JP3420868B2 - 光ファイバ増幅器 - Google Patents

光ファイバ増幅器

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JP3420868B2
JP3420868B2 JP28728595A JP28728595A JP3420868B2 JP 3420868 B2 JP3420868 B2 JP 3420868B2 JP 28728595 A JP28728595 A JP 28728595A JP 28728595 A JP28728595 A JP 28728595A JP 3420868 B2 JP3420868 B2 JP 3420868B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバ増幅器に
関し、特に、Er3+(エルビウムイオン)がコアに添
加された光ファイバ(EDF)を利用した光ファイバ増
幅器(EDFA)に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、光中継器として、入力信号光を電
気信号に変換して増幅し、その後光信号に変換して送出
するものが多く適用されている。しかしながら、このよ
うな光中継器の構成は大きく、そのため、EDFAを備
えて光直接増幅を行なう光中継器の開発、研究が盛んに
行なわれており、実用段階に入りつつある。
【0003】従来のEDFAにおいて、EDF(増幅用
光ファイバ)の両端にはそれぞれ、アイソレータを介し
て入射側光ファイバ及び出射側光ファイバの一端が接続
され、また、EDFには、励起光光源が射出した励起光
が光カプラを介して入射されるようになされている。励
起光光源から射出されてEDFに入射された励起光は、
EDFで吸収されて十分な反転分布を起こし得るもので
ある。励起光がEDFに入射されている状態で、入力信
号光が入射側光ファイバからEDFに入射されると、入
力信号光はEDFの誘導放出作用によって次第に増幅さ
れ、その増幅された信号光が出射側光ファイバに介して
出力信号光として伝送される。
【0004】上述したように、EDFは誘導放出作用を
用いて信号光を光直接増幅できる。ここで、信号光波長
として、シリカ系光ファイバ中での損失が最も小さい波
長帯である1550〜1560nm帯に選定することが
多い。また、励起光の波長としては、EDFの吸収帯又
は吸収線である980nm帯や1480nm帯が用いら
れる。
【0005】なお、EDFA構成のアンプ部を多段(例
えば2段)に接続した光ファイバ増幅器(EDFA)も
既に提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】EDFAは、153
1560nm帯に増幅領域があり、単一波長による狭
帯域光伝送方式には有効なものである。しかし、敷設し
た光ファイバ伝送路を有効利用するためには、多波長チ
ャネルが一括伝送される波長多重(WDM)方式が好ま
しい。
【0007】ここで、WDM方式を採用した伝送システ
ムにEDFAを適用する場合には、波長対利得偏差特性
の改善(各波長の利得平坦化)が重要な課題となってい
る。すなわち、EDFAを用いた中継段が多い場合にお
いて、EDFAにおける各波長チャネルでの利得が平坦
でないと、伝送後の各波長間での信号電力偏差がかなり
大きくなり、最大中継伝送距離が、最小振幅の波長信号
のS/N比で制限されるためである。そのため、各波長
チャネル間の信号パワー及びS/N比のばらつきを押さ
える上で、EDFAの利得平坦化は不可欠な技術であ
る。
【0008】既に、EDFAの利得平坦化方法が多数提
案されている。例えば、波長の利得依存性を光波長フィ
ルタを用いて等化する方法や、高濃度のAl(アルミニ
ウム)を添加してEDFの利得特性を調整する方法や、
EDFを極低温冷却する方法等が有効であることが知ら
れている。
【0009】しかしながら、これらの方法を用いた場合
には、1540〜1560nm帯で利得平坦化を達成で
きるが、さらなる広帯域には対応できない。また、実際
上、中継器間の距離は一定ではなく、EDFAに入力さ
れる信号光パワーも一定ではなく、この点も、広帯域の
利得平坦化を難しくしている。
【0010】図2は、かかる課題の説明用の特性図であ
り、EDFにAlを添加して利得平坦化を達成しようと
した場合の波長対利得偏差の特性図である。
【0011】図2における実線の特性曲線は、Alを2
重量%添加したEDFを適用した1段構成のEDFAの
波長対利得偏差特性を示しており、狭い波長域1550
〜1560nmでの利得偏差は少ないが、1540nm
帯で利得の落ち込みがあり、1530nm帯に利得ピー
クがある。図2における破線の特性曲線は、Alを5重
量%添加したEDFを適用した1段構成のEDFAの波
長対利得偏差特性を示しており、波長域1540〜15
60nmでの利得偏差は少なく広帯域化されているが、
1530nm帯に利得ピークがあり、1530〜156
0nm帯(広帯域)での利得平坦化は実現できていな
い。
【0012】図2は、入力信号光パワーPinが−25
dBmの場合であり、図示は省略するが(後述する図5
参照)、入力信号光パワーPinが大きくなるに従い、
利得ピークの平坦利得からの大きさは小さくなり、入力
信号光パワーPinがかなり大きくなると、1530n
m帯で利得飽和が起こり、入力信号光パワーPinが−
25dBmの場合と異なる特性曲線となる。
【0013】そのため、広い波長範囲でしかも広い範囲
の入力信号光パワーについて利得平坦化を実現できる光
ファイバ増幅器が望まれている。
【0014】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、第1〜第3の本発明においては、増幅用光ファイバ
を内部に有するアンプ部がN(Nは1以上)段縦続接続
されている光ファイバ増幅器において、入力信号光パワ
ーに応じて利得を平滑化する、以下のような構成の利得
平滑化手段を設けたことを特徴とする。
【0015】本発明者は、入力信号光パワーによって、
利得特性の平坦度が異なることを見出だし、そこで、入
力信号光パワーに応じて利得を平滑化する利得平滑化手
段を光ファイバ増幅器に設けることとした。
【0016】第1の本発明は、利得平滑化手段として、
初段アンプ部の入力側、アンプ部間の段間、及び、最終
段のアンプ部の出力側の少なくとも1か所以上に設けら
れたカットオフ波長が可変のフィルタ部と、入力信号光
パワーに応じて各可変フィルタ部のカットオフ波長を可
変させるものであって、入力信号光パワーが大きいほど
カットオフ波長を短波長側にシフトさせるフィルタ制御
部とを備える。この光ファイバ増幅器においては、従来
の光ファイバ増幅器で所望の波長域内でその平坦利得と
異なる利得ピークを有する帯域の利得を、カットオフ波
長が可変のフィルタ手段によって抑圧させ、また、その
利得ピーク量が入力信号光パワーによって変わるのでフ
ィルタ制御手段が入力信号光パワーに応じてフィルタ手
段のカットオフ波長を可変させる。
【0017】第2の本発明は、利得平滑化手段として、
少なくとも1以上のアンプ部における励起光光源であっ
て、励起光パワーを可変できるパワー可変励起光光源
と、入力信号光パワーに応じて、各パワー可変励起光光
源からの励起光パワーを可変させるものであって、入力
信号光パワーが大きいほど励起光パワーを大きくさせる
励起光制御部と、信号光の経路上に設けられたカットオ
フ波長が固定の1又は2以上の固定フィルタ部とを備え
る。この光ファイバ増幅器においては、従来の光ファイ
バ増幅器で所望の波長域内でその平坦利得と異なる利得
ピークを有する帯域の利得偏差を、励起光制御部が、入
力信号光パワーに応じて可変励起光光源からの励起光パ
ワーを制御することを通じて、入力信号光パワーの大き
さに関係なく一定化させ、この利得偏差分をカットオフ
波長が固定の固定フィルタ手段で除去し、これにより、
広い波長範囲でしかも広い範囲の入力信号光パワーにつ
いて利得平坦化を達成する。
【0018】第3の本発明は、利得平滑化手段として、
第1の本発明の利得平滑化手段の構成と、第2の本発明
の利得平滑化手段の構成とを共に有するものである。
【0019】
【発明の実施の形態】(A)第1の実施形態 以下、本発明を、EDFAに適用した第1の実施形態を
図面を参照しながら説明する。ここで、図1がこの第1
の実施形態の全体構成を示すものである。
【0020】図1において、この第1の実施形態のED
FA1は、プリアンプ部(前段光ファイバ増幅部)2及
びポストアンプ部(後段光ファイバ増幅部)3を縦続接
続した2段構成を基本としている。
【0021】この第1の実施形態の場合、プリアンプ部
2には前方励起方法を採用したものを適用している。プ
リアンプ部2において、信号光の経路上には、入射側か
ら、アイソレータ21、波長選択性を有する光カプラ2
2、Alが5重量%添加されているEDF23及びアイ
ソレータ24が順次配置されており、上記光カプラ22
には例えばレーザダイオードでなる励起光光源25が接
続されており、励起光光源25からの励起光(例えば9
80nm帯;1480nm帯でも良い)がこの光カプラ
22を介してEDF23に供給される。
【0022】一方、ポストアンプ部3には、後方励起方
法を採用したものを適用している。ポストアンプ部3に
おいて、信号光の経路上には、入射側から、アイソレー
タ31、Alが5重量%添加されているEDF32、波
長選択性を有する光カプラ33及びアイソレータ34が
順次配置されており、上記光カプラ33には例えばレー
ザダイオードでなる励起光光源35が接続されており、
励起光光源35からの励起光(例えば980nm帯;1
480nm帯でも良い)がこの光カプラ33を介してE
DF32に供給される。
【0023】従って、これらプリアンプ部2及びポスト
アンプ部3単独での増幅作用は、周知の通りである。す
なわち、励起光光源25又は35から射出され、光カプ
ラ22又は33を介してEDF23又は32に入射され
た励起光は、EDF23又は32で吸収されて十分な反
転分布を起こし、励起光がEDF23又は32に入射さ
れている状態で、信号光がEDF23又は32に入射さ
れると、その信号光はEDF23又は32の誘導放出作
用によって次第に増幅され、その増幅された信号光が出
射信号光として送出される。なお、アイソレータ21及
び24、又は、31及び34は、プリアンプ部2又はポ
ストアンプ部3における増幅動作が他からの悪影響を受
けないようにすると共に、増幅作用が他に影響を与えな
いようにするために設けられている。
【0024】この第1実施形態においては、以上のよう
な従来のEDFAでも存在していた基本的な構成に加え
て、光カプラ4、カットオフ波長を調整可能な例えば誘
電体多層膜による長波長通過フィルタ(LWPF)5、
及び、LWPF5のカットオフ波長を制御するLWPF
制御部6が設けられている。
【0025】光カプラ4は、当該EDFA1の入力段に
設けられており、入射側光ファイバからの波長多重され
ている入力信号光を2分岐し、一方の分岐信号光をプリ
アンプ部2に入射させると共に、他方の分岐信号光をL
WPF制御部6に入射させるものである。
【0026】LWPF5は、プリアンプ部2及びポスト
アンプ部3間の信号光経路上に介挿されており、プリア
ンプ部2で増幅された信号光の短波長側をカットするも
のであり、カットオフ波長はLWPF制御部6によって
制御される。ここで、カットオフ波長は可変されるもの
であるが、おおむね1530nm近傍で変化するもので
ある。
【0027】LWPF制御部6は、光カプラ4によって
分岐された入力信号光のパワーを検出し、その検出パワ
ーに応じて、LWPF5のカットオフ波長を変化させ
る。ここでは、入力信号光パワーが大きいほどカットオ
フ波長を短波長側にシフトさせ、1530nm帯での利
得を変化させる。
【0028】波長特性が可変なLWPF5の構成として
は、既存の種々のものを適用可能であるが、以下では、
2例を挙げて簡単に説明する。
【0029】図3は、波長特性が可変な上述したLWP
F5の第1の構成例を示すものである。
【0030】このLWPF5は、透過中心波長が場所に
よらずに均一の誘電体多層膜によるLWPF板(LWP
F本体)51aと、LWPF制御部6からの制御信号に
よってLWPF板51aの角度を変化させるように回転
軸がLWPF板51aに取り付けられているステッピン
グモータ52と、LWPF板51aを挟んで対向して設
けられているコリメータレンズ53及び54から構成さ
れている。一方のコリメータレンズ53は、アイソレー
タ24からの出力信号光を伝搬する光ファイバ53aの
端部に設けられており、他方のコリメータレンズ54
は、アイソレータ31への入力信号光を伝搬する光ファ
イバ54aの端部に設けられている。
【0031】光ファイバ53aを伝搬してきてコリメー
タレンズ53から平行光として空間に出射された信号光
の波長は、LWPF板51aを透過することで短波長成
分がカットされ、この短波長成分がカットされた信号光
がコリメータレンズ54によって集光されて光ファイバ
54aに導入されるようになされている。
【0032】ここで、光軸の直交方向に対するLWPF
板51aの傾斜角度θが0であれば、LWPF板51a
を透過する光路が最も短くなって中心波長は長波長とな
り、傾斜角度θが大きくなるに従ってLWPF板51a
を透過する光路長が長くなって中心波長は短波長側にず
れていき、この中心波長のシフトに伴い、カットオフ波
長もシフトする。すなわち、LWPF制御部6は、入力
信号光の検出パワーに応じて、ステッピングモータ52
を介して、LWPF板51aの傾斜角度θを制御して、
LWPF5のカットオフ波長を変化させる。
【0033】図4は、波長特性が可変な上述したLWP
F5の第2の構成例を示すものである。
【0034】このLWPF5は、透過中心波長がスライ
ド方向に連続的に異なるようになされている誘電体多層
膜によるLWPF板(LWPF本体)51bと、LWP
F制御部6からの制御信号に応じた角度だけ回転するス
テッピングモータ52と、ステッピングモータ52の回
転方向及び量に応じてLWPF板51bをスライドさせ
る回転・直動変換機構(例えばラック及びピニオン)5
5と、LWPF板51bを挟んで対向して設けられてい
るコリメータレンズ53及び54から構成されている。
【0035】この構成例においても、光ファイバ53a
を伝搬してきてコリメータレンズ53から平行光として
空間に出射された信号光の波長は、LWPF板51bを
透過することで短波長成分がカットされ、この短波長成
分がカットされた信号光がコリメータレンズ54によっ
て集光されて光ファイバ54aに導入されるようになさ
れている。
【0036】ここで、LWPF板51bの透過中心波長
がスライド方向に連続的に異なるようになされているの
で、照射時におけるLWPF板51bのスライド位置に
よって、LWPF板51bを透過した信号光の中心波長
が変化し、この中心波長に応じてカットオフ波長もシフ
トする。すなわち、LWPF制御部6は、入力信号光の
検出パワーに応じて、ステッピングモータ52及び回転
・直動変換機構55を介して、LWPF板51bのスラ
イド位置を制御して、LWPF5のカットオフ波長を変
化させる。
【0037】なお、LWPF5の第1の構成例の場合、
透過中心波長(従ってカットオフ波長)を短波長側にシ
フトさせるほど(傾斜角度θを大きくするほど)、偏波
依存性ロス(PDL;Polarization Dependent Loss )
が大きくなるが、第2の構成例では、透過中心波長(従
ってカットオフ波長)を短波長側にシフトさせてもPD
Lは一様である。但し、回転・直動変換機構55分だ
け、第2の構成例の方が構成要素は多い。
【0038】第1の実施形態は、1530〜1560n
m帯において、入力信号光パワーがいずれであっても利
得平坦化を達成できることを意図して図1に示すように
構成したものである。
【0039】以下、かかる構成を採用した考え方につい
て、上記図2、及び図5をも参照しながら説明する。な
お、図5は、第1の実施形態の構成から、光カプラ4、
LWPF5及びLWPF制御部6を除外した構成(2段
構成の従来のEDFA)の4波長についての入力信号光
パワー対利得特性を示すものである。
【0040】まず、第1の実施形態の構成から、光カプ
ラ4、LWPF5及びLWPF制御部6を除外した構成
について検討してみる。上述した図2に示すように、A
lを5重量%添加したEDFを適用した1段構成のED
FAは、波長域1540〜1560nmでの利得偏差は
少なく、この波長域で利得平坦度を達成できており、2
段構成にしても同様である。しかも、図5の4波長につ
いての入力信号光パワー対利得特性から明らかなよう
に、波長域1540〜1560nmは、入力信号光パワ
ーPinの広範囲に渡って利得平坦度を達成できている。
【0041】そのため、この第1の実施形態において
は、EDF23及びEDF32としてAlを5重量%添
加したEDFを適用し、波長域1540〜1560nm
での利得平坦度を得ることとしている。従って、153
0(〜1540nm)帯において、同じ利得を得るよう
にすれば良い。
【0042】EDF23及びEDF32としてAlを5
重量%添加したEDFを適用した場合、図2に示すよう
に、1530nm帯において利得ピークを有し、この1
530nm帯における利得ピークの波長域1540〜1
560nmの平坦利得からの偏差は、図5に示すよう
に、入力信号光パワーPinが大きくなるに従い小さく
なっていき、入力信号光パワーPinがかなり大きくな
ると、他の波長帯以上に利得の落ち込み(利得飽和によ
る)が大きくなる。
【0043】そのため、1530nm帯における利得ピ
ークの抑圧と、1530nm帯における利得飽和を回避
することが求められる。
【0044】EDFAへの入力信号光のパワーPinは
入力側光ファイバ損失等によって一義でないので、固定
の波長フィルタによって、1530nm帯の利得ピーク
を抑圧させることは適用できない。また、ある入力信号
光パワーPinに対する波長対利得特性の逆特性を有す
るフィルタがあったとしても、入力信号光パワーPin
の広範囲に渡って変化する、逆特性を有するフィルタは
入手することは困難である。そこで、この実施形態にお
いては、カットオフ波長を調整可能なLWPF5を設
け、入力信号光パワーPinに応じてLWPF5のカッ
トオフ波長を制御することを通じて、入力信号光パワー
Pinに応じて1530nm帯の利得ピークの抑圧量を
変えることとした。従って、LWPF5は、擬似的に、
入力信号光の広範囲のパワーPinに対する波長対利得
特性の逆特性フィルタになっている。
【0045】ここで、LWPF5をプリアンプ部2及び
ポストアンプ部3間に介挿しているのは、1530nm
帯における利得飽和の回避をも考慮している。
【0046】LWPF5の介挿位置としては、(1) プリ
アンプ部2の前段、(2) プリアンプ部2及びポストアン
プ部3間、(3) ポストアンプ部3の後段(なお、この場
合は後述するように他の実施形態を構成している)が考
えられる。
【0047】LWPF5をプリアンプ部2の前段に介挿
した場合(1) には、プリアンプ部2のEDF23でのA
SEによる雑音成分が増加するので、雑音指数(NF)
の面から好ましくない。なお、後段側にさらに可変LW
PFが設けられる場合には、この位置に設けられていて
も良い。
【0048】LWPF5をポストアンプ部3の後段に介
挿した場合(3) には、プリアンプ部2の増幅によって、
利得ピークを有する1530nm帯をポストアンプ部3
がさらに増幅するので、フィルタリング前に1530n
m帯で利得飽和を起こす恐れがある。なお、入力信号光
パワーPinがある程度小さいことが補償されているE
DFAでは、かかる介挿位置でも良く本発明の他の実施
形態となる。実験上では、第1の実施形態に係る(2) の
場合より利得平坦性は劣っている。
【0049】第1の実施形態のように、LWPF5をプ
リアンプ部2及びポストアンプ部3間に介挿した場合に
は、プリアンプ部2のEDF23でのASEによる雑音
成分をフィルタリングによって除去できる、ポストアン
プ部3に入力する前に1530nm帯の利得ピークを抑
圧しているので、ポストアンプ部3での増幅によっても
利得飽和を起こしにくくなる、等の理由からかかる介挿
位置が好ましい。
【0050】なお、ポストアンプ部3によって生じた雑
音成分を除去できないが、ポストアンプ部3にはプリア
ンプ部2によって増幅されたしかも雑音成分が少ないか
なりのパワーを有する信号光が入力されるので、ポスト
アンプ部3で雑音が混入されても十分なS/N比を確保
でき、実際上問題となることはない。
【0051】この第1の実施形態において、当然に、ポ
ストアンプ部3からの出力信号光での波長域1530〜
1560nmで利得平坦度を確保できていれば良い。そ
のため、LWPF5からの信号光段階で、1530nm
帯の利得が他の波長域1540〜1560nmの利得と
同じである必要はなく、LWPF5からの信号光段階で
の利得が、ポストアンプ部3の増幅処理後の出力信号光
の波長域1530〜1560nmで利得平坦度を確保す
る程度になっておれば良く、これに応じて、LWPF5
のカットオフ波長が選定される。
【0052】なお、プリアンプ部及びポストアンプ部を
縦続接続した2段構成の従来のEDFAにおいては、プ
リアンプ部及びポストアンプ部間には1個のアイソレー
タが設けられていた。しかし、この実施形態の場合、L
WPF5をプリアンプ部2及びポストアンプ部3間に介
挿しているため、LWPF5での反射がプリアンプ部2
及びポストアンプ部3のいずれにも影響しないように、
LWPF5の前後にアイソレータ24及び31を設けて
いる。
【0053】図6は、上記第1の実施形態の構成におけ
る4波長の入力信号光パワー対利得特性の実験結果を示
すものである。図5及び図6の比較から明らかなよう
に、この第1の実施形態のEDFA1では、ポストアン
プ部3から出力された信号光の利得は、入力信号光パワ
ーPinの広範囲に渡って波長域1530〜1560n
mで平坦化されている。
【0054】従って、上記第1の実施形態によれば、カ
ットオフ波長を可変できるLWPF5をプリアンプ部2
及びポストアンプ部3間に介在し、入力信号光パワーに
応じてそのカットオフ波長を可変するようにしたので、
入力信号光パワーの広範囲に渡ってしかも広範囲の波長
域で利得平坦化を達成できるEDFAを実現することが
できる。
【0055】(B)第2の実施形態 図7は、本発明の第2の実施形態を示すものであり、上
述した図1との対応、同一部分には同一符号を付して示
すものである。
【0056】この第2の実施形態のEDFA1−2は、
1530nm帯での利得ピークを抑圧させるためのカッ
トオフ波長が可変のLWPF5をプリアンプ部2及びポ
ストアンプ部3間に介挿するだけでなく、第2のLWP
F5−2をポストアンプ部3の出力側に設け、この設置
に応じるために、第2の分岐用光カプラ4−2及び第2
のLWPF制御部6−2(LWPF制御部6を共用して
も良い)を設けたものである。
【0057】すなわち、1530nm帯での利得ピーク
の入力信号光パワーに応じた抑圧機能を、2個のLWP
F5及び5−2で実現するようにしたものである。
【0058】従って、この第2の実施形態によっても、
入力信号光パワーの広範囲に渡ってしかも広範囲の波長
域で利得平坦化を達成できるEDFAを実現することが
できる。また、この第2の実施形態によれば、ポストア
ンプ部3によって生じた雑音成分を第2のLWPF5−
2が除去することができる。
【0059】(C)第3の実施形態 図8は、本発明の第3の実施形態を示すものであり、上
述した図7との対応、同一部分には同一符号を付して示
すものである。
【0060】この第3の実施形態のEDFA1−3は、
第2の実施形態における第2の分岐用光カプラ4−2の
設置位置を、LWPF5の出力位置にしたものである。
LWPF5から出力された信号光のパワーは入力信号光
のパワーに応じているので、この第3の実施形態におい
ても、第2のLWPF5−2は入力信号光のパワーに応
じてカットオフ波長が可変されている。
【0061】従って、この第3の実施形態によっても、
入力信号光パワーの広範囲に渡ってしかも広範囲の波長
域で利得平坦化を達成できるEDFAを実現することが
できる。また、この第3の実施形態によれば、ポストア
ンプ部3によって生じた雑音成分を第2のLWPF5−
2が除去することができる。
【0062】(D)第4の実施形態 次に、本発明を、EDFAに適用した第4の実施形態を
図面を参照しながら説明する。ここで、図9がこの第4
の実施形態の全体構成を示すものであり、上述した図1
との同一、対応部分には同一符号を付して示している。
【0063】図9において、この第4の実施形態のED
FA1−4も、プリアンプ部(前段光ファイバ増幅部)
2及びポストアンプ部(後段光ファイバ増幅部)3を縦
続接続した2段構成を基本としている。
【0064】この第4の実施形態の場合にも、プリアン
プ部2には前方励起方法を採用したものを適用してお
り、プリアンプ部2は、アイソレータ21、光カプラ2
2、Alが5重量%添加されているEDF23、アイソ
レータ24及び励起光光源25で構成されている。
【0065】一方、ポストアンプ部3には後方励起方法
を採用したものを適用している。ポストアンプ部3にお
いて、信号光の経路上には、入射側から、Alが5重量
%添加されているEDF32、波長選択性を有する光カ
プラ33及びアイソレータ34が順次配置されており、
上記光カプラ33には例えばレーザダイオードでなる励
起光光源36が接続されており、励起光光源36からの
励起光(例えば980nm帯;1480nm帯でも良
い)がこの光カプラ33を介してEDF32に供給され
る。
【0066】なお、第4の実施形態の場合、プリアンプ
部2及びポストアンプ部3間にLWPF5が設けられて
いないので、プリアンプ部2及びポストアンプ部3間に
設けるアイソレータは1個(24)だけで十分である。
【0067】プリアンプ部2及びポストアンプ部3での
内部構成が以上の通りであるので、プリアンプ部2及び
ポストアンプ部3単独での増幅作用は、周知の通りであ
る。すなわち、励起光光源25又は36から射出され、
光カプラ22又は33を介してEDF23又は32に入
射された励起光は、EDF23又は32で吸収されて十
分な反転分布を起こし、励起光がEDF23又は32に
入射されている状態で、信号光がEDF23又は32に
入射されると、その信号光はEDF23又は32の誘導
放出作用によって次第に増幅され、その増幅された信号
光が出射信号光として送出される。なお、アイソレータ
21、24及び34は、プリアンプ部2又はポストアン
プ部3における増幅動作が他からの悪影響を受けないよ
うにすると共に、増幅作用が他に影響を与えないように
するために設けられている。
【0068】この第4の実施形態においては、以上のよ
うな従来のEDFAでも存在していた基本的な構成に加
えて、光カプラ4、カットオフ波長が固定の例えば誘電
体多層膜による長波長通過フィルタ(固定LWPF)
7、及び、励起光光源制御部8が設けられている。ま
た、ポストアンプ部3における励起光光源36として、
励起光パワーを可変できるものが適用されている。
【0069】光カプラ4は、当該EDFA1−4の入力
段に設けられており、入射側光ファイバからの波長多重
されている入力信号光を2分岐し、一方の分岐信号光を
プリアンプ部2に入射させると共に、他方の分岐信号光
を励起光光源制御部8に入射させるものである。
【0070】固定LWPF7は、ポストアンプ部3の出
力側に設けられており、ポストアンプ部3からの出力信
号光の短波長側をカットするものである。ここで、カッ
トオフ波長は、1530nm近傍に選定されている。
【0071】励起光光源制御部8は、光カプラ4によっ
て分岐された入力信号光のパワーを検出し、その検出パ
ワーに応じて、パワー可変励起光光源36からの励起光
パワーを可変させるものである。ここでは、入力信号光
パワーが大きいほど励起光パワーを大きくさせる。
【0072】この第4の実施形態は、1530〜156
0nm帯において、入力信号光パワーがいずれであって
も利得平坦化を達成できることを意図して上述のように
構成したものである。以下、かかる構成を採用した考え
方について、図面を参照しながら説明する。
【0073】まず、第4の実施形態の構成から、光カプ
ラ4、LWPF7及び励起光光源制御部8を除外した構
成について検討してみる。この場合には、第1の実施形
態の構成から特徴構成を除外した場合と同様なことを言
うことができる。すなわち、上述した図2に示すよう
に、Alを5重量%添加したEDFを適用した1段構成
のEDFAは、波長域1540〜1560nmでの利得
偏差は少なく、この波長域で利得平坦度を達成できてお
り、2段構成にしても同様に達成できる。しかも、上述
した図5の入力信号光パワー対利得特性から明らかなよ
うに、波長域1540〜1560nmは、入力信号光パ
ワーPinの広範囲に渡って利得平坦度を達成できてい
る。
【0074】そのため、この第4の実施形態において
も、EDF23及びEDF32としてAlを5重量%添
加したEDFを適用し、波長域1540〜1560nm
での利得平坦度を得ることとしている。従って、153
0(〜1540nm)帯において、同じ利得を得るよう
にすれば良い。
【0075】EDF23及びEDF32としてAlを5
重量%添加したEDFを適用した場合、図2に示すよう
に、1530nm帯において利得ピークを有し、この1
530nm帯における利得ピークの波長域1540〜1
560nmの平坦利得からの偏差は、図5に示すよう
に、入力信号光パワーPinが大きくなるに従い小さく
なっていき、入力信号光パワーPinがかなり大きくな
ると、他の波長帯以上に利得の落ち込み(利得飽和によ
る)が大きくなる。そのため、波長域1540〜156
0nmでの平坦利得と、1530(〜1540nm)帯
の利得を同じにするのに際して、1530nm帯におけ
る利得ピークの抑圧と、1530nm帯における利得飽
和を回避することが求められる。
【0076】図10は、この第4の実施形態での処理イ
メージを説明するための仮想的な特性図である。波長域
1540〜1560nmでの平坦利得と、1530nm
帯の利得を同じにする際に、図10(a)(図5と同様
であるが再掲載している)に示すような波長域1540
〜1560nmでの平坦利得と1530nm帯の利得と
の偏差が入力信号光パワーPinによって変化する状況
を、図10(b)に示すように利得偏差が一定の状態に
する。このようにしたならば、一定の利得偏差分を固定
フィルタで除去できる。
【0077】なお、利得偏差を一定することは、入力信
号光パワーPinが大きい領域では、従来に比較して1
530nm帯での利得を持ち上げていることになり、利
得飽和を軽減していることにもなる。
【0078】第4の実施形態では、利得偏差を入力信号
光パワーに関係なく一定にする手段として、パワー可変
励起光光源36からの励起光パワーを入力信号光パワー
Pinに応じて可変する構成を採用しており、一定利得
偏差を除去する手段として固定LWPF7を設けてい
る。
【0079】次に、パワー可変励起光光源36からの励
起光パワーを入力信号光パワーPinに応じて可変する
ことにより、図10(b)に示すような利得偏差が一定
の特性が得られることについて図11を用いて説明す
る。
【0080】図11(a)は、プリアンプ部2の励起光
パワーが50mW、『ポストアンプ部3の励起光パワー
が50mW』の場合における、入力信号光パワーPinと
ポストアンプ部3からの出力光の4波長についての利得
との関係を示すものである。一方、図11(b)は、プ
リアンプ部2の励起光パワーが50mW、『ポストアン
プ部3の励起光パワーが100mW』の場合における、
入力信号光パワーPinとポストアンプ部3からの出力光
の4波長についての利得との関係を示すものである。
【0081】ここで、今、『ポストアンプ部3の励起光
パワーが50mW』に係る図11(a)における入力信
号光パワーPinが−40dBmの場合の波長域154
0〜1560nmに対する1530nm帯での利得偏差
ΔGに着目する。『ポストアンプ部3の励起光パワーが
100mW』に係る図11(b)において、この利得偏
差ΔGは入力信号光パワーPinがほぼ−22dBmの
ときに得られている。従って、逆に考えると、入力信号
光パワーPinが−40dBmのときにポストアンプ部
3の励起光パワーを『50mW』にし、入力信号光パワ
ーPinが−22dBmのときにポストアンプ部3の励
起光パワーを『100mW』にすると、波長域1540
〜1560nmに対する1530nm帯での利得偏差Δ
Gを同じにできることが分かり、入力信号光パワーPi
nが他のときも同様にポストアンプ部3での励起光パワ
ーを適宜選定することで波長域1540〜1560nm
に対する1530nm帯での利得偏差ΔGが同じにでき
ることが分かる。
【0082】図12は、ポストアンプ部3の励起光パワ
ーを段階的に変えた場合における、入力信号光パワーP
inとポストアンプ部3からの出力光の4波長について
の利得との関係の実験結果を示すものである。図13
は、そのポストアンプ部3からの信号光をさらに固定L
WPF7を介した後の信号光の4波長についての利得
と、入力信号光パワーPinとの関係の実験結果を示す
ものである。図5との比較から明らかなように、波長域
1540〜1560nmに対する1530nm帯での利
得偏差をポストアンプ部3からの出力光で一定化でき、
それを固定LWPF7で除去できていることが分かる。
【0083】従って、上記第4の実施形態によれば、カ
ットオフ波長が固定の固定LWPF7を設けると共に、
ポストアンプ部3の励起光パワーを入力信号光パワーに
応じて可変するようにしたので、入力信号光パワーの広
範囲に渡ってしかも広範囲の波長域で利得平坦化を達成
できるEDFAを実現することができる。
【0084】(E)第5の実施形態 図14は、本発明の第5の実施形態を示すものであり、
上述した図1や図9との対応、同一部分には同一符号を
付して示すものである。
【0085】この第5の実施形態のEDFA1−は、
第1の実施形態のEDFA1の特徴構成と、第4の実施
形態のEDFA1−の特徴構成とを共に備えたもので
ある。すなわち、光カプラ4、4−2と、可変LWPF
5と、LWPF制御部6と、固定LPWF7と、励起光
光源制御部8とを備えている。
【0086】第1の実施形態の説明から明らかなよう
に、この第5の実施形態でも、可変LWPF5及びLW
PF制御部6を備えているので、これらの構成によっ
て、1530nm帯での利得を波長域1540〜156
0nmでの平坦利得に揃えることができる。また、第4
の実施形態の説明から明らかなように、この第5の実施
形態でも、励起パワー可変の励起光光源36、固定LW
PF7及び励起光光源制御部8を備えているので、これ
らの構成によって、1530nm帯での利得を波長域1
540〜1560nmでの平坦利得に揃えることができ
る。
【0087】以上のように、第5の実施形態において
は、2種類の利得平坦化構成を併用し、各種類での平坦
化誤差を相互に補償するようにさせたものである。
【0088】従って、上記第5の実施形態によれば、カ
ットオフ波長が固定の固定LWPF7を設け、かつポス
トアンプ部3の励起光パワーを入力信号光パワーに応じ
て可変すると共に、カットオフ波長を可変できる可変L
WPF5をプリアンプ部2及びポストアンプ部3間に介
在し、入力信号光パワーに応じてそのカットオフ波長を
可変するようにしたので、入力信号光パワーの広範囲に
渡ってしかも広範囲の波長域で利得平坦化を達成できる
EDFAを実現することができる。
【0089】(F)他の実施形態 (F-1) 上記各実施形態においては、アンプ部の2段の組
み合わせとして好適と考えられている、プリアンプ部2
が前方励起方法を採用しポストアンプ部3が後方励起方
法を採用したものを示したが、プリアンプ部2が後方励
起方法や双方向励起方法を採用したものであっても良
く、また、ポストアンプ部3が前方励起方法や双方向励
起方法を採用したものであっても良い。
【0090】(F-2) 上記各実施形態においては、アンプ
部を2段縦続接続したものを示したが、1段や3段以上
縦続接続したものにも本発明を適用できる。
【0091】この場合において、可変LWPFの配置に
ついては以下のようにすれば良い。1段の場合には、出
力側にカットオフ波長が可変のLWPFを配置すれば良
い。また、3段以上の場合には、初段のアンプ部の入力
側、段間及び最終段アンプ部の出力側の少なくとも1か
所以上に、カットオフ波長が可変のLWPFを配置すれ
ば良い。なお、LWPFを1個設ける場合には、初段の
アンプ部の入力側に設けることは上述した理由により避
けなければならないが、LWPFを2個以上設ける場合
には、その内の1個を初段のアンプ部の入力側に設けて
も良い。
【0092】(F-3) 第4の実施形態を変形した実施形態
として、固定LWPF7をプリアンプ部2及びポストア
ンプ部3間に設けたものや、プリアンプ部2の入力側に
設けたものを挙げることができる。また、複数の固定L
WPF7を設けたものを挙げることができる。すなわ
ち、第4の実施形態では、利得偏差を一定化した後にそ
の利得偏差を除去するものであったが、一定の利得偏差
分だけ予め1530nm帯の利得を減衰させた後、ポス
トアンプ部3の励起光パワーを調節してその利得を波長
域1540〜1560nmに合わせるようにしても良
い。
【0093】(F-4) 第4の実施形態を変形した実施形態
として、ポストアンプ部3の励起光パワーを調節するだ
けでなく、プリアンプ部2の励起光パワーをも調節する
ようにして、波長域1540〜1560nmに対する1
530nm帯での利得偏差を一定化させるものを挙げる
ことができ、また、プリアンプ部2の励起光パワーだけ
を可変させることで1530nm帯での利得偏差を一定
化させるものを挙げることができる。
【0094】(F-5) 第5の実施形態を変形した実施形態
として、2種類の利得平坦化構成を任意に組み合わせた
ものを挙げることができる。
【0095】例えば、プリアンプ部2の励起光パワーの
調整による利得平坦化を行ない(この場合、固定LWP
F7は例えばプリアンプ部2の入力側)、その後、プリ
アンプ部2及びポストアンプ部3間に設けられた可変L
WPF5によるカットオフ波長の可変による利得平坦化
を行なうようにしても良い。また、例えば、プリアンプ
部2の励起光パワーの調整による利得平坦化を行ない
(この場合、固定LWPF7は例えばプリアンプ部2の
入力側)、その後、プリアンプ部2及びポストアンプ部
3間に設けられた可変LWPF5によるカットオフ波長
の可変による利得平坦化を行ない、さらに、ポストアン
プ部3の励起光パワーの調整による利得平坦化を行なう
ようにしても良い。
【0096】(F-6) 第5の実施形態を変形した実施形態
として、ポストアンプ部3の励起光パワーの調節による
利得平坦化で機能する固定LWPF7を省略し、その固
定LWPF7が担う機能を可変LWPF5が担うように
させたものも挙げることができる。
【0097】(F-7) 上記各実施形態においてはEDFA
を示したが、他の希土類元素を添加した光ファイバ増幅
器に対しても本発明を適用可能である。例えば、プラセ
オジウム添加光ファイバ増幅器やネオジム添加光ファイ
バ増幅器は、さらなる研究や特性上の評価が待たれてい
る段階であり、広帯域化手法を適用したときに、EDF
Aと同様な波長対利得偏差特性や入力信号光パワー対利
得特性を有するか不明な点が多いが、同様な特性を呈す
るのならば本発明を適用できる。この場合において、所
望の波長域において平坦利得と異なる利得ピークを有す
る帯域が長波長側に出現するのならば、カットオフ波長
可変の短波長通過フィルタを適用すれば良い。
【0098】
【発明の効果】以上のように、本発明の光ファイバ増幅
器によれば、入力信号光パワーに応じて信号経路上に介
挿された可変フィルタ部のカットオフ波長を可変させた
り、及び又は、入力信号光パワーに応じて励起光パワー
を可変させると共に信号光パワーを固定減衰させたりす
る利得平滑化手段を設けたので、広い波長範囲でしかも
広い範囲の入力パワーについて利得平坦化を実現できる
ようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態の構成を示すブロック図であ
る。
【図2】1段構成の従来の光ファイバ増幅器の波長対利
得偏差特性図である。
【図3】第1の実施形態の可変LWPFの第1構成例を
示すブロック図である。
【図4】第1の実施形態の可変LWPFの第2構成例を
示すブロック図である。
【図5】2段構成の従来の光ファイバ増幅器の4波長に
ついての入力信号光パワー対利得特性図である。
【図6】第1の実施形態の4波長についての入力信号光
パワー対利得特性図である。
【図7】第2の実施形態の構成を示すブロック図であ
る。
【図8】第3の実施形態の構成を示すブロック図であ
る。
【図9】第4の実施形態の構成を示すブロック図であ
る。
【図10】第4の実施形態の動作原理を説明するモデル
特性図である。
【図11】第4の実施形態の利得偏差を入力信号光パワ
ーに無関係にする方法の説明用特性図である。
【図12】第4の実施形態のポストアンプ部3の出力光
の4波長についての入力信号光パワー対利得特性図であ
る。
【図13】第4の実施形態の固定LWPF7の出力光の
4波長についての入力信号光パワー対利得特性図であ
る。
【図14】第5の実施形態の構成を示すブロック図であ
る。
【符号の説明】
1、1−2、1−3、1−4、1−5…EDFA(光フ
ァイバ増幅器)、2…プリアンプ部、3…ポストアンプ
部、4、4−2…分岐用光カプラ、5、5−2…可変L
WPF(可変フィルタ部)、6、6−2…LWPF制御
部(フィルタ制御部)、7…固定LWPF(固定フィル
タ部)、8…励起光光源制御部(励起光制御部)、2
3、32…EDF(増幅用光ファイバ)、36…パワー
可変励起光光源。
フロントページの続き (72)発明者 青木 周生 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電 気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−233519(JP,A) 特開 平6−69891(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 3/00 - 3/30

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 増幅用光ファイバを内部に有するアンプ
    部がN(Nは1以上)段縦続接続されている光ファイバ
    増幅器において、 初段アンプ部の入力側、アンプ部間の段間、及び、最終
    段のアンプ部の出力側の少なくとも1か所以上に設けら
    れたカットオフ波長が可変のフィルタ部と、 入力信号光パワーに応じて上記各可変フィルタ部のカッ
    トオフ波長を可変させるものであって、入力信号光パワ
    ーが大きいほどカットオフ波長を短波長側にシフトさせ
    フィルタ制御部とを有することを特徴とする光ファイ
    バ増幅器。
  2. 【請求項2】 上記増幅用光ファイバがエルビウム添加
    光ファイバである上記アンプ部を2段接続し、その段間
    に、長波長通過フィルタでなる上記可変フィルタ部を配
    置したことを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ増
    幅器。
  3. 【請求項3】 増幅用光ファイバを内部に有するアンプ
    部がN(Nは1以上)段縦続接続されている光ファイバ
    増幅器において、 少なくとも1以上のアンプ部における励起光光源であっ
    て、励起光パワーを可変できるパワー可変励起光光源
    と、 入力信号光パワーに応じて、上記各パワー可変励起光光
    源からの励起光パワーを可変させるものであって、入力
    信号光パワーが大きいほど励起光パワーを大きくさせる
    励起光制御部と、 信号光の経路上に設けられたカットオフ波長が固定の1
    又は2以上の固定フィルタ部とを備えることを特徴とす
    る光ファイバ増幅器。
  4. 【請求項4】 上記増幅用光ファイバがエルビウム添加
    光ファイバである上記アンプ部を2段接続し、その後段
    アンプ部の出力側に長波長通過フィルタでなる上記固定
    フィルタ部を配置すると共に、上記後段アンプ部におけ
    る励起光光源として励起光パワーを可変できるパワー可
    変励起光光源を適用したことを特徴とする請求項3に記
    載の光ファイバ増幅器。
  5. 【請求項5】 増幅用光ファイバを内部に有するアンプ
    部がN(Nは1以上)段縦続接続されている光ファイバ
    増幅器において、 初段アンプ部の入力側、アンプ部間の段間、及び、最終
    段のアンプ部の出力側の少なくとも1か所以上に設けら
    れたカットオフ波長が可変のフィルタ部と、 入力信号光パワーに応じて上記各可変フィルタ部のカッ
    トオフ波長を可変させるものであって、入力信号光パワ
    ーが大きいほどカットオフ波長を短波長側にシフトさせ
    フィルタ制御部と、 少なくとも1以上のアンプ部における励起光光源であっ
    て、励起光パワーを可変できるパワー可変励起光光源
    と、 入力信号光パワーに応じて、上記各パワー可変励起光光
    源からの励起光パワーを可変させるものであって、入力
    信号光パワーが大きいほど励起光パワーを大きくさせる
    励起光制御部と、 信号光の経路上に設けられたカットオフ波長が固定の1
    又は2以上の固定フィルタ部とを備えることを特徴とす
    る光ファイバ増幅器。
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