JP3422490B1 - 希土類永久磁石 - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】 保磁力および残留磁束密度がともに優れた希
土類永久磁石を提供する。 【解決手段】 希土類元素Ｒ：２０〜４０ｗｔ％、ホウ
素Ｂ：０．５〜４．５ｗｔ％、Ｍ（Ａｌ，Ｃｕ，Ｓｎ，
Ｇａの１種または２種以上）：０．０３〜０．５ｗｔ
％、Ｂｉ：０．０１〜０．２ｗｔ％、遷移金属元素Ｔ：
残部、とすることによって、高い磁気特性を有する希土
類永久磁石を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は希土類元素Ｒ、遷移
金属元素Ｔ、ホウ素Ｂを主成分とする磁気特性に優れた
希土類永久磁石に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】希土類磁石の中でもＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁
石は、磁気特性に優れていること、主成分であるＮｄが
資源的に豊富で比較的安価であることから、需要は年
々、増大している。Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石の磁気特性を
向上するための研究開発も精力的に行われており、近年
では、高性能なＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石を製造する場合、
各種金属粉体や組成の異なる合金粉末を混合、焼結する
混合法が主流となっている。

【０００３】ところで、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石は、キュ
リー温度が低いために、温度上昇に伴って保磁力が低下
してしまうという問題がある。この問題を解決すべく、
様々な試みがなされている。例えば、特公平５−１０８
０６号公報では、Ｄｙ、Ｔｂ等の重希土類元素を添加す
ることによりＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石の保磁力を高めるこ
とを提案している。また特開平６−２８３３１８号公報
および特開平７−５０２０５号公報では、Ｒ₂Ｔ₁₄Ｂ系
金属間化合物（ＲはＹを含む希土類元素の１種または２
種以上、Ｔは遷移金属元素の１種または２種以上）を主
体とする主相とＲリッチ相を主構成相とする混合法を用
いたＲ−Ｔ−Ｂ系希土類永久磁石の製造方法において、
Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金粉末に対するＲ−Ｔ系合金粉末の配合
量を適宜変更することにより磁石の特性を向上させるこ
とを提案している。さらにまた、特公平２−３２７６１
号公報、特開昭６２−１１６７５６号公報および特公平
３−１６７６１号公報では、希土類永久磁石の磁気特性
を向上させるためにＴｉ，Ｎｉ，Ｂｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ｐのうち１種または２種以上
（以下、Ｔｉ等と記す）を添加することが提案されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公平
５−１０８０６号公報記載の方法によれば、Ｄｙ、Ｔｂ
等の重希土類元素を添加することにより保磁力が向上す
る一方で残留磁束密度が低下してしまう。また重希土類
元素は他の元素と比較してコストが高い。よって、希土
類永久磁石の製造コストを低減するためには、重希土類
元素の添加量をいかにして低減するかということが鍵と
なる。さらに特開平６−２８３３１８号公報および特開
平７−５０２０５号公報記載の方法により製造された希
土類永久磁石は、高い残留磁束密度を呈するものの保磁
力が低いという問題があった。また特公平２−３２７６
１号公報、特開昭６２−１１６７５６号公報および特公
平３−１６７６１号公報では、Ｔｉ等種々の添加元素が
提案されているが、良好な保磁力および残留磁束密度を
兼備するための元素は特定されていない。そこで、本発
明は、保磁力および残留磁束密度がともに優れた希土類
永久磁石を提供することを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、より高い磁
気特性を得るために様々な検討を行った。その結果、Ｂ
ｉが希土類永久磁石の磁気特性を向上させる上で有効で
あることを知見した。特に、焼結後の磁石にＢｉが０．
０１〜０．２ｗｔ％含まれる場合には、高い磁気特性、
つまり良好な保磁力および残留磁束密度を有する希土類
永久磁石を得ることができる。したがって本発明は、希
土類元素Ｒ：２０〜４０ｗｔ％、ホウ素Ｂ：０．５〜
４．５ｗｔ％、Ｍ（Ａｌ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇａの１種また
は２種以上）：０．０３〜０．５ｗｔ％、Ｂｉ：０．０
１〜０．２ｗｔ％、遷移金属元素Ｔ：残部、とすること
を特徴とする希土類永久磁石を提供する。本発明の希土
類永久磁石において、Ｎｄ＋Ｄｙ：３１〜３２．５ｗｔ
％、ホウ素Ｂ：０．５〜１．５ｗｔ％、Ｃｕ：０．１５
ｗｔ％以下（０を含まず）、Ａｌ：０．１５〜０．３ｗ
ｔ％、Ｃｏ：２ｗｔ％以下（０を含まず）、Ｂｉ：０．
０１〜０．２ｗｔ％、Ｆｅ：残部の組成を有することが
望ましい。また、Ｂｉの含有量については０．０２〜
０．１ｗｔ％とすることが望ましい。さらに、Ｄｙの含
有量については、２〜１５ｗｔ％とすることが望まし
い。本発明の希土類永久磁石によれば、残留磁束密度が
１．２５Ｔ以上であり、かつ保磁力が１６５０ｋＡ／ｍ
以上という優れた磁気特性を得ることができる。本発明
において、Ｂｉは粒界相に散在することが望ましい。

【０００６】以上の本発明では、Ｍ（Ａｌ，Ｃｕ，Ｓ
ｎ，Ｇａの１種または２種以上）を０．０３〜０．５ｗ
ｔ％とし、かつＢｉを０．０１〜０．２ｗｔ％とするこ
とを提案しているが、Ｂｉを０．０１〜０．２ｗｔ％と
することのみでも有効である。したがって、本発明は、
希土類元素Ｒ：２０〜４０ｗｔ％、ホウ素Ｂ：０．５〜
４．５ｗｔ％、Ｂｉ：０．０１〜０．２ｗｔ％、遷移金
属元素Ｔ：残部、とすることを特徴とする希土類永久磁
石を提供する。本発明の希土類永久磁石は、残留磁束密
度Ｂｒと保磁力Ｈｃｊの積（Ｂｒ×Ｈｃｊ）が２１００
（Ｔ×ｋＡ／ｍ）以上という優れた磁気特性を呈すると
ともに、保磁力Ｈｃｊを重希土類元素の重量百分率で割
った値（Ｈｃｊ／重希土類元素の重量百分率）が２３０
（ｋＡ／ｍ×１／ｗｔ％）以上となる。よって、本発明
によれば、コストが高い重希土類元素の添加量を低減し
つつ、優れた磁気特性を有する希土類永久磁石を得るこ
とができる。ここで、重希土類元素とは、Ｇｄ、Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＹｂおよびＬｕのグループから選択
される１種または２種以上を言う。また、本発明は極微
量のＢｉ添加による保磁力Ｈｃｊの向上という効果に着
目したものであり、本発明の希土類永久磁石によれば、
保磁力ＨｃｊをＢｉの重量百分率で割った値（Ｈｃｊ／
Ｂｉの重量百分率）が８０００（ｋＡ／ｍ×１／ｗｔ
％）以上となる。以上の本発明による希土類永久磁石
は、焼結磁石に適用することが望ましい。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下本発明の組成限定理由、望ま
しい製造方法について説明する。本発明の希土類永久磁
石は、希土類元素Ｒを２０〜４０ｗｔ％含有する。ここ
で、希土類元素Ｒは、Ｙを含む希土類元素（Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，ＹｂおよびＬｕ）の１種または２種以上であ
る。ここで、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂおよ
びＬｕのグループから選択される１種または２種以上が
重希土類元素を構成する。希土類元素Ｒの量が２０ｗｔ
％未満であると、希土類永久磁石の主相となるＲ₂Ｆｅ
₁₄Ｂ相の生成が十分ではなく軟磁性を持つα−Ｆｅなど
が析出し、保磁力Ｈｃｊが著しく低下する。一方、希土
類元素Ｒが４０ｗｔ％を超えると主相であるＲ₂Ｆｅ₁₄
Ｂ相の体積比率が低下し、残留磁束密度Ｂｒが低下す
る。また希土類元素Ｒが酸素と反応し、含有する酸素量
が増え、これに伴い保磁力発生に有効なＲ−ｒｉｃｈ相
が減少し、保磁力Ｈｃｊの低下を招くため、希土類元素
Ｒの量は２０〜４０ｗｔ％とする。Ｎｄは資源的に豊富
で比較的安価であることから、希土類元素Ｒとしての主
成分をＮｄとすることが好ましい。またＤｙは異方性磁
界が大きく、保磁力Ｈｃｊを向上させる上で有効であ
る。よって、希土類元素ＲとしてＮｄおよびＤｙを選択
し、ＮｄおよびＤｙの合計を３１〜３２．５ｗｔ％とす
ることが望ましい。そして、この範囲において、Ｄｙの
量は２〜１５ｗｔ％が望ましい。より望ましいＤｙの量
は２〜１２ｗｔ％、さらに望ましいＤｙの量は４〜９ｗ
ｔ％である。また、本発明の希土類永久磁石は、ホウ素
Ｂを０．５〜４．５ｗｔ％含有する。ホウ素Ｂが０．５
ｗｔ％未満の場合には高い保磁力Ｈｃｊを得ることがで
きない。但し、ホウ素Ｂが４．５ｗｔ％を超えると残留
磁束密度Ｂｒが低下する傾向がある。したがって、上限
を４．５ｗｔ％とする。望ましいホウ素Ｂの量は０．５
〜１．５ｗｔ％、さらに望ましいホウ素Ｂの量は０．８
〜１．２ｗｔ％である。本発明の希土類永久磁石は、焼
結磁石にＢｉを所定量含めることによって残留磁束密度
Ｂｒの低下を防止しつつ、保磁力Ｈｃｊを向上させるこ
とができることに着目したものであり、０．０１〜０．
２ｗｔ％の範囲でＢｉを含有する。Ｂｉが０．０１ｗｔ
％未満では、保磁力Ｈｃｊの向上効果が小さい。一方、
Ｂｉが０．２ｗｔ％を超えると、残留磁束密度Ｂｒが著
しく低下してしまう。望ましいＢｉの量は０．０２〜
０．１５ｗｔ％、さらに望ましいＢｉの量は０．０２５
〜０．１０ｗｔ％である。

【０００８】本発明の希土類永久磁石は、ＭとしてＡ
ｌ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｇａの中から１種または２種以上を選
択し、かつ０．０３〜０．５ｗｔ％の範囲で含有するこ
とができる。この範囲でＭを添加含有させることによ
り、得られる永久磁石の高保磁力化、高耐食性化、温度
特性の改善が可能となる。ＭとしてＡｌを選択する場合
において、望ましいＡｌの量は０．１５〜０．３ｗｔ
％、さらに望ましいＡｌの量は０．１５〜０．２５ｗｔ
％である。また、ＭとしてＣｕを選択する場合におい
て、望ましいＣｕの量は０．１５ｗｔ％以下（０を含ま
ず）、さらに望ましいＣｕの量は０．０５〜０．１ｗｔ
％である。ＭとしてＳｎを選択する場合において、望ま
しいＳｎの量は０．０３〜０．２０ｗｔ％、さらに望ま
しいＳｎの量は０．０５〜０．１５ｗｔ％である。また
ＭとしてＧａを選択する場合において、望ましいＧａの
量は０．０３〜０．２０ｗｔ％、さらに望ましいＧａの
量は０．０５〜０．１８ｗｔ％である。本発明の希土類
永久磁石において、遷移金属元素Ｔとしては従来から用
いられているＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを用いることができる。
これらの中では、焼結性の点からＦｅ、Ｃｏが望まし
く、特に磁気特性の点からＦｅを主体とすることが望ま
しい。但し、Ｃｏを２ｗｔ％以下（０を含まず）、望ま
しくは０．１〜１．０ｗｔ％、さらに望ましくは０．３
〜０．７ｗｔ％含有することによって、キュリー温度が
高くなり、温度特性が向上する。

【０００９】以下、本発明に係る希土類永久磁石を得る
ための望ましい製造方法について説明する。なお、いわ
ゆる混合法を用いて本発明に係る希土類永久磁石を製造
する場合について以下に説明するが、混合法に限らず、
いわゆるシングル法を用いて本発明に係る希土類永久磁
石を製造することももちろん可能である。本実施の形態
では、Ｒ₂Ｔ₁₄Ｂを主体とするａ合金粉末（主相用合金
粉末）と、Ｂｉを含みＲＴを主体とするｂ合金粉末（粒
界相用合金）と、Ｂｉを含まずＲＴを主体とするｃ合金
粉末（粒界相用合金）とを用いて本発明に係る希土類永
久磁石を製造する方法について示す。但し、ｃ合金粉末
を用いずに、所望の磁石組成とすることも可能である。
なお、本明細書において、「ＲＴ」とは、ＲとＴとが
１：１であることを意味するものではなく、ＲとＴとを
主成分とする合金であることを意味する。なお、Ｂｉは
ａ合金粉末に含有させることも可能である。

【００１０】はじめに、原料金属を真空または不活性ガ
ス、好ましくはＡｒ雰囲気中で溶解し鋳造することによ
り、ａ合金、ｂ合金およびｃ合金を得る。原料金属とし
ては、希土類金属あるいは希土類合金、純鉄、フェロボ
ロン、さらにはこれらの合金等を使用することができ
る。得られたインゴットは、凝固偏析がある場合は必要
に応じて溶体化処理を行う。その条件は真空またはＡｒ
雰囲気下、７００〜１５００℃の領域で１時間以上保持
すれば良い。

【００１１】ａ合金、ｂ合金、およびｃ合金が作製され
た後、各母合金は別々に粉砕される。粉砕工程には、粗
粉砕工程と微粉砕工程とがある。まず、各母合金の鋳塊
を、それぞれ粒径数百μｍ程度になるまで粗粉砕する。
粗粉砕は、スタンプミル、ジョークラッシャー、ブラウ
ンミル等を用い、不活性ガス雰囲気中にて行うことが望
ましい。粗粉砕性を向上させるために、水素を吸蔵させ
た後、粗粉砕を行うことが効果的である。粗粉砕工程
後、微粉砕工程に移る。微粉砕は、主にジェットミルが
用いられ、粒径数百μｍ程度の粗粉砕粉末が、平均粒径
３〜５μｍになるまで行われる。ジェットミルは、高圧
の不活性ガス（例えば窒素ガス）を狭いノズルより開放
して高速のガス流を発生させ、この高速のガス流により
粗粉砕粉末を加速し、粗粉砕粉末同士の衝突やターゲッ
トあるいは容器壁との衝突を発生させて粉砕する方法で
ある。

【００１２】微粉砕工程においてそれぞれ微粉砕された
ａ合金粉末、ｂ合金粉末およびｃ合金粉末とを、窒素雰
囲気中で混合する。ａ合金粉末、ｂ合金粉末およびｃ合
金粉末の混合比率は、重量比で８０（ａ合金粉末）：２
０（ｂ合金粉末およびｃ合金粉末との合計）〜９７（ａ
合金粉末）：３（ｂ合金粉末およびｃ合金粉末との合
計）程度とすればよい。但し、ｃ合金粉末の混合比率が
０の組み合わせをも含む。好ましい混合比率は、重量比
で９０：１０〜９７：３である。微粉砕時に、ステアリ
ン酸亜鉛等の添加剤を０．０１〜０．３ｗｔ％程度添加
することにより、成形時に配向性の高い微粉を得ること
ができる。次いで、ａ合金粉末、ｂ合金粉末およびｃ合
金粉末からなる混合粉末を、電磁石に抱かれた金型内に
充填し、磁場印加によってその結晶軸を配向させた状態
で磁場中成形する。この磁場中成形は、８００〜１５０
０ｋＡ／ｍの磁場中で、１３０〜１６０ＭＰａ前後の圧
力で行えばよい。

【００１３】磁場中成形後、その成形体を真空または不
活性ガス雰囲気中で焼結する。焼結温度は、組成、粉砕
方法、粒度と粒度分布の違い等、諸条件により調整する
必要があるが、１０５０〜１１３０℃で１〜５時間程度
焼結すればよい。焼結後、得られた焼結体に時効処理を
施すことができる。この工程は、保磁力Ｈｃｊを制御す
る重要な工程である。時効処理を二段に分けて行う場合
には、８００℃近傍、６００℃近傍での所定時間の保持
が有効である。８００℃近傍での熱処理を焼結後に行う
と、保磁力Ｈｃｊが増大するため、混合法においては特
に有効である。また、６００℃近傍の熱処理で保磁力Ｈ
ｃｊが大きく増加するため、時効処理を一段で行う場合
には、６００℃近傍の時効処理を施すとよい。以上の組
成および製造方法による本発明の希土類永久磁石は、
１．２５Ｔ以上の残留磁束密度Ｂｒおよび１６５０ｋＡ
／ｍ以上の保磁力Ｈｃｊを有することができ、さらには
１．２５Ｔ以上の残留磁束密度Ｂｒおよび１６７０ｋＡ
／ｍ以上の保磁力Ｈｃｊを有することもできる。また、
焼結磁石の組成および焼結・時効条件を調整することに
よって、１．２９Ｔ以上の残留磁束密度Ｂｒおよび１７
５０ｋＡ／ｍ以上の保磁力Ｈｃｊ、さらには１．３Ｔ以
上の残留磁束密度Ｂｒおよび１７８０ｋＡ／ｍ以上の保
磁力Ｈｃｊを有することも可能である。そして、残留磁
束密度Ｂｒと保磁力Ｈｃｊの積（Ｂｒ×Ｈｃｊ）につい
ては２１００（Ｔ×ｋＡ／ｍ）以上、保磁力Ｈｃｊを重
希土類元素の重量百分率で割った値（Ｈｃｊ／重希土類
元素の重量百分率）については２３０（ｋＡ／ｍ×１／
ｗｔ％）以上という良好な値を得ることができる。

【００１４】

【実施例】次に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に
詳細に説明する。 （実施例１）原料金属をＡｒ雰囲気中で高周波溶解する
ことにより、 ａ合金：（２０〜３０）ｗｔ％Ｎｄ-（２〜１０）ｗｔ
％Ｄｙ- （１〜１．３）ｗｔ％Ｂ-（０．１〜０．３）ｗｔ％Ａ
ｌ-ｂａｌ．Ｆｅ ｂ合金：（２０〜４０）ｗｔ％Ｎｄ-（１０〜５０）ｗ
ｔ％Ｄｙ- （３〜１２）ｗｔ％Ｃｏ-（０．５〜２）ｗｔ％Ｃｕ- （０．１〜０．５）ｗｔ％Ａｌ-３ｗｔ％以下（０は含
まず）Ｂｉ- ｂａｌ．Ｆｅ ｃ合金：（２０〜４０）ｗｔ％Ｎｄ-（１０〜５０）ｗ
ｔ％Ｄｙ- （３〜１２）ｗｔ％Ｃｏ-（０．５〜２）ｗｔ％Ｃｕ- （０．１〜０．５）ｗｔ％Ａｌ-ｂａｌ．Ｆｅ として調整した。なお、ＮｄとＤｙの合計量は３０〜６
０ｗｔ％である。

【００１５】次いで、ａ合金、ｂ合金およびｃ合金を以
下の条件にて粉砕することにより、微粉砕後の粒径を３
〜５μｍとし、ａ合金粉末、ｂ合金粉末およびｃ合金粉
末の３種類の合金粉末を得た。なお、ａ合金、ｂ合金お
よびｃ合金の組成は、ａ合金粉末：（ｂ＋ｃ）合金粉末
の混合比率（重量比）が９０：１０〜９７：３程度で磁
石組成となるよう適宜製作した。得られた合金粉末を窒
素雰囲気のグローブボックス内にて混合し、磁場中成形
および焼結を以下の条件にて行った。次いで以下の条件
で二段時効処理を施し、試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．７お
よび比較例１〜比較例５の１２種類の焼結磁石を得た。
焼結後の磁石の組成（以下、単に組成ということがあ
る）は表１に示す通りである。なお、試料Ｎｏ．１、試
料Ｎｏ．２および比較例１、比較例４による磁石はＢｉ
の含有の点を除くと基本的に同一の組成を有している。
試料Ｎｏ．３および比較例２、試料Ｎｏ．４〜試料Ｎ
ｏ．７および比較例３、比較例５も、試料Ｎｏ．１、試
料Ｎｏ．２および比較例１、比較例４と同様の関係にあ
る。また、試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．７および比較例１
〜比較例５は、Ｎｄ＋Ｄｙの合計量が３１．８ｗｔ％で
一致するが、ＮｄおよびＤｙの含有比率が相違してい
る。

【００１６】 粗粉砕：ブラウンミル使用（水素吸蔵後、窒素雰囲気中にて行った。） 微粉砕：ジェットミル使用（高圧窒素ガス雰囲気中にて行った。） 粉砕時添加剤：ステアリン酸亜鉛０．１ｗｔ％ 焼結条件：試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．３＝１０９０℃×４時間 比較例１、比較例２、比較例４＝１０９０℃×４時間 試料Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．７＝１０７０℃×４時間 比較例３、比較例５＝１０７０℃×４時間 磁場中成形条件：１２００ｋＡ／ｍの磁場中で１４７Ｍ
Ｐａの圧力で横磁場成形（プレス方向と磁場方向が直
交） 二段時効処理： 試料Ｎｏ．１、試料Ｎｏ．２＝７５０℃×１時間、５４
０℃×１時間 比較例１、比較例４＝７５０℃×１時間、５４０℃×１
時間 試料Ｎｏ．３＝８００℃×１時間、５７０℃×１時間 比較例２＝８００℃×１時間、５７０℃×１時間 試料Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．７＝８００℃×１時間、５４
０℃×１時間 比較例３、比較例５＝８００℃×１時間、５４０℃×１
時間

【００１７】試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．７および比較例
１〜比較例３について、Ｂ−Ｈトレーサーおよびパルス
励磁型磁気特性測定装置（最大発生磁界７９６０ｋＡ／
ｍ）を用いて室温および１００℃における残留磁束密度
Ｂｒ、保磁力Ｈｃｊを測定した。その結果を表２に示
す。なお表２には、室温における最大エネルギー積（Ｂ
Ｈ）ｍａｘについても示してある。

【００１８】

【表１】

【００１９】

【表２】

【００２０】表１に示すように、試料Ｎｏ．１、試料Ｎ
ｏ．２および比較例１は、比較例１がＢｉを含有してい
ない点を除けば、焼結磁石における組成は等しい。ここ
で、表２を用いて試料Ｎｏ．１、試料Ｎｏ．２と比較例
１の室温における磁気特性の比較を行う。試料Ｎｏ．
１、試料Ｎｏ．２および比較例１の室温における保磁力
Ｈｃｊに着目すると、Ｂｉを含まない比較例１の保磁力
Ｈｃｊは２３８０ｋＡ／ｍであるのに対し、Ｂｉ量が
０．０６ｗｔ％の試料Ｎｏ．１の保磁力Ｈｃｊは２４６
８ｋＡ／ｍ、Ｂｉ量が０．１５ｗｔ％の試料Ｎｏ．２は
２４２０ｋＡ／ｍという良好な保磁力Ｈｃｊを示す。つ
まり、Ｂｉを含有せしめることにより、保磁力Ｈｃｊが
向上することがわかる。ただし、試料Ｎｏ．１と試料Ｎ
ｏ．２の保磁力Ｈｃｊを比較すれば、Ｂｉにより保磁力
Ｈｃｊは向上するが、その量には適切な値があろうこと
が推察される。

【００２１】一方、室温の残留磁束密度Ｂｒに注目する
と、Ｂｉを含まない比較例１は１．１７Ｔ、試料Ｎｏ．
１（Ｂｉ量：０．０６ｗｔ％）の残留磁束密度Ｂｒは
１．１６Ｔ、試料Ｎｏ．２（Ｂｉ量：０．１５ｗｔ％）
の残留磁束密度Ｂｒは１．１５Ｔである。つまり、Ｂｉ
量の増加に伴う残留磁束密度Ｂｒの低下はわずかであ
る。したがって、Ｂｉは、残留磁束密度Ｂｒの低下を最
小限に抑えつつ保磁力Ｈｃｊの向上効果を最大限に享受
できるような範囲で含有せしめることができることがわ
かる。また同様に、試料Ｎｏ．３と比較例２とを比較す
ると、焼結磁石にＢｉを所定量含有する試料Ｎｏ．３
（Ｂｉ量：０．０５ｗｔ％）の方が焼結磁石にＢｉを含
有していない比較例２よりも高い保磁力Ｈｃｊを示すこ
とがわかる。

【００２２】次に、Ｂｉの含有の点を除いて組成が等し
い試料Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．７と比較例３の室温におけ
る保磁力Ｈｃｊを比較すると、比較例３の保磁力Ｈｃｊ
が１５９２ｋＡ／ｍであるのに対し、試料Ｎｏ．４〜試
料Ｎｏ．７の保磁力Ｈｃｊは１７６７〜１７８３ｋＡ／
ｍとなっており、試料Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．７の保磁力
Ｈｃｊは比較例３の保磁力Ｈｃｊよりも１５０ｋＡ／ｍ
以上高い値を示していることが注目される。また、試料
Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．７の保磁力Ｈｃｊを比較する限
り、試料Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．７の保磁力Ｈｃｊは試料
Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．２よりもＢｉ含有量の変動の影響
を受けにくいことがわかる。一方、室温における残留磁
束密度Ｂｒを比較すると、試料Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．７
の残留磁束密度Ｂｒは１．３０〜１．３１Ｔであり、比
較例３の残留磁束密度Ｂｒである１．３１Ｔとほぼ同等
であるといえる。したがって、試料Ｎｏ．４〜試料Ｎ
ｏ．７と比較例３の比較からも、Ｂｉは残留磁束密度Ｂ
ｒを低下させることなく保磁力Ｈｃｊを向上させること
のできる有効な元素であることがわかる。

【００２３】以上では試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．７およ
び比較例１〜比較例３について室温における磁気特性の
比較を行ったが、表２中の１００℃における磁気特性の
欄を参照すればわかるように、１００℃においても試料
Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．７は、比較例１〜比較例３と同等
の残留磁束密度Ｂｒを保ちつつ、比較例１〜比較例３よ
りも良好な保磁力Ｈｃｊを示している。以上の結果か
ら、焼結磁石にＢｉを所定量含有することで、保磁力Ｈ
ｃｊを向上させることができることがわかった。

【００２４】次に、試料Ｎｏ．１、試料Ｎｏ．２および
比較例１、比較例４に基づいてＢｉ量の望ましい範囲を
確認する。なお、表１に示したように、試料Ｎｏ．１、
試料Ｎｏ．２および比較例１、比較例４は、Ｂｉ量が異
なる以外は同一の条件で製造されたものである。試料Ｎ
ｏ．１、試料Ｎｏ．２および比較例１、比較例４につい
て、室温および１００℃における保磁力Ｈｃｊと残留磁
束密度Ｂｒの測定結果を表３にまとめた。また、試料Ｎ
ｏ．１、試料Ｎｏ．２および比較例１、比較例４におけ
るＢｉ量と磁気特性の変化との関係について、図１に示
す。図１中、（ａ）はＢｉ量と保磁力Ｈｃｊとの関係
（室温における保磁力Ｈｃｊ）、（ｂ）はＢｉ量と残留
磁束密度Ｂｒ（室温における残留磁束密度Ｂｒ）との関
係を示したものである。

【００２５】

【表３】

【００２６】図１（ａ）および表３に示すように、Ｂｉ
量が０ｗｔ％（比較例１）から０．０６ｗｔ％（試料Ｎ
ｏ．１）になると、保磁力Ｈｃｊが約８０ｋＡ／ｍ向上
するが、Ｂｉ量０．０７ｗｔ％前後をピークとして保磁
力Ｈｃｊは徐々に低下する。そして、Ｂｉ量が０．２０
ｗｔ％を超えるとＢｉ量が０ｗｔ％の場合（比較例１）
と同等の保磁力Ｈｃｊまで低下し、Ｂｉ量が０．３０ｗ
ｔ％の場合（比較例４）には保磁力Ｈｃｊは２２８５ｋ
Ａ／ｍまで低下した。次に図１（ｂ）を見ると、Ｂｉ量
が０ｗｔ％（比較例１）から０．０６ｗｔ％（試料Ｎ
ｏ．１）、０．１５ｗｔ％（試料Ｎｏ．２）とＢｉ量が
増加すると若干残留磁束密度Ｂｒが低下する。但し、Ｂ
ｉ量が０．１５ｗｔ％の場合（試料Ｎｏ．２）とＢｉ量
が０．３０ｗｔ％の場合（比較例４）には１．１５Ｔと
いう同一の残留磁束密度Ｂｒを示しており、Ｂｉ量が増
加してもそれほど残留磁束密度Ｂｒに影響を及ぼさない
といえる。したがって、焼結磁石におけるＢｉ量を０．
０１〜０．２０ｗｔ％程度とすることにより、残留磁束
密度Ｂｒの低下を抑制しつつ保磁力Ｈｃｊを向上させる
ことができることがわかった。そして、試料Ｎｏ．１、
試料Ｎｏ．２の磁石組成においては、Ｂｉ量を０．０１
〜０．２０ｗｔ％とすることにより、室温において２４
００ｋＡ／ｍ以上という良好な保磁力Ｈｃｊを得ること
ができる。

【００２７】続いて、試料Ｎｏ．１、試料Ｎｏ．２およ
び比較例１、比較例４とは組成が異なる試料Ｎｏ．４〜
試料Ｎｏ．７および比較例３、比較例５に基づいてＢｉ
量の望ましい範囲を確認する。なお、表１に示したよう
に、試料Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．７および比較例３、比較
例５は、焼結磁石におけるＢｉ量が異なる以外は同一の
条件で作製されたものである。試料Ｎｏ．４〜試料Ｎ
ｏ．７および比較例３、比較例５について、室温および
１００℃における保磁力Ｈｃｊと残留磁束密度Ｂｒの測
定結果を表４にまとめた。また、試料Ｎｏ．４〜試料Ｎ
ｏ．７、比較例３、比較例５のＢｉ量と磁気特性の変化
との関係について、図２に示す。図２中、（ａ）はＢｉ
量と保磁力Ｈｃｊとの関係（室温における保磁力Ｈｃ
ｊ）、（ｂ）はＢｉ量と残留磁束密度Ｂｒ（室温におけ
る残留磁束密度Ｂｒ）との関係を示したものである。

【００２８】

【表４】

【００２９】図２および表４に示すように、Ｂｉが含ま
れていない場合（比較例３）には１．３１Ｔという良好
な残留磁束密度Ｂｒを示す一方で、保磁力Ｈｃｊは１５
９２ｋＡ／ｍと低い値を示している。これに対し、Ｂｉ
量が０．０２５ｗｔ％の場合（試料Ｎｏ．４）における
残留磁束密度Ｂｒは１．３１Ｔ、保磁力Ｈｃｊは１７８
３ｋＡ／ｍとなっており、ともに良好な値を示してい
る。Ｂｉ量が０．０５ｗｔ％の場合（試料Ｎｏ．５）、
Ｂｉ量が０．０７５ｗｔ％の場合（試料Ｎｏ．６）に
は、試料Ｎｏ．４（Ｂｉ量：０．０２５ｗｔ％）と同等
の残留磁束密度Ｂｒおよび保磁力Ｈｃｊを示す。これを
ピークに保磁力Ｈｃｊは徐々に減少し、Ｂｉ量が０．３
０ｗｔ％の場合（比較例５）の保磁力Ｈｃｊは１５５０
ｋＡ／ｍと、Ｂｉが含まれていない場合（比較例３）の
保磁力Ｈｃｊよりも低い値まで低下してしまう。以上の
結果から、試料Ｎｏ．１、試料Ｎｏ．２および比較例
１、比較例４とは組成が異なる試料Ｎｏ．４〜試料Ｎ
ｏ．７および比較例３、比較例５においても、Ｂｉ量を
０．０１〜０．２０ｗｔ％とすることにより、残留磁束
密度Ｂｒの低下を抑制しつつ保磁力Ｈｃｊを向上させる
ことができることがわかった。Ｂｉ量のより望ましい範
囲は０．０２〜０．１５ｗｔ％、さらに望ましくは０．
０２５〜０．１０ｗｔ％であるといえる。試料Ｎｏ．４
〜試料Ｎｏ．７の磁石組成においては、Ｂｉ量を０．０
１〜０．２０ｗｔ％とすることにより、室温において１
７００ｋＡ／ｍ以上の保磁力Ｈｃｊおよび１．２９Ｔの
良好な磁気特性を得ることができる。

【００３０】（実施例２）焼結温度の変動に伴う磁気特
性の変動を確認するために行った実験を、実施例２とし
て説明する。上述の通り、実施例１で得た試料Ｎｏ．４
〜試料Ｎｏ．６および比較例３は、磁場中成形後の成形
体を１０７０℃でそれぞれ４時間焼結した後、二段時効
処理を施したものである。表５に示す通り、本実施例で
は、試料Ｎｏ．４（Ｂｉ量：０．０２５ｗｔ％）と焼結
条件のみが異なる試料Ｎｏ．８、試料Ｎｏ．９、試料Ｎ
ｏ．５（Ｂｉ量：０．０５ｗｔ％）と焼結条件のみが異
なる試料Ｎｏ．１０、試料Ｎｏ．１１、試料Ｎｏ．６
（Ｂｉ量：０．０７５ｗｔ％）と焼結条件のみが異なる
試料Ｎｏ．１２、試料Ｎｏ．１３、比較例３（Ｂｉ含有
せず）と焼結条件のみが異なる比較例６、比較例７を作
製した。試料Ｎｏ．８〜試料Ｎｏ．１３、比較例６、比
較例７の焼結条件および二段時効処理の条件は以下に示
す通りである。

【００３１】焼結条件： 試料Ｎｏ．８、試料Ｎｏ．１０、試料Ｎｏ．１２＝１０
５０℃×４時間 比較例６＝１０５０℃×４時間 試料Ｎｏ．９、試料Ｎｏ．１１、試料Ｎｏ．１３＝１０
９０℃×４時間 比較例７＝１０９０℃×４時間 二段時効処理： 試料Ｎｏ．８〜試料Ｎｏ．１３＝８００℃×１時間、５
４０℃×１時間 比較例６、比較例７＝８００℃×１時間、５４０℃×１
時間

【００３２】試料Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．６、試料Ｎｏ．
８〜試料Ｎｏ．１３、比較例３、比較例６、比較例７の
保磁力Ｈｃｊおよび残留磁束密度Ｂｒの関係図を図３に
示す。図３において、曲線ａはＢｉ量が０．０２５ｗｔ
％である試料（試料Ｎｏ．４、試料Ｎｏ．８、試料Ｎ
ｏ．９）の磁気特性の傾向を示しており、同様に曲線ｂ
はＢｉ量が０．０５ｗｔ％（試料Ｎｏ．５、試料Ｎｏ．
１０、試料Ｎｏ．１１）、曲線ｃはＢｉ量が０．０７５
ｗｔ％（試料Ｎｏ．６、試料Ｎｏ．１２、試料Ｎｏ．１
３）、曲線ｄは焼結磁石にＢｉを含有しない試料（比較
例３、比較例６、比較例７）の磁気特性をそれぞれ示し
ている。

【００３３】

【表５】

【００３４】図３に示すように、曲線ａは曲線ｄの右上
に位置している。つまり、Ｂｉ量が０．０２５ｗｔ％で
ある曲線ａは、焼結温度１０５０℃、１０７０℃、１０
９０℃のいずれにおいても曲線ｄ（Ｂｉを含有せず）よ
りも良好な保磁力Ｈｃｊおよび残留磁束密度Ｂｒを示し
ていることがわかる。また曲線ａ〜曲線ｄは、焼結温度
が上昇するにつれて保磁力Ｈｃｊが低下し、その一方で
残留磁束密度Ｂｒが向上する傾向を示している。ところ
が、焼結磁石にＢｉを所定量含む曲線ａ〜曲線ｃは、焼
結温度が１０９０℃である場合においても約１７５０ｋ
Ａ／ｍという良好な保磁力Ｈｃｊを示していることが注
目される。一方、Ｂｉを含有しない曲線ｄにおいて、焼
結温度が１０９０℃である場合には保磁力Ｈｃｊは約１
５９０ｋＡ／ｍという低い値となってしまう。

【００３５】次に、図３中の曲線ａ（Ｂｉ量：０．０２
５ｗｔ％）、曲線ｂ（Ｂｉ量：０．０５ｗｔ％）、曲線
ｃ（Ｂｉ量：０．０７５ｗｔ％）とを比較すると、この
中で最も安定して高い磁気特性を示しているのは曲線ａ
である。曲線ａでは、焼結温度１０５０℃、１０７０
℃、１０９０℃のいずれの場合においても残留磁束密度
Ｂｒが１．２９Ｔ以上および保磁力Ｈｃｊが約１７５０
ｋＡ／ｍという良好な磁気特性を示す。以上の結果よ
り、Ｂｉを所定量含めることにより磁気特性が向上し、
かつ焼結温度が上昇した場合の保磁力Ｈｃｊの低下を抑
制することができることがわかった。より具体的には、
Ｂｉを所定量含む本発明によれば、残留磁束密度Ｂｒが
１．２５Ｔ以上、かつ保磁力Ｈｃｊが１６７０ｋＡ／ｍ
以上の希土類永久磁石を得ることができる。

【００３６】（実施例３）Ｂｉ量に対する磁気特性の変
化と、焼結磁石におけるＧａ量（以下、「Ｇａ量」とい
う）に対する磁気特性の変化とを比較確認するために行
った実験を、実施例３として説明する。実施例１と同様
の条件でａ合金粉末、ｂ合金粉末およびｃ合金粉末を調
整し、粉砕、混合、磁場中成形を行った。但し、焼結磁
石にＧａを含む場合、実施例１のｂ合金について、「３
ｗｔ％以下（０は含まず）Ｂｉ」を含む合金の代わり
に、「５ｗｔ％以下（０は含まず）Ｇａ」を含む合金を
用いた。磁場中成形後の成形体を１０９０℃で４時間焼
結した後、以下の条件で二段時効処理を施し、焼結磁石
にＢｉを含む試料Ｎｏ．１４〜試料Ｎｏ．１６と焼結磁
石にＧａを含む比較例８〜比較例１０を得た。

【００３７】二段時効処理： 試料Ｎｏ．１４〜試料Ｎｏ．１６＝７５０℃×１時間、
５４０℃×１時間 比較例８〜比較例１０＝７５０℃×１時間、５４０℃×
１時間

【００３８】なお、試料Ｎｏ．１４〜試料Ｎｏ．１６と
比較例８〜比較例１０の磁石組成は表６に示す通りであ
る。試料Ｎｏ．１４〜試料Ｎｏ．１６および比較例８〜
比較例１０について、１００℃における保磁力Ｈｃｊの
測定結果を図４に示す。なお、焼結磁石にＧａ、Ｂｉの
いずれも含有していないものを「Ｍ−ｆｒｅｅ」として
図４に示している。

【００３９】

【表６】

【００４０】図４に示すように、Ｂｉ量が０．０６ｗｔ
％の場合（試料Ｎｏ．１４）の保磁力Ｈｃｊは約１５７
０ｋＡ／ｍである。一方、これと同等の保磁力Ｈｃｊを
得るためにはＧａを約０．１６ｗｔ％添加する必要があ
る。つまり、Ｂｉによれば、Ｇａ添加量のおよそ１／３
の添加量で高い保磁力Ｈｃｊを得ることができることが
わかった。よって、Ｂｉを用いることによって磁石の製
造コストを低減することができるといえる。

【００４１】（実施例４）Ｂｉ，Ｇａ，Ｓｎをそれぞれ
単独添加した場合におけるＤｙ量と磁気特性の関係を確
認するために行った実験を、実施例４として説明する。
実施例１と同様の条件でａ合金粉末、ｂ合金粉末および
ｃ合金粉末を調整し、粉砕、混合、磁場中成形を行っ
た。但し、焼結磁石にＧａを含む場合、実施例１のｂ合
金について、「３ｗｔ％以下（０は含まず）Ｂｉ」を含
む合金の代わりに、「５ｗｔ％以下（０は含まず）Ｇ
ａ」を含む合金を用いた。また、焼結磁石にＳｎを含む
場合には、実施例１のｂ合金について、「３ｗｔ％以下
（０は含まず）Ｂｉ」を含む合金の代わりに、「１０ｗ
ｔ％以下（０は含まず）Ｓｎ」を含む合金を用いた。磁
場中成形後の成形体を１０９０℃で４時間焼結した後、
以下の条件で二段時効処理を施し、Ｂｉを含む試料Ｎ
ｏ．１７〜試料Ｎｏ．１９（Ｂｉ量：０．０５ｗｔ
％）、Ｇａを含む比較例１１〜比較例１３（Ｇａ量：
０．１６ｗｔ％）、Ｓｎを含む比較例１４〜比較例１６
（Ｓｎ量：０．１２ｗｔ％）、およびＢｉ，Ｇａ，Ｓｎ
のいずれも含まない比較例１７を得た。

【００４２】二段時効処理： 試料Ｎｏ．１７〜試料Ｎｏ．１９＝８００℃×１時間、
５７０℃×１時間 比較例１１〜比較例１３、比較例１７＝８００℃×１時
間、５７０℃×１時間 比較例１４〜比較例１６＝７５０℃×１時間、５４０℃
×１時間

【００４３】試料Ｎｏ．１７〜試料Ｎｏ．１９と比較例
１１〜比較例１７の磁石組成は表７に示す通りである。
なお、表７に示すように、試料Ｎｏ．１７〜試料Ｎｏ．
１９、比較例１１〜比較例１７はいずれもＣｕ，Ａｌを
同量ずつ含んでいる。よって、比較例１７についてもＣ
ｕ，Ａｌを含有しているが、本実施例においては説明の
便宜上、比較例１７については適宜「Ｍを含まない（後
述する図５においてはＭ−ｆｒｅｅ）」という表現を用
いる。表７に示すように、試料Ｎｏ．１７〜試料Ｎｏ．
１９および比較例１１〜比較例１７のＤｙ量は以下の通
りである。 Ｄｙ量５．０ｗｔ％：比較例１４ Ｄｙ量６．０ｗｔ％：比較例１５ Ｄｙ量６．３ｗｔ％：試料Ｎｏ．１７、比較例１１ Ｄｙ量７．２ｗｔ％：試料Ｎｏ．１８、比較例１２ Ｄｙ量８．１ｗｔ％：試料Ｎｏ．１９、比較例１３、比
較例１６、比較例１７ 試料Ｎｏ．１７〜試料Ｎｏ．１９および比較例１１〜比
較例１７について、１００℃における保磁力Ｈｃｊおよ
び残留磁束密度Ｂｒの測定結果を図５に示す。

【００４４】

【表７】

【００４５】図５に示すように、Ｄｙ量が５．０ｗｔ
％、６．０ｗｔ％、６．３ｗｔ％、７．２ｗｔ％、８．
１ｗｔ％と増加するにつれて保磁力Ｈｃｊが向上し、そ
の一方で残留磁束密度Ｂｒが低下する傾向がある。つま
り、高い保磁力Ｈｃｊを得るためにはＤｙ量を増加させ
ればよく、逆に高い残留磁束密度Ｂｒを得るためにはＤ
ｙ量を減少させることが有効である。ここでＤｙ量が
６．３ｗｔ％である試料Ｎｏ．１７と比較例１１とを比
較すると、両者の残留磁束密度Ｂｒは１．２２〜１．２
３Ｔとほぼ等しい。ところが保磁力ＨｃｊについてはＢ
ｉを含む試料Ｎｏ．１７の方が高い値を示している。ま
た、Ｄｙ量が７．２ｗｔ％である試料Ｎｏ．１８と比較
例１２とを比較すると、試料Ｎｏ．１８は残留磁束密度
Ｂｒおよび保磁力Ｈｃｊともに比較例１２よりも高い値
を示す。したがって、添加元素ＭとしてＢｉを選択する
ことにより高い磁気特性を得ることができるといえる。

【００４６】次にＤｙ量が８．１ｗｔ％である試料Ｎ
ｏ．１９、比較例１３、比較例１６、比較例１７に着目
すると、これらはいずれも１．１８〜１．２０Ｔの残留
磁束密度Ｂｒを示している。ところが保磁力Ｈｃｊにつ
いては試料Ｎｏ．１９が約１５５０ｋＡ／ｍという最も
良好な値を示し、次いで比較例１３（保磁力Ｈｃｊ：約
１５００ｋＡ／ｍ）、比較例１７（保磁力Ｈｃｊ：約１
４２０ｋＡ／ｍ）、比較例１６（保磁力Ｈｃｊ：約１４
１０ｋＡ／ｍ）という順になっている。つまり、本実施
例で添加元素Ｍとして用いたＢｉ，Ｇａ，Ｓｎにおい
て、磁気特性向上の効果が高いのはＢｉ，Ｇａ，Ｓｎの
順であるといえる。また、Ｂｉの添加量は０．０５ｗｔ
％、Ｇａの添加量は０．１６ｗｔ％、Ｓｎの添加量は
０．１２ｗｔ％であることから、上述の実施例１〜３で
立証済みのようにＢｉは少ない添加量で高い効果を発揮
する。

【００４７】さらにＤｙ量が８．１ｗｔ％である比較例
１６、比較例１７とＤｙ量が７．２ｗｔ％である試料Ｎ
ｏ．１８とを比較すると、試料Ｎｏ．１８は比較例１
６、比較例１７と同等の保磁力Ｈｃｊを保ちながらより
高い残留磁束密度Ｂｒを示す。つまり、一般的には上述
の通り、Ｄｙ量が減少するにつれて保磁力Ｈｃｊが低下
する傾向があるのに対し、Ｂｉをわずか０．０５ｗｔ％
含むことにより、コストの高いＤｙの量を低減しつつ、
磁気特性を向上させることができる。以上の結果から、
Ｂｉを選択した場合には、Ｂｉ，Ｇａ，Ｓｎのいずれも
含まない場合、添加元素ＭとしてＧａまたはＳｎを含む
場合よりも磁気特性向上、特に保磁力Ｈｃｊの向上に有
効であることがわかった。

【００４８】（実施例５）ＢｉとＧａを複合添加した場
合、ＢｉとＳｎを複合添加した場合の効果を確認するた
めに行った実験を、実施例５として説明する。実施例１
と同様の条件でａ合金粉末、ｂ合金粉末およびｃ合金粉
末を調整し、粉砕、混合、磁場中成形を行った。但し、
ＧａまたはＳｎについてもｂ合金粉末から供給すること
とした。よって、ＢｉとＧａを複合添加した場合には実
施例１のｂ合金組成にさらに「５ｗｔ％以下（０は含ま
ず）Ｇａ」を含む合金を用いた。またＢｉとＳｎを複合
添加した場合には実施例１のｂ合金組成にさらに「１０
ｗｔ％以下（０は含まず）Ｓｎ」を含む合金を用いた。
磁場中成形後の成形体を１０９０℃で４時間焼結した
後、以下の条件で二段時効処理を施し、焼結磁石にＢｉ
およびＧａを含む試料Ｎｏ．２０、比較例１８および焼
結磁石にＢｉおよびＳｎを含む試料Ｎｏ．２１、比較例
１９を得た。

【００４９】二段時効処理： 試料Ｎｏ．２０＝８００℃×１時間、５７０℃×１時間 比較例１８＝８００℃×１時間、５７０℃×１時間 試料Ｎｏ．２１＝７５０℃×１時間、５４０℃×１時間 比較例１９＝７５０℃×１時間、５４０℃×１時間

【００５０】表８に示すように、試料Ｎｏ．２０、比較
例１８の組成は上記実施例４で用いた比較例１３とほぼ
同じであり、また試料Ｎｏ．２１、比較例１９の組成は
上記実施例４で用いた試料Ｎｏ．１９、比較例１６とほ
ぼ同じである。本実施例では、これらの試料Ｎｏ．１
９、比較例１３、比較例１６を適宜参照しながら、添加
元素ＭとしてＢｉとＧａを複合添加した場合および添加
元素ＭとしてＢｉとＳｎを複合添加した場合の効果とに
ついて検討を行う。焼結磁石にＢｉおよびＧａを含む試
料Ｎｏ．２０、比較例１８および焼結磁石にＢｉおよび
Ｓｎを含む試料Ｎｏ．２１、比較例１９の保磁力Ｈｃｊ
および残留磁束密度Ｂｒを図６に示す。

【００５１】

【表８】

【００５２】はじめに、試料Ｎｏ．２０（Ｂｉ：０．０
５ｗｔ％＋Ｇａ：０．１６ｗｔ％）と比較例１３（Ｇ
ａ：０．１６ｗｔ％）との比較を行う。ここで、比較例
１３と試料Ｎｏ．２０は、試料Ｎｏ．２０がＢｉを０．
０５ｗｔ％含有している点を除けば、磁石組成が同一で
ある。図６を見ると、ＢｉとＧａを複合添加している試
料Ｎｏ．２０は、Ｇａを単独添加した比較例１３よりも
右側に位置しており、試料Ｎｏ．２０は比較例１３より
もおよそ５０ｋＡ／ｍ高い保磁力Ｈｃｊを示している。
よって、Ｇａと所定量のＢｉを複合添加することによ
り、Ｇａを単独添加した場合よりも高い保磁力Ｈｃｊが
得られることがわかった。但し、Ｂｉを０．３０ｗｔ％
含有している比較例１８（Ｂｉ：０．３０ｗｔ％＋Ｇ
ａ：０．１６ｗｔ％）は、比較例１３よりもおよそ１０
０ｋＡ／ｍ低い値の保磁力Ｈｃｊを示しており、残留磁
束密度Ｂｒについても比較例１８の方が比較例１３より
も低い値を示した。以上の結果から、所定量のＢｉとＧ
ａを複合添加することによって保磁力Ｈｃｊを向上させ
ることができるが、この場合においてもＢｉの望ましい
添加量は０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲であると推測さ
れる。

【００５３】続いて、試料Ｎｏ．２１（Ｂｉ：０．０５
ｗｔ％＋Ｓｎ：０．１２ｗｔ％）と比較例１６（Ｓｎ：
０．１２ｗｔ％）との比較を行う。ここで、比較例１６
と試料Ｎｏ．２１は、試料Ｎｏ．２１がＢｉを０．０５
ｗｔ％含有している点を除けば、磁石組成が同一であ
る。図６を見ると、ＢｉとＳｎを複合添加している試料
Ｎｏ．２１は、Ｓｎを単独添加した比較例１６よりもお
よそ１００ｋＡ／ｍ高い保磁力Ｈｃｊを示している。と
ころが、比較例１９（Ｂｉ：０．３５ｗｔ％＋Ｓｎ：
０．１２ｗｔ％）に着目すると、比較例１９の保磁力Ｈ
ｃｊは約１３６０ｋＡ／ｍである。つまり、比較例１９
は、Ｓｎを単独添加した比較例１６（保磁力Ｈｃｊ：約
１４２０ｋＡ／ｍ）よりも低い保磁力Ｈｃｊを示し、試
料Ｎｏ．２１（保磁力Ｈｃｊ：約１５２０ｋＡ／ｍ）と
比較した場合には１５０ｋＡ／ｍ以上も低い保磁力Ｈｃ
ｊを示した。また、比較例１９（Ｂｉ：０．３５ｗｔ％
＋Ｓｎ：０．１２ｗｔ％）は比較例１３（Ｇａ：０．１
６ｗｔ％）および試料Ｎｏ．２１（Ｂｉ：０．０５ｗｔ
％＋Ｓｎ：０．１２ｗｔ％）の左下に位置しており、Ｂ
ｉを０．３５ｗｔ％含有する比較例１９は、比較例１３
および試料Ｎｏ．２１よりも低い残留磁束密度Ｂｒを呈
していることがわかる。以上の結果から、所定量のＢｉ
とＳｎを複合添加することによって保磁力Ｈｃｊを向上
させることができるが、この場合においてもＢｉ量が所
定量を超えるとＳｎを単独添加した場合よりも低い磁気
特性を示すことが確認された。したがって、ＢｉとＳｎ
を複合添加する場合についても、Ｂｉの望ましい添加量
は０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲であるといえる。

【００５４】ところで、図６には、上記実施例４で用い
た試料Ｎｏ．１９の磁気特性についても示してある。こ
こで、試料Ｎｏ．１９（Ｂｉ：０．０５ｗｔ％）、試料
Ｎｏ．２０（Ｂｉ：０．０５ｗｔ％＋Ｇａ：０．１６ｗ
ｔ％）、試料Ｎｏ．２１（Ｂｉ：０．０５ｗｔ％＋Ｓ
ｎ：０．１２ｗｔ％）に着目すると、試料Ｎｏ．１９、
試料Ｎｏ．２０、試料Ｎｏ．２１の順に良好な磁気特性
を示していることがわかる。つまり、本実施例の結果を
まとめると（但し、Ｂｉを含有する場合にはＢｉ量を
０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲とする）、最も良好な磁
気特性を示したのがＢｉ単独添加（試料Ｎｏ．１９）、
次いでＢｉとＧａの複合添加（試料Ｎｏ．２０）、Ｂｉ
とＳｎの複合添加（試料Ｎｏ．２１）、Ｇａ単独添加
（比較例１３）、Ｓｎ単独添加（比較例１６）であっ
た。この結果から、本願発明で推奨する範囲、すなわち
０．０１〜０．２ｗｔ％というごく微量のＢｉを焼結磁
石に含有せしめることが、焼結磁石の磁気特性を改善す
る上できわめて効果的であることが明らかとなった。

【００５５】（実施例６）以上の実施例１〜５は、いず
れも焼結磁石に所定量のＡｌ，Ｃｕを含むものであっ
た。本実施例は、焼結磁石にＡｌ，Ｃｕを含まない場合
においてもＢｉを所定量添加することによって焼結磁石
の磁気特性を改善することができるか否かを確認するた
めに行ったものである。原料金属をＡｒ雰囲気中で高周
波溶解することにより、 ａ'合金：（２０〜３０）ｗｔ％Ｎｄ-（２〜１０）ｗｔ
％Ｄｙ- （１〜１．３）ｗｔ％Ｂ-ｂａｌ．Ｆｅ ｂ'合金：（２０〜４０）ｗｔ％Ｎｄ-（１０〜５０）ｗ
ｔ％Ｄｙ- （３〜１２）ｗｔ％Ｃｏ-３ｗｔ％以下（０は含まず）
Ｂｉ- ｂａｌ．Ｆｅ ｃ'合金：（２０〜４０）ｗｔ％Ｎｄ-（１０〜５０）ｗ
ｔ％Ｄｙ- （３〜１２）ｗｔ％Ｃｏ-ｂａｌ．Ｆｅ として調整した。なお、ＮｄとＤｙの合計量は３０〜６
０ｗｔ％である。

【００５６】次いで、ａ'合金、ｂ'合金およびｃ'合金
を以下の条件にて粉砕することにより、微粉砕後の粒径
を３〜５μｍとし、ａ'合金粉末、ｂ'合金粉末および
ｃ'合金粉末の３種類の合金粉末を得た。なお、ａ'合
金、ｂ'合金およびｃ'合金の組成は、ａ'合金粉末：
（ｂ'＋ ｃ'）合金粉末の混合比率（重量比）が９０：
１０〜９７：３程度で磁石組成となるよう適宜製作し
た。得られた合金粉末を窒素雰囲気のグローブボックス
内にて混合し、磁場中成形および焼結を以下の条件にて
行った。次いで以下の条件で二段時効処理を施し、試料
Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２３および比較例２０、比較例
２１の４種類の焼結磁石を得た。焼結後の磁石の組成は
表９に示す通りである。なお、試料Ｎｏ．２２、試料Ｎ
ｏ．２３、比較例２０、比較例２１による磁石はＢｉの
含有の点を除くと基本的に同一の組成を有している。ま
た、比較の便宜のために実施例１で作製した試料Ｎｏ．
１、試料Ｎｏ．２、および比較例１、比較例４の組成に
ついても表９に示してある。試料Ｎｏ．２２がＣｕ，Ａ
ｌを含有していない点を除けば、試料Ｎｏ．２２と試料
Ｎｏ．１は同一の組成を有している。また、試料Ｎｏ．
２３と試料Ｎｏ．２、比較例２０と比較例１、比較例２
１と比較例４についても、試料Ｎｏ．２２と試料Ｎｏ．
１と同様の関係にある。

【００５７】粗粉砕：ブラウンミル使用（水素吸蔵後、
窒素雰囲気中にて行った。） 微粉砕：ジェットミル使用（高圧窒素ガス雰囲気中にて
行った。） 粉砕時添加剤：ステアリン酸亜鉛０．１ｗｔ％ 焼結条件：試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２３＝１０９０
℃×４時間 比較例２０、比較例２１＝１０９０℃×４時間 磁場中成形条件：１２００ｋＡ／ｍの磁場中で１４７Ｍ
Ｐａの圧力で横磁場成形（プレス方向と磁場方向が直
交） 二段時効処理： 試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２３＝７５０℃×１時間、
５４０℃×１時間 比較例２０、比較例２１＝７５０℃×１時間、５４０℃
×１時間

【００５８】試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２３および比
較例２０、比較例２１について、Ｂ−Ｈトレーサーおよ
びパルス励磁型磁気特性測定装置（最大発生磁界７９６
０ｋＡ／ｍ）を用いて室温および１００℃における残留
磁束密度Ｂｒ、保磁力Ｈｃｊを測定した。その結果を表
１０に示す。なお表１０には、室温における最大エネル
ギー積（ＢＨ）ｍａｘについても示してある。また、比
較の便宜のために、表１０には試料Ｎｏ．１、試料Ｎ
ｏ．２、比較例１、比較例４の室温および１００℃にお
ける残留磁束密度Ｂｒ、保磁力Ｈｃｊ、室温における最
大エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘについても示している。

【００５９】

【表９】

【００６０】

【表１０】

【００６１】表９に示すように、試料Ｎｏ．２２、試料
Ｎｏ．２３、比較例２０および比較例２１は、比較例２
０がＢｉを含有していない点を除けば、焼結磁石におけ
る組成は等しい。ここで、表１０を用いて試料Ｎｏ．２
２、試料Ｎｏ．２３、比較例２０および比較例２１の室
温における磁気特性の比較を行う。

【００６２】表１０において、試料Ｎｏ．２２、試料Ｎ
ｏ．２３、比較例２０および比較例２１の室温における
保磁力Ｈｃｊに着目すると、Ｂｉを含まない比較例２０
の保磁力Ｈｃｊは２３５２ｋＡ／ｍであるのに対し、Ｂ
ｉ量が０．０６ｗｔ％の試料Ｎｏ．２２の保磁力Ｈｃｊ
は２４５２ｋＡ／ｍ、Ｂｉ量が０．１５ｗｔ％の試料Ｎ
ｏ．２３は２４０８ｋＡ／ｍという良好な保磁力Ｈｃｊ
を示す。ところが、Ｂｉ量が０．３０ｗｔ％の比較例２
１の保磁力Ｈｃｊは２２６０ｋＡ／ｍとなっており、Ｂ
ｉを含まない比較例２０よりも保磁力Ｈｃｊが低下し
た。つまり、Ｂｉを含有せしめることにより、保磁力Ｈ
ｃｊが向上するが、Ｂｉの含有量が所定量を超えると再
び保磁力Ｈｃｊが低下することがわかった。

【００６３】上述の通り、試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．
２３、比較例２０、比較例２１がＣｕおよびＡｌを含ん
でいない点を除けば、これらの焼結磁石における組成は
それぞれ試料Ｎｏ．１、試料Ｎｏ．２、比較例１、比較
例４に対応している。ここで、上述した表１０の結果、
すなわち試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２３、比較例２０
および比較例２１の室温における保磁力Ｈｃｊを図７に
示す。なお、図７における曲線は図１（ａ）に示した曲
線と同一のものである。図７に示したように、曲線に沿
って試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２３、比較例２０、比
較例２１がプロットされている。したがって、焼結磁石
にＣｕおよびＡｌを含まない場合においてもＢｉ量を所
定量添加することによって保磁力Ｈｃｊを向上させるこ
とができることが明らかとなった。

【００６４】次に、表１０に示した試料Ｎｏ．２２、試
料Ｎｏ．２３、比較例２０および比較例２１の室温にお
ける残留磁束密度Ｂｒに注目する。Ｂｉを含まない比較
例２０の残留磁束密度Ｂｒは１．１７Ｔ、試料Ｎｏ．２
２（Ｂｉ量：０．０６ｗｔ％）の残留磁束密度Ｂｒは
１．１７Ｔ、試料Ｎｏ．２３（Ｂｉ量：０．１５ｗｔ
％）の残留磁束密度Ｂｒは１．１６Ｔ、比較例２１（Ｂ
ｉ量：０．３０ｗｔ％）の残留磁束密度Ｂｒは１．１５
Ｔとなっている。つまり、本発明が推奨する範囲、すな
わち、Ｂｉを０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲で添加した
場合には、残留磁束密度Ｂｒの低下をほとんど招いてい
ないといえる。以上説明の通り、焼結磁石にＣｕおよび
Ａｌを含まない場合、すなわちＭとしてＣｕ，Ａｌ，Ｓ
ｎ，Ｇａのいずれも含有していない場合においても、Ｂ
ｉを所定量添加することにより、実施例１とほぼ同様の
傾向が得られた。つまり、本願発明で推奨する範囲、す
なわち焼結磁石にＢｉを０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲
で含有せしめることによって、Ｍとして他の元素を含ま
ずとも残留磁束密度Ｂｒの低下を抑えつつ保磁力Ｈｃｊ
を向上させることができることがわかった。この範囲で
Ｂｉを添加した場合には、２４００ｋＡ／ｍ以上の保磁
力Ｈｃｊおよび１．１６Ｔ以上の残留磁束密度Ｂｒを得
ることができる。

【００６５】上述した実施例１〜６によって、焼結磁石
に０．０１〜０．２ｗｔ％のＢｉを含有させることによ
り、残留磁束密度Ｂｒの低下を抑制しつつ保磁力Ｈｃｊ
を向上させることができることが明らかとなった。ここ
で、実施例１および実施例６において作製した試料Ｎ
ｏ．１〜試料Ｎｏ．７、試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２
３の残留磁束密度Ｂｒと保磁力Ｈｃｊの積（Ｂｒ×Ｈｃ
ｊ）、および保磁力Ｈｃｊを重希土類元素の重量百分率
で割った値（Ｈｃｊ／重希土類元素の重量百分率）を表
１１に示す。なお、試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．７、試料
Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２３に含まれる重希土類元素は
Ｄｙのみであるため、保磁力Ｈｃｊを重希土類元素の重
量百分率で割った値（Ｈｃｊ／重希土類元素の重量百分
率）については表１１中にてＨｃｊ／Ｄｙ量として示し
ている。

【００６６】

【表１１】

【００６７】表１１の残留磁束密度Ｂｒと保磁力Ｈｃｊ
の積（Ｂｒ×Ｈｃｊ）の欄を見ると、試料Ｎｏ．１〜試
料Ｎｏ．７、試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２３はいずれ
も２２００（Ｔ×ｋＡ／ｍ）以上という良好な値を示し
ている。また、Ｈｃｊ／Ｄｙ量の欄を見ると、試料Ｎ
ｏ．１〜試料Ｎｏ．７、試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２
３はいずれも２６０（ｋＡ／ｍ×１／ｗｔ％）以上の値
を示しており、試料Ｎｏ．３〜試料Ｎｏ．７については
２９０（ｋＡ／ｍ×１／ｗｔ％）以上の値を示してい
る。ここで、Ｄｙ量が４．６ｗｔ％である試料Ｎｏ．４
〜試料Ｎｏ．７については、３８４〜３８８（ｋＡ／ｍ
×１／ｗｔ％）という非常に優れた値を示していること
が注目される。つまり、焼結磁石中にＢｉを所定量含有
する本発明によれば、コストが高い重希土類元素の添加
量を低減しつつ、優れた磁気特性を有する希土類永久磁
石を得ることができるのである。

【００６８】次に、実施例１および実施例６において作
製した試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．７、試料Ｎｏ．２２、
試料Ｎｏ．２３、比較例４、比較例５、比較例２１の保
磁力ＨｃｊをＢｉの重量百分率で割った値（Ｈｃｊ／Ｂ
ｉの重量百分率）を表１２に示す。

【００６９】

【表１２】

【００７０】表１２を見ると、Ｂｉ量が０．３０ｗｔ％
である比較例４、比較例５、比較例２１は、保磁力Ｈｃ
ｊをＢｉの重量百分率で割った値が５１６７〜７６１５
（ｋＡ／ｍ×１／ｗｔ％）である。一方、Ｂｉ量が本願
発明で推奨する範囲、すなわちＢｉ量が０．０１〜０．
２ｗｔ％である試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．７、試料Ｎ
ｏ．２２、試料Ｎｏ．２３は、保磁力ＨｃｊをＢｉの重
量百分率で割った値がいずれも１００００以上の値を示
している。特に、Ｂｉ量が０．１ｗｔ％以下である試料
Ｎｏ．１、試料Ｎｏ．３〜試料Ｎｏ．６、試料Ｎｏ．２
２についてはいずれも２００００（ｋＡ／ｍ×１／ｗｔ
％）以上の値を示していることが注目される。つまり、
焼結磁石中に含有されるＢｉ量を本発明で推奨する範
囲、すなわち０．０１〜０．２ｗｔ％とすることによっ
て、Ｂｉ添加による保磁力Ｈｃｊの向上という効果を最
大限に享受することができるといえる。

【００７１】（実施例７）実施例１〜６では３種類の合
金を原料とした、いわゆる混合法による焼結磁石につい
て説明したが、１種類の合金を原料とする、いわゆるシ
ングル法による焼結磁石の磁気特性の確認を行った。焼
結磁石に含まれる、全ての構成元素を含む合金を製造工
程中での組成変動を勘案した組成に作製した。この合金
をａ"合金とする。ａ"合金を原料として、試料Ｎｏ．１
と同様の条件で粉砕から磁場中成形、焼結、二段時効処
理を施し、試料Ｎｏ．２４を得た。試料Ｎｏ．２４の組
成および磁気特性を表１３に示す。なお、表１３には試
料Ｎｏ．１の組成および磁気特性を併せて示している。

【００７２】

【表１３】

【００７３】表１３において、試料Ｎｏ．１と試料Ｎ
ｏ．２４とは、組成がほぼ同一であるとともに、その磁
気特性は同等である。したがって、原料合金が単数（シ
ングル法）であるか複数（混合法）であるかの違いは、
磁気特性に影響を及ぼさないことがわかった。混合法は
所望組成を調整するのが容易である利点を有し、シング
ル法は混合工程がないためにコスト面で有利である。

【００７４】（実施例８）試料Ｎｏ．１を用いて、Ｂｉ
の焼結磁石中における存在位置を確認するため、ＥＰＭ
Ａ（電子線プローブマイクロアナライザー）による線分
分析を行った結果を実施例８として示す。図８に、ＥＰ
ＭＡによるＢｉ，Ｎｄ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｆｅの定量線分分
析の結果を示す。なお、図８は、図９中の矢印で示すよ
うに焼結磁石の粒界相を含む部分についての線分分析結
果である。図８に示すように、Ｂｉの高濃度ピークとＮ
ｄの高濃度ピークとが一致していること、さらにＦｅの
低濃度ピークとが一致していることから、ＢｉはＮｄ−
ｒｉｃｈ相と呼ばれる非磁性粒界相に存在しているもの
と判断される。しかし、他の粒界相を分析したところ、
Ｂｉが検知されないこともあった。一方で、結晶粒内を
線分分析した結果の範囲内では、Ｂｉを含有する結晶粒
が見出せなかった。したがって、Ｂｉは焼結磁石中の粒
界相に散在、つまりＲリッチな粒界相内に、粒界相の厚
みより小さい長径を有する状態で、独立したＲ−Ｆｅ−
Ｂｉ化合物として、非連続に存在する。この化合物をよ
り詳細に解析したところ、正方晶系の結晶構造を有する
Ｒ₆Ｆｅ₁₃Ｂｉ₁（Ｎｄ₆Ｆｅ₁₃Ｂｉ₁等）化合物として存
在するものがあることがわかった。そして、この粒界相
にＢｉが含まれることが、本発明の効果、すなわち残留
磁束密度Ｂｒの低下を招くことなく高い保磁力Ｈｃｊを
得ることができるものと推測される。

【００７５】また、焼結体の平均結晶粒径を測定したと
ころ、３〜１０μｍの範囲であった。よって、焼結体の
平均結晶粒径を３〜１０μｍ、好ましくは５〜８μｍと
することが望ましいと推測される。さらに、焼結体中に
おいて１０μｍ以上の粗大な粒子の存在する割合が１５
％以下となることが好ましい。

【００７６】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
コストを低減しつつ、保磁力および残留磁束密度がとも
に優れた希土類永久磁石を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （ａ）は試料Ｎｏ.１、試料Ｎｏ.２、比較例
１、比較例４のＢｉ量と保磁力Ｈｃｊとの関係（室温に
おける保磁力Ｈｃｊ）、（ｂ）は試料Ｎｏ.１、試料Ｎ
ｏ.２、比較例１、比較例４のＢｉ量と残留磁束密度Ｂ
ｒ（室温における残留磁束密度Ｂｒ）との関係を示すグ
ラフである。

【図２】 （ａ）は試料Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．７、比較
例３、比較例５のＢｉ量と保磁力Ｈｃｊとの関係（室温
における保磁力Ｈｃｊ）、（ｂ）は試料Ｎｏ．４〜試料
Ｎｏ．７、比較例３、比較例５のＢｉ量と残留磁束密度
Ｂｒ（室温における残留磁束密度Ｂｒ）との関係を示す
グラフである。

【図３】 試料Ｎｏ．４〜試料Ｎｏ．６、試料Ｎｏ．８
〜試料Ｎｏ．１３、比較例３、比較例６、比較例７の保
磁力Ｈｃｊおよび残留磁束密度Ｂｒの関係図である。

【図４】 試料Ｎｏ．１４〜試料Ｎｏ．１６、比較例８
〜比較例１０の保磁力Ｈｃｊ（１００℃における保磁力
Ｈｃｊ）を示すグラフである。

【図５】 試料Ｎｏ．１７〜試料Ｎｏ．１９、比較例１
１〜比較例１７の保磁力Ｈｃｊおよび残留磁束密度Ｂｒ
の測定結果を示すグラフである。

【図６】 試料Ｎｏ．１９〜試料Ｎｏ．２１、比較例１
３、比較例１６、比較例１８、比較例１９の保磁力Ｈｃ
ｊおよび残留磁束密度Ｂｒの測定結果を示すグラフであ
る。

【図７】 （ａ）は試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２３、
比較例２０、比較例２１の室温における保磁力Ｈｃｊ、
（ｂ）は試料Ｎｏ．２２、試料Ｎｏ．２３、比較例２
０、比較例２１の室温における残留磁束密度Ｂｒを示す
グラフである。

【図８】 試料Ｎｏ．１のＥＰＭＡによる定量線分分析
の結果を示すグラフである。

【図９】 実施例７にて線分分析を行った箇所を示す図
である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福野 亮 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−156051（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−116756（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−160706（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−244105（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−132104（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01F 1/053 C22C 38/16 C22C 38/00 303 B22F

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 希土類元素Ｒ：２０〜４０ｗｔ％、ホウ
   素Ｂ：０．５〜４．５ｗｔ％、Ｍ（Ａｌ，Ｃｕ，Ｓｎ，
   Ｇａの１種または２種以上）：０．０３〜０．５ｗｔ
   ％、Ｂｉ：０．０１〜０．２ｗｔ％、遷移金属元素Ｔ：
   残部、とすることを特徴とする希土類永久磁石。
2. 【請求項２】 Ｎｄ＋Ｄｙ：３１〜３２．５ｗｔ％、ホ
   ウ素Ｂ：０．５〜１．５ｗｔ％、Ｃｕ：０．１５ｗｔ％
   以下（０を含まず）、Ａｌ：０．１５〜０．３ｗｔ％、
   Ｃｏ：２ｗｔ％以下（０を含まず）、Ｂｉ：０．０１〜
   ０．２ｗｔ％、Ｆｅ：残部の組成を有することを特徴と
   する請求項１に記載の希土類永久磁石。
3. 【請求項３】 Ｂｉを０．０２〜０．１ｗｔ％含むこと
   を特徴とする請求項１または２に記載の希土類永久磁
   石。
4. 【請求項４】 Ｄｙを２〜１５ｗｔ％含むことを特徴と
   する請求項１〜３のいずれかに記載の希土類永久磁石。
5. 【請求項５】 残留磁束密度が１．２５Ｔ以上であり、
   かつ保磁力が１６５０ｋＡ／ｍ以上であることを特徴と
   する請求項１〜４のいずれかに記載の希土類永久磁石。
6. 【請求項６】 Ｂｉが粒界相に散在することを特徴とす
   る請求項１〜５のいずれかに記載の希土類永久磁石。
7. 【請求項７】 希土類元素Ｒ：２０〜４０ｗｔ％、ホウ
   素Ｂ：０．５〜４．５ｗｔ％、Ｂｉ：０．０１〜０．２
   ｗｔ％、遷移金属元素Ｔ：残部、とすることを特徴とす
   る希土類永久磁石。
8. 【請求項８】 残留磁束密度Ｂｒと保磁力Ｈｃｊの積
   （Ｂｒ×Ｈｃｊ）が２１００（Ｔ×ｋＡ／ｍ）以上であ
   り、かつ保磁力Ｈｃｊを重希土類元素の重量百分率で割
   った値（Ｈｃｊ／重希土類元素の重量百分率）が２３０
   （ｋＡ／ｍ×１／ｗｔ％）以上であることを特徴とする
   請求項１〜７のいずれかに記載の希土類永久磁石。
9. 【請求項９】 保磁力ＨｃｊをＢｉの重量百分率で割っ
   た値（Ｈｃｊ／Ｂｉの重量百分率）が８０００（ｋＡ／
   ｍ×１／ｗｔ％）以上であることを特徴とする請求項１
   〜８のいずれかに記載の希土類永久磁石。