはフェニル
基、ナフチル基、ピリジル基、その置換基としては、メ
チル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基など
のアルキル基、メトキシ基あるいはエトキシ基などのア
ルコキシ基、フッ素、塩素あるいは臭素などのハロゲン
原子、トリフルオロメチル基などのハロゲン置換アルキ
ル基、メシキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル
基、置換もしくは無置換のナフトキシカルボニル基、ア
シル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができる。 【００３９】上式（XII）および（XIII）におけるＲ7、
Ｒ8においてフェニル基、ナフチル基の置換基の例は先
に挙げたＡ2、Ｂ2のそれらの例と同様である。上式（XI
I）におけるＲ8の置換機としては、メトキシ基、エトキ
シ基等のアルコキシ基、フッ素、塩素などのハロゲン原
子等を挙げることができる。本発明の一般式（XI）で示
される化合物の具体例を表３−１〜３−４に示すが、こ
れらに限定されるものではない。 【００４０】 【表３−（１）】 【００４１】 【表３−（２）】【００４２】 【表３−（３）】【００４３】 【表３−（４）】【００４４】削除 【００４５】削除 【００４６】削除 【００４７】削除 【００４８】削除 【００４９】削除 【００５０】以下に、本発明を添付の図面に従いなが
ら、さらに詳細に説明する。図１において、１は導電性
基体、２は感光層、２１は電荷発生顔料、２２は結着剤
２３に分子状に分散された有機正孔輸送物質、２４は分
子状に分散された有機アクセプタ性化合物を表してい
る。また、図２は逐次転写方式における静電潜像の転写
を表している。図中、３は静電記録体、３１は静電記録
体の誘電層、３２は静電記録体の導電層、４は導電ロー
ラ、５は転写時の印加電圧を示している。尚、印加電圧
値の設定により、感光体の導電部が転写されるモード
（ポジ転写）と感光体の非帯電部あるいは低帯電部が転
写されるモード（ネガ転写）が選択できる。 【００５１】本発明のこのような感光体は帯電性と感度
に優れ、逐次転写プロセスに用いると、白抜けのような
異常画像が出現しない転写条件で、記録体の転写電位を
十分な現像濃度が達成できるところまで高くとれる。こ
の理由は現在明瞭ではなく、今後さらに検討が必要であ
るが、帯電性と感度が高いことも次の理由から転写電位
が高くとれることにつながっている。高画質化を目指し
た場合には、顕像化までの各プロセスを緩やかな条件で
実施する必要があり、遅いプロセス速度となる。このよ
うな場合、帯電から転写までの時間を要することにな
る。帯電性が不良な感光体を用いた場合には暗減衰速度
が速いため、画像部と非画像部の電位コントラストが低
下し、転写後の静電記録体上の電位コントラストも低く
なってしまう。 【００５２】また、感度が優れていることは、感光体上
での電位コントラストが大きくとれ、静電記録体上での
電位コントラストも高くとれることにつながる。正帯電
で使用する場合、暗減衰を生じる主な原因は基板からの
電子注入であるが、この帯電極性で使用する感光体は正
孔移動機能がはるかに勝り基板からの電子注入性は低い
ため帯電性が確保される。また、フタロシアニンあるい
はビスアゾ顔料の光電荷発生効率が良好なことに加え、
発生した正孔が正孔輸送物質が分子状に分散されたマト
リックスに効率よく注入され高速に移動するため高感度
が発現していると考えられる。有機アクセプタ性化合物
を使用した場合の利点は、正孔輸送物質と有機アクセプ
タ性化合物の組成を変えることで、正負両方の帯電極性
に対応できることである。有機アクセプタ性化合物の使
用はまた、残留電位の低下と感光体の静電的特性の長寿
命化をもたらす。これらの改良の原因の１つとして、光
照射により電荷発生顔料で発生した正孔と電子のうち電
子を引き抜くことで電荷発生顔料の内部電界の低減の防
止と電気抵抗の低下を防止することが考えられる。 【００５３】本発明に用いられる単層感光体中の正孔輸
送物質と有機アクセプタ性化合物の組成比は５０／１〜
５／１または２／１〜１／５の間にある。５０／１より
もアクセプタが少ない場合には、残留電位の増加や感度
低下が発生する。１／５よりもアクセプタが多い場合に
は、基板からの電子注入量が増加し、帯電性が低下して
しまう。本発明の範囲外である５／１〜２／１の間で
は、感光体膜厚や潜像転写プロセスの条件が同じ場合で
も、静電記録紙上への転写電位が比較的高く取れるとい
う特徴がある。一見これは長所として捉えられるが、こ
のような転写電位が取れやすい感光体ほど繰り返し使用
時の転写電位の低下率が大きくなるという欠点が明らか
になった。この理由については現在明確になっていな
い。実用上の感光体に要求される特性としては、初期の
転写電位が一時的に非常に高く採れるよりも、繰り返し
使用時に比較的高い転写電位で安定している方が優れて
いることになる。本発明による５０／１〜または２／１
〜１／５の範囲内では、実用上の必要十分な転写電位が
得られ、かつ、繰り返し使用時の安定性に優れており、
総合的に潜像転写方式に好適な電子写真感光体となる。 【００５４】本発明に用いられる電荷発生顔料として
は、例えばＸ型の無金属フタロシアニン、π型の無金属
フタロシアニン、τ型無金属フタロシアニン、ε型の銅
フタロシアニン、α型チタニルフタロシアニン、β型チ
タニルフタロシアニン等のフタロシアニン顔料やジスア
ゾ、トリスアゾ系顔料、アントラキノン系顔料、多環キ
ノン系顔料、インジゴ顔料、ジフェニルメタン、トリメ
チルメタン系顔料、シアニン系顔料、キノリン系顔料、
ベンゾフェノン、ナフトキノン系顔料、ペリレン系顔
料、キナクリドン系顔料、ナフタロシアニン系顔料、ポ
ルフィリン系顔料が使用できる。これら電荷発生顔料の
感光層全体に占める量は、０．３〜２５ｗｔ％が適当で
ある。感光体における結着剤の役割は、電荷発生顔料の
良好な分散と輸送材料の分子状の分散ばかりでなく、複
写プロセスで必要とされる感光体の機械的強度も担って
いる。しかしながら本感光体が用いられるプロセスは感
光体上での現像が必要でないため、クリーニングもカー
ルソンプロセスと比べ、はるかに弱いものでよい。従っ
て、カールソンプロセス用感光体と比べ、本発明の感光
体では結着剤の組成を低くすることができる。 【００５５】本発明で用いることができる結着剤として
は、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエ
ステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、
シリコーン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重
付加型樹脂、重縮合型樹脂並びにこれらの繰り返し単位
のうち２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水
マレイン酸共重合体樹脂を挙げることができる。これら
結着剤の感光層全体に占める量は２０〜９０％、好まし
くは３０〜７０重量％である。本発明の感光層の厚さは
５〜２０μmが好ましい。これより薄いと帯電性が低下
し、厚いと感光体の静電容量が低下し転写電位の低下を
来す。本発明で用いることができる導電性基体として
は、アルミニウム、ニッケル、銅、ステンレス等の金属
板、金属ドラムまたは金属箔、アルミニウム、酸化ス
ズ、ヨウ化銅の薄膜を塗布したプラスチックフィルムあ
るいはガラス等が挙げられる。 【００５６】本発明の感光体では帯電性を改良する目的
で感光層と導電性基体の間に下引き層を設けることがで
きる。これらの材料としては前記結着剤材料の他に、ポ
リアミド樹脂、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリ
ビニルピロリドン等を用いることができる。本発明の感
光体をつくるには、前記の材料を有機溶媒中に溶解また
はボールミル、超音波で分散して調整した感光層形成液
を浸漬法やブレード塗布、スプレー塗布等で基体上に塗
布し感光層を形成すればよい。 【００５７】 【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、こ
れにより本発明の態様が限定されるものではない。 【００５８】実施例１ 下記構造式（XVII）のフタロシアニン顔料１ｇを下記構
造式（XVIII)のポリカーボネート（ＰＣ−Ｚ）溶液１０
ｇ（テトラヒドロフラン中に１０ｗｔ％に溶解したも
の）、テトラヒドロフラン９ｇとともにボールミリング
した後、任意の組成比となるように１５ｗｔ％のＰＣ−
Ｚ溶液、アクセプタ性化合物（表２−１、Ｎｏ．VIII−
２）、正孔輸送物質（表１−５、Ｎｏ．Ｄ２−２０）を
加え感光体の塗布液を作製した。この液をシート状のア
ルミニウム基体上にブレード塗布し、加熱乾燥して約１
４μm厚の単層型感光体を作製した。実施例１では感光
体の組成比を顔料／ＰＣ−Ｚ／正孔輸送物質／アクセプ
タ性化合物の順番に２ｗｔ％／５０ｗｔ％／２４ｗｔ％
／２４ｗｔ％とした。正孔輸送物質（ドナー）とアクセ
プタ性化合物の重量組成比（Ｄ／Ａ比）は１／１。本実
施例で使用したフタロシアニン顔料は、次の化学構造式
で表わされる。 【化１１】 本実施例で使用した結着樹脂は次の化学構造式で表され
る。 【化１２】 潜像転写特性の測定は、自作した簡易試験機で行った。
まず、平板に張り付けたシート状感光体の暗中＋６．５
ＫＶでコロナ帯電し、暗減衰後の表面電位が＋６００Ｖ
になったところで、３０Ｉｕｘのタングスデン光を１秒
間照射した。光照射後、金属ローラに巻き付けた静電記
録紙の導電層に＋８００Ｖの電圧を印加しながら、感光
体上にローラを転がし、感光体表面と記録紙を接触・剥
離した。このとき、記録紙と感光体のニップ幅は約２ｍ
ｍ、移動速度は約２０ｍｍ／ｓｅｃの条件とした。剥離
後の静電記録紙上の表面電位（Ｖｐ）を測定したとこ
ろ、転写電位は−１１ＯＶが得られた。静電記録紙の静
電容量より、この電位は表面電荷密度７．７×１０-8Ｃ
／ｃｍ2に相当し、現像に対して充分な表面電荷密度に
達していることが分かった。また、未露光部に対して同
様の条件で転写電位を測定したところ０Ｖであった。本
測定案件よる評価では、Ｖｐの絶対値が９０Ｖ以上であ
れば、必要にして十分であると判断できる。次に、本測
定を２００回繰り返して転写電位の変化を調べたとこ
ろ、繰り返し後の転写電位は−１０８Ｖが得られた。初
期値に対する変化率は、−１．８％であり、後述する比
較例に比べて安定性が向上している。測定誤差等も含め
て、５％以内の低下率ならば、実用上問題ないと判断し
た。 【００５９】実施例２ Ｄ／Ａ比を変えた以外は、実施例１と同様に試料を作製
し、同様な測定を行った。評価結果を表５に示す。 【００６０】実施例３〜４ 電荷発生顔料および感光体組成比を変えた以外は、実施
例１と同様に試料を作製し、同様な測定を行った。本実
施例で使用したジスアゾ顔料は次の化学構造式（XIX）
で表される。評価結果を表５に示す。 【化１３】 【００６１】比較例１ Ｄ／Ａ比を本発明の範囲外に変えた以外は、実施例１と
同様に試料を作製し、同様な測定を行った。評価結果を
表５に示す。 【００６２】比較例２ Ｄ／Ａ比を本発明の範囲外に変えた以外は、実施例３と
同様に試料を作製し、同様な測定を行った。評価結果を
表５に示す。 【００６３】比較例３ 下引き層を有した基板上に下記構造式（XX）で示される
トリスアゾ顔料とブチラール樹脂（重量比で１／１）か
らなる電荷発生層を約０．５μm厚に設けた。その上に
実施例１で使用した正孔輸送物質（表１−５、Ｎｏ．Ｄ
２−２０）と結着樹脂（式（XVIII）を重量比が４／６
でテトラヒドロフランに溶解した液を塗布し１４μmの
電荷輸送層を設けた。この感光体を実施例１と同様な測
定を行った。ただし、この積層感光体は負帯電型で用い
るため、帯電電位測定時のコロナ放電の極性や潜像転写
時の印加電圧の極性、潜像転写領域等は変更している。
評価結果を表５中に示す。 【化１４】【表５】 【００６４】実施例５〜１０ 正孔輸送物質を本発明の範囲外で変えた以外は実施例３
と同様に作製し、同様を測定を行なった。評価結果を表
６に示す。 【表６】 【００６５】比較例４ 正孔輸送物質を下記構造式（XXI）の化合物に変えた以
外は実施例３と同様に測定を行なったところ、初期の状
態から暗減衰が大きすぎ露光部で−１００Ｖが得られた
ものの未露光部でも−４０Ｖとなり、電位コントラスト
としては−６０Ｖしか得られなかった。 【化１５】 【００６６】実施例１１ アクセプタ性化合物および感光体組成比を変えた以外は
実施例３と同様に試料を作製し、同様な測定を行なっ
た。評価結果を表７に示す。 【００６７】比較例５ アクセプタ性化合物を下記構造式（XXII）の化合物に変
えた以外は実施例１１と同様に試料を作製し、同様な測
定を行なった。評価結果を表７に示す。 【化１６】 【表７】 表５〜表７の結果より本発明の範囲内の感光体組成およ
び本発明で特定された正孔輸送物質とアクセプタ性化合
物を用いた実施例の感光体は、潜像転写時の印加電圧や
感光体膜厚が同じ条件では繰り返し使用時の安定性に優
れていることが分かる。 【００６８】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、導電性
基体上の単層の感光層に、少なくとも電荷発生顔料およ
び一般式（I）〜（VII）で表わされる有機正孔輸送物質
のいずれか１種以上と一般式（VIII）または（XI）で表
わされる有機アクセプタ性化合物を重量組成比で５０／
１〜５／１または２／１〜１／５の間で用いることによ
り、これを潜像転写プロセスに用いた場合、積層型感光
体に比べて高い転写電位を有し、また、繰り返し使用時
の記録紙電位の安定性に優れた電子写真感光体が得られ
る。
法に好適な単層型（感光層が一層からなる）の有機電子
写真感光体に関する。 【０００２】 【従来の技術】電子写真法の一方式であるカールソンプ
ロセスに用いられる感光体として多くの感光体方式と構
成材料が知られている。望まれる要求品質を達成するた
め、感光体の機能を分離し、組成や成分を変えたいくつ
かの層にそれらの機能を分担させた、いわゆる機能分離
方式の感光体が現在の感光体の主方式となっている。こ
の方式により、帯電性、感度、機械的強度やこれらの繰
り返し使用性が実用上十分な程度に満足されてきてい
る。その背景には数多くの材料の開発がある。とりわ
け、有機材料は種類が豊富であり、また電気絶縁性にも
優れていることから多くの提案がなされている。 【０００３】それらのうち電荷発生物質として、例えば
フタロシアニンに関するものとして特公昭４９−４３３
８号公報にはＸ型無金属フタロシアニンが、特開昭４８
−７２４号公報にはπ型の無金属フタロシアニンが、特
開昭５８−１８２６３９号公報にはτ型の無金属フタロ
シアニンが、特開昭５１−２３７３８号公報にはε型の
銅フタロシアニンが、特開昭５９−４９５４４号公報に
はチタニル金属フタロシアニン結晶が、特開昭６１−２
３９２４８号公報にはα型チタニルフタロシアニン、特
開昭６２−６７０９４号公報にはβ型チタニル金属フタ
ロシアニンが開示され、また、ジスアゾ顔料に関するも
のとして特開昭４７−３７５４３、同５２−４２４１、
同５３−９５０３３、同５４−７２７号公報等がある。
また、正孔移動材料の例として、特開昭５２−１２４３
３０、同５２−１３９０６４号公報にオキサジアゾール
化合物が、特開昭５５−４６７６０、同５６−４６７６
１号公報にヒドラゾン化合物が、特開昭５６−１１９１
３２号公報にベンジジン系のジアミン化合物が、特開昭
５８−６５４４０、同５８−１９８０４３号公報にスチ
リルトリアリールアミン化合物が、特開平３−１０７８
６０号公報にブタジエン系化合物が開示されている。ま
た、感光体の構成としてよく知られている機能分離型の
積層構成のほか、特開昭５４−１６３３号公報では電荷
発生顔料を電荷輸送物質であるドナーとアクセプタと共
に樹脂中に分散した単層感光体が、さらに特開平３−２
５６０５０号公報ではアクセプタ性化合物としてジフェ
ノキノン誘導体を用いた上記と同様の構成の単層感光体
の提案がなされている。 【０００４】一方、電子写真法の一方式である潜像転写
方式は、上述のカールソン法と異なり、感光体と静電潜
像保持が可能な静電記録体との間に電圧を印加すること
により、感光体上に形成された静電潜像を静電記録体上
に転写し、しかる後に転写された静電潜像を現像し可視
化するものである。この方式は古くから知られ、例えば
Ｒ．Ｍ．シヤファート著「電子写真」（共立出版、昭和
４８年）、７０貢にＴＥＳＩ（潜像転写）法の記載があ
る。それによると、潜像転写法には、感光体上に先ず静
電潜像が作られ、次に静電記録体に該静電潜像を転写す
る逐次法と、静電記録体と感光体を接触した状態で静電
潜像を作る直接法がある。本発明はこの内、主として逐
次法に好適な電子写真感光体に関するものである。潜像
転写法はカールソン法と比べ、記録体として導電層と誘
電層が必要であるため普通紙を用いることができない欠
点があるが、感光体上の静電潜像を直接現像する必要が
ないため、電子写真プロセスに必要な各種ユニットを電
子写真感光体周りに配置する装置設計の余裕度が高いメ
リットがある。このようなメリットを生かし、電子写真
装置の創製期の頃には逐次潜像転写法を採用した複写機
が市販されたこともあった。このような複写機に用いら
れた電子写真感光体として、蒸着Ｓｅ層電荷発生層と
し、ポリビニルカルバゾールを電荷輸送層に用いた積層
型感光体がある。しかしながら、このような逐次転写方
式を用いた複写機に適用可能な感光体は、特殊な特性を
持つ必要はなく、上記カールソン法用の電子写真用感光
体をそのまま逐次転写方式の潜像転写プロセス用の感光
体として用いることが可能である。 【０００５】これに対し、同時転写方式では感光体に対
する工夫が逐次転写方式以上に要求されるため、例えば
融く特開昭５６−４３６６５号公報では高耐圧の要請に
対し絶縁層を設けるなどの提案がなされている。しかし
ながら、最近では、このようなカールソン法の適用範囲
の中でカールソン法と対抗するのではなく、カールソン
法では困難な高品質な電子写真画像出力用に潜像転写法
を見直す検討がなされている。潜像転写方式では現像後
の転写工程が必要でないため、カールソン法と比べ本質
的に高精細な高品質画像が得られる可能性を有している
からである。 【０００６】このような高品質画像出力装置に用いられ
る潜像転写方式用の感光体としては、感度が高く、繰り
返しによる電位の安定が重要な要素であるが、とりわ
け、転写電位が高くとれる必要がある。静電記録体上へ
の転写電位が低いと出力画像の濃度が低くなる。記録体
誘電層を厚くすると記録体の電位は向上するが、転写さ
れた電荷量は増大しない。高画質化のためにプロセス速
度を遅くしたシステムでは、現像濃度は主として記録体
の表面電荷量で決定されるため、このような方策では画
像濃度を高くすることができないことが理解される。記
録紙の電位を高くするために感光体として要求される特
性としては、帯電性が良く高感度であることであり、カ
ールソンプロセス用に要求される特性と何ら矛盾しな
い。これは、感光体上での画像部と非画像部の電位コン
トラストを大きくすることで、最適なプロセス条件の設
定により、記録体上での転写電位を大きくすることが可
能になるためである。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来用
いられてきた電子写真感光体を静電転写プロセスに用い
た場合、直ちに高い転写電位が得られるかどうかは不明
であった。実際に積層型の感光体を該プロセスに適用し
た場合には転写電位としては、かなり低いものしか得ら
れなかった。そこで、記録体の表面電荷量を高めるに
は、潜像転写時に感光体の電位と記録体導電層の電位の
差を大きくするように転写電圧を印加すればよいが、転
写電圧を大きくし過ぎると、画像ぬけのような異常画像
が発生するという問題が生じる。 【０００８】また、本発明者らの検討の結果、記録体の
表面電荷量が大きくなるような感光体構成およびプロセ
ス条件では、初期では記録体電位を確実に大きく取れる
ものの、経時で転写条件を一定に保った場合には記録体
電位が減少し易くなることが明らかになった。この理由
は現在明瞭ではないが、転写される電荷量の増加に伴っ
て、感光体が受ける何らかの静電的ダメージが大きくな
り、潜像転写に寄与する特性が劣化しているものと考え
られる。そこで、記録体電位の減少に伴って転写電位を
増加させるように調製を行うと、前述した異常画像とい
う問題が発生してしまう。従って、従来の技術では記録
体電位を大きくし、かつ、経時でも一定に保つことがプ
ロセス上困難であることが明らかとなった。本発明は、
このような状況に鑑みてなされたもので長期的に安定し
た画像濃度が得られる潜像転写用電子写真感光体を得る
ことを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、電子写
真感光体上に静電潜像を形成した後に、該感光体の表面
側に静電記録体を接触させ、該感光体と該静電記録体の
間に電圧を印加して該静電記録体上に感光体に対応した
静電潜像を転写し、しかる後に該静電記録体上の静電潜
像を可視化する潜像転写方式の電子写真法に用いられる
感光体において、導電性基体上に直接または下引き層を
介して単層の有機感光層を設けてなり、該感光層は少な
くとも電荷発生顔料、下記一般式（Ｉ）〜（VII)で表わ
される有機正孔輸送物質のいずれか１種以上および下記
一般式（VIII）、（XI）または（XIV)で表わされる有機
アクセプタ性化合物が結着剤中に分散され、かつ前記有
機正孔輸送物質と前記有機アクセプタ性化合物の重量組
成比が５０／１〜５／１または２／１〜１／５の範囲に
あることを特徴とする潜像転写感光体が提供される。 【化１】 （式（Ｉ）中、Ａｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3は、無置換
の、またはアルキル基、アルコキシ基、チオアルコキシ
基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニト
ロ基もしくはアミノ基で置換されたアリール基もしくは
複素環基を表す。） 【化２】 （式（II）中、Ｒ1およびＲ2は、水素原子、アルキル基
もしくはアリール基を表し、また、Ｒ1とＲ2の間で環を
形成してもよい。Ａｒ1はアリーレン基もしくは複素環
基を、Ａｒ2およびＡｒ3はアルキル基、アリール基もし
くは複素環基を表す。） 【化３】 （式（III)中、Ａｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3は、無置換
の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
シアノ基、ニトロ基もしくはアミノ基で置換されたアリ
ール基もしくは複素環基を表す。） 【化４】 （式（IV）中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ5およびＡｒ6は、無
置換の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基もしくはアミノ基で置換された
アリール基を、Ａｒ3およびＡｒ4は、無置換の、または
上記置換基で置換されたアリーレン基を表す。） 【化５】 （式（Ｖ）中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、無
置換の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基もしくはアミノ基で置換された
アリール基を、Ｘはアルキレン基、硫黄、酸素もしくは
（ＣＨ＝ＣＨ）ｎ（ｎは１以上の整数）を表す。） 【化６】 （式（VI）中、Ａｒ1は、無置換の、またはアルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基
もしくはアミノ基で置換されたアリール基もしくは複素
環基を、Ａｒ2およびＡｒ3はアルキル基、フェニル基も
しくはナフチル基を表す。） 【化７】 （式（VII)中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、無
置換の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子もしくはアミノ基で置換されたアリール基もしくは複
素環基を表す。また、ｎは０または１の整数を表す。） 上記一般式（Ｉ）〜（VII)で示される化合物の具体例を
表１−１〜１−１８に示す。ただし、本発明はこれら具
体例に限定されるものではない。 【００１０】 【表１−（１）】【００１１】 【表１−（２）】【００１２】 【表１−（３）】【００１３】 【表１−（４）】【００１４】 【表１−（５）】【００１５】 【表１−（６）】【００１６】 【表１−（７）】【００１７】 【表１−（８）】【００１８】 【表１−（９）】【００１９】 【表１−（１０）】【００２０】 【表１−（１１）】【００２１】 【表１−（１２）】【００２２】 【表１−（１３）】【００２３】 【表１−（１４）】【００２４】 【表１−（１５）】【００２５】 【表１−（１６）】【００２６】 【表１−（１７）】【００２７】 【表１−（１８）】【００２８】 【表１−（１９）】【００２９】また、前記有機アクセプタ性化合物として
下記一般式（VIII）、（XI）または（ＸIV）で表わされ
る化合物が提供される。 【化８】 上式（VIII）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一または
異なる水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、シアノ基、ニトロ基よりなる群から選ばれ
た少なくとも１種の基を表す。Ｘは＝Ｏ、下式（IX）及
び（Ｘ）で表される基よりなる群から選ばれた少なくと
も１種の基を表す。 ＝Ｃ（Ａ1）（Ｂ1） ……（IX） ＝Ｎ−Ｒ5 ……（Ｘ） 上式（IX）において、Ａ1、Ｂ1は同一または異なる水素
原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の
芳香族基および−ＣＯＯＲ6よりなる群から選ばれた少
なくとも１種の基を表す。上式（Ｘ）において、Ｒ5は
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
の芳香族基、あるいはシアノ基を表す。前記Ｒ6は置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳
香族基を表す。 【００３０】上式（VIII）における、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3お
よびＲ4において、置換もしくは無置換のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブ
チル基、ｎ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等のア
ルキル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等のシ
クロアルキル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル
基、ブロモエチル基、フルオロプロピル基等のハロゲン
置換アルキル基、ベンジル基等がそれぞれ例示される。 【００３１】上式（IX）において、Ａ1、Ｂ1において、
置換もしくは無置換の芳香族基としては、フェニル基、
ナフチル基、アントラセン基、ピレン基などの芳香族基
が例示され、その置換基としては、クロロ基、ブロモ
基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ブチル基、ニトロ基、シアノ基、メトキシ基、
エトキシ基、アセトキシ基、メトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、メチルカ
ルボニル基、エチルカルボニル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
ミノ基、ベンゾオキシアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ド基、メチルチオキシ基、トリフルオロメチル基、フェ
ニル基などがそれぞれ例示される。上式（IX）および
（Ｘ）におけるＲ5、Ｒ6において置換もしくは無置換の
アルキル基、芳香族基の例は先に挙げたＲ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＢ1のそれらの例と同様である。 【００３２】本発明の一般式（VIII）で示される化合物
の具体例を表２−１〜２−４に示すが、これらに限定さ
れるものではない。 【００３３】 【表２−（１）】【００３４】 【表２−（２）】【００３５】 【表２−（３）】【００３６】 【表２−（４）】【００３７】 【化９】 上式（XI）中、（Ｗ）ｎは同一または異なる水素原子、
ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、シア
ノ基、ニトロ基よりなる群から選ばれた少なくとも１種
の基を表す。ｎは０〜４の整数を表す。Ｘは＝Ｏ、下式
（XII）及び（XIII）で表される基よりなる群から選ば
れた少なくとも１種の基を表す。 ＝Ｃ（Ａ2）（Ｂ2） ……（XII） Ｎ−Ｒ7 ……（XIII） 上式（XII）において、Ａ2、Ｂ2は同一または異なる水
素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換
の芳香族基および−ＣＯＯＲ8よりなる群から選ばれた
少なくとも１種の基を表す。上式（XIII）において、Ｒ
7は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換の芳香族基あるいはシアノ基を表す。前記Ｒ8は置
換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の
芳香族基を表す。 【００３８】上式（XII）における、Ａ2、Ｂ2におい
て、置換もしくは無置換の芳香族基としてはフェニル
基、ナフチル基、ピリジル基、その置換基としては、メ
チル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基など
のアルキル基、メトキシ基あるいはエトキシ基などのア
ルコキシ基、フッ素、塩素あるいは臭素などのハロゲン
原子、トリフルオロメチル基などのハロゲン置換アルキ
ル基、メシキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル
基、置換もしくは無置換のナフトキシカルボニル基、ア
シル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができる。 【００３９】上式（XII）および（XIII）におけるＲ7、
Ｒ8においてフェニル基、ナフチル基の置換基の例は先
に挙げたＡ2、Ｂ2のそれらの例と同様である。上式（XI
I）におけるＲ8の置換機としては、メトキシ基、エトキ
シ基等のアルコキシ基、フッ素、塩素などのハロゲン原
子等を挙げることができる。本発明の一般式（XI）で示
される化合物の具体例を表３−１〜３−４に示すが、こ
れらに限定されるものではない。 【００４０】 【表３−（１）】 【００４１】 【表３−（２）】【００４２】 【表３−（３）】【００４３】 【表３−（４）】【００４４】削除 【００４５】削除 【００４６】削除 【００４７】削除 【００４８】削除 【００４９】削除 【００５０】以下に、本発明を添付の図面に従いなが
ら、さらに詳細に説明する。図１において、１は導電性
基体、２は感光層、２１は電荷発生顔料、２２は結着剤
２３に分子状に分散された有機正孔輸送物質、２４は分
子状に分散された有機アクセプタ性化合物を表してい
る。また、図２は逐次転写方式における静電潜像の転写
を表している。図中、３は静電記録体、３１は静電記録
体の誘電層、３２は静電記録体の導電層、４は導電ロー
ラ、５は転写時の印加電圧を示している。尚、印加電圧
値の設定により、感光体の導電部が転写されるモード
（ポジ転写）と感光体の非帯電部あるいは低帯電部が転
写されるモード（ネガ転写）が選択できる。 【００５１】本発明のこのような感光体は帯電性と感度
に優れ、逐次転写プロセスに用いると、白抜けのような
異常画像が出現しない転写条件で、記録体の転写電位を
十分な現像濃度が達成できるところまで高くとれる。こ
の理由は現在明瞭ではなく、今後さらに検討が必要であ
るが、帯電性と感度が高いことも次の理由から転写電位
が高くとれることにつながっている。高画質化を目指し
た場合には、顕像化までの各プロセスを緩やかな条件で
実施する必要があり、遅いプロセス速度となる。このよ
うな場合、帯電から転写までの時間を要することにな
る。帯電性が不良な感光体を用いた場合には暗減衰速度
が速いため、画像部と非画像部の電位コントラストが低
下し、転写後の静電記録体上の電位コントラストも低く
なってしまう。 【００５２】また、感度が優れていることは、感光体上
での電位コントラストが大きくとれ、静電記録体上での
電位コントラストも高くとれることにつながる。正帯電
で使用する場合、暗減衰を生じる主な原因は基板からの
電子注入であるが、この帯電極性で使用する感光体は正
孔移動機能がはるかに勝り基板からの電子注入性は低い
ため帯電性が確保される。また、フタロシアニンあるい
はビスアゾ顔料の光電荷発生効率が良好なことに加え、
発生した正孔が正孔輸送物質が分子状に分散されたマト
リックスに効率よく注入され高速に移動するため高感度
が発現していると考えられる。有機アクセプタ性化合物
を使用した場合の利点は、正孔輸送物質と有機アクセプ
タ性化合物の組成を変えることで、正負両方の帯電極性
に対応できることである。有機アクセプタ性化合物の使
用はまた、残留電位の低下と感光体の静電的特性の長寿
命化をもたらす。これらの改良の原因の１つとして、光
照射により電荷発生顔料で発生した正孔と電子のうち電
子を引き抜くことで電荷発生顔料の内部電界の低減の防
止と電気抵抗の低下を防止することが考えられる。 【００５３】本発明に用いられる単層感光体中の正孔輸
送物質と有機アクセプタ性化合物の組成比は５０／１〜
５／１または２／１〜１／５の間にある。５０／１より
もアクセプタが少ない場合には、残留電位の増加や感度
低下が発生する。１／５よりもアクセプタが多い場合に
は、基板からの電子注入量が増加し、帯電性が低下して
しまう。本発明の範囲外である５／１〜２／１の間で
は、感光体膜厚や潜像転写プロセスの条件が同じ場合で
も、静電記録紙上への転写電位が比較的高く取れるとい
う特徴がある。一見これは長所として捉えられるが、こ
のような転写電位が取れやすい感光体ほど繰り返し使用
時の転写電位の低下率が大きくなるという欠点が明らか
になった。この理由については現在明確になっていな
い。実用上の感光体に要求される特性としては、初期の
転写電位が一時的に非常に高く採れるよりも、繰り返し
使用時に比較的高い転写電位で安定している方が優れて
いることになる。本発明による５０／１〜または２／１
〜１／５の範囲内では、実用上の必要十分な転写電位が
得られ、かつ、繰り返し使用時の安定性に優れており、
総合的に潜像転写方式に好適な電子写真感光体となる。 【００５４】本発明に用いられる電荷発生顔料として
は、例えばＸ型の無金属フタロシアニン、π型の無金属
フタロシアニン、τ型無金属フタロシアニン、ε型の銅
フタロシアニン、α型チタニルフタロシアニン、β型チ
タニルフタロシアニン等のフタロシアニン顔料やジスア
ゾ、トリスアゾ系顔料、アントラキノン系顔料、多環キ
ノン系顔料、インジゴ顔料、ジフェニルメタン、トリメ
チルメタン系顔料、シアニン系顔料、キノリン系顔料、
ベンゾフェノン、ナフトキノン系顔料、ペリレン系顔
料、キナクリドン系顔料、ナフタロシアニン系顔料、ポ
ルフィリン系顔料が使用できる。これら電荷発生顔料の
感光層全体に占める量は、０．３〜２５ｗｔ％が適当で
ある。感光体における結着剤の役割は、電荷発生顔料の
良好な分散と輸送材料の分子状の分散ばかりでなく、複
写プロセスで必要とされる感光体の機械的強度も担って
いる。しかしながら本感光体が用いられるプロセスは感
光体上での現像が必要でないため、クリーニングもカー
ルソンプロセスと比べ、はるかに弱いものでよい。従っ
て、カールソンプロセス用感光体と比べ、本発明の感光
体では結着剤の組成を低くすることができる。 【００５５】本発明で用いることができる結着剤として
は、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエ
ステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、
シリコーン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重
付加型樹脂、重縮合型樹脂並びにこれらの繰り返し単位
のうち２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水
マレイン酸共重合体樹脂を挙げることができる。これら
結着剤の感光層全体に占める量は２０〜９０％、好まし
くは３０〜７０重量％である。本発明の感光層の厚さは
５〜２０μmが好ましい。これより薄いと帯電性が低下
し、厚いと感光体の静電容量が低下し転写電位の低下を
来す。本発明で用いることができる導電性基体として
は、アルミニウム、ニッケル、銅、ステンレス等の金属
板、金属ドラムまたは金属箔、アルミニウム、酸化ス
ズ、ヨウ化銅の薄膜を塗布したプラスチックフィルムあ
るいはガラス等が挙げられる。 【００５６】本発明の感光体では帯電性を改良する目的
で感光層と導電性基体の間に下引き層を設けることがで
きる。これらの材料としては前記結着剤材料の他に、ポ
リアミド樹脂、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリ
ビニルピロリドン等を用いることができる。本発明の感
光体をつくるには、前記の材料を有機溶媒中に溶解また
はボールミル、超音波で分散して調整した感光層形成液
を浸漬法やブレード塗布、スプレー塗布等で基体上に塗
布し感光層を形成すればよい。 【００５７】 【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、こ
れにより本発明の態様が限定されるものではない。 【００５８】実施例１ 下記構造式（XVII）のフタロシアニン顔料１ｇを下記構
造式（XVIII)のポリカーボネート（ＰＣ−Ｚ）溶液１０
ｇ（テトラヒドロフラン中に１０ｗｔ％に溶解したも
の）、テトラヒドロフラン９ｇとともにボールミリング
した後、任意の組成比となるように１５ｗｔ％のＰＣ−
Ｚ溶液、アクセプタ性化合物（表２−１、Ｎｏ．VIII−
２）、正孔輸送物質（表１−５、Ｎｏ．Ｄ２−２０）を
加え感光体の塗布液を作製した。この液をシート状のア
ルミニウム基体上にブレード塗布し、加熱乾燥して約１
４μm厚の単層型感光体を作製した。実施例１では感光
体の組成比を顔料／ＰＣ−Ｚ／正孔輸送物質／アクセプ
タ性化合物の順番に２ｗｔ％／５０ｗｔ％／２４ｗｔ％
／２４ｗｔ％とした。正孔輸送物質（ドナー）とアクセ
プタ性化合物の重量組成比（Ｄ／Ａ比）は１／１。本実
施例で使用したフタロシアニン顔料は、次の化学構造式
で表わされる。 【化１１】 本実施例で使用した結着樹脂は次の化学構造式で表され
る。 【化１２】 潜像転写特性の測定は、自作した簡易試験機で行った。
まず、平板に張り付けたシート状感光体の暗中＋６．５
ＫＶでコロナ帯電し、暗減衰後の表面電位が＋６００Ｖ
になったところで、３０Ｉｕｘのタングスデン光を１秒
間照射した。光照射後、金属ローラに巻き付けた静電記
録紙の導電層に＋８００Ｖの電圧を印加しながら、感光
体上にローラを転がし、感光体表面と記録紙を接触・剥
離した。このとき、記録紙と感光体のニップ幅は約２ｍ
ｍ、移動速度は約２０ｍｍ／ｓｅｃの条件とした。剥離
後の静電記録紙上の表面電位（Ｖｐ）を測定したとこ
ろ、転写電位は−１１ＯＶが得られた。静電記録紙の静
電容量より、この電位は表面電荷密度７．７×１０-8Ｃ
／ｃｍ2に相当し、現像に対して充分な表面電荷密度に
達していることが分かった。また、未露光部に対して同
様の条件で転写電位を測定したところ０Ｖであった。本
測定案件よる評価では、Ｖｐの絶対値が９０Ｖ以上であ
れば、必要にして十分であると判断できる。次に、本測
定を２００回繰り返して転写電位の変化を調べたとこ
ろ、繰り返し後の転写電位は−１０８Ｖが得られた。初
期値に対する変化率は、−１．８％であり、後述する比
較例に比べて安定性が向上している。測定誤差等も含め
て、５％以内の低下率ならば、実用上問題ないと判断し
た。 【００５９】実施例２ Ｄ／Ａ比を変えた以外は、実施例１と同様に試料を作製
し、同様な測定を行った。評価結果を表５に示す。 【００６０】実施例３〜４ 電荷発生顔料および感光体組成比を変えた以外は、実施
例１と同様に試料を作製し、同様な測定を行った。本実
施例で使用したジスアゾ顔料は次の化学構造式（XIX）
で表される。評価結果を表５に示す。 【化１３】 【００６１】比較例１ Ｄ／Ａ比を本発明の範囲外に変えた以外は、実施例１と
同様に試料を作製し、同様な測定を行った。評価結果を
表５に示す。 【００６２】比較例２ Ｄ／Ａ比を本発明の範囲外に変えた以外は、実施例３と
同様に試料を作製し、同様な測定を行った。評価結果を
表５に示す。 【００６３】比較例３ 下引き層を有した基板上に下記構造式（XX）で示される
トリスアゾ顔料とブチラール樹脂（重量比で１／１）か
らなる電荷発生層を約０．５μm厚に設けた。その上に
実施例１で使用した正孔輸送物質（表１−５、Ｎｏ．Ｄ
２−２０）と結着樹脂（式（XVIII）を重量比が４／６
でテトラヒドロフランに溶解した液を塗布し１４μmの
電荷輸送層を設けた。この感光体を実施例１と同様な測
定を行った。ただし、この積層感光体は負帯電型で用い
るため、帯電電位測定時のコロナ放電の極性や潜像転写
時の印加電圧の極性、潜像転写領域等は変更している。
評価結果を表５中に示す。 【化１４】【表５】 【００６４】実施例５〜１０ 正孔輸送物質を本発明の範囲外で変えた以外は実施例３
と同様に作製し、同様を測定を行なった。評価結果を表
６に示す。 【表６】 【００６５】比較例４ 正孔輸送物質を下記構造式（XXI）の化合物に変えた以
外は実施例３と同様に測定を行なったところ、初期の状
態から暗減衰が大きすぎ露光部で−１００Ｖが得られた
ものの未露光部でも−４０Ｖとなり、電位コントラスト
としては−６０Ｖしか得られなかった。 【化１５】 【００６６】実施例１１ アクセプタ性化合物および感光体組成比を変えた以外は
実施例３と同様に試料を作製し、同様な測定を行なっ
た。評価結果を表７に示す。 【００６７】比較例５ アクセプタ性化合物を下記構造式（XXII）の化合物に変
えた以外は実施例１１と同様に試料を作製し、同様な測
定を行なった。評価結果を表７に示す。 【化１６】 【表７】 表５〜表７の結果より本発明の範囲内の感光体組成およ
び本発明で特定された正孔輸送物質とアクセプタ性化合
物を用いた実施例の感光体は、潜像転写時の印加電圧や
感光体膜厚が同じ条件では繰り返し使用時の安定性に優
れていることが分かる。 【００６８】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、導電性
基体上の単層の感光層に、少なくとも電荷発生顔料およ
び一般式（I）〜（VII）で表わされる有機正孔輸送物質
のいずれか１種以上と一般式（VIII）または（XI）で表
わされる有機アクセプタ性化合物を重量組成比で５０／
１〜５／１または２／１〜１／５の間で用いることによ
り、これを潜像転写プロセスに用いた場合、積層型感光
体に比べて高い転写電位を有し、また、繰り返し使用時
の記録紙電位の安定性に優れた電子写真感光体が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関する潜像転写用電子写真感光体の断
面を示す概略説明図である。 【図２】本発明に関する転写方法を示す概略説明図であ
る。 【符号の説明】 １…導電性基体、２…感光層、２１…電荷発生顔料、２
２…結着剤２３に分子状に分散された有機正孔輸送物
質、２４…分子状に分散された有機アクセプタ性化合
物、３…静電記録体の誘電層、３２…静電記録体の導電
層、４…導電ローラ、５…転写時の印加電圧、Ｃ…帯
電、Ｄ…感光体ドラム、Ｌ…露光。
面を示す概略説明図である。 【図２】本発明に関する転写方法を示す概略説明図であ
る。 【符号の説明】 １…導電性基体、２…感光層、２１…電荷発生顔料、２
２…結着剤２３に分子状に分散された有機正孔輸送物
質、２４…分子状に分散された有機アクセプタ性化合
物、３…静電記録体の誘電層、３２…静電記録体の導電
層、４…導電ローラ、５…転写時の印加電圧、Ｃ…帯
電、Ｄ…感光体ドラム、Ｌ…露光。
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｇ０３Ｇ 5/06 Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１４Ｂ
３１４Ｚ
３２１ ３２１
３２２ ３２２
(72)発明者 柳澤 匡浩
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(72)発明者 吉川 雅夫
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(56)参考文献 特開 昭64−44946（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−58551（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−58550（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−144576（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−43665（ＪＰ，Ａ)
特開 昭52−109938（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−248654（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−114195（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−337528（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−298744（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−130688（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−123983（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−75394（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−59467（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−27699（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−72751（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−34960（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−62562（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−122650（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−272458（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−189550（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−146049（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03G 5/00
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 電子写真感光体上に静電潜像を形成した
後に、該感光体の表面側に静電記記録体を接触させ、該
感光体と該静電記録体の間に電圧を印加して該静電記録
体に感光体に対応した静電潜像を転写し、しかる後に該
静電記録体上の静電潜像を可視化する潜像転写方式の電
子写真法に用いられる感光体において、導電性基体上に
直接または下引き層を介して単層の有機感光層を設けて
なり、該感光層は少なくとも電荷発生顔料、下記一般式
（Ｉ）〜（VII)で表わされる有機正孔輸送物質のいずれ
か１種以上および下記一般式（VIII）または（XI）で表
わされる有機アクセプタ性化合物が結着剤中に分散さ
れ、かつ、前記有機正孔輸送物質と前記有機アクセプタ
性化合物の重量組成比が５０／１〜５／１または２／１
〜１／５の範囲にあることを特徴とする潜像転写用電子
写真感光体。 【化１】 （式（Ｉ）中、Ａｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3は、無置換
の、またはアルキル基、アルコキシ基、チアアルコキシ
基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニト
ロ基もしくはアミノ基で置換されたアリール基もしくは
複素環基を表す。） 【化２】 （式（II）中、Ｒ1およびＲ2は、水素原子、アルキル基
もしくはアリール基を表し、また、Ｒ１とＲ2の間で環
を形成してもよい。Ａｒ１はアリーレン基もしくは複素
環基をＡｒ2およびＡｒ３はアルキル基、アリール基も
しくは複素環基を表す。） 【化３】 （式（III)中、Ａｒ１、Ａｒ2およびＡｒ３は、無置換
の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
シアノ基、ニトロ基もしくはアミノ基で置換されたアリ
ール基もしくは複素環基を表す。） 【化４】 （式（IV）中、Ａｒ１、Ａｒ2、Ａｒ５およびＡｒ
６は、無置換の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、シアノ基、ニトロ基もしくはアミノ基で置
換されたアリール基を、Ａｒ３およびＡｒ４は、無置換
の、または上記置換基で置換されたアリーレン基を表
す。） 【化５】 （式（Ｖ）中、Ａｒ１、Ａｒ2、Ａｒ３およびＡｒ
４は、無置換の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、シアノ基、ニトロ基もしくはアミノ基で置
換されたアリール基を、Ｘはアルキレン基、硫黄、酸素
もしくは（ＣＨ＝ＣＨ）ｎ（ｎは１以上の整数）を表
す。） 【化６】 （式（VI）中、Ａｒ１は、無置換の、またはアルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基
もしくはアミノ基で置換されたアリール基もしくは複素
環基を、Ａｒ2およびＡｒ3はアルキル基、フェニル基も
しくはナフチル基を表す。） 【化７】 （式（VII)中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、無
置換の、またはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子もしくはアミノ基で置換されたアリール基もしくは複
素環基を表す。また、ｎは０または１の整数を表す。） 【化８】（式（VIII）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一または
異なる水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、シアノ基、ニトロ基よりなる群から選ばれ
た少なくとも１種の基を表す。Ｘは＝Ｏ、下式（IX）及
び（Ｘ）で表される基よりなる群から選ばれた少なくと
も１種の基を表す。 ＝Ｃ（Ａ1）（Ｂ1） ……（IX） ＝Ｎ−Ｒ5 ……（Ｘ） 上式（IX）において、Ａ1、Ｂ1は同一または異なる水素
原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の
芳香族基および−ＣＯＯＲ6よりなる群から選ばれた少
なくとも１種の基を表す。上式（Ｘ）において、Ｒ5置
換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の
芳香族基、あるいはシアノ基を表す。前記Ｒ6は置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香
族基を表す。 【化９】 上式（XI）中、（Ｗ）ｎは同一または異なる水素原子、
ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、シア
ノ基、ニトロ基よりなる群から選ばれた少なくとも１種
の基を表す。ｎは０〜４の整数を表す。Ｘは＝Ｏ、下式
（XII)および（XIII）で表される基よりなる群から選ば
れた少なくとも１種の基を表す。 ＝Ｃ（Ａ2）（Ｂ2） ……（XII) ＝Ｎ−Ｒ８ ……（XIII） 上式（XII)において、Ａ2、Ｂ2は同一または異なる水素
原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の
芳香族基および−ＣＯＯＲ９よりなる群から選ばれた少
なくとも１種の基を表す。上式（XIII）において、Ｒ８
は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置
換の芳香族基、あるいはシアノ基を表す。前記Ｒ９は置
換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の
芳香族基を表す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13991995A JP3465097B2 (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 潜像転写用電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13991995A JP3465097B2 (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 潜像転写用電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08314168A JPH08314168A (ja) | 1996-11-29 |
| JP3465097B2 true JP3465097B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=15256712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13991995A Expired - Fee Related JP3465097B2 (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 潜像転写用電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3465097B2 (ja) |
-
1995
- 1995-05-15 JP JP13991995A patent/JP3465097B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08314168A (ja) | 1996-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |