JP3424345B2 - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は例えばレーザプリンタの
画像形成に使用されるレーザビームを出力するための半
導体レーザ駆動装置に係わり、詳細には高速でレーザビ
ームを駆動することのできる半導体レーザ駆動装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】例えばレーザプリンタ等の画像形成装置
では、感光体ドラム等の感光体表面に予め電荷を一様に
付与させておき、画像に応じて変調されたレーザビーム
を走査して静電潜像の形成を行うようになっている。そ
して、この静電潜像を現像装置によって現像して画像の
濃淡に対応したトナー像を作成し、用紙に転写すること
で記録画を作成している。

【０００３】このような画像形成装置に使用される半導
体レーザ駆動装置は、レーザビームの光量が安定してい
ることが必要である。電源電圧の変動等によって光量が
変動すれば、その部分で画像の濃度が変化してしまい、
画質に大きな影響を与えてしまうからである。

【０００４】そこで、実公平５−４１５６８号公報で
は、レーザビームを発生する半導体レーザの駆動電流を
定電流回路によって制御すると共に、この定電流回路
が、この定電流回路の出力に応じた電流が流れるアース
接地された抵抗部材の発生電圧を入力して定電流を出力
するような構成となった半導体レーザ駆動装置を開示し
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体レー
ザ駆動装置にはその光量の安定化という要請と共にレー
ザビームの高速化という要請もある。特に最近では大型
の画像形成装置ではＡ０判やＡ１判といった大きなサイ
ズの用紙に高解像度で画像の記録を行っており、しかも
その記録に高速性が要求されている。実公平５−４１５
６８号公報で提案されたような従来の半導体レーザ駆動
装置では、レーザダイオードを駆動するための信号入力
段での応答性が必ずしも十分ではなく、記録の高速化を
図ることが困難であった。

【０００６】そこで本発明の第１の目的は、レーザビー
ムを使用し、しかも高速で画像の形成を行うことのでき
る半導体レーザ駆動装置を提供することにある。

【０００７】本発明の第２の目的は、高速で画像の形成
を行い、しかもレーザビームの光量の安定化を図ること
のできる半導体レーザ駆動装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、（イ）レーザビームのオン・オフ制御を行わせるレ
ーザ点灯信号を入力するＥＣＬ差動レシーバと、（ロ）
このＥＣＬ差動レシーバの出力をベースに印加するトラ
ンジスタからなり、ＥＣＬ差動レシーバの出力側に現わ
れるレーザビームのオン・オフに対応した電圧変化によ
って半導体レーザのオン・オフ制御を行うスイッチ手段
と、（ハ）半導体レーザの光量を指示するための電圧を
トランジスタがオン・オフ動作を行う電圧だけアース電
位から予めシフトさせた電圧を基準として入力し、この
電圧に応じてスイッチ手段に所定の光量に対応する電流
を供給する定電流回路とを半導体レーザ駆動装置に具備
させる。

【０００９】すなわち請求項１記載の発明では、ＥＣＬ
(Emitter Coupled Logic) 差動レシーバにレーザ点灯信
号を入力させることで、従来に比して半導体レーザ駆動
装置の応答性を向上させている。また、レーザ点灯信号
をＥＣＬ差動レシーバに入力させた後、これをトランジ
スタによって構成されるスイッチ手段のベースに直接供
給することで半導体レーザ駆動装置の応答性を更に良く
している。トランジスタがオン・オフ動作を行う電圧だ
けアース電位から予めシフトさせた電圧を半導体レーザ
の光量を指示するための電圧を基準として入力すること
で、ＥＣＬ差動レシーバの出力が直接供給される形での
スイッチ手段の動作を可能としている。

【００１０】請求項２記載の発明では、（イ）レーザビ
ームのオン・オフ制御を行わせるレーザ点灯信号を入力
するＥＣＬ差動レシーバと、（ロ）このＥＣＬ差動レシ
ーバの出力をベースに印加するトランジスタからなり、
ＥＣＬ差動レシーバの出力側に現われるレーザビームの
オン・オフに対応した電圧変化によって半導体レーザの
オン・オフ制御を行うスイッチ手段と、（ハ）半導体レ
ーザの光量を制御するための電流を入力し、これを所定
の電圧源に一端を接続した抵抗に流してこれによって生
じたトランジスタがオン・オフ動作を行う電圧だけアー
ス電位から予めシフトさせた電位を基準とする電圧変化
によって光量に応じた定電流をスイッチ手段に供給する
定電流回路とを半導体レーザ駆動装置に具備させる。

【００１１】すなわち請求項２記載の発明では、レーザ
点灯信号をＥＣＬ差動レシーバに入力させた後、これを
スイッチ手段に直接供給することで半導体レーザ駆動装
置の応答性を更に良くしている。定電流回路について
は、半導体レーザの光量を指示するための電流を入力
し、これを抵抗によって電圧に変換している。この抵抗
の一端はアース電位から予めシフトさせた基準となる電
圧源に接続しているので、電圧変化は安定し、光量の安
定化を図ることができるだけでなく、ＥＣＬ差動レシー
バの出力が直接供給される形でのスイッチ手段の動作を
可能としている。

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。

【００１７】

【００１８】図１は本発明の実施例を説明する上で参考
となる参考例としての半導体レーザ駆動装置の回路構成
の要部を表わしたものである。この装置は、レーザダイ
オード１１のオン・オフ制御を行うための信号を１対の
入力端子１２、１３に入力するＥＣＬ（Emitter Couple
d Logic）差動レシーバ１４を備えている。入力端子１
２、１３には、レーザダイオード１１の駆動がオン・オ
フ制御される際に所定の電圧が供給される。入力端子１
２、１３とこのＥＣＬ差動レシーバ１４の間には、抵抗
１５が配置されている。ＥＣＬ差動レシーバ１４の出力
電圧は、Ｈ（ハイ）レベルが約−０．９ＶでＬ（ロー）
レベルが約−１．８Ｖである。このような電圧では、第
１および第２のトランジスタ１６、１７と抵抗１８、１
９を用いてレーザダイオード１１のオン・オフ制御を行
う差動スイッチ回路２１を駆動することができない。そ
こでこの装置では、ＥＣＬ差動レシーバ１４と差動スイ
ッチ回路２１の間にレベルシフト回路２２を設けてい
る。また、第１および第２のトランジスタ１６、１７の
エミッタには、アース基準の定電流回路２４が接続され
ている。

【００１９】アース基準の定電流回路２４は、制御用端
子２５から＋端子に電流制御電圧Ｖ _CNT を入力し、−端
子を抵抗２６を介して接地した第１のＩＣ回路２７と、
第１のＩＣ回路２７の−端子をエミッタに接続し、コレ
クタを差動スイッチ回路２１の第１および第２のトラン
ジスタ１６、１７のエミッタに接続した第３のトランジ
スタ２８と、この第３のトランジスタ２８のベースと第
１のＩＣ回路２７の出力端子との間に接続された抵抗２
９と、第３のトランジスタ２８のエミッタとベースの間
に接続された第１のダイオード３１とから構成されてい
る。

【００２０】このアース基準の定電流回路２４は、制御
用端子２５から第１のＩＣ回路２７の＋端子側に入力す
る電流制御電圧Ｖ_CNT と−端子側に帰還される電圧が等
しくなるように動作する。したがって、アースから抵抗
２６を通して第３のトランジスタ２８に電流を流すと、
抵抗２６に発生した電圧が電流制御電圧Ｖ_CNT と等しく
なったところで安定する。この装置で電流制御電圧Ｖ
_CNT を０から−１．５（Ｖ）の間で変化させると、第３
のトランジスタ２８のコレクタから差動スイッチ回路２
１の第１および第２のトランジスタ１６、１７のエミッ
タに供給される電流Ｉ_LDは０〜１５０（ｍＡ）となる。

【００２１】レベルシフト回路２２は、それぞれ対応す
るコレクタが第１または第２のトランジスタのベースに
接続された第４および第５のトランジスタ３３、３４を
備えている。第４および第５のトランジスタ３３、３４
のベースには、−５Ｖの電源から対応する第２または第
３のダイオード３５、３６を通して約−５．８Ｖの電圧
が供給されている。この結果、これら第４および第５の
トランジスタ３３、３４のエミッタには約−５Ｖの電圧
が発生する。第４のトランジスタ３３のエミッタは、２
つの抵抗３７、３８の直列回路を介して接地され、第５
のトランジスタ３４のエミッタは、２つの抵抗３９、４
０の直列回路を介して接地されている。抵抗３７と抵抗
３８の接続点と、抵抗３９と抵抗４０の接続点は、それ
ぞれＥＣＬ差動レシーバ１４の出力側と接続されてい
る。また、第２のダイオード３５のカソード、第３のダ
イオード３６のカソード、第４のトランジスタ３３のコ
レクタおよび第５のトランジスタ３４のコレクタには、
それぞれ抵抗４２、４３、４４、４５の一端が接続され
ており、これらの他端には共通して−１５Ｖの電圧が印
加されている。

【００２２】ＥＣＬ差動レシーバ１４の非反転出力がＨ
レベルのときには、レベルシフト回路２２の抵抗３９の
両端に約４．１Ｖの電位差が発生する。このとき、ＥＣ
Ｌ差動レシーバ１４の反転出力はＬレベルとなり、抵抗
３７の両端には約３．２Ｖの電位差が発生する。２つの
抵抗３７、３９の抵抗値が等しく、また他の２つの抵抗
４４、４５の抵抗値が等しいとする。この場合、第４の
トランジスタ３３のエミッタ・コレクタ間を流れる電流
Ｉ₁ と、第５のトランジスタ３４のエミッタ・コレクタ
間を流れる電流Ｉ₂ の関係はＩ₁ ＜Ｉ₂ となる。この状
態では、差動スイッチ回路２１の第１のトランジスタ１
６と第２のトランジスタ１７のそれぞれのベースに与え
られる電圧Ｖ_B1、Ｖ_B2の関係は、Ｖ_B1＜Ｖ_B2となる。こ
のとき、第１のトランジスタ１６がオフとなり、第２の
トランジスタ１７がオンとなって、レーザダイオード１
１へアース基準の定電流回路２４から電流Ｉ_LDが供給さ
れて、その発光が行われる。

【００２３】図２は、図１に示した参考例における半導
体レーザ駆動装置の電流制御電圧Ｖ_CNT を変化させるた
めの前段の回路構成を表わしたものである。この回路
は、光量を表わしたアナログレベルの電流値Ｉ_P を電圧
値に変換する電流−電圧変換回路５１と、この変換され
た電圧を反転増幅して電流制御電圧Ｖ_CNT を得る反転増
幅回路５２から構成されている。得られた電流制御電圧
Ｖ_CNT が制御用端子２５から図１の定電流回路２４の第
１のＩＣ回路２７の＋端子側に入力することになる。

【００２４】第１の実施例

【００２５】ところで参考例の半導体レーザ駆動装置で
は、レーザダイオード１１を駆動するための信号入力段
にＥＣＬ差動レシーバ１４を使用したので、従来の半導
体レーザ駆動装置に比べて格段の高速性を実現すること
ができる。しかしながらＥＣＬ差動レシーバ１４の出力
で差動スイッチ回路２１を直接駆動することができな
い。このため、レベルシフト回路２２を使用することに
しているが、この部分で信号の遅延が生ずるので、高速
応答性がこれに限っては低下することになった。本発明
の第１の実施例では、この問題点を解決している。

【００２６】図３は、本発明の第１の実施例における半
導体レーザ駆動装置の回路構成の要部を示したものであ
る。図１と同一部分には同一の符号を付しており、これ
らの説明を適宜省略する。この提案の装置では高速応答
性を上げるために、図１に示したレベルシフト回路２２
を省略している。すなわち、ＥＣＬ差動レシーバ１４の
出力を抵抗６１または抵抗６２を介して、差動スイッチ
回路２１の第１のトランジスタ１６と第２のトランジス
タ１７のベースに接続している。差動スイッチ回路２１
では、第１のトランジスタ１６のコレクタ側は抵抗６３
を介して＋５Ｖの電源に接続されており、第２のトラン
ジスタ１７のコレクタ側は抵抗６４およびレーザダイオ
ード１１を介してこの＋５Ｖの電源に接続されている。
更に、抵抗６１の入力側は抵抗６５を介して−５Ｖの電
源に接続されており、抵抗６２の入力側は他の抵抗６６
を介して−５Ｖの電源に接続されている。

【００２７】また、定電流回路２４では差動スイッチ回
路２１とコレクタを接続された第３のトランジスタ２８
のエミッタは抵抗６８を介して−５Ｖの電源と接続され
ており、ベースは抵抗６９を介して第１のＩＣ回路２７
の出力側と接続されている。また、このベースとエミッ
タの間には、第１のダイオード３１が接続されており、
そのアノード側は第１のＩＣ回路２７の−端子と接続さ
れている。第１のＩＣ回路２７の＋端子には、制御用端
子２５から電流制御電圧Ｖ_CNT が印加されるようになっ
ている。

【００２８】このような半導体レーザ駆動装置では、Ｅ
ＣＬ差動レシーバ１４の非反転出力がＨレベルのとき
に、第２のトランジスタ１７のベースに約−０．９Ｖの
電圧が印加され、このとき反転出力はＬレベルとなっ
て、第１のトランジスタ１６のベースには約−１．８Ｖ
が印加される。この状態で差動スイッチ回路２１は第２
のトランジスタ１７がオンとなり、レーザダイオード１
１が通電状態となる。このとき、第１および第２のトラ
ンジスタ１６、１７のエミッタは約−１．７Ｖとなる。

【００２９】図１でも示したように、定電流回路の動作
電位は約２Ｖ以上が必要である。このため、定電流回路
の基準は−３．７Ｖ以下の電源とする必要がある。図３
に示した第１の実施例では−５Ｖを定電流回路の基準と
している。

【００３０】図４は、この第１の実施例の半導体レーザ
駆動装置の電流制御電圧Ｖ_CNT を変化させるための前段
の回路構成を表わしたものである。この回路は、光量を
表わしたアナログレベルの電流値Ｉ_P を−５Ｖ基準の電
圧値に変換する電流−電圧変換回路７１を備えている。
得られた電流制御電圧Ｖ_CNT が制御用端子２５から図３
の定電流回路２４の第１のＩＣ回路２７の＋端子側に入
力することになる。

【００３１】第２の実施例

【００３２】ところで、第１の実施例の半導体レーザ駆
動装置では高速性を更に追求したものの、定電流回路２
４がアース基準となっていない。このため、レーザビー
ムの光量の安定化という点からは問題が生じてしまう。
そこで、第２の実施例では高速性と光量の安定化という
２つの要請に応えることにしている。

【００３３】図５はこの第２の実施例における半導体レ
ーザ駆動装置の回路構成の要部を示したものである。図
３と同一部分には同一の符号を付しており、これらの説
明を適宜省略する。本実施例の半導体レーザ駆動装置で
も、第１の実施例と同様にＥＣＬ差動レシーバ１４の出
力を差動スイッチ回路２１に直接接続することによって
レベルシフト回路２２（図１）を省略し、応答性を改善
している。また、定電流回路２４の第１のＩＣ回路２７
の＋端子と−５Ｖの電源との間には、制御用端子２５か
ら与えられる制御用電流Ｉ_CNT を電圧に変換するための
抵抗８１が接続されており、この抵抗８１によって変換
された電圧が第１のＩＣ回路２７の＋端子に入力される
ようになっている。

【００３４】この半導体レーザ駆動装置でも、第３のト
ランジスタ２８のエミッタと−５Ｖの電源との間に接続
された電流検出用の抵抗６８における第３のトランジス
タ２８側の端子は、図３と同様に第１のＩＣ回路２７の
−端子に接続されている。したがって、第１のＩＣ回路
２７は、その＋端子と−端子の電圧が互いに等しくなる
ように、第３のトランジスタ２８のコレクタ・エミッタ
を通して電流を吸い込み、抵抗６８への電流を流す。そ
して抵抗６８で発生した電圧が抵抗８１で発生した電圧
と等しくなったところで安定する。

【００３５】ここで−５Ｖの電源電圧が変動したと仮定
する。この第２の実施例では抵抗６８と抵抗８１が同じ
基準を採用している。また、定電流回路２４の制御を電
源電圧の変動に影響されない電流（Ｉ_CNT ）により行っ
ているので、基準電源から見た制御電圧と電流検出電圧
の間には差が生ぜず、抵抗６８を流れる電流に変化が発
生しない。このため、図１に示したアース基準の定電流
回路２４と同等の光量の安定化を図ることができる。

【００３６】図６は、この第２の実施例の半導体レーザ
駆動装置の電流制御電圧Ｖ_CNT を変化させるための前段
の回路構成を表わしたものである。この回路は、光量を
表わしたアナログレベルの電流値Ｉ_P を電圧値に変換す
る電流−電圧変換回路５１と、この変換された電圧を反
転増幅して電流制御電圧Ｖ_CNT を得る反転増幅回路５２
と、これによって得られた電流制御電圧Ｖ_CNT を制御用
電流Ｉ_CNT に変換するための電圧−電流変換回路９１と
から構成されている。電圧−電流変換回路９１から得ら
れた制御用電流Ｉ_CNT が制御用端子２５から図５の定電
流回路２４の第１のＩＣ回路２７の＋端子側に入力する
ことになる。

【００３７】図７は、この第２の実施例の半導体レーザ
駆動装置の全体的な構成とこの半導体レーザ駆動装置に
対して光量の制御を行う回路とを参考的に示したもので
ある。なお、参考例および第１の実施例の半導体レーザ
駆動装置についても、光量制御用の電圧あるいは電流が
異なるものの、大筋の回路構成は同一となる。

【００３８】半導体レーザ駆動装置１０１のレーザ駆動
電流スイッチ回路１０２には、レーザの点灯のオン・オ
フを示すレーザ点灯信号１０３が入力されるようになっ
ている。レーザ駆動電流スイッチ回路１０２は図５に示
したレーザダイオード１１のオン・オフ制御を行う装置
であり、その初段には、ＥＣＬ差動レシーバ１４が配置
され、その後段には差動スイッチ回路２１が配置されて
いる。駆動電流１０４は定電流回路２４の本体部分を構
成する定電流回路本体１０５によって制御を受けるが、
制御用電流Ｉ_CNT は図５の抵抗８１を中心とした電流−
電圧変換回路１０６によって変換されることになる。

【００３９】レーザ駆動電流スイッチ回路１０２による
レーザダイオード１１の駆動の様子は、フォトダイオー
ド１０８によって監視される。すなわち、フォトダイオ
ード１０８に生じた光電流１０９は、電流−電圧変換回
路１１１によって電圧に変換され、増幅器１１２によっ
て増幅されてレーザダイオード光量信号１１３として光
量制御回路１１４の制御回路１１５に入力される。この
制御回路１１５には、これを動作させるための光量制御
オン信号１１６と、光量の基準を定めるための光量基準
信号１１７が入力されるようになっている。制御回路１
１５はこれを基にして、光量制御のために所定の期間だ
けオンとなる制御用点灯信号１１８と、光量制御のため
の制御電圧を表わした制御電圧信号１１９を出力するこ
とになる。この制御電圧信号１１９は参考例および第１
の実施例における電流制御電圧Ｖ_CNT を表わした信号で
あり、前記した所定の期間が経過した時点で半導体レー
ザ駆動装置１０１を最適な状態で駆動させるための光量
が定められることになる。制御電圧信号１１９は電圧レ
ベルの信号なので、電圧−電流変換回路１２１（図６の
電圧−電流変換回路９１に対応）がこれを電流レベルに
変換し、制御用電流Ｉ_CNT として半導体レーザ駆動装置
１０１に供給することになる。

【００４０】一方、制御用点灯信号１１８は半導体レー
ザ駆動装置１０１のレーザダイオード１１を点灯させる
状態を定めるための３入力オア回路１２３の１つの入力
端子に入力される。３入力オア回路１２３の他の２つの
入力端子の１つには画像データ１２４が入力され、残り
の入力端子にはこの画像データ１２４の走査開始時期を
定めるためのＳＯＳ(Strart Of Scan)信号を検出するた
めの区間だけ点灯するＳＯＳ検出用点灯信号１２５が入
力されるようになっている。

【００４１】図８および図９は、図７に示した回路の各
部の信号波形を示したものであり、図８はその前半を、
図９はその後半を示している。図８ａは、図７の制御回
路１１５に入力されるレーザダイオード光量信号１１３
を表わしている。同図に示したレーザダイオード１１を
理想的な光量で駆動するためには、図８ｆに示した画像
データ１２４による記録動作が行われる前に光量の調整
が行われる必要がある。そこで、図８ｃに示した光量制
御オン信号１１６が最初にＬ（ロー）レベルからＨ（ハ
イ）レベルに変化する時刻ｔ₁ から再びＬレベルに変化
する時刻ｔ₂ までの区間において光量の制御が行われ
る。このとき、制御回路１１５は、図８ｅに示すように
制御用点灯信号１１８をＨレベルに設定し、図７に示し
た３入力オア回路１２３からＨレベルのレーザ点灯信号
１０３を出力させる。

【００４２】これにより、レーザ駆動電流スイッチ回路
１０２が動作を開始し、図８ｂに示すように駆動電流１
０４がゼロから次第に立ち上がる。すなわち、最初の段
階ではレーザダイオード１１が光量の低い状態で点灯を
開始し、フォトダイオード１０８（図７）はこの光量を
検出して図８ａに示したレーザダイオード光量信号１１
３を制御回路１１５に入力することになる。

【００４３】制御回路１１５には図８ａに示す光量基準
信号１１７が入力されており、レーザダイオード光量信
号１１３との比較が行われる。そして、両者の信号レベ
ルが一致するまで図７に示した制御電圧信号１１９が変
化し、これによる駆動電流１０４（図８ｂ）の制御によ
って光量が増大し、光量基準信号１１７にレーザダイオ
ード光量信号１１３のレベルが一致するようになる。

【００４４】時刻ｔ₂ に光量を制御するための制御用点
灯信号１１８（図８ｅ）がＬレベルとなると、これ以後
は、ＳＯＳ検出用点灯信号１２５（図８ｄ）がＨレベル
となる区間と、画像データ１２４（図８ｆ）がオンとな
る区間でレーザ点灯信号１０３がＨレベルとなり、レー
ザダイオード１１が点灯する。まず、ＳＯＳ検出用点灯
信号１２５がＨレベルとなる区間では、図示しないＳＯ
Ｓセンサがレーザビームの各走査開始タイミングを検出
し、これから所定時間をおいて画像データ１２４の出力
が開始される。この所定時間は、ＳＯＳセンサがレーザ
ビームの各走査開始タイミングを検出してからレーザビ
ームが図示しない感光体の画像領域の走査開始点に至る
までの時間と一致する。このようにして、画像データ１
２４はレーザダイオード１１が理想的な光量で点灯制御
される状態で記録されることになる。

【００４５】図８に示すように光量制御オン信号１１６
は、その後も、例えば各走査毎に画像領域外で光量調整
を行なうとき、あるいは新たな記録動作が開始されると
き等にＨレベルとなり、レーザダイオード１１の出力す
る光量が常に最適な状態となるように制御が行われるこ
とになる。図９ａ〜ｆはそれぞれ図８ａ〜ｆに対応した
ものであり、図８の時刻ｔ₃ 以降の各部の変化を表わし
たものである。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、ＥＣＬ差動レシーバにレーザ点灯信号を入力
させることで、従来に比して半導体レーザ駆動装置の応
答性を向上させることができ、記録の高速化や記録サイ
ズの大型化に十分対応することができる。また、レーザ
点灯信号をＥＣＬ差動レシーバに入力させた後、これを
スイッチ手段に直接供給することでレベルシフト回路を
省略することができるので、半導体レーザ駆動装置の応
答性を更に良くすることができる。

【００４７】

【００４８】

【００４９】また請求項２記載の発明によれば、レーザ
点灯信号をＥＣＬ差動レシーバに入力させた後、これを
スイッチ手段に直接供給することでレベルシフト回路を
省略し、半導体レーザ駆動装置の応答性を更に良くする
ことができるばかりでなく、定電流回路については、半
導体レーザの光量を指示するための電流を入力し、これ
を基準となる電圧源に一端を接続した抵抗によって電圧
に変換しているので、電圧変化は安定し、光量の安定化
を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の参考例における半導体レーザ駆動装
置の要部の回路構成を示すブロック図である。

【図２】 参考例における半導体レーザ駆動装置の電流
制御電圧Ｖ_CNT を変化させるための前段の回路構成を表
わした回路図である。

【図３】 本発明の第１の実施例における半導体レーザ
駆動装置の要部の回路構成を示すブロック図である。

【図４】 第１の実施例における半導体レーザ駆動装置
の電流制御電圧Ｖ_CNT を変化させるための前段の回路構
成を表わした回路図である。

【図５】 本発明の第２の実施例における半導体レーザ
駆動装置の要部の回路構成を示すブロック図である。

【図６】 第２の実施例における半導体レーザ駆動装置
の制御電流Ｉ_CNT を変化させるための前段の回路構成を
表わした回路図である。

【図７】 第２の実施例の半導体レーザ駆動装置の全体
的な構成とこの装置に対して光量の制御を行う回路とを
示したブロック図である。

【図８】 図７に示した回路の各部の波形の時間的な変
化の前半を示したタイミング図である。

【図９】 図７に示した回路の各部の波形の時間的な変
化の後半を示したタイミング図である。

【符号の説明】

１１…レーザダイオード、１４…ＥＣＬ差動レシーバ、
１６…第１のトランジスタ、１７…第２のトランジス
タ、２１…差動スイッチ回路、２２…レベルシフト回
路、２４…定電流回路、２７…第１のＩＣ回路、５１、
７１…電流−電圧変換回路、５２…反転増幅回路、８１
…抵抗、９１…電圧−電流変換回路、１０１…半導体レ
ーザ駆動装置、１０２…レーザ駆動電流スイッチ回路、
１０５…定電流回路本体、１０８…フォトダイオード、
１１８…制御用点灯信号、１１９…制御電圧信号、１２
４…画像データ

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザビームのオン・オフ制御を行わせ
   るレーザ点灯信号を入力するＥＣＬ差動レシーバと、このＥＣＬ差動レシーバの出力をベースに印加するトラ
   ンジスタからなり、ＥＣＬ差動 レシーバの出力側に現わ
   れるレーザビームのオン・オフに対応した電圧変化によ
   って半導体レーザのオン・オフ制御を行うスイッチ手段
   と、 前記半導体レーザの光量を指示するための電圧を前記ト
   ランジスタがオン・オフ動作を行う電圧だけアース電位
   から予めシフトさせた電圧を基準として入力し、この電
   圧に応じてスイッチ手段に所定の光量に対応する電流を
   供給する定電流回路 とを具備することを特徴とする半導
   体レーザ駆動装置。
2. 【請求項２】 レーザビームのオン・オフ制御を行わせ
   るレーザ点灯信号を入力するＥＣＬ差動レシーバと、このＥＣＬ差動レシーバの出力をベースに印加するトラ
   ンジスタからなり、 ＥＣＬ差動レシーバの出力側に現わ
   れるレーザビームのオン・オフに対応した電圧変化によ
   って半導体レーザのオン・オフ制御を行うスイッチ手段
   と、 前記半導体レーザの光量を制御するための電流を入力
   し、これを所定の電圧源に一端を接続した抵抗に流して
   これによって生じた前記トランジスタがオン・オフ動作
   を行う電圧だけアース電位から予めシフトさせた電位を
   基準とする電圧変化によって光量に応じた定電流をスイ
   ッチ手段に供給する定電流回路とを具備することを特徴
   とする半導体レーザ駆動装置。