JP3458840B2 - アルミニウム処理方法 - Google Patents

アルミニウム処理方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電解コンデンサ用、磁
気ディスク用に代表されるTi、V、Zrの含有量を低
濃度に制御する必要のあるアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金に好適で、Ti,Vの含有量を低減し、Zr含
有量を制御した地金が得られるアルミニウムまたはアル
ミニウム合金の処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電解コンデンサ用、磁気ディスク等に使
用されるアルミニウム材料には、コンデンサの性能を維
持するため99.9質量%以上の純度が要求され、T
i,V,Zr、B等の不純物はそれぞれ10ppm以下
に規制されている。このような用途に適した高純度のア
ルミニウム材料を得るためには、まず、純度が99.8
5重量%以上のアルミニウム地金又は電解精錬炉からの
溶湯を精製容器に移し、撹拌を伴った制御冷却条件下で
アルミニウム溶湯を冷却し、偏析凝固されたα−Al晶
を得ている。溶湯の冷却過程で、Si,Fe,Mn等、
共晶系の不純物をアルミニウム溶湯から偏析分離でき
る。しかしながら、包晶系の元素である不純物Ti,
V、Zrは製品側に濃縮されるので、これらの不純物を
偏析凝固法で除去するためには、偏析凝固法を実施する
前に予めTi、V,Zrを極力除去しておく必要があ
る。
【0003】従来、不純物としてTi、V等の包晶系元
素をアルミニウム又はアルミニウム合金から除去する方
法としては、例えば次のような方法が開示されている。
アルミニウム溶湯に不純物として含有されているアルカ
リ金属元素を、フッ化アルミニウム(AlF3)を添加
してフッ化物を形成させて除去する方法が、TAC法と
して知られており、また、特開平7−207368号公
報では、不純物としてTiを含有するアルミニウム又は
アルミニウム合金溶湯中に、Ca、Ba、Mg、Mn、
Pbの酸化物のいずれか一種以上の酸化物を添加し、不
純物Tiとこれらの酸化物との複合酸化物を形成させて
これを分離することにより、アルミニウム又はアルミニ
ウム合金中のTiを除去している。さらに、不純物とし
て含有されているTiの2〜4倍の化学当量に相当する
Bを添加し、Ti−B化合物を生成させて除去する方法
も提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】Bを添加してTi、
V、ZrをTiB2、VB2、ZrB2として除去する従
来の処理方法では、包晶系元素の合計化学当量に対しB
添加量を規定しているため、B添加量は原料中のTi、
V、Zrの初期濃度に依存する。包晶系元素の初期濃度
が低い場合、B添加量は少なくなる。一方、BとTi、
V、Zrとの反応性はTi、V、Zrに順に大きいた
め、Ti、V、Zrの合計化学当量の2〜4倍に相当す
る量のBを添加した際、Ti、VがBによって十分に除
去できてもZrとは不十分な反応に終わってしまい、溶
湯中に1.0〜数質量ppm残留する。しかもBが未反
応のまま数十ppm残留することとなる。
【0005】電解コンデンサ、磁気ディスク等の品質特
性はアルミニウム中に含有される包晶系元素濃度に強く
影響される。最近、電解コンデンサに要求される品質特
性が強くなり、今までに開示されている処理方法では、
包晶系元素、特にZrの濃度を、要求される品質特性を
満たす濃度範囲にまで減少させることは困難になった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような要
求に応えるべく案出されたものであり、偏析精製に先立
って、Ti、V、ZrとBの反応を有効に使用し、T
i、VのみならずZrをも低減させることのできるアル
ミニウム溶湯精製方法を提案するものである。
【0007】本発明のアルミニウム精製方法は、その目
的を達成するため、不純物としてTi、V、Zrを含む
アルミニウム又はアルミニウム合金の溶湯へ、Ti
2、VB2、ZrB2として計算される合計化学当量よ
りも更に100〜200質量ppm多い量のBを添加
し、未反応で溶湯中に存在するBを100〜200質量
ppmに制御することによりZrを0.1〜1.0質量
ppmの濃度に制御するものである。次に、この工程が
終わったアルミニウムまたはアルミニウム合金溶湯へT
i及び/又はVを添加することによって、未反応で存在
する100〜200質量ppmのBと反応させてTiB
2及び/又はVB2を生成させ、Ti:1質量ppm以
下,V:1質量ppm以下,Zr:0.1〜1.0質量
ppm、B:設定残留目標B濃度に制御する。さらに、
このような方法で処理されたアルミニウムまたはアルミ
ニウム合金の溶湯を偏析用原料として偏析精製し、T
i:2質量ppm以下,V:1質量ppm以下,Zr:
0.1〜1.0質量ppm以下、B:2質量ppm以下
の高純度アルミニウムを得る。
【0008】
【作用】本発明者等は、アルミニウム溶湯に含まれてい
るTi,V,ZrとB等の相互反応を詳細に調査・研究
した。その結果、以下のような作用があることを見出し
た。Ti,V,Zrを含むアルミニウム溶湯に、Al−
B母合金等としてBを添加するとTiB2、VB2、Zr
2の金属間化合物が生成し、溶湯中に懸濁または炉底
に沈殿する。この金属間化合物を工業的には、沈降分
離、浮上分離、フィルター分離等により、アルミニウム
溶湯中から分離する。しかし、TiB2、VB2、ZrB
2として計算される合計化学当量と同量のBを投入して
も、未反応のTi,V,ZrおよびBが残留し、一般的
に工業的に実施される介在物除去方法では除去すること
ができない。そのため、通常、TiB2、VB2、ZrB
2として計算される合計化学当量の数倍に相当するBを
過剰に投入していた。
【0009】一方、BとTi,V,Zrとの反応は、未
反応で存在するB濃度とTi、V、Zrとの平衡が成立
し、未反応のBが多いほど未反応のTi,V,Zrはそ
れぞれ少なくなる。また未反応のBが同一量の場合で
は、Ti,V,ZrはTi,V,Zrの順に低濃度で平
衡する。その結果、Ti,V,Zrを同時に含有するア
ルミニウム溶湯中にBを投入した場合、Zr,V,Ti
の順に未反応の元素が多く残留し、平衡する。
【0010】Ti,V,Zrの初期濃度が低い場合、従
来、投入するB量がそれに応じて少なくなるため、未反
応のB濃度が小さくなり、それと平衡する未反応のT
i,V,Zr濃度はそれに応じ大きくなる。更に、T
i,V,Zrの順に残留濃度が増加するため、Ti、V
が十分に除去できても、Zrはそれと平衡する未反応の
Bが少なくなり、その結果、Zrは溶湯中に1.0〜数
質量ppm程度残留する。
【0011】これに対し,TiB2、VB2、ZrB2
して計算される合計化学当量に当たるB量に更に100
〜200質量ppmの範囲でBを多く添加した場合、未
反応の形で残存するTi,V、ZrとBとが平衡し、未
反応で存在するBはTi,V,Zrの初期濃度に関わら
ず、常に100〜200質量ppmの濃度で残存され
る。本発明では、100〜200質量ppmの未反応B
量と平衡する未反応のTi、V、Zr濃度が未反応B濃
度に応じて一定になることを見出し、未反応のB濃度の
制御により、Ti,V,Zrの中で最も多く残留して平
衡するZrにおいても、0.1〜1.0質量ppmの範
囲内に留まるようにすることができたものである。
【0012】しかし、このままでは過剰の未反応Bを含
有することとなって、後工程の偏析精製処理を行っても
Bを十分に除去することはできない。そこで、未反応の
Bと化学当量のTi及び/又はVを添加して未反応のB
と反応させ、TiB2及び/又はVB2を生成させて除去
する。過剰のBが含有されているアルミニウム溶湯にA
l−Ti母合金等のTi成分を添加すると、Al−Ti
母合金が溶解している周辺にTiリッチの溶湯部分で溶
湯中のBと反応してTiB2を生成する。また、溶湯全
体にTiが拡散した状態でも、同様にTiB2が生成す
る。生成したTiB2は、溶湯中に懸濁し、または炉低
に沈降する。すなわち、Bを除去するTi処理ではTi
2の化学当量で反応が進行することから、目標残留B
量を除く、除去反応B量に対する化学当量分のTiを添
加すればよい。
【0013】Vを利用する際も、同様に除去反応B量に
対する化学当量分のVを添加すれば十分である。また、
実際の操業では、Ti或いはVは残留させたくないの
で、残留B量の目標値として10〜30質量ppmを設
定し、残りの除去B量に対応するTi又はVを添加す
る。さらに、脱BにTi,Vを利用する際、反応時間の
点で、Vを利用するよりもTiを利用する方が工業的に
は有利である。その結果、使用するアルミニウム又はア
ルミニウム合金に不純物として含まれる包晶系元素の初
期濃度に関わらずTi、Vを1質量ppm以下に低減
し、Zrを0.1〜1.0質量ppmに制御する処理が
可能となる。
【0014】なお、Bを添加しての脱Ti,V,Zr処
理及び脱B処理されるアルミニウム溶湯は、700〜9
00℃の温度域に維持されることが好ましい。このとき
の溶湯温度が700℃に達しないと、TiB2 ,VB
2 の生成反応が遅くなり、生産性が低下する。TiB
2 ,VB2 の生成反応は900℃を超える溶湯温度で
も進行するが、過度に高い温度はエネルギ消費量が多く
なるばかりでなく、炉壁耐火物の溶損を促進させる。
【0015】
【実施の態様】本発明の実施の態様を添付の図面及び具
体的な例を参照しながら、説明する。図1は、本発明に
係るアルミニウム又はアルミニウム合金の処理装置の一
実施の態様の概略構成を示す模式的縦断面である。処理
装置は、図1に示すように、黒鉛、不定形耐火物又は耐
火レンガを内張りし、原料溶湯MMを保持する保持容器
1と、この保持容器1中の原料溶湯MMにBを添加する
B添加装置2とTi及び/又はVを添加する添加装置3
と、生成するTiB2、VB2、ZrB2の金属間化合物
を浮上分離するための攪拌装置4とを備えている。ここ
で、BとはAl−B合金、NaBF4フラックス、KB
4フラックス等のB含有物質のことを言い、Ti及び
/又はVとはAl−Ti母合金、Al−V母合金、K2
TiF6フラックス等のTi及び/又はV含有物質のこ
とを言い、特に添加物質種を限定するものではない。
【0016】次に、図1に示す処理装置を用いての処理
方法手順について、説明する。 アルミニウム又はアルミニウム合金の所定量の原料
溶湯MMを保持容器1にいれる。 原料溶湯に含有されているTi量、V量及びZr量
を分析する。 Ti,V,Zrを除去し未反応のBを制御するた
め、分析結果に基づいて、TiB2、VB2、ZrB2
して計算される合計化学当量に更に100〜200pp
mのBを追加し、B添加装置2によって添加する。 攪拌装置4によって、原料溶湯MMを攪拌して反応
を促進し、生成した金属間化合物を滓とともに浮上分離
する。 原料溶湯MM中にTi及び/又はVを、Ti及び/
又はV添加装置3によって添加する。この時、原料溶湯
MMに未反応で残留するBが制御されているため、特に
分析の必要はない。 攪拌装置4によって原料溶湯MMを攪拌して反応を
促進し、生成した金属間化合物を浮上分離する。 以
上の手順により、Ti,V,Zrを低減したアルミニウ
ム溶湯を偏析精製し、高純度のアルミニウムを得る。
【0017】次に、この手順に沿って、アルミニウム溶
湯を処理した実例を紹介する。内径が800mm、内部
高さが1000mmの処理装置の保持容器1中へ、溶湯
深さ800mmとなるように800℃で溶解したアルミ
ニウム溶湯を入れた。アルミニウム溶湯をサンプリング
し、分析したところ、Ti:30質量ppm、V:50
質量ppm、Zr:6質量ppmであった。続いて、T
iB2、VB2、ZrB2として計算される合計化学当量
に更にBを120質量ppm追加されるように、Al−
B母合金を3.0kg添加した後、攪拌装置4による攪
拌羽根を400rpmで回転させ10分間攪拌した。生
成した金属間化合物を浮上分離した後の溶湯を分析した
ところ、Ti:0.4質量ppm、V:0.6質量pp
m、Zr:0.8質量ppm、B:118質量ppmを
含むアルミニウム溶湯であった。
【0018】比較のために前記と同条件で、TiB2
VB2、ZrB2として計算される合計化学当量の2倍に
当たるBに相当するよう、Al―B合金を1.3kg添
加した。その結果、アルミニウム溶湯は、Ti:0.8
質量ppm、V:1.0質量ppm、Zr:2.1質量
ppm、B:35質量ppmを含有するものになってい
た。
【0019】次に、未反応のBを過剰に残留させている
アルミニウム溶湯の脱B処理の状況を説明する。前記方
法で得られたTi:0.4質量ppm、V:0.6質量
ppm、Zr:0.8質量ppm、B:118質量pp
mを含むアルミニウム溶湯中へ、残留目標B量を12p
pmとして、反応対象B量に対してTiB2として計算
される化学当量のTiとしてAl−Ti母合金を2.2
kg添加した。攪拌装置4による攪拌羽根を400rp
mで回転させ10分間攪拌した。その結果、Ti:0.
8質量ppm、V:0.6質量ppm、Zr:0.8質
量ppm、B:12質量ppmを含むアルミニウム溶湯
が得られた。
【0020】この溶湯を、特公昭61−36568号公
報に記載の方法にしたがって偏析精製した。得られた精
製地金は、Ti:0.9質量ppm、V:1.0質量p
pm、Zr:0.9質量ppm、B:1質量ppmでア
ルミニウム純度が99.9質量%以上となっており、電
解コンデンサ用材料、磁気ディスク用材料として十分に
使用可能な地金であった。精製地金を取り出した残りの
溶湯地金は、Ti、V、Zr、Bとも従来の品質特性要
求でB処理していた場合と変わらない濃度なので、用途
の制約を受けることはない。
【0021】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明のアルミ
ニウム処理方法では、使用するアルミニウム又はアルミ
ニウム合金のTi、V,Zr初期濃度に関わらず、溶湯
中のTi、V,Zrに対して合計化学当量よりも適宜過
剰のBを添加して、TiB2、VB2、ZrB2を生成さ
せて除去し、溶湯中に未反応のBを残留させてZrをも
1.0質量ppm以下に低減し、その後未反応のBをT
i及び/又はVの添加でTiB2、VB2の形にして除去
できるので、その後の偏析精製法と相俟って、高純度の
アルミニウム又はアルミニウム合金を得ることができ、
電解コンデンサ用、磁気ディスク用に適した素材を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明において使用するアルミニウム処理装
置のの概要を示す概念図である。
【符号の説明】
1; 保持容器 2; B添加装置 3; Ti及び/又はV添加装置 4; 攪拌装置 MM; 原料溶湯
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C22C 21/00 C22C 21/00 N (56)参考文献 特開 昭56−72143(JP,A) 特開 昭57−152435(JP,A) 特開 昭59−104440(JP,A) 特開 平2−225633(JP,A) 特開 昭10−102158(JP,A) 特公 昭61−36568(JP,B1) 米国特許4469512(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C22B 1/00 - 61/00 C22C 21/00 B22D 1/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不純物としてTi、V、Zrを含むアル
    ミニウム又はアルミニウム合金の溶湯へ、TiB2、V
    2、ZrB2として計算される合計化学当量よりも更に
    100〜200質量ppm多い量のBを添加し、未反応
    で溶湯中に存在するBを100〜200質量ppmに制
    御することによりZrを0.1〜1.0質量ppmの濃
    度に制御することを特徴とするアルミニウムまたはアル
    ミニウム合金の処理方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の工程が終わったアルミ
    ニウムまたはアルミニウム合金溶湯へ、設定残留目標を
    除く、未反応B量に対応するTi及び/又はVの化学当
    量を添加することによって、未反応で存在する100〜
    200質量ppmのBと反応させて、TiB2及び/又
    はVB2を生成させ、Ti:1質量ppm以下,V:1
    質量ppm以下,Zr:0.1〜1.0質量ppm、
    B:設定残留目標B濃度に制御することを特徴とするア
    ルミニウムまたはアルミニウム合金の処理方法。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載のいずれかにより処
    理されたアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を
    原料として偏析精製するアルミニウムまたはアルミニウ
    ム合金の処理方法。
  4. 【請求項4】 偏析精製された地金が、Ti:2質量p
    pm以下,V:1質量ppm以下,Zr:0.1〜1.
    0質量ppm以下、B:2質量ppm以下である請求項
    3に記載のアルミニウムまたはアルミニウム合金の処理
    方法。
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