JP3444975B2 - パルス幅伸長回路 - Google Patents

パルス幅伸長回路

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JP3444975B2
JP3444975B2 JP16496094A JP16496094A JP3444975B2 JP 3444975 B2 JP3444975 B2 JP 3444975B2 JP 16496094 A JP16496094 A JP 16496094A JP 16496094 A JP16496094 A JP 16496094A JP 3444975 B2 JP3444975 B2 JP 3444975B2
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  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、入力されるパルス信号
のパルス幅を伸長してなるパルス信号を発生するパルス
幅伸長回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、パルス幅伸長回路として、例え
ば、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ(以
下、SRAMという)において、アドレス信号の遷移を
検出するアドレス遷移検出回路(以下、ATD回路とい
う)から出力されるアドレス遷移検出信号(以下、AT
D信号という)のパルス幅を伸長して、これをセンスア
ンプ活性化信号としてセンスアンプに供給するパルス幅
伸長回路が知られており、図7は、その一例を示してい
る。
【0003】図7中、1はATD回路から出力されるA
TD信号が入力されるATD信号入力端、2は前エッジ
の遅延時間よりも後エッジの遅延時間が長くなるように
ATD信号を遅延する遅延回路である。
【0004】この遅延回路2において、3〜8は縦列接
続されたインバータであり、これらインバータ3〜8の
うち、インバータ3、5、7は、その入力スレッショル
ド電圧を比較的低く設定され、インバータ4、6、8
は、その入力スレッショルド電圧を比較的高く設定され
ている。
【0005】また、9、10、11は電源電圧VCCを
供給する電源線、12、13、14は電源線9、10、
11とインバータ3、5、7の電源電圧入力端との間に
接続された抵抗であり、インバータ4、6、8の電源電
圧入力端は、直接、電源線に接続されている。
【0006】また、15、16、17はインバータ3、
5、7の出力端と接地との間に接続されたキャパシタで
ある。
【0007】ここに、インバータ3は、抵抗12及びキ
ャパシタ15からなるRC遅延回路により、その出力信
号の立ち上がり時間を比較的大きく設定され、インバー
タ5は、抵抗13及びキャパシタ16からなるRC遅延
回路により、その出力信号の立ち上がり時間を比較的大
きく設定され、インバータ7は、抵抗14及びキャパシ
タ17からなるRC遅延回路により、その出力信号の立
ち上がり時間を比較的大きく設定される。
【0008】また、18はセンスアンプ活性化信号SE
を出力するNOR回路であり、一方の入力端をATD信
号入力端1に接続され、他方の入力端をインバータ8の
出力端に接続されている。
【0009】図8は、ATD回路からアドレス信号の遷
移に基づくパルス幅の正常なATD信号が出力された場
合における図7に示すパルス幅伸長回路の動作を示す波
形図であり、図8AはATD信号、図8Bはインバータ
3の出力S3、図8Cはインバータ4の出力S4、図8
Dはインバータ5の出力S5、図8Eはインバータ6の
出力S6、図8Fはインバータ7の出力S7、図8Gは
インバータ8の出力S8、図8Hはセンスアンプ活性化
信号SEを示している。
【0010】即ち、図7に示すパルス幅伸長回路では、
ATD回路からATD信号が出力されず、ATD信号入
力端1のレベル=Lレベルとされている場合には、イン
バータ3の出力S3=Hレベル、インバータ4の出力S
4=Lレベル、インバータ5の出力S5=Hレベル、イ
ンバータ6の出力S6=Lレベル、インバータ7の出力
S7=Hレベル、インバータ8の出力S8=Lレベルと
なり、センスアンプ活性化信号SE=Hレベル(非活性
レベル)とされる。
【0011】その後、ATD回路からATD信号が出力
され、ATD信号入力端1のレベル=Hレベルにされる
と、センスアンプ活性化信号SE=Lレベル(活性レベ
ル)にされると共に、インバータ3の出力S3=Lレベ
ル、インバータ4の出力S4=Hレベル、インバータ5
の出力S5=Lレベル、インバータ6の出力S6=Hレ
ベル、インバータ7の出力S7=Lレベル、インバータ
8の出力S8=Hレベルとなる。
【0012】ここに、インバータ3、5、7は、その入
力スレッショルド電圧を比較的低く設定され、インバー
タ4、6、8は、その入力スレッショルド電圧を比較的
高く設定されているので、インバータ8の出力S8のL
レベルからHレベルの変化は、ATD信号が立ち上がっ
た後、比較的短い時間で起こる。
【0013】その後、ATD信号が立ち下がり、ATD
信号入力端1=Lレベルにされると、インバータ3の出
力S3=Hレベル、インバータ4の出力S4=Lレベ
ル、インバータ5の出力S5=Hレベル、インバータ6
の出力S6=Lレベル、インバータ7の出力S7=Hレ
ベル、インバータ8の出力S8=Lレベルとなり、セン
スアンプ活性化信号SE=Hレベル(非活性レベル)に
復帰する。
【0014】ここに、インバータ3、5、7は、出力信
号の立ち上がり時間を比較的大きく設定され、しかも、
インバータ4、6、8は、入力スレッショルド電圧を比
較的高く設定されているので、インバータ8の出力S8
のHレベルからLレベルの変化は、ATD信号が立ち下
がった後、比較的長い時間を経過して起こる。
【0015】したがって、図7に示すパルス幅伸長回路
においては、ATD回路から出力されるATD信号のパ
ルス幅を伸長してなるセンスアンプ活性化信号SEを得
ることができる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】図9はATD回路から
ノイズ等に基づくパルス幅の短い異常なATD信号が出
力された場合における図7に示すパルス幅伸長回路の動
作を示す波形図であり、図9AはATD信号、図9Bは
インバータ3の出力S3、図9Cはインバータ4の出力
S4、図9Dはインバータ5の出力S5、図9Eはイン
バータ6の出力S6、図9Fはインバータ7の出力S
7、図9Gはインバータ8の出力S8、図9Hはセンス
アンプ活性化信号SEを示している。
【0017】即ち、図7に示すパルス幅伸長回路におい
ては、図9に示すように、ATD回路からノイズ等に基
づくパルス幅の短い異常なATD信号が出力されると、
センスアンプを正常に動作させるのに十分でないパルス
幅のセンスアンプ活性化信号SEが出力されてしまい、
センスアンプが誤動作を起こしてしまう場合があるとい
う問題点があった。
【0018】本発明は、かかる点に鑑み、入力パルス信
号のパルス幅が所定の幅よりも短い場合には、この入力
パルス信号のパルス幅を伸長してなる出力パルス信号を
出力しないようにし、次段回路が誤動作を起こさないよ
うにしたパルス幅伸長回路を提供することを目的とす
る。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明によるパルス幅伸
長回路は、例えば、図1にその原理説明図を示すよう
に、遅延回路20と、パルス幅検出回路21と、出力パ
ルス信号発生回路22とを設けて構成される。
【0020】ここに、遅延回路20は、入力パルス信号
を遅延するものであるが、この遅延回路20は、例え
ば、エッジの遅延時間がエッジの遅延時間よりも長
くなるように入力パルス信号を遅延するように構成され
る。このように構成する場合には、遅延回路20は、入
力パルス信号よりも広いパルス幅を有する伸長パルスを
生成することになる。
【0021】また、パルス幅検出回路21は、入力パル
ス信号のパルス幅が所定幅以上であるか否かを検出する
ものであり、例えば、入力パルス信号のパルス幅を検出
し、入力パルス信号のパルス幅が所定幅以上の場合にの
み、前エッジと遅延回路20により遅延された入力パル
ス信号の後エッジとの間隔入力パルス信号のパルス幅
よりも長くなるようなパルス幅検出信号を出力するもの
である。
【0022】このパルス幅検出回路21は、例えば、遅
延回路20内の所定の複数の部所の電位を論理処理する
ことにより、入力パルス信号のパルス幅を検出するよう
に構成することができる。
【0023】また、出力パルス信号発生回路22は、
力パルス信号のパルス幅が所定幅以上の場合には、出力
パルス信号として伸長パルス信号を出力し、入力パルス
信号のパルス幅が所定幅未満の場合には、出力パルス信
号として伸長パルス信号を出力しないものであり、例え
ば、パルス幅検出信号と、遅延回路20により遅延され
てなる入力パルス信号とが供給され、パルス幅検出信号
が供給された場合には、出力端22Aの電位を反転して
保持し、遅延回路20により遅延されてなる入力パルス
信号の後エッジが供給された場合には、出力端22Aの
電位を復帰させて保持することにより、出力端22Aに
入力パルス信号のパルス幅を伸長してなる出力パルス信
号を出力するものである。
【0024】
【作用】本発明においては、パルス幅検出回路21は、
入力パルス信号のパルス幅が所定幅よりも短い場合に
は、パルス幅検出信号を出力しないので、この場合、出
力パルス信号発生回路22は、この入力パルス信号のパ
ルス幅を伸長してなる出力パルス信号を発生することは
ない。
【0025】
【実施例】以下、図2〜図6を参照して、本発明の第1
実施例〜第3実施例について、本発明を、SRAMにお
いて、ATD回路から出力されるATD信号のパルス幅
を伸長し、これをセンスアンプ活性化信号としてセンス
アンプに供給するパルス幅伸長回路に適用した場合を例
にして説明する。
【0026】第1実施例・・図2〜図4 図2は本発明の第1実施例を示す回路図であり、図2
中、24はATD回路から出力されたATD信号が入力
されるATD信号入力端、25は前エッジの遅延時間よ
りも後エッジの遅延時間が長くなるようにATD信号を
遅延する遅延回路である。
【0027】この遅延回路25において、26〜31は
縦列接続されたインバータであり、これらインバータ2
6〜31のうち、インバータ26、28、30は、その
入力スレッショルド電圧を比較的低く設定され、インバ
ータ27、29、31は、その入力スレッショルド電圧
を比較的高く設定されている。
【0028】また、32、33、34は電源電圧VCC
を供給する電源線、35、36、37は電源線32、3
3、34とインバータ26、28、30の電源電圧入力
端との間に接続された抵抗であり、インバータ27、2
9、31の電源電圧入力端は、直接、電源線に接続され
ている。
【0029】また、38、39、40はインバータ2
6、28、30の出力端と接地との間に接続されたキャ
パシタである。
【0030】ここに、インバータ26は、抵抗35及び
キャパシタ38からなるRC遅延回路により、その出力
信号の立ち上がり時間を比較的大きく設定され、インバ
ータ28は、抵抗36及びキャパシタ39からなるRC
遅延回路により、その出力信号の立ち上がり時間を比較
的大きく設定され、インバータ30は、抵抗37及びキ
ャパシタ40からなるRC遅延回路により、その出力信
号の立ち上がり時間を比較的大きく設定される。
【0031】また、41はATD信号のパルス幅を検出
するNOR回路であり、第1の入力端をインバータ26
の出力端に接続され、第2の入力端をインバータ28の
出力端に接続され、第3の入力端をインバータ30の出
力端に接続されている。
【0032】また、42はATD信号のパルス幅を伸長
してなるセンスアンプ活性化信号SEを発生するネガテ
ィブエッジ型のDフリップフロップ回路であり、データ
入力端子Dを電源線43に接続され、クロック入力端子
CKをインバータ31の出力端に接続され、クリア端子
CLRをNOR回路41の出力端に接続され、正相出力
端子Qにセンスアンプ活性化信号SEを得るようにされ
ている。
【0033】図3は、ATD回路からアドレス信号の遷
移に基づくパルス幅の正常なATD信号が出力された場
合における第1実施例の動作を示す波形図であり、図3
AはATD信号、図3Bはインバータ26の出力S2
6、図3Cはインバータ27の出力S27、図3Dはイ
ンバータ28の出力S28、図3Eはインバータ29の
出力S29、図3Fはインバータ30の出力S30、図
3Gはインバータ31の出力S31、図3HはNOR回
路41の出力S41、図3Iはセンスアンプ活性化信号
SEを示している。
【0034】即ち、この第1実施例においては、ATD
回路からATD信号が出力されず、ATD信号入力端2
4のレベル=Lレベルとされている場合には、インバー
タ26の出力S26=Hレベル、インバータ27の出力
S27=Lレベル、インバータ28の出力S28=Hレ
ベル、インバータ29の出力S29=Lレベル、インバ
ータ30の出力S30=Hレベル、インバータ31の出
力S31=Lレベル、NOR回路41の出力S41=L
レベルとされている。
【0035】この結果、Dフリップフロップ回路42に
おいては、データ入力端子Dに供給されている電源電圧
VCCをラッチしている状態が維持され、センスアンプ
活性化信号SE=Hレベル(非活性レベル)とされる。
【0036】その後、ATD回路からATD信号が出力
され、ATD信号入力端24のレベル=Hレベルにされ
ると、インバータ26の出力S26=Lレベル、インバ
ータ27の出力S27=Hレベル、インバータ28の出
力S28=Lレベル、インバータ29の出力S29=H
レベル、インバータ30の出力S30=Lレベル、イン
バータ31の出力S31=Hレベルとなる。
【0037】ここに、インバータ26、28、30は、
その入力スレッショルド電圧を比較的低く設定され、イ
ンバータ27、29、31は、その入力スレッショルド
電圧を比較的高く設定されているので、インバータ31
の出力S31のLレベルからHレベルの変化は、ATD
信号が立ち上がった後、比較的短い時間で起こる。
【0038】この場合において、インバータ30の出力
S30がHレベルからLレベルにされた時には、インバ
ータ26、28の出力S26、S28はLレベルにある
ので、NOR回路41の出力S41はLレベルからHレ
ベルに反転する。
【0039】換言すれば、パルス幅の正常なATD信号
がATD信号入力端24に入力された場合において、イ
ンバータ30の出力S30がHレベルからLレベルにさ
れた時には、インバータ26、28の出力S26、S2
8はLレベルにあるように、インバータ26〜30の遅
延時間が設定される。
【0040】ここに、NOR回路41の出力S41がL
レベルからHレベルに反転すると、Dフリップフロップ
回路42は、クリアされ、センスアンプ活性化信号SE
はHレベル(非活性レベル)からLレベル(活性レベ
ル)となる。
【0041】その後、ATD信号が立ち下がり、ATD
信号入力端24=Lレベルにされると、インバータ26
の出力S26=Hレベル、インバータ27の出力S27
=Lレベル、インバータ28の出力S28=Hレベル、
インバータ29の出力S29=Lレベル、インバータ3
0の出力S30=Hレベル、インバータ31の出力S3
1=Lレベルとなる。
【0042】この結果、Dフリップフロップ回路42に
おいては、クロック入力端子CK=Lレベルとされ、電
源電圧VCCがラッチされ、センスアンプ活性化信号S
E=Hレベル(非活性レベル)に復帰する。
【0043】ここに、インバータ26、28、30は、
出力信号の立ち上がり時間を比較的大きく設定され、し
かも、インバータ27、29、31は、入力スレッショ
ルド電圧を比較的高く設定されているので、インバータ
31の出力S31のHレベルからLレベルの変化は、A
TD信号が立ち下がった後、比較的長い時間を経過して
起こる。
【0044】このように、この第1実施例によれば、A
TD回路からパルス幅の正常なATD信号が出力される
と、このATD信号のパルス幅を伸長してなるセンスア
ンプ活性化信号SEを得ることができる。
【0045】なお、ATD信号のパルス幅をtP、AT
D信号の立ち上がりエッジからインバータ31の出力S
31が立ち上がるまでの時間、即ち、遅延回路25にお
けるATD信号の前エッジの遅延時間をtS、ATD信
号の立ち下がりエッジからインバータ31の出力S31
が立ち下がるまでの時間、即ち、遅延回路25における
ATD信号の後エッジの遅延時間をtDとすると、セン
スアンプ活性化信号SEのパルス幅は、tD+tP−t
Sとなる。
【0046】また、図4は、ATD回路からノイズ等に
基づくパルス幅の短い異常なATD信号が出力された場
合における第1実施例の動作を示す波形図であり、図4
AはATD信号、図4Bはインバータ26の出力S2
6、図4Cはインバータ27の出力S27、図4Dはイ
ンバータ28の出力S28、図4Eはインバータ29の
出力S29、図4Fはインバータ30の出力S30、図
4Gはインバータ31の出力S31、図4HはNOR回
路41の出力S41、図4Iはセンスアンプ活性化信号
SEを示している。
【0047】ここに、ATD回路からATD信号が出力
されず、ATD信号入力端24のレベル=Lレベルとさ
れている場合には、前述したように、インバータ26の
出力S26=Hレベル、インバータ27の出力S27=
Lレベル、インバータ28の出力S28=Hレベル、イ
ンバータ29の出力S29=Lレベル、インバータ30
の出力S30=Hレベル、インバータ31の出力S31
=Lレベル、NOR回路41の出力S41=Lレベルと
されている。
【0048】この結果、Dフリップフロップ回路42に
おいては、データ入力端子Dに供給されている電源電圧
VCCをラッチしている状態が維持され、センスアンプ
活性化信号SE=Hレベル(非活性レベル)とされる。
【0049】その後、ATD回路からノイズ等に基づく
パルス幅の短い異常なATD信号が出力され、ATD信
号入力端24のレベル=Hレベルにされると、インバー
タ26の出力S26=Lレベル、インバータ27の出力
S27=Hレベル、インバータ28の出力S28=Lレ
ベル、インバータ29の出力S29=Hレベル、インバ
ータ30の出力S30=Lレベル、インバータ31の出
力=Hレベルとなる。
【0050】ここに、インバータ26、28、30は、
その入力スレッショルド電圧を比較的低く設定され、イ
ンバータ27、29、31は、その入力スレッショルド
電圧を比較的高く設定されているので、インバータ31
の出力のLレベルからHレベルの変化は、ATD信号が
立ち上がった後、比較的短い時間で起こる。
【0051】しかし、この場合には、ATD信号は、立
ち上がり後、直ちに、立ち下がるので、これに対応し
て、インバータ26の出力S26=Hレベル、インバー
タ27の出力S27=Lレベル、インバータ28の出力
S28=Hレベル、インバータ29の出力S29=Lレ
ベル、インバータ30の出力S30=Hレベル、インバ
ータ31の出力S31=Lレベルとなる。
【0052】この場合において、インバータ30の出力
S30がLレベルにされたとき、インバータ26の出力
S26は、既に、Hレベルにあるので、NOR回路41
の出力S41=Lレベルが維持される。
【0053】換言すれば、この第1実施例においては、
ATD信号のパルス幅が図3に示す正常なパルス幅tP
よりも短い場合には、インバータ30の出力S30がL
レベルに変化した時に、インバータ26の出力S26
は、既に、Hレベルにあるように、インバータ26の遅
延時間が設定される。
【0054】更に、換言すれば、NOR回路41及びD
フリップフロップ回路42の動作に必要な遅延時間をα
とすると、ATD信号のパルス幅が図3に示す遅延時間
tS+αよりも短い場合には、インバータ30の出力S
30がLレベルに変化した時に、インバータ26の出力
S26はHレベルにあるので、NOR回路41の出力S
41=Lレベルを維持することになる。
【0055】この結果、この場合には、Dフリップフロ
ップ回路42はクリアされず、センスアンプ活性化信号
SEはHレベル(非活性レベル)を維持することにな
る。
【0056】このように、この第1実施例によれば、A
TD回路からノイズ等によるパルス幅の短い異常なAT
D信号が出力されたとしても、このATD信号のパルス
幅を伸長してなるLレベル(活性レベル)にあるセンス
アンプ活性化信号SEが出力されることはなく、センス
アンプの誤動作を回避することができる。
【0057】第2実施例・・図5 図5は本発明の第2実施例を示す回路図であり、この第
2実施例においては、AND回路44が設けられ、NO
R回路41の出力S41とATD信号とをAND処理し
てなる信号S44をDフリップフロップ回路42のクリ
ア端子CLRに供給するように構成されており、その他
については、第1実施例と同様に構成されている。
【0058】ここに、第1実施例において、ATD回路
からノイズ等に基づくパルス幅の短い異常なATD信号
が出力された場合、インバータ26の立ち上がり時間が
設計値以上に長い場合には、インバータ30の出力S3
0がLレベルにされた時に、インバータ26の出力S2
6は、NOR回路41の入力スレッショルド電圧上、未
だ、Lレベルにあり、NOR回路41の出力S41がH
レベルに反転し、Dフリップフロップ回路42がクリア
され、Lレベル(活性レベル)にあるセンスアンプ活性
化信号SEが出力されてしまうおそれがある。
【0059】しかし、この第2実施例においては、AT
D信号がHレベルからLレベルに立ち下がると、AND
回路44は非活性とされ、その出力S44はLレベルに
固定されるので、インバータ26の立ち上がり時間が設
計値以上に長い場合において、NOR回路41の出力S
41=Hレベルにされたときも、Dフリップフロップ回
路42はクリアされず、活性レベルにあるセンスアンプ
活性化信号SEが出力されることはない。
【0060】したがって、この第2実施例によれば、A
TD回路からノイズ等に基づくパルス幅の短い異常なA
TD信号が出力されることによるセンスアンプの誤動作
を第1実施例よりも確実に回避することができる。
【0061】第3実施例・・図6 図6は本発明の第3実施例を示す回路図であり、この第
3実施例においては、図5に示す3入力のNOR回路4
1の代わりに、4入力のNOR回路46が設けられてい
る。
【0062】このNOR回路46は、第1の入力端をA
TD信号入力端24に接続され、第2の入力端をインバ
ータ26の出力端に接続され、第3の入力端をインバー
タ28の出力端に接続され、第4の入力端をインバータ
30の出力端に接続されている。
【0063】また、ATD信号入力端24とインバータ
26との間にインバータ47が設けられ、ATD信号を
反転した信号がインバータ26に供給されるように構成
されている。その他については、図2に示す第1実施例
と同様に構成されている。
【0064】この第3実施例においては、遅延回路25
には、インバータ47で反転したATD信号が供給され
ると共に、ATD信号入力端24がHレベルの場合、N
OR回路46の出力S46=Lレベルに固定される。
【0065】したがって、この第3実施例によれば、A
TD信号がLレベルの信号である場合について、第2実
施例と同様に、ATD回路からノイズ等に基づくパルス
幅の短い異常なATD信号が出力されることによるセン
スアンプの誤動作を第1実施例よりも確実に回避するこ
とができる。
【0066】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、入力パ
ルス信号のパルス幅が所定の幅よりも短い場合には、こ
の入力パルス信号のパルス幅を伸長してなる出力パルス
信号を出力しないので、次段回路の誤動作を回避するこ
とができ、これを、例えば、SRAMにおいて、ATD
信号のパルス幅を伸長してなるセンスアンプ活性化信号
を生成するパルス幅伸長回路に適用する場合には、AT
D回路からノイズ等に基づくパルス幅の短い異常なAT
D信号が出力されることによるセンスアンプの誤動作を
回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理説明図である。
【図2】本発明の第1実施例を示す回路図である。
【図3】本発明の第1実施例の動作を示す波形図であ
る。
【図4】本発明の第1実施例の動作を示す波形図であ
る。
【図5】本発明の第2実施例を示す回路図である。
【図6】本発明の第3実施例を示す回路図である。
【図7】従来のパルス幅伸長回路の一例を示す回路図で
ある。
【図8】図7に示すパルス幅伸長回路の動作を示す波形
図である。
【図9】図7に示すパルス幅伸長回路の動作を示す波形
図である。
【符号の説明】
(図1) 20 遅延回路 21 パルス幅検出回路 22 出力パルス信号発生回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−230514(JP,A) 特開 平5−242676(JP,A) 特開 平1−190118(JP,A) 特開 平5−314777(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 5/00 - 5/26

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Hレベルからなるアドレス遷移検出信号が
    印加されるアドレス遷移検出信号入力端と、 入力スレッショルド電圧を比較的低く設定され、かつ、
    出力信号の立ち上がり時間を比較的大きく設定された第
    1タイプのインバータと、入力スレッショルド電圧を比
    較的高く設定された第2タイプのインバータとを、前記
    第1タイプのインバータが初段、前記第2タイプのイン
    バータが最終段となるように交互に縦列接続し、前記初
    段の第1タイプのインバータの入力端を前記アドレス遷
    移検出信号入力端に接続した遅延回路と、 該遅延回路内の全ての第1タイプのインバータの出力を
    NOR処理するNOR回路と、 クロック入力端子を前記遅延回路の出力端に接続し、ク
    リア端子を前記NOR回路の出力端に接続し、データ入
    力端子を電源線に接続し、正相出力端子にセンスアンプ
    活性化信号を得るようにされたネガティブエッジ型のD
    フリップフロップ回路を有する ことを特徴とするパルス
    幅伸張回路。
  2. 【請求項2】Hレベルからなるアドレス遷移検出信号が
    印加されるアドレス遷移検出信号入力端と、 入力スレッショルド電圧を比較的低く設定され、かつ、
    出力信号の立ち上がり時間を比較的大きく設定された第
    1タイプのインバータと、入力スレッショルド電圧を比
    較的高く設定された第2タイプのインバータとを、前記
    第1タイプのインバータが初段、前記第2タイプのイン
    バータが最終段となるように交互に縦列接続し、前記初
    段の第1タイプのインバータの入力端を前記アドレス遷
    移検出信号入力端に接続した遅延回路と、 該遅延回路内の全ての第1タイプのインバータの出力を
    NOR処理するNOR回路と、 一方の入力端を前記アドレス遷移検出信号入力端に接続
    し、他方の入力端を前記NOR回路の出力端に接続した
    AND回路と、 クロック入力端子を前記遅延回路の出力端に接続し、ク
    リア端子を前記AND回路の出力端に接続し、データ入
    力端子を電源線に接続し、正相出力端子にセンスアンプ
    活性化信号を得るようにされたネガティブエッジ型のD
    フリップフロップ回路を有する ことを特徴とするパルス
    幅伸張回路。
  3. 【請求項3】Lレベルからなるアドレス遷移検出信号が
    印加されるアドレス遷移検出信号入力端と、 入力端を前記アドレス遷移検出信号入力端に接続した反
    転回路と、 入力スレッショルド電圧を比較的低く設定され、かつ、
    出力信号の立ち上がり時間を比較的大きく設定された第
    1タイプのインバータと、入力スレッショルド電圧を比
    較的高く設定された第2タイプのインバータとを、前記
    第1タイプのインバータが初段、前記第2タイプのイン
    バータが最終段となるように交互に縦列接続し、前記初
    段の第1タイプのインバータの入力端を前記反転回路の
    出力端に接続した遅延回路と、 前記アドレス遷移検出信号と、前記遅延回路内の全ての
    第1タイプのインバータの出力とをNOR処理するNO
    R回路と、 クロック入力端子を前記遅延回路の出力端に接続し、ク
    リア端子を前記NOR回路の出力端に接続し、データ入
    力端子を電源線に接続し、正相出力端子にセンスアンプ
    活性化信号を得るようにされたネガティブエッジ型のD
    フリップフロップ回路を有する ことを特徴とするパルス
    幅伸張回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0969291A (ja) * 1995-06-19 1997-03-11 Oki Electric Ind Co Ltd アドレス信号遷移検出回路
JPH09223952A (ja) * 1996-02-15 1997-08-26 Mitsubishi Electric Corp 可変遅延回路とこれを用いたリング発振器及びパルス幅可変回路
US5973982A (en) * 1996-06-17 1999-10-26 Oki Electric Industry Co., Ltd. Pulse width amplifier circuit
KR19990042335A (ko) * 1997-11-26 1999-06-15 구본준 펄스폭 조정회로
KR100508074B1 (ko) * 1997-11-27 2005-10-26 삼성전자주식회사 반도체메모리장치의펄스폭검출회로
JP3763957B2 (ja) * 1998-01-27 2006-04-05 富士通株式会社 Pll装置
US6353349B1 (en) * 1998-06-22 2002-03-05 Integrated Silicon Solution Incorporated Pulse delay circuit with stable delay
US6104215A (en) * 1998-08-25 2000-08-15 Sun Microsystems, Inc. Signal detector with improved noise immunity
KR100294450B1 (ko) * 1998-09-24 2001-09-17 윤종용 반도체메모리장치의어레이내부전원전압발생회로
KR100596852B1 (ko) * 1999-12-23 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 내부 클럭신호 발생장치
US6529046B1 (en) * 2001-12-12 2003-03-04 Etron Technology, Inc. Minimum pulse width detection and regeneration circuit
KR100546213B1 (ko) * 2003-12-05 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 컬럼 어드레스 선택 신호의 펄스 폭 제어 회로
KR100546215B1 (ko) * 2003-12-05 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 펄스 폭 제어 회로
US7372931B2 (en) * 2004-03-31 2008-05-13 Agilent Technologies, Inc. Unit interval discovery for a bus receiver
US7227387B1 (en) * 2005-05-13 2007-06-05 Xilinx, Inc. Measuring pulse edge delay value relative to a clock using multiple delay devices to address a memory to access the delay value
US7268589B2 (en) * 2005-12-16 2007-09-11 Actel Corporation Address transition detector for fast flash memory device
KR101171561B1 (ko) * 2010-09-29 2012-08-06 삼성전기주식회사 펄스 폭에 따라 동작하는 슈미트 트리거 회로
US8427899B2 (en) * 2010-10-29 2013-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Self-adaptive sensing design
US9171609B2 (en) * 2013-12-04 2015-10-27 Integrated Silicon Solution (Shanghai), Inc. Address transition detecting circuit
CN106982046B (zh) * 2017-03-22 2020-08-04 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 瞬态脉冲宽度展宽电路及方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH577209B5 (ja) * 1973-10-04 1976-06-30 Suisse Horlogerie
US5438303A (en) * 1992-07-14 1995-08-01 Sony Corporation Pulse with modulation apparatus with plural independably controllable variable delay devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8803578B2 (en) 2011-12-02 2014-08-12 International Business Machines Corporation Pulse width adjusting circuit and method

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