JP3417071B2 - 新規なアントラセン誘導体 - Google Patents
新規なアントラセン誘導体Info
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- JP3417071B2 JP3417071B2 JP18879594A JP18879594A JP3417071B2 JP 3417071 B2 JP3417071 B2 JP 3417071B2 JP 18879594 A JP18879594 A JP 18879594A JP 18879594 A JP18879594 A JP 18879594A JP 3417071 B2 JP3417071 B2 JP 3417071B2
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- JP
- Japan
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- anthracene
- tris
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- hydroxybenzoyloxy
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/06—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein with non-macromolecular additives
- G03C1/061—Hydrazine compounds
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
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- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/06—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein with non-macromolecular additives
- G03C1/08—Sensitivity-increasing substances
- G03C1/10—Organic substances
- G03C2001/108—Nucleation accelerating compound
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【産業上の利用発明】本発明は半導体用材料、医薬品中
間体、染料中間体及び光記録材料等機能性材料として利
用出来、特に半導体分野での反射防止膜材料として有用
な新規なアントラセン誘導体に関する。
間体、染料中間体及び光記録材料等機能性材料として利
用出来、特に半導体分野での反射防止膜材料として有用
な新規なアントラセン誘導体に関する。
【０００２】
【発明の背景】近年、微細加工への利用を目的として遠
紫外光（300nm以下）用、又はＫｒＦエキシマレーザ光
（248.4nm）用の化学増幅型レジスト材料が検討されて
いる。しかしながら、これ等レジスト材料をアルミニウ
ム配線等の高反射基板に使用する場合、レジスト材料の
遠紫外光等に対する高透過性の為、半導体基板からの露
光光の反射による膜内多重反射の影響を強く受ける。こ
の膜内多重反射の影響に起因して段差等でレジストの膜
厚変動がある場合、レジストパターン寸法が大きく変化
し、その結果断線等の問題が発生する。この膜内多重反
射を抑制する方法の一つとして半導体基板上に反射防止
膜を形成させる方法が検討されている。しかし遠紫外光
やＫｒＦエキシマレーザ光等の反射防止膜材料に利用出
来る適当な化合物は未だ見出されていない。
紫外光（300nm以下）用、又はＫｒＦエキシマレーザ光
（248.4nm）用の化学増幅型レジスト材料が検討されて
いる。しかしながら、これ等レジスト材料をアルミニウ
ム配線等の高反射基板に使用する場合、レジスト材料の
遠紫外光等に対する高透過性の為、半導体基板からの露
光光の反射による膜内多重反射の影響を強く受ける。こ
の膜内多重反射の影響に起因して段差等でレジストの膜
厚変動がある場合、レジストパターン寸法が大きく変化
し、その結果断線等の問題が発生する。この膜内多重反
射を抑制する方法の一つとして半導体基板上に反射防止
膜を形成させる方法が検討されている。しかし遠紫外光
やＫｒＦエキシマレーザ光等の反射防止膜材料に利用出
来る適当な化合物は未だ見出されていない。
【０００３】
【発明の目的】本発明は上記した如き状況に鑑みなされ
たもので、ＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光リソグ
ラフィーを利用してレジストパターンを形成する際に生
じる、半導体基板からの反射による膜内多重反射の影響
を抑制するために、半導体基板表面に形成させる反射防
止膜用材料として、極めて有用な新規化合物を提供する
ことを目的とする。
たもので、ＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光リソグ
ラフィーを利用してレジストパターンを形成する際に生
じる、半導体基板からの反射による膜内多重反射の影響
を抑制するために、半導体基板表面に形成させる反射防
止膜用材料として、極めて有用な新規化合物を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【発明の構成】上記目的を達成するため本発明は下記の
構成から成る。『下記一般式〔Ｉ〕
構成から成る。『下記一般式〔Ｉ〕
【０００５】
【化３】
【０００６】［式中、Ｒ1及びＲ2は夫々独立して水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は水酸
基を表わし、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は夫々独立して水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は下
記一般式〔II〕
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は水酸
基を表わし、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は夫々独立して水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は下
記一般式〔II〕
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中、Ｒ1及びＲ2は前記と同じ。）で示
される基を表わす（但し、Ｒ3〜Ｒ6の内、少なくとも一
つは一般式〔II〕で示される基を表わす。又、一般式
〔II〕で示される基が同時にアントラセン環の１位、８
位及び９位に導入された化合物は除く。）。］で示され
るアントラセン誘導体。』
される基を表わす（但し、Ｒ3〜Ｒ6の内、少なくとも一
つは一般式〔II〕で示される基を表わす。又、一般式
〔II〕で示される基が同時にアントラセン環の１位、８
位及び９位に導入された化合物は除く。）。］で示され
るアントラセン誘導体。』
【０００９】即ち、本発明者等はＫｒＦエキシマレーザ
光等の遠紫外光リソグラフィ−を利用してレジストパタ
ーンを形成する際、基板からの露光光の反射を抑制する
目的で使用する反射防止膜材料の構成成分として、遠紫
外光を吸収し、反射防止膜の耐熱性向上に付与し、且つ
反射防止膜がレジスト材料と界面部で混和しない様な性
能を付与する化合物を求めて鋭意研究を重ねた結果、上
記一般式〔Ｉ〕で示されるアントラセン誘導体を見出
し、本発明を完成するに至った。
光等の遠紫外光リソグラフィ−を利用してレジストパタ
ーンを形成する際、基板からの露光光の反射を抑制する
目的で使用する反射防止膜材料の構成成分として、遠紫
外光を吸収し、反射防止膜の耐熱性向上に付与し、且つ
反射防止膜がレジスト材料と界面部で混和しない様な性
能を付与する化合物を求めて鋭意研究を重ねた結果、上
記一般式〔Ｉ〕で示されるアントラセン誘導体を見出
し、本発明を完成するに至った。
【００１０】本発明に係る反射防止膜材料の構成成分と
しては、遠紫外光を吸収する事の他、反射防止膜の耐熱
性に寄与し、且つこの膜上に塗布するレジスト材料と界
面部で混ざり合わない性質を付与出来る性質を持ち合わ
せる事が必要条件である。本発明者らは、これ等の条件
を満足させる化合物として、グリシジル基（又はエポキ
シ基）を有する樹脂と加熱する事により架橋反応可能な
フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有し、220〜3
00nm付近に強い吸収を有するアントラセン骨格を分子内
に有する一連の化合物に着目、更に前記熱架橋反応をよ
り容易にさせる為、フェノール性水酸基のp-位、又はm-
位にカルボキシル基等の電子吸引基を導入させた本発明
化合物に到達した。
しては、遠紫外光を吸収する事の他、反射防止膜の耐熱
性に寄与し、且つこの膜上に塗布するレジスト材料と界
面部で混ざり合わない性質を付与出来る性質を持ち合わ
せる事が必要条件である。本発明者らは、これ等の条件
を満足させる化合物として、グリシジル基（又はエポキ
シ基）を有する樹脂と加熱する事により架橋反応可能な
フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有し、220〜3
00nm付近に強い吸収を有するアントラセン骨格を分子内
に有する一連の化合物に着目、更に前記熱架橋反応をよ
り容易にさせる為、フェノール性水酸基のp-位、又はm-
位にカルボキシル基等の電子吸引基を導入させた本発明
化合物に到達した。
【００１１】尚、一般式〔Ｉ〕に於て、一般式〔II〕で
示される基がアントラセン環の１位、８位及び９位に同
時に導入された化合物の場合には、グリシジル基を分子
内に有する樹脂との架橋反応が進み難いため、所望の反
射防止膜を形成し得ない。
示される基がアントラセン環の１位、８位及び９位に同
時に導入された化合物の場合には、グリシジル基を分子
内に有する樹脂との架橋反応が進み難いため、所望の反
射防止膜を形成し得ない。
【００１２】一方、一般式〔Ｉ〕に於て、１以上のフェ
ノール性水酸基がカルボキシル基に対してp-位及び／又
はm-位にある場合には、グリシジル基を分子内に有する
樹脂との架橋反応が著しく促進され、好ましい反射防止
膜を得ることができる。
ノール性水酸基がカルボキシル基に対してp-位及び／又
はm-位にある場合には、グリシジル基を分子内に有する
樹脂との架橋反応が著しく促進され、好ましい反射防止
膜を得ることができる。
【００１３】一般式〔Ｉ〕で示される本発明化合物は例
えば下記ａ）、ｂ）又はｃ）等の方法により容易に合成
し得る。 ａ）方法−１ 一般式〔Ｉ〕に於て、Ｒ3が一般式〔II〕で示される基
であり、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6が水素原子、アルキル基、ハ
ロゲン原子又は一般式〔II〕で示される基である本発明
化合物は、例えば下記反応スキーム１に従って容易に合
成する事ができる。
えば下記ａ）、ｂ）又はｃ）等の方法により容易に合成
し得る。 ａ）方法−１ 一般式〔Ｉ〕に於て、Ｒ3が一般式〔II〕で示される基
であり、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6が水素原子、アルキル基、ハ
ロゲン原子又は一般式〔II〕で示される基である本発明
化合物は、例えば下記反応スキーム１に従って容易に合
成する事ができる。
【００１４】
【式１】
【００１５】即ち、先ず水酸基を１以上有するアントラ
キノン誘導体を５〜20倍容量の酢酸又はプロピオン酸等
に溶解させ、これに過剰の濃塩酸及び塩化第一錫を加え
て10〜120℃で還元反応させればアントラセントリオー
ル誘導体が容易に得られる。
キノン誘導体を５〜20倍容量の酢酸又はプロピオン酸等
に溶解させ、これに過剰の濃塩酸及び塩化第一錫を加え
て10〜120℃で還元反応させればアントラセントリオー
ル誘導体が容易に得られる。
【００１６】次に、得られたアントラセントリオール誘
導体をこれに対して２倍モル以上（スキーム１の例示で
は３モル）のp-ベンジルオキシ安息香酸クロライド等
と、２倍モル以上（スキーム１の例示では３モル）の塩
基（例えば、トリエチルアミン、ピペリジン、ＮａＯ
Ｈ、ＫＯＨ、ＮａＨ等）の存在下、１〜20倍容量の適当
な有機溶剤（例えば、ピリジン、塩化メチレン、トルエ
ン、エチルエーテル、テトラヒドロフラン等）中、０〜
150 ℃で30分〜20時間撹拌反応させれば水酸基が保護さ
れた（スキーム１の例示ではベンジル基で保護されてい
る）目的化合物が得られる。
導体をこれに対して２倍モル以上（スキーム１の例示で
は３モル）のp-ベンジルオキシ安息香酸クロライド等
と、２倍モル以上（スキーム１の例示では３モル）の塩
基（例えば、トリエチルアミン、ピペリジン、ＮａＯ
Ｈ、ＫＯＨ、ＮａＨ等）の存在下、１〜20倍容量の適当
な有機溶剤（例えば、ピリジン、塩化メチレン、トルエ
ン、エチルエーテル、テトラヒドロフラン等）中、０〜
150 ℃で30分〜20時間撹拌反応させれば水酸基が保護さ
れた（スキーム１の例示ではベンジル基で保護されてい
る）目的化合物が得られる。
【００１７】次いで、これを１〜20倍容量の適当な有機
溶剤（例えば、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、イソプロパノール、テトラヒドロフラン、塩化メチ
レン、クロロホルム等）中、例えば、ラネーニッケル、
パラジウム炭素等の触媒存在下、常圧〜50Kg／cm2（水
素初圧）、０〜50℃で１〜10時間水素添加反応させれ
ば、目的とする本発明化合物が容易に得られる。
溶剤（例えば、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、イソプロパノール、テトラヒドロフラン、塩化メチ
レン、クロロホルム等）中、例えば、ラネーニッケル、
パラジウム炭素等の触媒存在下、常圧〜50Kg／cm2（水
素初圧）、０〜50℃で１〜10時間水素添加反応させれ
ば、目的とする本発明化合物が容易に得られる。
【００１８】ｂ）方法−２
一般式〔Ｉ〕に於て、Ｒ3が水素原子であり、Ｒ4又はＲ
6が一般式〔II〕で示される基であり、Ｒ6又はＲ4、及
びＲ5が水素原子、アルキル基又はハロゲン原子である
本発明化合物の場合は、例えば下記反応スキーム２に従
って合成する事が出来る。
6が一般式〔II〕で示される基であり、Ｒ6又はＲ4、及
びＲ5が水素原子、アルキル基又はハロゲン原子である
本発明化合物の場合は、例えば下記反応スキーム２に従
って合成する事が出来る。
【００１９】
【式２】
【００２０】即ち、先ず水酸基を２個有するアントラキ
ノン誘導体、例えば2,6-ジヒドロキシアントラキノンを
無水炭酸カリウム等脱酸剤の存在下、例えばジメチル硫
酸等のアルキル化剤と反応させて水酸基を保護した後、
亜鉛／アンモニア水で還元すれば2,6-位の水酸基が保護
された、例えば2,6-ジメトキシアントラセンが得られ
る。次いでこの水酸基の保護基を例えば三臭化ホウ素等
と反応させることにより脱離させて2,6-ジヒドロキシア
ントラセンとする。以下、上記ａ）の方法に於けるエス
テル化工程以降の操作法に準じて、p-ベンジルオキシ安
息香酸クロライド等でエステル化し、更に水素添加反応
により水酸基の保護基（ベンジル基）を外せば目的とす
る本発明化合物が容易に得られる。
ノン誘導体、例えば2,6-ジヒドロキシアントラキノンを
無水炭酸カリウム等脱酸剤の存在下、例えばジメチル硫
酸等のアルキル化剤と反応させて水酸基を保護した後、
亜鉛／アンモニア水で還元すれば2,6-位の水酸基が保護
された、例えば2,6-ジメトキシアントラセンが得られ
る。次いでこの水酸基の保護基を例えば三臭化ホウ素等
と反応させることにより脱離させて2,6-ジヒドロキシア
ントラセンとする。以下、上記ａ）の方法に於けるエス
テル化工程以降の操作法に準じて、p-ベンジルオキシ安
息香酸クロライド等でエステル化し、更に水素添加反応
により水酸基の保護基（ベンジル基）を外せば目的とす
る本発明化合物が容易に得られる。
【００２１】ｃ）方法−３
一般式〔Ｉ〕に於て、Ｒ3が水素原子であり、Ｒ4及びＲ
6が一般式〔II〕で示される基であり、Ｒ5が水素原子、
アルキル基、ハロゲン原子又は一般式〔II〕で示される
基である本発明化合物の場合は、例えば下記反応スキー
ム３に従って容易に合成する事ができる。
6が一般式〔II〕で示される基であり、Ｒ5が水素原子、
アルキル基、ハロゲン原子又は一般式〔II〕で示される
基である本発明化合物の場合は、例えば下記反応スキー
ム３に従って容易に合成する事ができる。
【００２２】
【式３】
【００２３】即ち、先ず水酸基を３以上有するアントラ
キノン誘導体、例えば6-メチル−1,3,8-トリヒドロキシ
アントラキノンを用いて、上記ｂ）の方法の操作法に準
じて水酸基をアルキルエーテル化した後、亜鉛／アンモ
ニア水で還元すれば1,3,8-位の水酸基が保護された、例
えば6-メチル−1,3,8-トリメトキシアントラセンが得ら
れる。次いでこの水酸基の保護基を例えば三臭化ホウ素
等と反応させる事により脱離させて6-メチル−1,3,8-ト
リヒドロキシアントラセンとする。これを更にp-ベンジ
ルオキシ安息香酸クロライド等でエステル化した後、接
触還元等により水酸基の保護基（ベンジル基）を脱離さ
せれば目的とする本発明化合物が得られる。
キノン誘導体、例えば6-メチル−1,3,8-トリヒドロキシ
アントラキノンを用いて、上記ｂ）の方法の操作法に準
じて水酸基をアルキルエーテル化した後、亜鉛／アンモ
ニア水で還元すれば1,3,8-位の水酸基が保護された、例
えば6-メチル−1,3,8-トリメトキシアントラセンが得ら
れる。次いでこの水酸基の保護基を例えば三臭化ホウ素
等と反応させる事により脱離させて6-メチル−1,3,8-ト
リヒドロキシアントラセンとする。これを更にp-ベンジ
ルオキシ安息香酸クロライド等でエステル化した後、接
触還元等により水酸基の保護基（ベンジル基）を脱離さ
せれば目的とする本発明化合物が得られる。
【００２４】一般式〔Ｉ〕で示される本発明化合物の具
体例としては、例えば2,6,9-トリス（4-ヒドロキシベン
ゾイルオキシ）アントラセン、2,6,9-トリス（3,4-ジヒ
ドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、2,6,9-トリ
ス（3-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、2,
6,9-トリス（4-ヒドロキシ-3−メトキシベンゾイルオキ
シ）アントラセン、2,6,9-トリス（3-クロル−4-ヒドロ
キシベンゾイルオキシ）アントラセン、2,6,9-トリス
（3-ヒドロキシ−4-メチルベンゾイルオキシ）アントラ
セン、1,2,10−トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキ
シ）アントラセン、1,2,10−トリス（3-ヒドロキシベン
ゾイルオキシ）アントラセン、1,2,10−トリス（3,4-ジ
ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,2,10−
トリス（4-ヒドロキシ−3-メトキシベンゾイルオキシ）
アントラセン、1,2,10−トリス（3-ヒドロキシ−4-メチ
ルベンゾイルオキシ）アントラセン、1,2,10−トリス
（3-クロル−4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラ
セン、1,5,9-トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）
アントラセン、1,5,9-トリス（3-ヒドロキシベンゾイル
オキシ）アントラセン、1,5,9-トリス（3,4-ジヒドロキ
シベンゾイルオキシ）アントラセン、1,5,9-トリス（4-
ヒドロキシ−3-メトキシベンゾイルオキシ）アントラセ
ン、1,5,9-トリス（3-ヒドロキシ−4-メチルベンゾイル
オキシ）アントラセン、1,5,9-トリス（3-クロル−4-ヒ
ドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,4,9-トリ
ス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,
5-ビス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセ
ン、1,5-ビス（3-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アント
ラセン、1,5-ビス（3,4-ジヒドロキシベンゾイルオキ
シ）アントラセン、1,5-ビス（4-ヒドロキシ−3-メトキ
シベンゾイルオキシ）アントラセン、1,5-ビス（3-クロ
ル−4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,
5-ビス（3-ヒドロキシ−4-メチルベンゾイルオキシ）ア
ントラセン、2,6-ビス（4-ヒドロキシベンゾイルオキ
シ）アントラセン、2,6-ビス（3-ヒドロキシベンゾイル
オキシ）アントラセン、2,6-ビス（3,4-ジヒドロキシベ
ンゾイルオキシ）アントラセン、2,6-ビス（4-ヒドロキ
シ−3-メトキシベンゾイルオキシ）アントラセン、2,6-
ビス（3-クロル−4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アン
トラセン、2,6-ビス（3-ヒドロキシ−4-メチルベンゾイ
ルオキシ）アントラセン、1,2-ビス（4-ヒドロキシベン
ゾイルオキシ）アントラセン、1,2-ビス（4-ヒドロキシ
−3-メトキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,2-ビ
ス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,
2-ビス（4-ヒドロキシ−3-メトキシベンゾイルオキシ）
アントラセン、1,8-ビス（4-ヒドロキシベンゾイルオキ
シ）−3-メチルアントラセン、6,7-ジクロル−1,4-ビス
（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、6-メ
チル−1,3,8-トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）
アントラセン、1,4-ビス（3,4-ジヒドロキシベンゾイル
オキシ）アントラセン、6-メチル−1,3,8,10−テトラ
（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,10
-ビス（4ーヒドロキシベンゾイルオキシ）ー2ーメトキシア
ントラセン、2,6- ビス（4ーヒドロキシベンゾイルオキ
シ）-9-メトキシアントラセン、2,3-ジメチル−1,4,9-
トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセ
ン、1,4-ビス（3,4-ジヒドロキシベンゾイルオキシ）−
2,3-ジメチルアントラセン、1,2,5,8-テトラ（4-ヒドロ
キシベンゾイルオキシ）アントラセン、5,8-ジクロル−
1,4,9-トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アント
ラセン等が挙げられるがこれ等に限定されるものではな
い。
体例としては、例えば2,6,9-トリス（4-ヒドロキシベン
ゾイルオキシ）アントラセン、2,6,9-トリス（3,4-ジヒ
ドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、2,6,9-トリ
ス（3-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、2,
6,9-トリス（4-ヒドロキシ-3−メトキシベンゾイルオキ
シ）アントラセン、2,6,9-トリス（3-クロル−4-ヒドロ
キシベンゾイルオキシ）アントラセン、2,6,9-トリス
（3-ヒドロキシ−4-メチルベンゾイルオキシ）アントラ
セン、1,2,10−トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキ
シ）アントラセン、1,2,10−トリス（3-ヒドロキシベン
ゾイルオキシ）アントラセン、1,2,10−トリス（3,4-ジ
ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,2,10−
トリス（4-ヒドロキシ−3-メトキシベンゾイルオキシ）
アントラセン、1,2,10−トリス（3-ヒドロキシ−4-メチ
ルベンゾイルオキシ）アントラセン、1,2,10−トリス
（3-クロル−4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラ
セン、1,5,9-トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）
アントラセン、1,5,9-トリス（3-ヒドロキシベンゾイル
オキシ）アントラセン、1,5,9-トリス（3,4-ジヒドロキ
シベンゾイルオキシ）アントラセン、1,5,9-トリス（4-
ヒドロキシ−3-メトキシベンゾイルオキシ）アントラセ
ン、1,5,9-トリス（3-ヒドロキシ−4-メチルベンゾイル
オキシ）アントラセン、1,5,9-トリス（3-クロル−4-ヒ
ドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,4,9-トリ
ス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,
5-ビス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセ
ン、1,5-ビス（3-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アント
ラセン、1,5-ビス（3,4-ジヒドロキシベンゾイルオキ
シ）アントラセン、1,5-ビス（4-ヒドロキシ−3-メトキ
シベンゾイルオキシ）アントラセン、1,5-ビス（3-クロ
ル−4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,
5-ビス（3-ヒドロキシ−4-メチルベンゾイルオキシ）ア
ントラセン、2,6-ビス（4-ヒドロキシベンゾイルオキ
シ）アントラセン、2,6-ビス（3-ヒドロキシベンゾイル
オキシ）アントラセン、2,6-ビス（3,4-ジヒドロキシベ
ンゾイルオキシ）アントラセン、2,6-ビス（4-ヒドロキ
シ−3-メトキシベンゾイルオキシ）アントラセン、2,6-
ビス（3-クロル−4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アン
トラセン、2,6-ビス（3-ヒドロキシ−4-メチルベンゾイ
ルオキシ）アントラセン、1,2-ビス（4-ヒドロキシベン
ゾイルオキシ）アントラセン、1,2-ビス（4-ヒドロキシ
−3-メトキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,2-ビ
ス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,
2-ビス（4-ヒドロキシ−3-メトキシベンゾイルオキシ）
アントラセン、1,8-ビス（4-ヒドロキシベンゾイルオキ
シ）−3-メチルアントラセン、6,7-ジクロル−1,4-ビス
（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、6-メ
チル−1,3,8-トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）
アントラセン、1,4-ビス（3,4-ジヒドロキシベンゾイル
オキシ）アントラセン、6-メチル−1,3,8,10−テトラ
（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン、1,10
-ビス（4ーヒドロキシベンゾイルオキシ）ー2ーメトキシア
ントラセン、2,6- ビス（4ーヒドロキシベンゾイルオキ
シ）-9-メトキシアントラセン、2,3-ジメチル−1,4,9-
トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセ
ン、1,4-ビス（3,4-ジヒドロキシベンゾイルオキシ）−
2,3-ジメチルアントラセン、1,2,5,8-テトラ（4-ヒドロ
キシベンゾイルオキシ）アントラセン、5,8-ジクロル−
1,4,9-トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アント
ラセン等が挙げられるがこれ等に限定されるものではな
い。
【００２５】
【作 用】本発明に係る化合物と、グリシジル基（エポ
キシ基）を分子内に有する樹脂、例えばメタクリル酸グ
リシジルホモポリマー又はコポリマー等とを適当な溶剤
に溶解させた後、半導体基板上に回転塗布し、150 ℃以
上に加熱すると例えば、下記式４に従って樹脂のグリシ
ジル基と本発明に係る化合物との間で架橋反応が生じ、
耐熱性に優れた反射防止膜となる。
キシ基）を分子内に有する樹脂、例えばメタクリル酸グ
リシジルホモポリマー又はコポリマー等とを適当な溶剤
に溶解させた後、半導体基板上に回転塗布し、150 ℃以
上に加熱すると例えば、下記式４に従って樹脂のグリシ
ジル基と本発明に係る化合物との間で架橋反応が生じ、
耐熱性に優れた反射防止膜となる。
【００２６】尚、本発明に係る架橋剤及びグリシジル基
（エポキシ基）を分子中に有する樹脂は何れもアセトン
やレジスト溶剤（例えば、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート等）に可溶であるが、下記式４
に従ってこれらの化合物が架橋反応した結果得られる反
射防止膜はこれらの溶剤に不溶となっている。
（エポキシ基）を分子中に有する樹脂は何れもアセトン
やレジスト溶剤（例えば、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート等）に可溶であるが、下記式４
に従ってこれらの化合物が架橋反応した結果得られる反
射防止膜はこれらの溶剤に不溶となっている。
【００２７】
【式４】
【００２８】次いで、この反射防止膜の上層に、例えば
ＫｒＦエキシマレーザ光用レジスト材料を回転塗布し、
ベークしてレジスト膜を形成させた後、ＫｒＦエキシマ
レーザ光等の遠紫外光を露光すると反射防止膜に含有さ
れるアントラセン環に起因してレジスト膜を透過したＫ
ｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光は吸収され、半導体
基板からの反射が防止される。その結果、従来この分野
に於いて問題となっていた膜内多重反射の影響が完全に
抑制出来、アルミニウム配線等の高反射基板や段差基板
上へのレジストパターン形成でも寸法変動は全く生じな
い。
ＫｒＦエキシマレーザ光用レジスト材料を回転塗布し、
ベークしてレジスト膜を形成させた後、ＫｒＦエキシマ
レーザ光等の遠紫外光を露光すると反射防止膜に含有さ
れるアントラセン環に起因してレジスト膜を透過したＫ
ｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光は吸収され、半導体
基板からの反射が防止される。その結果、従来この分野
に於いて問題となっていた膜内多重反射の影響が完全に
抑制出来、アルミニウム配線等の高反射基板や段差基板
上へのレジストパターン形成でも寸法変動は全く生じな
い。
【００２９】更に本発明に係る化合物を構成成分とする
材料から形成された反射防止膜はレジスト溶剤に溶解し
ない為、レジストとの界面部で混ざり合わない。その結
果、レジストパターンの寸法変動は発生しない。
材料から形成された反射防止膜はレジスト溶剤に溶解し
ない為、レジストとの界面部で混ざり合わない。その結
果、レジストパターンの寸法変動は発生しない。
【００３０】尚、本発明に係る架橋剤に類似した化合物
として、本発明に係る一般式〔II〕で示される基がアン
トラセン環の１位、８位及び９位に同時に導入された化
合物、例えば1,8,9-トリス（4ーヒドロキシベンゾイルオ
キシ）アントラセンや1,8,9-トリス（2ーヒドロキシベン
ゾイルオキシ）アントラセン等が知られている（西独公
開特許第 2,257,442号）が、これらの化合物の場合は立
体的な障害や強い分子内水素結合に起因して上記のグリ
シジル基を分子内に有する樹脂と加熱しても架橋反応が
進み難い為、アセトンやレジスト溶剤に対する溶解性が
そのまま維持される。それ故、これを反射防止膜として
使用した場合には界面部でレジストと混和してしまうの
で反射防止膜としては到底使用し得ない。
として、本発明に係る一般式〔II〕で示される基がアン
トラセン環の１位、８位及び９位に同時に導入された化
合物、例えば1,8,9-トリス（4ーヒドロキシベンゾイルオ
キシ）アントラセンや1,8,9-トリス（2ーヒドロキシベン
ゾイルオキシ）アントラセン等が知られている（西独公
開特許第 2,257,442号）が、これらの化合物の場合は立
体的な障害や強い分子内水素結合に起因して上記のグリ
シジル基を分子内に有する樹脂と加熱しても架橋反応が
進み難い為、アセトンやレジスト溶剤に対する溶解性が
そのまま維持される。それ故、これを反射防止膜として
使用した場合には界面部でレジストと混和してしまうの
で反射防止膜としては到底使用し得ない。
【００３１】以下に実施例、参考例及び比較例を挙げて
本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれ等実施
例、参考例及び比較例により何等制約を受けるものでは
ない。
本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれ等実施
例、参考例及び比較例により何等制約を受けるものでは
ない。
【００３２】
実施例１ 2,6,9-トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキ
シ）アントラセンの合成 (１)塩化ベンジル 190ｇ（1.5モル）、p-ヒドロキシ安
息香酸 200ｇ（1.2モル）及び炭酸カリウム 165ｇ（1.2
モル）をアセトン 1200ml中に懸濁させ、12時間撹拌、
還流、反応させた。冷却後析出晶を濾別し、濾液を 400
ml迄濃縮して、水1000mlを注入し、撹拌、静置後、分液
した。有機層を濃縮し、残渣を水酸化ナトリウム 60ｇ
（1.5モル）、水 1000ml及びエタノール 500mlから成る
溶液に添加し、４時間撹拌して溶解させた。次いで濃塩
酸 200mlを注入し、ｐＨ１として析出晶を濾取し、水洗
次いでエタノール洗浄後減圧乾燥して、4-ベンジルオキ
シ安息香酸 195ｇを白色結晶として得た。mp. 191.2〜1
92.6℃。1 HNMR δppm（CDCl3 −DMSO-d6） ：5.10(2H,s,ArC
H2 ),6.92(2H,d,J=8Hz,Ar 3-H,5-H),7.13〜7.51(5H,m,芳
香環水素),7.86(2H,d,J=8Hz,Ar 2-H,6-H),8.65(1H,bs,O
H)． IR(KBr錠)νcm-1：1675(COOH).
シ）アントラセンの合成 (１)塩化ベンジル 190ｇ（1.5モル）、p-ヒドロキシ安
息香酸 200ｇ（1.2モル）及び炭酸カリウム 165ｇ（1.2
モル）をアセトン 1200ml中に懸濁させ、12時間撹拌、
還流、反応させた。冷却後析出晶を濾別し、濾液を 400
ml迄濃縮して、水1000mlを注入し、撹拌、静置後、分液
した。有機層を濃縮し、残渣を水酸化ナトリウム 60ｇ
（1.5モル）、水 1000ml及びエタノール 500mlから成る
溶液に添加し、４時間撹拌して溶解させた。次いで濃塩
酸 200mlを注入し、ｐＨ１として析出晶を濾取し、水洗
次いでエタノール洗浄後減圧乾燥して、4-ベンジルオキ
シ安息香酸 195ｇを白色結晶として得た。mp. 191.2〜1
92.6℃。1 HNMR δppm（CDCl3 −DMSO-d6） ：5.10(2H,s,ArC
H2 ),6.92(2H,d,J=8Hz,Ar 3-H,5-H),7.13〜7.51(5H,m,芳
香環水素),7.86(2H,d,J=8Hz,Ar 2-H,6-H),8.65(1H,bs,O
H)． IR(KBr錠)νcm-1：1675(COOH).
【００３３】(２)上記(１)で得た4-ベンジルオキシ安息
香酸 16ｇ（70ミリモル）を塩化メチレン 50mlに懸濁さ
せ、これに塩化チオニル 20.6ｇ（173ミリモル）を注入
し、更にN,N-ジメチルホルムアミド２滴を添加して45〜
50℃で１時間撹拌反応させた後、室温で一夜放置した。
一夜放置後、溶剤を留去し、残渣の4-ベンジルオキシ安
息香酸クロライド 17.3ｇを白色結晶として得た。
香酸 16ｇ（70ミリモル）を塩化メチレン 50mlに懸濁さ
せ、これに塩化チオニル 20.6ｇ（173ミリモル）を注入
し、更にN,N-ジメチルホルムアミド２滴を添加して45〜
50℃で１時間撹拌反応させた後、室温で一夜放置した。
一夜放置後、溶剤を留去し、残渣の4-ベンジルオキシ安
息香酸クロライド 17.3ｇを白色結晶として得た。
【００３４】(３)2,6-ジヒドロキシ−9-アントロン ５
ｇ（22ミリモル）をピリジン 110mlとトリエチルアミン
8.8ｇの混合溶液に溶解し、これに上記(２)で得た4-ベ
ンジルオキシ安息香酸クロライド 17.0ｇ（69ミリモ
ル）を少量づつ添加した。次いで100℃で５時間撹拌反
応させ、室温まで冷却後、反応液を１Ｎ塩酸 600ml中に
注入し、塩化メチレン 250mlで抽出した。塩化メチレン
層を１Ｎ塩酸 600mlで１回、飽和食塩水 500mlで３回洗
浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾別
後、溶剤を留去し、残渣油状物 26ｇをn-ヘキサン／テ
トラヒドロフラン混液（1/2[V/V]）から結晶化させ、2,
6,9-トリス（4-ベンジルオキシベンゾイルオキシ）アン
トラセン 7.45ｇを黄色結晶として得た。 mp. 219〜22
1℃。1 HNMR δppm（CDCl3）：5.15(2H,s,ArCH2 ),5.17(2H,s,
ArCH2 ),5.20(2H,s,ArCH2 ),7.03〜8.40(34H,m,芳香環水
素)． IR(KBr錠)νcm-1：1728(COO-)．
ｇ（22ミリモル）をピリジン 110mlとトリエチルアミン
8.8ｇの混合溶液に溶解し、これに上記(２)で得た4-ベ
ンジルオキシ安息香酸クロライド 17.0ｇ（69ミリモ
ル）を少量づつ添加した。次いで100℃で５時間撹拌反
応させ、室温まで冷却後、反応液を１Ｎ塩酸 600ml中に
注入し、塩化メチレン 250mlで抽出した。塩化メチレン
層を１Ｎ塩酸 600mlで１回、飽和食塩水 500mlで３回洗
浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾別
後、溶剤を留去し、残渣油状物 26ｇをn-ヘキサン／テ
トラヒドロフラン混液（1/2[V/V]）から結晶化させ、2,
6,9-トリス（4-ベンジルオキシベンゾイルオキシ）アン
トラセン 7.45ｇを黄色結晶として得た。 mp. 219〜22
1℃。1 HNMR δppm（CDCl3）：5.15(2H,s,ArCH2 ),5.17(2H,s,
ArCH2 ),5.20(2H,s,ArCH2 ),7.03〜8.40(34H,m,芳香環水
素)． IR(KBr錠)νcm-1：1728(COO-)．
【００３５】(４)上記(３)で得た2,6,9-トリス（4-ベン
ジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン 6.2ｇ（7.
3ミリモル）をテトラヒドロフラン 250mlに溶解させた
後、５％パラジウム−炭素 11.5ｇを添加し常温常圧接
触還元を行った。６時間還元した後、触媒を濾別し、濾
液を濃縮し、残渣の黄色結晶 4.2ｇをn-ヘキサン／テト
ラヒドロフラン混液（1/5[V/V]）から再結晶して2,6,9-
トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン
3.0ｇを淡黄色結晶として得た。mp.238℃（分解）。1 HNMR δppm(DMSO-d6) ：6.90〜7.04(6H,m,(Ar 3'-H,
5'-H)×3),7.50〜8.29(12H,m,アントラセン環 1-H,3-H,4-H,5-
H,7-H,8-H 及び(Ar 2'-H,6'-H)×3),8.67(1H,s,アントラセン
環 10-H),10.60(3H,bs,OH×3). IR(KBr錠)νcm-1：3392(OH),1699(COO-).
ジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン 6.2ｇ（7.
3ミリモル）をテトラヒドロフラン 250mlに溶解させた
後、５％パラジウム−炭素 11.5ｇを添加し常温常圧接
触還元を行った。６時間還元した後、触媒を濾別し、濾
液を濃縮し、残渣の黄色結晶 4.2ｇをn-ヘキサン／テト
ラヒドロフラン混液（1/5[V/V]）から再結晶して2,6,9-
トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン
3.0ｇを淡黄色結晶として得た。mp.238℃（分解）。1 HNMR δppm(DMSO-d6) ：6.90〜7.04(6H,m,(Ar 3'-H,
5'-H)×3),7.50〜8.29(12H,m,アントラセン環 1-H,3-H,4-H,5-
H,7-H,8-H 及び(Ar 2'-H,6'-H)×3),8.67(1H,s,アントラセン
環 10-H),10.60(3H,bs,OH×3). IR(KBr錠)νcm-1：3392(OH),1699(COO-).
【００３６】実施例２ 2,6-ビス（4-ヒドロキシベンゾ
イルオキシ）アントラセンの合成 (１)2,6-ジヒドロキシ-9,10-アントラキノン ３ｇ（12.
5ミリモル）及び無水炭酸カリウム 23ｇをアセトン 400
mlに懸濁させ、室温でジメチル硫酸 20ｇ（158ミリモ
ル）を注入した後、６時間撹拌、還流、反応させた。室
温で一夜放置後、反応液を冷水 850ml中に注入し、析出
晶を濾取、乾燥して粗結晶 3.1ｇを暗褐色晶として得
た。次いで粗結晶をベンゼンから再結晶して2,6-ジメト
キシ-9,10-アントラキノン 2.7ｇを黄褐色晶として得
た。1 HNMR δppm(DMSO-d6) ：3.97(6H,s,CH3 O×2),7.43(2
H,d,J=8Hz,アントラキノン環3-H,7-H),7.61(2H,s,アントラキノン環 1-
H,5-H),8.17(2H,d,J=8Hz,アントラキノン環 4-H,8-H)． IR(KBr錠)νcm-1：1668(C=O)．
イルオキシ）アントラセンの合成 (１)2,6-ジヒドロキシ-9,10-アントラキノン ３ｇ（12.
5ミリモル）及び無水炭酸カリウム 23ｇをアセトン 400
mlに懸濁させ、室温でジメチル硫酸 20ｇ（158ミリモ
ル）を注入した後、６時間撹拌、還流、反応させた。室
温で一夜放置後、反応液を冷水 850ml中に注入し、析出
晶を濾取、乾燥して粗結晶 3.1ｇを暗褐色晶として得
た。次いで粗結晶をベンゼンから再結晶して2,6-ジメト
キシ-9,10-アントラキノン 2.7ｇを黄褐色晶として得
た。1 HNMR δppm(DMSO-d6) ：3.97(6H,s,CH3 O×2),7.43(2
H,d,J=8Hz,アントラキノン環3-H,7-H),7.61(2H,s,アントラキノン環 1-
H,5-H),8.17(2H,d,J=8Hz,アントラキノン環 4-H,8-H)． IR(KBr錠)νcm-1：1668(C=O)．
【００３７】(２)上記(１)で得た2,6-ジメトキシ-9,10-
アントラキノン 2.7ｇ（10ミリモル）を25％アンモニア
水 92mlに懸濁させ、これに亜鉛末 10.2ｇ（156ミリモ
ル）及び硫酸銅・５水和物 130mgを添加し、70℃で７時
間撹拌反応させた。冷却後、反応液を１Ｎ硫酸 40mlで
中和し、塩化メチレン及び水を注入して撹拌し、不溶物
を濾別後、濾液を分液して有機層を得た。有機層を水洗
した後、濃縮して得た粗結晶 2.2ｇをメタノールから再
結晶して2,6-ジメトキシアントラセン 1.3ｇを黄褐色晶
として得た。1 HNMR δppm(CDCl3)：3.80(6H,s,CH3 O×2),6.51〜8.2
0(8H,m,アントラセン環水素)． IR(KBr錠)νcm-1：1613,1577．
アントラキノン 2.7ｇ（10ミリモル）を25％アンモニア
水 92mlに懸濁させ、これに亜鉛末 10.2ｇ（156ミリモ
ル）及び硫酸銅・５水和物 130mgを添加し、70℃で７時
間撹拌反応させた。冷却後、反応液を１Ｎ硫酸 40mlで
中和し、塩化メチレン及び水を注入して撹拌し、不溶物
を濾別後、濾液を分液して有機層を得た。有機層を水洗
した後、濃縮して得た粗結晶 2.2ｇをメタノールから再
結晶して2,6-ジメトキシアントラセン 1.3ｇを黄褐色晶
として得た。1 HNMR δppm(CDCl3)：3.80(6H,s,CH3 O×2),6.51〜8.2
0(8H,m,アントラセン環水素)． IR(KBr錠)νcm-1：1613,1577．
【００３８】(３)上記(２)で得た2,6-ジメトキシアント
ラセン 1.22ｇ（5.1ミリモル）を塩化メチレン 30mlに
懸濁させ、三臭化ホウ素 3.2ｇ（12.8ミリモル）の塩化
メチレン（10ml）溶液を−60℃で滴下した。滴下後、反
応液を徐々に室温に戻し、一夜放置後、冷水 200ml中に
注入して、析出晶を濾取し、水洗、乾燥して粗2,6-ジヒ
ドロキシアントラセン 0.85ｇを黄褐色晶として得た。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：6.07〜8.15(8H,m,アントラセン環水
素),9.65(2H,bs, OH×2)．
ラセン 1.22ｇ（5.1ミリモル）を塩化メチレン 30mlに
懸濁させ、三臭化ホウ素 3.2ｇ（12.8ミリモル）の塩化
メチレン（10ml）溶液を−60℃で滴下した。滴下後、反
応液を徐々に室温に戻し、一夜放置後、冷水 200ml中に
注入して、析出晶を濾取し、水洗、乾燥して粗2,6-ジヒ
ドロキシアントラセン 0.85ｇを黄褐色晶として得た。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：6.07〜8.15(8H,m,アントラセン環水
素),9.65(2H,bs, OH×2)．
【００３９】(４)上記(３)で得た2,6-ジヒドロキシアン
トラセン 0.82ｇ（3.9ミリモル）をピリジン 15mlに溶
解し、これに実施例１の(２)で得た4-ベンジルオキシ安
息香酸クロライド 2.12ｇ（8.58ミリモル）を添加した
後、トリエチルアミン １ｇを20℃で滴下した。次いで9
0〜95℃で８時間反応させ、冷却後、希塩酸 400ml中に
反応液を注入し、塩化メチレン抽出した。有機層を水洗
した後、溶剤を留去し、得られた粗油状物をカラム分離
［充填剤：ワコーゲル C-200（和光純薬工業(株)商品
名）；溶離液：n-ヘキサン／塩化メチレン=7/1→2/1 →
1/1 →1/2 ］して2,6-ビス（4-ベンジルオキシベンゾイ
ルオキシ）アントラセン 0.56ｇを黄色粉末晶として得
た。1 HNMR δppm(CDCl3)：5.09(2H,s,CH2 ),5.17(2H,s,C
H2),6.82〜8.66(26H,m,芳香環水素)． IR(KBr錠)νcm-1：1732(COO-).
トラセン 0.82ｇ（3.9ミリモル）をピリジン 15mlに溶
解し、これに実施例１の(２)で得た4-ベンジルオキシ安
息香酸クロライド 2.12ｇ（8.58ミリモル）を添加した
後、トリエチルアミン １ｇを20℃で滴下した。次いで9
0〜95℃で８時間反応させ、冷却後、希塩酸 400ml中に
反応液を注入し、塩化メチレン抽出した。有機層を水洗
した後、溶剤を留去し、得られた粗油状物をカラム分離
［充填剤：ワコーゲル C-200（和光純薬工業(株)商品
名）；溶離液：n-ヘキサン／塩化メチレン=7/1→2/1 →
1/1 →1/2 ］して2,6-ビス（4-ベンジルオキシベンゾイ
ルオキシ）アントラセン 0.56ｇを黄色粉末晶として得
た。1 HNMR δppm(CDCl3)：5.09(2H,s,CH2 ),5.17(2H,s,C
H2),6.82〜8.66(26H,m,芳香環水素)． IR(KBr錠)νcm-1：1732(COO-).
【００４０】(５)上記(４)で得た2,6-ビス（4-ベンジル
オキシベンゾイルオキシ）アントラセン 0.56ｇ（0.88
ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同様にして接触還
元及び後処理を行い、2,6-ビス（4-ヒドロキシベンゾイ
ルオキシ）アントラセン 0.36ｇを淡黄色結晶として得
た。 mp. 324℃（分解）。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：6.63〜8.97(16H,m,芳香環水
素),10.48(2H,bs, OH×2)． IR(KBr錠)νcm-1：3405(OH),1701(COO-).
オキシベンゾイルオキシ）アントラセン 0.56ｇ（0.88
ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同様にして接触還
元及び後処理を行い、2,6-ビス（4-ヒドロキシベンゾイ
ルオキシ）アントラセン 0.36ｇを淡黄色結晶として得
た。 mp. 324℃（分解）。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：6.63〜8.97(16H,m,芳香環水
素),10.48(2H,bs, OH×2)． IR(KBr錠)νcm-1：3405(OH),1701(COO-).
【００４１】実施例３ 1,5,9-トリス（4-ヒドロキシベ
ンゾイルオキシ）アントラセンの合成(１)1,5-ジヒドロ
キシアントラキノン 10ｇ（41.6ミリモル）及び塩化第
一錫45ｇ（237ミリモル）を酢酸 150mlに懸濁させ、こ
れに16〜20℃で濃塩酸 90mlを注入して４時間撹拌還流
反応させた。室温で一夜放置した後、５℃に冷却し、析
出晶を濾取、水洗、乾燥して1,5-ジヒドロキシー9ーアン
トロン 8.0ｇを暗褐色針状晶として得た。 mp. 231〜
233℃。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：4.20(2H,s,CH2 ),6.87(1H,d,J=
8Hz,アントラセン環 6-H),7.09(1H,d,J=8Hz,アントラセン環 2-H),7.
19(1H,d,J=8Hz,アントラセン環 4-H),7.35(1H,t,J=8Hz,アントラセン
環 7-H),7.57(1H,t,J=8Hz,アントラセン環 3-H),7.69(1H,d,J=
8Hz,アントラセン環 8-H),10.23(1H,bs,5-OH),12.97(1H,s,1-O
H)． IR(KBr錠)νcm-1：3338(OH),1633(C=O)．
ンゾイルオキシ）アントラセンの合成(１)1,5-ジヒドロ
キシアントラキノン 10ｇ（41.6ミリモル）及び塩化第
一錫45ｇ（237ミリモル）を酢酸 150mlに懸濁させ、こ
れに16〜20℃で濃塩酸 90mlを注入して４時間撹拌還流
反応させた。室温で一夜放置した後、５℃に冷却し、析
出晶を濾取、水洗、乾燥して1,5-ジヒドロキシー9ーアン
トロン 8.0ｇを暗褐色針状晶として得た。 mp. 231〜
233℃。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：4.20(2H,s,CH2 ),6.87(1H,d,J=
8Hz,アントラセン環 6-H),7.09(1H,d,J=8Hz,アントラセン環 2-H),7.
19(1H,d,J=8Hz,アントラセン環 4-H),7.35(1H,t,J=8Hz,アントラセン
環 7-H),7.57(1H,t,J=8Hz,アントラセン環 3-H),7.69(1H,d,J=
8Hz,アントラセン環 8-H),10.23(1H,bs,5-OH),12.97(1H,s,1-O
H)． IR(KBr錠)νcm-1：3338(OH),1633(C=O)．
【００４２】(２)上記(１)で得た1,5-ジヒドロキシアン
トロン 2.3ｇ（10ミリモル）をピリジン 45mlとトリエ
チルアミン 3.6ｇの混液に溶解し、これに実施例１の
(２)で得られた4-ベンジルオキシ安息香酸クロライド
８ｇを少量づつ添加し、90℃で５時間撹拌反応させた。
室温で一夜放置後、反応液を１Ｎ塩酸 300ml中に注入
し、塩化メチレンで抽出した。有機層を水洗し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶剤を留去し、残渣をカラム
分離［充填剤：ワコーゲル C-200（和光純薬工業(株)商
品名）；溶離液：n-ヘキサン／塩化メチレン=1/1→1/3
］して1,5,9-トリス（4-ベンジルオキシベンゾイルオ
キシ）アントラセン 2.0ｇを黄色結晶として得た。 mp. 240〜242℃。1 HNMR δppm(CDCl3)：5.00(2H,s,CH2 ),5.03(2H,s,CH2
),5.23(2H,s,CH2 ),6.67〜8.54(34H,m,芳香環水素). IR(KBr錠)νcm-1：1735(COO-).
トロン 2.3ｇ（10ミリモル）をピリジン 45mlとトリエ
チルアミン 3.6ｇの混液に溶解し、これに実施例１の
(２)で得られた4-ベンジルオキシ安息香酸クロライド
８ｇを少量づつ添加し、90℃で５時間撹拌反応させた。
室温で一夜放置後、反応液を１Ｎ塩酸 300ml中に注入
し、塩化メチレンで抽出した。有機層を水洗し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶剤を留去し、残渣をカラム
分離［充填剤：ワコーゲル C-200（和光純薬工業(株)商
品名）；溶離液：n-ヘキサン／塩化メチレン=1/1→1/3
］して1,5,9-トリス（4-ベンジルオキシベンゾイルオ
キシ）アントラセン 2.0ｇを黄色結晶として得た。 mp. 240〜242℃。1 HNMR δppm(CDCl3)：5.00(2H,s,CH2 ),5.03(2H,s,CH2
),5.23(2H,s,CH2 ),6.67〜8.54(34H,m,芳香環水素). IR(KBr錠)νcm-1：1735(COO-).
【００４３】(３)上記(２)で得た1,5,9-トリス（4-ベン
ジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン １ｇ（1.1
4ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同様にして接触
還元及び後処理を行い、得られた粗結晶 0.7ｇをテトラ
ヒドロフラン／n-ヘキサン混液から再結晶して1,5,9-ト
リス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン0.
5ｇを淡黄色結晶として得た。mp. 326℃。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：6.55〜7.06(6H,m,ヘ゛ンセ゛ン環(3-
H,5-H)×3),7.32〜8.23(12H,m,アントラセン環 2-H,3-H,4-H,6
-H,7-H,8-H 及びヘ゛ンセ゛ン環(2-H,6-H)×3),8.65(1H,s,アント
ラセン環 10-H),10.41(3H,bs,OH×3). IR(KBr錠)νcm-1：3408(OH),1702(COO-).
ジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン １ｇ（1.1
4ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同様にして接触
還元及び後処理を行い、得られた粗結晶 0.7ｇをテトラ
ヒドロフラン／n-ヘキサン混液から再結晶して1,5,9-ト
リス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン0.
5ｇを淡黄色結晶として得た。mp. 326℃。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：6.55〜7.06(6H,m,ヘ゛ンセ゛ン環(3-
H,5-H)×3),7.32〜8.23(12H,m,アントラセン環 2-H,3-H,4-H,6
-H,7-H,8-H 及びヘ゛ンセ゛ン環(2-H,6-H)×3),8.65(1H,s,アント
ラセン環 10-H),10.41(3H,bs,OH×3). IR(KBr錠)νcm-1：3408(OH),1702(COO-).
【００４４】実施例４ 1,2,10-トリス（4-ヒドロキシ
ベンゾイルオキシ）アントラセンの合成 (１)1,2-ジヒドロキシ-10-アントロン 2.26ｇと実施例
１の(２)で得られた4-ベンジルオキシ安息香酸クロライ
ド ８ｇを用いて実施例１の(３)と同様にして反応及び
後処理を行い、得られた粗結晶 3.5ｇをカラム分離［充
填剤：ワコーゲル C-200；溶離液：n-ヘキサン／塩化メ
チレン=4/1→2/1 →1/1(V/V)］して 1,2,10-トリス（4-
ベンジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン 1.6ｇ
を黄色結晶として得た。1 HNMR δppm(CDCl3)：5.09(2H,s,CH2 ),5.16(2H,s,C
H2 ),5.23(2H,s,CH2 ),6.91〜8.44(34H,m,アントラセン環水
素)． IR(KBr錠)νcm-1：1740(COO-).
ベンゾイルオキシ）アントラセンの合成 (１)1,2-ジヒドロキシ-10-アントロン 2.26ｇと実施例
１の(２)で得られた4-ベンジルオキシ安息香酸クロライ
ド ８ｇを用いて実施例１の(３)と同様にして反応及び
後処理を行い、得られた粗結晶 3.5ｇをカラム分離［充
填剤：ワコーゲル C-200；溶離液：n-ヘキサン／塩化メ
チレン=4/1→2/1 →1/1(V/V)］して 1,2,10-トリス（4-
ベンジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン 1.6ｇ
を黄色結晶として得た。1 HNMR δppm(CDCl3)：5.09(2H,s,CH2 ),5.16(2H,s,C
H2 ),5.23(2H,s,CH2 ),6.91〜8.44(34H,m,アントラセン環水
素)． IR(KBr錠)νcm-1：1740(COO-).
【００４５】(２)上記(１)で得た 1,2,10-トリス（4-ベ
ンジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン 1.54ｇ
（1.8ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同様にして
接触還元及び後処理を行い、得られた粗結晶 0.92ｇを
テトラヒドロフラン／n-ヘキサン混液から再結晶して1,
2,10-トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アント
ラセン 0.5ｇを淡黄色結晶として得た。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：6.79〜7.08(6H,m,ヘ゛ンセ゛ン環(3-
H,5-H)×3),7.49〜8.29(12H,m,ヘ゛ンセ゛ン環(2-H,6-H)×3
及びアントラセン環 3-H,4-H,5-H,6-H,7-H,8-H),8.59(1H,s,アン
トラセン環 9-H),10.59(3H,bs, OH×3)． IR(KBr錠)νcm-1：3413(OH),1706(COO-)．
ンジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン 1.54ｇ
（1.8ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同様にして
接触還元及び後処理を行い、得られた粗結晶 0.92ｇを
テトラヒドロフラン／n-ヘキサン混液から再結晶して1,
2,10-トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アント
ラセン 0.5ｇを淡黄色結晶として得た。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：6.79〜7.08(6H,m,ヘ゛ンセ゛ン環(3-
H,5-H)×3),7.49〜8.29(12H,m,ヘ゛ンセ゛ン環(2-H,6-H)×3
及びアントラセン環 3-H,4-H,5-H,6-H,7-H,8-H),8.59(1H,s,アン
トラセン環 9-H),10.59(3H,bs, OH×3)． IR(KBr錠)νcm-1：3413(OH),1706(COO-)．
【００４６】実施例５ 2,6,9-トリス（4-ヒドロキシ−
3-メトキシベンゾイルオキシ）アントラセンの合成 (１)4-ヒドロキシ−3-メトキシ安息香酸 25ｇ（0.15モ
ル）をエタノール 150mlに懸濁し、これに２Ｎ水酸化ナ
トリウム水溶液 74.3ｇ（0.15モル）及び塩化ベンジル
56.5ｇ（0.45モル）を加えて１時間撹拌還流させた後、
５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液 150mlを撹拌還流下に滴下
し、滴下後更に１時間撹拌還流させた。反応後、溶剤を
留去して残渣に水 300mlを注入し、濃塩酸でｐＨ１とし
た後、析出晶を濾取、水洗、乾燥して4-ベンジルオキシ
−3-メトキシ安息香酸 22.1ｇを淡黄色結晶として得
た。mp. 171〜172.5℃。1 HNMR δppm(DMSO-d6) ：3.81(3H,s,CH3 O), 5.16(2H,
s,CH2 ),7.13(1H,d,J=8Hz,Ar 5-H),7.33〜7.44(5H,m,芳
香環水素),7.47(1H,d,J=2Hz,Ar 2-H),7.54(1H,dd,J=2Hz
及び8Hz,Ar 6-H). IR(KBr錠)νcm-1：1676(COOH)．
3-メトキシベンゾイルオキシ）アントラセンの合成 (１)4-ヒドロキシ−3-メトキシ安息香酸 25ｇ（0.15モ
ル）をエタノール 150mlに懸濁し、これに２Ｎ水酸化ナ
トリウム水溶液 74.3ｇ（0.15モル）及び塩化ベンジル
56.5ｇ（0.45モル）を加えて１時間撹拌還流させた後、
５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液 150mlを撹拌還流下に滴下
し、滴下後更に１時間撹拌還流させた。反応後、溶剤を
留去して残渣に水 300mlを注入し、濃塩酸でｐＨ１とし
た後、析出晶を濾取、水洗、乾燥して4-ベンジルオキシ
−3-メトキシ安息香酸 22.1ｇを淡黄色結晶として得
た。mp. 171〜172.5℃。1 HNMR δppm(DMSO-d6) ：3.81(3H,s,CH3 O), 5.16(2H,
s,CH2 ),7.13(1H,d,J=8Hz,Ar 5-H),7.33〜7.44(5H,m,芳
香環水素),7.47(1H,d,J=2Hz,Ar 2-H),7.54(1H,dd,J=2Hz
及び8Hz,Ar 6-H). IR(KBr錠)νcm-1：1676(COOH)．
【００４７】(２)上記(１)で得た4-ベンジルオキシ−3-
メトキシ安息香酸 22.3ｇ（86.3ミリモル）と塩化チオ
ニル 30.8ｇ（0.26モル）から成る懸濁液を徐々に加温
し、60〜65℃で２時間撹拌反応させた。反応後、反応液
を濃縮し、4-ベンジルオキシ−3-メトキシ安息香酸クロ
ライド 23.4ｇを淡黄色鱗片状晶として得た。mp. 63〜6
5℃。
メトキシ安息香酸 22.3ｇ（86.3ミリモル）と塩化チオ
ニル 30.8ｇ（0.26モル）から成る懸濁液を徐々に加温
し、60〜65℃で２時間撹拌反応させた。反応後、反応液
を濃縮し、4-ベンジルオキシ−3-メトキシ安息香酸クロ
ライド 23.4ｇを淡黄色鱗片状晶として得た。mp. 63〜6
5℃。
【００４８】(３)上記(２)で得た4-ベンジルオキシ−3-
メトキシ安息香酸クロライド 10.1ｇ（36.4ミリモル）
と2,6-ジヒドロキシ−9-アントロン 2.2ｇ（11ミリモ
ル）とを用いて実施例１の(３)と同様にして反応及び後
処理を行い、2,6,9-トリス（4-ベンジルオキシ−3-メト
キシベンゾイルオキシ）アントラセン 7.8ｇを淡黄色結
晶として得た。 mp. 186〜189℃。1 HNMR δppm(CDCl3)：3.96(3H,s,CH3 O), 3.99(3H,s,C
H3 O),4.00(3H,s,CH3 O),5.25(2H,s,Ar-CH2 ), 5.27(2H,
s,Ar-CH2 ), 5.29(2H,s,Ar-CH2 ),6.93〜8.09(30H,m,芳
香環水素),8.39(1H,s,アントラセン環 10-H)． IR(KBr錠)νcm-1：1736(COO-).
メトキシ安息香酸クロライド 10.1ｇ（36.4ミリモル）
と2,6-ジヒドロキシ−9-アントロン 2.2ｇ（11ミリモ
ル）とを用いて実施例１の(３)と同様にして反応及び後
処理を行い、2,6,9-トリス（4-ベンジルオキシ−3-メト
キシベンゾイルオキシ）アントラセン 7.8ｇを淡黄色結
晶として得た。 mp. 186〜189℃。1 HNMR δppm(CDCl3)：3.96(3H,s,CH3 O), 3.99(3H,s,C
H3 O),4.00(3H,s,CH3 O),5.25(2H,s,Ar-CH2 ), 5.27(2H,
s,Ar-CH2 ), 5.29(2H,s,Ar-CH2 ),6.93〜8.09(30H,m,芳
香環水素),8.39(1H,s,アントラセン環 10-H)． IR(KBr錠)νcm-1：1736(COO-).
【００４９】(４)上記(３)で得た2,6,9-トリス（4-ベン
ジルオキシ−3-メトキシベンゾイルオキシ）アントラセ
ン 2.4ｇ（2.52ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同
様にして接触還元及び後処理を行い、得られた粗結晶
1.6ｇをテラヒドロフラン／n-ヘキサン混液から再結晶
して2,6,9-トリス（4-ヒドロキシ−3-メトキシベンゾイ
ルオキシ）アントラセン 0.9ｇを微黄色結晶として得
た。 mp. 206℃（分解）。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：3.94(3H,s,CH3 O), 3.97(3H,
s,CH3 O),3.98(3H,s,CH3 O),7.01〜8.39(15H,m,芳香環
水素),8.78(1H,s,アントラセン環 10-H),10.33(3H,bs,OH×
3)． IR(KBr錠)νcm-1：3374(OH),1728(COO-)．
ジルオキシ−3-メトキシベンゾイルオキシ）アントラセ
ン 2.4ｇ（2.52ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同
様にして接触還元及び後処理を行い、得られた粗結晶
1.6ｇをテラヒドロフラン／n-ヘキサン混液から再結晶
して2,6,9-トリス（4-ヒドロキシ−3-メトキシベンゾイ
ルオキシ）アントラセン 0.9ｇを微黄色結晶として得
た。 mp. 206℃（分解）。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：3.94(3H,s,CH3 O), 3.97(3H,
s,CH3 O),3.98(3H,s,CH3 O),7.01〜8.39(15H,m,芳香環
水素),8.78(1H,s,アントラセン環 10-H),10.33(3H,bs,OH×
3)． IR(KBr錠)νcm-1：3374(OH),1728(COO-)．
【００５０】実施例６ 2,6,9-トリス（3,4-ジヒドロキ
シベンゾイルオキシ）アントラセンの合成 (１)3,4-ジヒドロキシ安息香酸 25.4ｇ（0.17モル）を
エタノール 250mlに懸濁させ、これに５Ｎ水酸化ナトリ
ウム水溶液 270ml及び塩化ベンジル 102ｇ（0.81モル）
を注入して６時間撹拌還流させた。反応後、室温に冷却
し、一夜放置後、濃塩酸 40ml注入して、析出晶を濾取
し、熱エタノール洗浄、減圧乾燥して3,4-ジベンジルオ
キシ安息香酸 38.2ｇを微黄色結晶として得た。 mp. 1
84〜186℃。 1HNMR δppm(DMSO-d6) ：3.38(1H,bs,-O
H),5.18(2H,s,ArCH2 -),5.22(2H,s,ArCH2 -),7.16(1H,
d,J=8.8Hz,ヘ゛ンセ゛ン環 5-H),7.30〜7.57(12H,m,芳香環水
素)． IR(KBr錠)νcm-1：1679(C=O).
シベンゾイルオキシ）アントラセンの合成 (１)3,4-ジヒドロキシ安息香酸 25.4ｇ（0.17モル）を
エタノール 250mlに懸濁させ、これに５Ｎ水酸化ナトリ
ウム水溶液 270ml及び塩化ベンジル 102ｇ（0.81モル）
を注入して６時間撹拌還流させた。反応後、室温に冷却
し、一夜放置後、濃塩酸 40ml注入して、析出晶を濾取
し、熱エタノール洗浄、減圧乾燥して3,4-ジベンジルオ
キシ安息香酸 38.2ｇを微黄色結晶として得た。 mp. 1
84〜186℃。 1HNMR δppm(DMSO-d6) ：3.38(1H,bs,-O
H),5.18(2H,s,ArCH2 -),5.22(2H,s,ArCH2 -),7.16(1H,
d,J=8.8Hz,ヘ゛ンセ゛ン環 5-H),7.30〜7.57(12H,m,芳香環水
素)． IR(KBr錠)νcm-1：1679(C=O).
【００５１】(２)上記(１)で得た3,4-ジベンジルオキシ
安息香酸 10ｇ（30ミリモル）と塩化チオニル 10.7ｇ
（90ミリモル）からなる懸濁液を徐々に加熱し、85℃で
１時間反応させた後、反応液を濃縮乾固して3,4-ジベン
ジルオキシ安息香酸クロライド 10.3ｇを白色結晶とし
て得た。mp. 92.5〜94.5 ℃。
安息香酸 10ｇ（30ミリモル）と塩化チオニル 10.7ｇ
（90ミリモル）からなる懸濁液を徐々に加熱し、85℃で
１時間反応させた後、反応液を濃縮乾固して3,4-ジベン
ジルオキシ安息香酸クロライド 10.3ｇを白色結晶とし
て得た。mp. 92.5〜94.5 ℃。
【００５２】(３)上記(２)で得た3,4-ジベンジルオキシ
安息香酸クロライド 5.2ｇ（14.6ミリモル）と2,6-ジヒ
ドロキシ−9-アントロン １ｇ（4.4ミリモル）を用いて
実施例１の(３)と同様にして反応及び後処理を行い、得
られた粗結晶 5.4ｇを塩化メチレン／酢酸エチル混液
（1/4[V/V]）から再結晶して2,6,9-トリス（3,4-ジベン
ジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン 3.4ｇを黄
色結晶として得た。 mp. 189〜191℃。1 HNMR δppm(CDCl3)：5.20〜5.31(12H,m,ArCH2 ×6),
7.14〜8.05(44H,m,芳香環水素),8.21(1H,d,J=9.2Hz,アント
ラセン環 4-H),8.58(1H,s,アントラセン環 10-H)． IR(KBr錠)νcm-1：1733(COO-).
安息香酸クロライド 5.2ｇ（14.6ミリモル）と2,6-ジヒ
ドロキシ−9-アントロン １ｇ（4.4ミリモル）を用いて
実施例１の(３)と同様にして反応及び後処理を行い、得
られた粗結晶 5.4ｇを塩化メチレン／酢酸エチル混液
（1/4[V/V]）から再結晶して2,6,9-トリス（3,4-ジベン
ジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン 3.4ｇを黄
色結晶として得た。 mp. 189〜191℃。1 HNMR δppm(CDCl3)：5.20〜5.31(12H,m,ArCH2 ×6),
7.14〜8.05(44H,m,芳香環水素),8.21(1H,d,J=9.2Hz,アント
ラセン環 4-H),8.58(1H,s,アントラセン環 10-H)． IR(KBr錠)νcm-1：1733(COO-).
【００５３】(４)上記(３)で得た2,6,9-トリス（3,4-ジ
ベンジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン ２ｇ
（1.7ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同様にして
接触還元及び後処理を行い、得られた粗結晶 1.8ｇをテ
トラヒドロフラン／n-ヘキサン混液（5/7[V/V]）から再
結晶して2,6,9-トリス（3,4-ジヒドロキシベンゾイルオ
キシ）アントラセン 1.2ｇを淡黄色結晶として得た。
mp. 233℃（分解）。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：6.87〜8.08(14H,m,芳香環),8.
27(1H,d,J=9.2Hz,アントラセン環 4-H),8.67(1H,s,アントラセン環 1
0-H),9.77(6H,bs,OH×6)． IR(KBr錠)νcm-1：3365(OH),1701(COO-).
ベンジルオキシベンゾイルオキシ）アントラセン ２ｇ
（1.7ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同様にして
接触還元及び後処理を行い、得られた粗結晶 1.8ｇをテ
トラヒドロフラン／n-ヘキサン混液（5/7[V/V]）から再
結晶して2,6,9-トリス（3,4-ジヒドロキシベンゾイルオ
キシ）アントラセン 1.2ｇを淡黄色結晶として得た。
mp. 233℃（分解）。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：6.87〜8.08(14H,m,芳香環),8.
27(1H,d,J=9.2Hz,アントラセン環 4-H),8.67(1H,s,アントラセン環 1
0-H),9.77(6H,bs,OH×6)． IR(KBr錠)νcm-1：3365(OH),1701(COO-).
【００５４】実施例７ 1,2,10-トリス（3-クロル−4-
ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセンの合成 (１)3-クロル−4-ヒドロキシ安息香酸・1/2水和物 25ｇ
（0.14モル）と塩化ベンジル 52.3ｇ（0.41モル）を用
いて実施例１の(１)と同様にして反応及び後処理を行
い、4-ベンジルオキシ−3-クロル安息香酸 20.4ｇを白
色結晶として得た。 mp. 211〜213℃。1 HNM R δppm(DMSO-d6)：5.30(2H,s,ArCH2 O-),7.34(1
H,d,J=8.4Hz,芳香環 5-H),7.37〜7.49(5H,m,芳香環水
素),7.88(1H,dd,J=1.8Hz及びJ=8.4Hz,芳香環 6-H),7.93
(1H,d,J=1.8Hz,芳香環 2-H),11.15(1H,bs,-COOH)． IR(KBr錠)νcm-1：1683(COOH)．
ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセンの合成 (１)3-クロル−4-ヒドロキシ安息香酸・1/2水和物 25ｇ
（0.14モル）と塩化ベンジル 52.3ｇ（0.41モル）を用
いて実施例１の(１)と同様にして反応及び後処理を行
い、4-ベンジルオキシ−3-クロル安息香酸 20.4ｇを白
色結晶として得た。 mp. 211〜213℃。1 HNM R δppm(DMSO-d6)：5.30(2H,s,ArCH2 O-),7.34(1
H,d,J=8.4Hz,芳香環 5-H),7.37〜7.49(5H,m,芳香環水
素),7.88(1H,dd,J=1.8Hz及びJ=8.4Hz,芳香環 6-H),7.93
(1H,d,J=1.8Hz,芳香環 2-H),11.15(1H,bs,-COOH)． IR(KBr錠)νcm-1：1683(COOH)．
【００５５】(２)上記(１)で得た4-ベンジルオキシ−3-
クロル安息香酸 2.0ｇ（7.6ミリモル）を用いて実施例
１の(２)と同様にして反応及び後処理を行い、4-ベンジ
ルオキシ−3-クロル安息香酸クロライド 2.1ｇを淡褐色
結晶として得た。 mp. 78〜80℃。 IR(KBr錠)νcm-1：1751(C=O).
クロル安息香酸 2.0ｇ（7.6ミリモル）を用いて実施例
１の(２)と同様にして反応及び後処理を行い、4-ベンジ
ルオキシ−3-クロル安息香酸クロライド 2.1ｇを淡褐色
結晶として得た。 mp. 78〜80℃。 IR(KBr錠)νcm-1：1751(C=O).
【００５６】(３)上記(２)で得た4-ベンジルオキシ−3-
クロル安息香酸クロライド 1.6ｇ（5.7ミリモル）と1,2
-ジヒドロキシ-10-アントロン 0.4ｇ（1.7ミリモル）を
用いて実施例１の(３)と同様にして反応及び後処理を行
い、得られた粗結晶 1.1ｇをカラム分離［充填剤：ワコ
ーゲル C-200（和光純薬工業(株)商品名）；溶離液：n-
ヘキサン／塩化メチレン=4/1→3/1 →1/1(V/V)］して1,
2,10-トリス（4-ベンジルオキシ−3-クロルベンゾイル
オキシ）アントラセン 0.65ｇを微黄色結晶として得
た。 mp.106〜109℃。1 HNMR δppm(CDCl3)：5.18(2H,s,ArCH2 O-),5.25(2H,
s,ArCH2 O-),5.33(2H,s,ArCH2 O-),6.91〜8.46(30H,m,
芳香環水素),8.49(1H,s,アントラセン環 9-H)． IR(KBr錠)νcm-1：1743(COO-)．
クロル安息香酸クロライド 1.6ｇ（5.7ミリモル）と1,2
-ジヒドロキシ-10-アントロン 0.4ｇ（1.7ミリモル）を
用いて実施例１の(３)と同様にして反応及び後処理を行
い、得られた粗結晶 1.1ｇをカラム分離［充填剤：ワコ
ーゲル C-200（和光純薬工業(株)商品名）；溶離液：n-
ヘキサン／塩化メチレン=4/1→3/1 →1/1(V/V)］して1,
2,10-トリス（4-ベンジルオキシ−3-クロルベンゾイル
オキシ）アントラセン 0.65ｇを微黄色結晶として得
た。 mp.106〜109℃。1 HNMR δppm(CDCl3)：5.18(2H,s,ArCH2 O-),5.25(2H,
s,ArCH2 O-),5.33(2H,s,ArCH2 O-),6.91〜8.46(30H,m,
芳香環水素),8.49(1H,s,アントラセン環 9-H)． IR(KBr錠)νcm-1：1743(COO-)．
【００５７】(４)上記(３)で得た 1,2,10-トリス（4-ベ
ンジルオキシ−3-クロルベンゾイルオキシ）アントラセ
ン 280mg（0.4ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同
様にして接触還元及び後処理を行い、1,2,10-トリス（3
-クロル−4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセ
ン 0.2ｇを白色結晶として得た。 mp. 238℃。1 HNMR δppm( Acetone-d6)：6.98〜8.41(15H,m,芳香環
水素),8.52(1H,s,アントラセン環 9-H),10.41(3H,bs,-OH)． IR(KBr錠)νcm-1：3382(OH),1747(COO-)．
ンジルオキシ−3-クロルベンゾイルオキシ）アントラセ
ン 280mg（0.4ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同
様にして接触還元及び後処理を行い、1,2,10-トリス（3
-クロル−4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセ
ン 0.2ｇを白色結晶として得た。 mp. 238℃。1 HNMR δppm( Acetone-d6)：6.98〜8.41(15H,m,芳香環
水素),8.52(1H,s,アントラセン環 9-H),10.41(3H,bs,-OH)． IR(KBr錠)νcm-1：3382(OH),1747(COO-)．
【００５８】実施例８ 1,2,10-トリス（3-ヒドロキシ
−4-メチルベンゾイルオキシ）アントラセンの合成 (１)3-ヒドロキシ−4-メチル安息香酸 20.3ｇ（0.13モ
ル）と塩化ベンジル50.8ｇ（0.40モル）を用いて実施例
１の(１)と同様にして反応及び後処理を行い、得られた
粗晶をエタノールから再結晶して3-ベンジルオキシ−4-
メチル安息香酸15.0ｇを白色結晶として得た。mp. 159
〜161℃。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：2.26(3H,s,CH3 ),5.18(2H,s,Ar
CH2 O-),7.27〜7.43(6H,m,ヘ゛ンセ゛ン環及び芳香環 5-H),7.
47(1H,s,芳香環 2-H),7.51(1H,d,J=7.7Hz,芳香環 6-H),
12.81(1H,bs,COOH)． IR(KBr錠)νcm-1：1690(COOH)．
−4-メチルベンゾイルオキシ）アントラセンの合成 (１)3-ヒドロキシ−4-メチル安息香酸 20.3ｇ（0.13モ
ル）と塩化ベンジル50.8ｇ（0.40モル）を用いて実施例
１の(１)と同様にして反応及び後処理を行い、得られた
粗晶をエタノールから再結晶して3-ベンジルオキシ−4-
メチル安息香酸15.0ｇを白色結晶として得た。mp. 159
〜161℃。1 HNMR δppm(DMSO-d6)：2.26(3H,s,CH3 ),5.18(2H,s,Ar
CH2 O-),7.27〜7.43(6H,m,ヘ゛ンセ゛ン環及び芳香環 5-H),7.
47(1H,s,芳香環 2-H),7.51(1H,d,J=7.7Hz,芳香環 6-H),
12.81(1H,bs,COOH)． IR(KBr錠)νcm-1：1690(COOH)．
【００５９】(２)上記(１)で得た3-ベンジルオキシ−4-
メチル安息香酸 3.0ｇ（12.4ミリモル）を用いて実施例
１の(２)と同様にして反応及び後処理を行い、3-ベンジ
ルオキシ−4-メチル安息香酸クロライド 3.12ｇを微黄
色結晶として得た。 mp.49〜51℃。 IR(KBr錠)νcm-1：1741(C=O)．
メチル安息香酸 3.0ｇ（12.4ミリモル）を用いて実施例
１の(２)と同様にして反応及び後処理を行い、3-ベンジ
ルオキシ−4-メチル安息香酸クロライド 3.12ｇを微黄
色結晶として得た。 mp.49〜51℃。 IR(KBr錠)νcm-1：1741(C=O)．
【００６０】(３)上記(２)で得た3-ベンジルオキシ−4-
メチル安息香酸クロライド 2.85ｇ（10.9ミリモル）と
1,2-ジヒドロキシ-10-アントロン 0.75ｇ（3.3ミリモ
ル）を用いて実施例１の(３)と同様にして反応及び後処
理を行い、得られた粗結晶をカラム分離［充填剤：ワコ
ーゲルC-200 ；溶離液：塩化メチレン］して 1,2,10-ト
リス（3-ベンジルオキシ−4-メチルベンゾイルオキシ）
アントラセン 160mgを黄色結晶として得た。mp. 132〜1
35℃。1 HNMR δppm(CDCl3)：2.17(3H,s,CH3 ),2.27(3H,s,C
H3 ),2.31(3H,s,CH3 ),5.03(2H,s,ArCH2 O-),5.15(2H,s,A
rCH2 O-),5.24(2H,s,ArCH2 O-),7.15〜8.07(30H,m,芳香
環水素),8.45(1H,s,アントラセン環 9-H)． IR(KBr錠)νcm-1：1737(COO-).
メチル安息香酸クロライド 2.85ｇ（10.9ミリモル）と
1,2-ジヒドロキシ-10-アントロン 0.75ｇ（3.3ミリモ
ル）を用いて実施例１の(３)と同様にして反応及び後処
理を行い、得られた粗結晶をカラム分離［充填剤：ワコ
ーゲルC-200 ；溶離液：塩化メチレン］して 1,2,10-ト
リス（3-ベンジルオキシ−4-メチルベンゾイルオキシ）
アントラセン 160mgを黄色結晶として得た。mp. 132〜1
35℃。1 HNMR δppm(CDCl3)：2.17(3H,s,CH3 ),2.27(3H,s,C
H3 ),2.31(3H,s,CH3 ),5.03(2H,s,ArCH2 O-),5.15(2H,s,A
rCH2 O-),5.24(2H,s,ArCH2 O-),7.15〜8.07(30H,m,芳香
環水素),8.45(1H,s,アントラセン環 9-H)． IR(KBr錠)νcm-1：1737(COO-).
【００６１】(４)上記(３)で得た1,2,10-トリス（3-ベ
ンジルオキシ−4-メチルベンゾイルオキシ）アントラセ
ン 150mg（0.17ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同
様にして還元及び後処理を行い、1,2,10-トリス（3-ヒ
ドロキシ−4-メチルベンゾイルオキシ）アントラセン 8
0mgを白色結晶として得た。 mp. 251℃（分解）。1 HNMR δppm( Acetone-d6)：2.22(3H,s,CH3 ),2.25(3H,
s,CH3),2.27(3H,s,CH3 ),6.95〜8.26(15H,m,芳香環水
素),8.56(1H,s,アントラセン環 9-H),10.11(3H,bs,OH×3)． IR(KBr錠)νcm-1：3409(OH),1716(COO-).
ンジルオキシ−4-メチルベンゾイルオキシ）アントラセ
ン 150mg（0.17ミリモル）を用いて実施例１の(４)と同
様にして還元及び後処理を行い、1,2,10-トリス（3-ヒ
ドロキシ−4-メチルベンゾイルオキシ）アントラセン 8
0mgを白色結晶として得た。 mp. 251℃（分解）。1 HNMR δppm( Acetone-d6)：2.22(3H,s,CH3 ),2.25(3H,
s,CH3),2.27(3H,s,CH3 ),6.95〜8.26(15H,m,芳香環水
素),8.56(1H,s,アントラセン環 9-H),10.11(3H,bs,OH×3)． IR(KBr錠)νcm-1：3409(OH),1716(COO-).
【００６２】参考例１ ポリ（メタクリル酸メチル／メ
タクリル酸グリシジル／メタクリル酸2,3-ジヒドロキシ
プロピル）の合成 (１)メタクリル酸メチル 50.1ｇ（0.5モル）とメタクリ
ル酸グリシジル 28.4ｇ（0.2モル）をトルエン 240ml
に溶解し、これに2,2'-アゾビス（2-メチルプロピオン
酸メチル） 0.8ｇを添加し、窒素気流下80℃で７時間撹
拌反応させた。反応液をメタノール 200ml中に注入して
沈殿させ、析出晶を濾取、減圧乾燥してポリ（メタクリ
ル酸メチル／メタクリル酸グリシジル） 77ｇを白色粉
末晶として得た。得られた共重合体はメタクリル酸メチ
ル単位とメタクリル酸グリシジル単位の構成比率は1HNM
R測定から約５：２であった。又、ポリスチレンを標準
としたＧＰＣ測定から共重合体の重量平均分子量（Mw）
は約 35800、数平均分子量（Mn）は約 19200であった。
タクリル酸グリシジル／メタクリル酸2,3-ジヒドロキシ
プロピル）の合成 (１)メタクリル酸メチル 50.1ｇ（0.5モル）とメタクリ
ル酸グリシジル 28.4ｇ（0.2モル）をトルエン 240ml
に溶解し、これに2,2'-アゾビス（2-メチルプロピオン
酸メチル） 0.8ｇを添加し、窒素気流下80℃で７時間撹
拌反応させた。反応液をメタノール 200ml中に注入して
沈殿させ、析出晶を濾取、減圧乾燥してポリ（メタクリ
ル酸メチル／メタクリル酸グリシジル） 77ｇを白色粉
末晶として得た。得られた共重合体はメタクリル酸メチ
ル単位とメタクリル酸グリシジル単位の構成比率は1HNM
R測定から約５：２であった。又、ポリスチレンを標準
としたＧＰＣ測定から共重合体の重量平均分子量（Mw）
は約 35800、数平均分子量（Mn）は約 19200であった。
【００６３】(２)上記(１)で得たポリ（メタクリル酸メ
チル／メタクリル酸グリシジル）５ｇをテトラヒドロフ
ラン 50mlに40℃で溶解し、これに１Ｎ硫酸 10mlを加え
て40℃で１時間撹拌反応させた。反応液を10℃に冷却
後、水 500ml中に注入し、析出晶を濾取、水洗、減圧乾
燥してポリ（メタクリル酸メチル／メタクリル酸グリシ
ジル／メタクリル酸 2,3-ジヒドロキシプロピル） 2.5
ｇを白色粉末晶として得た。得られた共重合体のメタク
リル酸メチル単位とメタクリル酸グリシジル単位とメタ
クリル酸 2,3-ジヒドロキシプロピル単位の構成比率は
1HNMR測定から約５：１：１であった。又、ＧＰＣ測定
（ポリスチレン標準）から重量平均分子量は約 36300、
数平均分子量は約 20200であった。
チル／メタクリル酸グリシジル）５ｇをテトラヒドロフ
ラン 50mlに40℃で溶解し、これに１Ｎ硫酸 10mlを加え
て40℃で１時間撹拌反応させた。反応液を10℃に冷却
後、水 500ml中に注入し、析出晶を濾取、水洗、減圧乾
燥してポリ（メタクリル酸メチル／メタクリル酸グリシ
ジル／メタクリル酸 2,3-ジヒドロキシプロピル） 2.5
ｇを白色粉末晶として得た。得られた共重合体のメタク
リル酸メチル単位とメタクリル酸グリシジル単位とメタ
クリル酸 2,3-ジヒドロキシプロピル単位の構成比率は
1HNMR測定から約５：１：１であった。又、ＧＰＣ測定
（ポリスチレン標準）から重量平均分子量は約 36300、
数平均分子量は約 20200であった。
【００６４】参考例２
下記の組成から成る反射防止膜材料を調製した。
ポリ（メタクリル酸メチル／メタクリル酸グリシジル／メタクリル酸
2,3-ジヒドロキシプロピル） （参考例１の樹脂） 4.0ｇ
2,6,9-トリス（4-ヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン
（実施例１の化合物） 1.0ｇ
テトラヒドロフルフリルアルコール 45.0ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 50.0ｇ
上記の組成物を基板（石英ウェハー）上に回転塗布し、
200℃、90秒間ホットプレートでベークして100nmの膜
厚の遠紫外光吸収材料膜を得た。次いでこの材料膜のＵ
Ｖ測定を行った。このＵＶスペクトルを図１に示す。図
１の結果から、この材料膜は250nm付近に吸収を有して
いる事が判る。又、この材料膜はアセトンに全く溶出せ
ず、架橋反応していたことが確認された。
200℃、90秒間ホットプレートでベークして100nmの膜
厚の遠紫外光吸収材料膜を得た。次いでこの材料膜のＵ
Ｖ測定を行った。このＵＶスペクトルを図１に示す。図
１の結果から、この材料膜は250nm付近に吸収を有して
いる事が判る。又、この材料膜はアセトンに全く溶出せ
ず、架橋反応していたことが確認された。
【００６５】参考例３
下記の組成から成る化学増幅型ポジレジスト材料を調製
した。 ポリ［p-（エトキシエトキシ）スチレン／p-ヒドロキシスチレン］ 2.50ｇ 2-シクロヘキシルカルボニル−2-（p-トルエンスルホニル）プロパン 0.13ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 7.37ｇ 反射防止膜材料として上記参考例２に記載の組成物を用
い、化学増幅型ポジレジスト材料として上記組成から成
るレジスト材料を用いて段差のある高反射基板でのパタ
ーン形成を行った。結果を図２を用いて説明する。シリ
コン基板にフォトリソグラフィー、エッチング、アルミ
ニウムスパッタリングを行って得た高反射率のアルミニ
ウム段差基板１上に参考例２に記載された組成から成る
反射防止膜材料２を回転塗布し、 200℃、90秒間ホット
プレートでベークして、100nmの反射防止膜を得た（図
２ａ）。次いでこの反射防止膜の上に上記組成から成る
化学増幅型ポジレジスト材料３を回転塗布し、90℃、90
秒間ホットプレートでプレベークして 1.0μｍ膜厚のレ
ジスト材料膜を得た（図２ｂ）。 次に248.4nmのＫｒＦ
のエキシマレーザ光４をマスク５を介して選択的に露光
した（図２ｃ）。そして 100℃、90秒間ホットプレート
でポストベーク後、アルカリ現像液（2.38％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液）で60秒間現像する
ことにより、レジスト材料３の露光部のみを溶解除去
し、ポジ型パターン３ａを得た（図２ｄ）。得られたポ
ジ型パターンは0.25μｍラインアンドスペースを解像
し、パターン形状も良好（矩形）であった。又、この時
の露光量は約30mJ／cm2であった。この後、パターン３
ａをマスクとして本発明に係る遠紫外光吸収材料膜２と
アルミニウム基板１を酸素ガスと塩素系ガスで順次、エ
ッチングした（図２ｅ）。形成したエッチングパターン
１ａは、レジストパターン３ａとの寸法変動が全く生じ
ず良好なパターンであった。
した。 ポリ［p-（エトキシエトキシ）スチレン／p-ヒドロキシスチレン］ 2.50ｇ 2-シクロヘキシルカルボニル−2-（p-トルエンスルホニル）プロパン 0.13ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 7.37ｇ 反射防止膜材料として上記参考例２に記載の組成物を用
い、化学増幅型ポジレジスト材料として上記組成から成
るレジスト材料を用いて段差のある高反射基板でのパタ
ーン形成を行った。結果を図２を用いて説明する。シリ
コン基板にフォトリソグラフィー、エッチング、アルミ
ニウムスパッタリングを行って得た高反射率のアルミニ
ウム段差基板１上に参考例２に記載された組成から成る
反射防止膜材料２を回転塗布し、 200℃、90秒間ホット
プレートでベークして、100nmの反射防止膜を得た（図
２ａ）。次いでこの反射防止膜の上に上記組成から成る
化学増幅型ポジレジスト材料３を回転塗布し、90℃、90
秒間ホットプレートでプレベークして 1.0μｍ膜厚のレ
ジスト材料膜を得た（図２ｂ）。 次に248.4nmのＫｒＦ
のエキシマレーザ光４をマスク５を介して選択的に露光
した（図２ｃ）。そして 100℃、90秒間ホットプレート
でポストベーク後、アルカリ現像液（2.38％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液）で60秒間現像する
ことにより、レジスト材料３の露光部のみを溶解除去
し、ポジ型パターン３ａを得た（図２ｄ）。得られたポ
ジ型パターンは0.25μｍラインアンドスペースを解像
し、パターン形状も良好（矩形）であった。又、この時
の露光量は約30mJ／cm2であった。この後、パターン３
ａをマスクとして本発明に係る遠紫外光吸収材料膜２と
アルミニウム基板１を酸素ガスと塩素系ガスで順次、エ
ッチングした（図２ｅ）。形成したエッチングパターン
１ａは、レジストパターン３ａとの寸法変動が全く生じ
ず良好なパターンであった。
【００６６】参考例４〜１０
下記表１及び表２の各組成から成る反射防止膜材料を調
製した。
製した。
【００６７】
【表１】
【００６８】
【表２】
【００６９】上記表１及び表２に記載の各組成から成る
各反射防止膜材料を用いて、夫々参考例３と同様にして
高反射率のアルミニウム段差基板上に反射防止膜を形成
させ、この膜の上に参考例３に記載の組成から成る化学
増幅型ポジレジスト材料を用いて参考例３と同様にして
パターン形成を行った。その結果を下記表３に示す。
各反射防止膜材料を用いて、夫々参考例３と同様にして
高反射率のアルミニウム段差基板上に反射防止膜を形成
させ、この膜の上に参考例３に記載の組成から成る化学
増幅型ポジレジスト材料を用いて参考例３と同様にして
パターン形成を行った。その結果を下記表３に示す。
【００７０】
【表３】
【００７１】参考例４〜１０の材料膜は何れもアセトン
には全く溶出せず、架橋反応が進行したことが認められ
た。
には全く溶出せず、架橋反応が進行したことが認められ
た。
【００７２】参考例１１
下記組成から成る膜材料を調製した。
ポリ（メタクリル酸メチル／メタクリル酸グリシジル／メタクリル酸
2,3-ジヒドロキシプロピル） ［参考例１の樹脂］ 4.0ｇ
1,8,9-トリス（4ーヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセン 1.0ｇ
テトラヒドロフルフリルアルコール 45.0ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 50.0ｇ
上記の組成物を基板（石英ウェハー）上に回転塗布し、
200℃、90秒間ホットプレートでべークして 100 nmの膜
厚の材料膜を得た。次いで、この材料膜をアセトンに浸
漬させたところ、容易に溶出した。このように1,8,9-ト
リス（4ーヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセンを
用いた場合、架橋反応が進まず、架橋反応を利用した遠
紫外線吸収材料膜（反射防止膜）には使用不可であるこ
とが判った。
200℃、90秒間ホットプレートでべークして 100 nmの膜
厚の材料膜を得た。次いで、この材料膜をアセトンに浸
漬させたところ、容易に溶出した。このように1,8,9-ト
リス（4ーヒドロキシベンゾイルオキシ）アントラセンを
用いた場合、架橋反応が進まず、架橋反応を利用した遠
紫外線吸収材料膜（反射防止膜）には使用不可であるこ
とが判った。
【００７３】
【発明の効果】以上述べた事から明らかな如く、本発明
化合物を構成成分とする膜材料を遠紫外光（300nm以
下）やＫｒＦエキシマレーザ光（248.4nm）等の露光用
レジスト材料の下塗り材料として、アルミニウム、アル
ミニウムーシリコン又はポリシリコン等の高反射基板や
段差基板に用いた場合には、高解像性能、高感度を維持
しながらこれ等基板で断線等の問題となるノッチングや
ハレーションを発生させずにクォーターミクロンの良好
なパターン形状が得られる。従って本発明は、半導体産
業等に於ける超微細パターンの形成にとって大きな価値
を有するものである。
化合物を構成成分とする膜材料を遠紫外光（300nm以
下）やＫｒＦエキシマレーザ光（248.4nm）等の露光用
レジスト材料の下塗り材料として、アルミニウム、アル
ミニウムーシリコン又はポリシリコン等の高反射基板や
段差基板に用いた場合には、高解像性能、高感度を維持
しながらこれ等基板で断線等の問題となるノッチングや
ハレーションを発生させずにクォーターミクロンの良好
なパターン形状が得られる。従って本発明は、半導体産
業等に於ける超微細パターンの形成にとって大きな価値
を有するものである。
【００７４】
【図１】図１は、参考例２で得られた反射防止膜の紫外
線分光曲線図を示す。
線分光曲線図を示す。
【図２】図２は、本発明のアントラセン誘導体を使用し
た反射防止膜材料を下塗り剤として使用した場合のパタ
ーン形成方法の工程断面図である。
た反射防止膜材料を下塗り剤として使用した場合のパタ
ーン形成方法の工程断面図である。
１・・・高反射基板、２・・・反射防止膜材料、３・・・化学増
幅型ポジレジスト材料、４・・・ＫｒＦエキシマレーザ
光、５・・・マスク、３ａ・・・レジストパターン、１ａ・・・
エッチングパターン。
幅型ポジレジスト材料、４・・・ＫｒＦエキシマレーザ
光、５・・・マスク、３ａ・・・レジストパターン、１ａ・・・
エッチングパターン。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07C 69/84
C07C 69/92
C09K 3/00
G03K 7/11 503
H01L 21/027
ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式〔Ｉ〕 【化１】 ［式中、Ｒ1及びＲ2は夫々独立して水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は水酸基を表わし、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は夫々独立して水素原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は下記一般式〔I
I〕 【化２】 （式中、Ｒ1及びＲ2は前記と同じ。）で示される基を表
わす（但し、Ｒ3〜Ｒ6の内、少なくとも一つは一般式
〔II〕で示される基を表わす。又、一般式〔II〕で示さ
れる基が同時にアントラセン環の１位、８位及び９位に
導入された化合物は除く。）。］で示されるアントラセ
ン誘導体。 - 【請求項２】 一般式〔Ｉ〕で示される化合物のＲ3〜
Ｒ6の中の１つが一般式〔II〕で示される基である、請
求項１に記載のアントラセン誘導体。 - 【請求項３】 一般式〔Ｉ〕で示される化合物のＲ3〜
Ｒ6の中の２つが一般式〔II〕で示される基である、請
求項１に記載のアントラセン誘導体。 - 【請求項４】 一般式〔Ｉ〕及び一般式〔II〕に於て、
１以上のフェノール性水酸基がカルボキシル基に対して
p-位及び／又はm-位にある、請求項１に記載のアントラ
セン誘導体。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18879594A JP3417071B2 (ja) | 1993-07-20 | 1994-07-19 | 新規なアントラセン誘導体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20036493 | 1993-07-20 | ||
| JP5-200364 | 1993-07-20 | ||
| JP18879594A JP3417071B2 (ja) | 1993-07-20 | 1994-07-19 | 新規なアントラセン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0782221A JPH0782221A (ja) | 1995-03-28 |
| JP3417071B2 true JP3417071B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=26505151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18879594A Expired - Fee Related JP3417071B2 (ja) | 1993-07-20 | 1994-07-19 | 新規なアントラセン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3417071B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5693691A (en) * | 1995-08-21 | 1997-12-02 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings compositions |
| JP5567889B2 (ja) | 2009-10-19 | 2014-08-06 | 旭有機材工業株式会社 | アントラセン誘導体、これを用いた化合物、組成物、硬化物及びその製造方法 |
| KR101723872B1 (ko) | 2013-11-26 | 2017-04-06 | 한국화학연구원 | 비스이소벤조퓨란디오닐안트라센 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 유기 절연막 |
| JP2016114926A (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 三菱化学株式会社 | 感光性樹脂組成物、それで構成される硬化部材、及びそれを備えた画像表示装置 |
| KR20200092952A (ko) | 2017-12-22 | 2020-08-04 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 디올구조를 갖는 보호막형성 조성물 |
-
1994
- 1994-07-19 JP JP18879594A patent/JP3417071B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0782221A (ja) | 1995-03-28 |
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