JP3444015B2

JP3444015B2 - 電子回路基板上への液体材料の局所供給方法及びその装置

Info

Publication number: JP3444015B2
Application number: JP09475595A
Authority: JP
Inventors: 重信丸山; 隆典二宮; 幹雄本郷; 治久坂本; 薫片山; 英夫松崎
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-04-21
Filing date: 1995-04-20
Publication date: 2003-09-08
Anticipated expiration: 2018-09-08
Also published as: JPH088514A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子回路基板上の任意部
分に液体材料を局所供給する技術に係り、特に電子計算
機等の大規模電子機器に使用されるマルチチップモジュ
ール（ＭＣＭ）基板の回路変更のための配線間の接続及
び切断、あるいはＭＣＭ基板や平面ディスプレイ基板配
線の製造工程中に発生するパターン欠落部を修正する技
術に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子計算機を代表とする大規模電子機器
は、その規模の拡大に伴い、使用される基板の大型化、
更に配線の多層化、微細化による高密度化が進み、開発
期においては開発期間の長期化、量産期においては歩留
まりの低下が避けられない。

【０００３】ところで、開発期に試作される電子回路基
板には、一般に製造プロセスに起因する配線の断線、短
絡等の不良の他に、設計ミスによる不良も多数発生す
る。これらの不良は、製造工程における外観検査、ある
いは完成後の特性評価により発見されるが、全て修正す
る必要がある。また、当初の設計通りにできたとして
も、設計変更が生じ、回路配線を変更する必要が生じる
場合もある。

【０００４】更に、量産期における製造プロセスに起因
する不良については、配線及び絶縁膜のパターン欠落欠
陥と余剰欠陥とに大きく分類されるが、それらを修正せ
ずに基板を製造した場合、基板の良品歩留まりを低下さ
せる原因となる。

【０００５】これらの不良修正の内、回路変更に関して
は特開平５−２０６６１９による方法が出願されてい
る。即ち、予め基板上に回路変更用配線を用意してお
き、基板完成後に回路変更の必要が生じた場合、レーザ
による回路変更用配線上部の保護膜及び従来配線の除去
工程、超音波ボンディングによる接続用配線の接続工
程、及び配線接続部の再被覆工程により信頼性の高い回
路変更を実現するものである。

【０００６】一方、基板上の微小領域のみに液体材料を
局所供給する手段として、特開平４−３０４８８１に出
願されている構成のインジェクション装置を用いること
により、図１に示す方法で容易に実現することができ
る。即ち、先端の内径を０．１〜１０μｍに成形したピ
ペット内に液体材料を充填し、他端からピペット内部に
不活性ガスをパルス状に供給することにより、ピペット
先端から液体材料の微量インジェクションを行うもので
ある。

【０００７】具体的には、図１（ａ）の如く液体材料１
２を充填したピペット１１を基板１３上の任意位置に位
置決めした後、図１（ｂ）の如く一定の接触角θを維持
しつつピペット１１を下降させ、基板１３に接触させ
る。次に図１（ｃ）の如く、ピペット１１内部に窒素ガ
ス１４をパルス状に供給し、その先端から液体材料１２
を吐出させる。この時、液体材料１２は基板１３とピペ
ット１１の両者それぞれに対して一定の濡れ広がり角θ
ｓ及びθｐを維持したまま基板１３上を濡れ拡がる。そ
して、窒素ガス１４の供給が終了した時点で図１（ｄ）
の如く、ピペット１１を上昇させ、基板１３上に供給さ
れた液体材料１２’とピペット１１及びピペット１１内
の液体材料１２を分離させる。

【０００８】ここで、液体材料１２’の供給量を変化さ
せる場合は、ピペット１１を基板１３に接触させたまま
窒素ガス１４のパルスを繰り返して供給する、あるいは
窒素ガス１４の圧力あるいはパルスの印加時間を変化さ
せる。以上により、基板１３上に液体材料１２’の供給
が終了する。また、液体材料１２’の供給量（体積）及
び接触角θｓは、基板１３上における液体材料１２’の
形状を球体の一部として近似し、濡れ広がり径Ｄ及び最
大高さＨを測定することにより、容易に求めることが可
能である。以上の方法により、基板上に液体材料１２を
微量供給する場合、ピペット１１内への窒素ガス１４の
供給回数と、基板１３上への液体材料１２’の供給量と
の関係は、図２に示す如く比例関係となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記液
体材料の局所供給に関する従来技術では、ピペット先端
と基板との接触を検知すること、及び液体材料の供給後
にピペットを上昇させる作業を作業者が手作業で行わね
ばならず、高度な熟練を要すると共に、作業の度にピペ
ット先端と基板との接触状態が異なるために供給量がば
らつき、更に作業ミスによってピペットを破損するとい
った問題がある。また、ピペット先端部と基板との接触
点近傍で生じる毛細管現象により、基板上の所望の領域
に正確に液体材料を供給することが難しいといった問題
もある。従ってそれを回路変更に関する従来技術に適用
した場合、配線接続部の被覆不足、あるいは不要な部分
に液体材料が余分に供給され、基板上の電極や接続端子
に付着し、電気的接続に影響を及ぼす問題もあった。

【００１０】本発明の第一の目的は、液体材料を基板上
に所望の供給量だけ再現性よく供給する方法を提供する
ことにある。

【００１１】本発明の第二の目的は、液体材料を基板上
の所望の領域のみに再現性よく供給する方法を提供する
ことにある。

【００１２】本発明の第三の目的は、電子回路基板上に
おいて液体材料を高精度に自動供給する方法及びその装
置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記第一の目的は、画像
処理等の手段によりピペット先端と基板との接触を検知
することにより、両者の接触状態を常に一定に保つと共
に、供給終了から一定時間後にピペット先端と基板を隔
離させることにより達成される。

【００１４】上記第二の目的は、画像処理によりピペッ
ト先端の初期位置と基板上に供給した液体材料の形状を
認識して両者の位置関係を比較、記憶し、その結果に基
づいて基板上におけるピペット先端の接触位置を決定す
ることにより達成される。

【００１５】上記第三の目的は、電子回路基板を搭載し
その位置決めを行う機構、電子回路基板表面を観察する
機構、液体材料を充填したピペットをハンドリングして
その位置決めを行う機構、ピペット先端と電子回路基板
表面との接触を検知する機能を有する液体材料の自動供
給装置により達成される。

【００１６】また、上記第三の目的は、電子回路基板を
搭載しその位置決めを行う機構、電子回路基板表面を観
察する機構、液体材料を充填したピペットをハンドリン
グしてその位置決めを行う機構、ピペット先端と電子回
路基板表面との接触を検知する機能、電子回路基板表面
及び供給した液体材料の形状を認識する機能を有する液
体材料の自動供給装置により達成される。

【００１７】

【作用】具体的には、はじめに先端内径を１〜５μｍ程
度に成形し、内部にＵＶ硬化樹脂あるいはポリイミド等
の液体材料を充填したピペットを保持して、その先端を
観察光学系の視野中心に一致させる。その後ピペットを
下降させ、基板表面におけるピペット先端のシフトを画
像処理装置等の手段で検出することにより、ピペットと
基板との接触を検知する。あるいはピペット先端を予め
設定された位置に移動することによって所望の位置に配
置する。しかる後、ピペット他端から窒素ガスを例えば
３００ｋＰａ、０．０３ｓの条件でパルス状に供給す
る。

【００１８】この際、ピペット先端は約３０°で基板に
接触しており、窒素ガスの供給により、ピペット内部の
液体材料はピペット先端から１ｐｌ程度の分解能で微量
吐出される。そしてピペット内部への窒素ガスの供給が
終了した後、例えば０．１０ｓ後にピペットを上昇さ
せ、ピペット先端と基板とを隔離すことにより、基板上
における液体材料の供給量を高精度に制御する。

【００１９】また、画像処理により基板上に供給した液
体材料の形状を認識し、その中心位置とピペットの先端
位置との間で生じるずれ量を予め求めることにより、基
板上の任意位置に正確に液体材料を供給する。

【００２０】更に、画像処理により基板に上供給した液
体材料の濡れ拡がり径を測定し、その結果に基づいてピ
ペット内への窒素ガスの供給条件を決定、最適化するも
のである。

【００２１】

【実施例】以下第１の実施例として、図３〜図５を用い
て、本発明を実施するための装置の一例を示し、回路基
板上の配線修正部を再被覆する方法について説明する。

【００２２】本装置は、ＭＣＭ基板３０１を搭載し位置
決めを行うためのステージ３０２と、ＭＣＭ基板３０１
の表面を観察するための対物レンズ３０３及びＣＣＤカ
メラ３０４と、照明光源３０５と、ハーフミラー３０６
と、モニタ３０７と、画像処理装置３０８と、ＵＶ硬化
樹脂を充填したピペット３０９と、ピペット３０９をＭ
ＣＭ基板３０１表面と４５度で接触する角度で保持し、
その位置決めを行うマニピュレータ３１０と、ピペット
内に窒素ガスをパルス状に供給するための電磁弁３１１
と、ＭＣＭ基板３０１上に供給したＵＶ硬化樹脂を硬化
させるためのＵＶ光源３１２と、ＵＶ光源からのＵＶ光
をＭＣＭ基板３０１上に照射するためのＵＶライトガイ
ド３１３により構成されている。

【００２３】ここで用いるピペット３０９は外形１．２
ｍｍ、内径０．７ｍｍのボロシリケート等の硬質ガラス
管を熱処理により成形し、その先端内径を５μｍとした
もので、内部に充填されているＵＶ硬化樹脂の粘度は１
５Ｐ（１．５Ｎ・ｓ／ｍ²）である。また、電磁弁３１
１の一時側には圧力３００ｋＰａの窒素ガスが常に供給
されている。更に、ステージ３０２、画像処理装置３０
８、マニピュレータ３１０、電磁弁３１１は図示しない
コントローラにより制御されている。

【００２４】はじめに、使用するピペット３０９に対す
る窒素ガスの供給条件（以下インジェクション条件と称
す）の初期化について説明する。

【００２５】まず作業者は、図４（ａ）に示す如くマニ
ピュレータ３１０を駆動してピペット３０９の先端をモ
ニタ３０７の視野内に移動し、ピペット３０９先端に焦
点を合せると共にモニタ３０７上の基準点Ａにピペット
３０９先端の位置決めを行い、その時のマニピュレータ
３１０の位置を初期位置としてコントローラに記憶す
る。その後ステージ３０２上からピペット３０９を退避
させ、ステージ３０２上にダミー基板３０１’を搭載
し、ステージ３０２を上下に移動してダミー基板表面に
焦点を合せる。ここでダミー基板３０１’は、インジェ
クション条件の設定のために用いる基板であり、ＭＣＭ
基板表面と同様の材料を形成した基板を用いるのが望ま
しい。

【００２６】しかる後、作業者はコントローラにインジ
ェクションの開始を指示する。コントローラはまず先に
記憶したマニピュレータ３１０の初期位置の情報に基づ
き、ピペット３０９の先端の平面座標のみをモニタ３０
７内の基準点Ａに復帰させる。但しこの際、ピペット３
０９の先端はダミー基板３０１’表面から例えば１００
μｍ上昇させたまま行われる。

【００２７】次に、ピペット３０９とダミー基板３０
１’の接触を検知するために、マニピュレータ３１０を
駆動してピペット３０９を下降させると共に、画像処理
装置３０８により画面を２値化し、ピペット３０９先端
位置を認識しつつ図４（ｂ）（実際に両者が接触した状
態）から更に下降を続ける。その結果、図４（ｃ）の如
く、ピペット３０９に弾性変形が生じ、モニタ３０７上
におけるピペット３０９の先端位置ＡがＢにシフトす
る。ピペット３０９の材質にボロシリケート等の硬質ガ
ラスを用い、ピペット３０９とダミー基板３０１’との
接触角が３０°程度である場合、このシフト量は基板上
において通常５〜１０μｍ程度が最適である。この様
に、ピペット３０９の先端座標のシフトを画像処理によ
って画面を２値化することにより把握し、ピペット３０
９とダミー基板３０１’の接触を検知する。

【００２８】更にその後、電磁弁３１１を例えば０．０
３ｓのみ開としてピペット３０９内部に、３００ｋＰ
ａ、０．０３ｓのインジェクション条件で窒素ガスを１
回供給した後、例えば０．１０ｓ後にピペット３０９を
例えば１００μｍ上昇させ、図４（ｄ）の如くダミー基
板３０１’上にＵＶ硬化樹脂４１’を供給する。そして
画像処理装置３０８による２値化像から、ダミー基板上
に供給したＵＶ硬化樹脂４１’の輪郭を認識することで
その濡れ拡がり径Ｄを測定し、それが例えば５０μｍと
なる様、ステージ３０２を移動してダミー基板３０１’
上におけるＵＶ硬化樹脂の供給位置を変更すると共に、
電磁弁３１１の開放時間を調節して前述の手段で再度供
給を行い、電磁弁３１１の最適な開放時間を決定する。

【００２９】尚、ピペット３０９は、ＵＶ硬化樹脂４
１’の供給後例えば１００μｍ程度上昇させることで対
物レンズ３０３の焦点深度から大きく外れ、画像処理装
置３０８によるダミー基板３０１’表面の観察に影響を
与えることはない。また、上記インジェクション条件で
ポリイミド基板上にＵＶ硬化樹脂の供給を行った結果、
濡れ広がり径Ｄは約５０μｍ、最大高さＨは約１μｍと
なり、その際のＵＶ硬化樹脂４１’の供給量は約１ｐｌ
となることが明らかになった。更にポリイミド上でのＵ
Ｖ硬化樹脂の接触角は７．５度であり、その角度は濡れ
広がり径Ｄ及び最大高さＨ、即ちＵＶ硬化樹脂４１’の
供給量によらず、常に一定であることを確認した。

【００３０】しかる後、マニピュレータ３１０を駆動し
てピペット３０９をステージ３０２上から退避させてダ
ミー基板３０１’を取り去り、ＭＣＭ基板３０１を搭載
する。ＭＣＭ基板３０１は、通常、セラミック基板上に
数層の薄膜配線層が形成されており、基板完成後に必要
となる回路変更に備えて、その薄膜配線層に予め接続用
配線及び切断用配線が準備されている。

【００３１】図５は配線接続部の再被覆方法を示す説明
図である。図５（ａ）において、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒあるいはそれらの複合膜からなる接
続用配線５２、５２’は、薄膜配線層の層間絶縁膜であ
るポリイミド薄膜５０上に位置しており、エキシマレー
ザ等のエネルギビームにより、保護ポリイミド膜５１の
一部分を除去して窓５３が形成され、接続用配線５２、
５２’を露出させた後、Ａｕあるいは接続用配線と同様
の材質からなる接続部材５４の超音波ボンディングで、
電気的に接続されている。ここで接続用配線５２、５
２’の接続手段としては、Ｐｄ錯体等の金属錯体やＣｕ
ペースト等の金属ペースト等の液体材料を供給した後、
熱処理を施す方法で接続されていてもかまわない。

【００３２】図示しないコントローラは検査情報に基づ
き、ＭＣＭ基板３０１上の配線接続部５５がモニタ３０
７の視野内となる様、ステージ３０２を概略移動する。
しかる後、作業者は配線接続部５５の窓５３の領域をモ
ニタ３０７上で認識すると共に、その中央部Ｏがモニタ
３０７上の基準点Ａと概ね一致する様に、ステージ３０
２の位置の微調整を行った後、コントローラにインジェ
クションの開始を指示する。コントローラは初めに、マ
ニピュレータ３１１を駆動してピペット３０９先端の平
面座標のみをモニタ３０７上の基準点に復帰させる。

【００３３】但しこの際、ピペット３０９の先端はＭＣ
Ｍ基板３０１表面から例えば１００μｍ上昇させたまま
行われる。そしてピペット３０９を下降させて前述の手
段でピペット３０９先端と接続部材５４との接触を検知
した後、例えば３００ＫＰａ、０．０３ｓのインジェク
ション条件でピペット３０９内に窒素ガスを例えば２Ｈ
ｚ程度の繰り返しで例えば３０回供給した後、ピペット
３０９を１００μｍ上昇させることにより、図５（ｂ）
の如く配線接続部５５を被覆する。ここでピペット３０
９内部への窒素ガスの供給回数は予め最適化されている
ものとする。

【００３４】その後マニピュレータ３１０を駆動してピ
ペット３０９をステージ３０２上から退避させ、ＵＶ光
源３１２を点灯させＵＶライトガイド３１３により、５
０ｍＷ／ｃｍ²の強度のＵＶ光を３０秒程度照射して供
給したＵＶ硬化樹脂５６を硬化させ、配線接続部５５を
再被覆する。尚、配線接続部５５においては、保護ポリ
イミド膜５１上におけるＵＶ硬化樹脂５６の濡れ拡がり
を抑制しつつ接続部材５４を完全に被覆する必要がある
ため、接続部材５４が保護ポリイミド膜５１表面より突
出しないことが望ましいことは自明である。

【００３５】以上の手段によって液体材料を基板上に供
給することにより、ピペットと基板との接触の状態を常
に一定に保つことが可能となり、液体材料の供給量を高
精度且つ再現性よく制御可能となる効果がある。従っ
て、本技術をＭＣＭ基板の配線修正部の再被覆に適用し
た場合、配線接続部における被覆不足、あるいはＵＶ硬
化樹脂を過剰に供給することにより、配線接続部近傍に
存在する電極やコネクタ等へのＵＶ硬化樹脂の付着を防
ぐことができ、それらの接続性に影響を与えることを防
止する効果がある。また配線接続部を再被覆すること
で、その信頼性が確保される。

【００３６】尚、これまでＭＣＭ基板上における回路変
更部の再被覆方法について、配線接続部を例に説明した
が、配線切断部についても同様の方法で再被覆を施すこ
とにより、その信頼性を確保することができる。また、
再被覆のために供給する液体材料としては、ＵＶ硬化樹
脂に限定されず、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有
機高分子材料を用いても良く、その場合は供給した液体
材料を硬化させる手段として、ベーク炉、赤外線ラン
プ、レーザ、ホットプレート、ドライヤ等の加熱手段が
用いられる。但し、凹凸形状を有する配線接続部、ある
いは配線切断部における被覆性の観点から、再被覆材料
としては、硬化前後の体積収縮が無視できる程小さいＵ
Ｖ硬化樹脂が最も有利である。

【００３７】次に第２の実施例として図３に示した構成
の装置を用い、ＭＣＭ基板の製造工程において生じる配
線パターンの欠落欠陥の修正方法を述べる。但し、本実
施例ではピペット３０９の先端内径は１μｍで、その内
部には、トリフルオロ酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＣＦ₃Ｃ
ＯＯ）₂）等の金属錯体とアセトニトリル及びＮ−メチ
ル−２−ピロリドンを混合した溶液（以下単にパラジウ
ム錯体と称す）が充填されている。

【００３８】まず作業者は、図６（ａ）に示す如くマニ
ピュレータ３１０を駆動してピペット３０９の先端をモ
ニタ３０７の視野内に移動し、ピペット３０９先端に焦
点を合せると共にモニタ３０７上の基準点Ａにピペット
３０９先端の位置決めを行い、その時のマニピュレータ
３１０の位置を初期位置としてコントローラに記憶す
る。その後ステージ３０２上からピペット３０９を退避
させ、ステージ３０２上にダミー基板３０１’を搭載
し、ステージ３０２を上下に移動してダミー基板表面に
焦点を合せる。ここでダミー基板３０１’は、インジェ
クション条件の設定のために用いる基板であり、ＭＣＭ
基板表面と同様の材料を形成した基板を用いるのが望ま
しい。

【００３９】しかる後、作業者はコントローラにインジ
ェクションの開始を指示する。コントローラはまず先に
記憶したマニピュレータ３１０の初期位置の情報に基づ
き、ピペット３０９の先端の平面座標のみをモニタ３０
７内の基準点Ａに復帰させる。但しこの際、ピペット３
０９の先端はダミー基板３０１’表面から例えば１００
μｍ昇させたまま行われる。

【００４０】次に、図６（ｂ）の如く、ピペット３０９
とダミー基板３０１’の接触を画像処理を用いた前述の
手段よって検知する。更にその後、電磁弁３１１を例え
ば０．０３ｓのみ開としてピペット３０９内部に、３０
０ｋＰａ、０．０３ｓのインジェクション条件で窒素ガ
スを１回供給した後、例えば０．１０ｓ後にピペット３
０９を例えば１００μｍ上昇させ、図６（ｃ）の如くダ
ミー基板３０１’上にパラジウム錯体６１を供給する。

【００４１】しかし、このパラジウム錯体６１が供給さ
れる際、ピペット３０９とダミー基板３０１’との接触
点近傍で生じる毛細管現象により、モニタ３０７上で認
識したピペットの座標Ａと、供給されたパラジウム錯体
６１の中心位置Ｏとの間で位置ずれＳが発生する。そこ
でモニタ３０７上の画像を画像処理装置３０８で２値化
し、供給されたパラジウム錯体６１の輪郭（濡れ拡がり
径）を把握すると共に、その重心Ｏ（中心座標）及びモ
ニタ上基準点Ａと座標Ｏとの位置ずれ量Ｓを求めてコン
トローラに記憶する。そして供給したパラジウム錯体６
１の濡れ拡がり径が例えば２０μｍとなる様、ステージ
３０２を移動してダミー基板３０１’上におけるパラジ
ウム錯体の供給位置を変更すると共に、電磁弁３１１の
開放時間を調節して前述の手段で再度供給を行い、電磁
弁３１１の最適な開放時間を決定する。例えば、前記イ
ンジェクション条件でポリイミド基板上にパラジウム錯
体を供給した場合、濡れ拡がり径は２０μｍ、座標Ａと
座標Ｏとの位置ずれ量Ｓは５μｍ、パラジウム錯体の供
給量は０．１ｐｌ程度となる。

【００４２】しかる後、マニピュレータ３１０を駆動し
てピペット３０９をステージ３０２上から退避させてダ
ミー基板３０１’を取り去り、薄膜製造工程中で配線パ
ターンの欠落欠陥が発生したＭＣＭ基板３０１を搭載す
る。

【００４３】図７はＭＣＭ基板３０１上の薄膜配線層に
おいて発生した配線パターン欠落欠陥の一例を示した説
明図であり、薄膜配線層の層間絶縁膜であるポリイミド
薄膜７１上に、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃ
ｒあるいはそれらの複合膜からなる薄膜配線７２の一部
に欠落が生じた様子を示している。ここでの薄膜配線７
２の幅Ｗは２０μｍである。

【００４４】はじめに、コントローラは、図８（ａ）の
如く検査情報からのＭＣＭ基板３０１上の配線欠落部の
始点Ｐ１及び終点Ｐ２の両者がモニタ３０７の視野内と
なる様、ステージ３０２を概略移動する。しかる後、画
像処理装置３０８により、モニタ３０７視野内における
画像の輝度を検出することにより、配線パターン欠落部
を認識してステージ３０２の位置の微調整を行った後、
欠落部の始点Ｐ１から前述した位置ずれ量Ｓだけ離れた
座標にピペットの初期位置８１’を設定する。そして、
マニピュレータ３１０を駆動してピペット３０９の先端
の平面座標を初期位置８１’と一致させた後、ピペット
３０９を下降し、前述の手段で画像処理装置３０８によ
りピペット３０９とＭＣＭ基板表面の接触を検知する。

【００４５】その後、ピペット３０９内に電磁弁３１１
により窒素ガスを３００ＫＰａ、０．１０ｓのみパルス
状に供給することで、図８（ｂ）の如く配線パターン欠
落部にパラジウム錯体８１を供給し、窒素ガスの供給が
終了した時点から例えば０．１０ｓ後にピペット１００
８を例えば１０μｍ程度上昇させる。

【００４６】以上によって、始点Ｐ１を中心として、ポ
リイミド薄膜７１上で、配線７２の幅と同等の濡れ拡が
り径となるインジェクション条件でパラジウム錯体８１
を供給するものである。

【００４７】その後、コントローラは、始点Ｐ１から１
０μｍだけ離れた座標に、次に供給するパラジウム錯体
の中心位置Ｏを設定し、Ｏから位置ずれ量Ｓだけ離れた
座標に、ピペットの次の接触位置８２’を設定する。こ
こで始点Ｐ１と位置Ｏとの距離は、配線７２の幅の２分
の１程度が目安となる。そして、マニピュレータ３１０
を駆動してピペット３０９の先端を接触位置８２’と一
致させ、ピペット３０９を下降しその接触を検知した
後、図８（ｃ）の如く、パラジウム錯体８２を供給す
る。以上の手段を繰り返し、図８（ｄ）の如く配線パタ
ーン欠落部にパラジウム錯体８１〜８７を供給し、コン
トローラは供給したパラジウム錯体の中心位置Ｏが配線
欠落部の終点Ｐ２を超えたことを判断し処理を停止す
る。

【００４８】その後、マニピュレータ３１０を駆動して
ピペット３０９をステージ３０２上から退避させてＭＣ
Ｍ基板を取り去り、図示しない加熱装置で供給したパラ
ジウム錯体を加熱し、最終的に溶媒の沸点以上の温度ま
で上昇させて溶媒のみを除去した後、更に錯体を熱分解
してパラジウム膜を析出させ、配線パターン欠落部を電
気的に接続する。より具体的には、１×１０⁴Ｗ／ｃｍ²
のパワー密度のＡｒレーザ光をパラジウム錯体に１〜６
０秒間連続照射することにより、良好なパラジウム膜を
析出させることができる。

【００４９】ここでの加熱手段としては、レーザ、赤外
線ランプ等による局所加熱法と基板全体をベーク炉、ホ
ットプレート、ドライヤ等で加熱する方法があるが、基
板に影響の無い範囲で加熱し、金属膜を析出させるもの
が選択可能である。また、供給する液体材料としては、
Ｃｕ等の金属ペースト、あるいはＡｕ等の金属超微粒子
をα−テルピネオール等の溶媒に分散させた金属超微粒
子分散液等の液体材料でも良い。

【００５０】次に第３の実施例として図３に示した構成
の装置を用い、ＭＣＭ基板上の薄膜配線層における配線
パターン欠落欠陥部への液体材料の供給方法を説明す
る。

【００５１】はじめに、コントローラは、図９（ａ）の
如く検査情報からのＭＣＭ基板３０１上の配線欠落部の
始点Ｐ１及び終点Ｐ２の両者がモニタ３０７の視野内と
なる様、ステージ３０２を概略移動する。

【００５２】しかる後、画像処理装置３０８により、モ
ニタ３０７視野内における画像の輝度を検出することに
より、配線パターン欠落部を認識してステージ３０２の
位置の微調整を行った後、欠落部の始点Ｐ１から前述し
た位置ずれ量Ｓだけ離れた座標にピペットの初期位置９
１を設定する。そして、マニピュレータ３１０を駆動し
てピペット３０９の先端の平面座標を初期位置９１と一
致させ、ピペット３０９を下降し、前述の手段で画像処
理装置３０８によりピペット３０９とＭＣＭ基板表面の
接触を検知した後、電磁弁３１１を開とし、ピペット３
０９内に３００ＫＰａの圧力で連続して窒素ガスの供給
を開始する。それと同時に、図９（ｂ）の如く、ピペッ
ト３０９をポリイミド基板９２と接触させたまま、終点
Ｐ２に向けて毎秒１０μｍ程度の速度で移動させ、連続
的にパラジウム錯体９３を供給する。

【００５３】そして、画像処理装置３０８で、ピペット
３０９の先端位置が終点Ｐ２に達したことを検知し、電
磁弁３１１を閉じ、窒素ガスの供給及びピペット３０９
の動作を停止した後、ピペット３０９を上昇させて、図
９（ｃ）の如く配線パターン欠落部にパラジウム錯体を
供給する。あるいは、Ｐ１、Ｐ２間の距離だけピペット
３０９を走査したことをコントローラが判断し処理を停
止する。また、ピペット３０９を移動させるかわりに、
ステージ３０２を駆動させることにより、ＭＣＭ基板３
０１を移動しても良い。

【００５４】また、画像処理装置３０８によりピペット
３０９とポリイミド膜７１の接触を検知した後、マニピ
ュレータ３１０を駆動しピペット３０９を一定量だけ上
昇させた後に窒素ガスの供給を開始することにより、ピ
ペット３０９とＭＣＭ基板表面を接触させることなく液
体材料を供給することも可能である。

【００５５】以上の手段により、液体材料を基板上の所
望の領域のみに精度よく自動で微量供給することが可能
となる効果がある。また、本技術によってＭＣＭ基板の
薄膜配線のパターン欠落欠陥の修正を行うことにより、
いかなる配線パターンの欠落欠陥に対しても、真空装置
などを用いることなく、高精度且つ安価にそれを修正す
ることが可能となり、ＭＣＭ基板の薄膜製造工程の歩留
まりを大幅に向上させる効果がある。

【００５６】上記した第２または第３の実施例によって
形成した金属膜上に、第１の実施例で示した方法により
ＵＶ硬化樹脂を供給して形成した金属膜被覆すること
も、容易に実施できることは言うまでもない。

【００５７】更に、上記した第２及び第３の実施例にお
いては、配線パターンの欠落欠陥を修正する場合につい
て示したが、本発明はこれに限られるものではなく、異
なる場所にある配線間を接続することも可能である。

【００５８】即ち、異なる場所にある配線を第１の実施
例で述べたようにエキシマレーザなどのエネルギビーム
を照射して上層の保護膜を除去することにより配線部分
を露出させ、この露出させた配線部分に接続する金属膜
を第２または第３の実施例で述べた方法で形成し、更
に、この金属膜を接続すべき相手側の露出させた配線の
部分にまで延長して形成することにより、異なる部分に
ある配線間を接続することができる。更にこの新たに形
成した金属膜上に第１の実施例で述べたようにしてＵＶ
硬化樹脂を供給してこの金属膜を被覆することにより、
この新たに形成した金属膜を保護することができる。

【００５９】次に、第４の実施例として、図１０に示す
構成の装置を用いた、基板上への液体材料の微量供給方
法を説明する。尚、この場合に対象となる欠陥を有する
電子回路基板の構造を、図１１に示す。

【００６０】図１１は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Displ
ay)の用途として多く用いられる、ＴＦＴ（Thin Film T
ransistor）基板の製造工程で発生した配線の断線欠陥
の様子を示している。このＴＦＴ基板は、ガラス基板１
１１上に幅約１０μｍ、膜厚２０００〜３０００Åの薄
膜Ａｌ配線１１２が周期的に配列された構造となってい
る。これらの配線は、その製造工程では全ての配線が共
通電極１１４に接続されており、断線検査（電気的導通
試験）工程により配線の断線欠陥１１３が発見されるも
のである。

【００６１】図１０に示す装置は、ＴＦＴ基板１００１
を搭載し位置決めを行うためのステージ１００２と、Ｔ
ＦＴ基板１００１の表面を観察するための対物レンズ１
００３及びＣＣＤカメラ１００４と、照明光源１００５
と、ハーフミラー１００６と、モニタ１００７と、パラ
ジウム錯体を充填したピペット１００８と、ピペット１
００８をＴＦＴ基板１００１表面と４５度で接触する角
度で保持し、その位置決めを行うマニピュレータ１００
９と、ピペット１００８内に窒素ガスをパルス状に供給
するための電磁弁１０１０と、ステージ１００２上に配
置されＴＦＴ基板１００１上の共通電極にＷ、Ｃｕ等の
材質からなるプローブ１０１１’を接触させるためのプ
ローブカード１０１１と、プローブ１０１１’を介して
ＴＦＴ基板１００１上の共通電極とピペット１００８と
の間に電気信号を印加し、ピペット１００８の先端とＴ
ＦＴ基板１００１上の配線との接触を検知するためのテ
スタ１０１２から構成されている。

【００６２】ここで用いるピペット１００８は、外形
１．２ｍｍ、内径０．７ｍｍのボロシリケート等の硬質
ガラス管を熱処理により成形し、その先端内径を１μｍ
としたもので、周囲にＡｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃ、Ｐｄ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ等の導電性膜をスパッタあるいはメ
ッキ等により形成し、内部にはトリフルオロ酢酸パラジ
ウム（Ｐｄ（ＣＦ₃ＣＯＯ）₂）とアセトニトリル及びＮ
−メチル−２−ピロリドンを３５：３２．５：３２．５
の割合（重量比）で混合した溶液が充填されている。ま
た、電磁弁１０１０の１次側には圧力３００ＫＰａの窒
素ガスが常に供給されている。更に、ステージ１００
２、マニピュレータ１００９、電磁弁１０１０、プロー
ブカード１０１１、テスタ１０１２は図示しないコント
ローラにより制御されている。

【００６３】はじめに、使用するピペット１００８に対
するインジェクション条件の初期化について説明する。

【００６４】作業者は、マニピュレータ１００９を駆動
してピペット１００８をステージ１００２上から退避さ
せると共に、プローブカード１０１１を図示しない移動
機構により駆動して上昇させた後、ステージ１００２上
にダミー基板１００１’を搭載し、モニタ１００７を観
察しつつステージ１００２を移動して焦点合わせを行
う。ここでダミー基板１００１’は、インジェクション
条件の設定のために用いる基板であり、ＴＦＴ基板表面
と同様の材料を形成した基板を用いるのが望ましい。

【００６５】しかる後、作業者はマニピュレータ１００
９を駆動して、ピペット１００８の先端をモニタ１００
７の視野内の基準点に一致させる。これによりモニタ１
００７上におけるピペット１００８の先端位置を校正
し、そのときのマニピュレータ１００９の位置情報をそ
の基準位置としてコントローラに記憶する。そしてマニ
ピュレータ１００９を駆動してピペット１００８の先端
をダミー基板１００１’表面に接触させると同時に電磁
弁１０１０を例えば０．１０ｓのみ開としてピペット１
００８内部に、３００ＫＰａ、０．１０ｓのインジェク
ション条件で窒素ガスを１回供給した後、ピペット１０
０８を上昇させ、ダミー基板１００１’上にパラジウム
錯体を供給する。

【００６６】作業者は、更にここで供給したパラジウム
錯体の濡れ拡がり径をモニタ１００７上で測定し、それ
が例えば１０μｍとなる様、ステージ１００２を移動し
てダミー基板１００１’上におけるパラジウム錯体の供
給位置を変更すると共に、電磁弁１０１０の開放時間を
調節して前述の手段で再度供給を行い、電磁弁１０１０
の最適な開放時間を決定する。尚、ここでのピペット１
００８先端とダミー基板１００１’表面との接触の検知
は、モニタ１００７を観察しながら作業者が判断する。
またピペット１００８は、パラジウム錯体の供給後、例
えば１００μｍ程度上昇させることで対物レンズ１００
３の焦点深度から大きく外れ、ダミー基板１００１’表
面の観察に影響を与えることはない。

【００６７】しかる後、マニピュレータ１００９を駆動
してピペット１００８をステージ１００２上から退避さ
せてダミー基板１００１’を取り去り、図１１に示した
断線欠陥を有するＴＦＴ基板１００１を搭載する。作業
者は図示しないコントローラに指示を与え、プローブカ
ード１０１１を図示しない移動機構によって降下させ、
プローブ１０１１’の先端をＴＦＴ基板１００１上の配
線の共通電極に接触させる。ここでステージ１００２上
でのプローブカード１０１１の配置は、ステージ１００
２上でのＴＦＴ基板１００１の搭載位置によって予め決
定されているものである。

【００６８】その後図示しないコントローラは検査情報
に基づき、ＴＦＴ基板１００１上で発生した断線欠陥が
モニタ１００７の視野内となる様、ステージ１００２を
概略移動する。作業者は、モニタ１００７を観察しつつ
ステージ１００２を駆動して図１２（ａ）に示すよう
に、断線欠陥の位置がモニタ１００７のほぼ中央となる
様、ステージ１００２の位置を微調整する。尚、図１２
（ａ）における配線は、幅約１０μｍ、膜厚２０００〜
３０００ÅのＡｌ配線である。また、断線端部１２００
の一端はＴＦＴ基板１００１上の共通電極に接続されて
いる。

【００６９】作業者は引き続き、モニタ上で断線端部１
２００、１２００’間のそれぞれの配線上にパラジウム
錯体を供給する始点Ｐ１及び終点Ｐ２をカーソルあるい
はマウス等の手段によりモニタ１００７上に入力した
後、コントローラにパラジウム錯体の供給開始を指示す
る。コントローラは、はじめにモニタ１００７上に入力
された始点Ｐ１とモニタ１００７上におけるピペット１
００８の基準点Ｐ０を比較し、モニタ１００７上の平面
的な座標情報から両者間の距離を測定する。そしてマニ
ピュレータ１００９を駆動して、ピペット１００８の先
端を先に校正したマニピュレータの基準位置（ピペット
１００８の先端が基準点Ｐ０と一致する位置）から、モ
ニタ１００７上で測定したＰ０−Ｐ１間の距離だけ移動
したところに位置決めし停止させる。

【００７０】この結果、図１２（ｂ）の如く、ピペット
１００８の先端がモニタ１００７上の始点Ｐ１に一致す
る。但し、ＴＦＴ基板１００１を搭載した後からこの時
点までのマニピュレータの位置決めは平面的に行うのみ
であり、ピペット１００８とＴＦＴ基板１００１表面と
の距離は充分確保して（望ましくは１００μｍ以上）行
うことが望ましい。

【００７１】その後、コントローラはマニピュレータ１
００９を駆動してピペット１００８を例えば５μｍ／ｓ
の速度で降下させる。この時、断線端部１２００とピペ
ット１００８間には直流電圧が印加されており、更にピ
ペット１００８の周囲には上述した導電性膜が形成され
ているため、ピペット１００８の先端が断線端部１２０
０上に接触することにより、テスタ１０１２に微小電流
が検出される。そしてコントローラはテスタ１０１２に
よる微小電流の検出を認識し、マニピュレータ１００９
の駆動を停止する。

【００７２】以上により、コントローラはピペット１０
０８の先端とＴＦＴ基板１００１表面の接触を検知する
と共に、その時のマニピュレータ１００９の位置をその
下限点として記憶する。その後、コントローラは先に設
定した条件に基づき、電磁弁１０１０を例えば０．１０
ｓのみ開とし、ピペット１００８内に３００ＫＰａ、
０．１０ｓのインジェクション条件で窒素ガスを供給
し、窒素ガスの供給が終了した時点から例えば０．１０
ｓ後にピペット１００８を例えば１０μｍ程度上昇させ
る。これにより、図１２（ｃ）に示す如く、断線端部１
２００近傍に濡れ広がり径約１０μｍのパラジウム錯体
１２０１が供給される。

【００７３】次に、コントローラはマニピュレータ１０
０９を駆動して図１２（ｄ）に示す如く、ピペット１０
０８の先端位置をχだけ移動させ、Ｐ３とする。ここで
χの値は予めコントローラに記憶されているものであ
り、パラジウム錯体の濡れ広がり径の２分の１程度、即
ち濡れ広がり径が１０μｍであればχは５μｍ程度であ
ることが望ましい。そしてマニピュレータ１００９を駆
動しピペット１００８を先にコントローラに記憶した下
限点（ピペット１００８先端とＴＦＴ基板１００１表面
が接触する点）まで降下させ、ピペット１００８内に同
様の条件で窒素パルスを供給し、断線部にパラジウム錯
体１２０２を供給する。

【００７４】以下同様の手順により、モニタ１００７上
での始点Ｐ１から終点Ｐ２までの距離とピペット１００
８の移動量χを考慮し繰返し供給を行うことで、図１２
（ｅ）の如く断線端部１２００、１２００’間にパラジ
ウム錯体１２０１〜１２０８を連続的に形成し処理を停
止する。パラジウム錯体の供給回数は、次式を満足する
最小の整数により与えられる。

【００７５】

【数１】

【００７６】即ち、例えば始点Ｐ１−終点Ｐ２間の距離
が３６μｍ、パラジウム錯体の濡れ広がり径が１０μ
ｍ、ピペット１００８の移動量χが５μｍの場合、計８
回以上供給を行うことが望ましい。

【００７７】その後マニピュレータ１００９を駆動して
ピペット１００８をステージ１００２上から退避させる
と共に、プローブカード１０１１を上昇させてＴＦＴ基
板１００１を取り去り、図示しない加熱装置で供給した
パラジウム錯体を加熱し、最終的に溶媒の沸点以上の温
度まで上昇させて溶媒のみを除去した後、更に錯体を熱
分解してパラジウム膜を析出させ、断線部を電気的に接
続する。より具体的には、１×１０⁴Ｗ／ｃｍ²のパワー
密度のＡｒレーザ光をパラジウム錯体に１〜６０秒間連
続照射することにより、膜厚２００〜３００Å、比抵抗
１００〜２００μΩ・ｃｍのパラジウム膜を析出させる
ことができ、３０μｍの断線を１００〜２００Ωの接続
抵抗で接続することができる。

【００７８】また、ここでの加熱手段としては、レー
ザ、赤外線ランプ等による局所加熱法と基板全体をベー
ク炉、ホットプレート、ドライヤ等で加熱する方法があ
るが、基板に影響の無い範囲で加熱し、金属膜を析出さ
せるものが選択可能である。また、供給する液体材料と
しては、Ｃｕ等の金属ペースト、あるいはＡｕ等の金属
超微粒子をα−テルピネオール等の溶媒に分散させた金
属超微粒子分散液等の液体材料でも良い。更にこれま
で、使用するピペットの材質としては、ガラスピペット
の周囲にＡｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｗ等からなる導電性膜をスパッタあるいはメッキに
より形成したものを用いて説明してきたが、金属材料あ
るいは導電性材料自体で形成されたピペットについても
同様に使用可能である。

【００７９】更に、印加する電気信号については、その
強度が時間的に変化する信号、例えば周波数１００ｋＨ
ｚ以上の高周波信号電圧を用いることも可能である。但
しこの場合、ピペット１００８に信号電圧を印加する。
これによりピペット１００８とＴＦＴ基板１００１上の
配線間の静電容量を介して両者を電気的に結合させ、両
者間の距離に応じてテスタ１０１２に発生する電流波形
を検出し、両者間の距離あるいは両者の接触を検知する
ことも可能である。

【００８０】以上の様に、ＴＦＴ基板上の配線とピペッ
トの間に電気信号を印加することにより、両者の接触を
確実に検知することができる効果がある。特に、ピペッ
トに高周波信号電圧を印加した場合は、配線とピペット
間の静電容量により両者が電気的に結合することで、テ
スタに検出される電流波形が変化するため、両者の距離
を高精度に把握できる効果もある。更に、画像処理装置
を必要としないため、装置価格を安価とする効果もあ
る。

【００８１】次に第５の実施例として図１３に示す装置
を用いた、基板上への液体材料の微量供給方法を述べ
る。尚、この場合も図１１に示したＴＦＴ基板を対象と
した場合について説明する。

【００８２】図１３に示す装置は、ＴＦＴ基板１３０１
を搭載し位置決めを行うためのステージ１３０２と、Ｔ
ＦＴ基板１３０１の表面を観察するための対物レンズ１
３０３及びＣＣＤカメラ１３０４と、照明光源１３０５
と、ハーフミラー１３０６と、モニタ１３０７と、パラ
ジウム錯体を充填したピペット１３０８と、ピペット１
３０８をＴＦＴ基板１３０１表面と４５度で接触する角
度で保持し、その位置決めを行うマニピュレータ１３０
９と、ピペット１３０８内に窒素ガスをパルス状に供給
するための電磁弁１３１０から構成されている。

【００８３】ここで用いるピペット１３０８は、外形
１．２ｍｍ、内径０．７ｍｍのボロシリケート等の硬質
ガラス管を熱処理により成形し、その先端内径を１μｍ
としたもので、内部にはトリフルオロ酢酸パラジウム
（Ｐｄ（ＣＦ₃ＣＯＯ）₂）とアセトニトリル及びＮ−メ
チル−２−ピロリドンを３５：３２．５：３２．５の割
合（重量比）で混合した溶液が充填されている。また、
電磁弁１０１０の１次側には、圧力３００ＫＰａの窒素
ガスが常に供給されている。更に、ステージ１３０２、
マニピュレータ１３０９、電磁弁１３１０は図示しない
コントローラにより制御されている。

【００８４】作業者は、マニピュレータ１３０９を駆動
してピペット１３０８をステージ１３０２上から退避さ
せた後、ステージ１３０２上にダミー基板１３０１’を
搭載し、モニタ１３０７を観察しつつステージ１３０２
を移動して、焦点合わせを行う。ここでダミー基板１３
０１’は、インジェクション条件の設定のために用いる
基板であり、ＴＦＴ基板表面と同様の材料を形成した基
板を用いるのが望ましい。しかる後、作業者はマニピュ
レータ１３０９を駆動して、ピペット１３０８の先端を
モニタ１３０７の視野内の基準点に一致させた地点でピ
ペット１３０８を下降し、ダミー基板１３０１’に接触
させる。

【００８５】これにより、モニタ１３０７上におけるピ
ペット１３０８の先端位置を校正すると共に、マニピュ
レータ１３０９の下限点を決定し、コントローラに記憶
する。即ち、ダミー基板１３０１’を用いてマニピュレ
ータ１３０９の下限点を初期決定することにより、ピペ
ット１３０８先端とＴＦＴ基板１３０１表面との接触を
検知することなく、マニピュレータ１３０９の位置決め
精度のみでピペット１３０８先端をＴＦＴ基板１３０１
表面に接触させ、パラジウム錯体を供給するものであ
る。以降、第４の実施例と同様の手順でＴＦＴ基板１３
０１上の断線欠陥部にパラジウム錯体を供給し、断線端
部間を接続する。

【００８６】以上の様に、ピペット先端とＴＦＴ基板表
面との接触点をマニピュレータの下限点として初期設定
することで、画像処理装置を用いることなく液体材料を
基板上の所望の領域のみに精度よく自動で微量供給する
ことが可能となり、装置価格を安価とする効果がある。
また、これらの技術によってＴＦＴ基板の薄膜配線の断
線欠陥の修正を行うことにより、ＴＦＴ基板の製造歩留
まりを大幅に向上させる効果がある。

【００８７】次に、第６の実施例として、ピペットと基
板との接触を検知するための機構の説明図を、図１４に
示す。

【００８８】図１４において、１４１は外形１．２ｍ
ｍ、内径０．７ｍｍのボロシリケート等の硬質ガラスか
ら形成され、熱処理によりその先端の内径を１μｍとし
たピペット、１４２はピペット１４１内部への窒素ガス
供給用治具、１４３はピペット１４１内部への窒素ガス
供給用チューブ、１４４、１４４’はピペット１４１を
保持しその位置決めを行うためのマニピュレータ（図示
せず）のアーム、１４５はマニピュレータアーム１４
４、１４４’に組み込まれた圧電素子、１４６は圧電素
子１４５の発生する電圧を検知するためのセンサであ
り、ピペット１４１内部には図示しない電子回路基板上
に供給するための液体材料が充填されている。また、マ
ニピュレータアーム１４４、１４４’は圧電素子１４５
を介して接続されている。

【００８９】上記の構成において、まず図示しないマニ
ピュレータによりピペット１４１先端を図示しない電子
回路基板上で位置決めした後、ピペット１４１を例えば
１〜５μｍ／ｓ程度の速度で降下させる。そしてピペッ
ト１４１先端が図示しない電子回路基板表面に接触する
ことで圧電素子１４５に歪が生じ、圧電素子１４５はこ
の歪量に対応した電圧信号を出力する。センサ１４６は
圧電素子１４５からの電圧信号を検知し、それが予め決
定されたレベルに達したことを判断し図示しないマニピ
ュレータの動作を停止させると共に、ピペット１４１先
端と図示しない電子回路基板表面との接触を検知する。

【００９０】以上の手段により、画像処理やピペット表
面への導電性膜の形成を必要とせず、更に、絶縁膜上に
おいても確実にピペットと電子回路基板表面との接触を
検知することが可能となる、といった効果がある。

【００９１】

【発明の効果】本発明によれば、画像処理によりピペッ
ト先端と基板との接触を検知することにより、両者の接
触状態を常に一定に保つことが可能となり、液体材料を
基板上に所望の供給量だけ再現性よく供給することが可
能となる効果がある。

【００９２】また、画像処理によりピペット先端の初期
位置と基板上に供給した液体材料の形状を認識して両者
の位置関係を比較、記憶し、その結果に基づいて液体材
料を供給することにより、液体材料を基板上の所望の領
域のみに正確且つ再現性よく供給するとが可能となる効
果がある。

【００９３】更に、本発明による方法で、ＭＣＭ基板上
の回路変更部に再被覆材料を供給した場合、供給量のば
らつきによる被覆不足の防止及び過剰供給による回路変
更部近傍に存在する電極やコネクタ等への再被覆材料の
付着を防ぐことができ、それらの接続性に影響を与える
ことを防止する効果がある。

【００９４】更に、本発明による方法で、ＭＣＭ基板上
の薄膜配線層の配線パターン欠落欠陥修正を行った場
合、真空装置などを用いることなく、高精度でそれを修
正することが可能となり、ＭＣＭ基板の薄膜製造工程の
歩留まりを大幅に向上させる効果がある。

【００９５】更に、ＴＦＴ基板上の配線とピペットの間
に電気信号を印加することにより、両者の接触を確実に
検知することができる効果がある。特に、ピペットに高
周波信号電圧を印加した場合は、配線とピペット間の静
電容量により両者が電気的に結合することで、両者の距
離を高精度に把握できる効果もある。更に、画像処理装
置を用いることなく、装置価格を安価とする効果もあ
る。

【００９６】更に、圧電素子を用いてピペットと電子回
路基板表面との接触を検知することにより、画像処理や
ピペット表面への導電性膜の形成を必要とせず、更に絶
縁膜上においても確実にピペットと電子回路基板表面と
の接触を検知することが可能となるといった効果があ
る。

【００９７】更に、本発明によってＴＦＴ基板の薄膜配
線の断線欠陥の修正を行うことにより、ＴＦＴ基板の製
造歩留まりを大幅に向上させる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】液体材料の供給方法を示す微小ピペットの断面
図である。

【図２】ピペット内への窒素ガスの供給回数とＵＶ硬化
樹脂の供給量の関係を説明する説明図である。

【図３】本発明の第１の実施例による液体材料の供給を
行う装置の略断面図である。

【図４】本発明の第１の実施例による基板との接触を検
知する方法を示すピペットの断面図である。

【図５】配線接続部の再被覆方法の説明するための配線
接続部の断面図である。

【図６】ピペットの先端位置と供給した液体材料の中心
位置とのシフト量を検知する方法を示すピペット先端部
の断面図である。

【図７】配線パターン欠落部の平面図及び断面図であ
る。

【図８】本発明の第２の実施例による、配線パターン欠
落部の修正方法を示した配線パターン欠落部の平面図で
ある。

【図９】本発明の第３の実施例による、配線パターン欠
落部の修正方法を示した配線パターン欠落部の平面図で
ある。

【図１０】本発明の第４の実施例による液体材料の供給
を行う装置の略断面図である。

【図１１】断線欠陥を有するＴＦＴ基板の平面図であ
る。

【図１２】本発明の第４の実施例による配線パターン欠
落部の修正方法を示す、断線欠陥を有するＴＦＴ基板の
平面図である。

【図１３】本発明の第５の実施例による液体材料の供給
を行う装置の略断面図である。

【図１４】ピペットと基板との接触を検知するための機
構の略断面図である。

【符号の説明】

３０１・・・・ＭＣＭ基板、３０３・・・・対物レンズ、３
０４・・・・ＣＣＤカメラ、３０７・・・・モニタ、３０８・・
・・画像処理装置、３０９・・・・ピペット、３１０・・・・マ
ニピュレータ、３１１・・・・電磁弁、３１２・・・・ＵＶ
光源、３１３・・・・ＵＶライトガイド、５２・・・・接続用
配線、５３・・・・窓、５４・・・・接続部材、５５・・・・配
線接続部、７２・・・・薄膜配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者坂本治久神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者片山薫神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者松崎英夫千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (56)参考文献特開平４−304881（ＪＰ，Ａ) 特開平６−15210（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/22 B05C 5/00 B05D 3/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】液体材料を充填したピペットを電子回路基
板表面に接触させ、ピペット内部に窒素ガスを供給しそ
の先端から液体材料を吐出させることによる、電子回路
基板上への液体材料の局所供給方法において、ピペット
先端と電子回路基板表面との接触を画像処理により認識
することを特徴とする、電子回路基板上への液体材料の
局所供給方法。
【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載の液体材料の
供給方法において、基板上に供給した液体材料の濡れ広
がり径を画像処理により認識・把握し、その結果に基づ
いてピペット内への窒素ガスの供給条件を変更すること
で、ピペット内への窒素ガスの供給条件を最適化するこ
とを特徴とする、電子回路基板上への液体材料の局所供
給方法。
【請求項３】特許請求の範囲第１項に記載の液体材料の
供給方法において、ピペット先端の初期位置と基板に供
給した液体材料の中心位置との位置ずれ量を画像処理に
より認識・把握した後、基板上の任意位置に液体材料を
正確に供給することを特徴とする、電子回路基板上への
液体材料の局所供給方法。
【請求項４】特許請求の範囲第１項に記載の液体材料の
供給方法において、ピペットと基板との接触を検知した
後、予め設定した条件でピペット内に窒素ガスを供給
し、基板上に液体材料を供給することを特徴とする電子
回路基板上への液体材料の局所供給方法。
【請求項５】特許請求の範囲第４項に記載の液体材料の
供給方法において、ピペットと基板との接触を検知した
後、ピペットを走査して基板上に液体材料を供給するこ
とを特徴とする、電子回路基板上への液体材料の局所供
給方法。
【請求項６】特許請求の範囲第４項に記載の液体材料の
供給方法において、ピペットと基板との接触を検知した
後、ピペットを一定量上昇させて、ピペットと基板とを
接触させることなくピペットを走査して基板上に液体材
料を供給することを特徴とする、電子回路基板上への液
体材料の局所供給方法。
【請求項７】特許請求の範囲第１項に記載の液体材料の
供給方法において、ピペットと基板との間に電気信号を
印加することにより、両者が接触した際に発生する電流
を検出して両者の接触を検知することを特徴とする、電
子回路基板上への液体材料の局所供給方法。
【請求項８】特許請求の範囲第７項に記載の液体材料の
供給方法において、ピペットと基板との間に高周波電圧
を印加することにより、両者の間隔及び接触を高精度に
把握することを特徴とする、電子回路基板上への液体材
料の局所供給方法。
【請求項９】特許請求の範囲第７項及び第８項に記載の
液体材料の供給方法において、周囲に金属膜あるいは導
電性膜を形成したガラス製ピペットを使用することを特
徴とする、液体材料の局所供給方法。
【請求項１０】特許請求の範囲第７項及び第８項に記載
の液体材料の供給方法において、金属材料あるいは導電
性材料で形成されたピペットを使用することを特徴とす
る、液体材料の局所供給方法。
【請求項１１】電子回路基板を保持しその位置決めを行
う機構と、液体材料を充填したピペットを保持しその位
置決めを行う機構と、ピペット内部に窒素ガスを供給す
る手段と、電子回路基板表面を観察する手段と、ピペッ
トと基板との接触を検知する手段から構成される事を特
徴とする、電子回路基板上への液体材料の局所供給装
置。
【請求項１２】特許請求の範囲第１１項に記載の液体材
料の供給装置において、ピペットと基板との接触を検知
する手段として、画像処理を用いることを特徴とする、
電子回路基板上への液体材料の局所供給装置。
【請求項１３】特許請求の範囲第１１項に記載の液体材
料の供給装置において、ピペットと基板との接触を検知
する手段として、ピペットと基板との間に電気信号を印
加することを特徴とする、電子回路基板上への液体材料
の局所供給装置。
【請求項１４】特許請求の範囲第１１項に記載の液体材
料の供給装置において、ピペットと基板との接触を検知
する手段として、圧電素子を用いることを特徴とする、
電子回路基板上への液体材料の局所供給装置。
【請求項１５】電子回路基板を保持し移動する機構と、
液体材料を充填したピペットを保持しその位置決めを行
う機構と、ピペット内部に窒素ガスを供給する手段と、
電子回路基板表面を観察する手段から構成される液体材
料の微量供給装置において、予めピペット先端が基板表
面と接触する位置を決定した後、ピペットの動作を自動
制御することを特徴とする、電子回路基板上への液体材
料の局所供給装置。