JP3451325B2 - シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜 - Google Patents
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン・ゲルマ
ニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法、及びシリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜に関し、特には、
光伝送システムや移動体通信システムなどに使用する超
高速動作ヘテロバイポーラトランジスタなどに好適に用
いることのできる、シリコン・ゲルマニウム・カーボン
三元混晶膜の作製方法、及びシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶膜に関する。
ニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法、及びシリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜に関し、特には、
光伝送システムや移動体通信システムなどに使用する超
高速動作ヘテロバイポーラトランジスタなどに好適に用
いることのできる、シリコン・ゲルマニウム・カーボン
三元混晶膜の作製方法、及びシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、シリコン基板上に、シリコン・ゲ
ルマニウム二元混晶もしくはシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶をベース領域に用いた超高速動作ヘテ
ロバイポーラトランジスタを形成し、光伝送システムや
移動体通信システムなどに適用する試みが盛んである。
特にシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶は、シ
リコン・ゲルマニウム二元混晶の弱点を補う材料として
注目されている。
ルマニウム二元混晶もしくはシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶をベース領域に用いた超高速動作ヘテ
ロバイポーラトランジスタを形成し、光伝送システムや
移動体通信システムなどに適用する試みが盛んである。
特にシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶は、シ
リコン・ゲルマニウム二元混晶の弱点を補う材料として
注目されている。
【０００３】カーボンは、シリコンやゲルマニウムに比
べて原子半径の小さな元素である。したがって、シリコ
ン・ゲルマニウム混晶に少量のカーボンを添加すること
により、結晶の格子定数を小さくし、シリコンとゲルマ
ニウムの格子定数差に起因して生じる圧縮歪みを補償
し、組成によってはシリコン基板に格子整合させること
も可能となる。この結果、結晶中に蓄積される歪みの量
を極めて小さくできるので、熱的耐性が向上する。
べて原子半径の小さな元素である。したがって、シリコ
ン・ゲルマニウム混晶に少量のカーボンを添加すること
により、結晶の格子定数を小さくし、シリコンとゲルマ
ニウムの格子定数差に起因して生じる圧縮歪みを補償
し、組成によってはシリコン基板に格子整合させること
も可能となる。この結果、結晶中に蓄積される歪みの量
を極めて小さくできるので、熱的耐性が向上する。
【０００４】また、ゲルマニウム濃度を数十％、カーボ
ン濃度を数％以上と高くし、引張り歪み状態にすると、
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶の値電子帯
と伝導帯の両方にバンドオフセットが生じるため、新た
なヘテロ接合構造を有する番導体デバイスの構築が可能
となる。
ン濃度を数％以上と高くし、引張り歪み状態にすると、
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶の値電子帯
と伝導帯の両方にバンドオフセットが生じるため、新た
なヘテロ接合構造を有する番導体デバイスの構築が可能
となる。
【０００５】但し、高濃度のカーボンを有する高品質な
シリコン・ゲルマニウム・カーボン結晶を作製すること
は容易ではなく、例えば応用物理学会誌、６６巻（２０
００年）２５５９ページに記載されているように、カー
ボン濃度４％以上のシリコン・ゲルマニウム・カーボン
混晶の結晶性は劣悪であり、１１％以上では、非晶質化
する。
シリコン・ゲルマニウム・カーボン結晶を作製すること
は容易ではなく、例えば応用物理学会誌、６６巻（２０
００年）２５５９ページに記載されているように、カー
ボン濃度４％以上のシリコン・ゲルマニウム・カーボン
混晶の結晶性は劣悪であり、１１％以上では、非晶質化
する。
【０００６】これは、カーボン原子が、格子位置のみな
らず、格子間にも入りやすい性質を持つこと、またカー
ボンはシリコンと縮合しやすく、特に高温では安定相と
して炭化珪素（シリコンカーバイド）結晶を作りやすい
ことによる。
らず、格子間にも入りやすい性質を持つこと、またカー
ボンはシリコンと縮合しやすく、特に高温では安定相と
して炭化珪素（シリコンカーバイド）結晶を作りやすい
ことによる。
【０００７】高濃度のカーボンを有する高品質のシリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元結晶を作製する従来例
の一つが、例えば特開平２０００−２６９４７６号公報
に開示されている。これは、数原子層程度の厚みのＳｉ
1-xＧｅｘ層（０＜ｘ＜１）と、Ｓｉ1-yＣｙ層（０＜ｙ
＜１）とを交互に積層し、単一のＳｉＧｅＣ層として機
能しうるＳｉ1-xＧｅｘ／Ｓｉ1-yＣｙ短周期格子を形成
することにより、結晶性が良好であり、かつ熱的にも安
定なシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を作
製しようとするものである。
ン・ゲルマニウム・カーボン三元結晶を作製する従来例
の一つが、例えば特開平２０００−２６９４７６号公報
に開示されている。これは、数原子層程度の厚みのＳｉ
1-xＧｅｘ層（０＜ｘ＜１）と、Ｓｉ1-yＣｙ層（０＜ｙ
＜１）とを交互に積層し、単一のＳｉＧｅＣ層として機
能しうるＳｉ1-xＧｅｘ／Ｓｉ1-yＣｙ短周期格子を形成
することにより、結晶性が良好であり、かつ熱的にも安
定なシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を作
製しようとするものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、Ｓｉ1-yＣｙ層を用いた超格子構造で
あるため、安定な構造であるシリコンカーバイドを局所
的に析出しやすく、膜中の全域にわたって均質な結晶性
を有するシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶は
形成しにくい、という問題点があった。
来例においては、Ｓｉ1-yＣｙ層を用いた超格子構造で
あるため、安定な構造であるシリコンカーバイドを局所
的に析出しやすく、膜中の全域にわたって均質な結晶性
を有するシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶は
形成しにくい、という問題点があった。
【０００９】したがって本発明の目的は、カーボン濃度
を広範囲で制御することができ、シリコンカーバイドの
析出を抑制して、膜中の全域にわたって均質且つ高品質
なシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を提供
することにある。
を広範囲で制御することができ、シリコンカーバイドの
析出を抑制して、膜中の全域にわたって均質且つ高品質
なシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、本発明は、シリコン基板上に、複数のシリ
コン・ゲルマニウム二元混晶下地層と、複数のシリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層とを交互に順次形
成し、前記シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶
層中のカーボン原子の、前記シリコン・ゲルマニウム二
元混晶下地層中のシリコン原子との優先的結合を介し
た、前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層中のゲ
ルマニウム原子との置換を通じて、シリコン・ゲルマニ
ウム・カーボン三元混晶膜を形成することを特徴とす
る、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作
製方法（第１の作製方法）に関する。
成するため、本発明は、シリコン基板上に、複数のシリ
コン・ゲルマニウム二元混晶下地層と、複数のシリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層とを交互に順次形
成し、前記シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶
層中のカーボン原子の、前記シリコン・ゲルマニウム二
元混晶下地層中のシリコン原子との優先的結合を介し
た、前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層中のゲ
ルマニウム原子との置換を通じて、シリコン・ゲルマニ
ウム・カーボン三元混晶膜を形成することを特徴とす
る、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作
製方法（第１の作製方法）に関する。
【００１１】図１〜５は、本発明のシリコン・ゲルマニ
ウム・カーボン三元混晶膜の作製方法を説明するための
概念図である。本発明においては、最初、図１に示すよ
うに、シリコン基板１１上に、例えば、シリコン・ゲル
マニウム二元混晶下地層１２を１原子層の厚さに形成す
る。次いで、シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層１
２上において、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶層を超高真空分子線エピタキシー法や超高真空ガス
ソース分子線エピタキシー法を用いて形成する。
ウム・カーボン三元混晶膜の作製方法を説明するための
概念図である。本発明においては、最初、図１に示すよ
うに、シリコン基板１１上に、例えば、シリコン・ゲル
マニウム二元混晶下地層１２を１原子層の厚さに形成す
る。次いで、シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層１
２上において、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶層を超高真空分子線エピタキシー法や超高真空ガス
ソース分子線エピタキシー法を用いて形成する。
【００１２】すると、図２に示すように、最初の１原子
層１３ａが形成された時点において、シリコン原子とカ
ーボン原子との結合に比較して、ゲルマニウム原子とカ
ーボン原子との結合が著しく不安定であるため、シリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層中のカーボン原
子は、シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層１２中の
シリコン原子と優先的に結合する。
層１３ａが形成された時点において、シリコン原子とカ
ーボン原子との結合に比較して、ゲルマニウム原子とカ
ーボン原子との結合が著しく不安定であるため、シリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層中のカーボン原
子は、シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層１２中の
シリコン原子と優先的に結合する。
【００１３】また、ゲルマニウム原子の表面エネルギー
が約６００ｅｒｇ／ｃｍ２であるのに対し、カーボン原
子の表面エネルギーが約２５００ｅｒｇ／ｃｍ２である
ので、カーボン原子は層表面に存在するよりも層内部に
存在する方が層全体のエネルギーが低くなる。したがっ
て、図３に示すように、シリコン・ゲルマニウム・カー
ボン三元混晶層１３ａ内のカーボン原子と、シリコン・
ゲルマニウム二元混晶下地層１２中のゲルマニウム原子
とが置換するようになる。
が約６００ｅｒｇ／ｃｍ２であるのに対し、カーボン原
子の表面エネルギーが約２５００ｅｒｇ／ｃｍ２である
ので、カーボン原子は層表面に存在するよりも層内部に
存在する方が層全体のエネルギーが低くなる。したがっ
て、図３に示すように、シリコン・ゲルマニウム・カー
ボン三元混晶層１３ａ内のカーボン原子と、シリコン・
ゲルマニウム二元混晶下地層１２中のゲルマニウム原子
とが置換するようになる。
【００１４】次いで、図４に示すように、１原子層分の
厚さを有するシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混
晶層が、当初のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶層１３ａ上に連続して形成されることにより、各層
間において上述したシリコン原子とカーボン原子との優
先的な結合と、カーボン原子とゲルマニウム原子との置
換が生じ、最終的に図５に示すようなシリコン・ゲルマ
ニウム・カーボン三元混晶膜１４がシリコン基板１１上
に形成される。
厚さを有するシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混
晶層が、当初のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶層１３ａ上に連続して形成されることにより、各層
間において上述したシリコン原子とカーボン原子との優
先的な結合と、カーボン原子とゲルマニウム原子との置
換が生じ、最終的に図５に示すようなシリコン・ゲルマ
ニウム・カーボン三元混晶膜１４がシリコン基板１１上
に形成される。
【００１５】上述したように、シリコン・ゲルマニウム
・カーボン三元混晶膜１４は、その作製過程においてシ
リコン原子とカーボン原子とが優先的に結合する。そし
て、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜１４
内において、カーボン原子はゲルマニウム原子と置換し
て配置される。このため、カーボン原子の凝集を効果的
に抑制することができるとともに、カーボン原子はシリ
コン・ゲルマニウム・カーボン混晶の格子位置を占める
ようになる。
・カーボン三元混晶膜１４は、その作製過程においてシ
リコン原子とカーボン原子とが優先的に結合する。そし
て、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜１４
内において、カーボン原子はゲルマニウム原子と置換し
て配置される。このため、カーボン原子の凝集を効果的
に抑制することができるとともに、カーボン原子はシリ
コン・ゲルマニウム・カーボン混晶の格子位置を占める
ようになる。
【００１６】したがって、本発明に従って得たシリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜においては、カー
ボン原子が格子間に凝集することなく所定の格子位置に
配置され、炭化珪素などの副次的な結晶が生成されるこ
ともない。この結果、膜中の全域にわたって均質かつ高
品質なシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を
得ることができる。
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜においては、カー
ボン原子が格子間に凝集することなく所定の格子位置に
配置され、炭化珪素などの副次的な結晶が生成されるこ
ともない。この結果、膜中の全域にわたって均質かつ高
品質なシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を
得ることができる。
【００１７】また、本発明は、シリコン基板上に、シリ
コン・ゲルマニウム二元混晶単原子層と、このシリコン
・ゲルマニウム二元混晶単原子層上に形成されたシリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層とを一周
期として、２周期以上積層することを特徴とする、シリ
コン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法
（第２の作製方法）に関する。
コン・ゲルマニウム二元混晶単原子層と、このシリコン
・ゲルマニウム二元混晶単原子層上に形成されたシリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層とを一周
期として、２周期以上積層することを特徴とする、シリ
コン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法
（第２の作製方法）に関する。
【００１８】上述した第１の作製方法においては、シリ
コン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層を、例えば、
超高真空分子線エピタキシー法や超高真空ガスソース分
子線エピタキシー法を用いて形成しようとすると、１原
子層の厚さを有するシリコン・ゲルマニウム・カーボン
三元混晶単原子層の表面に水素が吸着してしまい、この
結果、ゲルマニウム原子の表面偏析が抑制されて、ゲル
マニウム原子とカーボン原子との置換が十分に行われな
い場合が生じる。
コン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層を、例えば、
超高真空分子線エピタキシー法や超高真空ガスソース分
子線エピタキシー法を用いて形成しようとすると、１原
子層の厚さを有するシリコン・ゲルマニウム・カーボン
三元混晶単原子層の表面に水素が吸着してしまい、この
結果、ゲルマニウム原子の表面偏析が抑制されて、ゲル
マニウム原子とカーボン原子との置換が十分に行われな
い場合が生じる。
【００１９】また、前記シリコン・ゲルマニウム・カー
ボン三元混晶膜の作製中において、連続して形成される
１原子層毎のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混
晶層間において、カーボン原子はゲルマニウム原子と置
換されずに残存するようになる。このため、各原子層間
においてカーボン原子同士が優先的に結合し、結果とし
てカーボンの凝集を生ぜしめる場合がある。
ボン三元混晶膜の作製中において、連続して形成される
１原子層毎のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混
晶層間において、カーボン原子はゲルマニウム原子と置
換されずに残存するようになる。このため、各原子層間
においてカーボン原子同士が優先的に結合し、結果とし
てカーボンの凝集を生ぜしめる場合がある。
【００２０】このような場合、上述した本発明の第２の
作製方法に従えば、１原子層分の厚さを有するシリコン
・ゲルマニウム単原子層と、１原子層分の厚さを有する
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層と
が常に隣接するようになる。
作製方法に従えば、１原子層分の厚さを有するシリコン
・ゲルマニウム単原子層と、１原子層分の厚さを有する
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層と
が常に隣接するようになる。
【００２１】図６は、本発明の第２の作製方法を説明す
るための概念図である。図６においては、シリコン基板
２１上に、シリコン・ゲルマニウム二元混晶単原子層２
２とシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子
層２３とが交互に積層されている。したがって、シリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層２３同士
は隣接せずに、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶単原子層２３とシリコン・ゲルマニウム二元混晶単
原子層２２とが常に隣接するようになる。
るための概念図である。図６においては、シリコン基板
２１上に、シリコン・ゲルマニウム二元混晶単原子層２
２とシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子
層２３とが交互に積層されている。したがって、シリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層２３同士
は隣接せずに、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶単原子層２３とシリコン・ゲルマニウム二元混晶単
原子層２２とが常に隣接するようになる。
【００２２】したがって、シリコン・ゲルマニウム・カ
ーボン三元混晶単原子層２３の表面に水素が吸着し、カ
ーボン原子がゲルマニウム原子と置換することなく残存
する場合においても、隣接するシリコン・ゲルマニウム
二元混晶単原子層２２中にカーボン原子が存在しないた
め、カーボン原子同士が優先的に結合して凝集すること
がなくなる。
ーボン三元混晶単原子層２３の表面に水素が吸着し、カ
ーボン原子がゲルマニウム原子と置換することなく残存
する場合においても、隣接するシリコン・ゲルマニウム
二元混晶単原子層２２中にカーボン原子が存在しないた
め、カーボン原子同士が優先的に結合して凝集すること
がなくなる。
【００２３】この結果、シリコン・ゲルマニウム・カー
ボン三元混晶単原子層２３の表面に水素が吸着しても、
カーボン原子は凝集することなく、シリコン・ゲルマニ
ウム・カーボン三元混晶単原子層２３中の所定の位置に
残存するようになる。したがって、シリコン・ゲルマニ
ウム二元混晶単原子層２２とシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶単原子層２３とが交互に積層されてな
るシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜２４に
おいて、カーボン原子は凝集することなく所定の格子位
置に配置されるようになる。
ボン三元混晶単原子層２３の表面に水素が吸着しても、
カーボン原子は凝集することなく、シリコン・ゲルマニ
ウム・カーボン三元混晶単原子層２３中の所定の位置に
残存するようになる。したがって、シリコン・ゲルマニ
ウム二元混晶単原子層２２とシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶単原子層２３とが交互に積層されてな
るシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜２４に
おいて、カーボン原子は凝集することなく所定の格子位
置に配置されるようになる。
【００２４】この結果、シリコン・ゲルマニウム・カー
ボン三元混晶単原子層の表面に水素が吸着している場合
においても、膜中の全域にわたって均質且つ高品質なシ
リコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を得ること
ができる。
ボン三元混晶単原子層の表面に水素が吸着している場合
においても、膜中の全域にわたって均質且つ高品質なシ
リコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を得ること
ができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に則して詳細に説明する。本発明の第１の作製方法にお
いては、シリコン基板上にシリコン・ゲルマニウム二元
混晶下地層を形成する。この下地層は、超高真空分子線
エピタキシー法や超高真空化学気相成長法、超高真空ガ
スソース分子線エピタキシー法など公知の成膜手段によ
って形成することができる。また、シリコン基板上にゲ
ルマニウム原子のイオン注入を施した後、シリコン基板
に対して適当な熱処理を施すことによっても形成するこ
とができる。
に則して詳細に説明する。本発明の第１の作製方法にお
いては、シリコン基板上にシリコン・ゲルマニウム二元
混晶下地層を形成する。この下地層は、超高真空分子線
エピタキシー法や超高真空化学気相成長法、超高真空ガ
スソース分子線エピタキシー法など公知の成膜手段によ
って形成することができる。また、シリコン基板上にゲ
ルマニウム原子のイオン注入を施した後、シリコン基板
に対して適当な熱処理を施すことによっても形成するこ
とができる。
【００２６】シリコン基板に対する熱処理は、注入され
たゲルマニウム原子を層状に拡散させて、前記シリコン
膜中においてシリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層を
形成するために行うものである。したがって、その熱処
理温度は６００℃〜１０００℃であることが好ましい。
また、熱処理雰囲気は、窒素雰囲気やアルゴン雰囲気で
あることが好ましい。さらには、１０−７Ｔｏｒｒ以下
の真空であることが好ましい。
たゲルマニウム原子を層状に拡散させて、前記シリコン
膜中においてシリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層を
形成するために行うものである。したがって、その熱処
理温度は６００℃〜１０００℃であることが好ましい。
また、熱処理雰囲気は、窒素雰囲気やアルゴン雰囲気で
あることが好ましい。さらには、１０−７Ｔｏｒｒ以下
の真空であることが好ましい。
【００２７】また、前記シリコン・ゲルマニウム二元混
晶下地層の厚さは、少なくとも１原子層分の厚さを有す
ることが好ましい。これによって、図１〜５で説明した
ように、シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層中のゲ
ルマニウム原子と、この下地層上に形成されたシリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層中のカーボ
ン原子との置換が効率的に行われ、カーボン原子の凝集
が効果的に抑制されて、均質且つ高品質なシリコン・ゲ
ルマニウム・カーボン三元混晶膜を簡易に得ることがで
きる。
晶下地層の厚さは、少なくとも１原子層分の厚さを有す
ることが好ましい。これによって、図１〜５で説明した
ように、シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層中のゲ
ルマニウム原子と、この下地層上に形成されたシリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層中のカーボ
ン原子との置換が効率的に行われ、カーボン原子の凝集
が効果的に抑制されて、均質且つ高品質なシリコン・ゲ
ルマニウム・カーボン三元混晶膜を簡易に得ることがで
きる。
【００２８】本発明の第１の作製方法においては、前記
シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層上に、シリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層を形成する。この
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層は、上述
したような超高真空分子線エピタキシー法や超高真空化
学気相成長法、超高真空ガスソース分子線エピタキシー
法などの公知の成膜手法を用いて形成することができ
る。
シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層上に、シリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層を形成する。この
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層は、上述
したような超高真空分子線エピタキシー法や超高真空化
学気相成長法、超高真空ガスソース分子線エピタキシー
法などの公知の成膜手法を用いて形成することができ
る。
【００２９】そして、シリコン・ゲルマニウム・カーボ
ン三元混晶層は、前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶
下地層を含む前記シリコン基板を５００℃〜７００℃の
範囲の温度、好ましくは５５０℃〜６５０℃の範囲の温
度に加熱して形成することが好ましい。これによって、
前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層の表面、及
びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層
の表面に水素が吸着するのを効果的に抑制することがで
き、上述したようなカーボン原子の凝集を抑制して、均
一かつ高品質のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶膜を得ることができる。
ン三元混晶層は、前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶
下地層を含む前記シリコン基板を５００℃〜７００℃の
範囲の温度、好ましくは５５０℃〜６５０℃の範囲の温
度に加熱して形成することが好ましい。これによって、
前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層の表面、及
びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層
の表面に水素が吸着するのを効果的に抑制することがで
き、上述したようなカーボン原子の凝集を抑制して、均
一かつ高品質のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶膜を得ることができる。
【００３０】また、本発明の第２の作製方法において
は、シリコン基板上に、１原子層厚さのシリコン・ゲル
マニウム二元混晶単原子層と、このシリコン・ゲルマニ
ウム二元混晶単原子層上に形成された１原子層厚さのシ
リコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層を一
周期として、２周期以上積層する。
は、シリコン基板上に、１原子層厚さのシリコン・ゲル
マニウム二元混晶単原子層と、このシリコン・ゲルマニ
ウム二元混晶単原子層上に形成された１原子層厚さのシ
リコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層を一
周期として、２周期以上積層する。
【００３１】前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶単原
子層、及び前記シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶単原子層は、それぞれ超高真空分子線エピタキシー
法や超高真空化学気相成長法、超高真空ガスソース分子
線エピタキシー法などによって形成することができる。
子層、及び前記シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶単原子層は、それぞれ超高真空分子線エピタキシー
法や超高真空化学気相成長法、超高真空ガスソース分子
線エピタキシー法などによって形成することができる。
【００３２】上記単原子層は６００℃以上、好ましくは
６５０℃以上の温度において形成することができる。こ
れによって、各単原子層表面上における水素の吸着を効
果的に防止し、カーボン原子の凝集を抑制した均一かつ
高品質のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜
を得ることができる。
６５０℃以上の温度において形成することができる。こ
れによって、各単原子層表面上における水素の吸着を効
果的に防止し、カーボン原子の凝集を抑制した均一かつ
高品質のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜
を得ることができる。
【００３３】また、上記単原子層は６００℃未満の温度
で形成することもできる。この場合においては、各原子
層の表面に水素が吸着しやすくなるが、上述したよう
に、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子
層同士が隣接しないため、残存したカーボン原子同士が
優先的に結合して凝集することがない。したがって、均
一かつ高品質のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶膜を簡易に得ることができる。
で形成することもできる。この場合においては、各原子
層の表面に水素が吸着しやすくなるが、上述したよう
に、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子
層同士が隣接しないため、残存したカーボン原子同士が
優先的に結合して凝集することがない。したがって、均
一かつ高品質のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶膜を簡易に得ることができる。
【００３４】以上説明した本発明の第１の作製方法及び
第２の作製方法によれば、カーボン原子を、例えば４原
子％以上含有する場合においても、従来と異なり、カー
ボン原子が凝集することなく、所定の格子位置に配置さ
れてなるシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜
を得ることができる。
第２の作製方法によれば、カーボン原子を、例えば４原
子％以上含有する場合においても、従来と異なり、カー
ボン原子が凝集することなく、所定の格子位置に配置さ
れてなるシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜
を得ることができる。
【００３５】また、本発明のシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶膜は、電動性を付与するために、必要
に応じてボロン原子、ガリウム原子、砒素原子、燐原
子、及びアンチモン原子の少なくとも一種を含有するこ
ともできる。
カーボン三元混晶膜は、電動性を付与するために、必要
に応じてボロン原子、ガリウム原子、砒素原子、燐原
子、及びアンチモン原子の少なくとも一種を含有するこ
ともできる。
【００３６】
【実施例】（実施例１）本実施例においては、上記本発
明の第１の作製方法に従ってシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶膜を作製した。シリコン基板としてｐ
型シリコン（１００）基板を用い、これをＳＣｌ洗浄
（ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５の溶液中
で１０分放置）した後、ＨＦ処理（ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：
５０の溶液中に１０秒放置）を施し、さらに１０分間超
純水洗浄し、前記シリコン基板の表面の自然酸化膜を除
去した。
明の第１の作製方法に従ってシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶膜を作製した。シリコン基板としてｐ
型シリコン（１００）基板を用い、これをＳＣｌ洗浄
（ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５の溶液中
で１０分放置）した後、ＨＦ処理（ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：
５０の溶液中に１０秒放置）を施し、さらに１０分間超
純水洗浄し、前記シリコン基板の表面の自然酸化膜を除
去した。
【００３７】次いで、前記シリコン基板を超高真空分子
線エピタキシー装置内に設置し、装置内を到達真空度が
１×１０−１０Ｔｏｒｒ以下となるまで排気した。そし
て、前記シリコン基板を８５０℃で３分間アニール処理
し、前記シリコン基板の表面を清浄化した。次いで、前
記シリコン基板を６００℃に加熱して、分子線エピタキ
シーにより、Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５二元混晶下地層を１
原子層の厚さに形成した。次いで、同一温度において、
前記下地層上にＳｉ０．４７３Ｇｅ０．４７３Ｃ
０．０５４三元混晶層を６原子層の厚さに形成した。
線エピタキシー装置内に設置し、装置内を到達真空度が
１×１０−１０Ｔｏｒｒ以下となるまで排気した。そし
て、前記シリコン基板を８５０℃で３分間アニール処理
し、前記シリコン基板の表面を清浄化した。次いで、前
記シリコン基板を６００℃に加熱して、分子線エピタキ
シーにより、Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５二元混晶下地層を１
原子層の厚さに形成した。次いで、同一温度において、
前記下地層上にＳｉ０．４７３Ｇｅ０．４７３Ｃ
０．０５４三元混晶層を６原子層の厚さに形成した。
【００３８】図７は、上記のようにして作製したシリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の走査トンネル
顕微鏡写真を示す図である。図中において、矢印Ａに示
すようなジグザグ部分は１原子層の高さに相当するステ
ップであり、上記混晶膜がステップに沿った二次元的成
長によって形成されたことが分かる。また、図中の矢印
Ｂに示すような黒い線が周期的に配列した表面構造は、
圧縮歪みを伴うシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶膜表面に固有である（ｎｘ２）超周期構造に相当す
るものである。したがって、本実施例において作製され
たシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜は、シ
リコン基板の結晶格子を反映してエピタキシャル成長に
より形成されたことが分かる。
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の走査トンネル
顕微鏡写真を示す図である。図中において、矢印Ａに示
すようなジグザグ部分は１原子層の高さに相当するステ
ップであり、上記混晶膜がステップに沿った二次元的成
長によって形成されたことが分かる。また、図中の矢印
Ｂに示すような黒い線が周期的に配列した表面構造は、
圧縮歪みを伴うシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶膜表面に固有である（ｎｘ２）超周期構造に相当す
るものである。したがって、本実施例において作製され
たシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜は、シ
リコン基板の結晶格子を反映してエピタキシャル成長に
より形成されたことが分かる。
【００３９】すなわち、本実施例においては、カーボン
原子が凝集することなく、均一かつ高品質のシリコン・
ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜が得られていること
が分かる。
原子が凝集することなく、均一かつ高品質のシリコン・
ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜が得られていること
が分かる。
【００４０】（実施例２）本実施例においては、上記本
発明の第２の作製方法に従ってシリコン・ゲルマニウム
・カーボン三元混晶膜を作製した。シリコン基板として
ｐ型シリコン（１００）基板を用い、これを実施例１と
同様にして洗浄した後、超高真空化学気相成長装置内に
設置し、装置内を到達真空度が１×１０−１０Ｔｏｒｒ
以下となるまで排気した。そして、実施例１と同様にし
て、前記シリコン基板を８５０℃で３分間アニール処理
し、前記シリコン基板の表面を清浄化した。
発明の第２の作製方法に従ってシリコン・ゲルマニウム
・カーボン三元混晶膜を作製した。シリコン基板として
ｐ型シリコン（１００）基板を用い、これを実施例１と
同様にして洗浄した後、超高真空化学気相成長装置内に
設置し、装置内を到達真空度が１×１０−１０Ｔｏｒｒ
以下となるまで排気した。そして、実施例１と同様にし
て、前記シリコン基板を８５０℃で３分間アニール処理
し、前記シリコン基板の表面を清浄化した。
【００４１】次いで、シリコン基板の温度を５５０℃と
し、シリコン原料ガスとしてＳｉ２Ｈ６、ゲルマニウム
原料ガスとしてＧｅＨ４、及びカーボン原料ガスとして
ＳｉＨ３ＣＨ９を用い、１原子層の厚さのＳｉ０．５Ｇ
ｅ０．５二元混晶単原子層及び１原子層厚さのＳｉ
０．４５Ｇｅ０．４５Ｃ０．１三元混晶単原子層を交互
に３６周期に亘って積層した。
し、シリコン原料ガスとしてＳｉ２Ｈ６、ゲルマニウム
原料ガスとしてＧｅＨ４、及びカーボン原料ガスとして
ＳｉＨ３ＣＨ９を用い、１原子層の厚さのＳｉ０．５Ｇ
ｅ０．５二元混晶単原子層及び１原子層厚さのＳｉ
０．４５Ｇｅ０．４５Ｃ０．１三元混晶単原子層を交互
に３６周期に亘って積層した。
【００４２】このようにして作製したシリコン・ゲルマ
ニウム・カーボン三元混晶膜について走査トンネル顕微
鏡により、その結晶性を評価したところ、実施例１同様
にカーボン原子が凝集することなく、均一かつ高品質の
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜が作製さ
れていることが確認された。
ニウム・カーボン三元混晶膜について走査トンネル顕微
鏡により、その結晶性を評価したところ、実施例１同様
にカーボン原子が凝集することなく、均一かつ高品質の
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜が作製さ
れていることが確認された。
【００４３】（比較例）シリコン基板としてｐ型シリコ
ン（１００）基板を用い、これを実施例１と同様にして
洗浄した後、超高真空分子線エピタキシー装置内に設置
し、装置内を到達真空度が１×１０−１０Ｔｏｒｒ以下
となるまで排気した。そして、前記シリコン基板を８５
０℃で３分間アニール処理し、前記シリコン基板の表面
を清浄化した。次いで、シリコン・ゲルマニウム二元混
晶下地層を形成することなく、６００℃に加熱された前
記シリコン基板上に、Ｓｉ０．４７８Ｇｅ０．４７８Ｃ
０．０ ４４三元混晶膜を４原子層の厚さに形成した。
ン（１００）基板を用い、これを実施例１と同様にして
洗浄した後、超高真空分子線エピタキシー装置内に設置
し、装置内を到達真空度が１×１０−１０Ｔｏｒｒ以下
となるまで排気した。そして、前記シリコン基板を８５
０℃で３分間アニール処理し、前記シリコン基板の表面
を清浄化した。次いで、シリコン・ゲルマニウム二元混
晶下地層を形成することなく、６００℃に加熱された前
記シリコン基板上に、Ｓｉ０．４７８Ｇｅ０．４７８Ｃ
０．０ ４４三元混晶膜を４原子層の厚さに形成した。
【００４４】図８は、上記のようにして作製したシリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の走査トンネル
顕微鏡写真を示す図である。図中において、矢印Ａで示
す白い隆起部は約２ｎｍ高さの結晶島であり、この薄膜
表面は三次元的成長をしたことによって形成されたこと
が分かる。また、矢印Ｂに示すような黒い線が周期的に
配列した表面構造は、図７の矢印Ｂで示したものと同様
に、圧縮歪みを伴うシリコン・ゲルマニウム・カーボン
混晶膜表面に固有な（ｎｘ２）超周期構造であるが、図
中、矢印Ｃに示すような黒い線が周期的に配列していな
い表面構造は、格子位置に配置せずに表面に析出したカ
ーボン原子が凝集したことによって形成された、ｃ（４
×４）構造と呼ばれるものである。
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の走査トンネル
顕微鏡写真を示す図である。図中において、矢印Ａで示
す白い隆起部は約２ｎｍ高さの結晶島であり、この薄膜
表面は三次元的成長をしたことによって形成されたこと
が分かる。また、矢印Ｂに示すような黒い線が周期的に
配列した表面構造は、図７の矢印Ｂで示したものと同様
に、圧縮歪みを伴うシリコン・ゲルマニウム・カーボン
混晶膜表面に固有な（ｎｘ２）超周期構造であるが、図
中、矢印Ｃに示すような黒い線が周期的に配列していな
い表面構造は、格子位置に配置せずに表面に析出したカ
ーボン原子が凝集したことによって形成された、ｃ（４
×４）構造と呼ばれるものである。
【００４５】すなわち、本発明と異なり、シリコン・ゲ
ルマニウム二元混晶下地層を形成することなく、シリコ
ン基板上に直接的に形成したシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶膜においては、カーボンが凝集して均
一性及び品質の双方において劣化していることが分か
る。
ルマニウム二元混晶下地層を形成することなく、シリコ
ン基板上に直接的に形成したシリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶膜においては、カーボンが凝集して均
一性及び品質の双方において劣化していることが分か
る。
【００４６】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来よりも高濃度のカーボンを有する高品質かつ均質な
シリコン・ゲルマニウム・カーボン３元混晶膜を形成で
きる。したがって、従来の低濃度カーボンを有するシリ
コン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を用いた半導
体デバイスでは実現できなかった新たな機能を発現した
り、更なる高速動作を実現することができる。
従来よりも高濃度のカーボンを有する高品質かつ均質な
シリコン・ゲルマニウム・カーボン３元混晶膜を形成で
きる。したがって、従来の低濃度カーボンを有するシリ
コン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を用いた半導
体デバイスでは実現できなかった新たな機能を発現した
り、更なる高速動作を実現することができる。
【図１】 本発明の第１の作製方法を説明するための概
念図である。
念図である。
【図２】 同じく、本発明の第１の作製方法を説明する
ための概念図である。
ための概念図である。
【図３】 同じく、本発明の第１の作製方法を説明する
ための概念図である。
ための概念図である。
【図４】 同じく、本発明の第１の作製方法を説明する
ための概念図である。
ための概念図である。
【図５】 同じく、本発明の第１の作製方法を説明する
ための概念図である。
ための概念図である。
【図６】 本発明の第２の作製方法を説明するための概
念図である。
念図である。
【図７】 本発明の第１の作製方法によって作製された
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の走査ト
ンネル顕微鏡写真である。
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の走査ト
ンネル顕微鏡写真である。
【図８】 従来の作製方法によって作製されたシリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の走査トンネル顕
微鏡写真である。
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の走査トンネル顕
微鏡写真である。
１１ 基板
１２ シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層
１３ シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層
１３ａ シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単
原子層 １４ シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜 ２１ 基板 ２２ シリコン・ゲルマニウム二元混晶単原子層 ２３ シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原
子層 ２４ シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜
原子層 １４ シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜 ２１ 基板 ２２ シリコン・ゲルマニウム二元混晶単原子層 ２３ シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原
子層 ２４ シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 酒井 朗
愛知県名古屋市緑区篠の風３−252 滝
の水住宅６−205
(56)参考文献 特開 平９−278597（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−189620（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−130511（ＪＰ，Ａ)
特開2000−269476（ＪＰ，Ａ)
特開2001−338879（ＪＰ，Ａ)
特開2002−64105（ＪＰ，Ａ)
特開2001−320052（ＪＰ，Ａ)
特開2001−196317（ＪＰ，Ａ)
特開2002−329673（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/203,21/205,33/00
C30B 29/36
Claims (11)
- 【請求項１】 シリコン基板上に、複数のシリコン・ゲ
ルマニウム二元混晶下地層と、複数のシリコン・ゲルマ
ニウム・カーボン三元混晶層とを交互に順次形成し、前
記シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層中のカ
ーボン原子の、前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶下
地層中のシリコン原子との優先的結合を介した、前記シ
リコン・ゲルマニウム二元混晶下地層中のゲルマニウム
原子との置換を通じて、シリコン・ゲルマニウム・カー
ボン三元混晶膜を形成することを特徴とする、シリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法。 - 【請求項２】 前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶下
地層は、前記シリコン基板上に成膜処理を施すことによ
って形成することを特徴とする、請求項１に記載のシリ
コン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法。 - 【請求項３】 前記複数のシリコン・ゲルマニウム二元
混晶下地層の前記シリコン基板に接する最下層は、前記
シリコン基板上にゲルマニウム原子のイオン注入を施し
た後、前記シリコン基板に対して熱処理を施すことによ
り形成することを特徴とする、請求項１に記載のシリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法。 - 【請求項４】 前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶下
地層は、少なくとも１原子層分の厚さを有することを特
徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載のシリコン
・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法。 - 【請求項５】 前記シリコン・ゲルマニウム・カーボン
三元混晶層は、前記Ｓｉ・ゲルマニウム二元混晶下地層
を含む前記シリコン基板を５００℃〜７００℃に加熱し
て形成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか
一に記載のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶
膜の作製方法。 - 【請求項６】 シリコン基板上に、１原子層厚さのシリ
コン・ゲルマニウム二元混晶単原子層と、このシリコン
・ゲルマニウム二元混晶単原子層上に形成された１原子
層厚さのシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単
原子層とを一周期として、２周期以上積層し、前記シリ
コン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶単原子層中のカ
ーボン原子の、前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶単
原子層中のシリコン原子との優先的結合を介した、前記
シリコン・ゲルマニウム二元混晶単原子層中のゲルマニ
ウム原子との置換を通じて、シリコン・ゲルマニウム・
カーボン三元混晶膜を形成することを特徴とする、シリ
コン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法。 - 【請求項７】 前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶単
原子層及び前記シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶単原子層の少なくとも一方は、６００℃未満の温度
で形成することを特徴とする、請求項６に記載のシリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法。 - 【請求項８】 前記シリコン・ゲルマニウム二元混晶単
原子層及び前記シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶単原子層の少なくとも一方は、６００℃以上の温度
で形成することを特徴とする、請求項６又は７に記載の
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方
法。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか一に記載の方法
によって作製され、カーボン原子がシリコン・ゲルマニ
ウム・カーボン混晶の格子位置に配置していることを特
徴とする、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶
膜。 - 【請求項１０】 前記カーボン原子の含有量が４原子％
以上であることを特徴とする、請求項９に記載のシリコ
ン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜。 - 【請求項１１】 ボロン原子、ガリウム原子、砒素原
子、燐原子、及びアンチモン原子の少なくとも一種を不
純物原子として含有することを特徴とする、請求項９又
は１０に記載のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元
混晶膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001087297A JP3451325B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001087297A JP3451325B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289526A JP2002289526A (ja) | 2002-10-04 |
| JP3451325B2 true JP3451325B2 (ja) | 2003-09-29 |
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ID=18942563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001087297A Expired - Lifetime JP3451325B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3451325B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US7687383B2 (en) | 2005-02-04 | 2010-03-30 | Asm America, Inc. | Methods of depositing electrically active doped crystalline Si-containing films |
| CN115652260B (zh) * | 2022-11-11 | 2023-05-16 | 湖南大学 | 一种单原子锗与少原子团簇的制备方法 |
-
2001
- 2001-03-26 JP JP2001087297A patent/JP3451325B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JP2002289526A (ja) | 2002-10-04 |
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