JP3442333B2 - 電源回路装置 - Google Patents
電源回路装置Info
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- JP3442333B2 JP3442333B2 JP2000044060A JP2000044060A JP3442333B2 JP 3442333 B2 JP3442333 B2 JP 3442333B2 JP 2000044060 A JP2000044060 A JP 2000044060A JP 2000044060 A JP2000044060 A JP 2000044060A JP 3442333 B2 JP3442333 B2 JP 3442333B2
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- supply circuit
- circuit
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電池を充電する
ための電源回路装置に関し、特に、携帯情報端末の本体
回路内に設置される電源回路装置に関する。
ための電源回路装置に関し、特に、携帯情報端末の本体
回路内に設置される電源回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話機、ノート型パソコンお
よびビデオカメラなどの携帯情報端末が普及している。
これらの携帯情報端末には、電力を供給するための電池
が用いられている。この電池としては、一般に、充電が
可能な２次電池が用いられている。
よびビデオカメラなどの携帯情報端末が普及している。
これらの携帯情報端末には、電力を供給するための電池
が用いられている。この電池としては、一般に、充電が
可能な２次電池が用いられている。
【０００３】他方、携帯情報端末の本体回路には、電池
の充電のための電源回路が設置される。図３に、従来の
携帯情報端末の本体内における電源回路の一例を示す。
の充電のための電源回路が設置される。図３に、従来の
携帯情報端末の本体内における電源回路の一例を示す。
【０００４】図３に示すように、電源回路は、携帯情報
端末の本体回路１内に設置され、保護回路８を介して電
池２と接続される。保護回路８は、過充電等から電池を
保護するために設けられ、一般に、別途設けられた保護
回路基板上に形成される。
端末の本体回路１内に設置され、保護回路８を介して電
池２と接続される。保護回路８は、過充電等から電池を
保護するために設けられ、一般に、別途設けられた保護
回路基板上に形成される。
【０００５】電源回路は、端子５〜７を介して外部と接
続され、電子回路３およびＩＣ(Integrated circuit)回
路４と接続され、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３と、抵抗
Ｒ１，Ｒ２と、ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor）ト
ランジスタＱ１とを有する。
続され、電子回路３およびＩＣ(Integrated circuit)回
路４と接続され、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３と、抵抗
Ｒ１，Ｒ２と、ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor）ト
ランジスタＱ１とを有する。
【０００６】ダイオードＤ１，Ｄ２は、電子回路３また
は電池２に電流を供給する。ダイオードＤ３は、電池２
からの電流が抵抗Ｒ２およびＭＯＳトランジスタＱ１を
通して電子回路３に流れる（逆流）ことを防止する。抵
抗Ｒ１は、ＩＣ回路４に電流が流れ込まない場合に、ノ
ードＮ２に所定の電圧を印加する。
は電池２に電流を供給する。ダイオードＤ３は、電池２
からの電流が抵抗Ｒ２およびＭＯＳトランジスタＱ１を
通して電子回路３に流れる（逆流）ことを防止する。抵
抗Ｒ１は、ＩＣ回路４に電流が流れ込まない場合に、ノ
ードＮ２に所定の電圧を印加する。
【０００７】ＩＣ回路４は、抵抗Ｒ２の両側のノードＮ
３，Ｎ４間の電圧または一方の電圧をマイコン等の電子
回路で検出し、ノードＮ２を介してＭＯＳトランジスタ
Ｑ１のゲートに所定電圧を印加する。それにより、ＭＯ
ＳトランジスタＱ１のゲート電圧を変化させ、端子７へ
の電流・電圧を制御する。
３，Ｎ４間の電圧または一方の電圧をマイコン等の電子
回路で検出し、ノードＮ２を介してＭＯＳトランジスタ
Ｑ１のゲートに所定電圧を印加する。それにより、ＭＯ
ＳトランジスタＱ１のゲート電圧を変化させ、端子７へ
の電流・電圧を制御する。
【０００８】端子５は、たとえば卓上アダプタ出力用端
子であり、端子６は、たとえばＡＣアダプタ出力用端子
であり、端子７は、電池２との接続用端子である。
子であり、端子６は、たとえばＡＣアダプタ出力用端子
であり、端子７は、電池２との接続用端子である。
【０００９】電池２を充電する場合には、端子６に、た
とえば５．５Ｖの電圧を加える。このとき、ＩＣ回路４
が、ノードＮ３，Ｎ４間の電圧を検出するとともに抵抗
Ｒ２に流れる電流をも検出する。この検出結果に基づ
き、ＩＣ回路４は、ノードＮ３の電圧がたとえば４．２
ＶとなるようにノードＮ２の電圧を制御する。それによ
り、電池２に、規定電圧である４．３Ｖ以上の電圧が加
わるのを阻止することができる。
とえば５．５Ｖの電圧を加える。このとき、ＩＣ回路４
が、ノードＮ３，Ｎ４間の電圧を検出するとともに抵抗
Ｒ２に流れる電流をも検出する。この検出結果に基づ
き、ＩＣ回路４は、ノードＮ３の電圧がたとえば４．２
ＶとなるようにノードＮ２の電圧を制御する。それによ
り、電池２に、規定電圧である４．３Ｖ以上の電圧が加
わるのを阻止することができる。
【００１０】しかしながら、ＩＣ回路４が何らかの要因
で故障し、ノードＮ２がロウ（Ｌｏｗ）レベルとなり、
ＭＯＳトランジスタＱ１がｐチャネルＭＯＳトランジス
タである場合、ＭＯＳトランジスタＱ１がオンする。
で故障し、ノードＮ２がロウ（Ｌｏｗ）レベルとなり、
ＭＯＳトランジスタＱ１がｐチャネルＭＯＳトランジス
タである場合、ＭＯＳトランジスタＱ１がオンする。
【００１１】このとき、たとえば端子６の出力が５．５
Ｖであるとすると、ダイオードＤ１により０．６Ｖの電
圧降下があり、ＭＯＳトランジスタＱ１により０．１Ｖ
の電圧降下があり、ダイオードＤ３により０．１Ｖ以下
の電圧降下がある（ＩＣ回路４が故障しかつ電池２への
電流が少ない場合、ダイオードＤ３による電圧降下量は
０．１Ｖ以下となる場合がある）。したがって、約４．
８Ｖの電圧が電池２に加わることとなる。
Ｖであるとすると、ダイオードＤ１により０．６Ｖの電
圧降下があり、ＭＯＳトランジスタＱ１により０．１Ｖ
の電圧降下があり、ダイオードＤ３により０．１Ｖ以下
の電圧降下がある（ＩＣ回路４が故障しかつ電池２への
電流が少ない場合、ダイオードＤ３による電圧降下量は
０．１Ｖ以下となる場合がある）。したがって、約４．
８Ｖの電圧が電池２に加わることとなる。
【００１２】つまり、限界電圧以上の電圧が電池２に加
わることとなる。それにより、電池２が破壊することが
懸念される。かかる問題を解消すべく、上述の保護回路
８を別途設けている。この保護回路８を設けることによ
り、ＩＣ回路４が故障した場合でも、電池２を保護する
ことができる。
わることとなる。それにより、電池２が破壊することが
懸念される。かかる問題を解消すべく、上述の保護回路
８を別途設けている。この保護回路８を設けることによ
り、ＩＣ回路４が故障した場合でも、電池２を保護する
ことができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の電
源回路では、ＩＣ回路４の故障時の補償用回路部が携帯
情報端末本体の電源回路側に設けられていなかったた
め、保護回路８を別途電池２側に設ける必要があった。
そのため、電池２の小型化および軽量化が困難となり、
また製造コストも増大するという問題があった。
源回路では、ＩＣ回路４の故障時の補償用回路部が携帯
情報端末本体の電源回路側に設けられていなかったた
め、保護回路８を別途電池２側に設ける必要があった。
そのため、電池２の小型化および軽量化が困難となり、
また製造コストも増大するという問題があった。
【００１４】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものである。本発明の目的は、従来の保護
回路を省略可能な電源回路の構成とすることにより、電
池を小型化および軽量化するとともに電池を低コストで
製造可能とすることにある。
めになされたものである。本発明の目的は、従来の保護
回路を省略可能な電源回路の構成とすることにより、電
池を小型化および軽量化するとともに電池を低コストで
製造可能とすることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る電源回路装
置は、電池を充電するためのものあり、電池からの逆電
流を防止する逆電流防止用素子と、この逆電流防止用素
子による電圧降下量を制御して電池を保護するための電
圧降下量制御手段とを備える。
置は、電池を充電するためのものあり、電池からの逆電
流を防止する逆電流防止用素子と、この逆電流防止用素
子による電圧降下量を制御して電池を保護するための電
圧降下量制御手段とを備える。
【００１６】このように電圧降下量制御手段を備えるこ
とにより、逆電流防止用素子における電圧降下量を増大
させることができる。それにより、電池に過電圧が加わ
るのを阻止することができる。
とにより、逆電流防止用素子における電圧降下量を増大
させることができる。それにより、電池に過電圧が加わ
るのを阻止することができる。
【００１７】上記電源回路装置は、電池への電流の供給
を制御するスイッチ素子を有し、逆電流防止用素子は、
スイッチ素子と電池との間に設けられる。このとき、上
記電圧降下量制御手段は、逆電流防止用素子と電池との
間に接続される。
を制御するスイッチ素子を有し、逆電流防止用素子は、
スイッチ素子と電池との間に設けられる。このとき、上
記電圧降下量制御手段は、逆電流防止用素子と電池との
間に接続される。
【００１８】このようにスイッチ素子と電池との間に設
けられる逆電流防止用素子における電圧降下量を増大さ
せることにより、電池に過電圧が加わるのを確実に阻止
することができる。
けられる逆電流防止用素子における電圧降下量を増大さ
せることにより、電池に過電圧が加わるのを確実に阻止
することができる。
【００１９】上記電圧降下量制御手段としては、たとえ
ばバイポーラトランジスタを挙げることができる。そし
て、スイッチ素子にはＭＯＳ(Metal Oxide Semiconduct
or）トランジスタが含まれ、バイポーラトランジスタが
ｐｎｐ型バイポーラトランジスタである場合には、ＭＯ
ＳトランジスタはｐチャネルＭＯＳトランジスタである
ことが好ましく、バイポーラトランジスタがｎｐｎ型バ
イポーラトランジスタである場合には、ＭＯＳトランジ
スタは、ｎチャネルＭＯＳトランジスタであることが好
ましい。
ばバイポーラトランジスタを挙げることができる。そし
て、スイッチ素子にはＭＯＳ(Metal Oxide Semiconduct
or）トランジスタが含まれ、バイポーラトランジスタが
ｐｎｐ型バイポーラトランジスタである場合には、ＭＯ
ＳトランジスタはｐチャネルＭＯＳトランジスタである
ことが好ましく、バイポーラトランジスタがｎｐｎ型バ
イポーラトランジスタである場合には、ＭＯＳトランジ
スタは、ｎチャネルＭＯＳトランジスタであることが好
ましい。
【００２０】それにより、上記のようにバイポーラトラ
ンジスタを設置することにより、逆電流防止用素子と電
池との間から所望量の電流を必要に応じて引き抜くこと
ができ、逆電流防止用素子を流れる電流量を増大させる
ことができる。
ンジスタを設置することにより、逆電流防止用素子と電
池との間から所望量の電流を必要に応じて引き抜くこと
ができ、逆電流防止用素子を流れる電流量を増大させる
ことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図１および図２を用いて説明する。
いて図１および図２を用いて説明する。
【００２２】（実施の形態１）図１は、この発明の実施
の形態１における電源回路を示す回路図である。この電
源回路は、電池を充電するためのものあり、携帯電話機
等の携帯情報端端末の本体回路１内に設けられる。
の形態１における電源回路を示す回路図である。この電
源回路は、電池を充電するためのものあり、携帯電話機
等の携帯情報端端末の本体回路１内に設けられる。
【００２３】図１に示すように、電源回路は、端子５〜
７を介して外部と接続され、電子回路３およびＩＣ回路
４と接続され、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３と、抵抗Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３と、ＭＯＳトランジスタＱ１と、ｐｎｐ
型バイポーラトランジスタＱ２とを有する。なお、図３
に示す従来例と同一の構成には、同一番号を付し、重複
説明は省略する。
７を介して外部と接続され、電子回路３およびＩＣ回路
４と接続され、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３と、抵抗Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３と、ＭＯＳトランジスタＱ１と、ｐｎｐ
型バイポーラトランジスタＱ２とを有する。なお、図３
に示す従来例と同一の構成には、同一番号を付し、重複
説明は省略する。
【００２４】本発明に係る電源回路では、リチウムイオ
ン電池等の電池２からの逆電流を防止する逆電流防止用
素子による電圧降下量を制御して電池２を保護するため
の電圧降下量制御手段を設けることを重要な特徴とす
る。
ン電池等の電池２からの逆電流を防止する逆電流防止用
素子による電圧降下量を制御して電池２を保護するため
の電圧降下量制御手段を設けることを重要な特徴とす
る。
【００２５】このように電圧降下量制御手段を備えるこ
とにより、逆電流防止用素子における電圧降下量を増大
させることができ、電池２に限界電圧以上の過大電圧が
加わるのを阻止することができる。
とにより、逆電流防止用素子における電圧降下量を増大
させることができ、電池２に限界電圧以上の過大電圧が
加わるのを阻止することができる。
【００２６】図１に示す態様では、逆電流防止用素子と
してダイオードＤ３を設け、電圧降下量制御手段として
ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱ２を設けている。ダ
イオードＤ３は、スイッチ素子としてのｐチャネルＭＯ
ＳトランジスタＱ１と電池２との間に設けられる。ｐｎ
ｐ型バイポーラトランジスタＱ２は、ダイオードＤ３と
電池２との間に接続される。
してダイオードＤ３を設け、電圧降下量制御手段として
ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱ２を設けている。ダ
イオードＤ３は、スイッチ素子としてのｐチャネルＭＯ
ＳトランジスタＱ１と電池２との間に設けられる。ｐｎ
ｐ型バイポーラトランジスタＱ２は、ダイオードＤ３と
電池２との間に接続される。
【００２７】ＩＣ回路４が故障してノードＮ２がロウ
（Ｌｏｗ）レベルとなった場合、ＭＯＳトランジスタＱ
１がオンする。このとき、ノードＮ２はｐｎｐ型バイポ
ーラトランジスタＱ２のベースに接続されているので、
該ベースに上記ロウ（Ｌｏｗ）レベルの電位が印加さ
れ、バイポーラトランジスタＱ２のエミッタはノードＮ
５に接続されているので、ベースに加わる電位よりも高
い電位が印加される。
（Ｌｏｗ）レベルとなった場合、ＭＯＳトランジスタＱ
１がオンする。このとき、ノードＮ２はｐｎｐ型バイポ
ーラトランジスタＱ２のベースに接続されているので、
該ベースに上記ロウ（Ｌｏｗ）レベルの電位が印加さ
れ、バイポーラトランジスタＱ２のエミッタはノードＮ
５に接続されているので、ベースに加わる電位よりも高
い電位が印加される。
【００２８】それにより、ｐｎｐ型バイポーラトランジ
スタＱ２がオン状態となり、ｐｎｐ型バイポーラトラン
ジスタＱ２に電流が流れ、ノードＮ５から所望量の電流
を引き抜くことができる。このとき、抵抗Ｒ３を設ける
ことにより、ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱ２に一
定の電流を流すことができる。
スタＱ２がオン状態となり、ｐｎｐ型バイポーラトラン
ジスタＱ２に電流が流れ、ノードＮ５から所望量の電流
を引き抜くことができる。このとき、抵抗Ｒ３を設ける
ことにより、ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱ２に一
定の電流を流すことができる。
【００２９】その結果、ダイオードＤ３を流れる電流量
を増加させることができ、ダイオードＤ３における電圧
降下量を増大することができる。具体的には、端子６の
出力が５．５Ｖである場合に、ダイオードＤ３における
電圧降下量を０．６Ｖ程度にまで増大することができ
る。
を増加させることができ、ダイオードＤ３における電圧
降下量を増大することができる。具体的には、端子６の
出力が５．５Ｖである場合に、ダイオードＤ３における
電圧降下量を０．６Ｖ程度にまで増大することができ
る。
【００３０】ここで、従来例の場合と同様に、ダイオー
ドＤ１では０．６Ｖの電圧降下があり、ＭＯＳトランジ
スタＱ１では０．１Ｖの電圧降下があるので、結果とし
て４．２Ｖの電圧が電池２に加わることとなる。それに
より、電池２に規定電圧以上の電圧が加わることを阻止
することができ、電池２を過電圧から保護することがで
きる。その結果、従来設けていた保護回路を省略するこ
とができる。
ドＤ１では０．６Ｖの電圧降下があり、ＭＯＳトランジ
スタＱ１では０．１Ｖの電圧降下があるので、結果とし
て４．２Ｖの電圧が電池２に加わることとなる。それに
より、電池２に規定電圧以上の電圧が加わることを阻止
することができ、電池２を過電圧から保護することがで
きる。その結果、従来設けていた保護回路を省略するこ
とができる。
【００３１】上記のようにｐｎｐ型バイポーラトランジ
スタＱ２を採用した場合には、上述のようにＭＯＳトラ
ンジスタＱ１はｐチャネルＭＯＳトランジスタであるこ
とが好ましい。それにより、ＩＣ回路４が故障した場合
に、ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱ２をオン状態と
することができ、ノードＮ５から所望の電流を引き抜く
ことができる。
スタＱ２を採用した場合には、上述のようにＭＯＳトラ
ンジスタＱ１はｐチャネルＭＯＳトランジスタであるこ
とが好ましい。それにより、ＩＣ回路４が故障した場合
に、ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱ２をオン状態と
することができ、ノードＮ５から所望の電流を引き抜く
ことができる。
【００３２】（実施の形態２）次に、図２を用いて、本
発明の実施の形態２について説明する。図２は、この発
明の実施の形態２における電源回路を示す回路図であ
る。
発明の実施の形態２について説明する。図２は、この発
明の実施の形態２における電源回路を示す回路図であ
る。
【００３３】図２に示すように、本実施の形態２では、
ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱ２に代えてｎｐｎ型
バイポーラトランジスタＱ３を採用している。この場
合、ＭＯＳトランジスタＱ１は、ｎチャネルＭＯＳトラ
ンジスタとする。
ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱ２に代えてｎｐｎ型
バイポーラトランジスタＱ３を採用している。この場
合、ＭＯＳトランジスタＱ１は、ｎチャネルＭＯＳトラ
ンジスタとする。
【００３４】ＭＯＳトランジスタＱ１がｎチャネルＭＯ
Ｓトランジスタの場合、ＩＣ回路４の異常時の出力がハ
イ（Ｈｉｇｈ）レベルとなる。よって、ｎｐｎ型バイポ
ーラトランジスタＱ３を設置することにより、このｎｐ
ｎ型バイポーラトランジスタＱ３をオン状態とすること
ができる。
Ｓトランジスタの場合、ＩＣ回路４の異常時の出力がハ
イ（Ｈｉｇｈ）レベルとなる。よって、ｎｐｎ型バイポ
ーラトランジスタＱ３を設置することにより、このｎｐ
ｎ型バイポーラトランジスタＱ３をオン状態とすること
ができる。
【００３５】それにより、前述の実施の形態１の場合と
同様に、ノードＮ５から所望の電流量を引き抜くことが
でき、ダイオードＤ３における電圧降下量を増大するこ
とができる。その結果、電池２に過電圧が印加されるの
を阻止することができ、電池２を保護することができ
る。
同様に、ノードＮ５から所望の電流量を引き抜くことが
でき、ダイオードＤ３における電圧降下量を増大するこ
とができる。その結果、電池２に過電圧が印加されるの
を阻止することができ、電池２を保護することができ
る。
【００３６】なお、ｎｐｎ型バイポーラトランジスタＱ
３を使用する場合には、図２に示すように、ダイオード
Ｄ４，Ｄ５や、抵抗Ｒ４を設置することが好ましい。
３を使用する場合には、図２に示すように、ダイオード
Ｄ４，Ｄ５や、抵抗Ｒ４を設置することが好ましい。
【００３７】以上のように本発明の実施の形態について
説明したが、上述の実施の形態はあくまでも例示であ
り、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではな
い。
説明したが、上述の実施の形態はあくまでも例示であ
り、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではな
い。
【００３８】たとえば、電池２からの逆電流を防止でき
るものであれば、ダイオードＤ３以外の素子や回路を使
用することができる。また、電圧降下量制御手段の一例
としてバイポーラトランジスタを挙げたが、それ以外の
素子や回路を用いて逆電流防止用素子の電圧降下量を制
御してもよい。
るものであれば、ダイオードＤ３以外の素子や回路を使
用することができる。また、電圧降下量制御手段の一例
としてバイポーラトランジスタを挙げたが、それ以外の
素子や回路を用いて逆電流防止用素子の電圧降下量を制
御してもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電源回路装
置によれば、電源回路における中間段階の回路が壊れた
場合でも電池に限界電圧が加わるのを阻止することがで
きるので、電池側に別途設けていた従来のような保護回
路を省略することができる。それにより、電池の小型化
および軽量化が可能となるばかりでなく製造コストをも
低減することができる。
置によれば、電源回路における中間段階の回路が壊れた
場合でも電池に限界電圧が加わるのを阻止することがで
きるので、電池側に別途設けていた従来のような保護回
路を省略することができる。それにより、電池の小型化
および軽量化が可能となるばかりでなく製造コストをも
低減することができる。
【図１】 この発明の実施の形態１における電源回路の
回路図である。
回路図である。
【図２】 この発明の実施の形態２における電源回路の
回路図である。
回路図である。
【図３】 従来の電源回路の回路図である。
１ 本体回路、２ 電池、３ 電子回路、４ ＩＣ回
路、５〜７ 端子、Ｄ１〜Ｄ５ ダイオード、Ｎ１〜Ｎ
５ ノード、Ｑ１ ＭＯＳトランジスタ、Ｑ２ｐｎｐ型
バイポーラトランジスタ、Ｑ３ ｎｐｎ型バイポーラト
ランジスタ、Ｒ１〜Ｒ４ 抵抗。
路、５〜７ 端子、Ｄ１〜Ｄ５ ダイオード、Ｎ１〜Ｎ
５ ノード、Ｑ１ ＭＯＳトランジスタ、Ｑ２ｐｎｐ型
バイポーラトランジスタ、Ｑ３ ｎｐｎ型バイポーラト
ランジスタ、Ｒ１〜Ｒ４ 抵抗。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 森下 弘敏
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
三菱電機株式会社内
(72)発明者 田中 富恵
東京都千代田区大手町二丁目６番２号
三菱電機エンジニアリング株式会社内
(56)参考文献 特開 平７−227045（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−107075（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−251818（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H02J 7/00 - 7/12
H02J 7/34 - 7/36
Claims (4)
- 【請求項１】 電池を充電するための電源回路装置であ
って、前 記電池からの逆電流を防止する逆電流防止用素子と、 前記逆電流防止用素子による電圧降下量を制御して前記
電池を保護するための電圧降下量制御手段と、前記電池への電流の供給を制御するスイッチ素子と、 を
備え、 前記逆電流防止用素子は、前記スイッチ素子と前記電池
との間に設けられ、 前記電圧降下量制御手段は、前記逆電流防止用素子と前
記電池との間に接続される、 電源回路装置。 - 【請求項２】 前記電圧降下量制御手段は、バイポーラ
トランジスタを含む、請求項１に記載の電源回路装置。 - 【請求項３】 前記バイポーラトランジスタは、ｐｎｐ
型バイポーラトランジスタであり、前記スイッチ素子はＭＯＳ(Metal Oxide Semiconducto
r）トランジスタを含み、 前記ＭＯＳトランジスタは、ｐチャネルＭＯＳトランジ
スタである、請求項２に記載の電源回路装置。 - 【請求項４】 前記バイポーラトランジスタは、ｎｐｎ
型バイポーラトランジスタであり、前記スイッチ素子はＭＯＳ(Metal Oxide Semiconducto
r）トランジスタを含み、 前記ＭＯＳトランジスタは、ｎチャネルＭＯＳトランジ
スタである、請求項２に記載の電源回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000044060A JP3442333B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 電源回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000044060A JP3442333B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 電源回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001238359A JP2001238359A (ja) | 2001-08-31 |
| JP3442333B2 true JP3442333B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
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