JP3429942B2 - 短光パルス波形整形装置 - Google Patents
短光パルス波形整形装置Info
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3511—Self-focusing or self-trapping of light; Light-induced birefringence; Induced optical Kerr-effect
- G02F1/3513—Soliton propagation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光伝送システム，
光交換システムで用いる短光パルスの雑音を除去した
り、波形を整形する装置に関するものである。
光交換システムで用いる短光パルスの雑音を除去した
り、波形を整形する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の吸収飽和効果を用いた可飽和吸
収素子は、短光パルスの波形整形や雑音除去に用いるこ
とができる。半導体の吸収飽和効果とは、バンド端近く
のエネルギーの光を半導体に入射した場合、入射光強度
が増加すると吸収率（透過率）が非線形的に減少（増
加）する性質のことであり、これは吸収により発生した
電子正孔対がバンド内の状態占有率を上昇させ、吸収端
が高エネルギー側にシフトするバンドフィリング効果に
よって生ずる。したがって、光パルスの無い場合、微弱
な雑音成分は可飽和吸収素子に吸収されるが、ある強度
以上の光パルスが入射されると、その光パルスは可飽和
吸収素子を透過することになる。その結果、可飽和吸収
素子を短光パルスの波形整形や雑音除去に用いることが
できる。しかし、この半導体可飽和吸収素子の短光パル
スに対する透過率の時間特性を見ると、光を吸収し吸収
率が低下するパルスの立ち上がり時には、ピコ秒程度の
十分高速な応答を見せるが、光パルスの立ち下がり時、
すなわち光強度が弱くなり、吸収率が元の値まで回復す
るときに要する時間はキャリア（電子および正孔）寿命
時間程度の時間を要する。その様子を模式的に示したの
が図１１である。図１１（ａ）は光パルス強度の時間変
化を、同図（ｂ）は可飽和吸収素子の吸収係数の時間変
化を表したものである。したがって、キャリア寿命時間
以下のパルス幅を持つ信号に対しては、波形整形や雑音
除去を完全に行なうことができない。従来のアプローチ
はキャリア寿命時間を短くする方法として、不純物，欠
陥等を吸収層に導入する方法や、また、逆バイアスを印
加しキャリアを引き抜く方法、吸収領域で生じたキャリ
アをトンネル現象により引き抜く方法、等様々な手法が
提案されているが、ピコ秒程度の光パルスに十分応答す
るような高速性は実現されていない。
収素子は、短光パルスの波形整形や雑音除去に用いるこ
とができる。半導体の吸収飽和効果とは、バンド端近く
のエネルギーの光を半導体に入射した場合、入射光強度
が増加すると吸収率（透過率）が非線形的に減少（増
加）する性質のことであり、これは吸収により発生した
電子正孔対がバンド内の状態占有率を上昇させ、吸収端
が高エネルギー側にシフトするバンドフィリング効果に
よって生ずる。したがって、光パルスの無い場合、微弱
な雑音成分は可飽和吸収素子に吸収されるが、ある強度
以上の光パルスが入射されると、その光パルスは可飽和
吸収素子を透過することになる。その結果、可飽和吸収
素子を短光パルスの波形整形や雑音除去に用いることが
できる。しかし、この半導体可飽和吸収素子の短光パル
スに対する透過率の時間特性を見ると、光を吸収し吸収
率が低下するパルスの立ち上がり時には、ピコ秒程度の
十分高速な応答を見せるが、光パルスの立ち下がり時、
すなわち光強度が弱くなり、吸収率が元の値まで回復す
るときに要する時間はキャリア（電子および正孔）寿命
時間程度の時間を要する。その様子を模式的に示したの
が図１１である。図１１（ａ）は光パルス強度の時間変
化を、同図（ｂ）は可飽和吸収素子の吸収係数の時間変
化を表したものである。したがって、キャリア寿命時間
以下のパルス幅を持つ信号に対しては、波形整形や雑音
除去を完全に行なうことができない。従来のアプローチ
はキャリア寿命時間を短くする方法として、不純物，欠
陥等を吸収層に導入する方法や、また、逆バイアスを印
加しキャリアを引き抜く方法、吸収領域で生じたキャリ
アをトンネル現象により引き抜く方法、等様々な手法が
提案されているが、ピコ秒程度の光パルスに十分応答す
るような高速性は実現されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の可
飽和吸収素子は一度吸収飽和状態になった後、吸収率が
元の値まで回復するのに要する時間はキャリア寿命時間
で制限されるという欠点があった。したがって、このよ
うな可飽和吸収素子ではキャリア寿命時間以下のパルス
幅を持つ信号に対しては、波形整形や雑音除去を完全に
行なうことができないという欠点があった。
飽和吸収素子は一度吸収飽和状態になった後、吸収率が
元の値まで回復するのに要する時間はキャリア寿命時間
で制限されるという欠点があった。したがって、このよ
うな可飽和吸収素子ではキャリア寿命時間以下のパルス
幅を持つ信号に対しては、波形整形や雑音除去を完全に
行なうことができないという欠点があった。
【０００４】本発明の目的は、上述した、光パルス幅が
キャリア寿命時間以下のピコ秒程度に短い光信号パルス
列の雑音除去や波形整形を効果的に行うことができる短
光パルス波形整形装置を提供することにある。
キャリア寿命時間以下のピコ秒程度に短い光信号パルス
列の雑音除去や波形整形を効果的に行うことができる短
光パルス波形整形装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明による短光パルス波形整形の装置は、可飽和
吸収素子と、短光パルスよりなる入力信号パルス光を該
可飽和吸収素子に入射させる手段と、該入力信号パルス
光によって該可飽和吸収素子内に生成された励起状態に
ある電子の消滅を誘導放出により促進させるために該入
力信号パルス光の波長より長い波長の第２の光を該可飽
和吸収素子に入射させる手段と、該可飽和吸収素子から
波形整形された該入力信号パルス光を取り出す手段とを
備えた構成を有している。
に、本発明による短光パルス波形整形の装置は、可飽和
吸収素子と、短光パルスよりなる入力信号パルス光を該
可飽和吸収素子に入射させる手段と、該入力信号パルス
光によって該可飽和吸収素子内に生成された励起状態に
ある電子の消滅を誘導放出により促進させるために該入
力信号パルス光の波長より長い波長の第２の光を該可飽
和吸収素子に入射させる手段と、該可飽和吸収素子から
波形整形された該入力信号パルス光を取り出す手段とを
備えた構成を有している。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明では、キャリア寿命時間で
制限される可飽和吸収素子の吸収回復時間の高速化を図
り、光パルス幅がピコ秒程度に短い光信号パルス列の雑
音除去や波形整形を効果的に行なう。
制限される可飽和吸収素子の吸収回復時間の高速化を図
り、光パルス幅がピコ秒程度に短い光信号パルス列の雑
音除去や波形整形を効果的に行なう。
【０００７】次に、本発明の原理を詳細に説明する。図
１（ａ）は、本発明に用いる可飽和吸収素子に入射する
信号パルス光強度と信号パルス光より波長の長い別の光
（アシスト光）の強度の時間変化を、同図（ｂ）は可飽
和吸収素子の吸収係数の時間変化を表した模式図であ
る。
１（ａ）は、本発明に用いる可飽和吸収素子に入射する
信号パルス光強度と信号パルス光より波長の長い別の光
（アシスト光）の強度の時間変化を、同図（ｂ）は可飽
和吸収素子の吸収係数の時間変化を表した模式図であ
る。
【０００８】図２は、本発明において信号パルス光とア
シスト光を照射することを特徴とする可飽和吸収素子の
吸収層の伝導帯の電子のエネルギー分布を時系列で示し
た模式図である。ここで、図１と図２における添字は、
それぞれ（Ａ）：信号パルス光が入射前、（Ｂ）：信号
パルス光入射時、（Ｃ）：信号パルス光立ち下がり直
後、（Ｄ）：アシスト光入射時の様子を表している。ま
ず、信号パルス光が入射前の定常状態においては、可飽
和吸収素子の吸収層の伝導帯には電子は少なく｛図２
（Ａ）｝、十分な吸収係数を持つ状態である｛図１
（ｂ）−（Ａ）｝。次に、信号パルス光が入射時には、
信号パルス光は吸収層で吸収され、信号パルス光に相当
するエネルギーの電子密度が急激に増加し｛図２
（Ｂ）｝、吸収係数は急激に低下する｛図１（ｂ）−
（Ｂ）｝。これはスペクトルホールバーニングと呼ばれ
るが、このスペクトルホールバーニングはバンド内遷移
によって熱平衡状態の分布に１００フェムト秒程度で緩
和し、図２（Ｃ）に示す分布となる。しかしこの時のキ
ャリア密度は信号パルス光が入射前のキャリア密度に比
べて増大したままで、吸収係数も低下したままである。
この増大したキャリア密度が信号パルス光が入射前の定
常キャリア密度に戻るには数１００ピコ秒程度のキャリ
ア寿命時間を要する。一方、図２（Ｃ）の状態はキャリ
ア密度が定常状態より大きく増大しているため、擬フェ
ルミレベルが上昇し、擬フェルミレベル以下のエネルギ
ーの光に対しては利得を持つ。したがって、このとき信
号パルス光より波長の長い光（アシスト光）をさらに入
射すると誘導放出が生じる。この誘導放出に伴うキャリ
ア密度の減少は１００フェムト秒程度の応答速度を持つ
ので、図２（Ｄ）のようにキャリア密度が急激に減少
し、さらにバンド内緩和によって定常状態の熱平衡分布
｛図２（Ａ）｝に急速に戻る。このように誘導放出とバ
ンド内緩和の応答速度で、可飽和吸収素子は吸収回復を
達成することができる。
シスト光を照射することを特徴とする可飽和吸収素子の
吸収層の伝導帯の電子のエネルギー分布を時系列で示し
た模式図である。ここで、図１と図２における添字は、
それぞれ（Ａ）：信号パルス光が入射前、（Ｂ）：信号
パルス光入射時、（Ｃ）：信号パルス光立ち下がり直
後、（Ｄ）：アシスト光入射時の様子を表している。ま
ず、信号パルス光が入射前の定常状態においては、可飽
和吸収素子の吸収層の伝導帯には電子は少なく｛図２
（Ａ）｝、十分な吸収係数を持つ状態である｛図１
（ｂ）−（Ａ）｝。次に、信号パルス光が入射時には、
信号パルス光は吸収層で吸収され、信号パルス光に相当
するエネルギーの電子密度が急激に増加し｛図２
（Ｂ）｝、吸収係数は急激に低下する｛図１（ｂ）−
（Ｂ）｝。これはスペクトルホールバーニングと呼ばれ
るが、このスペクトルホールバーニングはバンド内遷移
によって熱平衡状態の分布に１００フェムト秒程度で緩
和し、図２（Ｃ）に示す分布となる。しかしこの時のキ
ャリア密度は信号パルス光が入射前のキャリア密度に比
べて増大したままで、吸収係数も低下したままである。
この増大したキャリア密度が信号パルス光が入射前の定
常キャリア密度に戻るには数１００ピコ秒程度のキャリ
ア寿命時間を要する。一方、図２（Ｃ）の状態はキャリ
ア密度が定常状態より大きく増大しているため、擬フェ
ルミレベルが上昇し、擬フェルミレベル以下のエネルギ
ーの光に対しては利得を持つ。したがって、このとき信
号パルス光より波長の長い光（アシスト光）をさらに入
射すると誘導放出が生じる。この誘導放出に伴うキャリ
ア密度の減少は１００フェムト秒程度の応答速度を持つ
ので、図２（Ｄ）のようにキャリア密度が急激に減少
し、さらにバンド内緩和によって定常状態の熱平衡分布
｛図２（Ａ）｝に急速に戻る。このように誘導放出とバ
ンド内緩和の応答速度で、可飽和吸収素子は吸収回復を
達成することができる。
【０００９】以上のように、一度吸収飽和状態になった
後、吸収率が元の値まで回復するのに要する時間は、従
来の可飽和吸収素子ではキャリア寿命時間で制限されて
いたが、本発明によればキャリア寿命時間以下にするこ
とができる。したがって、本発明により、光パルス幅が
ピコ秒程度に短い光信号パルス列の雑音除去や波形整形
を効果的に行なうことができる。
後、吸収率が元の値まで回復するのに要する時間は、従
来の可飽和吸収素子ではキャリア寿命時間で制限されて
いたが、本発明によればキャリア寿命時間以下にするこ
とができる。したがって、本発明により、光パルス幅が
ピコ秒程度に短い光信号パルス列の雑音除去や波形整形
を効果的に行なうことができる。
【００１０】以上では、本発明の原理ならびに従来技術
との相違点を明確に説明するため、アシスト光は信号パ
ルス光の直後にパルス状に照射する場合について説明し
たが、アシスト光は連続（ＣＷ）光として常時照射して
おいても同様の効果が得られる。図３は、可飽和吸収素
子に入射する信号パルス光強度と連続したアシスト光強
度の時間変化（ａ）および吸収係数の時間変化（ｂ）を
示した模式図である。
との相違点を明確に説明するため、アシスト光は信号パ
ルス光の直後にパルス状に照射する場合について説明し
たが、アシスト光は連続（ＣＷ）光として常時照射して
おいても同様の効果が得られる。図３は、可飽和吸収素
子に入射する信号パルス光強度と連続したアシスト光強
度の時間変化（ａ）および吸収係数の時間変化（ｂ）を
示した模式図である。
【００１１】図４は、アシスト光として連続光を照射し
た場合の本発明による可飽和吸収素子の吸収層の伝導帯
の電子のエネルギー分布を示した模式図である。この場
合、定常状態｛図４（Ａ）｝においてもアシスト光によ
る吸収のため、吸収層におけるキャリア密度は光を照射
しない状態｛図２（Ａ）｝に比べて増加しているが、ア
シスト光のエネルギーは信号パルス光のエネルギーより
小さいため、信号パルス光に対しては吸収飽和は起こし
ていない。したがって、図４（Ｂ），（Ｃ）に示すよう
に、信号パルス光が入射時には信号パルス光が吸収さ
れ、スペクトルホールバーニングが生じ、その後、バン
ド内遷移によって熱平衡状態の分布に１００フェムト秒
程度で緩和するのは、アシスト光が照射されていない場
合とほぼ同様である。このとき、擬フェルミレベルがア
シスト光のエネルギー以上に上昇するが、アシスト光に
よる誘導放出のため、図４（Ｄ）のようにキャリア密度
が急激に減少し、さらにバンド内緩和によって定常状態
の熱平衡分布｛図４（Ａ）｝に戻る。この誘導放出に伴
うキャリア密度の減少は１００フェムト秒程度の応答速
度を持ち、この応答速度で、可飽和吸収素子は吸収回復
することができる。このときの可飽和吸収素子の吸収係
数の時間変化を示したのが図３（ｂ）である。
た場合の本発明による可飽和吸収素子の吸収層の伝導帯
の電子のエネルギー分布を示した模式図である。この場
合、定常状態｛図４（Ａ）｝においてもアシスト光によ
る吸収のため、吸収層におけるキャリア密度は光を照射
しない状態｛図２（Ａ）｝に比べて増加しているが、ア
シスト光のエネルギーは信号パルス光のエネルギーより
小さいため、信号パルス光に対しては吸収飽和は起こし
ていない。したがって、図４（Ｂ），（Ｃ）に示すよう
に、信号パルス光が入射時には信号パルス光が吸収さ
れ、スペクトルホールバーニングが生じ、その後、バン
ド内遷移によって熱平衡状態の分布に１００フェムト秒
程度で緩和するのは、アシスト光が照射されていない場
合とほぼ同様である。このとき、擬フェルミレベルがア
シスト光のエネルギー以上に上昇するが、アシスト光に
よる誘導放出のため、図４（Ｄ）のようにキャリア密度
が急激に減少し、さらにバンド内緩和によって定常状態
の熱平衡分布｛図４（Ａ）｝に戻る。この誘導放出に伴
うキャリア密度の減少は１００フェムト秒程度の応答速
度を持ち、この応答速度で、可飽和吸収素子は吸収回復
することができる。このときの可飽和吸収素子の吸収係
数の時間変化を示したのが図３（ｂ）である。
【００１２】このように、本発明により光パルス幅がピ
コ秒程度に短い光信号パルス列の雑音除去や波形整形を
効果的に行なうことができる。この様子を模式的に示し
たのが図５である。図５（ａ）は、実際の入力信号波形
を表したものであり、信号パルス光に雑音成分が重畳し
ている。図５（ｂ）は従来の可飽和吸収素子の出力信号
波形を表したものであり、信号パルス光が入力する前の
雑音は除去するが、信号パルス光の直後は吸収率が回復
しないため、雑音は除去できない。一方、図５（ｃ）は
本発明によるアシスト光を照射した可飽和吸収素子の出
力信号であり、パルスの前後の雑音は完全に除去された
ような状態になる。また、信号パルス光の裾の部分も吸
収され、波形整形をほぼ完全に行うことができる。以上
が、本発明の原理および作用である。
コ秒程度に短い光信号パルス列の雑音除去や波形整形を
効果的に行なうことができる。この様子を模式的に示し
たのが図５である。図５（ａ）は、実際の入力信号波形
を表したものであり、信号パルス光に雑音成分が重畳し
ている。図５（ｂ）は従来の可飽和吸収素子の出力信号
波形を表したものであり、信号パルス光が入力する前の
雑音は除去するが、信号パルス光の直後は吸収率が回復
しないため、雑音は除去できない。一方、図５（ｃ）は
本発明によるアシスト光を照射した可飽和吸収素子の出
力信号であり、パルスの前後の雑音は完全に除去された
ような状態になる。また、信号パルス光の裾の部分も吸
収され、波形整形をほぼ完全に行うことができる。以上
が、本発明の原理および作用である。
【００１３】
【実施例１】以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
図６は本発明の実施例である光パルス波形整形装置の構
成を模式図で示したものである。禁制帯幅が入力信号光
のエネルギーより小さい吸収層と該吸収層の禁制帯幅よ
りも大なる禁制帯幅を有する半導体層で該吸収層を挟ん
だ多重ヘテロ構造の半導体可飽和吸収素子１１に、入力
信号パルス光１と半導体レーザ１２から発生されたアシ
スト光２が光カップラ１３で合波され入射される。可飽
和吸収素子１１からの出射光は、信号パルス光のみを通
すバンドパスフィルタ１４によってフィルタリングされ
出力信号パルス光３となる。信号パルス光は、波長が
１．５５μｍ、ビットレートが１０Ｇｂｐｓ、パルス幅
が２０ｐｓの光ソリトン波（平均レベル０ｄＢｍ）であ
る。実際の入力信号は、入力信号パルス光１に雑音成分
が重畳しており、雑音レベルはパルス光の尖頭レベルに
対してー１５ｄＢのレベルにある。アシスト光２は信号
パルス光のエネルギーより１０ｍｅＶ小さい波長１．５
７μｍのＣＷ光（ー７ｄＢｍ）を半導体レーザ１２より
発生させ、光ファイバ、光カップラ１３を通して信号パ
ルス光１と合波し、可飽和吸収素子１１に入力する。可
飽和吸収素子１１は禁制帯幅波長が（１．５８μｍ）の
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ１０層の多重量子井戸で
吸収層が形成されている導波路型素子で、素子長２００
μｍである。両端面は反射防止膜がコーティングされて
いる。
図６は本発明の実施例である光パルス波形整形装置の構
成を模式図で示したものである。禁制帯幅が入力信号光
のエネルギーより小さい吸収層と該吸収層の禁制帯幅よ
りも大なる禁制帯幅を有する半導体層で該吸収層を挟ん
だ多重ヘテロ構造の半導体可飽和吸収素子１１に、入力
信号パルス光１と半導体レーザ１２から発生されたアシ
スト光２が光カップラ１３で合波され入射される。可飽
和吸収素子１１からの出射光は、信号パルス光のみを通
すバンドパスフィルタ１４によってフィルタリングされ
出力信号パルス光３となる。信号パルス光は、波長が
１．５５μｍ、ビットレートが１０Ｇｂｐｓ、パルス幅
が２０ｐｓの光ソリトン波（平均レベル０ｄＢｍ）であ
る。実際の入力信号は、入力信号パルス光１に雑音成分
が重畳しており、雑音レベルはパルス光の尖頭レベルに
対してー１５ｄＢのレベルにある。アシスト光２は信号
パルス光のエネルギーより１０ｍｅＶ小さい波長１．５
７μｍのＣＷ光（ー７ｄＢｍ）を半導体レーザ１２より
発生させ、光ファイバ、光カップラ１３を通して信号パ
ルス光１と合波し、可飽和吸収素子１１に入力する。可
飽和吸収素子１１は禁制帯幅波長が（１．５８μｍ）の
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ１０層の多重量子井戸で
吸収層が形成されている導波路型素子で、素子長２００
μｍである。両端面は反射防止膜がコーティングされて
いる。
【００１４】以下に、これらの合波された光が入射され
た可飽和吸収素子１１中で時間とともに変化する吸収率
について説明する。入射光の時間変化は図３に示したも
のと同一である。まず、信号パルス光１が入る前、すな
わち（Ａ）の状態では、アシスト光２による吸収が定常
的に生じているが、アシスト光２より波長の短い信号光
に重畳されている低レベルの雑音成分は可飽和吸収素子
１１によって十分吸収される。これが、雑音除去機能で
ある。次に、信号パルス光１の立ち上がりにおいては光
強度が大きくなったところ（Ｂ）で可飽和吸収素子１１
の吸収係数は低下し、信号パルス光１は透過するように
なる。このとき、光強度が小さい光パルスの裾は十分吸
収されるため、透過パルスの立ち上がりは、入力信号パ
ルス光１に比べて急峻となる。これが、波形整形機能で
ある。次に、光パルスの立ち下がり直後（Ｃ）は、吸収
飽和状態になった可飽和吸収素子１１の吸収係数は低下
したままであるので、パルス立ち下がり部は透過する。
その後（Ｄ）、残存キャリアがアシスト光２による誘導
放出によって急激に減少し、吸収率が回復する。その結
果、入力信号パルス光１に重畳されている雑音成分は再
び吸収されることになる。可飽和吸収素子１１からは入
力信号パルス光１とアシスト光２の２波長の光が出力さ
れるため、バンドパスフィルタ１４によって、信号パル
ス光のみを選択する。その結果、最終的な出力信号パル
ス３は、アシスト光成分を含まない信号パルス光が得ら
れた。また、雑音レベルは、パルス光の尖頭レベルに対
して−２２ｄＢとなり、入力信号パルス光１に比べて７
ｄＢ低下させることができた。
た可飽和吸収素子１１中で時間とともに変化する吸収率
について説明する。入射光の時間変化は図３に示したも
のと同一である。まず、信号パルス光１が入る前、すな
わち（Ａ）の状態では、アシスト光２による吸収が定常
的に生じているが、アシスト光２より波長の短い信号光
に重畳されている低レベルの雑音成分は可飽和吸収素子
１１によって十分吸収される。これが、雑音除去機能で
ある。次に、信号パルス光１の立ち上がりにおいては光
強度が大きくなったところ（Ｂ）で可飽和吸収素子１１
の吸収係数は低下し、信号パルス光１は透過するように
なる。このとき、光強度が小さい光パルスの裾は十分吸
収されるため、透過パルスの立ち上がりは、入力信号パ
ルス光１に比べて急峻となる。これが、波形整形機能で
ある。次に、光パルスの立ち下がり直後（Ｃ）は、吸収
飽和状態になった可飽和吸収素子１１の吸収係数は低下
したままであるので、パルス立ち下がり部は透過する。
その後（Ｄ）、残存キャリアがアシスト光２による誘導
放出によって急激に減少し、吸収率が回復する。その結
果、入力信号パルス光１に重畳されている雑音成分は再
び吸収されることになる。可飽和吸収素子１１からは入
力信号パルス光１とアシスト光２の２波長の光が出力さ
れるため、バンドパスフィルタ１４によって、信号パル
ス光のみを選択する。その結果、最終的な出力信号パル
ス３は、アシスト光成分を含まない信号パルス光が得ら
れた。また、雑音レベルは、パルス光の尖頭レベルに対
して−２２ｄＢとなり、入力信号パルス光１に比べて７
ｄＢ低下させることができた。
【００１５】本発明の構成によれば、可飽和吸収素子の
吸収率の回復はピコ秒程度であり、光パルス幅がピコ秒
程度に短い光信号パルス列の雑音除去や波形整形を効果
的に行なうことができる。さらに、本発明による短光パ
ルス波形整形装置で、３０ｋｍ間隔で光増幅器を配した
全長９０００ｋｍの２０Ｇｂｐｓソリトン伝送実験にお
いて、各光増幅器の後ろに挿入したところ、受信端での
信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）は短光パルス波形整形装置を用
いない場合と比べて、３ｄＢ向上した。その結果、ビッ
ト誤り率を１０-15 から１０-22 と飛躍的に向上させる
ことができた。
吸収率の回復はピコ秒程度であり、光パルス幅がピコ秒
程度に短い光信号パルス列の雑音除去や波形整形を効果
的に行なうことができる。さらに、本発明による短光パ
ルス波形整形装置で、３０ｋｍ間隔で光増幅器を配した
全長９０００ｋｍの２０Ｇｂｐｓソリトン伝送実験にお
いて、各光増幅器の後ろに挿入したところ、受信端での
信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）は短光パルス波形整形装置を用
いない場合と比べて、３ｄＢ向上した。その結果、ビッ
ト誤り率を１０-15 から１０-22 と飛躍的に向上させる
ことができた。
【００１６】
【実施例２】図７は本発明による第２の実施例である光
パルス波形整形装置の構成を模式図で示したものであ
る。アシスト光の照射方法が異なる以外は、第１の実施
例と同一の構成である。ここで、アシスト光４は１．５
７μｍの半導体レーザアレイ１５を光源とし、レンズで
集光し可飽和吸収素子１１の吸収層に素子上部より照射
する。この場合、実施例１のように信号パルス光と合波
する必要はなくなる。本実施例の作用や効果は第１の実
施例の場合と同じである。
パルス波形整形装置の構成を模式図で示したものであ
る。アシスト光の照射方法が異なる以外は、第１の実施
例と同一の構成である。ここで、アシスト光４は１．５
７μｍの半導体レーザアレイ１５を光源とし、レンズで
集光し可飽和吸収素子１１の吸収層に素子上部より照射
する。この場合、実施例１のように信号パルス光と合波
する必要はなくなる。本実施例の作用や効果は第１の実
施例の場合と同じである。
【００１７】
【実施例３】図８は本発明による第３の実施例における
光パルス波形整形装置の構成図を模式図的に示したもの
である。半導体可飽和吸収素子１１に電流を注入できる
ように直流電源１６が接続されていること以外は第１の
実施例と同一の構成である。ここで、半導体可飽和吸収
素子１１には５ｍＡの直流電流を流している。この場
合、信号光が入射していなくても電流注入によるキャリ
ア増加によりアシスト光に対して誘導放出が生じてお
り、入射信号光の吸収によって生じた過剰キャリアは第
１の実施例（電流注入を行わない例）より速く誘導再結
合により消失し、吸収回復が達成される。
光パルス波形整形装置の構成図を模式図的に示したもの
である。半導体可飽和吸収素子１１に電流を注入できる
ように直流電源１６が接続されていること以外は第１の
実施例と同一の構成である。ここで、半導体可飽和吸収
素子１１には５ｍＡの直流電流を流している。この場
合、信号光が入射していなくても電流注入によるキャリ
ア増加によりアシスト光に対して誘導放出が生じてお
り、入射信号光の吸収によって生じた過剰キャリアは第
１の実施例（電流注入を行わない例）より速く誘導再結
合により消失し、吸収回復が達成される。
【００１８】本実施例で、波長１．５５μｍ，１００ｆ
ｓのパルス幅をもつ光パルスを用いたポンプ・プローブ
測定を行って得られた吸収係数の時間変化を図９に示
す。アシスト光波長は１．５７５μｍである。吸収回復
時間は少なくとも測定系の分解能で制限される５００ｆ
ｓ以下で達成されていることがわかる。
ｓのパルス幅をもつ光パルスを用いたポンプ・プローブ
測定を行って得られた吸収係数の時間変化を図９に示
す。アシスト光波長は１．５７５μｍである。吸収回復
時間は少なくとも測定系の分解能で制限される５００ｆ
ｓ以下で達成されていることがわかる。
【００１９】図１０は可飽和吸収素子の吸収層の伝導帯
の電子分布を示した模式図である。前述したように、信
号光パルス１が入る前、すなわち（Ａ）の状態において
も、可飽和吸収素子１１の吸収量は電流注入によるキャ
リア増加によって電子および正孔の擬フェルミレベルが
上昇する。さらに、両擬フェルミエネルギーの差がアシ
スト光のエネルギーを越えるまで上昇すると誘導放出が
生じることとなる。〔図１０（Ａ）〕。このとき、アシ
スト光２より波長の短い信号光に重畳されている低レベ
ルの雑音成分は可飽和吸収素子１１によって十分吸収さ
れるのは実施例１と同様である。次に、信号パルス光１
の立ち上がりにおいては光強度が大きくなったところ
（Ｂ）で可飽和吸収素子１１が吸収飽和となり、光パル
スが透過することも実施例１と同様である。ここで、信
号パルス光によって生成した過剰キャリアは信号パルス
光より低いエネルギー光であるアシスト光の誘導放出に
よって急激に減少し、吸収率が回復する。実施例１との
違いは、アシスト光の誘導放出が常時起こっているため
吸収回復が数１００ｆｓ以下と非常に速く達成されるこ
とである。
の電子分布を示した模式図である。前述したように、信
号光パルス１が入る前、すなわち（Ａ）の状態において
も、可飽和吸収素子１１の吸収量は電流注入によるキャ
リア増加によって電子および正孔の擬フェルミレベルが
上昇する。さらに、両擬フェルミエネルギーの差がアシ
スト光のエネルギーを越えるまで上昇すると誘導放出が
生じることとなる。〔図１０（Ａ）〕。このとき、アシ
スト光２より波長の短い信号光に重畳されている低レベ
ルの雑音成分は可飽和吸収素子１１によって十分吸収さ
れるのは実施例１と同様である。次に、信号パルス光１
の立ち上がりにおいては光強度が大きくなったところ
（Ｂ）で可飽和吸収素子１１が吸収飽和となり、光パル
スが透過することも実施例１と同様である。ここで、信
号パルス光によって生成した過剰キャリアは信号パルス
光より低いエネルギー光であるアシスト光の誘導放出に
よって急激に減少し、吸収率が回復する。実施例１との
違いは、アシスト光の誘導放出が常時起こっているため
吸収回復が数１００ｆｓ以下と非常に速く達成されるこ
とである。
【００２０】以上の実施例では、可飽和吸収素子の吸収
層に一般的な多重量子井戸構造を用いたが、本発明は可
飽和吸収素子の構造に依存することなく、あらゆる種類
の可飽和吸収素子に応用することが可能である。たとえ
ば、井戸層厚を交互に変化させ積層した多重量子井戸構
造や、量子井戸構造や量子細線、量子箱といった低次元
量子構造を吸収層とした可飽和吸収素子を用いることが
できる。また、実施例では導波路型構造の例を用いた
が、面型構造を用いることもできる。さらに、可飽和吸
収素子の材料として１．５μｍ帯ＩｎＧａＡｓＰ系半導
体を用いたが、その他のIII-V 系半導体、II-VI 系半導
体にも簡単に応用できる。これら半導体材料は格子整合
系のみならず、格子不整合の材料を用いることもでき
る。光信号波長も現在光伝送及び光交換等で広く用いら
れている０．８ミクロン帯や、１．３μｍ，１．５μｍ
帯の他、それらの半導体で吸収及び増幅が可能な波長帯
であれば任意の波長帯で、本発明を適用することが可能
である。また、アシスト光の波長は、入力信号パルス光
より波長が長く、かつ入力信号パルス光により可飽和吸
収素子内に発生した伝導帯の電子および価電子帯の正孔
によって上昇した電子および正孔の擬フェルミレベル間
のエネルギーに対応する光の波長より長く、さらに禁制
帯幅で規定されるバンド端のエネルギー波長より短い波
長であるようにすることができる。さらに、アシスト光
の強度は、このアシスト光の入射によって該可飽和吸収
素子の励起状態にある電子および正孔の擬フェルミレベ
ルを下降させる光強度であるようにすることができる。
また、第２の実施例で示したようにアシスト光は信号パ
ルス光と独立に照射することが可能で、可飽和吸収素子
の出力側や、横から照射してもよい。
層に一般的な多重量子井戸構造を用いたが、本発明は可
飽和吸収素子の構造に依存することなく、あらゆる種類
の可飽和吸収素子に応用することが可能である。たとえ
ば、井戸層厚を交互に変化させ積層した多重量子井戸構
造や、量子井戸構造や量子細線、量子箱といった低次元
量子構造を吸収層とした可飽和吸収素子を用いることが
できる。また、実施例では導波路型構造の例を用いた
が、面型構造を用いることもできる。さらに、可飽和吸
収素子の材料として１．５μｍ帯ＩｎＧａＡｓＰ系半導
体を用いたが、その他のIII-V 系半導体、II-VI 系半導
体にも簡単に応用できる。これら半導体材料は格子整合
系のみならず、格子不整合の材料を用いることもでき
る。光信号波長も現在光伝送及び光交換等で広く用いら
れている０．８ミクロン帯や、１．３μｍ，１．５μｍ
帯の他、それらの半導体で吸収及び増幅が可能な波長帯
であれば任意の波長帯で、本発明を適用することが可能
である。また、アシスト光の波長は、入力信号パルス光
より波長が長く、かつ入力信号パルス光により可飽和吸
収素子内に発生した伝導帯の電子および価電子帯の正孔
によって上昇した電子および正孔の擬フェルミレベル間
のエネルギーに対応する光の波長より長く、さらに禁制
帯幅で規定されるバンド端のエネルギー波長より短い波
長であるようにすることができる。さらに、アシスト光
の強度は、このアシスト光の入射によって該可飽和吸収
素子の励起状態にある電子および正孔の擬フェルミレベ
ルを下降させる光強度であるようにすることができる。
また、第２の実施例で示したようにアシスト光は信号パ
ルス光と独立に照射することが可能で、可飽和吸収素子
の出力側や、横から照射してもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、一度吸収飽
和状態になった後、吸収率が元の値まで回復するのに要
する時間は、従来の可飽和吸収素子ではキャリア寿命時
間で制限され、数１００ピコ秒程度であった。本発明に
よればキャリア寿命時間を大きく下まわる１００フェム
ト秒程度にすることができる。したがって、本発明によ
り光パルス幅がピコ秒程度に短い光信号パルス列の雑音
除去や波形整形を完全に行なうことができ、実用的効果
は大きい。
和状態になった後、吸収率が元の値まで回復するのに要
する時間は、従来の可飽和吸収素子ではキャリア寿命時
間で制限され、数１００ピコ秒程度であった。本発明に
よればキャリア寿命時間を大きく下まわる１００フェム
ト秒程度にすることができる。したがって、本発明によ
り光パルス幅がピコ秒程度に短い光信号パルス列の雑音
除去や波形整形を完全に行なうことができ、実用的効果
は大きい。
【図１】本発明により可飽和吸収素子に入射する信号パ
ルス光強度と信号パルス光より波長の長い別の光（アシ
スト光）の強度の時間変化（ａ）および可飽和吸収素子
の吸収係数の時間変化（ｂ）を示した模式図である。
ルス光強度と信号パルス光より波長の長い別の光（アシ
スト光）の強度の時間変化（ａ）および可飽和吸収素子
の吸収係数の時間変化（ｂ）を示した模式図である。
【図２】本発明により信号パルス光とアシスト光を照射
する可飽和吸収素子の吸収層の伝導帯の電子のエネルギ
ー分布を時系列で示した模式図である。
する可飽和吸収素子の吸収層の伝導帯の電子のエネルギ
ー分布を時系列で示した模式図である。
【図３】本発明によりＣＷアシスト光を照射した場合の
可飽和吸収素子に入射する信号パルス光強度とアシスト
光強度の時間変化（ａ）および可飽和吸収素子の吸収係
数の時間変化（ｂ）を示した模式図である。
可飽和吸収素子に入射する信号パルス光強度とアシスト
光強度の時間変化（ａ）および可飽和吸収素子の吸収係
数の時間変化（ｂ）を示した模式図である。
【図４】本発明によりＣＷアシスト光を照射した場合の
可飽和吸収素子の吸収層の伝導帯の電子のエネルギー分
布を時系列で示した模式図である。
可飽和吸収素子の吸収層の伝導帯の電子のエネルギー分
布を時系列で示した模式図である。
【図５】雑音の重畳した信号を従来の可飽和吸収素子と
本発明による可飽和吸収素子に入力したときの出力信号
波形を示した模式図である。
本発明による可飽和吸収素子に入力したときの出力信号
波形を示した模式図である。
【図６】本発明による第１の実施例の構成を示す模式図
である。
である。
【図７】本発明による第２の実施例の構成を示す模式図
である。
である。
【図８】本発明による第３の実施例の構成を示す模式図
である。
である。
【図９】図８の実施例における吸収係数の時間変化を示
す波形図である。
す波形図である。
【図１０】図８の実施例における吸収層の伝導帯の電子
分布を示した模式図である。
分布を示した模式図である。
【図１１】従来の可飽和吸収素子に入射する信号パルス
光強度の時間変化特性図（ａ）、および吸収係数の時間
変化特性図（ｂ）である。
光強度の時間変化特性図（ａ）、および吸収係数の時間
変化特性図（ｂ）である。
１ 入力信号パルス
２ アシスト光
３ 出力信号パルス
４ アシスト光
５ 出力信号パルス
１１ 可飽和吸収素子
１２ 半導体レーザ
１３ 光カップラ
１４ バンドパスフィルタ
１５ 半導体レーザアレイ
１６ 直流電源
フロントページの続き
(56)参考文献 Ｊ．Ｄｕｂａｒｄ ｅｔ ａｌ，Ｕｌ
ｔｒａｆａｓｔ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ
ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｄｕｅ ｔｏ ｓ
ｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ
ｉｎ ＧａＡｓ／ＡｉＧａＡｓ ｍｕ
ｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌ
ｌｓ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ，1987年 ３月30日,
ｖｏ．150，ｎｏ．13，Ｐ821−823
Ｎ．Ｎ Ａｇｅｅｖａ ｅｔ ａｌ,
Ｔｈｅ Ｒｅｖｅｒｓｉｂｌｅ Ｔｈｒ
ｅｓｈｏｌｄ Ｂｌｅａｃｈｉｎｇ ｉ
ｎ Ｇａｌｌｉｕｍ Ａｒｓｅｎｉｄｅ
Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｕｎｄｅｒ Ｉｒ
ｒａｄｉａｔｉｏｎ，ＩＣＯＮＯ’91
Ｍｏｄｅ−Ｌｏｃｋｅｄ Ｌａｓｅｒｓ
ａｎｄ Ｕｌｔｒａｆａｓｔ Ｐｈｅ
ｎｏｍｅｎａ，1991年 ９月24日，ｖｏ
ｌ．1842，Ｐ．70−82
Ｎ．Ｐｅｙｇｈａｍｂａｒｉａｎ,
Ｓ．Ｗ．Ｋｏｃｈ，Ｆｅｍｔｏｓｅｃｏ
ｎｄ ａｎｄ ｃｏｈｅｒｅｎｔ ｅｆ
ｆｅｃｔｓ ｉｎ ｂｕｌｋ ＣｄＳｅ
ａｎｄ ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ ｄｏｐ
ｅｄ ｇｌａｓｓｅｓ，Ｒｅｖｕｅ ｄ
ｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ Ａｐｐｌｉｑｕ
ｅｅ，1987年12月，ｖｏｌ．22，ｎｏ.
12，Ｐ1711−1715
Ａ．Ｐ．Ａｌｖｉｓａｔｏｓ ｅｔ
ａｌ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｔａｔ
ｅｓ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ ｃｌｕｓｔｅｒｓ：Ｈｏｍｏｇｅｎ
ｅｏｕｓ ａｎｄ ｉｎｈｏｏｇｅｎｅ
ｏｕｓ ｂｒｏａｄｅｎｉｎｇ，Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ，1988年10月 １日，ｖｏ
ｌ89，ｎｏ．７，Ｐ4001−4011
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/29 - 7/00
Claims (10)
- 【請求項１】 可飽和吸収素子と、短光パルスよりなる
入力信号パルス光を該可飽和吸収素子に入射させる手段
と、該入力信号パルス光によって該可飽和吸収素子内に
生成された励起状態にある電子の消滅を誘導放出により
促進させるために該入力信号パルス光の波長より長い波
長の第２の光を該可飽和吸収素子に入射させる手段と、
該可飽和吸収素子から波形整形された該入力信号パルス
光を取り出す手段とを備えた短光パルス波形整形装置。 - 【請求項２】 前記第２の光がパルス光であることを特
徴とする請求項１に記載の短光パルス波形整形装置。 - 【請求項３】 前記第２の光が連続光であることを特徴
とする請求項１に記載の短光パルス波形整形装置。 - 【請求項４】 該可飽和吸収素子が半導体可飽和吸収素
子であることを特徴とする請求項１に記載の短光パルス
波形整形装置。 - 【請求項５】 該可飽和吸収素子が半導体可飽和吸収素
子であり、前記第２の光の波長が、該入力信号パルス光
より波長が長く、かつ該入力信号パルス光により該可飽
和吸収素子内に発生した伝導帯の電子および価電子帯の
正孔によって上昇した電子および正孔の擬フェルミレベ
ル間のエネルギーに対応する光の波長より長く、さらに
禁制帯幅で規定されるバンド端のエネルギー波長より短
い波長であることを特徴とする請求項１に記載の短光パ
ルス波形整形装置。 - 【請求項６】 該可飽和吸収素子が半導体可飽和吸収素
子であり、 前記第２の光の強度が、該第２の光の入射によって該可
飽和吸収素子の励起状態にある電子および正孔の擬フェ
ルミレベルを下降させる光強度であることを特徴とする
請求項１に記載の短光パルス波形整形装置。 - 【請求項７】 該可飽和吸収素子が半導体可飽和吸収素
子であり、 該入力信号パルス光を該可飽和吸収素子に入射させる手
段および該第２の光を該可飽和吸収素子に入射させる手
段とが一つの光カップラにより構成され、該カップラに
該入力信号と該第２の光を入射し、該カップラの出射光
を該可飽和吸収素子に入射させるように構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の短光パルス波形整形
装置。 - 【請求項８】 該可飽和吸収素子が面型の半導体可飽和
吸収素子であり、該入力信号パルス光と該第２の光が２
方向から該可飽和吸収素子へ入射されるように構成され
たことを特徴とする請求項１に記載の短光パルス波形整
形装置。 - 【請求項９】 該可飽和吸収素子から波形整形された該
入力信号パルス光を取り出す手段には、該可飽和吸収素
子から出射する該入力信号パルス光と該第２の光とから
該入力信号パルス光のみを分離して取り出すための光フ
ィルタを有することを特徴とする請求項１に記載の短光
パルス波形整形装置。 - 【請求項１０】 前記可飽和吸収素子に電流を注入させ
る手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至９のいず
れかに記載の短光パルス波形整形装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04407496A JP3429942B2 (ja) | 1995-05-24 | 1996-02-07 | 短光パルス波形整形装置 |
| US08/653,662 US5805327A (en) | 1995-05-24 | 1996-05-21 | Reshaping device for optical short pulses |
| DE69614312T DE69614312T2 (de) | 1995-05-24 | 1996-05-24 | Vorrichtung zur Regenerierung von kurzen optischen Pulsen |
| EP96303762A EP0744649B1 (en) | 1995-05-24 | 1996-05-24 | Reshaping device for optical short pulses |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14838295 | 1995-05-24 | ||
| JP7-148382 | 1995-05-24 | ||
| JP04407496A JP3429942B2 (ja) | 1995-05-24 | 1996-02-07 | 短光パルス波形整形装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0943646A JPH0943646A (ja) | 1997-02-14 |
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Family
ID=26383923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04407496A Expired - Fee Related JP3429942B2 (ja) | 1995-05-24 | 1996-02-07 | 短光パルス波形整形装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5805327A (ja) |
| EP (1) | EP0744649B1 (ja) |
| JP (1) | JP3429942B2 (ja) |
| DE (1) | DE69614312T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| EP0744648A1 (en) * | 1995-05-25 | 1996-11-27 | Hitachi Europe Limited | Apparatus and method for coherently controlling an optical transition |
| JPH09243462A (ja) * | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Advantest Corp | 短パルス光の強度波形の測定方法と位相波形の再生方法 |
| JPH09326528A (ja) * | 1996-06-05 | 1997-12-16 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 短光パルス波形整形装置 |
| FR2764451B1 (fr) * | 1997-06-05 | 1999-07-30 | Alsthom Cge Alcatel | Systeme de transmission a fibre optique a signaux solitons, a multiplexage de longueur d'onde et a absorbants saturables |
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| JP3055618B2 (ja) * | 1998-03-13 | 2000-06-26 | 日本電気株式会社 | 光再生回路と光再生装置および光再生回路を用いた光伝送システム |
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| JP2005070698A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | National Institute Of Information & Communication Technology | 光パルス分離装置 |
| JP3762997B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2006-04-05 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 光パルス分離装置及び方法 |
| ITMI20042312A1 (it) * | 2004-12-01 | 2005-03-01 | Marconi Comm Spa | Multiplexer con add-drop ottico |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5175739A (en) * | 1988-09-09 | 1992-12-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical device having a non-linear operational characteristic |
| JP2678698B2 (ja) * | 1991-08-15 | 1997-11-17 | 国際電信電話株式会社 | 半導体光機能素子 |
-
1996
- 1996-02-07 JP JP04407496A patent/JP3429942B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-21 US US08/653,662 patent/US5805327A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-24 EP EP96303762A patent/EP0744649B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-24 DE DE69614312T patent/DE69614312T2/de not_active Expired - Fee Related
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|---|
| Ａ．Ｐ．Ａｌｖｉｓａｔｏｓ ｅｔ ａｌ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｔａｔｅｓ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｃｌｕｓｔｅｒｓ：Ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ ａｎｄ ｉｎｈｏｏｇｅｎｅｏｕｓ ｂｒｏａｄｅｎｉｎｇ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ，１９８８年１０月 １日，ｖｏｌ８９，ｎｏ．７，Ｐ４００１−４０１１ |
| Ｊ．Ｄｕｂａｒｄ ｅｔ ａｌ，Ｕｌｔｒａｆａｓｔ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｄｕｅ ｔｏ ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｉｎ ＧａＡｓ／ＡｉＧａＡｓ ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌｓ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９８７年 ３月３０日，ｖｏ．１５０，ｎｏ．１３，Ｐ８２１−８２３ |
| Ｎ．Ｎ Ａｇｅｅｖａ ｅｔ ａｌ，Ｔｈｅ Ｒｅｖｅｒｓｉｂｌｅ Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ Ｂｌｅａｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｇａｌｌｉｕｍ Ａｒｓｅｎｉｄｅ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｕｎｄｅｒ Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ，ＩＣＯＮＯ’９１ Ｍｏｄｅ−Ｌｏｃｋｅｄ Ｌａｓｅｒｓ ａｎｄ Ｕｌｔｒａｆａｓｔ Ｐｈｅｎｏｍｅｎａ，１９９１年 ９月２４日，ｖｏｌ．１８４２，Ｐ．７０−８２ |
| Ｎ．Ｐｅｙｇｈａｍｂａｒｉａｎ，Ｓ．Ｗ．Ｋｏｃｈ，Ｆｅｍｔｏｓｅｃｏｎｄ ａｎｄ ｃｏｈｅｒｅｎｔ ｅｆｆｅｃｔｓ ｉｎ ｂｕｌｋ ＣｄＳｅ ａｎｄ ＣｄＳｅｘＳ１−ｘ ｄｏｐｅｄ ｇｌａｓｓｅｓ，Ｒｅｖｕｅ ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ Ａｐｐｌｉｑｕｅｅ，１９８７年１２月，ｖｏｌ．２２，ｎｏ．１２，Ｐ１７１１−１７１５ |
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| Publication number | Publication date |
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| EP0744649A3 (en) | 1997-09-03 |
| US5805327A (en) | 1998-09-08 |
| JPH0943646A (ja) | 1997-02-14 |
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| EP0744649B1 (en) | 2001-08-08 |
| DE69614312T2 (de) | 2002-05-02 |
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