JP3418812B2 - 赤外線撮像装置の画素置換方法 - Google Patents
赤外線撮像装置の画素置換方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多素子の赤外線検
知器を用いた赤外線撮像装置において、欠陥画素が増加
した場合の、画素置換方法に関するものである。
知器を用いた赤外線撮像装置において、欠陥画素が増加
した場合の、画素置換方法に関するものである。
【０００２】多素子の赤外線検知器を用いた赤外線撮像
装置においては、赤外線検知器の欠陥素子が生じること
が不可避である。このような欠陥素子がある場合でも、
赤外線撮像装置としては、正常な画像を生成することが
必要であり、そのため、欠陥画素の置換を行なって、正
常な画像生成の上で、障害にならないようにしなければ
ならない。
装置においては、赤外線検知器の欠陥素子が生じること
が不可避である。このような欠陥素子がある場合でも、
赤外線撮像装置としては、正常な画像を生成することが
必要であり、そのため、欠陥画素の置換を行なって、正
常な画像生成の上で、障害にならないようにしなければ
ならない。
【０００３】本発明は、赤外線撮像装置において、多素
子赤外線検知器における欠陥画素の置換を容易に行なえ
るようにする方法を提供するものである。
子赤外線検知器における欠陥画素の置換を容易に行なえ
るようにする方法を提供するものである。
【０００４】
【従来の技術】従来の赤外線撮像装置の画素置換方法で
は、装置内に赤外線検知器の各素子ごとの欠陥画素置換
情報をＲＯＭ等に記憶する機能を有しており、赤外線撮
像装置の二次元化された画像を人間が見て欠陥画素を判
定し、欠陥画素に隣接する画素番号をＲＯＭ等の記憶機
能に記憶させて、この情報に基づいて、画像表示時に、
画素置換を行なうようにしていた。
は、装置内に赤外線検知器の各素子ごとの欠陥画素置換
情報をＲＯＭ等に記憶する機能を有しており、赤外線撮
像装置の二次元化された画像を人間が見て欠陥画素を判
定し、欠陥画素に隣接する画素番号をＲＯＭ等の記憶機
能に記憶させて、この情報に基づいて、画像表示時に、
画素置換を行なうようにしていた。
【０００５】このため、赤外線検知器の経時変化等によ
って欠陥画素が増加して、画像品質が劣化した場合、欠
陥画素の再評価を人間が行ない、赤外線撮像装置を分解
して、装置内部にある欠陥画素置換情報を更新（ＲＯＭ
等を書き替える）必要があった。そのため、その期間の
赤外線画像は使用できず、連続的に、あるいは長期間使
用する上で、障害を生じることがあった。
って欠陥画素が増加して、画像品質が劣化した場合、欠
陥画素の再評価を人間が行ない、赤外線撮像装置を分解
して、装置内部にある欠陥画素置換情報を更新（ＲＯＭ
等を書き替える）必要があった。そのため、その期間の
赤外線画像は使用できず、連続的に、あるいは長期間使
用する上で、障害を生じることがあった。
【０００６】図７は、従来の赤外線撮像装置を示す機能
ブロック図であって、赤外線撮像装置における従来の画
素置換方法を説明するものである。
ブロック図であって、赤外線撮像装置における従来の画
素置換方法を説明するものである。
【０００７】図７において、１は赤外線光学系であっ
て、赤外線レンズを有し、外界の目標（撮像対象）から
の赤外線を検知部に集光させるものである。２は赤外線
検知器であって、赤外線光学系１を介して受光した赤外
線を電気信号に変換する。３はチョッパミラーであっ
て、外界目標からの赤外線入力と基準温度板からの赤外
線入力とを切り替えて赤外線検知器２に入力する。４は
基準温度板であって、ペルチェ素子等の温度制御可能な
素子からなり、均一な基準温度（高温および低温）の赤
外線を放射する。
て、赤外線レンズを有し、外界の目標（撮像対象）から
の赤外線を検知部に集光させるものである。２は赤外線
検知器であって、赤外線光学系１を介して受光した赤外
線を電気信号に変換する。３はチョッパミラーであっ
て、外界目標からの赤外線入力と基準温度板からの赤外
線入力とを切り替えて赤外線検知器２に入力する。４は
基準温度板であって、ペルチェ素子等の温度制御可能な
素子からなり、均一な基準温度（高温および低温）の赤
外線を放射する。
【０００８】５はアンプであって、赤外線検知器２の出
力信号を、所定のレベルに増幅する。６はアナログディ
ジタル変換器（Ａ／Ｄ）であって、アンプ５の出力アナ
ログ信号をディジタル信号に変換する。７は基準温度デ
ータメモリであって、基準温度（高温および低温）によ
る温度データを検知素子ごとに記憶している。８は補正
処理部であって、基準温度データメモリ７からの基準温
度による温度データに基づいて、検知素子ごとにゲイン
調整，オフセット調整等を行なって、感度のばらつきを
補正する。
力信号を、所定のレベルに増幅する。６はアナログディ
ジタル変換器（Ａ／Ｄ）であって、アンプ５の出力アナ
ログ信号をディジタル信号に変換する。７は基準温度デ
ータメモリであって、基準温度（高温および低温）によ
る温度データを検知素子ごとに記憶している。８は補正
処理部であって、基準温度データメモリ７からの基準温
度による温度データに基づいて、検知素子ごとにゲイン
調整，オフセット調整等を行なって、感度のばらつきを
補正する。
【０００９】９は置換メモリであって、欠陥画素と判定
された画素の情報から、特定の画素に置き替えを行なう
ための情報を記憶する。１０はフレームメモリであっ
て、赤外線検知器２の走査に応じて、二次元画像情報を
組み立てるとともに、置換メモリ９の置き替え情報から
欠陥画素に対応する画素情報を、特定の画素の情報と置
換する走査変換を行なう。１１は表示変換部であって、
フレームメモリ１０における置換後の画像情報をディジ
タルアナログ変換して、テレビ（ＴＶ）信号等のビデオ
画像信号に変換する。１２は表示器であって、表示変換
部１１からの画像情報を画面上に表示する。
された画素の情報から、特定の画素に置き替えを行なう
ための情報を記憶する。１０はフレームメモリであっ
て、赤外線検知器２の走査に応じて、二次元画像情報を
組み立てるとともに、置換メモリ９の置き替え情報から
欠陥画素に対応する画素情報を、特定の画素の情報と置
換する走査変換を行なう。１１は表示変換部であって、
フレームメモリ１０における置換後の画像情報をディジ
タルアナログ変換して、テレビ（ＴＶ）信号等のビデオ
画像信号に変換する。１２は表示器であって、表示変換
部１１からの画像情報を画面上に表示する。
【００１０】図８は、補正処理部の処理を説明するもの
であって、Ａ，Ｂはばらつきを有する検知素子の特性を
示し、補正回路は、基準温度データメモリ７の温度デー
タに基づいて、これらの特性を一点鎖線で示す基準特性
Ｃに変換する作用を行なう。
であって、Ａ，Ｂはばらつきを有する検知素子の特性を
示し、補正回路は、基準温度データメモリ７の温度デー
タに基づいて、これらの特性を一点鎖線で示す基準特性
Ｃに変換する作用を行なう。
【００１１】図９は、欠陥画素の再評価時の構成を示す
ものであって、チョッパミラー３を動作させることによ
って、外界の目標からの赤外線を、基準温度板４からの
基準温度の赤外線に切り替えて、赤外線検知器２に入力
する。この状態で、赤外線検知器２の各検知素子の電気
信号出力を、それぞれ標準状態と比較することによっ
て、検知素子の評価を行なうことができる。
ものであって、チョッパミラー３を動作させることによ
って、外界の目標からの赤外線を、基準温度板４からの
基準温度の赤外線に切り替えて、赤外線検知器２に入力
する。この状態で、赤外線検知器２の各検知素子の電気
信号出力を、それぞれ標準状態と比較することによっ
て、検知素子の評価を行なうことができる。
【００１２】図１０は、一次元多素子検知器を使用する
場合の欠陥画素の置換を説明するものである。検知素子
No. １〜ｎに対して、置換メモリアドレス０〜ｎ−１を
割り当てる。各検知素子が正常の場合には、置換メモリ
におけるアドレスは置換されない。もしも検知素子No.
４が欠陥の場合は、検知素子No. ４に対応するアドレス
３を、隣接する正常な検知素子No. ３のアドレス２に置
換することによって、画像表示時には、検知素子No. ４
の画像情報は隣接する検知素子No. ３の画像情報によっ
て置換されるので、正常な画像を表示することができ
る。
場合の欠陥画素の置換を説明するものである。検知素子
No. １〜ｎに対して、置換メモリアドレス０〜ｎ−１を
割り当てる。各検知素子が正常の場合には、置換メモリ
におけるアドレスは置換されない。もしも検知素子No.
４が欠陥の場合は、検知素子No. ４に対応するアドレス
３を、隣接する正常な検知素子No. ３のアドレス２に置
換することによって、画像表示時には、検知素子No. ４
の画像情報は隣接する検知素子No. ３の画像情報によっ
て置換されるので、正常な画像を表示することができ
る。
【００１３】図１１は、フレームメモリにおける走査置
換を説明するものであって、図７の場合と同じものを同
じ番号で示している。フレームメモリ１０には、二次元
画像が保持されるようになっている。書き込みアドレス
カウンタ２１は、クロックに応じて書き込みアドレスを
供給し、これによって、補正処理部８において補正処理
されたデータがフレームメモリ１０に書き込まれる。一
方、読み出しカウンタ２２は、クロックに応じて読み出
しアドレスを供給し、これによって、フレームメモリ１
０のデータが表示変換部１１に対して読みだされる。
換を説明するものであって、図７の場合と同じものを同
じ番号で示している。フレームメモリ１０には、二次元
画像が保持されるようになっている。書き込みアドレス
カウンタ２１は、クロックに応じて書き込みアドレスを
供給し、これによって、補正処理部８において補正処理
されたデータがフレームメモリ１０に書き込まれる。一
方、読み出しカウンタ２２は、クロックに応じて読み出
しアドレスを供給し、これによって、フレームメモリ１
０のデータが表示変換部１１に対して読みだされる。
【００１４】この際、置換メモリ９はフレームメモリ書
き込みアドレスカウンタ２１からの書き込みアドレス
を、例えば図１０に示されたように変換して、フレーム
メモリ１０に供給するので、図１０において説明したよ
うな欠陥画素の置換が行なわれる。なお、置換メモリ９
によって、フレームメモリ１０の読み出し側のアドレス
の変換を行なうようにしても、同様に、欠陥画素の置換
を行なうことができる。
き込みアドレスカウンタ２１からの書き込みアドレス
を、例えば図１０に示されたように変換して、フレーム
メモリ１０に供給するので、図１０において説明したよ
うな欠陥画素の置換が行なわれる。なお、置換メモリ９
によって、フレームメモリ１０の読み出し側のアドレス
の変換を行なうようにしても、同様に、欠陥画素の置換
を行なうことができる。
【００１５】図１２は、一次元ＴＤＩ多素子検知器を使
用する場合の欠陥画素の置換を説明するものである。一
次元ＴＤＩ（Time Delay and Integration）素子は、画
素情報の遅延蓄積機能を有し、複数回の走査による検出
信号を蓄積することによって、Ｓ／Ｎを改善することが
できるものである。
用する場合の欠陥画素の置換を説明するものである。一
次元ＴＤＩ（Time Delay and Integration）素子は、画
素情報の遅延蓄積機能を有し、複数回の走査による検出
信号を蓄積することによって、Ｓ／Ｎを改善することが
できるものである。
【００１６】図１２において、（ａ）は検知素子の配列
を示したものであって、行方向は置換メモリ上位アドレ
スを示し、列方向は置換メモリ下位アドレスを示してい
る。一次元ＴＤＩ多素子検知器においては、列方向のア
ドレスは一次元の画素のアドレスに対応し、行方向の複
数の素子を行方向に走査したときの各素子の出力を蓄積
した出力によって、各画素に対応する出力を発生する。
を示したものであって、行方向は置換メモリ上位アドレ
スを示し、列方向は置換メモリ下位アドレスを示してい
る。一次元ＴＤＩ多素子検知器においては、列方向のア
ドレスは一次元の画素のアドレスに対応し、行方向の複
数の素子を行方向に走査したときの各素子の出力を蓄積
した出力によって、各画素に対応する出力を発生する。
【００１７】（ｂ），（ｃ）は一次元ＴＤＩ多素子検知
器の場合の画素の置換方法を説明するものである。
（ｂ）の場合は、例えば置換メモリ下位アドレス０に対
応する同一行の素子中の２／１の素子が欠陥であったと
きは、そのアドレスをこれに隣接する同一行の素子３／
１のアドレスによって置換する。（ｂ）の場合は、例え
ば置換メモリ下位アドレス０に対応する同一行の素子が
すべて欠陥であったときは、各素子のアドレスを、下位
アドレス１に対応する行のすべての素子のアドレスによ
って置換する。
器の場合の画素の置換方法を説明するものである。
（ｂ）の場合は、例えば置換メモリ下位アドレス０に対
応する同一行の素子中の２／１の素子が欠陥であったと
きは、そのアドレスをこれに隣接する同一行の素子３／
１のアドレスによって置換する。（ｂ）の場合は、例え
ば置換メモリ下位アドレス０に対応する同一行の素子が
すべて欠陥であったときは、各素子のアドレスを、下位
アドレス１に対応する行のすべての素子のアドレスによ
って置換する。
【００１８】なお、一次元ＴＤＩ多素子検知器の場合
は、例えば置換メモリ下位アドレス０に対応する行のう
ちの、２／１の素子が欠陥であった場合に、同一行の残
りの素子（１／１，３／１〜ｍ／１）のアドレスを選択
して、各素子の出力の平均値によって、２／１の素子の
出力を置き換えるようにしてもよい。
は、例えば置換メモリ下位アドレス０に対応する行のう
ちの、２／１の素子が欠陥であった場合に、同一行の残
りの素子（１／１，３／１〜ｍ／１）のアドレスを選択
して、各素子の出力の平均値によって、２／１の素子の
出力を置き換えるようにしてもよい。
【００１９】図１３は、二次元多素子検知器を使用する
場合の欠陥素子の置換を説明するものである。二次元多
素子検知器は、多数の素子を二次元に配置して、二次元
の目標からの赤外線信号を検出するものである。
場合の欠陥素子の置換を説明するものである。二次元多
素子検知器は、多数の素子を二次元に配置して、二次元
の目標からの赤外線信号を検出するものである。
【００２０】図１３において、行方向は置換メモリ上位
アドレスを示し、列方向は置換メモリ下位アドレスを示
している。二次元多素子検知器の場合は、欠陥素子のア
ドレスを、その周囲のいずれかの素子のアドレスによっ
て置換する。例えば、アドレス２／２の素子が欠陥素子
の場合には、置換メモリには、アドレス１／１〜３／
１，１／２，３／２，１／３〜３／３のうち、いずれか
と同一のアドレスをデータとして書き込む。
アドレスを示し、列方向は置換メモリ下位アドレスを示
している。二次元多素子検知器の場合は、欠陥素子のア
ドレスを、その周囲のいずれかの素子のアドレスによっ
て置換する。例えば、アドレス２／２の素子が欠陥素子
の場合には、置換メモリには、アドレス１／１〜３／
１，１／２，３／２，１／３〜３／３のうち、いずれか
と同一のアドレスをデータとして書き込む。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】従来の赤外線撮像装置
においては、図７に示されるように、赤外線光学系内に
ある基準温度板（高温，低温）を赤外線検知器が撮像
し、補正処理用の基準温度データメモリに信号データを
記憶し、この信号データを用いて、赤外線検知器の検知
素子ごとの感度のばらつきを補正する。そして、補正後
の信号データによって表示器に表示された画像を人が見
て、補正が効かず白または黒になっている画像データか
ら、欠陥画素を認識して、置換メモリの対応するアドレ
スに、例えば隣接する素子のアドレスを記憶する。
においては、図７に示されるように、赤外線光学系内に
ある基準温度板（高温，低温）を赤外線検知器が撮像
し、補正処理用の基準温度データメモリに信号データを
記憶し、この信号データを用いて、赤外線検知器の検知
素子ごとの感度のばらつきを補正する。そして、補正後
の信号データによって表示器に表示された画像を人が見
て、補正が効かず白または黒になっている画像データか
ら、欠陥画素を認識して、置換メモリの対応するアドレ
スに、例えば隣接する素子のアドレスを記憶する。
【００２２】このようにすることによって、置換メモリ
の正常時のデータとしては、フレームメモリへの書き込
みアドレスカウンタの出力値が書き込まれているが、こ
のデータを、隣接する素子のデータによって書き替える
ことによって、欠陥素子の置換を行なうことができる。
の正常時のデータとしては、フレームメモリへの書き込
みアドレスカウンタの出力値が書き込まれているが、こ
のデータを、隣接する素子のデータによって書き替える
ことによって、欠陥素子の置換を行なうことができる。
【００２３】しかしながら、従来の赤外線撮像装置の画
素置換方法では、欠陥画素を人が判断し、欠陥画素置換
情報を更新していた。また欠陥画素置換情報の更新を行
なうためには、装置を分解して、置換メモリにおける欠
陥画素置換情報の更新を行なわなければならなかった。
素置換方法では、欠陥画素を人が判断し、欠陥画素置換
情報を更新していた。また欠陥画素置換情報の更新を行
なうためには、装置を分解して、置換メモリにおける欠
陥画素置換情報の更新を行なわなければならなかった。
【００２４】そのため、欠陥画素の置換の処理に手間と
時間を必要とするだけでなく、欠陥画素の置換の作業を
行なう期間の画像は使用不可能であって、赤外線撮像装
置の連続使用または長時間使用の上で支障を生じること
があるという問題があった。
時間を必要とするだけでなく、欠陥画素の置換の作業を
行なう期間の画像は使用不可能であって、赤外線撮像装
置の連続使用または長時間使用の上で支障を生じること
があるという問題があった。
【００２５】本発明は、このような従来技術の課題を解
決しようとするものであって、赤外線撮像装置の画素置
換を、容易にかつ迅速に行なうことができるようにする
ことを目的としている。
決しようとするものであって、赤外線撮像装置の画素置
換を、容易にかつ迅速に行なうことができるようにする
ことを目的としている。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
の課題を解決するため、以下の各具体的手段を備えてい
る。
の課題を解決するため、以下の各具体的手段を備えてい
る。
【００２７】(1) 複数の検知素子を一次元に配列してな
る一次元多素子赤外線検知器からの出力によってフレー
ムメモリ上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行
なう赤外線撮像装置において、高温の基準温度に対する
各検知素子の高温データと低温の基準温度に対する各検
知素子の低温データとを記憶する基準温度データメモリ
７と、各検知素子の高温データと低温データとの差を求
め、全検知素子について差の平均値を算出して、この平
均値と上限設定値との和が差の値より大きいとき、およ
び平均値と下限設定値との和が差の値より小さいときこ
の検知素子を欠陥素子と判定する欠陥判定部１５と、フ
レームメモリ１０における欠陥画素に対応する検知素子
のアドレスをこの欠陥画素に隣接する正常画素に対応す
る検知素子のアドレスによって置き換える置換メモリ９
とを備え、欠陥素子に基づく欠陥画素を正常素子に基づ
く正常画素によって自動置換して画像表示を行なう。
る一次元多素子赤外線検知器からの出力によってフレー
ムメモリ上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行
なう赤外線撮像装置において、高温の基準温度に対する
各検知素子の高温データと低温の基準温度に対する各検
知素子の低温データとを記憶する基準温度データメモリ
７と、各検知素子の高温データと低温データとの差を求
め、全検知素子について差の平均値を算出して、この平
均値と上限設定値との和が差の値より大きいとき、およ
び平均値と下限設定値との和が差の値より小さいときこ
の検知素子を欠陥素子と判定する欠陥判定部１５と、フ
レームメモリ１０における欠陥画素に対応する検知素子
のアドレスをこの欠陥画素に隣接する正常画素に対応す
る検知素子のアドレスによって置き換える置換メモリ９
とを備え、欠陥素子に基づく欠陥画素を正常素子に基づ
く正常画素によって自動置換して画像表示を行なう。
【００２８】(2) 同一列の複数の各画素に対応して同一
行に複数の検知素子を有し、この複数の検知素子からの
走査出力を遅延積分して各画素の出力を発生する一次元
ＴＤＩ多素子赤外線検知器からの出力によってフレーム
メモリ上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行な
う赤外線撮像装置において、高温の基準温度に対する各
検知素子の高温データと低温の基準温度に対する各検知
素子の低温データとを記憶する基準温度データメモリ７
と、各検知素子の高温データと低温データとの差を求
め、全検知素子について差の平均値を算出して、この平
均値と上限設定値との和が差の値より大きいとき、およ
び平均値と下限設定値との和が差の値より小さいときこ
の検知素子を欠陥素子と判定する欠陥判定部１５と、フ
レームメモリ１０における各画素に対応する同一行の検
知素子中の欠陥素子のアドレスを同一行のこの欠陥素子
に隣接する正常素子のアドレスによって置き換える置換
メモリ９とを備え、欠陥素子に基づく欠陥画素を正常素
子に基づく正常画素によって自動置換して画像表示を行
なう。
行に複数の検知素子を有し、この複数の検知素子からの
走査出力を遅延積分して各画素の出力を発生する一次元
ＴＤＩ多素子赤外線検知器からの出力によってフレーム
メモリ上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行な
う赤外線撮像装置において、高温の基準温度に対する各
検知素子の高温データと低温の基準温度に対する各検知
素子の低温データとを記憶する基準温度データメモリ７
と、各検知素子の高温データと低温データとの差を求
め、全検知素子について差の平均値を算出して、この平
均値と上限設定値との和が差の値より大きいとき、およ
び平均値と下限設定値との和が差の値より小さいときこ
の検知素子を欠陥素子と判定する欠陥判定部１５と、フ
レームメモリ１０における各画素に対応する同一行の検
知素子中の欠陥素子のアドレスを同一行のこの欠陥素子
に隣接する正常素子のアドレスによって置き換える置換
メモリ９とを備え、欠陥素子に基づく欠陥画素を正常素
子に基づく正常画素によって自動置換して画像表示を行
なう。
【００２９】(3) 同一列の複数の各画素に対応して同一
行に複数の検知素子を有し、この複数の検知素子からの
走査出力を遅延積分して各画素の出力を発生する一次元
ＴＤＩ多素子赤外線検知器からの出力によってフレーム
メモリ上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行な
う赤外線撮像装置において、高温の基準温度に対する各
検知素子の高温データと低温の基準温度に対する各検知
素子の低温データとを記憶する基準温度データメモリ７
と、各検知素子の高温データと低温データとの差を求
め、全検知素子について差の平均値を算出して、この平
均値と上限設定値との和が差の値より大きいとき、およ
び平均値と下限設定値との和が差の値より小さいときこ
の検知素子を欠陥素子と判定する欠陥判定部１５と、フ
レームメモリ１０における各画素に対応する同一行の検
知素子がすべて欠陥素子のとき各欠陥素子のアドレスを
この行に隣接する行の各正常素子のアドレスと置き換え
る置換メモリ９とを備え、欠陥素子に基づく欠陥画素を
正常素子に基づく正常画素によって自動置換して画像表
示を行なう。
行に複数の検知素子を有し、この複数の検知素子からの
走査出力を遅延積分して各画素の出力を発生する一次元
ＴＤＩ多素子赤外線検知器からの出力によってフレーム
メモリ上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行な
う赤外線撮像装置において、高温の基準温度に対する各
検知素子の高温データと低温の基準温度に対する各検知
素子の低温データとを記憶する基準温度データメモリ７
と、各検知素子の高温データと低温データとの差を求
め、全検知素子について差の平均値を算出して、この平
均値と上限設定値との和が差の値より大きいとき、およ
び平均値と下限設定値との和が差の値より小さいときこ
の検知素子を欠陥素子と判定する欠陥判定部１５と、フ
レームメモリ１０における各画素に対応する同一行の検
知素子がすべて欠陥素子のとき各欠陥素子のアドレスを
この行に隣接する行の各正常素子のアドレスと置き換え
る置換メモリ９とを備え、欠陥素子に基づく欠陥画素を
正常素子に基づく正常画素によって自動置換して画像表
示を行なう。
【００３０】(4) 複数の検知素子を二次元に配列してな
る二次元多素子赤外線検知器からの出力によってフレー
ムメモリ上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行
なう赤外線撮像装置において、高温の基準温度に対する
各検知素子の高温データと低温の基準温度に対する各検
知素子の低温データとを記憶する基準温度データメモリ
７と、各検知素子の高温データと低温データとの差を求
め、全検知素子について差の平均値を算出して、この平
均値と上限設定値との和が差の値より大きいとき、およ
び平均値と下限設定値との和が差の値より小さいときこ
の検知素子を欠陥素子と判定する欠陥判定部１５と、フ
レームメモリ１０における欠陥画素に対応する検知素子
のアドレスをこの欠陥画素に隣接するいずれかの正常画
素に対応する検知素子のアドレスによって置き換える置
換メモリ９とを備え、欠陥素子に基づく欠陥画素を正常
素子に基づく正常画素によって自動置換して画像表示を
行なう。
る二次元多素子赤外線検知器からの出力によってフレー
ムメモリ上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行
なう赤外線撮像装置において、高温の基準温度に対する
各検知素子の高温データと低温の基準温度に対する各検
知素子の低温データとを記憶する基準温度データメモリ
７と、各検知素子の高温データと低温データとの差を求
め、全検知素子について差の平均値を算出して、この平
均値と上限設定値との和が差の値より大きいとき、およ
び平均値と下限設定値との和が差の値より小さいときこ
の検知素子を欠陥素子と判定する欠陥判定部１５と、フ
レームメモリ１０における欠陥画素に対応する検知素子
のアドレスをこの欠陥画素に隣接するいずれかの正常画
素に対応する検知素子のアドレスによって置き換える置
換メモリ９とを備え、欠陥素子に基づく欠陥画素を正常
素子に基づく正常画素によって自動置換して画像表示を
行なう。
【００３１】(5) 赤外線検知器からの出力によってフレ
ームメモリ上に二次元画像を形成し、この二次元画像情
報に基づいて表示器において二次元画像表示を行なう赤
外線撮像装置において、ポインタ１６の操作に応じて表
示器１２の画面上を移動するマークによってこの画面上
の欠陥画素と置換元画素とを指示することによって、欠
陥画素と置換元画素の座標情報を発生するマーク発生部
１７と、欠陥画素と置換元画素の座標を対応する検知素
子のアドレスに変換する置換更新部１８と、フレームメ
モリ１０における欠陥画素に対応する検知素子のアドレ
スを置換元画素に対応する検知素子のアドレスによって
置き換える置換メモリ９とを備え、欠陥素子に基づく欠
陥画素を正常素子に基づく正常画素によって手動置換し
て画像表示を行なう。
ームメモリ上に二次元画像を形成し、この二次元画像情
報に基づいて表示器において二次元画像表示を行なう赤
外線撮像装置において、ポインタ１６の操作に応じて表
示器１２の画面上を移動するマークによってこの画面上
の欠陥画素と置換元画素とを指示することによって、欠
陥画素と置換元画素の座標情報を発生するマーク発生部
１７と、欠陥画素と置換元画素の座標を対応する検知素
子のアドレスに変換する置換更新部１８と、フレームメ
モリ１０における欠陥画素に対応する検知素子のアドレ
スを置換元画素に対応する検知素子のアドレスによって
置き換える置換メモリ９とを備え、欠陥素子に基づく欠
陥画素を正常素子に基づく正常画素によって手動置換し
て画像表示を行なう。
【００３２】このように本発明によれば、赤外線撮像装
置における欠陥画素の置換を、自動置換によって行な
い、またはポインタ指示による手動置換によって行なう
ことができるので、従来の装置のように欠陥画素の置換
を行なうために装置を分解する必要がなくなる。
置における欠陥画素の置換を、自動置換によって行な
い、またはポインタ指示による手動置換によって行なう
ことができるので、従来の装置のように欠陥画素の置換
を行なうために装置を分解する必要がなくなる。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態を示
したものであって、本発明による画素置換方法を適用し
た赤外線撮像装置を示している。図中において、図７の
場合と同じものを同じ番号で示し、それらの機能は図７
の場合と同様である。破線で囲んで示す部分は、本発明
による変更箇所である。
したものであって、本発明による画素置換方法を適用し
た赤外線撮像装置を示している。図中において、図７の
場合と同じものを同じ番号で示し、それらの機能は図７
の場合と同様である。破線で囲んで示す部分は、本発明
による変更箇所である。
【００３４】図１において、基準温度データメモリ７
は、各赤外線検知素子ごとに、高温および低温の均一な
基準温度に対する検知器出力信号の高温データおよび低
温データを記憶している。
は、各赤外線検知素子ごとに、高温および低温の均一な
基準温度に対する検知器出力信号の高温データおよび低
温データを記憶している。
【００３５】欠陥判定部１５は、検知素子ごとの高温デ
ータと低温データとの差を求め、全検知素子について差
の平均値を算出して、平均値と上限設定値との和が所定
の上限値より大きいとき、および平均値と下限設定値と
の和が所定の下限値より小さいとき、この検知素子を欠
陥素子と判定する。
ータと低温データとの差を求め、全検知素子について差
の平均値を算出して、平均値と上限設定値との和が所定
の上限値より大きいとき、および平均値と下限設定値と
の和が所定の下限値より小さいとき、この検知素子を欠
陥素子と判定する。
【００３６】置換メモリ９において、このようにして判
定された欠陥素子のアドレスを、例えば隣接する素子の
アドレスによって置換することによって、欠陥画素のデ
ータを走査変換部１０において隣接する画素のデータに
よって置き替えて、自動的に、欠陥画素の置換を行なう
ことができる。
定された欠陥素子のアドレスを、例えば隣接する素子の
アドレスによって置換することによって、欠陥画素のデ
ータを走査変換部１０において隣接する画素のデータに
よって置き替えて、自動的に、欠陥画素の置換を行なう
ことができる。
【００３７】また１６はマウス，ジョイスティック等の
ポインタであって、表示器１２の画面上において欠陥画
素を発見したとき、ポインタ１６を用いて指示すること
によって、マーク発生部１７において、マークを発生し
て表示変換部１１に与えることによって、画面上にポイ
ンタ１６によって指示された場所に対応してマークを表
示するとともに、表示変換部１１からマークの位置を示
す座標データを発生する。
ポインタであって、表示器１２の画面上において欠陥画
素を発見したとき、ポインタ１６を用いて指示すること
によって、マーク発生部１７において、マークを発生し
て表示変換部１１に与えることによって、画面上にポイ
ンタ１６によって指示された場所に対応してマークを表
示するとともに、表示変換部１１からマークの位置を示
す座標データを発生する。
【００３８】置換更新部１８は、表示変換部１１から与
えられた欠陥素子を示す座標データに応じて、置換メモ
リ９において、欠陥素子のアドレスを隣接する素子のア
ドレスによって置換して、走査変換部１０において欠陥
画素のデータを隣接する画素のデータによって置き替え
ることによって、手動によって、欠陥画素の置換を行な
うことができる。
えられた欠陥素子を示す座標データに応じて、置換メモ
リ９において、欠陥素子のアドレスを隣接する素子のア
ドレスによって置換して、走査変換部１０において欠陥
画素のデータを隣接する画素のデータによって置き替え
ることによって、手動によって、欠陥画素の置換を行な
うことができる。
【００３９】図２は、表示器上の欠陥画素とマークとの
関係を示したものである。図示のように、表示器１２の
画面上の欠陥画素ｐに対して、ポインタ１６によって指
示することによって画面上に表示されるマーク（クロス
マーク）を一致させたときの、クロスマークｔの座標
（ｘ，ｙ）から欠陥画素No. を特定することができる。
関係を示したものである。図示のように、表示器１２の
画面上の欠陥画素ｐに対して、ポインタ１６によって指
示することによって画面上に表示されるマーク（クロス
マーク）を一致させたときの、クロスマークｔの座標
（ｘ，ｙ）から欠陥画素No. を特定することができる。
【００４０】図３は、自動置換機能に対するブロック構
成を示したものであって、図１の場合と同じものを同じ
番号で示している。また図４は、自動置換時の動作フロ
ーを示したものである。
成を示したものであって、図１の場合と同じものを同じ
番号で示している。また図４は、自動置換時の動作フロ
ーを示したものである。
【００４１】光学系においてチョッパミラー３によっ
て、まず高温の温度基準板を用いて高温基準データを入
力したときの検知素子ごとの信号データ２１を記憶す
る。また低温の温度基準板を用いて低温基準データを入
力したときの検知素子ごとの信号データ２２を記憶す
る。さらに各素子ごとの高温データ（Ｈ）と低温データ
（Ｌ）との差によって各素子ごとの補正値データ２３を
求めて記憶する。
て、まず高温の温度基準板を用いて高温基準データを入
力したときの検知素子ごとの信号データ２１を記憶す
る。また低温の温度基準板を用いて低温基準データを入
力したときの検知素子ごとの信号データ２２を記憶す
る。さらに各素子ごとの高温データ（Ｈ）と低温データ
（Ｌ）との差によって各素子ごとの補正値データ２３を
求めて記憶する。
【００４２】補正処理実行時には、それぞれの素子の補
正値データを読み出し、補正値の逆数を補正係数として
Ａ／Ｄ６の出力に乗算することによって得られた、補正
された温度データをフレームメモリ１０に書き込む。
正値データを読み出し、補正値の逆数を補正係数として
Ａ／Ｄ６の出力に乗算することによって得られた、補正
された温度データをフレームメモリ１０に書き込む。
【００４３】さらに、全検知素子に対する、高温データ
と低温データとの差の平均値を算出して、全素子分の差
の平均値データ２４を記憶する。
と低温データとの差の平均値を算出して、全素子分の差
の平均値データ２４を記憶する。
【００４４】欠陥画素置換処理実行時には、置換スイッ
チをオンにすることによって、置換タイミング生成部２
０から与えられるタイミングによって、一連の欠陥画素
置換処理が実行される。
チをオンにすることによって、置換タイミング生成部２
０から与えられるタイミングによって、一連の欠陥画素
置換処理が実行される。
【００４５】欠陥判定部１５は、補正値データ２３にお
ける各素子の高温データと低温データとの差と、平均値
データ２４と上限設定値の和とを比較して、補正値の方
が大きいとき、または、平均値データ２４と下限設定値
の和とを比較して、補正値の方が小さいとき、この素子
を欠陥素子と判定して更新出力を発生する。
ける各素子の高温データと低温データとの差と、平均値
データ２４と上限設定値の和とを比較して、補正値の方
が大きいとき、または、平均値データ２４と下限設定値
の和とを比較して、補正値の方が小さいとき、この素子
を欠陥素子と判定して更新出力を発生する。
【００４６】これによって、置換メモリにデータとして
書き込まれていた欠陥素子のアドレスが、隣接する素子
のアドレスによって置き換えられる。置換メモリ９のア
ドレスは、データラッチ３０を経てフレームメモリ１０
に与えられる。
書き込まれていた欠陥素子のアドレスが、隣接する素子
のアドレスによって置き換えられる。置換メモリ９のア
ドレスは、データラッチ３０を経てフレームメモリ１０
に与えられる。
【００４７】フレームメモリ１０のデータは、読み出し
アドレスカウンタ３１からの読み出しアドレスに応じ
て、表示変換部１１へ読みだされる。
アドレスカウンタ３１からの読み出しアドレスに応じ
て、表示変換部１１へ読みだされる。
【００４８】図５は、手動置換機能に対するブロック構
成を示したものであって、図１および図３の場合と同じ
ものを同じ番号で示している。また図６は、手動置換時
の動作フローを示したものである。
成を示したものであって、図１および図３の場合と同じ
ものを同じ番号で示している。また図６は、手動置換時
の動作フローを示したものである。
【００４９】手動置換処理実行時、操作者がポインタ１
６を動かすことによって、Ｘカウンタ３２のＸアドレス
と、Ｙカウンタ３３のＹアドレスとからなるマーク位置
座標値が変化して、この座標値に応じてマークが表示器
１２の画面上に表示される。表示器１２上のクロスマー
クｔを欠陥画素ｐに合わせたたとき、読み出しアドレス
カウンタ３１からのフレームメモリ１０の読み出しアド
レスと、ポインタ１６からのマーク位置座標値とが一致
する。この状態で操作者が欠陥スイッチ３４を押すと、
マーク位置の画素アドレスが画像欠陥No. ラッチ３５に
ラッチされる。
６を動かすことによって、Ｘカウンタ３２のＸアドレス
と、Ｙカウンタ３３のＹアドレスとからなるマーク位置
座標値が変化して、この座標値に応じてマークが表示器
１２の画面上に表示される。表示器１２上のクロスマー
クｔを欠陥画素ｐに合わせたたとき、読み出しアドレス
カウンタ３１からのフレームメモリ１０の読み出しアド
レスと、ポインタ１６からのマーク位置座標値とが一致
する。この状態で操作者が欠陥スイッチ３４を押すと、
マーク位置の画素アドレスが画像欠陥No. ラッチ３５に
ラッチされる。
【００５０】次に、操作者がポインタ１６を動かして、
クロスマークｔを表示器１２上の置換したい画素に合わ
せると、マーク位置の画素アドレスとポインタ１６のマ
ーク位置座標値とが一致する。この状態で操作者が置換
元スイッチ３６を押すと、マーク位置の画素アドレスが
画像置換No. ラッチ３７にラッチされる。
クロスマークｔを表示器１２上の置換したい画素に合わ
せると、マーク位置の画素アドレスとポインタ１６のマ
ーク位置座標値とが一致する。この状態で操作者が置換
元スイッチ３６を押すと、マーク位置の画素アドレスが
画像置換No. ラッチ３７にラッチされる。
【００５１】置換タイミング生成部２０からの指示によ
って、置換メモリ９のアドレスを画像置換No. ラッチ３
７の値にし、置換メモリ９に書き込まれていたデータ
を、データラッチ３０にラッチしたのち、置換メモリ９
のアドレスを画像欠陥No. ラッチ３５の値にする。そし
て、データラッチ３０に書き込まれていた値を置換メモ
リ９に書き込む。
って、置換メモリ９のアドレスを画像置換No. ラッチ３
７の値にし、置換メモリ９に書き込まれていたデータ
を、データラッチ３０にラッチしたのち、置換メモリ９
のアドレスを画像欠陥No. ラッチ３５の値にする。そし
て、データラッチ３０に書き込まれていた値を置換メモ
リ９に書き込む。
【００５２】これによって、欠陥画素のアドレスを与え
ることによって、置換メモリ９から、置換元画素のアド
レスを読みだす、画素アドレスの置換を行なうことがで
きる。
ることによって、置換メモリ９から、置換元画素のアド
レスを読みだす、画素アドレスの置換を行なうことがで
きる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、赤
外線撮像装置における欠陥画素の置換を、自動置換によ
って行ない、またはポインタ指示による手動置換によっ
て行なうことができるので、従来の装置のように欠陥画
素の置換を行なうために装置を分解する必要がなく、従
って、欠陥画素の置換に手間と時間を必要としないだけ
でなく、赤外線撮像装置の連続使用または長時間使用の
上で支障を生じることがない。
外線撮像装置における欠陥画素の置換を、自動置換によ
って行ない、またはポインタ指示による手動置換によっ
て行なうことができるので、従来の装置のように欠陥画
素の置換を行なうために装置を分解する必要がなく、従
って、欠陥画素の置換に手間と時間を必要としないだけ
でなく、赤外線撮像装置の連続使用または長時間使用の
上で支障を生じることがない。
【図１】本発明の一実施形態を示す図である。
【図２】表示器上の欠陥画素とマークとの関係を示す図
である。
である。
【図３】自動置換機能に対するブロック構成を示す図で
ある。
ある。
【図４】自動置換時の動作フローを示す図である。
【図５】手動置換機能に対するブロック構成を示す図で
ある。
ある。
【図６】手動置換時の動作フローを示す図である。
【図７】従来の赤外線撮像装置を示す機能ブロック図で
ある。
ある。
【図８】補正処理部の処理を説明する図である。
【図９】欠陥画素の再評価時の構成を示す図である。
【図１０】一次元多素子検知器を使用する場合の欠陥画
素の置換を説明する図である。
素の置換を説明する図である。
【図１１】フレームメモリにおける走査置換を説明する
図である。
図である。
【図１２】一次元ＴＤＩ多素子検知器を使用する場合の
欠陥画素の置換を説明する図である。
欠陥画素の置換を説明する図である。
【図１３】二次元多素子検知器を使用する場合の欠陥素
子の置換を説明する図である。
子の置換を説明する図である。
７ 基準温度メモリ
９ 置換メモリ
１０ フレームメモリ
１２ 表示器
１５ 欠陥判定部
１６ ポインタ
１７ マーク発生部
１８ 置換更新部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 岡本 幹泰
神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地
富士通株式会社内
(72)発明者 竹野井 清
神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地
富士通株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−48974（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−110286（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−107522（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H04N 5/33 - 5/335
G01J 5/48
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の検知素子を一次元に配列してなる
一次元多素子赤外線検知器からの出力によってフレーム
メモリ上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行な
う赤外線撮像装置の画素置換方法において、 高温の基準温度に対する各検知素子の高温データと低温
の基準温度に対する各検知素子の低温データとを記憶す
る基準温度データメモリと、 各検知素子の高温データと低温データとの差を求め、全
検知素子について該差の平均値を算出して、該平均値と
上限設定値との和が差の値より大きいときおよび該平均
値と下限設定値との和が差の値より小さいとき該検知素
子を欠陥素子と判定する欠陥判定部と、 フレームメモリにおける欠陥画素に対応する検知素子の
アドレスを該欠陥画素に隣接する正常画素に対応する検
知素子のアドレスによって置き換える置換メモリとを備
え、 欠陥素子に基づく欠陥画素を正常素子に基づく正常画素
によって自動置換して画像表示を行なうことを特徴とす
る赤外線撮像装置の画素置換方法。 - 【請求項２】 同一列の複数の各画素に対応して同一行
に複数の検知素子を有し該複数の検知素子からの走査出
力を遅延積分して各画素の出力を発生する一次元ＴＤＩ
多素子赤外線検知器からの出力によってフレームメモリ
上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行なう赤外
線撮像装置の画素置換方法において、 高温の基準温度に対する各検知素子の高温データと低温
の基準温度に対する各検知素子の低温データとを記憶す
る基準温度データメモリと、 各検知素子の高温データと低温データとの差を求め、全
検知素子について該差の平均値を算出して、該平均値と
上限設定値との和が差の値より大きいときおよび該平均
値と下限設定値との和が差の値より小さいとき該検知素
子を欠陥素子と判定する欠陥判定部と、 フレームメモリにおける各画素に対応する同一行の検知
素子中の欠陥素子のアドレスを同一行の該欠陥素子に隣
接する正常素子のアドレスによって置き換える置換メモ
リとを備え、 欠陥素子に基づく欠陥画素を正常素子に基づく正常画素
によって自動置換して画像表示を行なうことを特徴とす
る赤外線撮像装置の画素置換方法。 - 【請求項３】 同一列の複数の各画素に対応して同一行
に複数の検知素子を有し該複数の検知素子からの走査出
力を遅延積分して各画素の出力を発生する一次元ＴＤＩ
多素子赤外線検知器からの出力によってフレームメモリ
上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行なう赤外
線撮像装置の画素置換方法において、 高温の基準温度に対する各検知素子の高温データと低温
の基準温度に対する各検知素子の低温データとを記憶す
る基準温度データメモリと、 各検知素子の高温データと低温データとの差を求め、全
検知素子について該差の平均値を算出して、該平均値と
上限設定値との和が差の値より大きいときおよび該平均
値と下限設定値との和が差の値より小さいとき該検知素
子を欠陥素子と判定する欠陥判定部と、 フレームメモリにおける各画素に対応する同一行の検知
素子がすべて欠陥素子のとき各欠陥素子のアドレスを該
行に隣接する行の各正常素子のアドレスと置き換える置
換メモリとを備え、 欠陥素子に基づく欠陥画素を正常素子に基づく正常画素
によって自動置換して画像表示を行なうことを特徴とす
る赤外線撮像装置の画素置換方法。 - 【請求項４】 複数の検知素子を二次元に配列してなる
二次元多素子赤外線検知器からの出力によってフレーム
メモリ上に二次元画像を形成して二次元画像表示を行な
う赤外線撮像装置の画素置換方法において、 高温の基準温度に対する各検知素子の高温データと低温
の基準温度に対する各検知素子の低温データとを記憶す
る基準温度データメモリと、 各検知素子の高温データと低温データとの差を求め、全
検知素子について該差の平均値を算出して、該平均値と
上限設定値との和が差の値より大きいときおよび該平均
値と下限設定値との和が差の値より小さいとき該検知素
子を欠陥素子と判定する欠陥判定部と、 フレームメモリにおける欠陥画素に対応する検知素子の
アドレスを該欠陥画素に隣接するいずれかの正常画素に
対応する検知素子のアドレスによって置き換える置換メ
モリとを備え、 欠陥素子に基づく欠陥画素を正常素子に基づく正常画素
によって自動置換して画像表示を行なうことを特徴とす
る赤外線撮像装置の画素置換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31646395A JP3418812B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 赤外線撮像装置の画素置換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31646395A JP3418812B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 赤外線撮像装置の画素置換方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09163228A JPH09163228A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3418812B2 true JP3418812B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=18077382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31646395A Expired - Fee Related JP3418812B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 赤外線撮像装置の画素置換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3418812B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3995511B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2007-10-24 | 三菱電機株式会社 | 点滅欠陥検出方法、映像補正方法及び固体撮像装置 |
| US10965889B2 (en) | 2011-06-20 | 2021-03-30 | Fluke Corporation | Thermal imager that analyzes temperature measurement calculation accuracy |
| US20120320189A1 (en) * | 2011-06-20 | 2012-12-20 | Fluke Corporation | Thermal imager that analyzes temperature measurement calculation accuracy |
| JP5970965B2 (ja) * | 2012-06-07 | 2016-08-17 | 日本電気株式会社 | 撮像装置 |
| JP6006618B2 (ja) * | 2012-11-12 | 2016-10-12 | 株式会社東芝 | 赤外線固体撮像素子の検査装置および検査方法 |
| JP6338144B2 (ja) * | 2014-04-15 | 2018-06-06 | 日本電気株式会社 | 赤外線撮像装置 |
| JP6763172B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2020-09-30 | 日本電気株式会社 | 赤外線装置及び方法 |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP31646395A patent/JP3418812B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09163228A (ja) | 1997-06-20 |
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| JPS61125289A (ja) | 撮像装置 | |
| JPH0224453B2 (ja) |
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