JP3453379B2 - 密に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法 - Google Patents

密に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法

Info

Publication number
JP3453379B2
JP3453379B2 JP2002001815A JP2002001815A JP3453379B2 JP 3453379 B2 JP3453379 B2 JP 3453379B2 JP 2002001815 A JP2002001815 A JP 2002001815A JP 2002001815 A JP2002001815 A JP 2002001815A JP 3453379 B2 JP3453379 B2 JP 3453379B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
densely packed
walled carbon
plasma flame
producing
carbon nanotube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002001815A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003206114A (ja
Inventor
澄男 飯島
雅子 湯田坂
明 小塩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Japan Science and Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Japan Science and Technology Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2002001815A priority Critical patent/JP3453379B2/ja
Priority to TW091132355A priority patent/TW200301752A/zh
Priority to KR10-2004-7007195A priority patent/KR20040088463A/ko
Priority to CNA028223462A priority patent/CN1585724A/zh
Priority to EP02806058A priority patent/EP1464619A1/en
Priority to PCT/JP2002/011520 priority patent/WO2003057621A1/ja
Priority to US10/495,212 priority patent/US6967043B2/en
Publication of JP2003206114A publication Critical patent/JP2003206114A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3453379B2 publication Critical patent/JP3453379B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • D—TEXTILES; PAPER
    • D01—NATURAL OR MAN-MADE THREADS OR FIBRES; SPINNING
    • D01F—CHEMICAL FEATURES IN THE MANUFACTURE OF ARTIFICIAL FILAMENTS, THREADS, FIBRES, BRISTLES OR RIBBONS; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OF CARBON FILAMENTS
    • D01F9/00—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments
    • D01F9/08—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments of inorganic material
    • D01F9/12—Carbon filaments; Apparatus specially adapted for the manufacture thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/06—Multi-walled nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
    • C01B2202/30—Purity
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S427/00—Coating processes
    • Y10S427/102—Fullerene type base or coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
    • Y10S977/844—Growth by vaporization or dissociation of carbon source using a high-energy heat source, e.g. electric arc, laser, plasma, e-beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、密に詰ま
った多層カーボンナノチューブの製造方法に関するもの
である。さらに詳しくは、この出願の発明は、カーボン
ナノチューブの層が中心部まで形成されている密に詰ま
った多層カーボンナノチューブを、高純度で、かつ高効
率に製造することができる方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】従来より、カーボンナノチュ
ーブを、微小電子素子の導体やＦＰＤ等の電極、ミクロ
構造物、高強度材料吸着材等として利用する研究が数多
くなされている。
【０００３】このカーボンナノチューブは、グラファイ
トのシートが円筒状に丸まった形状を有し、シートが一
重の単層カーボンナノチューブと、複数のシートが入れ
子状に重なった多層カーボンナノチューブとに分類する
ことができる。一般的によく知られている単層カーボン
ナノチューブは、直径が１〜２ｎｍ、長さが数μｍのも
のが多く、また、多層カーボンナノチューブについて
は、最外の層の直径が数１０ｎｍ、最も内側の層の直径
が数〜１０ｎｍ、長さが数μｍのものが多い。
【０００４】ところが最近になって、１番外側の層の直
径は従来と同様の１０ｎｍ程度であるものの、中心部ま
で層が密に形成されており、１番内側の最も細い層の直
径が約０．４ｎｍである多層カーボンナノチューブが発
見された。この１番内側のカーボンナノチューブにおけ
る約０．４ｎｍという直径は、これまで発見されたなか
で最も細いものであることはもちろんのこと、最も小さ
いフラーレンであるＣ 20の分子直径と一致する大きさで
あり、これより細いカーボンナノチューブは安定に存在
し得ないという極限の細さでもある。すなわち、この多
層カーボンナノチューブは、これ以上内側にチューブが
生成されない限界まで密に詰まった多層カーボンナノチ
ューブである。
【０００５】この密に詰まった多層カーボンナノチュー
ブの特徴としては、従来の多層カーボンナノチューブと
同様に化学的に安定であることに加え、機械的強度がさ
らに高められている考えられ、また、最も内側の直径
０．４ｎｍのカーボンナノチューブについては、金属的
性質を持つこと等も明らかとされてきている。
【０００６】以上のような密に詰まった多層カーボンナ
ノチューブの製造方法としては、既に、水素雰囲気中で
炭素電極を用いてアーク放電を行うようにした方法が提
案されている。しかしながら、この方法では、得られる
密に詰まった多層カーボンナノチューブの量が極めて微
量であり、不純物も多いという欠点があった。
【０００７】そこで、この出願の発明は、以上の通りの
事情に鑑みてなされたものであり、従来技術の問題点を
解消し、密に詰まった多層カーボンナノチューブを、高
純度で、かつ高効率に製造することができる方法を提供
することを課題としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、この出願の発明
は、上記の課題を解決するものとして、以下の通りの発
明を提供する。
【０００９】すなわち、まず第１には、この出願の発明
は、水素を2〜10％含有する不活性ガス雰囲気中で発生
させたプラズマ炎中に炭素棒を導入し、炭素を蒸発させ
ることで、炭素棒表面に主として密に詰まった多層カー
ボンナノチューブを堆積させることを特徴とする密に詰
まった多層カーボンナノチューブの製造方法を提供す
る。
【００１０】また、この出願の発明は、上記の発明の密
に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法におい
て、第２には、プラズマ炎の発生に４ＭＨｚ以上の高周
波プラズマを用いることを特徴とする製造方法を、第３
には、プラズマ炎の中心部の温度を５０００℃以上とす
ることを特徴とする製造方法を、第４には、炭素棒の先
端を円錐状にすることを特徴とする製造方法を、第５に
は、炭素棒の先端がプラズマ炎の中心部になるように、
プラズマ炎の先端から炭素棒を導入することを特徴とす
る製造方法を、第６には、プラズマ炎が短軸約３０ｍｍ
長軸約６０ｍｍの楕円球状であるとき、プラズマ炎の中
心から前記長軸方向５〜１５ｍｍの範囲の位置関係にあ
る炭素棒表面に密に詰まった多層カーボンナノチューブ
を堆積させることを特徴とする製造方法を、第７には、
不活性ガスがＡｒであることを特徴とする製造方法を提
供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】この出願の発明は、上記の通りの
特徴を持つものであるが、以下にその実施の形態につい
て説明する。まず、この出願の発明において、密に詰ま
った多層カーボンナノチューブとは、前記のとおり、中
心部まで層が密に形成され、１番内側の最も細い層の直
径が約０．４ｎｍという極限の細さを有している多層カ
ーボンナノチューブを示している。そして、この出願の
発明は、主として密に詰まった多層カーボンナノチュー
ブを高収率で得ることを目的とするものであって、１番
内側の最も細い層の直径が約０．４ｎｍよりも大きい多
層カーボンナノチューブを含む可能性があるが、少なく
とも５０％以上、理想的には１００％で密に詰まった多
層カーボンナノチューブを製造するものである。
【００１２】図１に、この出願の発明が提供する密に詰
まった多層カーボンナノチューブの製造方法の概要図を
例示した。この出願の発明の密に詰まった多層カーボン
ナノチューブ（１０）の製造方法は、水素を添加した不
活性ガス（４）雰囲気中で発生させたプラズマ炎（１）
中に炭素棒（２）を導入し、炭素を蒸発させることで、
炭素棒（２）表面に主として密に詰まった多層カーボン
ナノチューブ（１０）を堆積させることで製造すること
ができる。
【００１３】この出願の発明において、炭素を蒸発させ
るためのプラズマ炎（１）は極めて重要である。炭素を
効率よく蒸発させるために、プラズマ炎（１）の中心部
の温度は５０００℃以上であることが好ましい。また、
高いガス圧力でも安定したプラズマ炎（１）を維持する
ことができるため、周波数が４ＭＨｚ以上の高周波プラ
ズマを用いることが好ましいものとして例示される。
【００１４】このプラズマ（１）の発生雰囲気は、水素
を添加した不活性ガス（４）とするようにしている。不
活性ガス（４）としては、Ａｒ（アルゴン）、Ｈｅ（ヘ
リウム）、Ｎｅ（ネオン）等の希ガスを用いることがで
き、プラズマ炎（１）をより安定して発生できるものと
してＡｒを用いることが好ましい。この不活性ガス
（４）雰囲気中に添加する水素の濃度は、２〜１０％と
する。
【００１５】
【００１６】この出願の発明において、原料として用い
る炭素棒（２）は、純度が９９％程度以上の炭素の焼結
体や、多孔質体等を用いることができる。炭素棒（２）
の純度が低くなると、非晶質カーボン等の不純物が増加
するために好ましくない。この炭素棒（２）には、触媒
としての金属を添加する必要はない。また、形状につい
ては、炭素棒（２）の先端をプラズマ炎（１）に導入で
きるものであれば直径や長さ等についての制限はなく、
用いるプラズマ発生装置や発生されるプラズマ炎（１）
の大きさ等に応じて任意のものとすることができる。た
とえば、プラズマ炎（１）でより高温である中心部に導
入できる程度の太さの炭素棒（２）とすることや、より
好ましくは、炭素が蒸発しやすいように、炭素棒（２）
の先端部分をたとえば鉛筆のように円錐状等に成形して
おくことが好ましい例として示される。
【００１７】この炭素棒（２）をプラズマ炎（１）に導
入して、炭素を蒸発させる。炭素棒（２）は、先端がプ
ラズマ炎（１）の中心部になるように、プラズマ炎
（１）の先端方向から導入することが好ましい。蒸発さ
れた炭素はキャリアーガスの流れを受け、プラズマ炎
（１）の中心部からやや離れた炭素棒（２）表面に堆積
する。これらの堆積物（２）は、図１中にＡおよびＢと
して示したように、Ａ綿状堆積物とＢ膜状堆積物とに分
かれて堆積する。そして、密に詰まった多層カーボンナ
ノチューブ（１０）は、Ａ綿状堆積物として得ることが
できる。より具体的には、たとえば、プラズマ炎（１）
が、短軸約３０ｍｍ、長軸約６０ｍｍの楕円球状である
とき、プラズマ炎（１）の中心から長軸方向約５〜１５
ｍｍの範囲の位置関係にある炭素棒（２）表面に、綿状
堆積物として密に詰まった多層カーボンナノチューブ
（１０）を得ることができる。
【００１８】この密に詰まった多層カーボンナノチュー
ブ（１０）は、非晶質カーボンなどの炭素微粒子と共に
生成して堆積されるが、この出願の発明の方法による
と、炭素棒（２）表面のこの位置での密に詰まった多層
カーボンナノチューブ（１０）の純度は９５％以上と極
めて高純度である。また、原料としての炭素棒（２）に
金属触媒等を用いないため、金属粒子等の不純物は混入
されない。そして、この出願の発明の方法によると、何
よりも、およそ９５〜９８％という極めて高い収率で、
密に詰まった多層カーボンナノチューブ（１０）を得る
ことができる。
【００１９】以上のように、この出願の発明の方法よる
と、密に詰まった多層カーボンナノチューブ（１０）を
高純度かつ高収率で製造できるため、たとえば、密に詰
まった多層カーボンナノチューブ（１０）の最も内側の
層である、直径０．４ｎｍのカーボンナノチューブの各
種特性や、生成メカニズム等の研究などに、極めて有用
となる。また、芯に空洞のある従来の多層カーボンナノ
チューブに比べて機械的強度が高い多層カーボンナノチ
ューブがより大量かつ安価に提供されることなども期待
される。
【００２０】以下に実施例を示し、この発明の実施の形
態についてさらに詳しく説明する。
【００２１】
【実施例】図２に示した高周波プラズマ発生装置を使用
して密に詰まった多層カーボンナノチューブを製造し
た。まず、石英管（５）内に水素を添加した不活性ガス
（４）を供給し、石英管（５）の外周に巻いた銅製の誘
導コイル（３）に、約４ＭＨｚの高周波電流を印加し
て、高周波プラズマを発生させた。不活性ガス（４）と
してはＡｒを用い、石英管（５）中でのＡｒガス流量
は、プラズマ炎（１）を長時間安定させるようにした。
このＡｒガスへの水素の添加量は２ｍｌ／ｍｉｎとし
た。なお、水素を添加した不活性ガス（４）は、ロータ
リーポンプにより排出口（７）より排出される。
【００２２】このように発生させたプラズマ炎（１）の
中心部に、上下可動の炭素棒ホルダー（６）によって炭
素棒（２）を導入し、炭素を蒸発させた。そして、炭素
棒の先端から約５〜１５ｍｍの表面に、綿状の堆積物と
して、純度９５％以上の密に詰まった多層カーボンナノ
チューブを得た。約１５分間で十数ｍｇの密に詰まった
多層カーボンナノチューブが得られた。
【００２３】得られた密に詰まった多層カーボンナノチ
ューブの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を図３（ａ）
（ｂ）に示した。この密に詰まった多層カーボンナノチ
ューブは、最外層の直径が１０ｎｍ程度、長さが数μｍ
であって、多数が束となって、太さ約１００〜５００ｎ
ｍのバンドルを形成しることが確認された。
【００２４】この密に詰まった多層カーボンナノチュー
ブの透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を、図４（バンド
ル）および図５（単体）に示した。図から分かるよう
に、この出願の発明の方法で得られた密に詰まった多層
カーボンナノチューブは、１０〜２０層程度のグラファ
イトシートが中心部まで密に詰まった多層カーボンナノ
チューブであり、最外層の直径が１０ｎｍ程度、最も内
側の層は直径約０．４ｎｍであることが確認された。
【００２５】図６に、得られた密に詰まった多層カーボ
ンナノチューブのラマンスペクトルを示した。この密に
詰まった多層カーボンナノチューブは、極めてきれいグ
ラファイト層から形成されていることがわかる。
【００２６】もちろん、この発明は以上の例に限定され
るものではなく、細部については様々な態様が可能であ
ることは言うまでもない。
【００２７】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
って、カーボンナノチューブの層が中心部まで形成され
ている密に詰まった多層カーボンナノチューブを、高純
度で、かつ高効率に製造することができる方法が提供さ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この出願の発明の密に詰まった多層カーボンナ
ノチューブの製造方法の概要図である。
【図２】実施例において使用した高周波プラズマ発生装
置を例示した図である。
【図３】（ａ）（ｂ）は、この出願の発明の方法により
得られた密に詰まった多層カーボンナノチューブの走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を例示した図である。
【図４】この出願の発明の方法により得られた多層カー
ボンナノチューブの透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を例
示した図である。
【図５】この出願の発明の方法により得られた多層カー
ボンナノチューブの透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を例
示した図である。
【図６】この出願の発明の密に詰まった多層カーボンナ
ノチューブのラマンスペクトルを例示した図である。
【符号の説明】
１ プラズマ炎 ２ 炭素棒 ３ 誘導コイル ４ 不活性ガス ５ 石英管 ６ 炭素棒ホルダー ７ 排出口 １０ 密に詰まった多層カーボンナノチューブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−61803（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−188509（ＪＰ，Ａ) ＬＵ−ＣＨＡＮＧ ＱＩＮ ｅｔ ａ ｌ，Ｔｈｅ ｓｍａｌｌｅｓｔ ｃａｒ ｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ，ＮＡＴＵＲ Ｅ，2000年，Ｖｏｌ．108，ｐ．50 Ｘ．ＺＨＡＯ ｅｔ ａｌ，Ｐｒｅｐ ａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｈｉｇｈ−ｇｒ ａｄｅ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂ ｅｓ ｂｙ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ａｒｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ，ＣＡＲＢＯＮ, 1997年，Ｖｏｌ．35，ｐ．775−781 ＡＫＩＲＡ ＫＯＳＨＩＯ ｅｔ ａ ｌ，Ｍｅｔａｌ−ｆｒｅｅ ｐｒｏｄｕ ｃｔｉｏｎ ｏｆ ｈｉｇｈ−ｑｕａｌ ｉｔｙ ｍｕｌｔｉ−ｗａｌｌ ｃａｒ ｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，ｉｎ ｗ ｈｉｃｈ ｔｈｅ ｉｎｎｅｒｍｏｓｔ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，ＣＨＥＭ．ＰＨ ＹＳ．ＬＥＴＴ．，2002年 ４月，Ｖｏ ｌ．356，ｐ．595−600 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01B 31/02 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) ＷＥＢ ＯＦ ＳＣＩＥＮＣＥ

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 水素を2〜10％含有する不活性ガス雰囲
    気中で発生させたプラズマ炎中に炭素棒を導入し、炭素
    を蒸発させることで、炭素棒表面に主として密に詰まっ
    た多層カーボンナノチューブを堆積させることを特徴と
    する密に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方
    法。
  2. 【請求項２】 プラズマ炎の発生に４ＭＨｚ以上の高周
    波プラズマを用いることを特徴とする請求項１記載の密
    に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法。
  3. 【請求項３】 プラズマ炎の中心部の温度を５０００℃
    以上とすることを特徴とする請求項１または２記載の密
    に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法。
  4. 【請求項４】 炭素棒の先端を円錐状にすることを特徴
    とする請求項１ないし３いずれかに記載の密に詰まった
    多層カーボンナノチューブの製造方法。
  5. 【請求項５】 炭素棒の先端がプラズマ炎の中心部にな
    るように、プラズマ炎の先端から炭素棒を導入すること
    を特徴とする請求項１ないし４いずれかに記載の密に詰
    まった多層カーボンナノチューブの製造方法。
  6. 【請求項６】 プラズマ炎が短軸約３０ｍｍ長軸約６０
    ｍｍの楕円球状であるとき、プラズマ炎の中心から前記
    長軸方向５〜１５ｍｍの範囲の位置関係にある炭素棒表
    面に密に詰まった多層カーボンナノチューブを堆積させ
    ることを特徴とする請求項１ないし５いずれかに記載の
    密に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法。
  7. 【請求項７】 不活性ガスがＡｒであることを特徴とす
    る請求項１ないし6いずれかに記載の密に詰まった多層
    カーボンナノチューブの製造方法。
JP2002001815A 2002-01-08 2002-01-08 密に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法 Expired - Fee Related JP3453379B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002001815A JP3453379B2 (ja) 2002-01-08 2002-01-08 密に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法
TW091132355A TW200301752A (en) 2002-01-08 2002-11-01 Method for making a densely packed multi-layered carbon nanotube
CNA028223462A CN1585724A (zh) 2002-01-08 2002-11-05 致密多层碳质纳米管的制造方法
EP02806058A EP1464619A1 (en) 2002-01-08 2002-11-05 METHOD OF MANUFACTURING DENSELY FITTED MULTI−LAYER CARBON NANO−TUBE
KR10-2004-7007195A KR20040088463A (ko) 2002-01-08 2002-11-05 조밀하게 채워진 다층 카본나노튜브의 제조방법
PCT/JP2002/011520 WO2003057621A1 (fr) 2002-01-08 2002-11-05 Procede de fabrication de nanotube en carbone a couches multiples ajustees de façon dense
US10/495,212 US6967043B2 (en) 2002-01-08 2002-11-05 Method of manufacturing the densely fitted multi-layer carbon nano-tube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002001815A JP3453379B2 (ja) 2002-01-08 2002-01-08 密に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003206114A JP2003206114A (ja) 2003-07-22
JP3453379B2 true JP3453379B2 (ja) 2003-10-06

Family

ID=19190665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002001815A Expired - Fee Related JP3453379B2 (ja) 2002-01-08 2002-01-08 密に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6967043B2 (ja)
EP (1) EP1464619A1 (ja)
JP (1) JP3453379B2 (ja)
KR (1) KR20040088463A (ja)
CN (1) CN1585724A (ja)
TW (1) TW200301752A (ja)
WO (1) WO2003057621A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100247419A1 (en) * 2006-11-01 2010-09-30 Nguyen Khe C Solid phase synthesized carbon nano fiber and tube
JP5567294B2 (ja) * 2008-06-30 2014-08-06 昭和電工株式会社 カーボンナノ材料の製造方法およびカーボンナノ材料の製造装置
KR101303061B1 (ko) * 2012-09-25 2013-09-03 금호석유화학 주식회사 다중벽 탄소나노튜브 제조용 촉매조성물

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05238718A (ja) * 1992-02-27 1993-09-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd フラーレンの製造方法及び装置
US5424054A (en) * 1993-05-21 1995-06-13 International Business Machines Corporation Carbon fibers and method for their production
US5641466A (en) * 1993-06-03 1997-06-24 Nec Corporation Method of purifying carbon nanotubes
JP2546511B2 (ja) * 1993-08-26 1996-10-23 日本電気株式会社 フラーレン及びカーボンナノチューブの合成方法
JP2737736B2 (ja) 1996-01-12 1998-04-08 日本電気株式会社 カーボン単層ナノチューブの製造方法
JP2000327317A (ja) * 1999-05-20 2000-11-28 Ise Electronics Corp グラファイト質ナノ繊維、その製造方法および製造装置

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ＡＫＩＲＡ ＫＯＳＨＩＯ ｅｔ ａｌ，Ｍｅｔａｌ−ｆｒｅｅ ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｈｉｇｈ−ｑｕａｌｉｔｙ ｍｕｌｔｉ−ｗａｌｌ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，ｉｎ ｗｈｉｃｈ ｔｈｅ ｉｎｎｅｒｍｏｓｔ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，ＣＨＥＭ．ＰＨＹＳ．ＬＥＴＴ．，２００２年 ４月，Ｖｏｌ．３５６，ｐ．５９５−６００
ＬＵ−ＣＨＡＮＧ ＱＩＮ ｅｔ ａｌ，Ｔｈｅ ｓｍａｌｌｅｓｔ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ，ＮＡＴＵＲＥ，２０００年，Ｖｏｌ．１０８，ｐ．５０
Ｘ．ＺＨＡＯ ｅｔ ａｌ，Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｈｉｇｈ−ｇｒａｄｅ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ ｂｙ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ａｒｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ，ＣＡＲＢＯＮ，１９９７年，Ｖｏｌ．３５，ｐ．７７５−７８１

Also Published As

Publication number Publication date
EP1464619A1 (en) 2004-10-06
WO2003057621A1 (fr) 2003-07-17
CN1585724A (zh) 2005-02-23
US6967043B2 (en) 2005-11-22
JP2003206114A (ja) 2003-07-22
US20040265491A1 (en) 2004-12-30
TW200301752A (en) 2003-07-16
KR20040088463A (ko) 2004-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6361861B2 (en) Carbon nanotubes on a substrate
US7097906B2 (en) Pure carbon isotropic alloy of allotropic forms of carbon including single-walled carbon nanotubes and diamond-like carbon
US7157068B2 (en) Varied morphology carbon nanotubes and method for their manufacture
US20110014368A1 (en) Carbon nanotube growth at reduced temperature via catalytic oxidation
WO2006052009A1 (ja) カーボンナノチューブ集合体及びその製造方法
JP3986711B2 (ja) 単層カーボンナノチューブの製造方法
US7261941B2 (en) Sharp end, multi-layer carbon nano-tube radial aggregate and method of manufacturing the aggregate
JP5644537B2 (ja) カーボンナノチューブ集合体及びその製造方法
JP2002263496A (ja) 触媒組成物、その製造方法及びカーボンナノファイバーの製造方法
WO2012057229A1 (ja) カーボンナノチューブの製造方法
JP3913583B2 (ja) カーボンナノチューブの製造方法
JP2007182374A (ja) 単層カーボンナノチューブの製造方法
JP3453379B2 (ja) 密に詰まった多層カーボンナノチューブの製造方法
JP2004083293A (ja) フラーレンを用いたカーボンナノチューブの製造方法
JP2003115255A (ja) 電界電子放出電極およびその製造方法
Kajiura et al. High-purity fibrous carbon deposit on the anode surface in hydrogen DC arc-discharge
US7799307B2 (en) Method of growing single-walled carbon nanotubes
KR20040034045A (ko) 중공형 나노 탄소섬유 제조법
KR20050010291A (ko) 섬유상 나노탄소
KR100713609B1 (ko) 섬유쌍 탄소
JP2003277032A (ja) 単層カーボンナノチューブの製造法
WO2004027108A2 (en) Process of controllable synthesis of carbon films with composite structures
Sengupta Growth and characterization of multi-walled carbon nanotubes using chemical vapor deposition

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070718

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090718

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090718

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100718

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718

Year of fee payment: 9

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees