JP3443428B2 - 合成メソポーラス結晶性物質の改変方法 - Google Patents
合成メソポーラス結晶性物質の改変方法Info
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Description
合成したメソポーラスな物質に導入することによる該物
質の改変方法に関する。
触媒および分離媒体として大きい用途が見出されてい
る。これらのミクロ構造の開放性(openness)のためこ
れらの材料の比較的大きい表面に分子を接近させること
ができ、そのことがその触媒活性および吸着活性を高め
る。今日用いられている多孔性物質は、それらのミクロ
構造の詳細を分類の基礎として用いて3つの大きいカテ
ゴリーに分類することができる。これらのカテゴリー
は、非晶性および準結晶性支持体、結晶性分子篩、およ
び改変された層状物質である。これらの物質の触媒挙動
および吸着挙動、並びに表面積、孔の大きさおよび孔の
大きさの可変性、X線回析図の存在または不存在および
そのような回析図の詳細、およびそれらのミクロ構造を
透過型電子顕微鏡および電子回析法で調べた時の物質の
様子のような、これらの物質を特徴づけるのに用いる様
々な観測できる性質の相異によって、これらの物質のミ
クロ構造の相異が明らかになる。
用途で用いられている重要な種類の多孔性無機固体であ
る。これらの物質の典型的な例は、触媒調合物で一般的
に用いられる非晶性のシリカ、並びに固体酸触媒および
石油リホーミング触媒支持体として用いられる準結晶性
の遷移アルミナである。“非晶性”の語は、長距離秩序
を有しない物質を示すのにここでは用いるが、ほとんど
すべての物質は少なくとも局部的には幾分秩序性がある
ので、やや誤解を招く。これらの物質を記述するのに用
いられている別の言葉は“X線に無作用(indifferen
t)”である。シリカのミクロ構造は、100〜250
オングストロームの密度の高い非晶性シリカ粒子から成
り(カーク−オスマー、Encyclopedia of Chemical
Technology 3版、20巻、ジョンウィリアンドサ
ンズ、ニューヨーク、766〜781頁、1982)、
粒子間のボイドから生じる多孔性を有する。これらの物
質には長距離秩序が存在しないので、孔の大きさは幾分
広い範囲に分布する傾向がある。この規則性の欠如もX
線回析図により表わされるが、X線回析パターンは通常
特徴がない。
結晶性物質も広い孔径分布を有するが、通常2,3のブ
ロードなピークよりなるよりよく定義されたX線回析図
を示す。これらの物質のミクロ構造は、凝縮したアルミ
ナ相の小さい結晶領域から成り、その物質の多孔性はこ
れらの領域の間の不規則なボイドより生じる(K.ウェ
ファースおよびチャナキャミスラ“Oxides and Hyd
roxides of Aluminium”テクニカルペーパーNo.1
9(改訂)アルコリサーチ ラボラトリーズ、54〜5
9ページ、1987)。どちらの物質の場合にも物質の
孔径をコントロールする長距離秩序がないので、孔径の
可変性は典型的には非常に大きい。これらの物質の孔径
はメソポーラスな範囲と呼ばれる領域に入り、本出願の
場合には13〜200オングストロームである。
対照的なのが、孔径がその物質のミクロ構造の正確に繰
り返される結晶的性質により規制されるために、孔径分
布が非常に狭い物質である。これ等の物質は“分子篩”
と呼ばれその最も重要な例はゼオライトである。大部分
のゼオライトの正確な結晶性のミクロ構造は、通常多く
のシャープな最高点を与え、その物質を定義するのに役
立つ、よく定義されたX線回析図によって表わされる。
同様にこれ等の物質の孔の大きさは、結晶性のミクロ構
造の正確な繰り返しのため非常に規則正しい。今日まで
に見出されたすべての分子篩は微孔性範囲の孔径を有
し、その孔径は通常2〜20オングストロームとされ、
報告された最大孔径は約12オングストロームである。
かの層状物質は、大きい程度の多孔性を有する物質を提
供するよう柱状化(pillared)される。そのような層状
物質の例としてはクレーがある。そのようなクレーは水
で膨潤し、それによってクレーの層は水分子により引き
離される。他の層状物質は水で膨潤できないが、アミン
や第4級アンモニウム塩のようないくつかの有機膨潤剤
で膨潤する。そのような水で膨潤しない層状物質の例が
米国特許第4,859,648号に記載されており、層状
シリケート、マガダイト、ケニアイト、トリチタネート
および灰チタン石を含む。いくつかの有機膨潤剤では膨
潤し、水では膨潤しない層状物質の他の例は、米国特許
第4,831,006号に記載された間隙を含むチタンメ
タレート物質である。
シリカのような熱的に安定な物質を離された層間に挿入
することにより柱状化する。前述の米国特許第4,83
1,006号および同4,859,648号は、そこに記
載された水で膨潤しない層状物質を柱状化する方法を記
述している。柱状化した層状物質のX線回析図は、その
他の点では通常よく規則化された層状のミクロ構造が膨
潤と柱状化のため乱される度合に応じて、かなり変化す
る。いくつかの柱状化した層状物質のミクロ構造の規則
性は乱されるので、X線回析図の小さい角度領域での唯
一のピークが、その柱状化した物質の層間の繰り返し対
応するd間隔で観測される。乱れの少ない物質は、通常
この基本的な繰り返しの順序であるこの領域内でいつく
かのピークを示す。層の結晶構造からのX線反射も時に
は認められる。これらの柱状化層状物質の孔径分布は非
晶性および準結晶性物質のそれより狭いがゼオライト様
物質より広い。
において、我々は新しい種類の無機の、多孔性、非層状
の結晶性物質を記載した。その物質は他の多孔性の無機
固体から、その大きい開いた孔の規則性により区別さ
れ、孔径はメソポーラスの範囲であり、したがって非晶
性あるいは準結晶性の物質の孔径によく似ているが、そ
の規則的な配列および孔の均一性はゼオライトのような
結晶性物質に似ている。特に、この新しい型の物質は、
か焼の後に約18オングストローム単位より大きいd間
隔で少なくとも一つのピークを有するX線回析図を示
し、50トールおよび25℃で該物質の100g当り1
5グラム以上のベンゼンを吸着する能力を有する。
は、高濃度のヒドロキシ基が合成されたままのあるいは
か焼した物質の孔の開口内部に存在するというユニーク
な性質を有する。本発明の目的は、ヒドロキシ基を用い
て有機の処理用化合物と反応させ分子篩物質に機能性の
基を固定し、或いは導入することである。機能性の基
は、孔の内部にユニークな触媒サイトを提供し、或いは
孔径を所望どおり造れるように孔径減少剤としての役目
をすることができる。機能性の基はまたセラミック材料
に対する前駆体としても役立てることができる。
下記式: Mn/q(WaXbYcZdOh) (式中、Mはアンモニウム、水素、ナトリウムおよびフ
ッ素イオンからなる群から選択される1以上のイオンで
あり;nは酸化物として表わしたMを除いた組成物の電
荷であり;qはMの加重モル平均原子価であり;n/qは
Mのモル数またはモル分率であり;Wはマンガン、コバ
ルト、鉄およびマグネシウムからなる群から選択される
1以上の2価の元素であり;Xはアルミニウム、鉄およ
びガリウムからなる群から選択される1以上の3価の元
素であり;珪素が必須の元素であるという条件の下、Y
は珪素、ゲルマニウムおよびチタンからなる群から選択
される1以上の4価の元素であり;Zはリンであり;
a、b、cおよびdはそれぞれW、X、Y、およびZのモル
分率であり;hは1〜2.5の数であり;(a+b+c+d)
=1である)で示される組成、または下記式: rRMn/q(WaXbYcZdOh) (式中、RはイオンとしてMに含まれない全ての有機物
質であり;rはRのモル数またはモル分率であり;Mは
アンモニウム、水素、ナトリウムおよびフッ素イオンか
らなる群から選択される1以上のイオンであり;nは酸
化物として表わしたMを除いた組成物の電荷であり;q
はMの加重モル平均原子価であり;n/qはMのモル数ま
たはモル分率であり;Wはマンガン、コバルト、鉄およ
びマグネシウムからなる群から選択される1以上の2価
の元素であり;Xはアルミニウム、鉄およびガリウムか
らなる群から選択される1以上の3価の元素であり;珪
素が必須の元素であるという条件の下、Yは珪素、ゲル
マニウムおよびチタンからなる群から選択される1以上
の4価の元素であり;Zはリンであり;a、b、cおよびd
はそれぞれW、X、YおよびZのモル分率であり;hは
1〜2.5の数であり;(a+b+c+d)=1である)で
示される組成(無水物基準)を有し、か焼後に、18オ
ングストローム単位より大きいd間隔において少なくと
も一つのピークを有するX線回析図を示し、6.7kPa
(50トール)および25℃で物質100g当り15g以
上のベンゼン吸着能を有する、無機の多孔性の非層状結
晶性相物質を改変する方法であって、該結晶性物質をか
焼の前または後にM'X'Y'n(式中、M'は元素の周期
律表のIIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VI
II、IB、IIB、IIIB、IVB、VBおよびV
IB族より選択され、X'はハライド、ハイドライド、
C1−6のアルコキシド、C1−18のアルキル、C1
−18のアルケニル、C6−8のアリール、アセテー
ト、C6−18のアリールオキサイド、スルホネートお
よびニトレートから選択され、Y'はX'、アミン、ホス
フィン、スルフィド、カルボニルおよびシアノから選択
され、n=1〜5である)を含んで成る処理用組成物と
接触させることを含んで成る改変方法にある。
物質は、直径が少なくとも約13オングストロームの均
一な大きさの孔を有する六方晶系の配置を有し、か焼後
に18オングストローム単位以上のd100値で指標化
することができる六方晶系の電子回析図を示す。
る必要なしに、合成したままの結晶性物質で行うことが
できる。さらに、本質的にすべての内部のヒドロキシ部
位を必要なら機能化することができる。
もよい。 Si−O−R'+M'X'Y'n→SiOM'Y'n+R'X' 式中SiOR'は該結晶性物質の格子中のサイトである。
R'は、H+または下に記載した結晶化方法で具体的に
示した有機カチオンである R4N+である。M'は、
元素の周期律表のIIA、IIIA、IVA、VA、V
IA、VIII、IB、IIB、IIIB、IVB、V
BまたはVIB族の元素である(サージェント−ベルヒ
サイエンティフィック(株)、Cat番号s−1880
6、1979)。
VIA、VIIIA、IIIBおよびIVB族である。
M'についての最も好ましい元素は、チタン、クロム、
鉄、コバルト、ニッケル、ホウ素、アルミニウムおよび
ケイ素である。
個の炭素原子を有するアルコキシド、1〜18個の炭素
原子を有するアルキル、6〜18個の炭素原子を有する
アリール、アセテート、6〜18個の炭素原子を有する
アリールオキサイド、スルホネートおよびニトレートで
ある。X'についての好ましい置換基はハライド、1〜
6個の炭素原子を有するアルコキシドおよびアセテート
である。
アミン、ホスフィン、スルフィド、カルボニル、および
シアノから選択できる。Y'についての好ましい置換基
は、X'について記載した置換基、アミン、スルフィド
および1〜18個の炭素原子を有するアルキルである。
Y'についての最も好ましい置換基は、X'について記載
した置換基、アミン、1〜18個の炭素原子を有するア
ルキルである。nは1〜5である。
ては、酢酸クロム、硝酸クロム、テトエチルオルトシリ
ケート、テトラメチルオルトシリケート、チタニウムテ
トラエトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アル
ミニウムトリ−secブトキシド、ヘキサメチルジシラザ
ン、ジ−sec−ブトキシアルミノキシトリエトキシシラ
ン、ジエチルホスファトエチルトリエトキシシラン、ト
リメチルボレート、クロロジメチルアルキルシラン(ア
ルキルは1〜18個の炭素原子を有する)、アンモニア
−ボラン、ボラン−テトラヒドロフラン、およびジメチ
ルサルファイド−ジブロモボランがある。
割合、処理時間、および温度は限定的ではなく、広い範
囲で変化してもよい。例えば温度は−70℃〜250
℃、好ましくは25℃〜100℃である。時間は0.1
〜100時間、好ましくは0.1〜30時間、最も好ま
しくは0.1〜24時間である。
よく、あるいは活性化のために熱処理または酸素若しく
は一酸化炭素のような反応性気体を用いて処理してもよ
い。処理した物質は、NH3、PH3、空気、O2、N2
Ar、H2、SiH4またはB2H6のような反応性または不
活性気体中でか焼してもよい。
これ等の機能化されたサイトは例えば次のものである。
iOCr(アセテート)2, −SiOCr(ニトレート)2,−
SiOSi(OMe)3, −SiOAl(s−OPr)2,−SiO
Al(s−OBu)2, −SiOSi(OEt)3,
SiOSi(CH3)2C18H37,−SiOSi(CH3)2C
6H5。ここでMe=CH3,Et=C2H5,Pr=C3H7,
Bu=C4H9。
物質の格子中のサイトを表わす。Siのあとの2つの結
合は示していない。本発明はこれ等のリストに示した機
能性基に限定されない。
理された結晶性物質は、約18オングストローム単位の
d間隔(CuK−α照射の場合4.909度の2θ)より
大きい位置で少なくとも一つのピークを有するX線回析
図を示す。より詳しくは本発明のか焼した結晶性非層状
物質は、約10オングストローム単位のd−間隔(CuK
−α照射の場合8.842度の2θ)より大きい位置で
少なくとも2つのピークを有し、そのうちの少なくとも
一つは約18オングストローム単位のd間隔より大きい
位置であり、約10オングストローム単位のd間隔より
小さい位置には、最強のピークの約20%より大きい比
強度を有するピークは存在しない、X線回析図により特
徴づけられる。より一層詳しくは本発明のか焼した物質
のX線回析図は、約10オングストローム単位のd間隔
より小さい位置には、最強のピークの約10%より大き
い比強度を有するピークを示さない。
ー、CuK−α照射、およびエネルギー分散X線検出器
を用いたシンタグPAD X自動回析システムにより集
めた。エネルギー分散X線検出器を用いると入射あるい
は回析ビームモノクロメーターの必要がなくなる。入射
および回析したX線ビームは、ダブルスリット入射およ
び回析コリメーションシステムによってコリメートし
た。用いたスリットの大きさは、X線管源から出発して
それぞれ0.5、1.0、0.3および0.2mmであった。
異なったスリット系はピークについて異なった強度を与
える。最大の孔径を有する本発明の物質は、小さい角度
のピークを、伝わった入射X線ビームから分解するため
により高度にコリメートされた入射X線ビームを必要と
する。
より0.04度の2θ(θはブラッグ角である)および
それぞれのステップについて10秒のカウント時間で記
録した。面間間隔dはオングストローム単位で計算し、
ラインの比強度I/I0(I0は最も強いラインの強度の
百分の1である)は、バックグラウンドの上で、プロフ
ィルフィッティング法(profile fitting routine)
を用いて導いた。強度はロレンツおよび分極効果につい
て修正しなかった。比強度は、vs=非常に強い(75〜
100)、s=強い(50〜74)、m=中くらい(25
〜49)およびw=弱い(0〜24)の記号で示す。単
一の線として示された回析のデータも、非常に大きい実
験的な分解能または結晶学的変化のようなある条件の下
では、分解されあるいは部分的に分解された線として現
れる、多くの重なった線よりなり得ることを理解すべき
である。典型的には結晶学的変化には、単位セルパラメ
ーターのわずかな変化および/または構造の実質的変化
のない結晶の対称性の変化がある。比強度の変化を含め
てこれ等の小さい影響は、カチオン含量、枠組組成、孔
充填の性質と度合、熱および/または熱水ヒストリーの
相違、並びに粒子の大きさ/形の影響、構造的な無秩
序、またはX線回析の分野の当業者に知られた他の要因
によるピークの巾/形の変化の結果としても生じる。
6.7kPa(50トール)および25℃において、10
0gの結晶あたり15g以上のベンゼンという平衡ベンゼ
ン吸着能により特徴づけられる。この物質の平衡ベンゼ
ン吸着能は付随的な汚染物質による孔の詰まりのないも
のを基準にして測定する。例えば吸着試験は、通常の方
法によって除いた孔をふさぐ汚染物質や水を有さない結
晶性物質相で行う。水は脱水技術、例えば熱処理により
除去する。穴をふさぐ無機の非晶性物質、例えばシリカ
や有機物は、その物質が本発明の結晶に有害な影響を与
えずに除去されるように、酸若しくは塩基または他の化
学薬品を接触させることにより除去する。
ば450〜700℃、典型的には540℃での少なくと
も一時間のか焼、およびもし必要なら孔をふさぐ汚染物
質を除去する他の処理の後に、平衡に達するまで本発明
の物質を25℃および50トールでベンゼンと接触させ
ることにより測定する。吸着したベンゼンの重量を、後
で詳しく記載するように次に測定する。
にメソポーラスである。メソポーラスとは、物質が13
〜200オングストロームの、より一般的には15〜1
00オングストローム大きさの範囲の均一な孔を有する
ことを意味する。好ましい態様では本物質は、13〜2
00オングストロームの開いた内径を有する長いチャネ
ルの六方晶系配置を有しているようである。この構造は
透過型電子顕微鏡および電子回析による明らかにするこ
とができる。かくして本発明の適当に配向した試料の電
子顕微鏡写真は大きいチャネルを有する六方晶系配置を
示し、対応する電子回析図は最大回析のほぼ六方晶系の
配置を示す。電子回析図のd100間隔は六方格子のhko
投影上の隣接するスポット間の距離であり、電子顕微鏡
写真で認められたチャネル間の繰り返し距離a0と、式d
100=a03/2により関係づけられる。電子回析図にお
いて観測されたこのd100間隔は、X線回析図中の小さい
角度のピークのd間隔(>18オングストロームd間隔)
に対応する。今まで得られた最も高度に秩序化された製
造物は、電子回析図で認められる20〜40個の明瞭な
スポットを有する。これらのパターンは、100,11
0,200,210,等のユニークな反射およびそれら
の対称関連反射の、六方晶系hkoサブセットで指標づけ
することができる。
層状のメソポーラスな結晶性物質は典型的には、上記式
(I)で示される組成を有する。
好ましい態様は、(a+b+c)がdより大きくかつh=2
の時である。別の態様はaおよびd=0でh=2の時であ
る。
質は典型的には無水物を基準にして実験的に上記式(I
I)で示される組成を有する。 rRMn/q(WaXbYcZdOh) 式中のMおよびR成分は、結晶化中のそれらの存在の結
果として物質に伴うものであり、容易に除くことがで
き、Mの場合には通常の後結晶化法により置き換えられ
る。
晶性物質の合成は我々の国際公開WO第91/1139
0号に詳細に記載されている。特に上の式によって定義
される成分を有する物質は、酸化物のモル比に関し次の
範囲の成分を有する反応混合物から製造できる。
加重平均原子価であり、溶媒はC1〜C6のアルコール若
しくはジオール、またはより好ましくは水であり、Rは
式R1R2R3R4Q+を有する有機の指示剤(directing
agent)であり、Qは窒素またはリンであり、R1、
R2、R3およびR4のうちの少なくとも一つは、例えば
−C6H13、−C10H21、−C16H33、および−C18H
37のような6〜36個の炭素原子を有するアリールまた
はアルキル基であり、R1、R2、R3およびR4の残りの
それぞれは、水素および1〜5個の炭素原子を有するア
ルキル基から選択する。上のアンモニウムまたはホスホ
ニウムイオンが誘導される化合物は、例えばヒドロオキ
サイド、ハライド、シリケートまたはその混合物であ
る。
他の試薬と比較した時、上の指示剤の特別の有効性は、
核生成および所望の超大孔物質の生長において鋳型とし
て働くその能力によると信じられる。これ等の指示剤の
非限定的な例としては、セチルトリメチルアンモニウ
ム、セチルトリメチルホスホニウム、オクダデシルトリ
メチルホスホニウム、ベンジルトリメチルアンモニウ
ム、セチルピリジニウム、ミリスチルトリメチルアンモ
ニウム、デシルトリメチルアンモニウム、ドデシルトリ
メチルアンモニウムおよびジメチルジドデシルアンモウ
ニム化合物がある。
機物Rは、上の指示剤の式のアンモニウムまたはホスホ
ニウムイオンの形の付加的な有機指示剤を含む。その付
加的な有機指示剤においてR1、R2、R3およびR4のそ
れぞれは水素および1〜5個の炭素原子を有するアルキ
ル基(アルキル基の2つが結合して環状化合物を生成し
てもよい)から選択する。付加的な有機指示剤の例とし
ては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモ
ニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルア
ンモニウム、およびピロリジニウム化合物がある。最初
に述べた有機指示剤の付加的な有機指示剤に対するモル
比は100/1〜0.01/1の範囲である。付加的な
有機指示剤が存在する場合、反応混合物中のモル比R
2/fO/(YO2+WO+Z2O5+X2O3)は好ましくは
0.1〜2.0、最も好ましくは0.12〜1.0である。
ために、反応混合物中の全有機物Rは、上記有機指示剤
の外に補助的な有機物を含むこともできる。この補助的
な有機物は(1)5〜20個の炭素原子を有する芳香族炭
化水素およびアミン、並びにそのハロゲンおよびC1−
C14アルキル置換誘導体、(2)5〜20個の炭素原子を
有する環式および多環式脂肪族炭化水素およびアミン、
並びにそのハロゲンおよびC1−C14アルキル置換誘導
体、および(3)3〜16個の炭素原子を有する直鎖およ
び分枝の脂肪族炭化水素およびアミン、並びにそのハロ
ゲン置換誘導体から選択する。
は好ましくはブロムである。C1−C14アルキル置換基
は、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、ペンチル、およびそれらの組合せのような直鎖
または分枝の脂肪族鎖である。これらの補助的有機物の
例としては、p−キシレン、トリメチルベンゼン、トリ
エチルベンゼン、およびトリイソプロピルベンゼンがあ
る。
と、補助的有機物/YO2のモル比は0.05〜20、好
ましくは0.1〜10であり、補助的有機物/有機指示
剤のモル比は0.02〜100、好ましくは0.05〜3
5である。
第4級アンモニウムシリケートのような有機シリケート
を少なくとも部分的に用いることが好ましい。そのよう
なシリケートの非限定的な例としてはテトラメチルアン
モニウムシリケートおよびテトラエチルオルトシリケー
トがある。
Zの様々な組み合せの非限定的な例としては次のものが
あり、W X Y Z −− Al Si −− −− Al −− P −− Al Si P Co Al −− P Co Al Si P −− −− Si −− Wが、Mgまたは2価の第一列遷移金属から選択される
元素、例えばMn、Co、およびFeであり、XがB,G
a、またはFeであり、YがGeである組み合せを含む。
に記載した反応混合物を25〜250℃の温度に、好ま
しくは50〜175℃に、好ましくは9〜14のpH
に、必要な結晶が生成するまでの時間、典型的には5分
〜14日、より好ましくは1〜300時間保つ。
である時、合成方法は次の工程よりなるのが便利であ
る。 (1) 有機(R)指示剤を溶媒または溶媒混合物と、溶
媒/R2/fOのモル比が50〜800、好ましくは50
〜500の範囲内となるように混合する。この混合物は
合成法のための“一次鋳型”を構成する。 (2) 工程(1)の一次鋳型混合物に、シリカおよび
アルミナをR2/fO/(SiO2+Al2O3)の比が0.01
〜2.0の範囲内となるように加える。 (3) 工程(2)から生じた混合物を、20〜40℃
の温度で、好ましくは5分〜3時間撹拌する。 (4) 混合物を、撹拌しあるいは撹拌せずに、好まし
くは20〜50℃で、好ましくは10分〜24時間放置
する。 (5) 工程(4)からの生成物を、50〜150℃の
温度で、好ましくは1〜72時間結晶化する。
プロセス用の、現在のメソポーラスな結晶性物質の活性
および/または選択性を高めるのに使用できる。そのよ
うなプロセスの例としては、特に高分子量、高沸点、ま
たは蒸留できない物質、特に残留物質のクラッキングま
たはハイドロクラッキング、NOxの減少、および例え
ば高粘度潤滑剤を製造するためのオレフィンのオリゴマ
ー化がある。本発明の処理した物質は吸着剤としても用
いることができる。
より完全に説明するために、次の実施例を示す。実施例
において、吸着データを、水、シクロヘキサン、ベンゼ
ン、および/またはn−ヘキサンについての吸着能の比
較のため説明するときは常に、それらは次のように測定
した平衡吸着値である。
要なら孔を詰める汚染物質を除去するための他の処理を
行った後、重量を測定した吸着剤試料を吸着チャンバー
の中で所望の純粋な吸着質蒸気と接触させる。吸着剤の
重量増加を、約540℃でか焼した後の吸着剤重量を基
準にした100グラムの吸着剤あたりのグラムで、試料
の吸着能として計算した。本発明の組成物は、約15g
/100g以上の、特に約17.5g/100g以上の、さ
らに特に20g/100g以上の、(6.7kPa)50ト
ールおよび25℃での平衡ベンゼン吸着能を示す。
望の純粋な吸着質蒸気を、1mm以下に脱気した吸着チャ
ンバーの中で、1.6kPa(12トール)の水、5.3k
Pa(40トール)のn−ヘキサン若しくはシクロヘキサ
ン蒸気、または6.7kPa(50トール)のベンゼン蒸
気という条件で、25℃で接触させることである。圧力
は吸着時間中マノスタットによりコントロールされた吸
着質蒸気を加えることにより一定に保つ(約+0.5mm
以内)。吸着質は結晶性物質により吸着されるので、圧
力が減少するとマノスタットがバルブを開き、吸着質蒸
気をチャンバーに入れ、上記のコントロール圧力を回復
させる。吸着は圧力変化がマノスタットを活動させるの
に十分でない時に完了する。
ューターでコントロールした990/951デュポンT
GAシステムのような、適当な熱重量分析システムによ
ることである。吸着剤試料を、流れているヘリウム中で
例えば約350℃または500℃で恒量になるまで加熱
することにより脱水する(物理的に吸着した水を除去す
る)。試料が合成したままの形、例えば有機指示剤を含
んでいるなら、前に述べた350℃または500℃での
処理ではなくそれを空気中で約540℃でか焼し、恒量
まで保つ。ベンゼンで飽和したヘリウムガス流を純粋な
ヘリウムガス流と、所望のベンゼン分圧を得るのに適当
な割合で混合することにより、ベンゼン吸着等温線を2
5℃で測定する。ベンゼンの67kPa(50トール)で
の吸着値を吸着等温線のプロットから得る。実施例にお
いて特記しない限りパーセントは重量%である。
2O3、30%Na2O)の溶液を、34.5gのNaO
H、29重量%のN,N,N−トリメチル−1−ヘキサデ
カンアンモニウムクロライド溶液をハライド樹脂用の過
剰のハイドロオキサイドと接触させることにより製造し
た189.1gのセチルトリメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド溶液、および110.7gのウルトラシル(U
ltrasil)(92%SiO2)と混合した。一晩混合後、
600ccのオートクレーブに入れ、150℃、400rp
m撹拌で72時間反応させた。混合物は次の比モル組成
を有していた。 0.25モル Al2O3 10モル Na2O 36モル SiO2 2.5モル (CTMA)2O 362.5モル H2O
固体の生成物を濾取し、水洗し、次に550℃で10時
間空気中でか焼した。か焼した製品は1193m2/gの
表面積と、次の、100gの無水の吸着体当りのgで表わ
した平衡吸着能を有することがわかった。 H2O 10.2 シクロヘキサン >50 n−ヘキサン 48.9 ベンゼン 68.1 この実施例のか焼した生成物のX線回析図は、50.7
±3.0オングストロームのd間隔に非常に強い比強度の
線、および30.7±1.0オングストロームに弱い線を
含むという特徴がある。
を、15gのヘキサメチルジシロキサン中の10gのクロ
ロトリメチルシランの激しく撹拌した溶液に加えた。混
合物を窒素下で一晩還流させ、冷却し、ロータリーエバ
ポレーターで試薬を除き、生成物を2回10mlのアセト
ンで洗滌し、風乾して、0.53gの生成物を得た。この
生成物の固相マジックアングルスピニングNMR(soli
d state magicangle spining NMR)スペクトル
を、プロトン デカップリングで、1200s間隔で9
0度パルスを用いて得た。このスペクトルは15および
−108ppmにピークを示した。15ppmのピークはトリ
メチルシリル基に帰属され(T.ヤナギサワ等、React
ivity of Solids、5巻、167ページ(198
8))、生成物は反応したことを示す。2つのピークの
積分は原生成物中のシリコンの17.9%が変換された
ことを示した。
積を、ベンゼン吸着およびアルゴン物理吸着により、出
発物質のそれと比較した。孔体積の全減少はベンゼンで
48%、アルゴンで34%であると測定された。TMS
基の直径はCPK分子モデルにより約0.4〜0.5nmで
あると測定されている。孔の内部のTMS基のオニオン
スキン(onion skin)コーティングはそれ故0.8〜
1.0nmの孔径の減少を起こす。アルゴン等温線のホル
バス−コワゾエ(Horvath−kowazoe)変換は、モデル
から予測されることと一致して、孔径が3.90nmから
3.04nmに(0.90nm)減少したことを示す。クロロ
トリメチルシラン処理の前および後で水の吸着を測定し
た。実施例1のか焼生成物は、30℃12.5トールで
10.0重量%の水を吸着したが、一方処理した物質は
3.3%の水を吸着した。これはトリクロロメチルシラ
ン処理が、新しい結晶性物質の疎水的な性質を増加させ
ることを示す。
ヘキサメチルジシロキサン中の15mlヘキサメチルジシ
ラザンの激しく撹拌した溶液に加えた。その混合物をN
2下一晩還流させ、冷却し、試薬をロータリーエバポレ
ータで除き、生成物を2回10mlのアセトンで洗滌し、
風乾し、0.52gの生成物を得た。この生成物の固相マ
ジックアングルスピニングNMRスペクトルを、プロト
ンデカップリングで1200s間隔で90度パルスを用
いて得た。このスペクトルは15および−108ppmで
ピークを示した。15ppmのピークはトリメチルシリル
基(Id.)に帰属され、生成物は反応したことを示す。
2つのピークの積分は元の生成物のシリコンの16.8
%が変換されたことを示す。Si−nmrの実験誤差内でク
ロロトリメチルシランおよびヘキサメチルジシラザンに
よる変換は同じであった。実施例2および3は、本発明
の処理方法を用いた孔径の減少を示す。
アンモニウムクロライド溶液を過剰のハライド樹脂用ハ
イドロオキサイドと接触させて製造した400gのセチ
ルトリメチルアンモニウム(CTMA)ハイドロオキサ
イド溶液を、200gのテトラメチルアンモニウム(T
MA)シリケート溶液(10重量%シリカ、1:1、T
MA:Si)と、撹拌しながら混合した。50gのハイシ
ル(HiSil)、約6重量%の自由水および約4.5重量
%の水和の結合水を含み、約0.02ミクロンの最終粒
径を有する沈澱した水和シリカを加えた。生じた混合物
をポリプロピレンのびんに入れ、スチームボックス(約
100℃)に48時間置いた。混合物はAl2O3の1モ
ルにつき、モルで次の組成を有していた。 SiO2 391.4モル (CTMA)2O 71.4モル (TMA)2O 61.6モル 水 9144モル 生成した固体の生成物を濾取し、常温で風乾した。合成
したままの生成物の化学分析は、 SiO2 23.7重量% Al2O3 0.2重量% N 2.3重量% C 33.9重量% アッシュ,1000℃ 22.1重量% であった。
で、次に6時間空気中でか焼した。この物質のベンゼン
吸着は39.5重量%であった。
ラエトキシドと室温で一晩混合した。その混合物を次に
5gの水と1時間反応させた。生成物を窒素中で538
℃で1時間、次に空気中で538℃で6時間か焼した。
30℃でのベンゼン吸着は25.0重量%であった。
リ−sec−ブトキシドと室温で一晩混合した。その混合
物を次に5gの水と1時間反応させた。その生成物を窒
素中で538℃で1時間、次に空気中で6時間538℃
でか焼した。30℃におけるベンゼン吸着は37.5重
量%であった。
アルミノオキシトリエチオキシルシラン(DBALS)
(グラムを基準にして1/1gで)、および50gの無水
エタノールと一緒にし、一晩混合させた。この混合物を
100gの水と一緒にし、1時間撹拌した。生じた固体
生成物を濾取し、風乾した。機能化した生成物を540
℃で窒素中で1時間、次に空気中で6時間か焼した。
アルミノオキシトリエチオキシルシラン(DBALS)
(グラムを基準にして1/1gで)、および50gのヘキ
サメチルジシロキサンと一緒にし、一晩混合させた。こ
の混合物を100gの水と一緒にし、1時間撹拌した。
生じた固体生成物を濾取し、常温で風乾した。この機能
化した生成物を540℃で窒素中で1時間、次に空気中
で6時間か焼した。
ァトエチルトリエトキシシラン(グラムを基準にして1
/1gで)、および50gの無水エタノールと一緒にし、
一晩混合させた。この混合物を次に100gの水と一緒
にし、1時間撹拌した。生じた固体生成物を濾取し、常
温で風乾した。その機能化した生成物を540℃で窒素
中で1時間、次に空気中で6時間か焼した。
ート(グラムを基準にして2/1gで)、および50gの
無水エタノールと一緒にし、一晩混合した。この混合物
を次に100gの水と一緒にし、1時間撹拌した。生じ
た固体生成物を濾取し、常温で空気中で乾燥した。その
機能化された生成物を次に540℃で窒素中で1時間、
続いて空気中で6時間か焼した。
ニウムイソプロポキシドおよび50gの無水エタノール
と一緒にし、一晩混合した。この混合物を次に100g
の水と一緒にし1時間撹拌した。生じた固体の生成物を
濾取し、常温で空気中で乾燥した。その機能化された生
成物を540℃で窒素中で1時間、次に空気中で6時間
か焼した。処理しない実施例4の生成物の元素分析を、
実施例8〜12の処理した生成物と、下の表1で比較し
た。
結晶性物質へ導入することができる他の型の機能性基を
説明する。
N,N,N−トリメチル−1−ヘキサデカンアンモニウム
クロライド溶液をハライド交換樹脂用ハイドロオキサイ
ドと接触させることにより得た80gのセチルトリメチ
ルアンモニウムヒドロオキサイド(CTMAOH)に加
えた。その混合物をNaAlO2が完全に溶解するまで撹
拌した。この溶液に40.0gのテトラメチルアンモニウ
ムシリケート溶液(SiO210重量%)、10gのハイ
シル(SiO290重量%)、および6.01gの1,3,
5−トリメチルベンゼンを加えた。生じた混合物を室温
で数分間撹拌した。そのゲルを次に300mlのオートク
レーブに入れ、150RPMで撹拌しながら105℃ま
で加熱した。4時間の加熱後、反応を冷水で止め、内容
物を取り出した。反応物を濾過し、温(60〜70℃)
水、およびアセトンで数回洗滌した。最後の生成物を5
38℃でN2/空気混合物中で8時間か焼した。そのゲ
ル反応混合物は1モルのAl2O3当り次のようなモル
についての組成を有していた。
4.0重量%のベンゼン吸着能を有していることがわか
った。
リケートと室温で一晩混合した。その混合物を次に5g
の水と1時間反応させた。生成物を窒素中538℃で1
時間、次に空気中で6時間538℃でか焼した。25℃
におけるベンゼン吸着は40重量%であった。その結晶
性物質は64.0%の最初のベンゼン吸着を有していた
ので、孔の体積は37%減少し、孔径が8オングストロ
ーム減少したことを示す。
(clear)(ナトリウムシリケート)に、10gの水中に
溶解した1.2gの硫酸を加えた。生じた混合物を10分
間撹拌した後、50.2gの水中の16.77gのセチルト
リメチルアンモニウムブロマイドを加え、生じたゲルを
0.5時間撹拌した。この時点で20gの水を反応物に加
えた。そのゲルをポリプロピレンびん中で静止した自然
の条件下(100℃)で結晶化させた。生じた生産物を
蒸留水で充分洗滌し、乾燥し、538℃でか焼した。こ
の実施例のか焼した生産物のX線回析図は、33.2±
2.0オングストロームのd間隔に非常に強い比強度の線
および19.8±1.0オングストロームと17.5±1.
0オングストロームに弱い線を示した。
10mlの(CH3)2S:BH3と一緒にした。約5分間撹
拌した後、固体を真空濾過により単離し、n−ヘキサン
で洗滌し、次にアセトンで洗滌した。乾燥した生成物を
空気中で538℃でか焼した。この実施例の生成物のX
線回析図は、32.4±2.0オングストロームのd間隔
に非常に強い比強度の線と、19.5±1.0と17.2
±1.0オングストロームに弱い線を示した。ベンゼン
吸着は41重量%であった。実施例15の結晶性物質は
50%というベンゼン吸着値を有するので、本実施例の
物質の孔の体積は減少したようである。
性物質を、10gの水中の0.14gの酢酸クロム一水和
物の溶液に加えた。この混合物を一晩室温で反応させ
た。過剰の水分を減圧下に除去した。その触媒を窒素中
に250℃で5時間、次に空気中600℃で9時間乾燥
した。温度を350℃に下げ、試料を一酸化炭素中で3
0分間還元した。
LHSVで接触させた。オリゴメリ化生成物を単離し、
そのものは40℃で2419センチストローク(cs)、1
00℃で238csの粘度を有していた。計算した粘度指
数は237であった。
施例18と同様にして1−デセンのオルゴメリ化を行っ
た。生成物は蒸留により単離し、その粘度は40℃で1
97cs、100℃で27.6csであった。粘度指数は1
78であった。本発明の方法に従って処理した結晶性物
質による実施例18および19のオリゴメリ化の生成物
は、従来の技術のCr/SiO2触媒を用いて予期される
より、高い粘度を有する。
Claims (8)
- 【請求項1】 下記式: Mn/q(WaXbYcZdOh) (式中、Mはアンモニウム、水素、ナトリウムおよびフ
ッ素イオンからなる群から選択される1以上のイオンで
あり;nは酸化物として表わしたMを除いた組成物の電
荷であり;qはMの加重モル平均原子価であり;n/qは
Mのモル数またはモル分率であり;Wはマンガン、コバ
ルト、鉄およびマグネシウムからなる群から選択される
1以上の2価の元素であり;Xはアルミニウム、鉄およ
びガリウムからなる群から選択される1以上の3価の元
素であり;珪素が必須の元素であるという条件の下、Y
は珪素、ゲルマニウムおよびチタンからなる群から選択
される1以上の4価の元素であり;Zはリンであり;
a、b、cおよびdはそれぞれW、X、Y、およびZのモル
分率であり;hは1〜2.5の数であり;(a+b+c+d)
=1である)で示される組成、または下記式: rRMn/q(WaXbYcZdOh) (式中、RはイオンとしてMに含まれない全ての有機物
質であり;rはRのモル数またはモル分率であり;Mは
アンモニウム、水素、ナトリウムおよびフッ素イオンか
らなる群から選択される1以上のイオンであり;nは酸
化物として表わしたMを除いた組成物の電荷であり;q
はMの加重モル平均原子価であり;n/qはMのモル数ま
たはモル分率であり;Wはマンガン、コバルト、鉄およ
びマグネシウムからなる群から選択される1以上の2価
の元素であり;Xはアルミニウム、鉄およびガリウムか
らなる群から選択される1以上の3価の元素であり;珪
素が必須の元素であるという条件の下、Yは珪素、ゲル
マニウムおよびチタンからなる群から選択される1以上
の4価の元素であり;Zはリンであり;a、b、cおよびd
はそれぞれW、X、YおよびZのモル分率であり;hは
1〜2.5の数であり;(a+b+c+d)=1である)で
示される組成(無水物基準)を有し、か焼後に、18オ
ングストローム単位より大きいd間隔において少なくと
も一つのピークを有するX線回析図を示し、6.7kPa
(50トール)および25℃で物質100g当り15g以
上のベンゼン吸着能を有する、無機の多孔性の非層状結
晶性相物質を改変する方法であって、該結晶性物質をか
焼の前または後にM'X'Y'n(式中、M'は元素の周期
律表のIIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VI
II、IB、IIB、IIIB、IVB、VBおよびV
IB族より選択され、X'はハライド、ハイドライド、
C1−6のアルコキシド、C1−18のアルキル、C1
−18のアルケニル、C6−8のアリール、アセテー
ト、C6−18のアリールオキサイド、スルホネートお
よびニトレートから選択され、Y'はX'、アミン、ホス
フィン、スルフィド、カルボニルおよびシアノから選択
され、n=1〜5である)を含んで成る処理用組成物と
接触させることを含んで成る改変方法。 - 【請求項2】 該接触を−70℃〜250℃の温度で
0.1〜100時間行う請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 該接触を25〜100℃の温度で0.1
〜30時間行う請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 M'をIVA、VIA、VIII、II
IBおよびIVB族から選択する請求項1〜3のいずれ
かに記載の方法。 - 【請求項5】 M'をTi、Cr、Fe、Co、Ni、B、A
lおよびSiから選択する請求項4記載の方法。 - 【請求項6】 X'をハライド、ハイドライド、C1−
6のアルコキシド、およびアセテートから選択する先行
請求項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項7】 Y'をアミン、スルフィドおよびC1−
15のアルキルから選択する請求項6に記載の方法。 - 【請求項8】 M'X'Y'nを、酢酸クロム、硝酸クロ
ム、テトラエチルオルトシリケート、テトラメチルオル
トシリケート、チタニウムテトラエトキシド、アルミニ
ウムイソプロポキシド、アルミニウムトリ−sec−ブト
キシド、ヘキサメチルジシラザン、ジ−sec−ブトキシ
アルミンオキシトリエトキシシラン、ジエチルフォスフ
ァトエチルトリエトキシシラン、トリメチルボレート、
クロロジメチルアルキルシラン(アルキルはC1−1
8)、アンモニア−ボラン、ボラン−テトラヒドロフラ
ン、ジメチルスルフィド−ジブロモボランおよびそれら
の混合物から選択する請求項1〜7のいずれかに記載の
方法。
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